DE19531746A1

DE19531746A1 - Magnetaufzeichnungslaufwerk, Schwebetyp-Kopfschieber des Magnetaufzeichnungslaufwerks und Herstellungsverfahren des Kopfschiebers

Info

Publication number: DE19531746A1
Application number: DE19531746A
Authority: DE
Inventors: Yoshiharu Kasamatsu; Toru Yokohata; Takayuki Yamamoto; Takashi Toyoguchi; Seiji Yoneoka; Yoshifumi Mizoshita
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-08-30
Filing date: 1995-08-29
Publication date: 1996-03-07
Anticipated expiration: 2015-08-30
Also published as: DE19531746C2

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, einen Kopfschieber des Magnetaufzeichnungslaufwerks, ein Herstellungsverfahren des Kopfschiebers, und insbesondere auf einen Kopfschieber, der gemäß einem Kontakt-Start-Stopp (CSS)-Verfahren betrieben wird, ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, in welchem der Kopf schieber über eine Oberfläche eines Magnetaufzeichnungsmedi ums schweben kann, und ein Herstellungsverfahren des Kopf schiebers.

2. Beschreibung des Standes der Technik

In einer Magnetplattenvorrichtung wird ein fliegender Kopf verwendet, der gemäß einem Kontakt-Start-Stopp (CSS)- Verfahren betrieben wird. Beim CSS-Verfahren kommt der Mag netkopf mit einer Oberfläche der Magnetplatte in Kontakt, wenn die Magnetplattenvorrichtung nicht in Betrieb ist. Ein Kopfschieber des Magnetkopfs wird von der Magnetplattenober fläche abgehoben, wenn das Magnetplattenlaufwerk in Betrieb ist. Daher wird der Kopfschieber des Magnetkopfs über die Magnetplattenoberfläche gleiten gelassen, wenn die Platte startet und stoppt. In diesem Fall ist eine Schreib-Lese- Magnetkopfanordnung am Schieber angebracht.

Der Kopfschieber des Magnetkopfs fliegt über die Mag netplattenoberfläche aufgrund eines Luftstroms auf der Mag netplattenoberfläche, der durch die Drehung der Magnetplatte erzeugt wird. Der Kopfschieber fliegt gemäß dem Prinzip eines dynamischen Druckluftlagers an der Magnetplattenober fläche.

Um den Kopfschieber zum Fliegen zu bringen, ist ein konvexer Teil, in dem eine Schwebekraft durch den Luftstrom erzeugt wird, an einer der Magnetplatte zugewandten Oberflä che des Kopfschiebers gebildet, und eine Lufteintrittszone des konvexen Teils für den Luftstrom ist in einer verjüngten Form ausgebildet. Der konvexe Teil wird allgemein als Schie nenoberfläche (oder Flugoberfläche) bezeichnet. Die Schie nenoberfläche des Kopfschiebers kommt mit der Magnetplatten oberfläche vor dem Start des Betriebs der Magnetplatte oder nach dem Anhalten des Betriebs der Magnetplatte in Kontakt. Um einen Verschleiß und/oder eine Beschädigung der Magnet plattenoberfläche zu verhindern, wird daher ein Schutzfilm aus einem harten Material, wie Kohlenstoff oder dgl., auf einer Aufzeichnungsschicht der Magnetplatte gebildet. Außer dem wird eine Schmiermittelschicht auf dem Schutzfilm gebil det, um die Reibung und den Verschleiß des Schutzfilms zu reduzieren. Dadurch wird die Haltbarkeit des Schutzfilms verbessert.

Mit der zunehmend kleineren Größe von Magnetplatten laufwerken und der höheren Aufzeichnungsdichte von Informa tionen in der Aufzeichnungsplatte soll auch die Flughöhe (oder der Abstand) zwischen dem Magnetkopf und der Magnet platte verringert werden. Zur Verringerung der Flughöhe ist es erforderlich, die Rauhigkeit der Magnetplattenoberfläche so gering wie möglich zu halten, um einen unerwünschten Kon takt des in den Flugzustand versetzten Magnetkopfs mit der Magnetplatte zu verhindern.

Wenn jedoch die Magnetplatte in einem Stopp-Zustand ruht wird die Kontaktfläche der Magnetplatte mit dem Kopf schieber mit der zunehmend glatten Magnetplattenoberfläche größer. Daher kommt es leicht zu einer Haftreibung (oder Haftung) des Kopfschiebers an der Magnetplatte, und die Stärke der Haftreibung erhöht sich. Aufgrund der Erhöhung der Stärke der Haftreibung steigt die erforderliche Last, um die Magnetplatte in Rotation zu versetzen. Da in diesem Fall das Drehmoment eines Spindelmotors zum Drehen der Magnet platte verringert wird, wenn die Magnetplattenvorrichtung kleiner wird, kann es vorkommen, daß die Magnetplatte auf grund des unzureichenden Drehmoments nicht gedreht werden kann. Auch wird die Aufhängung zum Halten des Kopfschiebers leicht beschädigt und zerbrochen, wenn die Rotation der Mag netplatte gestartet wird.

Um die Haftreibung zu unterdrücken, wird ein Konzept vorgeschlagen, eine der Magnetplatte zugewandte Kopfschie ber-Flugoberfläche entlang ihrer Längsrichtung scheitelför mig zu bearbeiten, und die Kontaktfläche des Kopfschiebers mit der Magnetplatte zu verringern. Obwohl der in einer Scheitelform ausgebildete Kopfschieber die Haftreibung effektiv verhindert, ist es jedoch schwierig, eine große Anzahl von Kopfschiebern in Scheitelform mit großer Genauig keit in einer Massenproduktion herzustellen. Wenn der Kopf schieber entlang seiner Längsrichtung scheitelförmig bear beitet wird, wird auch die Distanz zwischen einem Magnet wandler, der an der Seite des Luftaustrittsendes des kon vexen Teils angeordnet ist, und der Magnetplattenoberfläche größer als jene zwischen der Schienenoberfläche und der Mag netplattenoberfläche. Daher entsteht der Nachteil, daß ein Abstandsverlust eintritt.

Um die Haftreibung zu unterdrücken, wird ein Konzept geoffenbart, einige Erhebungen auf der Magnetplatte zuge wandten Schienenoberflächen (oder einer Luftlageroberfläche) des Kopfschiebers vorzusehen, um die Kontaktfläche der Mag netplatte mit dem Kopfschieber zu verringern, beispielsweise in der veröffentlichten ungeprüften Japanischen Patentanmel dung (PUJPA) Nr.S51-71117.

In letzter Zeit ist die Flughöhe kleiner oder gleich 100 nm. Daher ist es schwierig, die Höhe der Erhebung einzu stellen, indem eine zum Ätzen der Schienenoberfläche erfor derliche Ätzzeit gesteuert wird, und es besteht insofern ein Nachteil, als die Ausbeuterate der Erhebung verringert wird. Ebenso ist es erforderlich, die Höhe der Erhebung genau ein zustellen, um einen stabilen Betrieb der Magnetplattenvor richtung zu verbessern, wenn der Flug des Kopfschiebers ge startet oder angehalten wird.

Das gesamte Gewicht des Kopfschiebers lastet auf den Erhebungen mit kleiner Oberfläche, dies bewirkt eine starke Reibung der Erhebungen an der Magnetplatte. Folglich nutzen sich die Erhebungen rasch ab.

Auch wenn eine Vielzahl von Erhebungen auf dem Kopf schieber vorgesehen ist, erhöht sich der Kontaktdruck an der Kontaktfläche der Erhebungen, wenn die Anzahl der Erhebungen zur Verkleinerung der Kontaktfläche verringert wird, und es gibt den Fall, daß die Schmiermittelschicht der Magnetplatte bricht. Folglich wird die Feststoff-Feststoff-Kontaktfläche vergrößert, und die Oberflächen der Erhebungen und der Mag netplatte nutzen sich aufgrund von Reibungen zwischen den Erhebungen und der Magnetplatte ab. Auch wird die Haftrei bung zwischen den Erhebungen und der Magnetplatte erhöht, und die Zuverlässigkeit beim Betrieb des Kopfschiebers wird reduziert.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die erste Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, einen Kopfschieber vorzusehen, bei welchem die Haftreibung an einer Magnetplatte klein ist und der Verschleiß von Erhebun gen reduziert wird. Um diese Aufgabe zu erfüllen, ist es effizient, den Kopfschieber kompakt auszubilden und den Mag netismus einer auf den Kopfschieber ausgeübten Last zu ver ringern.

Die zweite Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, auch einen Kopfschieber vorzusehen, welcher stabil betrieben wird, wenn ein Flugbetrieb gestartet oder gestoppt wird, und mit einer hohen Ausbeuterate hergestellt wird. Die zweite Aufgabe besteht auch darin, ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, bei welchem der Kopfschieber verwendet wird, und ein Her stellungsverfahren des Kopfschiebers vorzusehen.

Die dritte Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, auch ein Magnetaufzeichnungslaufwerk vorzusehen, bei welchem die Haftreibung eines Kopfschiebers an der Aufzeichnungsplatte reduziert wird, und der Bruch einer Schmiermittelschicht der Aufzeichnungsplatte verhindert wird. Die dritte Aufgabe ist auch, ein Herstellungsverfahren des Kopfschiebers vorzu sehen.

Die erste Aufgabe wird auch durch das Vorsehen eines Kopfschiebers für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk erfüllt, mit: einem Substrat zum Halten eines Wandlers, wobei Infor mationen durch den Wandler aus einer Aufzeichnungsplatte gelesen bzw. in diese geschrieben werden; einem Paar von Schienenebenen, die an beiden Endseiten einer der Aufzeich nungsplatte zugewandten Oberfläche des Substrats angeordnet sind, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeich nungsplatte bewirkten Schwebekraft; und einem Paar von Erhe bungselementen, die auf den Schienenebenen angeordnet sind, um eine erste Distanz zwischen jedem der Erhebungselemente und der Aufzeichnungsplatte auf einen Wert einzustellen, der länger ist als eine zweite Distanz zwischen einem Luftaus trittsende des der Aufzeichnungsplatte zugewandten Substrats und der Aufzeichnungsplatte, unter der Bedingung, daß die Schienenebenen die Schwebekraft empfangen, und das Substrat über die Aufzeichnungsplatte fliegt.

In der obigen Konfiguration ist ein Paar von Erhebungs elementen auf den Schienenebenen unter der Bedingung ange ordnet, daß die erste Distanz zwischen jedem der Erhebungs elemente und der Aufzeichnungsplatte länger ist als die zweite Distanz zwischen dem Luftaustrittsende des der Auf zeichnungsplatte zugewandten Substrats und der Aufzeich nungsplatte, wenn das Substrat über die Aufzeichnungsplatte fliegt. Daher besteht keine Wahrscheinlichkeit, daß die Er hebungselemente eine Beschädigung der Aufzeichnungsplatte verursachen, wenn Informationen vom Wandler aus der Auf zeichnungsplatte gelesen bzw. in diese geschrieben werden. Da der am Luftaustrittsende des Substrats angeordnete Wandler der Aufzeichnungsplatte nahekommt, wenn die Aufzeich nungsdichte von Informationen in der Aufzeichnungsplatte zunimmt, ist es erforderlich zu verhindern, daß die Auf zeichnungsplatte durch die Erhebungselemente beschädigt wird.

Es wird bevorzugt, daß jedes Erhebungselement eine Vielzahl von Erhebungen umfaßt, die an einer Schienenebene angeordnet sind, und ein Punkt des Substrats, auf den das Zentrum einer Belastungskraft ausgeübt wird, liegt in einer von den Erhebungen umgebenen Zone.

Da in diesem Fall ein Punkt des Substrats, auf den eine Belastungskraft ausgeübt wird, in einer von drei oder mehreren Erhebungen umgebenen Zone angeordnet ist, gelangen die Erhebungen stabil mit der Platte in Kontakt, und die Haftreibung der Erhebungen an der Platte ist stabil.

Es wird auch bevorzugt, daß jede Schienenebene aus einer Verjüngungsebene, die an der Seite des Lufteintritts endes des Substrats angeordnet ist, und einer flachen Ebene besteht, die in einer Zone angeordnet ist, welche von einer zentralen Position zur Seite des Luftaustrittsendes des Sub strats reicht, wobei jedes Erhebungselement an einer Grenz zone angeordnet ist, die von der verjüngungsebene zur fla chen Ebene einer Schienenebene reicht, und zumindest eines der Erhebungselemente einen gebogenen Teil aufweist, der in der Richtung der Dicke des Substrats, rechtwinkelig zur Oberfläche des Substrats, gekrümmt ist.

Wenn der Kopfschieber von der Aufzeichnungsplatte abge hoben wird, ist es erforderlich, daß die Erhebungselemente die Aufzeichnungsplatte nicht beschädigen. Da jede Schienen ebene eine Verjüngungsebene an der Seite des Lufteintritts endes des Substrats aufweist, und eines der Erhebungselemen te einen gekrümmten Teil hat, der in der Richtung der Dicke des Substrats gekrümmt ist, strömt ein Luftstrom glatt die Verjüngungsebene und die gebogene Oberfläche des Erhebungs elements störungsfrei entlang, und der Kopfschieber wird glatt abgehoben. Daher beschädigen die Erhebungselemente die Aufzeichnungsplatte nicht.

Es wird auch bevorzugt, daß jedes Erhebungselement aus einem Material hergestellt ist, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus amorphem Kohlenstoff, Diamant ähnlichem Kohlenstoff und Oxid.

Da jedes Erhebungselement aus einem harten Material be steht, wie amorphem Kohlenstoff, Diamant ähnlichem Kohlen stoff und Oxid, ist es schwierig, die Erhebungselemente zu beschädigen. Daher besteht keine Wahrscheinlichkeit, daß ein beschädigtes Erhebungselement die Aufzeichnungsplatte be schädigt.

Die zweite Aufgabe wird durch das Vorsehen eines Kopf schiebers für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk erfüllt, mit: einem Substrat zum Halten eines Wandlers, wobei Information en durch den Wandler aus einer Aufzeichnungsplatte gelesen bzw. in diese geschrieben werden; einem Paar von Schienen ebenen, die an beiden Endseiten einer der Aufzeichnungsplat te zugewandten Oberfläche des Substrats angeordnet sind, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte bewirkten Schwebekraft, um das Substrat zum Fliegen über die Aufzeichnungsplatte zu bringen; einer Vielzahl von ersten Erhebungen, die auf Teilen der Schienenebenen angeordnet sind, welche an der Seite des Lufteintrittsendes des Sub strats liegen; und einer Vielzahl von zweiten Erhebungen, die auf Teilen der Schienenebenen angeordnet sind, welche an der Seite des Luftaustrittsendes des Substrats liegen, wobei die Höhe jedes der zweiten Erhebungen niedriger ist als jene jeder der ersten Erhebungen.

Als nächstes wird der Grund beschrieben, warum die ent sprechende Höhe der Erhebungen ungleich gemacht wird. Würden alle Erhebungen mit niedriger Höhe ausgebildet, könnte die Schienenebene, die von den Erhebungen verschieden ist, auf grund einer am Kopfschieber erzeugten Verformung mit der Magnetplatte in Kontakt kommen. Daher werden die entspre chenden Höhen der Erhebungen an der Seite des Lufteintritts endes, wo der Kopfschieber während der Drehung des Kopf schiebers hoch abgehoben wird, höher gemacht, um einen aus reichenden Abstand für die Erhebungen und die Magnetplatte vorzusehen, damit sie nicht miteinander in Kontakt gelangen.

Die zweite Aufgabe wird auch durch das Vorsehen eines Kopfschiebers für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk erfüllt, mit: einem Substrat zum Halten eines Wandlers, wobei Infor mationen aus einer Aufzeichnungsplatte gelesen bzw. in diese geschrieben werden; einer Schienenebene, die an einer der Aufzeichnungsplatte zugewandten Oberfläche des Substrats an geordnet sind, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte bewirkten Schwebekraft; einer ersten Er hebung, die auf einem ersten Teil der Schienenebene angeord net ist, welcher an der Seite des Lufteintrittsendes des Substrats liegt; einer zweiten Erhebung, die auf einem zweiten Teil der Schienenebene angeordnet ist, welcher an der Seite des Luftaustrittsendes des Substrats liegt; und einer dritten Erhebung, die auf einem dritten Teil der schienenebene angeordnet ist, welcher an der Seite des Luft austrittsendes des Substrats liegt.

Da die erste, zweite und dritte Erhebung in Dreiecks form angeordnet sind, kann, wenn die Aufzeichnungsplatte nicht gedreht wird, der Kopfschieber stabil auf die Auf zeichnungsplatte gesetzt werden. Wenn der Kopfschieber von der Aufzeichnungsplatte abgehoben wird, wird auch die erste Erhebung zuerst abgehoben, bevor die zweite und dritte Erhe bung abgehoben werden. Da nur die erste Erhebung an der Seite des Lufteintrittsendes des Kopfschiebers angeordnet ist, kann die Kontaktfläche zwischen der ersten Erhebung und der Aufzeichnungsplatte an der Seite des Lufteintrittsendes des Kopfschiebers kleiner gemacht werden als an der Seite des Luftaustrittsendes. Daher kann die Stärke der Haftrei bung zwischen einem Teil des Kopfschiebers, der an der Seite des Lufteintrittsendes angeordnet ist, und der Aufzeich nungsplatte klein eingestellt werden, und der Kopfschieber kann leicht fliegen, wenn die Drehung der Aufzeichnungsplat te gestartet wird.

Es wird bevorzugt, daß die Schienenebene ein Paar von seitlichen Schienenebenen, auf denen die zweiten und dritten Erhebungen angeordnet sind, und eine zentrale Schienenebene aufweist, die zwischen den seitlichen Schienenebenen durch ein Paar von Schlitzen angeordnet ist, wobei die erste Erhe bung auf der zentralen Schienenebene angeordnet ist. Die seitlichen Schienenebenen können mit der zentralen Schienen ebene ohne Schlitze verbunden sein, wie im US-Patent 5 212 608 gezeigt.

Die zweite Aufgabe wird auch durch das Vorsehen eines Kopfschiebers für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk erfüllt, mit: einem Substrat zum Halten eines Wandlers, wobei Infor mationen durch den Wandler aus einer Aufzeichnungsplatte ge lesen bzw. in diese geschrieben werden; einer Schienenebene, die an einer der Aufzeichnungsplatte zugewandten Oberfläche des Substrats angeordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte bewirkten Schwebekraft; einer Unterdruck-Erzeugungszone, die an der der Aufzeich nungsplatte zugewandten Oberfläche des Substrats angeordnet ist, zum Erzeugen eines Unterdrucks zwischen dem Substrat und der Aufzeichnungsplatte; und drei Erhebungen, die auf der Schienenebene angeordnet sind.

Da in der obigen Konfiguration eine Unterdruck-Erzeu gungszone an der der Aufzeichnungsplatte zugewandten Ober fläche des Substrats angeordnet ist, wird die Belastungs kraft des Kopfschiebers auf die Magnetplatte erleichtert. Daher wird die Verschleißrate der Erhebungen deutlich re duziert.

Die zweite Aufgabe wird ferner auch durch das Vorsehen eines Kopfschiebers für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk er füllt, mit der ersten Erhebung auf einer Schienenebene an der Seite des Lufteintrittsendes und der zweiten Erhebung auf einer Schienenebene an der Seite des Luftaustrittsendes, wobei die Fläche der ersten Erhebung kleiner ist als jene der zweiten Erhebung.

Wenn die Drehung der Magnetplatte gestartet wird, wird der von einer Plattenfeder getragene Schieber von der Ober fläche der Magnetplatte gemäß dem Prinzip eines dynamischen Druckluftlagers in einer Fluidschmierung abgehoben. Der Teil an der Seite des Lufteintrittsendes des Schiebers wird zu erst angehoben, und der Teil an der Seite des Luftaustritts endes des Schiebers wird mit dem Teil an der Seite des Luft eintrittsendes des Schiebers abgehoben. Je leichter der Teil an der Seite des Lufteintrittsendes des Schiebers angehoben wird, desto kürzer ist die Abhebezeit des Schiebers.

