JPS60263330A - 磁気デイスクの潤滑性保護膜の作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスクの＄４滑層の作製方法、さらに詳
しくは、磁気ディスクの製造において、信頼性のよい表
面潤滑性保護膜を作製する方法に関するものである。

〔従来技術〕

磁気ディスクは、電子計算機などの記憶装置として記録
密反り高密度化が図られてきている。高密度化は磁気薄
膜の改良によるところも太きいが、同時に磁性薄膜の膜
厚の減少、磁気ヘッドのギャップ長の減少、磁気の浮上
量の減少という１唄向を伴い、現任では１１１ｍ以下の
微少なサイズとなつ【いる。このため、欠陥のない均一
な磁性薄膜をいかに安定に製造するか、そして低浮上で
いかに長ルｊ的な耐久性を個体するかといった点が尚密
度ディスク開発の最も重要な昧題となっている。

９に近年の高密度磁気ディスクでは、ディスクの回転停
止時には磁気ヘッドは磁性膜状に沿陸しており、ディス
クの１！！１転にともなってヘッドが浮上する形式（以
下ａＳＳと略す）が採用されており、磁気ディスクのヘ
ッドの受ける機械的損傷を避けて、充分な耐久性を得る
ためには、磁気ディスクの表向の潤滑性を上げろことが
重要となっている。

このよりな潤滑性を上げる方法としては、従来潤滑剤、
竹に液体潤滑ｓ＋ｊが用いられてきた。しかし、単に液
体潤滑Ｒすを磁性膜上に塗布しただけでは、充分な潤滑
機能を発揮できない。すなわら、液体潤滑ＭＩＪが過剰
に存在すると、回転停止時にヘッドが塗膜に吸着し、そ
のまま回転するとヘッドが変１　′杉破損＋磁臼寝膜０
儲等′°障晋′弓１き起３すゝ・また逆に潤滑ＡＩＪが
少ないと、ａＳＳの縁り返し性（以下耐ａＳＳ性と略す
）が悪化するからである。

このような間鵬は、磁性薄膜上の潤滑Ｈす鼠を加減する
だけでは解決することが難しく、従来は潤滑剤な表面だ
けでなく磁性ｗｔＢ！Ａの内部に含浸さ１ておく方法が
採用されてきた。また、この目的のために、磁性薄膜用
のバインダ用樹脂としてミクロな孔を安定に作るような
樹ハｈ組成物が耐抗されてきた。

ところが近年、磁気ディスクの高密度化の趨勢により、
磁性粉を樹脂バインダとともに塗布して磁性薄膜を形成
する方向から、合金膜やスパッタを用いた薄膜の形成、
いわゆる連続膜媒体が用いられつつおる。このような、
連続磁性膜を用いる方法では、表面に潤滑性を付与する
手段として固体潤滑剤を用いた方法も採用されているが
、固体潤滑剤がヘッドに堆積する等のため耐０８Ｓ性が
低下し、充分な性能を得るに至っていない。

以上の４１情より、現在連続磁性膜を用いた磁気ディス
ク六回へ潤滑性を付与するための新しい方法の開発が望
まれている。

〔発明の目的〕

本発明は上記の事情に鑑みなされたもので、高密度かつ
耐久性の浸れた磁気ディスクを製造しえる磁気ディスク
の潤滑性保護膜の作製方法を提供−ｒることを目６勺と
する。

〔技術的手段〕

本発明は、従来の磁性粉と樹１１ｈバインダから磁性薄
膜を形成する磁気ディスクが樹脂のミクロなボア構造（
孔構造）によって、表面の潤滑ハリ層を制御するのに対
し、このような構造を形成することができない連続磁性
膜を用いた磁気ディスクに対して好適に東施されるもの
であり、磁性薄膜上にミクロな構造を有する保護膜を設
けて磁性ディスク表面の＠滑性を制御するものである。

本発明による磁気ディスクの潤滑性保護膜腺の作製方法
を第１図の植念図により説明する。

まず、赤面に磁気記録層２を設けた磁気ディスク基板ｌ
を用慧し、その上に有機高分子膜３を形成する（第１図
−（ａ））。次に、有機高分子膜３の上にシリコーン樹
月旨またはポリシラン８４　ＩＩＩの群より迅択された
一個以上（以下８１初脂と略す）と有機高分子の一８ｍ
以上とからなる相分離した高分子膜４を設ける（第１図
−（ｂ））。なお第１図−価）の５は相分離した高分子
膜中の有機高分子部分を、６は８１樹脂部分を示す。次
に、成木ガスプラズマ処理により相分離した高分子膜４
中の有機高分子部分５を除去するとともに８１樹脂地分
６を酸化し″′Ｃ酸化酸化シリコヒフる。同時に、磁気
記録層表面の有機高分子膜３の酸化シリコン７に覆われ
ていない部分を選択的に除去する（第１図−（Ｃ））。

