KR950009330A - 액정표시소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 그 중 적어도 하나가 규칙적은 패턴의 표면자유에너지 분포를 사용하여 형성된 복수의 영역들을 수반하는 한쌍의 기판;상기 기판들사이에 헙지되고 제1표면자유에너지를 갖는 상기 복수 영역의 일부에 형성되며, 중합성재료를 경화하여 형성되는 고분자재료로 이루어지는 고분자벽; 및 상기 기판들사이에 협지되고 제2표면자유에너지를 갖는 상기 복수 영역들 중 다른 부분에 형성되며, 상기 고분자벽으로 실질적으로 둘러싸인 액정재료로 이루어지는 복수의 액정영역;을 포함하며, 상기 제1표면자유에너지를 갖는 상기 영역들, 상기 제2표면자유에너지를 갖는 영역들, 상기 고분자벽 및 액정영역의 위치들은 상기 제1표면자유에너지 rP, 상기 제2표면자유에너지rE, 상기 액정재료의 표면자유에너지;,rLC,상기 고분자재료의 표연자유에너지rM이 다음 관계식, (rE-rP)×(rLC-rM)〉0 을 만족한다.

Description

액정표시소자 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명의 실시예 1및 1a에 따른 액정표시소자의 단면도이다,
제 2도는 실시예 1의 액정표시소자에 있어서 전극의 평면도이다.

Claims (44)

  1. 그 중 적어도 하나가 규칙적인 패턴의 표면지유네어지 분포를 사용하여 형성된 복수의 영역들을 수반하는 한쌍의 기편; 상기 기판들사이에 협지되고 제1표면자유네어지를 갖는 상기 복수 영역의 일부에 형성되며, 중합성 재료를 경화하여 형성되는 고분자재료로 이루어지는 고분자벽; 및 상기 기판들사이에 협지되고 제2표면자유에너지를 갖는 상기 복수 영역들중 다른 부분에 형성되며, 상기 고분자벽으로 실질적으로 둘러싸인 액정재료로 이루어지는 복수의 액정영역; 을 포함하며, 상기 제1표면자유네어지를 갖는 상기 영역들, 상기 제2표면자유에너지를 갖는 영역들, 상기 고분자벽 및 액정영역의 위치들은 상기 제1표면자유에너지 γP, 상기 제2표면자유에너지 γE, 상기 액정재료의 표면자유에너지 γLC, 상기 고분자재료의 표면자유에너지 γM이 다음 관계식 (ΥE-ΥP)×(ΥLC-ΥM)〉0를 만족하도록 정해지는 액정표시소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1표면자유에너지는 상기 제2표면자유에너지보다 작은 액정표시소자.
  3. 제1항에 있어서, 화소부에 있어서의 기판들간의 캡 d1은 비화소득의 적어도 일부에 있어서의 기판들간의 캡 d2보다 큰 액정표시소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 캡 d1및 d2가 다음 관계식, 0.1×d1〈d2〈0.9×d1을 만족하도록 정해지는 액정표시소자.
  5. 제3항에 있어서, 상기 액정표시소자는 액티브매트릭스 표시장치이며, 액티브소자를 갖는 기판들중 하나는 상기 비화소부에 차광영역을 갖고, 상기 기판들중 다른 기판은 상기 비화소부의 적어도 일부에 자외선을 부분적으로 투과시키는 영역을 갖는 액정표시소자.
  6. 서로 대향하는 한쌍의 기판; 상기 기판들간에 협지되고 고분자벽과 이 고분자으로 둘러싸인 복수의 액정영역들을 포함하는 표시매체; 및 기판들중 적어도 일방의 표시매체를 수반하는 표면상의 비화소부의 적어도 일부에 형성되고, 상기 비화소부의 표면자유에너지를 화소부의 표면자유에너지보다 작게 하기위해 형성되는 박막; 을 포함하는 액정표시소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 화소들중 적어도 70%의 각각이 이 화소 크기의 30% 이상의 크기를 갖는 액정영역들중 적어도 하나를 갖는 액정표시소자.
  8. 제6항에 있어서, 상기 비화소부의 표젼자유에너지가 75mN/m 이하인 액정표시소자.
  9. 제6항에 있어서, 상기 비화소부와 화소부간의 표면자유에너지의 차가 15Mm/m이상인 액정표시소자.