Je kleiner die Fläche eines oberen Teils der ersten Erhebung, der an der Seite des Lufteintrittsendes des Schie bers angeordnet ist, desto kleiner die Reibungskraft. Diese Versuchsergebnisse zeigen, daß die Stärke der Haftreibung zwischen dem Schieber und der Magnetplatte verringert wird, und die Abhebezeit des Schiebers verkürzt wird, je kleiner die Fläche des oberen Teils der ersten Erhebung wird.

Die zweiten Erhebungen, die an der Seite des Luftaus trittsendes der Schienenebenen angeordnet sind, werden von der Magnetplatte gelöst, nachdem die ersten Erhebungen von der Magnetplatte gelöst werden. Daher ist die Belastungs kraft der zweiten Erhebungen auf die Magnetplatte größer als jene der ersten Erhebungen auf die Magnetplatte. Da die Flä che der oberen Teile der zweiten Erhebungen jedoch größer ist als jene der ersten Erhebungen, um die mechanische Festigkeit der zweiten Erhebungen zu erhöhen, weist der Schieber eine überlegene Haltbarkeit auf, und es ist schwierig, den Schieber zu beschädigen.

Da die erste Erhebung auch entlang der Grenzfläche von der flachen Ebene der Schienenebene zur geneigten Ebene sanft gebogen ist, bewirkt die der Magnetplatte zugewandte obere Ecke der ersten Erhebung keine mechanische Beschädi gung der Oberfläche der Magnetplatte. Daher kann eine Be schädigung der ersten Erhebungen und der Magnetplatte ver hindert werden.

Die dritte Aufgabe wird durch das Vorsehen einer Auf zeichnungsplatte erfüllt, mit: einem Aufzeichnungsmedium; einem Kopfschieber, der umfaßt: ein Substrat mit einem Wand ler, eine Schienenebene, die reliefförmig auf einer dem Auf zeichnungsmedium zugewandten Oberfläche des Substrats ange ordnet ist, um den Kopfschieber zum Fliegen zu bringen, und eine oder mehrere Erhebungen, die auf der Schienenebene an geordnet sind; und einer Schmiermittelschicht, die auf dem Aufzeichnungsmedium angeordnet ist, mit einer Filmdicke, die kleiner ist als die Höhe jeder der Erhebungen, und größer ist als die Oberflächenrauhigkeit des Aufzeichnungsmediums.

In der obigen Konfiguration ist das Aufzeichnungsmedium mit einer Schmiermittelschicht beschichtet, und die Film dicke der Schmiermittelschicht ist kleiner als die Höhe jeder der Erhebungen, und ist größer als die Oberflächen rauhigkeit des Aufzeichnungsmediums. In diesem Fall ist nicht nur die Oberfläche jeder der Erhebungen mit einem Schmiermittel der Schmiermittelschicht bedeckt, sondern ist auch ein Teil der Schienenebene, der jede der Erhebungen umgibt, mit dem Schmiermittel bedeckt. Daher wird ein Meniskusradius eines Meniskusteils, der rund um jede Erhebung gebildet ist, vergrößert, und die Stärke der Haftrei bung zwischen dem Kopfschieber und dem Aufzeichnungsmedium kann reduziert werden.

Eine Oberfläche des Aufzeichnungsmediums ist auch voll ständig mit der Schmiermittelschicht bedeckt, da die Film dicke der Schmiermittelschicht größer ist als die Oberflä chenrauhigkeit des Aufzeichnungsmediums. Daher besteht keine Wahrscheinlichkeit, daß die Oberfläche des Aufzeichnungsme diums vom Kopfschieber abgerieben wird, auch wenn sich der Kopfschieber während des Kontakts mit dem Aufzeichnungs medium in Kontakt mit dem Aufzeichnungsmedium befindet.

Es wird auch bevorzugt, daß jede Erhebung einen Ver jüngungsteil an ihrer Seitenfläche aufweist, und die der Schienenebene zugewandte Querschnittfläche jeder Erhebung nimmt entlang einer Richtung von einem oberen Teil jeder Erhebung zur Schienenebene allmählich zu.

Da der Verjüngungsteil gegen das Aufzeichnungsmedium geneigt ist, um einen spitzen Winkel zwischen dem Verjün gungsteil und dem Aufzeichnungsmedium zu bilden, wird das aus dem Spielraum zwischen der Erhebung und dem Aufzeich nungsmedium gedrückte Schmiermittel leicht entlang einer Oberfläche des Verjüngungsteils aufwärts bewegt, und ein Meniskusteil mit einem großen Meniskusradius kann leicht rund um jede Erhebung gebildet werden. Daher kann, auch wenn die Filmdicke der Schmiermittelschicht klein gemacht wird, der Meniskusteil mit einem großen Meniskusradius zuverlässig kund um jede Erhebung gebildet werden.

Es wird auch bevorzugt, daß eine Scheitelhöhe der Schienenebene 1,27 × 10^-2 µm oder weniger beträgt.

Im Kopfschieber mit einer derartigen Scheitelhöhe kommen andere Teile des Kopfschiebers als die Erhebungen nicht mit der Magnetplatte in Kontakt, trotzdem die Höhe der Erhebungen niedrig ist. Wenn die anderen Teile des Kopf schiebers als die Erhebungen mit der Magnetplatte in Kontakt kommen, erhöht sich die Haftreibung zwischen dem Kopfschie ber und der Magnetplatte.

Es wird auch bevorzugt, daß jede Erhebung aus einem Material mit wasserabstoßenden Eigenschaften oder ölab stoßenden Eigenschaften hergestellt ist.

In Fällen, wo ein Schmiermittel der Schmiermittel schicht aus einem wasserhaltigen Mittel oder einem ölhalti gen Mittel besteht, kann die Erhebung leicht vom Aufzeich nungsmedium gelöst werden, und der Kopfschieber kann leicht vom Aufzeichnungsmedium abgehoben werden.

Die dritte Aufgabe wird auch durch das Vorsehen eines Kopfschiebers für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk erzielt, mit: einem Substrat zum Halten eines Wandlers, wobei Infor mationen durch den Wandler aus einer Aufzeichnungsplatte gelesen bzw. in diese geschrieben werden; einer Schienen ebene, die an einer der Aufzeichnungsplatte zugewandten Oberfläche des Substrats angeordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte bewirkten Schwe bekraft, um das Substrat zum Fliegen über die Aufzeichnungs platte zu bringen; einer Erhebung, die auf der Schienenebene angeordnet ist; und einem Schmiermittel zum Bedecken eines oberen Teils der Erhebung.

Aufgrund des Schmiermittels wird die Oberflächenenergie des oberen Teils jeder Erhebung verringert, und die Schmier mittelschicht der Oberfläche des Aufzeichnungsmediums wird von den Erhebungen nicht durchbrochen. Daher besteht keine Wahrscheinlichkeit, daß ein Feststoff-Kontakt zwischen den Erhebungen und dem Aufzeichnungsmedium auftritt, und der Abrieb der Erhebungen und der Abrieb des Aufzeichnungsmedi ums können unterdrückt werden. Die Stärke der Haftreibung zwischen den Erhebungen und dem Aufzeichnungsmedium wird auch verringert, und eine Startlast, die zum Starten der Drehung des Aufzeichnungsmediums erforderlich ist, kann reduziert werden.

Es wird bevorzugt, daß die Erhebung aus amorphem Koh lenstoff hergestellt ist, und das Schmiermittel aus einem Fluor enthaltenden Schmiermittel mit einem Benzol-Ring ge bildet ist. Es wird auch bevorzugt, daß die Erhebung aus einem Oxid besteht, und das Schmiermittel aus einem Fluor enthaltenden Schmiermittel mit einer Hydroxyl-Gruppe herge stellt ist.

Da das den oberen Teil jeder Erhebung bedeckende Schmiermittel aus einem Fluor enthaltenden, wasserabstoßen den Schmiermittel besteht, ist es schwierig, daß Wasser rund um die Erhebungen konzentriert wird. Daher kann die Stärke der Haftreibung zwischen den Erhebungen und dem Aufzeich nungsmedium reduziert werden. In diesem Fall ist es möglich, daß das Fluor enthaltende Schmiermittel an der Schienenebene angeordnet ist.

Die dritte Aufgabe wird auch durch das Vorsehen eines Herstellungsverfahrens eines Kopfschiebers für ein Magnet aufzeichnungslaufwerk erfüllt, welches die Schritte umfaßt: Bilden einer Schienenebene an einem Substrat, in dem ein Wandler gehalten wird, wobei eine Schwebekraft von der Schienenebene erzeugt wird; Bilden einer oder mehrerer Erhe bungen auf der Schienenoberfläche; Beschichten der Erhebung mit einem Schmiermittel; und Bestrahlen des Schmiermittels mit Ultraviolettlicht, um das Schmiermittel fest an die Er hebung zu kleben.

Da die Erhebung mit einem Schmiermittel beschichtet ist, und Ultraviolettlicht auf das Schmiermittel gestrahlt wird, kann das Schmiermittel fest an der Erhebung kleben. Daher wird die Haltbarkeit des Kopfschiebers verbessert.

Die dritte Aufgabe wird auch durch das Vorsehen eines Kopfschiebers für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk erfüllt, mit: einem Substrat zum Halten eines Wandlers, wobei Infor mationen durch den Wandler aus einer Aufzeichnungsplatte gelesen bzw. in diese geschrieben werden; einer Schienen ebene, die an einer der Aufzeichnungsplatte zugewandten Oberfläche des Substrats angeordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte bewirkten Schwe bekraft, um das Substrat zum Fliegen über die Aufzeichnungs platte zu bringen; und einer oder mehreren Erhebungen, die auf der Schienenebene angeordnet sind, wobei Oberflächen der Erhebungen aus fluoriertem Kohlenstoff bestehen.

Die dritte Aufgabe wird auch durch das Vorsehen eines Herstellungsverfahrens eines Kopfschiebers für ein Magnet aufzeichnungslaufwerk erfüllt, welches die Schritte umfaßt: Bilden einer Schienenebene auf einem Substrat, in dem ein Wandler gehalten wird, wobei eine Schwebekraft von der Schienenebene erzeugt wird; Bilden einer oder mehrerer Erhe bungen aus Kohlenstoffhydroxid auf der Schienenebene; und Fluorieren von Oberflächen der Erhebungen mit einem Misch gas, in dem Argon und fluorierter Kohlenstoff enthalten sind.

In Fällen, wo eine Erhebung aus Kohlenstoff gebildet ist, wenn eine Oberfläche der Erhebung fluoriert ist, wird die Oberflächenenergie der Erhebung verringert. Daher ist es schwierig, daß eine an der Oberfläche des Aufzeichnungsmedi ums angeordnete Schmiermittelschicht durch die aus fluorier tem Kohlenstoff hergestellte Erhebung zerbrochen wird, und der Abrieb der Erhebungen und der Abrieb des Aufzeichnungs mediums können unterdrückt werden. Außerdem wird die Stärke der Haftreibung zwischen der Erhebung und dem Aufzeichnungs medium verringert, und die Last, die zum Starten der Drehung des Aufzeichnungsmediums erforderlich ist, wird reduziert. Da der fluorierte Kohlenstoff wasserabstoßend ist, ist es auch schwierig, daß Wasser rund um jede Erhebung konzen triert wird.

Die dritte Aufgabe wird auch durch das Vorsehen eines Herstellungsverfahrens eines Kopfschiebers für ein Magnet aufzeichnungslaufwerk erfüllt, welches die Schritte umfaßt: Bilden eines Wandler-Schutzfilms und eines Erhebungsmate rialfilms auf einem Substrat in dieser Reihenfolge; Mustern des Erhebungsmaterialfilms, des Wandler-Schutzfilms und eines oberen Teils des Substrats, um einen konkaven Teil zu bilden; Verarbeiten oberer Flächen des Substrats, die an beiden Seiten des konkaven Teils abstehen, als Paar von Schienenebenen; Bilden einer oder mehrerer erster Erhebungen aus dem Erhebungsmaterialfilm an Teilen der schienenebenen, die an der Seite des Lufteintrittsendes des Substrats ange ordnet sind, durch das Mustern des auf den Schienenebenen zurückbleibenden Erhebungsmaterialfilms.

Es wird bevorzugt, daß der Schritt der Bildung eines Schienenebenen-Schutzfilms enthält: Bilden eines Zwischen films, der zwischen dem Kontaktfilm und dem Schienenebenen- Schutzfilm anzuordnen ist; der Schritt der Bildung von Erhe bungen enthält: Ätzen des Kontaktfilms unter Verwendung eines Ätzmittels ohne Ätzen des Zwischenfilms.

Da der Zwischenfilm als Ätz-Stopper wirkt, kann die Dicke der ersten Erhebungen genau eingestellt und gleich mäßig gemacht werden, und die Dicke der zweiten Erhebungen kann genau eingestellt und gleichmäßig gemacht werden. Daher kann die Ausbeuterate des Kopfschiebers verbessert werden.

Die zweite Aufgabe wird auch durch das Vorsehen eines Herstellungsverfahrens eines Kopfschiebers für ein Magnet aufzeichnungslaufwerk erfüllt, welches die Schritte umfaßt: bilden eines Erhebungsbildungsfilms an einer Oberfläche eines Substrats, die als Schienenebene verwendet wird, durch eine Haftschicht; Bedecken eines Erhebungsbildungsteils des Erhebungsbildungsfilms mit einer ersten Maske; Entfernen des Erhebungsbildungsfilms, der nicht mit der ersten Maske be deckt ist, durch das Zuführen eines ersten Ätzgases zum Er hebungsbildungsfilm, unter der Bedingung, daß die Ätzrate des ersten Ätzgases am Erhebungsbildungsfilm höher ist als jene an der Haftschicht; und Bilden einer Erhebung aus dem Erhebungsbildungsfilm, der unter der ersten Maske angeordnet ist.

Im obigen Herstellungsverfahren wird der Erhebungsbil dungsfilm gemäß einer Photolithographietechnik gemustert, um die Erhebung zu bilden. Da in diesem Fall die Haftschicht zwischen dem Erhebungsbildungsfilm und dem Substrat angeord net ist, und als Ätz-Stopper wirkt, stimmt die Höhe der Er hebung mit der Dicke des Erhebungsbildungsfilms überein. Daher kann die Höhe der Erhebung genau eingestellt werden.

Es wird bevorzugt, daß das Herstellungsverfahren ferner die Schritte umfaßt: Bilden einer zweiten Maske, die in Form einer Flugoberfläche gebildet ist und ein Fenster in einer Zone aufweist, in der ein konkaver Teil, der entlang einem Luftstrom verläuft, zu bilden ist, auf der Haftschicht und der ersten Maske, nachdem die Erhebung im Schritt der Bil dung einer Erhebung gebildet wird; Ätzen der Haftschicht und eines oberen Teils des Substrats durch das Fenster der zweiten Maske, um den konkaven Teil auf dem geätzten Sub strat zu bilden; Bilden der Schienenebene an der nicht ge ätzten Haftschicht; und gleichzeitiges Entfernen der ersten und zweiten Maske.

Im obigen Herstellungsverfahren wird die zweite Maske ohne Bewegung der ersten Maske gebildet, und der konkave Teil wird gebildet. Daher können die erste und zweite Maske gleichzeitig entfernt werden, und die Verarbeitung einer Photolithographie zur Bildung des konkaven Teils und der Schienenebene kann vereinfacht werden.

Es wird auch bevorzugt, daß das Herstellungsverfahren ferner den Schritt umfaßt: Bilden eines Schutzfilms zum Schützen der Haftschicht, die als äußerste Oberfläche der Schienenebene angeordnet ist, nach dem Schritt des gleich zeitigen Entfernens der ersten und zweiten Maske.

In Fällen, wo die Haftschicht aus einem leicht zu verunreinigenden Material gebildet ist, wird die nicht von der Erhebung bedeckte Haftschicht geätzt und entfernt, um die Schienenebene am nicht geätzten Substrat zu bilden. Oder es werden gemäß der Erfindung die Erhebung und die Haft schicht durch den Schutzfilm bedeckt, nachdem die Erhebung gebildet wird, und die Verunreinigung der Haftschicht kann verhindert werden, auch wenn die Haftschicht leicht verun reinigt werden kann.

Es wird auch bevorzugt, daß der Schritt des Bedeckens eines Erhebungsbildungsteils enthält: Bilden der ersten Maske durch Belichten und Entwickeln eines Trockenfilm- Resists.

Da die erste Maske aus dem Trockenfilm-Resist gebildet ist, kann die Dicke der ersten Maske gleichmäßig gemacht werden. Wenn der Erhebungsbildungsfilm gemustert wird, um die Erhebung zu bilden, kann daher die Größe der Erhebung genau eingestellt werden.

Es wird auch bevorzugt, daß der Schritt der Bildung der zweiten Maske enthält: Ätzen der ersten Maske, um die Dicke der ersten Maske auf 10 µm oder weniger zu reduzieren; Lami nieren eines Trockenfilm-Resists auf die erste Maske, deren Dicke verringert ist; und Belichten und Entwickeln des Trockenfilm-Resists, um die zweite Maske zu bilden.

