D
si
СЬ Изобретение относитс к электронной технике и может быть использовано дл изготовлени высоко ,частотных термостабильных конденсаторов , . Известны керамигческие конденсаторные материалы tl1 имеющие сле дующий состав, мас,%: ВаО19,7-20,7 25,1-32,0 6,2-6,7 38,0-39,5 ,1-10,0 Однако этот материал характеризуетс недостаточно низким температурным коэффициентом диэлектрическо проницаемости ТКЕ , равным(б78А ) Наиболее близким к изобретению . вл етс материал на основе керамического спека титаната бари с доба ками окиси висмута, одного из редкоземельных окислов и бората цинка, имеющий следующий состав: керамичес кий спек (95-97) , содержащий 17-20 ВаО, 29-38,5 оксида лантана, не-, одима или самари , 37-39,5% 1 5, , и борат цинка ЧЗ-5 содержащий 53-5, и 5,5 , Ц7% ,,Е2. , Этот материал обладает достаточно стабильным температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости и относительно низкой температурой спе кани , что позвол ет значительно улучшить электрофизические характеристики монолитных конденсаторов, В то же врем недостатком материала вл етс низкое сопротивление изол ции и повышенные диэлектрические потери при максимальной рабочей температуре конденсаторов (+155С). Кроме того, при изготовлении составов материала с положительным или равным нулю ТКЕ используетс дефицитна и дорогосто ща окись самари , что приводит к его удорожанию. Цель изобретени - снижение диэлектрических потерь повышение сопро тивлени изол ции при и удешевление материала. Указанна цель достигаетс тем, что известный керамический материал содержащий TiOj, , ВаО, , ZnO, , дополнительно содержит при следующем соотношении компонентов , масД: TiO З,97-36,29 30,27-31,01 ВаО15,13-16,32 11 ,,3 ZnO2,4-3,3 . В2.031,,89 AlgOj 0,28-0,58 При этом материал имеет оптимальные свойства, положительный или равный нулю ТКЕ его основы соответствует химической формуле ,6 V°l2r где 0,,1 молД. Добавка окиси алюмини позвол ет снизить диэлектрические потери и повысить электросопротивление при (максимальна рабоча температура ) . Дл получени материала его шихту составл ют из предварительно полученных и измельченных керамического спекка, содержащего ТГО, ВаО, ,j, ,, , и бората цинка, вз тых в заданном соотношении. Затем полученную шихту подвергают температурной обработке при 850-900 С и измельчают до удельной поверхности более бООО . Из .полученного таким образом керамического материала по прин той в конденсаторостроении технологии получают заготовки монолитных конденсаторов, которые обжигают в окислительной среде при 10201080 С . В табл. 1 и 2 приведены составы и свойства материалов. Как видно из табл.1 и 2,предлагаемый материал превосходит известный по сопротивлению изол ции при максимальной температуре на пор док и имеет диэлектрические потери в 2 раза ниже. Кроме того, составы ма териала с ТКЕ до +1510 Г/°С не содержат дорогосто щего и дефицитного самари .. Применение предлагаемого материала позвол ет повысить электрические характеристики конденсаторов при эксплуатации в экстремальных услови х, а также снизить их стоимость за счет замены в материале окиси самари на окись алюмини .
Т а 6 л и ц а 1
Т а б л и ц а 2