KR920003265A

KR920003265A - 자기디스크 및 그 제조방법 및 그 자기디스크를 포함하는 자기디스크 장치

Info

Publication number: KR920003265A
Application number: KR1019910011301A
Authority: KR
Inventors: 겐이찌 고미; 히데아끼 다나까; 히로유끼 스기모또; 쇼오이찌 사와하따; 마사기 오후라; 오시히꼬 미야께; 요시끼 가또; 히로시 야시기; 요우이찌 이노마다; 요시히로 모라구찌
Original assignee: 미다 가쓰시게; 가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
Priority date: 1990-07-04
Filing date: 1991-07-04
Publication date: 1992-02-29
Also published as: EP0464786A3; DE69127857D1; EP0464786A2; EP0464786B1; DE69127857T2; US5656349A; KR100229690B1

Abstract

내용 없음

Description

자기디스크 및 그 제조방법 및 그 자기디스크를 포함하는 자기디스크 장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 자기디스크의 일실시예의 단편적 확대도,

제2도는 제1도에 나타낸 자기디스크의 일부분의 도식적 확대평면도,

제3도는 제1도에 나타낸 자기디스크의 보호막의 표면에 언덕(hill)을 형성하는 방법의 모든 단계에 있어서 디스크의 단편적 확대 단면도.