次に、磁気記録層の保護膜８を蒸着等の手段により磁気
記録層表面に堆積する（第１図−（ｄ））。次に、溶剤
あるいは酸素ガスプラズマにより有機高分子膜３を除去
するとともに、その上の酸化シリコン７および保護膜８
を除去する（第１図−（ｅ））。

次に、これを乾煉後、潤滑剤を塗布する（第１図−（ｆ
ｌ）。

以下、より詳細に説明する。

磁気記録層表面に設ける有機高分子膜３は、良好なフィ
ルム形成能を有すること（工ｍ（ａ）　）、酸素ガスプ
ラズマによりエツチング除去できること（工ａ（ｃｌ　
）、保謙膜を堆積するときの温度等算囲気条件に耐える
こと（工程（ｄｌ）が満足されれば特に限定されない。

フィルムの形成方法は、例えはキャスティング、回転塗
布、プラズマ重合等の方法が挙げられるが、良好なフィ
ルムが形成できるものでおれば、１氾の方法を用いても
良い。有機高分子膜の膜厚は保−膜８の膜厚以上であれ
ば任意で良いが、通常は保護膜８の２倍以上の膜厚で好
結果が得られる。

相分離した筒分子薄膜４は、Ｓｉ側脂と有機高分子を共
通の清ハリに俗解し、キャスティングあるいは回転塗布
などの方法により記録層表面に形成することができる。

特に、膜厚の均一性、膜厚の制御性、相分離状態の再現
性においては、回転頭布法が良好な結果を与えた。

前述の８１樹脂としては、たとえば、ポリジメチルシロ
キサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリシルセス
キオキサンなどのシリコーンｗＩ１ｍ、ポリジメチルシ
ラン、ポリメチルフェニルシラン、ポリジメチルシラン
とポリメチルフェニルシランの共■合体などのポリシラ
ンの一補以上を用いることができる。また、有機高分子
としては、酸素プラズマにより分解気化し、８１樹脂と
の相溶性が惑く、Ｓ１樹脂と共通の溶剤を有するもので
あれば、基本的にいかなるものでもよい。一般に、５１
ｔＡ４脂は有ｍ筒分子と相酊性が悪いため、たとえばア
クリレート系樹脂、メタクリレート系樹脂などの一種以
上を有効に用いることができる。

相分離した高分子薄膜４の膜厚は必仮に応じ任意の厚さ
としてよいが、通常相分離の状態で決められる。つまり
、相分離の状態が例えば１μｍｆ４度である場合には膜
厚はそれと同等あるいはそれ以下であることが好ましい
。また、相分離の状態、すなわち、相分離した高分子膜
４において８１樹脂が占める面積と有機高分子が占める
１１１Ｙ槓の割合および膜中の相分離した５１４ｄ脂部
分６の大きさは、Ｓ１樹脂と有機高分子の混合比や、混
合するＳ１樹脂および有機高分子の種類によって這択で
きる。

次の酸素ガスプラズマ処理は、通常半導体素子の加工に
用いられるプラズマエツチング装置か使用できる。処理
条件は、用いられる装置により異なるため特に限定しな
いが、処理後に磁気記録ｊ−弐面に残る有機高分子膜３
は、酸化シリコン７０大きさよりも細くすることが好ま
しい。

次に、磁気記録層表面に保護膜を堆積する。保ｉ＋！１
膜には通常の連続磁性膜に用いられているもの、例えば
は化シリコン等を用いることができる。保護膜として高
い映ｅを持ち、非磁性のものであれば特に限定されない
。膜厚は必要に応じて任意として良い。

次に、磁気記録ｊ−赤面に残存している有機高分子膜３
をその上の欧化シリコン７、保護膜８とともに除去する
。これにより磁気記録層表面にはミクロなボア粥造を多
数有する保護膜が形成できる。

除去方法としては、有機高分子膜を俗解する′ｋｊ８′
ｌＪあるいは酸素ガスプラズマで除去することができる
。

次に、潤滑剤を塗布する潤滑剤としては市販のｇＩＴｉ
ｔ刑を有効に用いることができる。たとえば、フッ素系
潤滑Ｒすを用いることができる。このようなフッ素系−
滑剤の具体例としては、ホンプリンＹ（商品名、日本モ
ンテジソン社）、クライトツクス（商品名、丸オ１１物
産社）を挙げることができる。

以上の工程により該保護膜の表面に潤滑剤が塗布される
とともに、微細な溝の中に潤滑剤が充填されて、いわば
潤滑剤の醐りが形成されるので、長期間極めて安定な潤
滑性を有する磁気ディスク光面が形成される。

