KR930001359A - 방열 효율을 향상시킨 표면 실장형 패키지 - Google Patents

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세끼사와 요시
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Abstract

내용 없음.

Description

방열 효율을 향상시킨 표면 실장형 패키지
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 표면 마운팅을 위한 종래 반도체 패키지를 나타내는 다이어그램,
제2도는 기판상에 반도체 장치의 마운팅을 나타내는 다이어그램,
제3도는 본 발명의 제1실시예에 다른 패키지를 갖는 반도체 장치를 평면도를 나타내는 다이어그램,
제4도는 장치가 기판상에 마운팅된 상태에서 측면도로 반도체 장치를 나타내는 다이어그램,
제5도는 입종 단면도로 제3도의 반도체 장치를 나타내는 다이어그램,
제6도는 제3도의 장치의 변형을 나타내는 다이어그램,
제7도는 제6도의 반도체 장치를 기판상에 마운팅함을 나타내는 다이어그램,
제8도는 제6도의 장치의 변형을 나타내는 다이어그램,
제9도는 제6도의 장치의 도다른 변형을 나타내는 다이어그램,
제10도는 본 발명의 제2실시예에 따른 패키지를 갖는 반도체 장치를 투시도로 나타내느 다이어그램,
제11도는 장치가 기판상에 마운팅된 상태에서 측면도로 제10도의 반도체 장치를 나타내는 제4도와 유사한 다이어그램,
제12E는 열 분산리드가 연장되는 상태로 제10도의 장치의 내부구조를 나타내는 다이어그램,
제13도는 제10도의 장치의 변형을 나타내는 다이어그램,
제14도는 제10도의 장치의 또다른 변형을 종단면도로 나타내느 다이어그램,
제15도는 본 발명의 패키지에서 사용된 복합 열 분산 구성을 나타내는 다이어그램,
제17(A)내지 제17(C)는 다른 복합 열 분산리드의 구조를 나타내는 다이어그램,
제18도(A)내지 제198도(F)는 본 발명의 패키지에서 사용된 스트레스 완화구조의 다양한 실시예를 나타내는 다이어그램.

Claims (17)