In Fällen, wo die zweite Maske aus dem Trockenfilm- Resist gebildet wird, können Luftblasen leicht in einem Spielraum zwischen der ersten Maske und der zweiten Maske eingeschlossen werden. Wenn die Dicke der ersten Maske je doch auf 10 µm oder weniger eingestellt wird, werden keine Luftblasen zwischen der ersten Maske und der zweiten Maske eingeschlossen. Daher kann die zweite Maske genau gemustert werden, um den konkaven Teil zu bilden, und die Form der Schienenebene kann mit hoher Genauigkeit eingestellt werden.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der ersten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung;

Fig. 1(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 1 (a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 2(a) bis 2(h) zeigen ein Herstellungsverfahren des in Fig. 1(a) und 1(b) dargestellten Magnetkopfschiebers;

Fig. 3(a) bis 3(d) sind Schrägansichten, die das Her stellungsverfahren des Magnetkopfschiebers zeigen;

Fig. 4(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der zweiten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung;

Fig. 4(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 4 (a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 5(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der dritten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung;

Fig. 5(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 5(a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 6(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der vierten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung;

Fig. 6(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 6(a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 7(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der fünften Ausführungsform der vorlie genden Erfindung;

Fig. 7(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 7(a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 8(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der sechsten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung;

Fig. 8(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 8(a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 9(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der siebenten Ausführungsform der vor liegenden Erfindung;

Fig. 9(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 9(a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 10(a) bis 10(c) zeigen ein Herstellungsverfahren eines Paares von Erhebungen gemäß der achten Ausführungs form;

Fig. 11(a) ist eine schematische Draufsicht eines Mag netkopfschiebers gemäß der neunten Ausführungsform der vor liegenden Erfindung;

Fig. 11(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 11(a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 12 zeigt eine Beziehung eines Spalts an Erhebungen und eines weiteren Spalts an einem Luftaustrittsende des Kopfschiebers;

Fig. 13(a) ist eine schematische Draufsicht eines Mag netkopfschiebers gemäß der zehnten Ausführungsform der vor liegenden Erfindung;

Fig. 13(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 13(a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 14(a) ist eine schematische Draufsicht eines Mag netkopfschiebers gemäß der elften Ausführungsform der vor liegenden Erfindung;

Fig. 14(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 14(a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 15 zeigt eine Beziehung eines Spalts an einem Luft eintrittsende des Kopfschiebers, eines Spalts an einem Luft austrittsende des Kopfschiebers und eines Spalts an der Er hebung;

Fig. 16(a) ist eine schematische Draufsicht eines Mag netkopfschiebers gemäß der zwölften Ausführungsform der vor liegenden Erfindung;

Fig. 16(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 16(a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 17(a) ist eine schematische Draufsicht eines Mag netkopfschiebers gemäß der dreizehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 17(b) ist eine schematische Seitenansicht des in Fig. 17(a) gezeigten Magnetkopfschiebers;

Fig. 18(a) bis 18(k) zeigen ein Herstellungsverfahren eines Kopfschiebers eines Magnetkopfs gemäß der vierzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 19(a) ist eine Draufsicht eines gemäß dem Herstel lungsverfahren hergestellten Kopfschiebers;

Fig. 19(b) ist eine Seitenansicht des in Fig. 19(a) ge zeigten Kopfschiebers;

Fig. 20 ist eine Draufsicht eines Kopfschiebers, der als Modifikation des in Fig. 19(a) dargestellten Kopfschiebers erhalten wird;

Fig. 21 zeigt eine Anordnung des in Fig. 19(a) und 19(b) dargestellten Kopfschiebers in einem Flugzustand;

Fig. 22(a) bis 22(h) zeigen ein Herstellungsverfahren eines Kopfschiebers eines Magnetkopfs gemäß der fünfzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 23 ist eine Schrägansicht eines Kopfschiebers eines Magnetkopfs gemäß der sechzehnten Ausführungsform der vor liegenden Erfindung;

Fig. 24 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Kontakt zustand an einem Kontaktpunkt des Schiebers und einer Mag netplatte zeigt, wenn die Magnetplatte nicht gedreht wird;

Fig. 25 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Kontakt zustand an einem Kontaktpunkt eines Schiebers und einer Mag netplatte durch eine Schmiermittelschicht gemäß dem Stand der Technik zeigt;

Fig. 26 zeigt eine Beziehung zwischen einer Haftreibung zwischen Erhebungen und der Magnetplatte und der Filmdicke einer Schmiermittelschicht gemäß der sechzehnten Ausfüh rungsform;

Fig. 27 zeigt eine Beziehung zwischen einer Haftreibung zwischen einem Schieber und einer Magnetplatte und einer Filmdicke einer Schmiermittelschicht unter der Bedingung, daß keine Erhebung im Schieber angeordnet ist;

Fig. 28 ist eine vergrößerte Ansicht eines Kontaktpunkts eines Schiebers und einer Magnetplatte gemäß der siebzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 29 ist eine vergrößerte Ansicht eines Kontaktpunkts eines Schiebers und einer Magnetplatte gemäß der achtzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 30(a) bis 30(g) sind Schrägansichten, die ein Her stellungsverfahren eines Schiebers eines Magnetkopfs vom liegenden Typ gemäß der neunzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;

Fig. 31 ist eine vergrößerte Ansicht eines Kontaktpunkts eines Schiebers und einer Magnetplatte gemäß der neunzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 32 ist eine vergrößerte Ansicht eines Kontaktpunkts eines Schiebers und der Magnetplatte, unter der Bedingung, daß die oberen Teile der Erhebungen mit keinem Schmiermittel beschichtet sind:

Fig. 33(a) bis 33(d) zeigen ein Herstellungsverfahren eines Schiebers eines Magnetkopfs vom fliegenden Typ gemäß der zwanzigsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 34 ist eine vergrößerte Ansicht eines Kontaktpunkts eines Schiebers und der Magnetplatte gemäß der zwanzigsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 35(a) ist eine Draufsicht eines Schiebers, der für eine Magnetplattenvorrichtung gemäß der einundzwanzigsten Ausführungsform verwendet wird;

Fig. 35(b) ist eine Seitenansicht des in Fig. 35(a) ge zeigten Schiebers;

Fig. 36 ist eine Beziehung zwischen einer verstrichenen Rotationszeit der Magnetplatte nach dem Starten der Drehung der Magnetplatte und einer Reibungskraft (einer Reibungs kraft zwischen der Magnetplatte und den Erhebungen), unter der Bedingung, daß die Größe der ersten Erhebung als Para meter verwendet wird;

Fig. 37(a) bis 37(e) sind Vorderansichten, die ein Her stellungsverfahren eines Schiebers gemäß der zweiund zwanzigsten Ausführungsform zeigen;

Fig. 38(a) bis 38(c) sind Seitenansichten, die dasselbe Herstellungsverfahren zeigen; und

Fig. 39 ist eine Draufsicht eines Magnetaufzeichnungslaufwerks, das hauptsächlich aus einem Schieber und einer Magnetplatte besteht, gemäß der dreiundzwanzigsten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung.

DETAILBESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN (Erste Ausführungsform)

Zuerst werden bevorzugte Ausführungsformen gemäß dem ersten Konzept der vorliegenden Erfindung mit Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben, um die erste Aufgabe zu er füllen.

Fig. 1(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnetkopfschiebers gemäß der ersten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung. Fig. 1(b) ist eine schematische Seitenan sicht des in Fig. 1(a) gezeigten Magnetkopfschiebers.

Wie in Fig. 1(a) gezeigt, ist ein Paar von Schienenebe nen 4 mit jeweils einer flachen Schienenoberfläche an beiden Seiten eins Magnetkopfschiebers 2 angeordnet, um einen kon kaven Teil zwischen den Schienenebenen 4 zu bilden. Ein Mag netwandler (oder eine Kopfanordnung) 6 ist am Luftaustritts ende (oder an der Hinterkante des Kopfschiebers 2) einer Schienenebene 4 angebracht, von wo ein Luftstrom ausströmt, und ein Paar von Erhebungen 8, die aus rechteckig geformten dünnen Filmen gebildet sind, ist auf den Schienenebenen 4 nahe beim Lufteintrittsende (oder bei der Vorderkante des Kopfschiebers 2) angeordnet, von wo der Luftstrom einströmt. Jede Erhebung 8 besteht aus einem Film aus einem harten Ma terial, wie Diamant ähnlichem Kohlenstoff (DLC) oder dgl. Die Erhebungen 8 werden an den Schienenebenen 4 gemäß einem Dünnfilmverfahren durch eine SiC-Haftschicht mit einer Dicke von 5 nm oder weniger gebildet. Die Höhe der Erhebungen 8 beträgt geeignet etwa 30 nm, da kein nachteiliger Einfluß auf das Fliegen des Kopfschiebers 2 ausgeübt wird.

In der obigen Konfiguration des Magnetkopfschiebers 2, wie in Fig. 1(b) gezeigt, kommt der Kopfschieber 2 mit einer Oberfläche einer Magnetplatte 10 an einer Austrittsendkante 5 der Schienenebenen 4 und einer hinteren Endkante 9 der Erhebungen 8 in Kontakt. Da die Erhebungen 8 an der Seite des Lufteintrittsendes der Schienenebenen 4 angeordnet sind, stehen, wenn die Magnetplatte nicht gedreht wird, die hinte ren Endkanten 9 der Erhebungen 8 und die Austrittsendkanten 5 der Schienenebenen 4 mit der Magnetplatte 10 in Kontakt. Hier wird die Haftreibung, die zwischen zwei miteinander durch eine flüssige Schicht (oder eine Schmiermittelschicht) in Kontakt stehenden Oberflächen wirkt, verringert, weil die Kontaktfläche der Oberflächen klein wird.

Da die Kontaktfläche zwischen der Magnetplatte 10 und dem Kopfschieber 2 klein gemacht wird, verglichen mit jener in einem herkömmlichen Kopfschieber, bei dem alle Schienen ebenen des Schiebers mit der Magnetplatte in Kontakt stehen, wird die Stärke der Haftreibung zwischen dem Kopfschieber 2 und der Magnetplatte 10 erheblich reduziert, und die Haft reibung des Kopfschiebers 2 an der Magnetplatte 10 kann effektiv reduziert werden.

Da, wie in Fig. 1(b) gezeigt, ein an der Vorderseite (oder der Vorderkante) angeordneter Teil des Kopfschiebers 2 von der Magnetplatte 10 abgehoben ist, wenn die Magnetplatte 10 nicht gedreht wird, kann auch der Kopfschieber 2 leicht abgehoben werden, wenn die Drehung der Magnetplatte 10 ge startet wird. Daher wird die Gleitdistanz zwischen der Mag netplatte 10 und dem Kopfschieber 2 verkürzt, da der Kopf schieber 2 rasch abgehoben wird, wenn die Drehung der Mag netplatte 10 gestartet wird, und der Abrieb der Magnetplatte 10, die vom Kopfschieber 2 entlang der Gleitdistanz abgerieben wird, kann stark reduziert werden.

Als nächstes wird ein Herstellungsverfahren des Magnet kopfschiebers 2 mit Bezugnahme auf Fig. 2 und 3 beschrieben.

Wie in Fig. 3(a) gezeigt, ist eine Vielzahl von Magnet wandlern 6 auf einer Scheibe 20 angeordnet, und ein Al₂O₃- TiC-Substrat 12, das in Stabform ausgebildet ist, wird aus der Scheibe 20 ausgeschnitten. Eine Serie von Magnetwandlern 6 ist im Substrat 12 angeordnet.

Danach wird, wie in Fig. 2(a) gezeigt, eine Haftschicht 14 aus SiC auf dem Substrat 12 mit einer Dicke von etwa 2 nm gemäß einer Sputter-Technik gebildet. Anschließend wird eine Diamant ähnliche Kohlenstoff (DLC)-Schicht 16 auf der Haft schicht 14 mit einer Dicke von etwa 30 nm gemäß einem chemi schen Plasmadampfabscheidungs(CVD)-Verfahren gebildet. Die Haftschicht (oder SiC-Schicht) 14 dient als Isolierschutz schicht für den Magnetwandler 6 und Haftmaterial für die DLC-Schicht 16.

Danach wird, wie in Fig. 2(b) gezeigt, ein Photoresist 18 auf die DLC-Schicht 16 aufgebracht, und das Photoresist 18 wird durch eine Photomaske mit einem festgelegten Muster belichtet und wird entwickelt, um das festgelegte Muster auf das Photoresist 18 zu transferieren. Daher werden, wie in Fig. 2(c) gezeigt, die gemusterten Photoresistschichten 18 durch das Entfernen von Teilen des Photoresists 18 gebildet. Anschließend werden die DLC-Schicht 16, die SiC-Schicht 14 sind das Substrat 12 im festgelegten Muster gemäß einer Ionenstrahlätztechnik geätzt. Daher wird, wie in Fig. 2(d) dargestellt, eine Vielzahl von in Serie angeordneten Schie nenebenen 4 durch das Entfernten der gemusterten Photo resistschichten 18 gebildet. Eine Schrägansicht der Schie nenebenen 4 ist in Fig. 3(b) gezeigt.

Danach wird ein Photoresist 18′ auf die geätzte DLC- Schicht 16 aufgebracht, und das Photoresist 18′ wird durch eine weitere Photomaske mit einem Erhebungsmuster belichtet und wird entwickelt, um das Erhebungsmuster auf das Photo resist 18′ zu transferieren. Daher werden, wie in Fig. 2(e) gezeigt, die gemusterten Photoresistschichten 18′ durch das Entfernen von Teilen des Photoresists 18′ gebildet. An schließend wird die DLC-Schicht 16 im Erhebungsmuster durch Plasmaätzen geätzt. Deshalb wird, wie in Fig. 2(e) darge stellt, eine Vielzahl von Erhebungen 8 mit dem Erhebungs muster durch das Entfernen der gemusterten Photoresist schichten 18′ gebildet. Eine Schrägansicht der Serie von Erhebungen 8, die an den Schienenebenen 4 gebildet sind, ist in Fig. 3(c) gezeigt.

Wie in Fig. 2(g) dargestellt, wird das Substrat danach entlang den strichpunktierten Linien durchgeschnitten, um eine Vielzahl von Kopfschiebern 2 jeweils mit einem Paar von Schienenebenen 4 zu bilden. Wie in Fig. 2(h) gezeigt, kann daher der Magnetkopfschieber 2 erhalten werden. Eine Schräg ansicht des Kopfschiebers 2 ist in Fig. 3(d) dargestellt.

In der ersten Ausführungsform wird der gemäß dem Plasma-CVD-Verfahren gebildete DLC-Film als Material der Erhebungen 8 verwendet. Es ist jedoch möglich, einen amorphen Kohlenstoff-Film, wie einen Kohlenstoff-Film, einen Kohlenstoffhydroxid-Film, einen Kohlenstoff-Film mit Silicium-Zusatz oder dgl., der gemäß einem Sputter-Verfahren gebildet wird, anstelle des DLC-Films zu verwenden. Die Steifigkeit des amorphen Kohlenstoff-Films ist sehr hoch, und die Verschleißfestigkeit und Abriebbeständigkeit des amorphen Kohlenstoff-Films ist ausreichend, um gegenüber dem Abrieb und Vibrationen beständig zu sein, die zwischen dem Kopfschieber 2 und der Magnetplatte 10 auftreten, wenn die Drehung der Magnetplatte 10 angehalten wird. Der amorphe Kohlenstoff-Film wird auch als Schutzfilm der Magnetplatte 10 verwendet, und der amorphe Kohlenstoff-Film ist auch als Material der Erhebungen 8 geeignet.

Es ist auch möglich, einen dünnen Oxid-Film, wie einen SiO₂-Film, einen Al₂O₃-Film oder dgl., als Material der auf den Schienenebenen 4 gebildeten Erhebungen 8 zu verwenden, da diese Materialien gegenüber einem Abrieb und Vibrationen beständig sind, die zwischen dem Kopfschieber 2 und der Mag netplatte 10 auftreten.

(Zweite Ausführungsform)

Fig. 4(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der zweiten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung. Fig. 4(b) ist eine schematische Seitenan sicht des in Fig. 4(a) gezeigten Magnetkopfschiebers.

Bestandteilelemente in der zweiten Ausführungsform und folgenden Ausführungsformen, die gleich sind wie jene in der ersten Ausführungsform, werden mit denselben Bezugszahlen wie jene in der ersten Ausführungsform bezeichnet, und die Beschreibung der gleichen Bestandteilelemente wird weggelas sen, um eine doppelte Beschreibung zu vermeiden.

Wie in Fig. 4(a) und 4(b) dargestellt, werden Ecken der Schienenebenen 4, die an der Seite des Lufteintrittsendes der Schienenebenen 4 angeordnet sind, in einer verjüngten Form abgeschnitten, um Verjüngungsflächen 7 an der Seite des Lufteintrittsendes der Schienenebenen 4 zu bilden. In der obigen Konfiguration wird ein Luftstrom, der von der Seite des Lufteintrittsendes einströmt, durch keine Ecke der Schienenebenen 4 gestört, sondern strömt glatt die Verjün gungsflächen 7 entlang, um dem Kopfschieber 2 eine Schwebe kraft zu verleihen. Daher kann jeder nachteilige Einfluß, der auf das Fliegen des Kopfschiebers 2 ausgeübt wird, vermieden werden, und der Kopfschieber 2 kann während der Drehung der Magnetplatte 10 stabil über die Oberfläche der Magnetplatte 10 fliegen.

(Dritte Ausführungsform)

Fig. 5(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der dritten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung. Fig. 5(b) ist eine schematische Seitenan sicht des in Fig. 5(a) gezeigten Magnetkopfschiebers.

Wie in Fig. 5(a) und 5(b) dargestellt, sind die Verjün gungsflächen 7 an der Seite des Lufteintrittsendes gebildet, und, anstelle der Erhebungen 8, ist ein Paar von Erhebungen 8a an Grenzflächen angeordnet, die von den Verjüngungsflä chen 7 zu den Schienenebenen 4 reichen. Da Teile der Erhe bungen 8a entlang den Verjüngungsflächen 7 angeordnet sind, wird ein Luftstrom, der von der Seite des Lufteintrittsendes einströmt, durch die Seitenflächen der Erhebungen 8a nicht gestört, sondern strömt glatt die der Magnetplatte 10 zuge wandten Oberflächen der Erhebungen 8a entlang. Daher kann jeder nachteilige Einfluß, der auf das Fliegen des Kopf schiebers 2 ausgeübt wird, vermieden werden, und der Kopf schieber 2 kann während der Drehung der Magnetplatte 10 stabiler über die Oberfläche der Magnetplatte 10 fliegen.

Da die Erhebungen 8a mit einem Verjüngungsteil ausge bildet sind, wie oben angegeben, verfängt sich ein vorderer Teil der Erhebungen 8a nicht an der Magnetplatte 10 beim Start oder Stopp der Drehung der Magnetplatte 10, wodurch der Verschleiß der Erhebungen 8a reduziert wird.

(Vierte Ausführungsform)

Fig. 6(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der vierten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung. Fig. 6(b) ist eine schematische Seitenan sicht des in Fig. 6(a) gezeigten Magnetkopfschiebers.

Wie in Fig. 6(a) und 6(b) dargestellt, ist, anstelle der in einer rechteckigen Form ausgebildeten Erhebungen 8, ein Paar von in einer zylindrischen Form ausgebildeten Erhebun gen 8b an der Seite des Lufteintrittsendes der Schienenebe nen 4 gebildet. Da die Erhebungen 8b in der zylindrischen Form ausgebildet sind, fangen sie nicht viel Staub auf, wenn sie an der Oberfläche der Magnetplatte 10 laufen, verglichen mit einem Fall, in dem die Erhebungen 8a in einer kubischen Form ausgebildet sind.

(Fünfte Ausführungsform)

Fig. 7(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der fünften Ausführungsform der vorlie genden Erfindung. Fig. 7(b) ist eine schematische Seitenan sicht des in Fig. 7(a) gezeigten Magnetkopfschiebers.

Wie in Fig. 7(a) und 7(b) dargestellt, ist, anstelle der Erhebungen 8, ein Paar von Erhebungen 8c, die jeweils aus einem Teil eines sphärischen Körpers gebildet sind, an der weite des Lufteintrittsendes der Schienenebenen 4 angeord net. Da die Erhebungen 8c nahezu halbkugelförmig ausgebildet sind, kommt jede Erhebung 8c mit der Magnetplatte 10 an einem Punkt 11 in Kontakt. Daher kann die Kontaktfläche zwischen dem Kopfschieber 2 und der Magnetplatte 10 weiter verkleinert werden, verglichen mit jenen in der ersten bis vierten Ausführungsform, in denen die rechteckigen oder zy lindrischen Erhebungen verwendet werden. Demgemäß kann die Stärke der Haftreibung zwischen dem Kopfschieber 2 und der Magnetplatte 10 weiter reduziert werden.

(Sechste Ausführungsform)

Fig. 8(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der sechsten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung. Fig. 8(b) ist eine schematische Seitenan sicht des in Fig. 8(a) gezeigten Magnetkopfschiebers.

Wie in Fig. 8(a) und 8(b) dargestellt, ist, anstelle der Erhebungen 8, ein Paar von Erhebungen 8d, in denen Seiten flächen an der Vorderseite des Kopfschiebers 2 in einer ver jüngten Form geätzt sind, und andere Seitenflächen an der Hinterseite des Kopfschiebers 2 in derselben verjüngten Form geätzt sind, angeordnet. Das heißt, jede Erhebung 8d hat ein Paar von Verjüngungsteilen an ihrer Vorder- und Rückseite, und die Querschnittsfläche am Unterseitenteil der Erhebung 8d ist größer als jene am oberen Teil c der Erhebung 8d.

Da die Seitenflächen der Erhebungen 8d an der Rückseite des Kopfschiebers 2 geätzt werden, wird die Höhe der Erhe bungen 8d, die mit der Magnetplatte 10 in Kontakt stehen, verringert, und ein nachteiliger Einfluß der Höhe der Erhe bungen 8d auf das Fliegen des Kopfschiebers 2 kann vermieden werden.

(Siebente Ausführungsform)

Fig. 9(a) ist eine schematische Draufsicht eines Magnet kopfschiebers gemäß der siebenten Ausführungsform der vor liegenden Erfindung. Fig. 9(b) ist eine schematische Seiten ansicht des in Fig. 9(a) gezeigten Magnetkopfschiebers.

Wie in Fig. 9(a) und 9(b) dargestellt, ist, anstelle der Ehebungen 8, ein Paar von Erhebungen 8e jeweils aus einer Vielzahl von Filmen gebildet. Ein hinterer Endteil jeder Er hebung 8e ist in einer Stufenform ausgebildet, um einen Stu fenteil an der Rückseite der Erhebung 8e anzuordnen. Daher wird die Höhe der Erhebungen 8e, die mit der Magnetplatte 10 in Kontakt stehen, verringert, und ein nachteiliger Einfluß der Höhe der Erhebungen 8e auf das Fliegen des Kopfschiebers 2 kann auf dieselbe Weise wie in der sechsten Ausführungs form vermieden werden.