以下、本発明の詳細な説明する。

〔実施例〕

スパッタ法で形成したｒ−Ｆθｔｏｓｌｉ（ｉｌを磁性
薄膜として般けた磁気ディスクを２枚およびポリシルセ
スキオキサンとポリｎ−ブチルメタクリレートを表１に
示ず混合組成とした浴液２釉類を用意する。

まず、磁気ディスクを回転塗布装置に設置し、２枚の磁
気ディスクにＡＺ１３５０Ｊホトレジスト←商品名ニジ
ツブレイ社）を９．１厚に塗布した。

次に、各２枚の磁気ディスクそれぞれにＺｆＩＭａの滑
液な２．００Ｏｒ１曙の回転速腋で塗布した。塗布膜厚
を測定した結果な懺１に示した。次に醒累プラズマ処理
を平行平板型プラズマエツチング装置（日型アネルバ社
製、ＤＦ！Ｍ−４５１）を用いて、酸素ガス圧３０　ｍ
ＴＯｒｒ　ＲＦ　／＜ワー１５０Ｗで２分間行い、ポリ
ｎ−ブチルメタクリレートを除去するとともにＡＺ１３
５０ＪホトレジストのＳ１桐脂に覆われていない部分を
選択的に除去した。

次に、磁気記録層表面にスパッタ法で【波化シリコン膜
を３０ＯＡ付着さ？た。次に、酸酢イソアミルで磁気記
録層表面の残っているＡＺ１３５０Ｊを除去した。電子
顕微鏡で観察したところ、衆１に示す各直径を持つほぼ
円形の穴のめる酸化シリコン膜が形成できていた。

このようにして得られた２枚の磁気ディスク上にホンプ
リンＹＯ４（ｉ品名、日本モンテジソン社）を回転ｍ作
し、磁気ディスクの耐ＣＳＳ性を調べた。保護膜を設け
ていない直接磁性薄膜上に潤滑剤をｍ布した磁気ディス
クでは、１．２Ｘ１０　回の耐ＣＳＳ性であったのに対
し、本発明による磁気ディスクでは、下記の第１表に示
したように耐ＣＳＳ性の向上が見られた。

第１衣 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、いわゆる連続磁
性体を用いた磁気ディスクにおいて、Ｓ１樹脂と有機高
分子からなる相分離した高分子薄膜を形成し、これを利
用して磁気記録層表面に潤滑剤の溜となるミクロなボア
構造を有する保護膜を作製することによって磁気ディス
クの表面潤滑性を向上させることができる。

すなわち、本発明による方法によれば、磁気ディスクの
表面の潤滑性を長期に安定なものとして得ることができ
、また、上記保護膜も薄膜に出来るため、低ヘッド浮上
の高密度記録用磁気ディスクの製造に１０点がある。更
に、大面積に均質な保−膜を作成でき、極めて好適な表
面構造を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｔ〜（ｆｌは、本発明の潤滑性保護膜作製の
概念図である。 ｌ・・・磁気ディスク基板、２・・・磁気記録Ｊ鱒、３
・・・有機高分子膜、４・・・Ｓ１樹脂と有機高分子の
相分離膜、５・・・相分離膜中の有機＾分子部分、６・
・・相分ｍ膜中の５ｔｉｒｌｊ脂部分、７・・・酸化さ
れた８１樹脂（ｔＲ化シリコン）、８・・・保験膜、９
・・・潤１１ｉ＃痢。 出組人　日本−佃′亀砧公住

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 磁気ディスクの磁気記録層の表面に潤滑性保護膜を作製
   する方法において、 （ａ）　磁気記録層表面に有機高分子膜を設ける工程、
   （ｂｌ　有機高分子膜表面に相分離したシリコーン樹脂
   またはポリシラン樹脂の群より選択された一種以上と有
   機高分子の一種以上とからなる高分子薄膜な役ける工程
   、 （ｃｌ　酸素ガスプラズマ中で相分離した高分子薄膜中
   の有機高分子を除去するとともにシリコーン樹脂または
   ポリシラン樹脂を酸化し、同時に磁気記録層表面の有機
   高分子膜の酸化されたシリコーン樹脂またはポリシラン
   樹脂に讃われていない部分を除去し、有機高分子膜の微
   細パターンを形成する工程、 ｔｄ）　有機高分子膜の微細パターンを形成した磁気記
   録層表面に保護膜材料を堆積する工程、ｔｅｌ　有機高
   分子膜の微細パターンな浴剤で除去して、パターン状の
   保護膜を形成する工程、 （ｆｌ　形成された保護膜に潤滑剤を塗布する工程、を
   含むことを特徴とする磁気ディスクの潤滑性保護膜の形
   成方法。