KR900004566B1 - 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 발명은 적층세라믹 콘덴서용 유전체 조성물에 관한 것으로서, 특히 소성온도가 낮은 Pb계 유전체를 조성물로 채택하여 유전상수를 높여주므로서 전극을 100% Ag전극으로 대체사용할 수 있으며 저온에서도 소성가능하도록 하는 Pb계통의 새로운 적층세라믹 콘덴서용 유전체 조성물에 관한 것이다.
일반적으로 적층세라믹 콘덴서는 얇은 판자형태로된 세라믹 유전체와 내부전극을 여러층으로 적층시킨 후, 이를 소성하여 제조되는 것으로서, 단위체적당의 정전용량이 매우 큰 장점을 가지고 있다.
그런데 종래에 사용되어온 적층세라믹 콘덴서 중에서 -25℃ 내지 85℃의 온도이내에서 정전용량이 ±10% 이내에서만 변화하는 소위 "B특성"을 나타내는 세라믹콘덴서는 그의 세라믹 유전체가 BaTiO3계통으로서 소성온도가 높아 전체조성물의 소성온도가 1140℃~1400℃를 벗어날 수 없고, 따라서 위의 원료를 사용하여 콘덴서를 제조할때 높은 온도가 요구되므로 전기에너지의 손실이 있고, 제조시 전극은 값비싼 귀금속(팔라듐함량 30% 이상)을 사용해야 했고, 더구나 설계능력지수인 유전상수도 4000을 넘기가 어려웠다.
따라서 본 발명은 적층세라믹 콘덴서의 유전체성분으로서 고온에서 소결되는 BaTiO3계통의 세라믹을 사용하는 대신에 저온에서도 소결이 가능한 Pb계통의 세라믹을 사용하므로서, 그 특성을 BaTiO3, SrTiO3로 조절하여 900℃ 이하에서 소성하여 4000 이상의 유전상수를 낼 수 있도록 하였다.
이에따라 제조원가의 절감은 물론 소성온도가 낮아 에너지절약도 가능한 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물에 있어서, 다음 조성식(Ⅰ)로 나타내지는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물인 것이다.
여기서 x는 0.01 내지 0.1의 범위이다.
이를 유전체조성물의 제조방법에 따라 상세히 설명하면 먼저, 원료물질로서 PbO, WO3, MgO, MnO2, BaCO3, SrCO3을 몰비에 따라 중량을 달아 하나의 혼합물을 만들고, Ball Mill나 Vib Mill에서서 10~20시간 습식혼합한다.
이어서, 혼합된 원료물질을 탈수건조하고, 전기로내에서 700 내지 900℃의 온도로 2~20시간동안 소성시킨 다음, 이를 다시 진동밀로 10-24시간동안 미분쇄시키게 되면 본 발명에 따른 Pb계 적층세라믹 콘덴서용 유전체 조성물이 제조되는 것이다
이와같이 하여 제조되는 본 발명의 세라믹 유전체 조성물은 저온소결 Pb계 세라믹 유전체조성물로서, 약 900℃이하의 온도에서도 세라믹 유전체와 내부전극을 적층시켜 소성시킬 수 있기 때문에 종래의 고온소성에 따른 문제점으로 인해 내부전극으로 사용해야만 했던 팔라듐함량이 높은 귀금속대신 훨씬 가격이 저렴한 Ag를 100% 사용할 수 있다.
또한 본 발명의 세라믹 유전체 조성물을 사용하여서 제조된 적층세라믹 콘덴서는 "B"특성을 나타내는 등제반 전기적인 특성이 종래의 적층세라믹 콘덴서에 비하여 조금도 손색이 없기 때문에 본 발명에 따른 세라믹 콘덴서 조성물로도 우수한 적층 세라믹 콘덴서를 제조할 수 있는 것이다.
이와같이 본 발명에 따른 유전체 조성물을 사용하여 적층 세라믹 콘덴서를 제조하게되면, 종래에 비하여 조금도 물성의 손색이 없으면서도 저렴한 Ag로 내부전극을 전부 제조하여 사용할 수가 있고 저온에서 소성할 수 있개 때문에 재료비의 절감 및 소성전기로의 동력비를 절감할 수 있는 경제적인 효과가 있다.
또한 소성온도가 낮은 Pb계 유전체를 채택하여 그 특성을 BaTiO3, SrTiO3로 조절하여 900℃이하에서 소성가능함은 물론, 4000이상의 유전상수를 낼 수 있게 되는 것이다.
Claims (1)
- 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물에 있어서, 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물은 Pb1-x(BaㆍSr)X(Ti0.4Mg0.29Mn0.01W0.3)O3의 조성식으로 표시되는 것. 단, x의 범위는 0.01~0.1임.
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1988
- 1988-03-31 KR KR1019880003553A patent/KR900004566B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| KR890015314A (ko) | 1989-10-28 |
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