Eine Gruppe von Erhebungen 8d und eine Gruppe von Erhebungen 8e werden jeweils gemäß einer einzigen Dünnfilm- Verarbeitung gebildet, nachdem die Schienenebenen 4 gebildet werden. Daher kann das Herstellungsverfahren des Kopfschie bers 2 vereinfacht werden.

(Achte Ausführungsform)

Fig. 10(a) bis 10(c) zeigen ein Herstellungsverfahren eines Paares von Erhebungen gemäß der achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In der achten Ausführungsform besteht ein Paar von Erhebungen, die auf den Schienenebenen 4 angeordnet sind, jeweils aus einem Resist-Film mit einem niedrigen Viskositätskoeffizienten.

In Fällen, wo ein Paar von Erhebungen, die beispiels weise jeweils in einer teilweise sphärischen Form ausgebil det sind, an den Schienenebenen 4 angeordnet wird, nachdem die Schienenebenen 4 gebildet werden, wie in Fig. 10(a) dar gestellt, wird ein Paar kleiner Tröpfchen 20, die jeweils aus einem Resist mit einem niedrigen Viskositätskoeffizien ten gebildet sind, an Teilen der Schienenebenen 4 aufge bracht, die an der Seite des Lufteintrittsendes des Kopf schiebers 2 angeordnet sind, um ein Paar von Resistschichten 22 zu bilden. In diesem Fall werden die Resistschichten 22 aufgrund der Oberflächenspannung des Resists jeweils nahezu in Halbkugelform ausgebildet.

Wie in Fig. 10(b) gezeigt, wird danach, je nach den Ei genschaften des Resists, Ultraviolettlicht auf die Resist schichten 22 gestrahlt, oder die Resistschichten 22 werden erhitzt, um die Resistschichten 22 zu härten. Daher werden die aus dem gehärteten Resist bestehenden Erhebungen 22 auf den Schienenebenen 4 angeordnet. Demgemäß kann ein Verfahren zur Bildung der Erhebungen vereinfacht werden.

In dieser Ausführungsform wird zur Verbesserung der Haltbarkeit der Erhebungen 22, wie in Fig. 10(c) gezeigt, ein Schutzfilm 24 aus dem Diamant ähnlichen Kohlenstoff über den gesamten Schienenebenen 4 gemäß dem Plasma-CVD-Verfahren mit Dicken im Bereich von 10 bis 20 nm gebildet, um die Erhebun gen 22 zu schützen. In einer Modifikation dieser Ausfüh rungsform ist es möglich, den Schutzfilm 24 begrenzt auf den Erhebungen 22 zu bilden. Ebenso ist es möglich, den Schutz film 24 aus einem amorphen Kohlenstoff-Film, wie einem Kohlenstoff-Film, einem Kohlenstoffhydroxid-Film, einem Koh lenstoff-Film mit Silicium-Zusatz oder dgl., herzustellen, der gemäß einem Sputter-Verfahren gebildet wird. Es ist auch möglich, den Schutzfilm 24 aus einem dünnen Oxid-Film, wie einem SiO₂-Film, einem Al₂O₃-Film oder dgl., herzustellen.

(Neunte Ausführungsform)

Fig. 11(a) ist eine schematische Draufsicht eines Mag netkopfschiebers gemäß der neunten Ausführungsform der vor liegenden Erfindung. Fig. 11(b) ist eine schematische Seiten ansicht des in Fig. 11(a) gezeigten Magnetkopfschiebers.

Wie in Fig. 11(a) und 11(b) dargestellt, sind in der neunten Ausführungsform die Verjüngungsflächen 7 und die Erhebungen 8 auf dieselbe Weise angeordnet wie in der zwei ten Ausführungsform. Zusätzlich zu den Erhebungen 8, die an der Seite des Lufteintrittsendes der Schienenebenen 4 ange ordnet sind, ist ein Paar von Erhebungen 28 an der Seite des Luftaustrittsendes der Schienenebenen 4 angeordnet. Die Höhe der Erhebungen 28 ist niedriger als jene der Erhebungen 8.

Da in diesem Fall die Erhebungen 8 nahe beim Luftein trittsende höher sind als die anderen Erhebungen 28, kommen zuverlässig nur Erhebungen mit der Magnetplatte in Kontakt, trotzdem die Oberfläche des Kopfschiebers etwas uneben ist. Folglich erhöht sich die Haftreibung zwischen dem Kopfschie ber und der Magnetplatte nicht. Da außerdem die Höhe der Er hebungen 28, die in einer Zone gebildet sind, wo der Kopf schieber nicht hoch aufgehoben wird, niedrig ist, verursachen die Erhebungen 28 keine Schwierigkeiten beim Abheben des Kopfschiebers.

Mit Bezugnahme auf Fig. 12 wird eine Beziehung eines Spalts an den Erhebungen 28 und eines weiteren Spalts am Luftaustrittsende des Kopfschiebers 2 beschrieben. Die Dicke (oder Höhe) der Erhebung 28 und die Position der Erhebung 28 werden bestimmt, um einen Spalt (oder eine Flughöhe) zwi schen dem Luftaustrittsende des Kopfschiebers 2 und der Oberfläche der Magnetplatte 10 auf einen Wert h2 einzustel len, der niedriger ist als ein weiterer Spalt h1 (oder eine Flughöhe) zwischen der Erhebung 28 und der Oberfläche der Magnetplatte 10, wenn der Kopfschieber 2 über die Magnet platte 10 fliegt. Da der Spalt h2 niedriger ist als der Spalt h1, kann, auch wenn die Erhebungen nahe beim Magnet wandler 6 angeordnet sind, eine Lese/Schreibdistanz zwischen dem Magnetwandler 6 und der Magnetplatte 10 ausreichend klein eingestellt werden, damit Informationen zuverlässig aus der Magnetplatte 10 gelesen bzw. in diese geschrieben werden können. Das heißt, jeder nachteilige Einfluß der Er hebungen 28 auf den Magnetwandler 6 kann vermieden werden.

(Zehnte Ausführungsform)

Fig. 13(a) ist eine schematische Draufsicht eines Mag netkopfschiebers gemäß der zehnten Ausführungsform der vor liegenden Erfindung. Fig. 13(b) ist eine schematische Seiten ansicht des in Fig. 13(a) gezeigten Magnetkopfschiebers.

In der in Fig. 13(a) und 13(b) dargestellten zehnten Ausführungsform ist jede Erhebung 8a an einer Flugzone ange ordnet, die vom Lufteintrittsende der Schienenebene 4 zur Verjüngungsfläche 7 reicht, in derselben Weise wie in der in Fig. 5 gezeigten dritten Ausführungsform. Außerdem sind die Erhebungen 28 auf den Schienenebenen 4 auf dieselbe Weise wie in der neunten Ausführungsform angeordnet. Die Höhe der Erhebung 28 ist niedriger als jene der Erhebung 8a.

Der Kopfschieber gemäß der dreizehnten Ausführungsform hat eine Struktur, in der die in Fig. 5 und 11 gezeigten Strukturen kombiniert sind.

(Elfte Ausführungsform)

Fig. 14(a) ist eine schematische Draufsicht eines Mag netkopfschiebers gemäß der elften Ausführungsform der vor liegenden Erfindung. Fig. 14(b) ist eine schematische Seiten ansicht des in Fig. 14(a) gezeigten Magnetkopfschiebers.

Wie in Fig. 14(a) und 14(b) dargestellt, sind die Ver jüngungsflächen 7 auf dieselbe Weise angeordnet wie in der zweiten Ausführungsform. Anstelle der Erhebungen 8 ist auch ein Paar von Erhebungen 30, die jeweils in einer zylindri schen Form ausgebildet sind, an nahezu zentralen Teilen der Schienenebenen 4 angeordnet.

Da die Erhebungen 30 an den nahezu zentralen Teilen der Schienenebenen 4 angeordnet sind, kommen die Erhebungen 30, wenn die Drehung der Magnetplatte 10 angehalten wird, unge achtet der Anordnung des Kopfschiebers 2 sofort mit der Mag netplatte 10 in Kontakt. Daher kann der auf die Magnetplatte 10 gesetzte Kopfschieber 2 in den Anfangsstufen zuverlässig seine Anordnung aufrechterhalten. Da der auf die Magnetplat te 10 gesetzte Kopfschieber 2 nur von den beiden Erhebungen 30 getragen wird, kann auch die Kontaktfläche zwischen dem Kopfschieber 2 und der Magnetplatte 10 reduziert werden, und die Stärke der Haftreibung zwischen dem Kopfschieber 2 und der Magnetplatte 10 kann klein gehalten werden. Die Höhe der Erhebung 30 beträgt geeignet etwa 30 nm.

Eine Beziehung eines Spalts am Lufteintrittsende des Kopfschiebers 2, eines Spalts am Luftaustrittsende des Kopf schiebers 2 und eines Spalts an der Erhebung 30 wird mit Be zugnahme auf Fig. 15 beschrieben.

Wenn, wie in Fig. 15 dargestellt, der Kopfschieber 2 in einen Flugzustand versetzt wird, ist der erste Spalt H1 zwi schen dem Lufteintrittsende des Kopfschiebers 2 und der Oberfläche der Magnetplatte 10 größer als der zweite Spalt H2 zwischen dem Luftaustrittsende des Kopfschiebers 2 und der Oberfläche der Magnetplatte 10. Ein dünner Film T1 der Erhebung 30 wird auch unter der Bedingung bestimmt, daß der dritte Spalt H3 zwischen der Erhebung 30 und der Oberfläche der Magnetplatte 10 ausreichend groß ist, um keinen Ab standsverlust zu erzeugen. Mit anderen Worten wird der dünne Film T1 unter der Bedingung bestimmt, daß H2<H3 erfüllt ist.

(Zwölfte Ausführungsform)

Fig. 16(a) ist eine schematische Draufsicht eines Mag netkopfschiebers gemäß der zwölften Ausführungsform der vor liegenden Erfindung. Fig. 16(b) ist eine schematische Seiten ansicht des in Fig. 16(a) gezeigten Magnetkopfschiebers. In der in Fig. 16(a) und 16(b) dargestellten zwölften Ausführungsform sind die Verjüngungsflächen 7 und die Erhe bungen 30 auf dieselbe Weise angeordnet wie in der elften Ausführungsform. Außerdem ist ein Paar von Rillen 32 ange ordnet, um die Erhebungen 30 zu umgeben. Das heißt, die Ril len 32 sind sowohl an der Lufteintritts- als auch Luftaus trittsseite der Erhebungen 30 angeordnet. Die Breite der Rille 32 beträgt etwa 2 nm, und die Tiefe der Rille 32 beträgt etwa 20 nm.

Um die Stärke der Haftreibung zwischen dem Kopfschieber 2 und der Magnetplatte 10 zu reduzieren, ist es wirksam, die Oberfläche der Magnetplatte 10 mit einem Schmiermittel zu beschichten. Wenn die Magnetplatte 10 jedoch mit hoher Ge schwindigkeit gedreht wird, wird das auf der Oberfläche der Magnetplatte 10 aufgebrachte Schmiermittel jedoch uner wünscht verteilt. In dieser Ausführungsform wird das ver teilte Schmiermittel von den Erhebungen 30 aufgefangen, und wird in den Rillen 32 gehalten. Auch wenn der Kopfschieber 2 gemäß dem Kontakt-Stopp-Start(CSS)-Verfahren betrieben wird, kann daher die Oberfläche der Magnetplatte 10 problem los mit dem Schmiermittel beschichten werden, und die Stärke der Haftreibung kann reduziert werden. Die Tiefe und Breite der Rille 32 kann unter der Bedingung geeignet geändert werden, daß die Haftreibung effektiv reduziert werden kann.

(Dreizehnte Ausführungsform)

Fig. 17(a) ist eine schematische Draufsicht eines Mag netkopfschiebers gemäß der neunten Ausführungsform der vor liegenden Erfindung. Fig. 17(b) ist eine schematische Seiten ansicht des in Fig. 17(a) gezeigten Magnetkopfschiebers.

In der in Fig. 17(a) und 17(b) dargestellten dreizehnten Ausführungsform sind die Verjüngungsflächen 7 und die Erhe bungen 30 auf dieselbe Weise angeordnet wie in der elften Ausführungsform. Außerdem ist ein Paar von Rillen 32a be grenzt an der Luftaustrittsseite der Erhebungen 30 angeord net. In der obigen Konfiguration wird das verteilte Schmier mittel von den Erhebungen 30 aufgefangen, und wird durch den Luftstrom in die Rillen 32a bewegt. Demgemäß kann das ver teilte Schmiermittel effektiv aufgefangen und in den Rillen 32a gehalten werden.

Als nächstes werden bevorzugte Ausführungsformen gemäß dem zweiten Konzept der vorliegenden Erfindung mit Bezug nahme auf die Zeichnungen beschrieben, um die zweite Aufgabe zu erfüllen.

(Vierzehnte Ausführungsform)

Fig. 18(a) bis 18(k) zeigen ein Herstellungsverfahren eines Kopfschiebers eines Magnetkopfs gemäß der vierzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Wie in Fig. 18(a) dargestellt, wird eine Vielzahl von Magnetwandlern 41 in der Längsrichtung und in der seitlichen Richtung auf einer Hauptoberfläche einer Scheibe 42 gebil det, die aus einem Material, wie Aluminiumoxidtitancarbid (Al₂O₃TiC), Ferrit, Calciumtitanat oder dgl., besteht. Der Magnetwandler 41 wird aus einer Magnetowiderstandseffekt-An ordnung, einer Induktanzanordnung oder dgl. gebildet, und ist mit einem Paar von Anschlüssen verbunden. Danach wird die Scheibe 42 mit einer Chip-Säge entlang in Fig. 18(a) ge zeigten strichlierten Linien zerschnitten, um die Scheibe 42 in eine Vielzahl von Stäben 43 zu teilen. Wie in Fig. 18(b) gezeigt, wird daher eine Vielzahl von Stäben 43 aus der Scheibe 42 erhalten, die jeweils eine Vielzahl von in Serie angeordneten Magnetwandlern 41 aufweisen. Da jeder Stab 43 verarbeitet wird, um eine Vielzahl von Kopfschiebern von Magnetköpfen zu bilden, indem jeder Stab 43 geteilt wird, wird eine Verjüngungsfläche an der Seite des Lufteintritts endes jedes Stabs 43 zum Weiterleiten eines Luftstroms ge bildet.

Wie in Fig. 18(c) dargestellt, wird danach eine Vielzahl von Stäben 43 auf einen Halter 40 gesetzt, dessen Umfangs teil in einer Stufenform ausgebildet ist, um die Stäbe 43 zu befestigen. In diesem Fall ist die Oberfläche jedes Stabs 43, auf welcher der Magnetwandler 41 angeordnet ist, zur Seite gewandt, und Lese- und Schreibendteile des Magnetwand lers 41 zeigen nach oben. Daher weist eine Substratebene 43a jedes Stabs 43, auf der kein Magnetwandler 41 angeordnet ist, nach oben.

Wie in Fig. 18(d) gezeigt, wird danach eine Haftschicht 44, die aus Silicium oder Siliciumcarbid besteht, an der Substratebene 43a des Stabs 43 mit einer Dicke von 5 nm ge bildet, und ein Diamant ähnlicher Kohlenstoff(DLC)-Film 45 wird an der Haftschicht 44 mit einer Dicke von 30 nm gebil det. Die Haftschicht 44 ist geeignet, um die Haftreibung zwischen dem DLC-Film 44 und dem Stab 43 zu verbessern. Die Haftschicht 44 bzw. der DLC-Film 45 werden gemäß einem Sputter-Verfahren oder einem chemischen Dampfabscheidungs(CVD)-Verfahren gebildet.

Danach wird das erste Trockenfilm-Resist 46 durch einen Laminator 47 an den DLC-Film 45 laminiert. Anschließend wird das erste Trockenfilm-Resist 46 durch eine Photomaske (nicht gezeigt) mit Ultraviolettlicht belichtet und gemäß einer Photolithographie entwickelt, um ein festgelegtes Muster der Photomaske auf das erste Trockenfilm-Resist 46 zu transfe rieren. Wenn, wie in Fig. 18(e) dargestellt, Teile des ersten Trockenfilm-Resists 46 entfernt werden, bleiben daher ge musterte erste Trockenfilm-Resists 46 auf dem DLC-Film 45 zurück. Die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 werden jeweils in einer Kreisform gebildet. In dieser Ausführungs form wird das gemusterte erste Trockenfilm-Resist 46 in einer Kreisform ausgebildet. Es ist jedoch möglich, das ge musterte erste Trockenfilm-Resist 46 in einer elliptischen Form, einer Parabolform oder dgl. unter der Bedingung auszu bilden, daß der Luftstrom durch die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 nicht gestört wird, wenn der Kopf schieber des Magnetkopfs fliegt. Die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 werden als erste Maske verwendet, um eine Vielzahl von Erhebungen zu bilden, und die Erhebungen des Magnetkopfs gelangen mit einer Magnetplatte in Kontakt.

Wie in Fig. 18(f) gezeigt, wird dann der freigelegte DLC-Film 45 zwischen den ersten Trockenfilm-Resists 46 durch Sauerstoffplasma gemäß einem Musterungsverfahren geätzt, um eine Vielzahl gemusterter DLC-Filme 45 zu bilden. Die ge musterten DLC-Filme 45 werden als Vielzahl von Erhebungen 45a verwendet, die an einem Kopfschieber angeordnet sind. Daher ist die Höhe der Erhebung 45a gleich jener des ge musterten DLC-Films 45. Da in diesem Musterungsverfahren die Ätzrate der Haftschicht 44, die durch das Sauerstoffplasma geätzt wird, sehr niedrig oder im wesentlichen gleich Null ist, bleibt die Haftschicht 44 auf dem Stab 43 zurück, ohne geätzt zu werden. Demgemäß kann die Ätztiefe des gemusterten DLC-Films 45 leicht eingestellt werden. Das heißt, die Höhe der Erhebung 45a kann willkürlich eingestellt werden.

Wie in Fig. 18(g) dargestellt, wird danach das zweite Trockenfilm-Resist 48 durch den Laminator 47 über den ge samten Stab 43 laminiert. Daher werden die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46, die Erhebungen 45a und die Haftschicht 44 mit dem zweiten Trockenfilm-Resist 48 be deckt. Anschließend wird das zweite Trockenfilm-Resist 48 mit Ultraviolettlicht belichtet und wird gemäß Photolitho graphie entwickelt. Wie in Fig. 18(h) gezeigt, wird anschlie ßend eine Vielzahl von Fenstern 48a, die jeweils in einer Streifenform ausgebildet sind und in der Breitenrichtung des Stabs 43, rechtwinkelig zur Längsrichtung des Stabs 43, ver laufen, an beiden Seiten der Magnetwandler 41 gebildet, indem Teile des zweiten Trockenfilm-Resists 48 entfernt werden. Daher bleiben gemusterte zweite Trockenfilm-Resists 48, die jeweils in einer Streifenform ausgebildet sind, in ersten Zonen, die jeweils über die Magnetwandler 41 in der Breitenrichtung des Stabs 43 verlaufen, und in zweiten Zonen zurück, die jeweils zwischen den ersten Zonen angeordnet sind und in der Breitenrichtung des Stabs 43 verlaufen. Das heißt, die ersten und zweiten Zonen des Stabs 43 werden durch die Fenster 48a abwechselnd angeordnet, und die Erhe bung 45a ist in jeder der ersten und zweiten Zonen ange ordnet.