  10. 그 중 적어도 하나가 투명한 한쌍의 기판 및 기판들사이에 협지되고 액정재료와 고분자재료를 포함하는 공간구조를 갖는 복합막을 포함하는 액정표시소자의 제조방법으로서, 상기 액정표시소자를 구성하는 계의 자유 에너지가 상기 액정표시소자의 제조시 공간구조를 제어하기 위해 공간적으로 제어되는 액정표시소자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 복합막에 면한 기판들중 적어도 하나와 상기 복합막의 적어도 한 성분간의 계면 자유 에너지가 상기 계의 자유에너지를 공간적으로 제어하기 위해 제어되는 액정표시소자의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 감광성 수지가 상기 계면 자유에너지를 제어하기 위해 사용되는 액정표시소자의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 기판들의 표면이 상기 계면 자유에너지를 제어하기 위해 개질되는 액정표시소자의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 제어된 규칙적상태로 상기 복합막의 성분들간의 상분리 재민의 표면영역이 불규칙상태로 상기 복합막의 성분들사이의 상분리 계면의 표면영역보다 작도록 상기 기판들간의 거리가 제어되며, 이에 따라 상기 계의 자유에너지를 공간적으로 제어하기 위해 상분리 계면상의 계면 자유에너지를 제어하는 액정표시소자의 제조방법.
  15. 적어도 액정재료와 광중합성 재료를 포함하는 혼합물이 한쌍의 기판들간에 주입되고 자외선을 조사되어 중합반응에 따른 상분리를 일으켜, 고분자재료와 액정재료를 규칙적으로 배치하며, 상기 기판들중 적어도 하나가, 작은 표면에너지를 갖는 영역의 표면자유에너지가 75mM/m 이하로 되도록 규칙적인 표면자유 에너지 분포를 사용하여 형성되는 복수의 영역들을 갖는 액정표시소자의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 액정재료와 고분자재료간의 상분리가 전압과 자장중 적어도 하나를 인가하는 동안 행해지는 액정표시소자의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 광중합성 재료가 액정성 중합 재료를 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 광중합성 재료의 표면자유에너지가 40mN/m 이하인 액정표시소자의 제조방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 기판들간에 액정재료와 광중합성 재료를 포함하는 혼합물을 주입하여 제조된 액정 셀이 상기 액정재료와 상기 광중합성재료의 이소트로픽(isotropic)온도 Tiso 이상의 온도에서 이소트로픽 온도 Tiso 이하의 온도를 서냉되는 액정표시소자의 제조방법.
  20. 적어도 액정재료와 광중합성 재료를 포함하는 혼합물이 한쌍의 기판들간에 주입되고 자외선으로 조사되어 중합반응에 따른 상분리를 일으켜, 고분자재료와 액정재료를 규칙적으로 배치하며, 상기 기판들중 적어도 하나가, 표면자유에너지의 차가 적어도 15mM/m인 표면자유 에너지 분포를 사용하여 형성되는 복수의 영역들을 갖는 액정표시소자의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 액정재료와 고분자재료간의 상분리가 전압과 자장중 적어도 하나를 인가면서 행해지는 액정표시소자의 제조방법.
  22. 제20항에 있어서, 상기 광중합성 재료가 액정성 중합 재료를 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  23. 제20항에 있어서, 상기 광중합성 재료의 표면자유에너지가 40 mN/m 이하인 액정표시소자의 제조방법.
  24. 제20항에 있어서, 상기 기판들간에 액정재료와 광중합성 재료를 포함하는 혼합물을 주입하여 제조된 액정셀이 상기 액정재료와 상기 광중합성재료의 이소트로픽 온도 Tiso 이상의 온도에서 이소트로픽 온도 Tiso 이하의 온도를 서냉되는 액정표시소자의 제조방법.
  25. 서로 대향하는 한쌍의 기판 및 이 기판들사이에 협지되고 고분자벽으로 둘러싸인 복수의 액정영역을 포함한 표시매체를 갖는 액정표시소자의 제조방법으로서, 상기 방법은, 상기 기판들중 적어도 일방의 비화소부의 적어도 일부에 박막을 형성하는 공정; 내면에 바닥을 갖고 그 사이에 캡을 갖도록 상기 기판들을 서로 접합시키는 공정; 적어도 액정재료, 광중합성 재료 및 중합개시제를 포함하는 혼합물을 상가 캡내로 주입하는 공정; 및 상기 혼합물에 자외선을 조사하여 상기 고분자벽으로 둘러싸인 액정영역들을 포함하는 표시매체를 형성하는 공정; 을 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  26. 제25항에 있어서, 포토마스크로 커버된 부분의 조사강도가 자외선 조상강도의 80% 이하로 되도록, 혼합물에 자외선을 조사하는 상기 공정에서 화소에 대응하는 혼합물의 일부가 포토마스크로 커버되는 액정표시소자의 제조방법.