  1. 반도체 칩 (15); 하측에지를 갖으며 내부에 상기 반도체 칩을 수용하는 수지 패키지 몸체 (11) : 각각 패키지 몸체내에 홀딩되고, 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결된 내측 리드부분(14b)와. 그 위에 반도체 장치를 지지하는 기판의 표면과 접촉하기 위하여 상기 수지 패키지 몸체의 외측에 위치된 외측 리드 부분(14a)을 갖으며. 상기 하측에지로 부터 외부로 돌출하도록 패키지 몸체(11)외 하측에지를 따라 상기 수지 패키지 몸체(11)상에 제공된 복수개의 상호접속리드(14);를 구비한 것에 있어서. 상기 반도체 칩(15)에 의해 발생된 열을 분사시키기 위해 상기 수지 패키지 몸체(11)상에 홀딩되고, 상기 수지 패키지 몸체(11) 내부에 홀딩되고 그 위에 상기 반도체 칩(15)을 지지하는 스테이지 부분(12c)과. 상기 수지 패키지 몸체 (11)로 부터 외측으로 돌출하고 하측방향으로 연장하는 부분을 포함하며 상기 상호 접속리드(14)의 외측리드 부분(14a)과 실질적으로 동일 레벨상에 하측에지를 갖고서 반도체 장치(15)가 기판(19)상에 위치될때 상기 상호접속 리드(14)의 외측리드부분(14a)과 자신의 상기 하측에지에 의해 반도체 장치(15)가 직립되게 홀딩되도록하는 열 씽크 부분(12b)을 갖는 열분사리드(12); 가 더 구비됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서. 상기 상호접속리드(14)의 외추리드 부분(14a)은 상기 기판 (19)과 맞물리도록 측면 방향으로 굽어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 상호접속리드(81)의 외측리드부분은 2개의 반대 방향중 일측 방향으로 측면방향으로 굽어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 외측리드부분(81)은 상기 두개의 반대 방향으로 교대로 굽어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 패키지 몸체(11)는 상측에지를 갖으며, 상기 열 분산리드(12)의 열 씽크부분(12b)은 상기 상측 에지에서 상측으로 패키지 몸(11)로 부터 연장하고 이어서 하측방향으로 굽어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 패키지 몸체(11)는 실질적으로 평평한 측벽을 갖으며, 상기 열 분사리드(12)의 열 씽크부분(12b)은 상기 평평한 측벽을 따라서 하측방향으로 연장하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 열 씽크부분(12b)은 상기 패키지 몸체(11)의 측벽과 밀접하게 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 열 씽크부분(12b)은 접착제(13)에 의해 상기 패키지 몸체(11)의 측벽에 본딩되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 열 씽크 부분(31)의 하측에지(31a)는 상기 기판과 맞물리도록 측면방향으로 굽어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 열 씽크부분(31)의 하측에지(31a)는 상기 하측에지의 축방향의 굽어짐에 상응하게 측면방향으로 돌출하고 서로 일정간격을 갖는 복수개의 이들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 이들 중 각 이(41a)는 두개의 반대 방향 중 하나의 방향으로 돌출하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 이들 중 각이(31a, 41a)는 인접하는 상호 접속리드들 사이에서 형성된 간격에 상응하게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제1항에 있어서, 각 상호접속리드(51)는 그것이 패키지 몸체(11)의 하측에지로부터 출현하는 부분에서 측방향으로 굽어지는 외측 리드부분을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 스테이지 부분(12c)은 그것이 상기 반도체 칩과 접촉하는 곳에서 열적 스트레스의 집중을 경감시키기 위한 애퍼취(21a-21f)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 열 분사리드(12)는 철을 함유한 하나이상의 제1합금층(20a, 20b, 20d, 20g, 20j,, 20k)과 Cu를 함유한 하나이상의 제2합금층(20c, 20e, 20f, 20h, 20i)을 구비한 복합 플레이트를 구비하고, 상기 제1합금층들의 전체 두께가 t이고 상기 제2합금층의 두께가 T일때 관계식(0.3≤t/W≤2)을 맞고하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 열 분산리드는 철을 함유한 하나이상의 제1합금층(20a, 20b, 20d, 20g, 20j,, 20k)과 Cu를 함유한 하나이상의 제2합금층(20c, 20e, 20f, 20h, 20i)을 구비한 복합 플레이트를 구비하고, 상기 제1합금층들의 전체 두께가 t이고 상기 제2합금층의 두께가 W일때 관계식(0.4≤t/W≤0.7)을 만족하는 것을 특징으로하는 반도체 장치.
  17. 서로 분리된 제1및 제2반도체 칩(76, 77); 하측에지를 갖으며 상기 제1반도체 칩을 수용하기 위한 제1수지패키지 몸체(71); 하측에지를 갖으며 상기 제2반도체 칩을 수용하기 위한 제2수지 패키지 몸체(72); 상기 제1패키지 몸체(71)의 하측에지로 부터 외측으로 돌출하기 위해 제1패키지 몸체(71) 상에 제공되고, 각각 제1페키지 몸체(71) 내부에 홀딩되고 제1반도체 칩과 전기적으로 연결되는 내측리드 부분과, 상기 제1수지 패키지 몸체(71)외측에 위치되고 기판(19)와 맞물리기 위한 외부리드 부분을 갖는 복수개의 리드를 포함하는 제1상호접속 리드군(74); 상기 제2 수지 패키지 몸체(72)의 하측에지로 부터 외측으로 돌출하기 위하여 제2수지 패키지 몸체(72)상에 제공되고, 각각 제2수지 패키지 몸체(72) 내부에 홀딩되고 제2반도체 칩과 전기적으로 연결된 내측리드 부분과, 제2수지 패키지 몸체(72) 외부에 위치되고 상기 기판(19)과 맞물리기 위한 외측리드 부분을 갖는 복수개의 리르들 포함하는 제2상호 접속 리드군; 상기 제1수지 패키지 몸체(71)와 제2수지 패키지 몸체(72)를 서로 연결하기 위한 것으로, 그 위에 상기 제1반도체 치으로 홀딩하기 위하여 상기제1수지 패키지 몸체(71) 내에 넣어진 제1스테이지 부분(73a)과, 그위에 상기 제2반도체 칩을 홀딩하기 위하여 제2수지 패키지 몸체(72) 내에 넣어진 제2스테이지 부분(73a)과, 상기 제1스테이지 부분(73a)과 제스테이지 부분(73b)을 부릿지하기 위한 것으로 제1 수지 패키지 몸체(71)와 제2수지 패키지 몸체(72)의 외측에 위치된 열 씽크 부분을 구비한 열 분사 리드(73); 을 구비하고, 상기 제1 상호접속 리드군(74)을 형성하는 각 리드는 반도체 장치가 싱기 제1 및 제2 상호 접속리드군의 회측 리드부분들에 의해 기판(19) ㅇ상에 직립되게 홀딩되도록 상기 제2 상호 접속리드군(75)의 외부리드 부분과 실질적으로 동일 레벨레서 외부리드부분을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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