Danach werden die gemusterten zweiten Trockenfilm- Resists 48, die in der Streifenform ausgebildet sind, als zweite Maske verwendet, und die Haftschicht 44 und die Substratebene 43a des Stabs 43 werden unter Verwendung der Fenster 48a der zweiten Maske gemäß einer Ionenstrahlätz technik geätzt, um eine Vielzahl von konkaven Teilen 49 zu bilden. Wie in Fig. 18(i) gezeigt, wird daher die in den ersten Zonen und den zweiten Zonen zurückbleibende Sub stratebene 43a in eine Vielzahl gemusterter Substratebenen geteilt, die durch die konkaven Teile 49 jeweils in konkaver Form ausgebildet werden. Eine Vielzahl von Schienenebenen 43b wird aus den gemusterten Substratebenen gebildet, die an beiden Seiten der konkaven Teile 49 angeordnet sind, oder eine Vielzahl gemusterter Zwischenschichten 44, die an den gemusterten Substratebenen angeordnet sind.

Wie in Fig. 18(j) dargestellt, wird, nachdem die ge musterten ersten und zweiten Trockenfilm-Resists 46 und 48 entfernt werden, ein Schutzfilm 50 aus einem Material, wie Diamant ähnlichem Kohlenstoff, SiO₂, Al₂O₃ oder dgl., über dem gesamten Stab 43 gemäß einem Sputter-Verfahren oder einem CVD-Verfahren gebildet, um die Oberfläche des Stabs 43, auf der die Erhebungen 45a gebildet sind, zu bedecken. In diesem Fall ist es möglich, daß eine Haftschicht, wie ein Silicium-Film oder ein Siliciumcarbid-Film, unter dem Schutzfilm 50 gebildet wird, um die Haftung des Schutzfilms 50 am Stab 43 zu verbessern. Der Schutzfilm 50 hat die Funk tion, eine Vielzahl von Teilen der Wandler 41 zu schützen, die an den Schienenebenen 43b angeordnet sind, und eine weitere Funktion zu verhindern, daß die gemusterten Haft schichten 44, die an den äußersten Oberflächen der Schienen ebenen 43b angeordnet sind, durch Kontaminatoren verunrei nigt werden. Als Kontaminatoren sind Schmiermittel, das von der gedrehten Magnetplatte verteilt wird, von den Erhebungen 45a stammender Kohlenstoff und dgl. bekannt.

Wie in Fig. 18(k) gezeigt, wird danach der Stab 43 in eine Vielzahl von Kopfschiebern 51 von Magnetköpfen geteilt, indem die konkaven Teile 49 mit einer Chip-Säge in jeder zweiten Reihe durchgeschnitten werden.

Da, wie oben beschrieben, der DLC-Film 45 gemäß Photo lithographie gemustert wird, und die gemusterten DLC-Filme 45a als Erhebungen 45a verwendet werden, können die Erhe bungen 45a leicht gebildet werden, und die Größe und Posi tionen der Erhebungen 45a können präzise bestimmt werden.

Da das erste Trockenfilm-Resist 46, dessen Filmdicke über den gesamten Stab 43 konstant ist, als Maske zur Bil dung der Erhebungen 45a verwendet wird, können auch die Er hebungen 45a in derselben Größe mit großer Genauigkeit er zeugt werden, und die Massenproduktivität der Erhebungen 45a kann verbessert werden. Beispielsweise wird in Fällen, wo ein Flüssig-Resist anstelle des Trockenfilm-Resists 46 ver wendet wird, die Abweichung der Filmdicke des über den ge samten Stab 43 gebildeten Flüssig-Resists erhöht, die Mustergenauigkeit des gemusterten Flüssig-Resists ver schlechtert sich nach dem Belichtungs- und Entwicklungsver fahren, und die Größengenauigkeit der Erhebungen 45a ver schlechtert sich.

Nachdem die Erhebungen 45a auf den Schienenebenen 43b gebildet werden, werden in dieser Ausführungsform auch die konkaven Teile 49 in von den Erhebungen 45a weit entfernten Zonen gebildet. Daher kann das zweite Trockenfilm-Resist 48 an die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 laminiert werden, ohne die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 zu entfernen. Das heißt, es ist nur ein Entfernungsverfahren zur Entfernung der beiden Trockenfilm-Resisttypen 46 und 48 erforderlich. Demgemäß kann das Herstellungsverfahren des Kopfschiebers 51 vereinfacht werden.

Fig. 19(a) ist eine Draufsicht des gemäß dem Herstel lungsverfahren hergestellten Kopfschiebers 51, und Fig. 19(b) ist eine Seitenansicht des in Fig. 19(a) gezeigten Kopfschie bers. In Fig. 19(a) und 19(b) ist der Schutzfilm 50, der auf den Schienenebenen 43b und dem Stab 43 angeordnet ist, weg gelassen.

Wie in Fig. 19(a) und 19(b) dargestellt, ist ein Paar von Schienenebenen 43b, die jeweils nahezu in einer Strei fenform ausgebildet sind, reliefförmig an einer einer Mag netplatte (oder einem Magnetaufzeichnungsmedium) 52 zuge wandten Oberfläche des Kopfschiebers 51 entlang beiden End seiten der Oberfläche von der Seite des Lufteintrittsendes zur Seite des Luftaustrittsendes angeordnet, und eine Schie nenebene 43c, die in Form einer Insel ausgebildet ist, ist an der Seite des Lufteintrittsendes des konkaven Teils 49, der zwischen den streifenförmigen Schienenebenen 43b liegt, angeordnet. Die Schienenebene 43c ist an ihrem Luftein trittsende in einer verjüngten Form abgeschnitten, um eine Verjüngungsfläche 43d zu bilden. Der Luftstrom gleitet glatt die Verjüngungsfläche 43d entlang, um dem Kopfschieber 51 eine Schwebekraft zu erteilen.

Ein Paar von Erhebungen 45a ist auch an der Seite des Luftaustrittsendes der streifenförmigen Schienenebenen 43b angeordnet, und eine Erhebung 45b ist auf der inselförmigen Schienenebene 43c angeordnet. Da die drei Erhebungen 45a und 45b an drei Ecken eines Dreiecks angeordnet sind, kann, wenn die Drehung der Magnetplatte 52 angehalten wird, der Kopf schieber 51 stabil auf die Magnetplatte 52 gesetzt werden, ohne durch die Flachheit der Schienenebene des Kopfschiebers beeinflußt zu werden. Hier werden die drei Erhebungen 45a und 45b gleichzeitig in demselben Verfahren gebildet, und die Schienenebenen 43b und 43c werden gleichzeitig in demselben Verfahren gebildet, wie im Herstellungsverfahren des Kopfschiebers 51 beschrieben.

Da drei Erhebungen vorliegen, wird der Kontakt zwischen den drei Erhebungen 45a und 45b und der Magnetplatte stabi lisiert. Daher kann die Haftreibung zwischen der Magnetplat te 52 und dem Kopfschieber 51 stabilisiert werden, und die Startoperation eines aus dem Kopfschieber 51, dem Magnet wandler 41 und der Magnetplatte 52 bestehenden Magnetauf zeichnungslaufwerks kann störungsfrei durchgeführt werden.

Um eine ausreichende Schwebestabilität des Kopfschie bers vom Schwebetyp beim Suchen vorzusehen, sind in dieser Ausführungsform zwei Schienenebenen 43b nahe beim Luftaus trittsende gebildet, und Erhebungen 45a sind auf den ent sprechenden Schienenebenen 43b gebildet.

Außerdem weist der Kopfschieber dieser Ausführungsform Schlitze 49a nahe beim Lufteintrittsende auf, durch welche die Schienenebene in drei Teile geteilt wird. Diese Schlitze 49a sind durch den konkaven Teil 49 miteinander verbunden. Gemäß dieser Struktur expandiert die Luft durch die Schlitze am konkaven Teil 49 auf einer Ebene des Kopfschiebers, der Ebene, die der Magnetplatte 52 gegenüberliegt. Folglich wird ein Luftunterdruck am konkaven Teil 49 erzeugt. Dieser Druck dient zur Unterdrückung des Abhebens des Kopfschiebers. Dem gemäß wird durch das Versehen des Kopfschiebers mit einer Luftunterdruckfläche (dem konkaven Teil 49) die Schwebesta bilität verbessert, und die auf den Kopfschieber ausgeübte Belastungskraft kann verringert werden. Da die Belastungs kraft reduziert wird, werden auf die drei Erhebungen aus geübte Kräfte auf der Magnetplatte klein, wodurch der Ver schleiß der Erhebungen stark reduziert wird.

Da die an der Seite des Lufteintrittsendes des Schie bers 51 angeordnete Erhebung 45b in der Richtung der Dicke des Schiebers 51 entlang der Verjüngungsebene 43d sanft ge bogen ist, besteht keine Wahrscheinlichkeit, daß eine Kante der Erhebung 45b mit einem spitzen Winkel mit der Magnet platte 52 in Kontakt kommt. Daher besteht keine Wahrschein lichkeit, daß die Oberfläche der Magnetplatte 52 beschädigt wird.

Als nächstes wird ein Flugverhalten des Kopfschiebers 51 in einem Flugzustand mit Bezugnahme auf Fig. 21 beschrie ben.

Die erste Flughöhe zwischen der Erhebung 45a, die nahe beim Luftaustrittsende des Kopfschiebers 51 angeordnet ist, und der Oberfläche der Magnetplatte 52 ist größer als die zweite Flughöhe G zwischen dem Magnetwandler 41 (oder dem Kopfschieber 51 an Luftaustrittsende) und der Oberfläche der Magnetplatte 52.

Der Neigungswinkel θ des Kopfschiebers während des Schwebens bestimmt die Höhe h der Erhebungen 45a nahe beim Luftaustrittsende und die Distanz L vom Wandler 41.

Obwohl die Kontaktfläche zwischen dem Kopfschieber 51 und der Magnetplatte 52 reduziert wird, da die Erhebungen 45a auf den Schienenebenen 43b angeordnet sind, wird auch der Kontaktdruck zwischen dem Kopfschieber 51 und der Mag netplatte 52 an der Kontaktfläche erhöht. Daher wird der Abrieb der Erhebungen 45a und der Magnetplatte 52 an der Kontaktfläche gesteigert. Deshalb wird eine Belastungskraft des Kopfschiebers 51 auf die Magnetplatte 52 durch die Stützfeder 54 auf 2 gf oder weniger, vorzugsweise 1 gf oder weniger, erleichtert.

Der Punkt, wo die Kraftlast der Drucklast auf den Kopfschieber 51 wirkt, ist in einer Zone angeordnet, die von den drei Erhebungen 45a und 45b umgeben wird.

Um die Belastungskraft zu reduzieren, wird das Gewicht des Kopfschiebers 43, einschließlich des Magnetwandlers 41, auf 6 mg oder weniger eingestellt, oder wird vorzugsweise auf 2 mg oder weniger eingestellt. Um die auf den Kopfschie ber 51 ausgeübte Belastungskraft durch die Stützfeder 54 zu reduzieren, ist es auch vorteilhaft, einen Unterdruck zu er zeugen. Wie in Fig. 19(a) und 19(b) gezeigt, ist der Unter druckteil beispielsweise an der Seite des Luftaustrittsendes der schmalen Schlitze 49a angeordnet.

Um Informationen zuverlässig in der Magnetplatte 52 aufzuzeichnen bzw. aus dieser zu reproduzieren, wird die zweite Flughöhe G des Magnetwandlers 41 so klein wie möglich eingestellt, so daß die Informationen in der Magnetplatte 52 mit hoher Aufzeichnungsdichte aufgezeichnet werden können. Der Kopfschieber 51 hat beispielsweise Außenabmessungen von 1,25 mm × 1 mm × 0,3 mm und hat ein Gewicht von 1,5 mg, und die Erhebung 45a hat Abmessungen von 66 µm im Durchmesser × h = 30 nm in der Höhe. Der Neigungswinkel θ beträgt 0,006°, und die Distanz L ist 350 µm. in diesem Fall wird die zweite Flughöhe G des Magnetwandlers 41 auf 50 nm eingestellt und ist kleiner als die erste Flughöhe der Erhebung 45a.

Die Länge vom Lufteintrittsende zum Luftaustrittsende des Kopfschiebers 51 beträgt 2 mm oder weniger.

In dieser Ausführungsform werden das Flugverhalten des Kopfschiebers 51, das durch die Neigung des Kopfschiebers 51 repräsentiert wird, die Höhe der Erhebung 45a, die Distanz L, die erste Flughöhe und dgl. unter der Bedingung bestimmt, daß die drei Erhebungen 45a und 45b angeordnet sind. Die Anzahl der Erhebungen und die Anordnung der Erhebungen sind jedoch nicht auf diese Ausführungsform beschränkt.

Fig. 20 ist eine Draufsicht des Kopfschiebers, der als Modifikation des in Fig. 19(a) gezeigten Kopfschiebers 51 er halten wird. Wie in Fig. 20 dargestellt, ist, anstelle der in Fig. 19(b) gezeigten Erhebung 45b, eine Erhebung 45c, von der eine der Magnetplatte 52 zugewandte, horizontale Ebene in einer elliptischen Form ausgebildet ist, an einer Grenzzone angeordnet, die von der Verjüngungsebene 43d zu einem Teil an der Seite des Lufteintrittsendes der Schienenebene 43b reicht. Daher wirkt die Erhebung 45c auf die gleiche Weise wie die Erhebung 45b.

Eine flache obere Fläche der Erhebung 45b (oder 45c) nahe beim Lufteintrittsende ist kleiner als die Gesamtfläche der Erhebungen 45a nahe beim Luftaustrittsende.

(Fünfzehnte Ausführungsform)

Als nächstes wird ein Herstellungsverfahren eines Kopf schiebers eines Magnetkopfs gemäß der fünfzehnten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezugnahme auf Fig. 22(a) bis 22(h) beschrieben.

Die Vielzahl von Stäben 43 mit den Magnetwandlern 41 wird auf die gleiche Weise wie in der in Fig. 18(c) gezeigten Ausführungsform auf den Halter 40 gesetzt und daran be festigt.

Wie in Fig. 22(a) dargestellt, wird danach ein Schutz film 61, der aus einem Material, wie Diamant ähnlichem Koh lenstoff, SiO₂, Al₂O₃ oder dgl., hergestellt ist, mit einer Dicke von 10 nm an der Substratebene 43a jedes Stabs 43 ge bildet, an der kein Magnetwandler 41 angebracht ist. An schließend wird die Haftschicht 44 auf dem Schutzfilm 61 mit einer Dicke von 5 nm gebildet, und der Diamant ähnliche Koh lenstoff (DLC)-Film 45 wird auf der Haftschicht 44 mit einer Dicke von 30 nm gebildet. Die Filme 61, 44 und 45 werden ge mäß dem Sputter-Verfahren oder dem CVD-Verfahren gebildet. Der Schutzfilm 61 ist geeignet, um Teile der Magnetwandler 41, die der Substratebene 43a und den Schienenebenen 43b ausgesetzt sind, zu bedecken und zu schützen, wie nachste hend beschrieben.

Danach wird das erste Trockenfilm-Resist 46 durch den Laminator 47 an den DLC-Film 44 laminiert. Anschließend wird das erste Trockenfilm-Resist 46 belichtet und gemäß Photo lithographie entwickelt. Wie in Fig. 22(b) gezeigt, bleiben daher die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 auf dem DLC-Film 45 zurück. Die gemusterten ersten Trockenfilm- Resists 46 sind jeweils in einer Kreisform ausgebildet. Die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 werden als erste Maske verwendet, um eine Vielzahl von Erhebungen zu bilden, und die Erhebungen des Magnetkopfs stehen mit einer Magnet platte in Kontakt.

Wie in Fig. 22(c) dargestellt, wird danach der zwischen den gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 freigelegte DLC-Film 45 durch Sauerstoffplasma geätzt, um eine Vielzahl gemusterter DLC-Filme 45 zu bilden. Die gemusterten DLC- Filme 45 werden als Vielzahl von auf einem Kopfschieber an geordneten Erhebungen 45a verwendet. Daher ist die Höhe der Erhebungen 45a gleich jener des gemusterten DLC-Films 45. Da der Fehler der Tiefe des gemusterten DLC-Films 45, der durch das Sauerstoffplasma geätzt wird, etwa ± 10 nm beträgt, ist es in diesem Fall schwierig, die Höhe der Erhebung 45a durch die Einstellung der Ätzzeit zu steuern. Die Haftschicht 44 wird jedoch durch das Sauerstoffplasma nicht geätzt, die Haftschicht 44 wirkt als Ätz-Stopper, und die Höhe der Erhe bung 45a kann willkürlich eingestellt werden. Auch wenn der Schutzfilm 61 aus Diamant ähnlichem Kohlenstoff hergestellt ist, kann auch das Ätzen des Schutzfilms 61 aufgrund des Vorliegens der Haftschicht 44 verhindert werden.

Da die freigelegte Haftschicht 44 rund um die Erhebun gen 45a leicht durch Schmiermittel oder Kohlenstoff verun reinigt wird, ist es erforderlich, die freigelegte Haft schicht 44 zu entfernen. Daher wird nach der Bildung der Er hebungen 45a, wie in Fig. 22(d) gezeigt, die Haftschicht 44, die freigelegt und nicht mit der ersten Maske 46 bedeckt ist, durch CF₄-Plasma oder CF₄+O₂-Plasma geätzt und wird entfernt. Da der Schutzfilm 61 durch das CF₄-Plasma oder CF₄+O₂-Plasma kaum geätzt wird, ist es in diesem Fall nicht erforderlich, die Ätztiefe der Haftschicht 44 zu regulieren, die freigelegte Haftschicht 44 kann leicht entfernt werden, und das Herstellungsverfahren eines Kopfschiebers kann vereinfacht werden.

Wie in Fig. 22(e) dargestellt, wird danach das zweite Trockenfilm-Resist 48 durch den Laminator 47 über den ge samten Stab 43 laminiert. Daher werden die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46, der Schutzfilm 61 und die Er hebungen 45a mit dem zweiten Trockenfilm-Resist 48 bedeckt. Anschließend wird das zweite Trockenfilm-Resist 48 belichtet und gemäß Photolithographie entwickelt. Wie in Fig. 22(f) ge zeigt, wird danach die Vielzahl von Fenstern 48a, die je weils nahezu in Streifenform ausgebildet sind und in der Breitenrichtung des Stabs 43 verlaufen, an beiden Seiten der Magnetwandler 41 gebildet, indem Teile des zweiten Trocken film-Resists 48 entfernt werden. Daher bleiben gemusterte zweite Trockenfilm-Resists 48, die jeweils in einer Strei fenform ausgebildet sind, in ersten Zonen, die jeweils über den Magnetwandler 41 in der Breitenrichtung des Stabs 43 verlaufen, und in zweiten Zonen zurück, die jeweils zwischen den ersten Zonen angeordnet sind und in der Breitenrichtung des Stabs 43 verlaufen. Das heißt, die ersten und zweiten Zonen des Stabs 43 werden durch die Fenster 48a abwechselnd angeordnet, und die Erhebung 45a ist in jeder der ersten und zweiten Zonen angeordnet.

Daher werden die in der Streifenform ausgebildeten, ge musterten zweiten Trockenfilm-Resists 48 als zweite Maske verwendet, und der Schutzfilm 61 und die Substratebene 43a des Stabs 43 werden durch die Fenster 48a der zweiten Maske gemäß einer Ionenstrahlätztechnik geätzt, um die Vielzahl von konkaven Teilen 49 zu bilden. Wie in Fig. 22(g) gezeigt, wird daher die in den ersten Zonen und den zweiten Zonen zurückbleibende Substratebene 43a in eine Vielzahl ge musterter Substratebenen geteilt, die jeweils durch die kon kaven Teile 49 in einer konvexen Form ausgebildet sind. Die Vielzahl von Schienenebenen 43b wird aus den gemusterten Substratebenen, die an beiden Seiten der konkaven Teile 49 angeordnet sind, oder dem geätzten Schutzfilm 61 gebildet.

Wie in Fig. 22(h) gezeigt, wird dann, nachdem die ge musterten ersten und zweiten Trockenfilm-Resists 46 und 48 entfernt werden, der Stab 43 in eine Vielzahl von Kopfschie bern 62 von Magnetköpfen geteilt, indem die konkaven Teile 49 mit einer Chip-Säge in jeder zweiten Reihe durchgeschnit ten werden.