Claims

기판과, 그 기판을 덮는 자성층과, 그 자성층을 덮는 보호층을 포함하는 자기디스크에 있어서, 그 보호층의 표면은 다수의 언덕이 형성되어 있는 영역을 포함하고, (가) 그 언덕은 5nm 내지 40nm의 범위내의 대략 균일한 높이를 가지고, (나)그 언덕은 상당직경 0.1㎛ 내지 30㎛의 범위내의 크기의 언덕이 그 언덕의 전수의 80% 이상 존재하는 크기의 분포를 가지고, (다) 그 언덕의 갯수는 상기 영역의 매㎟ 당 50개 내지 2.5x10⁵개의 범위내의 자기디스크.
제1항에 있어서, 상기 보호층의 표면에 형성된 윤활층을 다시 포함하고, 상기 윤활층은 상기 언덕의 높이를 넘지 않는 두께를 가지는 자기디스크.
제1항에 있어서, 상기 보호층과 상기 언덕과는 동일한 재료로 이루어진 자기디스크.
제3항에 있어서, 상기 재료가 탄소를 주성분으로 하는 자기디스크.
기판과, 그 기판을 덮는 자성층과, 상기 자성층을 덮는 보호층을 포함하는 자기디스크에 있어서, 그 보호층의 표면은 다수의 언덕이 형성되어 있는 영역을 포함하고, (가) 그 언덕은 5nm 내지 40nm 범위내의 대략 균일한 높이를 가지고, (나) 그 언덕은 상당 직경 0.1㎛ 내지 30㎛의 범위내의 크기의 언덕이 그 언덕의 전수의 80%이상 존재하는 크기의 분포를 가지고, (다) 상기 영역에 있어서의 단위면적에 대한 그 단위면적내의 그 언덕의 합계면적의 비율이 0.5% 내지 60%까지의 범위내인 자기디스크.
기판과, 상기 기판을 덮는 저성층과, 그 자성층을 덮는 보호층을 포함하는 자기디스크에 있어서, 그 보호층의 표면은 다수의 언덕이 형성되어 있는 영역을 포함하고, (가) 그 언덕은 5nm 내지 40nm의 범위내의 거의 균일한 높이를 가지고, (나)그 언덕은 상당직경 0.1㎛ 내지 30㎛ 범위내의 크기의 언덕이 그 언덕의 전수의 80%이상 존재하는 크기의 분포를 가지고, (다) 인접하는 언덕의 쌍의 사이의 간격의 평균치가 1㎛ 내지 80㎛ 범위내인 자기디스크.
기판과, 상기 기판을 덮는 자성층과, 그 자성층을 덮는 보호층을 포함하는 자기디스크에 있어서, 그 보호층이 얇은 부분과, 그 얇은 부분의 적어도 일부분내에 분산되어 존재하는 다수의 거의 균일한 두께의 두꺼운 부분을 가지고, 그 두꺼운 부분과 얇은 부분과의 두께의 차가 5nm 내지 40nm의 범위내이고, 이 두께의 차가 상기보호층의 표면의 적어도 일부분에 거의 균일한 높이의 다수의 언덕을 부여하고, (가) 그 언덕은 상당직경 0.1nm 내지 30nm 범위내의 크기의 언덕이 그 언덕의 전수의 80% 이상 존재하는 크기의 분포를 가지고, 그리고 (나) 그 언덕의 갯수는 상기 영역의 매 ㎟당 50개 내지 2.5x10⁵개의 범위내인 자기디스크.
상기 디스크의 제조방법에 있어서, 기판을 준비하는 공정과, 그 기판의 적어도 일표면에 자성층을 형성하는 공정과, 그 자성층 위에 보호층을 형성하여 반완성품을 얻는 공정과, 그 보호층 표면의적어도 일부분에 다수의 미립자로 이루어지는 마스크를 형성하는 공정과, 그 보호층의 표면에 상기마스크를 거쳐 상기 보호층의 두께를 넘지 않는 깊이까지 에칭처리를 실시하는 공정과, 상기 마스크를 상기 보호층으로부터 제거함으로써 그 보호층의 표면에 크기 및 간격의 분포를 가지고 또한 대략 균일한 높이의 다수의 언덕을 얻는 공정을 가지는 자기디스크 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 마스크를 형성하는 공정의 불소수지와, 적어도 불소 및 탄소를 포함하는 재료중 하나로 이루어지는 다수의 고체입자를 상기 보호층의 표면에 분산부착시키는 공정을 포함하는 자기디스크 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 에칭처리를 실시하는 공정이 상기 보호층의 표면에 대하여 거의 수직인 방향성을 갖는 에칭을 행하는 자기디스크 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 마스크를 형성하는 공정과, 액체와 그 액체내에 분산하여 함유되는 다수의 고체입자로 이루어지는 현탁액을 준비하는 공정과, 그 현탁액을 상기 보호층의 표면에 스핀도포하는 공정과, 그 표면으로 부터 상기 액체를 증발시킴으로써 상기 표면에 다수의 상기 고체입체를 부산 부착시키는 공정을 포함하는 자기디스크 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 마스크를 형성하는 공정이, 액체와 상기 액체내의 분산되어 함유되는 다수의 고체입자로 이루어지는 현탁액을 준비하는 공정과, 그 현탁액속에 상기 반완성품을 침지하는 공정과, 그 현탁액으로부터 상기 반완성품을 끌어올려 상기 보호층의 표면으로부터 상기 액체를 증발시키고, 그 표면에 다수의 상기 고체 입자를 분산 부착시키는 공정을 포함하는 자기디스크 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 