  27. 제25항에 있어서, 상기 표시매체를 형성하는 공정이 전압과 자장중 적어도 하나를 인가하면서 상기 액정재료와 고분자재료간의 상분리가 행해지는 공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  28. 제25항에 있어서, 상기 광중합성 재료가 액정성 중합 재료를 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  29. 제25항에 있어서, 상기 광중합성 재료의 표면자유에너지가 40mM/m 이하인 액정표시소자의 제조방법.
  30. 적어도 액정재료 및 열중합성 재료를 포함하는 혼합물이 한쌍의 기판들간에 주입되고 가열되어 중합반응에 따른 상분리를 일으켜, 고분자재료아 액정재료를 규칙적으로 배치하며, 상기 기판들중 적어도 하나가, 낮은 표면 자유에너지를 갖는 영역의 표면자유 에너지가 75mM/m이하로 되도록 표면자유에너지 분포를 사용하여 형성되는 복수의 영역들을 갖는 액정표시소자의 제조방법.
  31. 제30항에 있어서, 상기 표시매체를 형성하는 공정이 전압과 자자중 적어도 하나를 인가하면서 액정재료와 고분자재료간의 상분리가 행해지는 공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  32. 제30항에 있어서, 상기 열중합성 재료가 액정성 중합 재료를 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  33. 제30항에 있어서, 상기 열중합성 재료의 표면자유에너지가 40mN/m 이하인 액정표시소자의 제조방법.
  34. 제30항에 있어서, 상기 기판들간에 액정재료와 열중합성 재료를 포함하는 혼합물을 주입하여 제조된 액정셀이 상기 액정재료와 상기 열중합재료의 이소트로픽 온도 Tiso 이상의 온도에서 이소트로픽 온도 Tiso 이하의 온도로 서냉되는 액정표시소자의 제조방법.
  35. 적어도 액정재료와 열중합성 재료를 포함하는 혼합물이 한쌍의 기판들간에 주입되고 가열되어 중합반응에 따른 상분리를 일으켜, 고분자재료와 액정재료를 규칙적으로 배치하며, 상기 기판들중 적어도 하나가, 15 mN/m 이상의 표면자유에너지의 차를 갖는 표면자유에너지 분포를 사용하여 형성되는 복수의 영역들을 갖는 액정 표시소자의 제조방법.
  36. 제35항에 있어서, 상기 표시매체를 형성하는 공정이 전압과 자장중 적어도 하나를 인가하면서 액정재료와 고분자재료간의 상분리가 행해지는 공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  37. 제35항에 있어서, 상기 열중합성 재료가 액정성 중합 재료를 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  38. 제35항에 있어서, 상기 열중합성 재료의 표면자유에너지가 40 mN/m 이하인 액정표시소자의 제조방법.
  39. 제35항에 있어서, 상기 기판들간에 액정재료의 열중합성 재료를 포함하는 혼합물을 주입하여 제조된 액정셀이 상기 액정재료와 상기 연중합성재료의 이소트로픽 온도 Tiso 이상의 온도에서 이소트로픽 온도 Tiso 이하의 온도로 서냉되는 액정표시소자의 제조방법.
  40. 전극들이 형성되고, 그 중 적어도 하나가 투명한 한쌍의 기판, 및 액정재료와 상기 기판들사이에 협지되 고분자재료를 포함하는 복합막을 구비하며, 상기 기판들중 하나와 상기 복합막간의 계면이 선택적으로 개질되는 액정표시소자의 제조방법.
  41. 제40항에 있어서, 상기 기판들중 하나와 상기 복합막간의 계면상에 배향막이 형성되는 액정표시소자의 제조방법.
  42. 제41항에 있어서, 상기 전극들에 의해 야기되는 레벨차로 인한 러빙강도차를 사용하여 배향막의 표면이 선택적으로 개질되도록 상기 배향막이 리빙처리되는 액정 표시소자의 제조방법.
  43. 제41항에 있어서, 상기 매향막상의 특정 영역에 코팅이 형성되어 있는 액정표시소자의 제조방법.
  44. 제40항에 있어서, 상기 전극들이 형성되어 있는 기판상에 배향막을 형성하는 공정; 상기 배향막상의 특정 영역에 코팅을 형성하는 공정; 및 상기 배향막 및 코팅을 러빙처리하는 공정; 을 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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