Da, wie oben beschrieben, der DLC-Film 45 gemäß Photo lithographie gemustert wird, und die gemusterten DLC-Filme 45a als Erhebungen 45a verwendet werden, können die Größe und Positionen der Erhebungen 45a präzise bestimmt werden.

Da das erste Trockenfilm-Resist 46, dessen Filmdicke über den gesamten Stab 43 konstant ist, als Maske verwendet wird, um die Erhebungen 45a zu bilden, können auch die Erhe bungen 45a in derselben Größe mit großer Genauigkeit erzeugt werden, und die Massenproduktivität der Erhebung 45a kann verbessert werden.

Nachdem die Erhebungen 45a auf den Schienenebenen 43b gebildet werden, werden in dieser Ausführungsform auch die konkaven Teile 49 in von den Erhebungen 45a weit entfernten Zonen gebildet. Daher kann das zweite Trockenfilm-Resist 48 an die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 laminiert werden, ohne daß die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 entfernt werden. Das heißt, nur ein Entfernungsverfahren ist zur Entfernung der zwei Typen von Filmresists 46 und 48 erforderlich. Demgemäß kann das Herstellungsverfahren des Kopfschiebers 62 vereinfacht werden.

Hinsichtlich der Merkmale der fünfzehnten Ausführungs form, die von jenen der vierzehnten Ausführungsform ver schieden sind, da der Schutzfilm 61 zum Bedecken der Teile der Magnetwandler 41 vor der Bildung der Haftschicht 44 ge bildet wird, kann ein Verfahren zur Bildung des Schutzfilms 61 kontinuierlich mit einer Sputter-Filmbildnervorrichtung durchgeführt werden. Daher kann der Schutzfilm 61 leicht ge bildet werden, verglichen mit der Bildung des Schutzfilms 50 in der vierzehnten Ausführungsform.

In Fällen, wo ein Siliciumcarbid(SiC)-Film oder ein Silicium(Si)-Film zwischen dem Schutzfilm 61 und dem Stab 43 gebildet wird, kann die Haftung zwischen dem Schutzfilm 61 und dem Stab 43 verstärkt werden.

In der vierzehnten und fünfzehnten Ausführungsform wird das zweite Trockenfilm-Resist 48 an die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 laminiert, die in der Kreis- oder Ellipsenform ausgebildet sind, und als Maske zur Bildung der Erhebungen 45a und 45b verwendet werden, ohne die gemuster ten ersten Trockenfilm-Resists 46 zu entfernen. In Fällen, wo das Resist 46 dick ist und einen Durchmesser von 60 µm oder mehr aufweist, werden daher unerwünschte Blasen rund um jedes gemusterte erste Trockenfilm-Resist 46 in einer Ring form nach der Bildung des zweiten Trockenfilm-Resists 48 erzeugt. Wenn sich die Blasen über Zonen ausbreiten, ins denen die konkaven Teile 49 gebildet werden, wird die Bil dung der konkaven Teile 49 gemäß einer Ionenätztechnik durch die Blasen gestört, und die konkaven Teile 49 werden mit unerwünschten Formen ausgebildet. Mit anderen Worten werden die gemusterten Schienenebenen 43a mit unerwünschten Formen gebildet.

Daher wird die Ausbeuterate des Kopfschiebers 51 oder 62 verringert. In Fällen, wo die Dicke des ersten Trocken film-Resists 46 10 µm oder weniger beträgt, werden jedoch kaum Blasen erzeugt. In Fällen, wo die Dicke des ersten Trockenfilm-Resists 46 10 µm oder mehr beträgt, werden daher die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 aufeinander folgend durch das Sauerstoffplasma nach der Bildung der Er hebungen 45a im in Fig. 18(f) oder 22(c) gezeigten Ätzver fahren geätzt. Folglich werden die gemusterten ersten Trockenfilm-Resists 46 dünner gemacht, und die Dicke der Resists 46 kann auf 10 µm oder mehr reduziert werden.

Das zweite Trockenfilm-Resist 48 wird auch zur Bildung der konkaven Teile 49 am Kopfschieber 51 oder 62 verwendet. Da ein zulässiger Fehler der Größe in den konkaven Teilen 49 größer ist als jener in den Erhebungen 45a und 45b, ist es jedoch möglich, den Stab 43 mit einem Flüssig-Resist anstel le des zweiten Trockenfilm-Resists 48 zu beschichten, und das Flüssig-Resist kann gebacken, belichtet und entwickelt werden.

Das Material der Erhebungen 45a und 45b ist auch nicht auf Diamant ähnlichen Kohlenstoff begrenzt, und ein Material mit einer Beständigkeit gegenüber dem Verschleiß der Magnet platte 52 und der Erhebungen 45a und 45b kann für die Erhe bungen 45a und 45b verwendet werden.

Die konkaven Teile 49 werden auch nach der Bildung der Erhebungen 45a und 45b gebildet. Es ist jedoch möglich, die konkaven Teile 49 vor der Bildung der Erhebungen 45a und 45b zu bilden. In diesem Fall ist es erforderlich, das zur Bil dung der konkaven Teile 49 verwendete Resist vor der Bildung der Erhebungen 45a und 45b zu entfernen.

Der Kopfschieber 51 oder 62 mit dem Magnetwandler 41 wird auch für das Magnetaufzeichungslaufwerk verwendet.

(Sechzehnte Ausführungsform)

Als nächstes werden bevorzugte Ausführungsformen gemäß dem dritten Konzept der vorliegenden Erfindung mit Bezug nahme auf Zeichnungen beschrieben, um die dritte Aufgabe zu erfüllen.

Fig. 23 ist eine Schrägansicht eines Kopfschiebers eines Magnetkopfs gemäß der sechzehnten Ausführungsform der vor liegenden Erfindung.

Wie in Fig. 23 gezeigt, besteht ein Kopfschieber 71 aus Keramik mit einer Aluminium-Basis und wird von einem Last balken 72 getragen. Wenn die Drehung einer Magnetplatte an gehalten wird, wird der Schieber 71, der vom Lastbalken 72 getragen wird, auf eine Oberfläche der Magnetplatte gesetzt. Ein Paar von Schienenebenen 73, die jeweils in einer Strei fenform ausgebildet sind, ist auch reliefförmig an beiden Enden einer einer Magnetplatte (oder einem Magnetaufzeich nungsmedium) zugewandten Oberfläche des Schiebers 71 ange ordnet. Nahe beim Lufteintritts- und Luftaustrittsende jeder Schienenebene 73 sind zwei Paare von Erhebungen 74 angeord net, die gemäß Photolithographie mit einer Maske und gemäß Ionenstrahlätzen gebildet werden, um den Kontakt aller Schienenebenen 73 mit der Magnetplatte zu verhindern. Die Schienenebene 73 dient als Luftlagerebene. Eine geneigte Ebene 75 ist auch am Teil an der Seite des Lufteintritts endes jeder Schienenebene 73 gebildet, um auf der Basis eines Luftstroms dem Schieber 71 eine Schwebekraft zu ver leihen. Ein Paar von Magnetwandlern 76, wie eine Magneto widerstandseffekt-Anordnung oder eine Spinventil-Magneto widerstandseffekt-Anordnung, ist an Teilen des Luftaus trittsendes der Schienenebenen 73 angeordnet.

Fig. 24 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Kontakt zustand an einem Kontaktpunkt des Schiebers 71 und einer Magnetplatte 77 zeigt, wenn die Magnetplatte 77 nicht ge dreht wird.

Wie in Fig. 24 dargestellt, existieren winzige Unregel mäßigkeiten an einer Oberfläche der Magnetplatte 77 und einer Oberfläche jeder Erhebung 74 des Schiebers 71. Eine mittlere Rauhigkeit ist definiert als Mittel der Unregel mäßigkeitsdistanzen zwischen Zentren der winzigen Unregel mäßigkeiten und einer Oberfläche. Die mittlere Rauhigkeit Ra an der Oberfläche der Magnetplatte 77 beträgt 4 nm oder weniger (beispielsweise 2 nm), und die Oberfläche der Mag netplatte 77 wird mit einem Schmiermittel beschichtet, um eine Schmiermittelschicht 78 mit einer Dicke t von 4 nm zu bilden. Die Höhe jeder auf der Schienenebene 73 angeordneten Erhebung 74 beträgt das Zwei- oder Mehrfache der mittleren Rauhigkeit Ra an der Oberfläche der Magnetplatte 77. Bei spielsweise beträgt die Höhe jeder Erhebung 74 10 nm. Die mittlere Rauhigkeit an einem oberen Teil 74a der Erhebung 74 beträgt auch etwa 1 nm. Daher ist die Dicke der Schmiermit telschicht 78 kleiner als die Höhe der Erhebung 74 und ist größer als die mittlere Rauhigkeit Ra an der Oberfläche der Magnetplatte 77. Die Schmiermittelschicht 78 verläuft auch zu den Seitenwänden der Erhebungen 74 durch die Funktion der Oberflächenspannung des Schmiermittels.

Die Gesamtfläche der oberen Teile 74a der vier Erhe bungen 74 beträgt 10% oder weniger der Gesamtfläche der Schienenebenen 73. Beispielsweise beträgt die Gesamtfläche der oberen Teile 74a der vier Erhebungen 74 0,05 mm² im Fall eines 30% Schiebers. Eine Scheitelhöhe der Schienenober fläche 73 des Schiebers 71 wird auch klein eingestellt. Folglich werden die Ebenheitsgrade der oberen Teile 74a der vier Erhebungen 74 auf einen Wert kleiner oder gleich dem Wert gesetzt, der durch die Subtraktion der mittleren Rauhigkeit Ra an der Oberfläche der Magnetplatte 77 von der Dicke der Schmiermittelschicht 78 bestimmt wird.

Ein Spielraum zwischen dem oberen Teil 74a der Erhebung 74 und der Oberfläche der Magnetplatte 77 ist auch etwa ein Wert h=3 nm. Da die Dicke t der Schmiermittelschicht 78 4 nm beträgt, ist daher der Spielraum kleiner als die Dicke t der Schmiermittelschicht 78. Auch wenn sich der Spielraum mit dem Ebenheitsgrad des oberen Teils 74a und der Umgebungstem peratur ändert, ist auch die Änderung des Spielraums aus reichend gering. Daher wird der Spielraum zwischen dem oberen Teil 74a der Erhebung 74 und der Oberfläche der Mag netplatte 77 von der Schmiermittelschicht 78 perfekt einge nommen, und nicht nur Seitenflächen der Erhebungen 74, sondern auch die Ansätze der Erhebungen 74 werden mit der Schmiermittelschicht 78 bedeckt, um Meniskusteile 78a der Schmiermittelschicht 78 rund um die vier Erhebungen 74 zu bilden. Jeder Meniskusteil 78a der Schmiermittelschicht 78 ist in einer Ringform ausgebildet und hat einen größeren Durchmesser als jener der Erhebung 74, und eine Seitenfläche des Meniskusteils 78a ist in konkaver Form ausgebildet. Da die Erhebung 74 mit der Höhe von 10 nm ausreichend hoch ist, wird kein anderer Meniskusteil an einem Teil der Schienen ebenen 73 gebildet, auf dem keine Erhebung angeordnet ist.

Die Haftreibung zwischen dem Schieber 71 des Magnetkopfs und der Magnetplatte 77 resultiert aus der Bildung des Meniskusteils 78a, und die Stärke F der Haftreibung wird gemäß der Gleichung (1) bestimmt.

F = S × (T/r) (1).

Hier bezeichnet das Zeichen S die Fläche einer Zone des Schiebers 71, die mit der Schmiermittelschicht 78 bedeckt ist, das Zeichen T bezeichnet die Oberflächenspannung der Schmiermittelschicht 78, und das Zeichen r bezeichnet den Meniskusradius eines Kreises, wie in Fig. 24 gezeigt, der entlang der Seitenfläche des Meniskusteils 78a gebildet ist. Der Mittelpunkt des Kreises ist zwischen dem Schieber 71 und der Schmiermittelschicht 78 angeordnet. Je kleiner die Stärke F der Haftreibung, desto leichter kann sich der Schieber 71 abheben, wenn die Drehung der Magnetplatte 77 gestartet wird.

Fig. 25 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Kontakt zustand an einem Kontaktpunkt eines Schiebers 82 und einer Magnetplatte 81 durch eine Schmiermittelschicht 80 gemäß dem Stand der Technik zeigt.

Im in Fig. 25 dargestellten Stand der Technik ist die Oberflächenrauhigkeit der Magnetplatte 81 größer ausgebildet als die Dicke der Schmiermittelschicht 80, so daß die Fläche des Schiebers 82, die mit dem Schmiermittel bedeckt ist, (äquivalent zur Fläche S in Gleichung (1)) reduziert wird. Da es jedoch in letzter Zeit erforderlich ist, die Oberflä chenrauhigkeit der Magnetplatte 81 gering zu halten, ist es notwendig, die Schmiermittelschicht 80 zum Zweck der Verrin gerung der Fläche S dünner zu machen. In diesem Fall besteht insofern ein Nachteil, als die Magnetplatte 81 nicht zuver lässig mit der Schmiermittelschicht 80 bedeckt wird.

In einem weiteren Stand der Technik, der in der PUJPA Nr.S63-37874 geoffenbart ist, wird die Fläche S von mit einer Flüssigkeit bedeckten Teilen auch klein gehalten, und die Stärke F der Haftreibung wird reduziert. Das Konzept, die Stärke F der Haftreibung durch die Erhöhung des Menis kusradius r eines Meniskusteils einer rund um eine Erhebung erzeugten Schmiermittelschicht zu verringern, ist jedoch nicht geoffenbart.

Wie in Fig. 24 gezeigt, bezeichnet e einen Kontaktwinkel zwischen der Schmiermittelschicht 78 und dem Schieber 71, und d bezeichnet eine offene Distanz zwischen der nicht mit der Schmiermittelschicht 78 bedeckten Schienenebene 73 und einer oberen Fläche der Schmiermittelschicht 78. In diesem Fall wird der Meniskusradius r des Meniskusteils 78a geome trisch durch die Gleichung (2) ausgedrückt.

r = 0,5 × d/(1 + cosθ) (2).

Je größer die offene Distanz d zwischen der Schienen ebene 73 und der Schmiermittelschicht 78, die unter den Meniskusteilen 78a angeordnet ist, desto kleiner wird daher die Stärke F der Haftreibung. Es ist jedoch erforderlich, die Filmdicke t der Schmiermittelschicht 78 für den Zweck des Bedeckens der Erhebungen 74 des Schiebers 71 zu erhöhen, so daß die Fläche S in Gleichung (1) geeignet erhöht werden kann. Um die Erhöhung der Fläche S zu vermeiden, ist es not wendig, die Höhe der Erhebungen 74 unter der Bedingung zu bestimmen, daß die Meniskusteile 78a begrenzt rund um die Erhebungen 74 gebildet werden, und kein Meniskusteil in irgend einer anderen Position gebildet wird. Das heißt, durch die Einstellung der Höhe der Erhebungen 74 können der Meniskusradius r und die Fläche S in Gleichung (1) geeignet reguliert werden.

Im Stand der Technik werden Schienenebenen eines Schie bers zwangsweise in einer Scheitelform ausgebildet. In der vorliegenden Erfindung wird es jedoch bevorzugt, daß eine für die Schienenebenen 73 des Schiebers 71 eingestellte Scheitelhöhe klein ist, um die in Fig. 24 gezeigten Menis kusteile 78a zuverlässig zu bilden. In der PUJPA Nr.S63- 37874 ist beispielsweise ein Stand der Technik geoffenbart, worin eine Scheitelhöhe im Bereich von 1,27 × 10^-2 µm bis 7,62 × 10^-2 µm und eine dreidimensionale Oberflächenrauhig keit im Bereich von 5,08 × 10^-3 µm bis 1,52 × 10^-3 µm für eine Schieberoberfläche eingestellt werden. Im Gegensatz dazu wird es in dieser Ausführungsform bevorzugt, daß eine Scheitelhöhe kleiner ist als 1,27 × 10^-2 µm. Die Oberflä chenrauhigkeit der Schienenebenen 73 wird auch klein gehal ten, und die Höhe der Erhebungen 74 wird eingestellt, um den Meniskusradius r der Meniskusteile 78a zu vergrößern. Daher wird in dieser Ausführungsform die Stärke F der Haftreibung reduziert.

Um die Effekte dieser Ausführungsform klar zu beschrei ben, werden ein Fall, wo diese Ausführungsform verwendet wird, und ein anderer Fall, wo diese Ausführungsform nicht verwendet wird, beschrieben.

Fig. 26 zeigt eine Beziehung zwischen einer Haftreibung zwischen den Erhebungen 74 des Schiebers 71 und der Magnet platte 77 und der Filmdicke t der Schmiermittelschicht 78 unter der Bedingung, daß die Erhebungen 74 auf den Schienen ebenen 73 gemäß der sechzehnten Ausführungsform angeordnet sind. Fig. 27 zeigt eine Beziehung zwischen der Haftreibung zwischen einem Schieber und einer Magnetplatte und der Film dicke einer Schmiermittelschicht unter der Bedingung, daß am Schieber keine Erhebung angeordnet ist.

Die Kontaktfläche zwischen dem Schieber 71 des Magnet kopfs und der Magnetplatte 77 wird in Fällen, wo die Erhe bungen 74 angeordnet sind, auf 1/100 reduziert, verglichen mit jenen in Fällen, wo keine Erhebung angeordnet ist. Die mittlere Rauhigkeit der Oberfläche der Magnetplatte 77 be trägt auch etwa 1 nm.

Beim Vergleich von Fig. 26 und 27 miteinander in Fällen, wo die Dicke t der Schmiermittelschicht 78 kleiner ist als die mittlere Rauhigkeit (1 nm) der Oberfläche der Magnet platte 77 (Zone A in Fig. 26 und 27), wird die Haftreibung gemäß der sechzehnten Ausführungsform, wie in Fig. 26 darge stellt, aufgrund des Vorliegens der Erhebungen 74 reduziert.

Der Grund dafür ist, daß die Anzahl von Meniskusteilen 78a verringert wird, da die Kontaktfläche reduziert wird. Dieser Effekt kann erhalten werden, indem eine Vielzahl von Erhe bungen auf Schienenebenen eines herkömmlichen Schiebers an geordnet wird.

In Fällen, wo die Dicke t der Schmiermittelschicht 78 ausreichend größer ist als die mittlere Rauhigkeit (1 nm) der Oberfläche der Magnetplatte 77 (Zone C in Fig. 26 und 27), wird jedoch die Haftreibung gemäß der sechzehnten Ausführungsform geringfügig reduziert, verglichen mit jener in der in Fig. 26 gezeigten Zone A. Die Oberfläche der Magnet platte 77 wird nicht perfekt mit der Schmiermittelschicht 78 bedeckt, wenn die Schmiermittelschicht nicht ausreichend dick ist (Zone A in Fig. 26), und es besteht die Wahrschein lichkeit, daß die Magnetplatte 77 durch die Erhebungen 74 abgerieben wird, auch wenn die Haftreibung klein ist. Da die Haftreibung jedoch im Fall der in Fig. 26 dargestellten Zone C auf dieselbe Weise wie jene im Fall der Zone A auch klein ist, wird es bevorzugt, die Schmiermittelschicht 78 zum Zweck der Verbesserung der Zuverlässigkeit einer Magnetplat tenvorrichtung ausreichend dick zu machen, die aus dem Schieber 71 und der mit der Schmiermittelschicht 78 be deckten Magnetplatte 77 besteht. Dieser Effekt kann nur durch die Anordnung einer Vielzahl von Erhebungen auf Schie nenebenen eines herkömmlichen Schiebers nicht erhalten werden.