마스크를 형성하는 공정이, 액체와 그 액체내의 분산하여 함유되는 다수의 고체입자로 이루어지는 현탁액을 준비하는 공정과, 그 현탁액을 상기보호층의 표면에 스프레이 분무하는 공정과, 상기 보호층의 표면으로부터 상기 액체를 증발시켜 상기 표면에 다수의 상기 고체입자를 분산 부착시키는 공정을 포함하는 자기디스크 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 마스크를 형성하는 공정이, 상기 미립자의 재료가 녹아있는 용액을 준비하는 공정과, 그 용액을 상기보호층의 표면에 스프레이 분무하는 공정과, 그 보호층의 표면으로부터 용제를 증발시켜 그 표면에 다수의 고체입자를 분산 부착시키는 공정을 포함하는 자기디스크 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 마스크를 형성하는 공정이, 다수의 고체입자를 기체에 의하여 반송하여 상기 보호층의 표면에 직접 분산부착시키는 공정을 포함하는 자기디스크 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 고체입자가 폴리 테트라틀루오로에틸렌(PTFE)과 그 유도체중 한쪽으로 이루어진 자기디스크 제조방법.
기판과, 그 기판을 덮는 자성층과, 그 자성층을 덮는 보호층을 포함하는 적어도 1장의 자기디스크와, 그 자기디스크를 회전시키는 회전수단과, 회전중인 상기 자기디스크와 대향하는 자기헤드와, 그 자기헤드를 상기 자기디스크상의 소망의 위치에 이동시켜 위치 결정하는 자기헤드위치 결정수단을 구비하고, 상기 자기디스크의 상기 보호층의 표면이 다수의 언덕이 형성되어 있는 영역을 포함하는 자기디스크장치에 있어서, (가) 그 언덕은 5nm 내지 40nm 범위내의 거의 균일한 높이를 가지고, (나)그 언덕은 상당직경 0.1㎛ 내지 30㎛ 범위내의 크기의 언덕이 그 언덕의 전수의 80% 이상 존재하는 크기의 분포를 가지고, 그리고 (다) 인접하는 언덕의 쌍의 사이의 간격의 평균치가 1㎛ 내지 80㎛ 범위내인 것을 특징으로 하는 자기디스크장치.
기판과, 상기 기판을 덮는 자성층과, 그 자성층을 덮는 보호층을 포함하는 적어도 1장의 자기디스크와, 그 자기디스크를 회전시키는 회전수단과, 회전중의 상기 자기디스크와 대향하는 자기헤드와, 그 자기헤드를 상기 자기디스크 상의 소망의 위치에 이동시켜 위치 결정하는 자기헤드 위치결정수단을 구비하고, 상기 자기디스크의 상기 보호층의 표면이 다수의 언덕이 형성되어 있는 영역을 포함하는 자기디스크 장치에 있어서, (가) 그 언덕은 5nm 내지 40nm 범위내의 거의 균일한 높이를 가지고, (나) 그 언덕은 상당직경 0.1㎛ 내지 30㎛ 범위내의 크기의 언덕이 그 언덕의 전수의 80% 이상 존재하는 크기의 분포를 가지고, 그리고 (다) 상기 영역에 있어서의 단위면적에 대한 그 단위면적내 그 언덕의 합계면적의 비율이 0.5% 내지 60%까지의 범위내인 자기디스크 장치.
기판과, 상기 기판을 덮는 자성층과, 그 자성층을 덮는 보호층을 포함하는 적어도 1장의 자기디스크와; 그 자기디스크를 회전시키는 회전수단과; 회전중인 상기 자기디스크인 상기 자기디스크와 대향하는 자기헤드와; 그 자기헤드를 상기 자기디스크상의 소망의 위치에 이동시켜 위치결정하는 자기헤드 위치결정수단을 구비하고, 상기 자기디스크의 상기 보호층의 표면이 다수의 언덕이 형성되어 있는 영역을 포함하는 자기디스크장치에 있어서, (가) 그 언덕은 5㎜ 내지 40nm 범위내의 거의 균일한 높이를 가지고, (나) 그 언덕은 상당직경 0.1nm 내지 30nm 범위내의 크기의 언덕이 그 언덕의 전수의 80%이상 존재하는 크기의 분포를 가지고, 그리고 (다) 그 언덕의 갯수는 상기 영역의 매㎟당 50개 내지 2.5x10⁵개의 범위내인 자기디스크장치.
제19항에 있어서, 상기 자기헤드가 적어도 1개의 부상면을 가지고, 상기 자기헤드는 기록/재생시에 상기 부상면이 상기 자기디스크의 표면으로부터 0.01nm 내지 0.15nm 까지의 범위의 미소칫수만큼 부상하도록 구성되어 있는 자기디스크 장치.
제20항에 있어서, 상기 자기헤드의 상기 부상면이 대면하는 상기 자기디스크의 상기 보호층의 표면의 면적내에 있어서의 상기 언덕의 총면적과 상기 자기헤드의 그 부상면의 면적과의 비율이 0.5% 내지 60% 범위내인 자기디스크장치.
제19항에 있어서, 상기 자기헤드가 적어도 1개의 섭동면을 가지고, 그 자기헤드는 그 섭동면이 상기 자기디스크의 표면에 실질적으로 접촉한 상태에서 기록/재생동작을 행하도록 구성되어 있는 자기디스크장치.
제22항에 있어서, 상기 자기헤드의 상기 섭동면애 대면하는 상기 자기디스크의 상기 보호층의 표면의 면적내에 있어서의 상기 언덕의 총면적과 그 자기헤드의 그 섭동면의 면적과의 비율이 0.5% 내지 60% 범위내인 자기 디스크 장치.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.