Wenn die Schmiermittelschicht 78 gemäß der sechzehnten Ausführungsform unter der Bedingung weiter dicker gemacht wird, daß die Dicke t der Schmiermittelschicht 78 größer ist als eine bestimmte Filmdicke, wird die Haftreibung wiederum erhöht (in Fig. 26 nicht gezeigt). Der Grund dafür ist, daß einer oder mehrere Meniskusteile zusätzlich an Teilen der Magnetplatte 77 gebildet werden, auf denen keine Erhebung angeordnet ist. In der Praxis ist es jedoch für die Magnet platte 77 nicht geeignet, wenn sie übermäßig mit der Schmiermittelschicht bedeckt wird, um ein Verteilen des Schmiermittels zu verhindern, wenn die Magnetplatte 77 gedreht wird. Daher wird eine Zone, die dem Fall entspricht, wo die Schmiermittelschicht 78 mit einer übermäßigen Dicke angeordnet ist, in Fig. 26 und 27 weggelassen.

Beim Vergleich der in Fig. 26 und 27 dargestellten Zonen B miteinander ist die Haftreibung zwischen den Erhebungen 74 des Kopfschiebers 71 und der Magnetplatte 77 in der in Fig. 26 gezeigten Zone B nahezu gleich wie jene zwischen einem Kopfschieber und der Magnetplatte 77 in der in Fig. 27 gezeigten Zone B. In der Zone B sind die oberen Flächen der Erhebungen 74 mit dem Schmiermittel bedeckt, der Meniskus radius r der Meniskusteile 78 ist so klein wie der Spielraum h, und die Kontaktfläche S wird nur erhöht. Daher ist die Haftreibung in der Zone B groß.

(Siebzehnte Ausführungsform)

Als nächstes wird die siebzehnte Ausführungsform be schrieben.

Fig. 28 ist eine vergrößerte Ansicht eines Kontaktpunkts des Schiebers 71 und der Magnetplatte 77 gemäß der sieb zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Wie in Fig. 28 gezeigt, ist ein Verjüngungsteil 86 in einem Stück mit jeder Erhebung 74 ausgebildet, um an der Seitenfläche jeder Erhebung 74 angeordnet zu sein. Die der Magnetplatte 77 zugewandte Querschnittsfläche des Verjün gungsteils 86 nimmt entlang einer Richtung vom oberen Teil 74a der Erhebung 74 zur Ebene 73 allmählich zu.

Da der Verjüngungsteil 86 gegen die Magnetplatte 77 ge neigt ist, um einen spitzen Winkel zwischen dem Verjüngungs teil 86 und der Magnetplatte 77 zu bilden, wird das aus dem Spielraum zwischen der Erhebung 74 und der Magnetplatte 77 gedrückte Schmiermittel leicht entlang einer Oberfläche des Verjüngungsteils 86 durch die Funktion einer Kapillarkohä sion des Schmiermittels für den Verjüngungsteil 86 aufwärts bewegt, und ein Meniskusteil 78b mit einem großen Meniskus radius r kann leicht rund um jede Erhebung 74 gebildet werden. Auch wenn die Filmdicke t der Schmiermittelschicht 78 klein ausgebildet wird, kann daher der Meniskusteil 78b mit einem großen Meniskusradius r zuverlässig rund um jede Erhebung 74 gebildet werden.

Demgemäß ist in Fällen, wo die Schmiermittelschicht 78 zum Zweck der Verbesserung der Rotationsstartcharakteristi ken der Magnetplatte 77 nicht dicker gemacht werden kann, das Vorliegen des Verjüngungsteils 86 nützlich, da die Schmiermittelschicht 78 dünner gemacht werden kann.

(Achtzehnte Ausführungsform)

Als nächstes wird die achtzehnte Ausführungsform be schrieben.

Fig. 29 ist eine vergrößerte Ansicht eines Kontaktpunkts des Schiebers 71 und der Magnetplatte 77 gemäß der acht zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Die in Fig. 29 gezeigt, ist jede Erhebung 74 des Schie bers 71 aus einem Material hergestellt, welches das Schmier mittel aus einem öligen Mittel oder einem wässerigen Mittel abweist. Daher wird ein Meniskusteil 78c mit einer invers gekrümmten Oberfläche, die invers zu den Meniskusteilen 78a und 78b gemäß der sechzehnten und siebzehnten Ausführungs form gekrümmt ist, rund um jede Erhebung 74 erzeugt. In diesem Fall ist der Meniskusteil 78c äquivalent zum Menis kusteil 78a oder 78b mit einem großen Meniskusradius r, und die Stärke F der Haftreibung zwischen dem Schieber 71 und der Magnetplatte 77 wird klein gehalten.

Da die Schmiermittelschicht 78 rund um jede Erhebung 74 aufgequollen ist, wird auch eine Kraft erzeugt, die jede Er hebung 74 geringfügig anhebt. Daher wird die Stärke F der Haftreibung reduziert.

In Fällen, wo alle Schienenebenen 73 aus einem das Schmiermittel abweisenden Material gebildet sind, kann auch die Bildung der Meniskusteile 78a oder 78c an den Schienen oberflächen 73 verhindert werden. Daher kann die Stärke der Haftreibung weiter reduziert werden.

Neunzehnte Ausführungsform)

Als nächstes wird die neunzehnte Ausführungsform be schrieben.

Fig. 30(a) bis 30(g) sind Schrägansichten, die ein Her stellungsverfahren eines Schiebers eines Magnetkopfs vom fliegenden Typ gemäß der neunzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.

Wie in Fig. 30(a) dargestellt, wird eine Vielzahl von Magnetwandlern 92 in der Längsrichtung und in der Seiten richtung auf einer Scheibe 91 gebildet, die aus einem Material, wie Aluminiumoxidtitancarbid (Al₂O₃TiC), Ferrit, Calciumtitanat oder dgl., hergestellt ist. Danach wird die Scheibe 91 mit einer Chip-Säge entlang in Fig. 30(a) ge zeigten strichlierten Linien durchgeschnitten, um die Scheibe 91 in eine Vielzahl von Stäben 93 zu teilen. Daher wird, wie in Fig. 30(b) dargestellt, eine Vielzahl von Stäben 93 aus der Scheibe 91 erhalten, die jeweils eine Vielzahl von in Serie angeordneten Magnetwandlern 92 aufweisen.

Wie in Fig. 30(c) gezeigt, wird danach eine Schnittebene des Stabs 93 gemäß Photolithographie verarbeitet. Das heißt, eine Vielzahl von Schienenebenen 94 wird reliefförmig auf den Magnetwandlern 92 in einer Eins-zu-Eins-Entsprechung ge bildet, ein konkaver Teil 93a wird zwischen einem Paar von Schienenebenen 94 gebildet, die in einem Schieber eines Mag netkopfs angeordnet sind, eine Trennrille 93b wird in einem Begrenzungsteil eines Paares von einander benachbarten Schiebereinheiten für jedes Paar von Schiebereinheiten ge bildet, und eine geneigte Ebene 95 wird an einem Teil an der Seite des Lufteintrittsendes jeder Schienenebene 94 gebil det. Die Schienenebenen 94 wirken jeweils als Luftlagerebene und Flugkraft-Erzeugungsebene.

Danach werden alle Schnittebenen des Stabs 93 mit einem Photoresist beschichtet, und das Photoresist wird belichtet und wird entwickelt. Anschließend wird, wie in Fig. 30(d) dargestellt, zumindest ein gemustertes Resist 96, das in rechteckiger oder Kreisform ausgebildet ist, an jeder der Resistebenen 24 gebildet. Danach werden die Schienenebenen 94 gemäß einer Ionenstrahlätztechnik dünner gemacht, wobei die gemusterten Resists 96 als Maske verwendet werden, und eine Erhebung 97 wird unter dem gemusterten Resist 96 jeder Schienenebene 94 gebildet. Dann werden die gemusterten Re sists 96 mit einem Lösungsmittel entfernt. Daher werden, wie in Fig. 30(e) gezeigt, die Erhebungen 97 an den Schienenebe nen 94 angeordnet.

Danach wird der Stab 93 in eine Vielzahl von Schieber einheiten geteilt, indem die Trennrillen 93b des Stabs 93 mit einer Chip-Säge durchgeschnitten werden. Daher wird eine Vielzahl von Schiebern 98 aus dem Stab 93 gebildet, und ein Schieber 98 ist in Fig. 30(f) gezeigt.

Wie in Fig. 30(g) dargestellt, wird anschließend ein oberer Teil der Erhebung 97, die auf der Schienenebene 94 angeordnet ist, mit einem Schmiermittel 99 beschichtet. In diesem Fall wird ein Fluor enthaltendes Material als Materi al des Schmiermittels 99 bevorzugt. Zur Beschichtung des oberen Teils der Erhebung 97 mit dem Schmiermittel 99 wird auch ein Verfahren, bei dem die Schienenebenen 94 und die Trennrillen 93b des Stabs 93 in ein verdünntes Schmiermittel eingetaucht werden, bevor der Stab 93 zerschnitten wird, oder ein anderes Verfahren, bei dem der Schieber 98 des Mag netkopfs nach einem Kardanrahmentest in das verdünnte Schmiermittel getaucht wird, verwendet.

Das Schmiermittel 99, mit dem die oberen Teile der Er hebungen 97 beschichtet werden, dient zur Verringerung der Oberflächenenergie der Erhebungen 97. Wie in Fig. 31 gezeigt, kann daher in Fällen, wo die Erhebungen 97 des Schiebers 98 auf eine Magnetplatte 100 gesetzt werden, ein sogenannter Feststoff-Kontakt zwischen dem Schieber 98 und der Magnet platte 100 vermieden werden. In Fällen, wo die Magnetplatte 100 detailliert aus einem Substrat 100a, einer Magnetschicht 100b und einem Schutzfilm 100c besteht, die in dieser Rei henfolge laminiert werden, und ein Schutzfilm 100c der Mag netplatte 100 mit einer Schmiermittelschicht 101 beschichtet wird, kommt das Schmiermittel 99 mit Teilen des Schutzfilms 100c der Magnetplatte 100 in Kontakt, wobei die Schmiermit telschicht 101 durchbrochen wird. Da das Schmiermittel 99 auf den Erhebungen 97 des Schiebers 98 angeordnet ist, kann in diesem Fall der Feststoff-Kontakt vermieden werden, daß die Erhebungen 97 direkt mit der Schutzschicht 100c der Mag netplatte 100 in Kontakt stehen. Die Stärke der Haftreibung zwischen den Erhebungen 97 und der Schutzschicht 100c wird auch verringert. Folglich können der Abrieb der Erhebungen 97, der Abrieb der Magnetplatte 100 und die Haftreibung zwi schen den Erhebungen 97 und der Magnetplatte 100 unterdrückt werden.

Es wird auch bevorzugt, ein Fluor enthaltendes Schmier mittel mit wasserabstoßenden Eigenschaften als Material des Schmiermittels 99 zu verwenden, das die oberen Teile der Er hebungen 97 bedeckt. In diesem Fall kann die Kohäsion von Feuchtigkeit, die rund um die Erhebungen 97 vorliegt, ver mieden werden, und die Stärke der Haftreibung zwischen den Erhebungen 97 und der Magnetplatte 100 wird verringert.

Unter der Annahme, daß die oberen Teile der Erhebungen 97 nicht mit dem Schmiermittel 99 beschichtet sind, wird hingegen die Oberflächenenergie der Erhebungen 97 erhöht. Wie in Fig. 32 gezeigt, brechen in diesem Fall die Erhebungen 97 durch die Schmiermittelschicht 101, welche die Magnet platte 100 bedeckt, und der Feststoff-Kontakt, daß die Erhe bungen 97 direkt mit der Schutzschicht 100c der Magnetplatte 100 in Kontakt kommen, tritt leicht auf. Daher werden der Abrieb der Erhebungen 97 und der Abrieb der Magnetplatte 100 beschleunigt. Eine Position des Feststoff-Kontakts ist in Fig. 32 durch strichlierte Kreise gezeigt.

(Zwanzigste Ausführungsform)

Als nächstes wird die zwanzigste Ausführungsform be schrieben.

In der neunzehnten Ausführungsform bestehen die Erhe bungen 97, die auf den Schienenebenen 94 des Schiebers 98 angeordnet sind, aus demselben Material wie jenem des Schiebers 98. Es ist jedoch möglich, daß das Material der Erhebungen 97 von jenem des Schiebers 98 verschieden ist. Ein Herstellungsverfahren eines Schiebers eines Magnetkopfs vom fliegenden Typ, bei dem das Material der Erhebungen von jenem des Schiebers verschieden ist, wird mit Bezugnahme auf Fig. 33(a) bis 33(d) gemäß der zwanzigsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.

Nachdem die Trennrillen 93b und die Schienenebenen 94 im Stab 93, der aus der Scheibe 91 auf die gleiche Weise wie in der neunzehnten Ausführungsform herausgeschnitten wird, gebildet werden, werden, wie in Fig. 33(a) dargestellt, die Schienenebenen 94, die geneigte Ebene 95, die konkaven Teile 93a und die Trennrillen 93b mit einem Schutzfilm 103 aus amorphem Kohlenstoff bedeckt. Der Schutzfilm 103 wird gemäß dem Sputter-Verfahren aufgewachsen. Danach werden die gemu sterten Resists 96 an den Schienenebenen 94 durch den Schutzfilm 103 auf dieselbe Weise wie in der neunzehnten Ausführungsform gebildet.

Anschließend werden Teile des Schutzfilms 103. die nicht von den gemusterten Resists 96 bedeckt werden, ent fernt, um die gemusterten Schutzfilme 103, die unter den ge musterten Resists 96 angeordnet sind, als Erhebungen 104 zu verwenden. In Fällen, wo der aus einem amorphen Kohlenstoffilm gebildete Schutzfilm 103 gemustert wird, ist es mög lich, ein Plasma-Verfahren anstelle des Ionenstrahlätzver fahrens zu verwenden. Danach werden die gemusterten Resists 96 entfernt. Daher werden, wie in Fig. 33(b) dargestellt, die Erhebungen 104 auf den Schienenebenen 94 angeordnet.

Danach wird der Stab 93 in eine Vielzahl von Schiebern geteilt, indem die Trennrillen 93b des Stabs 93 mit einer Chip-Säge auf dieselbe Weise wie in der neunzehnten Ausfüh rungsform durchgeschnitten werden. Daher wird, wie in Fig. 33(c) gezeigt, ein Schieber 105 eines Magnetkopfs erhal ten. Wie in Fig. 33(d) dargestellt, werden anschließend obere Teile der aus amorphem Kohlenstoff bestehenden Erhebungen 104 mit einem Schmiermittel 106 beschichtet. In diesem Fall wird ein Fluor enthaltendes Schmiermittel mit einem Benzolring, wie beispielsweise Phonebrine AMTM, hergestellt von Montefluous Co., als Material des Schmiermittels 106 bevor zugt, da das Fluor enthaltende Schmiermittel eine überlegene Klebetendenz für den amorphen Kohlenstoff aufweist.

Danach wird Ultraviolettlicht auf das Schmiermittel 106 eingestrahlt, um die Klebetendenz zwischen dem Schmiermittel 106 und den aus dem amorphen Kohlenstoff bestehenden Erhe bungen 104 zu erhöhen. Das Fluor enthaltende Schmiermittel wird beispielsweise an den Erhebungen 104 mit einer Dicke von 5 nm gebildet, das Ultraviolettlicht mit einer Wellen länge von 185 nm und einer Intensität von 1 mW/cm² wird auf das Fluor enthaltende Schmiermittel gestrahlt, und eine Klebeschicht mit einer Dicke von 3 nm wird an den oberen Teilen der Erhebungen 104 gebildet.

Das Schmiermittel 106, mit dem die oberen Teile der Er hebungen 104 beschichtet sind, dient zur Verringerung der Oberflächenenergie der Erhebungen 104. Wenn, wie in Fig. 34 gezeigt, die Erhebungen 104 des Schiebers 105 auf die Mag netplatte 100 gesetzt werden, gibt es daher keinen Fall, wo die an den Schutzfilm 100c laminierte Schmiermittelschicht 101 von den Erhebungen 104 durchbrochen wird, und es tritt kein Feststoff-Kontakt auf, daß die Erhebungen 104 direkt mit den Teilen des Schutzfilms 100c in Kontakt kommen. Die Stärke der Haftreibung zwischen den Erhebungen 104 und dem Schutzfilm 101 der Magnetplatte 100 wird auch verringert. Folglich können der Abrieb der Erhebungen 104, der Abrieb der Magnetplatte 100 und die Haftreibung zwischen den Erhe bungen 104 und der Magnetplatte 100 unterdrückt werden.

In dieser Ausführungsform bestehen die Erhebungen 104 aus amorphem Kohlenstoff. Es ist jedoch möglich, daß ein dünner Oxid-Film, wie Siliciumoxid (SiO₂) oder Zirconiumoxid (ZrO₂), als Material des Schutzfilms 103 verwendet wird und zur Bildung der Erhebungen 104 gemustert wird. In diesem Fall wird ein Fluor enthaltendes Schmiermittel mit einer Hydroxyl-Gruppe, wie beispielsweise Fomblin Z-DOL, herge stellt von Montefluous Co., als Material des Schmiermittels 106 bevorzugt, mit dem die oberen Teile der aus dem dünnen Oxid-Film bestehenden Erhebungen 104 beschichtet werden, da das Fluor enthaltende Schmiermittel eine überlegene Klebe tendenz für den dünnen Oxid-Film aufweist.

Auch wenn die Erhebung 104 aus dem amorphen Kohlenstoff mit keinem Schmiermittel beschichtet wird, kann die Oberflä chenenergie der Erhebung 104 auch durch das Fluorieren der Oberfläche der Erhebung 104 verringert werden. Als Kohlen stoff, der als Material der Erhebungen 104 eingesetzt wird, wird beispielsweise ein Kohlenwasserstoff, worin Diphenyl ethan als Monomer vorliegt, verwendet. Der Kohlenwasserstoff wird zur Bildung des Schutzfilms 103 an den Schienenebenen 94 oder dgl. gemäß einem Sputter-Verfahren oder einem Plasma-CVD-Verfahren abgeschieden. Danach wird der Schutz film 103 gemustert, um die Erhebungen 104 zu bilden, und die Oberflächen der Erhebungen 104 werden beispielsweise unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung fluoriert. Die Bedin gungen für die Fluorierung der Erhebungen 104 sind wie folgt. Die Plasmaerzeugungsenergie wird auf 300 W gesetzt, der Druck der Fluor enthaltenden Atmosphäre wird auf 5 Torr reduziert, das Mischgas, worin Sauerstoff (O₂) Tetrafluor kohlenstoff (CF₄) bei einer Fließrate von 5% zugesetzt wird, wird in die Fluor enthaltende Atmosphäre eingebracht, und die Fluorierung der Erhebungen 104 wird 10 Minuten lang fortgesetzt. In diesem Fall ist es möglich, Argongas anstel le des Sauerstoffs zu verwenden. Danach wird der Kontaktwin kel zwischen Wasser und der fluorierten Erhebung 104 gemes sen, um die Fluorierung der Erhebungen 104 zu überprüfen. Obwohl der Kontaktwinkel vor der Fluorierung der Erhebungen 104 nur 52° beträgt, wird der Kontaktwinkel nach der Fluorierung der Erhebungen 104 auf 162° erhöht. Daher wird festgestellt, daß die Oberflächenenergie der aus Kohlenstoff bestehenden Erhebungen 104 verringert wurde, und die wasser abstoßenden Eigenschaften der Erhebungen 104 werden erhöht.

Es ist möglich, die Dicke der die Magnetplatte 100 be deckenden Schmiermittelschicht 101 in der neunzehnten oder zwanzigsten Ausführungsform auf denselben Wert zu setzen wie jenen der Schmiermittelschicht 78 in der sechzehnten Ausfüh rungsform.

(Einundzwanzigste Ausführungsform)

Als nächstes wird die einundzwanzigste Ausführungsform beschrieben.

Fig. 35(a) ist eine Draufsicht eines Schiebers 51, der für eine Magnetplattenvorrichtung verwendet wird, gemäß der einundzwanzigsten Ausführungsform, und Fig. 35(b) ist eine Seitenansicht des in Fig. 35(a) gezeigten Schiebers.

Wie in Fig. 35(a) und 35(b) dargestellt, besteht ein Schieber 111 eines Magnetkopfs aus Al₂O₃TiC. Ein Paar von Schienenebenen (oder ein Paar von Luftlagerebenen) 112, die in einer Streifenform ausgebildet sind, ist reliefförmig entlang beiden Endseitenteilen einer Oberfläche des Schie bers 111 angeordnet, die einer Magnetplatte (oder einem Mag netaufzeichnungsmedium) zugewandt ist. Eine geneigte Ebene 113 ist an einem Teil an der Seite des Lufteintrittsendes der Schienenebenen 112 gebildet, um jede Schienenebene 112 in die geneigte Ebene und eine flache Ebene 114 zu teilen. Die erste gekrümmte Erhebung 115 ist auch an einer Grenz fläche zwischen der flachen Ebene 114 jeder Schienenebene 112 und der geneigten Ebene 113 entlang der flachen Ebene 114 und der geneigten Ebene 113 angeordnet. Die zweite Erhe bung 116 ist auch an einem Teil an der Seite des Luftaus trittsendes jeder Schienenebene 112 angeordnet. Die ebene Fläche des oberen Teils der zweiten Erhebung 116 ist größer als jene der ersten Erhebung 116, und die Höhe der zweiten Erhebung 116 ist gleich wie jene der ersten Erhebung 115.

Die Ebene der ersten Erhebung 115, die der Magnetplatte zugewandt ist, ist in der Form eines Kreises mit einem Durchmesser von 100 nm ausgebildet, und die Ebene der zweiten Erhebung 116, die der Magnetplatte zugewandt ist, ist in Form eines Kreises mit einem Durchmesser von 200 nm ausgebildet. Daher ist die Fläche der Ebene der ersten Erhe bung 115 halb so groß wie oder kleiner als jene der Ebene der zweiten Erhebung 116.

Außerdem ist ein Paar von Magnetwandlern 117, wie eine Magnetowiderstandseffekt-Anordnung oder eine Spinventil-Mag netowiderstandseffekt-Anordnung, in Teilen am Luftaustritts ende der Schienenebenen 73 angeordnet. Der Schieber 111 wird von einer Plattenfeder auf dieselbe Weise wie in der vier zehnten Ausführungsform getragen.

Wenn in der obigen Konfiguration die Magnetplatte (nicht gezeigt) nicht gedreht wird, steht der Schieber 111 des Magnetkopfs mit einer Oberfläche der Magnetplatte in Kontakt. Wenn die Drehung der Magnetplatte gestartet wird, wird der von der Plattenfeder (nicht dargestellt) getragene Schieber 111 von der Oberfläche der Magnetplatte gemäß dem Prinzip eines dynamischen Druckluftlagers in einer Fluid schmierung abgehoben. Der Teil an der Seite des Luftein trittsendes des Schiebers 111 wird zuerst angehoben, und der Teil an der Seite des Luftaustrittsendes des Schiebers 111 wird mit dem Teil an der Seite des Lufteintrittsendes des Schiebers 111 abgehoben. Je leichter der Teil an der Seite des Lufteintrittsendes des Schiebers 111 aufgehoben wird, desto kürzer die Abhebezeit des Schiebers 111.

Die Beziehung zwischen einer verstrichenen Rotations zeit der Magnetplatte nach dem Start der Drehung der Magnet platte und einer Reibungskraft (einer Reibungskraft zwischen der Magnetplatte und den Erhebungen) wird unter Verwendung der Größe der ersten Erhebung 115, die auf dem Teil an der Seite des Lufteintrittsendes der Schienenebene 112 angeord net ist, als Parameter untersucht, und die in Fig. 36 ange gebenen Versuchsergebnisse werden erhalten.

Wie in Fig. 36 gezeigt, wird die Reibungskraft gerade nach dem Starten der Drehung der Magnetplatte maximiert, und die Reibungskraft wird mit dem Verstreichen der Rotations zeit allmählich verringert. Je kleiner die Fläche eines oberen Teils der ersten Erhebung 115, die an der Seite des Lufteintrittsendes des Schiebers 111 angeordnet ist, desto kleiner auch die Reibungskraft, und desto kürzer die Maxi mierungszeit, die zur Maximierung der Reibungskraft erfor derlich ist. Diese Versuchsergebnisse zeigen, daß die Stärke der Haftreibung zwischen dem Schieber 111 und der Magnet platte verringert wird, und die Abhebezeit des Schiebers 111 wird in dem Ausmaß verkürzt, in dem der obere Teil der ersten Erhebung 115 klein wird.

Da die erste Erhebung 115 entlang der Grenzfläche der flachen Ebene 114 der Schienenebene 112 zur geneigten Ebene 113 sanft gebogen ist, verursacht auch eine der Magnetplatte zugewandte obere Ecke der ersten Erhebung 115 keine mechani sche Beschädigung der Oberfläche der Magnetplatte. Daher kann eine Beschädigung der ersten Erhebungen 115 und der Magnetplatte verhindert werden.

Die zweiten Erhebungen 116, die an der Seite des Luft austrittsendes der Schienenebenen 112 angeordnet sind, werden von der Magnetplatte gelöst, nachdem die ersten Erhe bungen 115 von der Magnetplatte gelöst werden. Daher ist die Belastungskraft der zweiten Erhebungen 116 auf die Magnet platte größer als jene der ersten Erhebungen 115 auf die Magnetplatte. Da die Fläche der oberen Teile der zweiten Er hebungen 116 jedoch größer ist als jene der ersten Erhe bungen 115, um die mechanische Festigkeit der zweiten Erhe bungen 116 zu erhöhen, weist der Schieber 111 eine überlege ne Haltbarkeit auf, und es ist schwierig, den Schieber 111 zu beschädigen.

Wie mit einer strichlierten Linie in Fig. 35(b) gezeigt, ist es im in Fig. 35(a) und 35(b) dargestellten Schieber 111 auch möglich, daß die Schienenebenen 112 mit einem Schutz film 118 bedeckt sind, der aus einem Material, wie SiO₂, Al₂O₃, Si, SiC oder Diamant ähnlichem Kohlenstoff besteht. Es ist auch möglich, daß Materialien der Erhebungen 115 und 116 vom Material des Schiebers 111 verschieden sind.

(Zweiundzwanzigste Ausführungsform)

Ein Herstellungsverfahren eines Schiebers, bei dem die Materialien der Erhebungen 115 und 116 vom Material des Schiebers verschieden sind, wird mit Bezugnahme auf Fig. 37(a) bis 37(e) und Fig. 38(a) bis 38(c) gemäß der zwei undzwanzigsten Ausführungsform kurz beschrieben. Fig. 37(a) bis 37(e) zeigen jeweils eine Vorderansicht eines Schiebers, gesehen vom Luftaustrittsende, und Fig. 38(a) bis 38(c) zei gen jeweils eine Seitenansicht des Schiebers.

Auf die gleiche Weise wie in der neunzehnten Ausfüh rungsform wird, nachdem eine Vielzahl von Magnetwandlern in einer Scheibe aus Al₂O₃TiC gebildet wird, die Scheibe zer schnitten, um eine Vielzahl von Stäben zu bilden, und Schnittebenen der Stäbe werden gemäß einer Photolithogra phietechnik verarbeitet. Daher wird die geneigte Ebene 113, wie in Fig. 35(a) und 35(b) gezeigt, an einem Substrat jedes Stabs gebildet. Die geneigte Ebene 113 wird leicht durch das Ionenstrahlätzen eines Teils des Substrats aus einer Schräg richtung gebildet.

Wie in Fig. 37(a) und 38(a) dargestellt, wird danach eine Haftreibungsschicht 122 aus Siliciumcarbid (SiC) auf einem Substrat 121 mit einer Dicke von 3 nm gebildet, ein Schienenebenen-Schutzfilm 123 aus Diamant ähnlichem Kohlen stoff wird auf der Haftreibungsschicht 122 mit einer Dicke von 30 nm gebildet, um die Schienenebenen zu schützen, ein Zwischenfilm 124 aus Si oder SiC wird auf dem Schienenebe nen-Schutzfilm 123 mit einer Dicke von 3 nm gebildet, und ein Kontaktfilm 125 aus Diamant ähnlichem Kohlenstoff wird auf dem Zwischenfilm 124 mit einer Dicke von 30 nm in dieser Reihenfolge gebildet.

Anschließend wird der Kontaktfilm 125 mit einem Resist beschichtet, und das Resist wird Licht ausgesetzt, wie Ultraviolettlicht, und wird gemäß Photolithographie ent wickelt. Wie in Fig. 37(b) gezeigt, werden daher gemusterte Resists 126, die jeweils in einer Streifenform ausgebildet sind, auf dem Kontaktfilm 125 angeordnet. Die gemusterten Resists 126 bedecken Zonen, an denen die Schienenebenen 112 zu bilden sind.

Wie in Fig. 37(c) gezeigt, werden danach ein Teil des Kontaktfilms 125, ein Teil des Zwischenfilms 124, ein Teil des schienenebenen-Schutzfilms 123, ein Teil der Haftrei bungsschicht 122 und ein oberer Teil des Substrats 121, der nicht mit den gemusterten Resists 126 bedeckt ist, einer nach dem anderen durch das Ätzen der Filme gemäß einer Ionenstrahlätztechnik entfernt. Daher werden die konkaven Teile 114a gebildet, die jeweils das Substrat 121 in das Paar von Schienenebenen 112 teilen, und eine Vielzahl von Trennrillen 121a wird gebildet, die einen aus dem Stab und den Filmen bestehenden Block in eine Vielzahl von Schiebern teilen. Danach werden die gemusterten Resists 126 entfernt.

Anschließend wird der gemusterte Kontaktfilm 125 mit dem zweiten Resist beschichtet, und das zweite Resist wird belichtet und wird gemäß Photolithographie entwickelt. Wie in Fig. 37(d) und 38(b) gezeigt, wird daher ein Paar von ersten gemusterten Resists 127, die jeweils in einer zylin drischen Form mit einem Durchmesser von 100 µm ausgebildet sind, an einer Grenzzone zwischen der flachen Ebene 114 und der geneigten Ebene 113 der Schienenebene 112 gebildet, und ein Paar von zweiten gemusterten Resists 128, die jeweils in einer zylindrischen Form mit einem Durchmesser von 200 µm ausgebildet sind, wird an der Seite des Luftaustrittsendes der Schienenebenen 112 gebildet.

Danach werden Teile des Kontaktfilms 125, die weder mit den ersten gemusterten Resists 127 noch mit den zweiten ge musterten Resists 128 bedeckt sind, durch Sauerstoffplasma entfernt, und der unter den ersten und zweiten gemusterten Resists 127 und 128 angeordnete Kontaktfilm 125 bleibt zu rück, um die ersten und zweiten Erhebungen 115 und 116 zu bilden. Nachdem die ersten und zweiten gemusterten Resists 127 und 128 entfernt werden, wie in Fig. 37(e) und 38(c) ge zeigt, sind daher die ersten und zweiten Erhebungen 115 und 116 auf dem Zwischenfilm 124 angeordnet. Da der Zwischenfilm 124 aus Siliciumcarbid (SiC) durch das Sauerstoffplasma nicht geätzt wird, werden in diesem Fall die Filmdicke des Schienenebenen-Schutzfilms 123 und die Filmdicke der Erhe bungen 115 und 116 gleichmäßig, die Größen und Formen des Schienenebenen-Schutzfilms 123 und der Erhebungen 115 und 116 werden mit hoher Genauigkeit eingestellt, und die Aus beuterate des Schiebers wird verbessert.

Danach wird das Substrat 121 in eine Vielzahl von Schiebern unterteilt, indem die Trennrillen 121a durchge schnitten werden. Die longitudinale Länge des Schiebers ent lang der Schienenebene 112 beträgt 2 mm, die seitliche Länge des Schiebers in einer die beiden Schienenebenen 112 kreu zenden Richtung beträgt 1,6 mm.

Im obigen Herstellungsverfahren werden die Erhebungen 115 und 116 aus dem Kontaktfilm 125 gebildet. Es ist jedoch möglich, den Zwischenfilm 124 als zusätzliche Teile der Er hebungen 115 und 116 zu verwenden, indem der Zwischenfilm 124 mit den Erhebungen 115 und 116 als Maske gemustert wird. Es ist auch möglich, ein Material des Schienenebenen-Schutz films 123, der die Schienenebenen 112 bedeckt, aus der Gruppe von SiO₂, Al₂O₃, Si und SiC auszuwählen.

Die Form und Höhe der Erhebung und eine Schnittfläche des oberen Teils der Erhebung müssen in Abhängigkeit von der Form des Schiebers und einem Verjüngungswinkel der geneigten Ebene 113 geeignet geändert werden. Wie durch eine strich punktierte Linie in Fig. 38(c) angegeben, ist es auch mög lich, die Erhebungen 115 und 116 und die Schienenebenen 112 mit dem Schutzfilm 118 aus einem Material, wie SiO₂, Al₂O₃, Si, SiC oder Diamant ähnlichem Kohlenstoff, zu bedecken. Die Anzahl zweiter Erhebungen 116, die an der Seite des Luftaus trittsendes der Schienenebenen 112 angeordnet sind, ist auch nicht auf zwei beschränkt. Das heißt, es ist möglich, daß nur eine einzige zweite Erhebung 116 im Schieber angeordnet ist. Ebenso ist es möglich, den Schieber in dieser Ausfüh rungsform anstelle des Schiebers in der sechzehnten Ausfüh rungsform zu verwenden.

(Dreiundzwanzigste Ausführungsform)

Als nächstes wird die dreiundzwanzigste Ausführungsform beschrieben.

Fig. 39 ist eine Draufsicht eines Magnetaufzeichnungs laufwerks, das hauptsächlich aus einem Schieber und einer Magnetplatte besteht, gemäß der dreiundzwanzigsten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung.

Wie in Fig. 39 gezeigt, umfaßt ein Magnetaufzeichnungs laufwerk 131 die Magnetplatte 10, 52, 77 oder 100, den Schieber 2, 51, 62, 71, 98, 105 oder 111, und einen Federarm 132 (oder die Stützfeder) zum Tragen des Schiebers.

Die Oberfläche der Magnetplatte 10, 52, 77 oder 100 ist in eine Datenzone, die an der äußersten Seite angeordnet ist, eine Stoppzone, an der die Bewegung des Schiebers an gehalten wird, und eine Kontakt-Start-Stopp(CSS)-Zone, die an der innersten Seite angeordnet ist, geteilt. Wenn Infor mationen aus der Magnetplatte gelesen bzw. in diese ge schrieben werden, fliegt der Schieber an der Datenzone der Magnetplatte.

Daher kann das Magnetaufzeichnungslaufwerk 131 unter Verwendung des Schiebers 2, 51, 62, 71, 98, 105 oder 111 gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt werden.

Das Zentrum der Drucklast des Federarms 132 auf den Kopfschieber 2, 51, 62, 71, 98, 105 oder 111 wird in einer von einer Vielzahl von Erhebungen umgebenen Zone angeordnet.

Claims

1. Kopfschieber für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, mit:
einem Substrat (43) zum Halten eines Wandlers (41),
wobei Informationen vom Wandler (41) aus einer Aufzeich nungsplatte (52) gelesen bzw. in diese geschrieben werden;
einer Schienenebene (43b, 43c), die an einer der Auf zeichnungsplatte (52) zugewandten Oberfläche des Substrats (43) angeordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte (52) bewirkten Schwebekraft;
einer ersten Erhebung (45b), die auf einem ersten Teil der Schienenebene (43b, 43c) angeordnet ist, der nahe bei einem Lufteintrittsende des Substrats (43) liegt;
einer zweiten Erhebung (45a), die auf einem zweiten Teil der Schienenebene (43b, 43c) angeordnet ist, der nahe bei einem Luftaustrittsende des Substrats (43) liegt; und
einer dritten Erhebung (45a), die auf einem dritten Teil der Schienenebene (43b, 43c) angeordnet ist, der nahe beim Luftaustrittsende des Substrats (43) liegt.

2. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 1, bei welchem die Höhe der ersten Erhebung höher ist als jene der zweiten und dritten Erhebung.

3. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 1, bei welchem das Zentrum einer Kraftlast des Sub strats auf die Aufzeichnungsplatte in einer Zone angeordnet ist, die von der ersten Erhebung, der zweiten Erhebung und der dritten Erhebung umgeben ist.

4. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 1, bei welchem jede der ersten, zweiten und dritten Erhebung aus einem Material besteht, das aus der Gruppe be stehend aus amorphem Kohlenstoff, Diamant ähnlichem Kohlen stoff und Oxid ausgewählt ist.

5. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 1, bei welchem die Schienenebene aus einer Verjün gungsebene, die an der Seite des Lufteintrittsendes des Sub strats angeordnet ist, und einer flachen Ebene besteht, die in einer Zone angeordnet ist, welche von einer zentralen Po sition zur Seite des Luftaustrittsendes des Substrats reicht, und die erste Erhebung auf einer Grenzzone angeord net ist, welche von der Verjüngungsebene zur flachen Ebene der Schienenebene reicht, und einen gebogenen Teil aufweist, der in der Richtung der Dicke des Substrats rechtwinkelig zur Oberfläche des Substrats gekrümmt ist.

6. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 5, bei welchem die erste Erhebung eine obere Fläche aufweist, die in elliptischer Form ausgebildet ist.

7. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 1, ferner mit einer Zone zur Erzeugung eines Unter drucks, die an der der Aufzeichnungsplatte zugewandten Ober fläche des Substrats gebildet ist.

8. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 1, bei welchem die Schienenebene (43c, 43b) ein Paar von seitlichen Schienenebenen und eine vordere Schie nenebene (43c) umfaßt, die nahe beim Lufteintrittsende zwi schen den seitlichen Schienenebenen (43b) durch Schlitze (49a) gebildet ist, und ein Teil (49) zur Erzeugung eines Unterdrucks in einer Zone zwischen der vorderen Schienenebe ne (43c) und den seitlichen Schienenebenen in einer zentra len Zone und nahe beim Luftaustrittsende des Substrats (43) angeordnet ist.

9. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 8, bei welchem eine erste Erhebung auf der vorderen Schienenebene gebildet ist, und die zweite und dritte Erhe bung auf den seitlichen Schienenebenen nahe beim Luftaus trittsende gebildet sind.

10. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 1, bei welchem die Fläche der ersten Erhebung kleiner ist als die Gesamtfläche der zweiten und dritten Er hebung.

11. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk, mit:
einem Substrat (111) zum Halten eines Wandlers (117),
wobei Informationen vom Wandler (117) aus einer Aufzeich nungsplatte gelesen bzw. in diese geschrieben werden;
einem Paar von Schienenebenen (114), die an einer der Aufzeichnungsplatte zugewandten Oberfläche des Substrats nahe bei beiden Seiten angeordnet sind, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte bewirkten Schwe bekraft;
einer ersten Erhebung (115), die auf einem Teil der Schienenebene (114) angeordnet ist, der nahe bei einem Luft eintrittsende des Substrats (111) liegt; und
einer zweiten Erhebung (116), die auf einem Teil der Schienenebene (114) nahe bei einem Luftaustrittsende des Substrats angeordnet ist, wobei die Gesamtfläche der zweiten Erhebungen (116) größer ist als jene der ersten Erhebungen (115).

12. Kopfschieber für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, mit:
einem Substrat (43) zum Halten eines Wandlers (41),
wobei Informationen vom Wandler aus einer Aufzeichnungsplat te (52) gelesen bzw. in diese geschrieben werden;
einer Schienenebene (43b), die an einer der Aufzeich nungsplatte zugewandten Oberfläche des Substrats (43) ange ordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Auf zeichnungsplatte bewirkten Schwebekraft;
einer oder mehreren ersten Erhebungen (45b), die auf einem ersten Teil der Schienenebene angeordnet sind, der nahe bei einem Lufteintrittsende des Substrats liegt;
einer oder mehreren zweiten Erhebungen (45a), die auf einem zweiten Teil der Schienenebene angeordnet sind, der nahe bei einem Luftaustrittsende des Substrats (43) liegt; und
einem Lastbalken (54) zum Ausüben einer Belastungskraft auf den Punkt des Substrats (43), um die Belastungskraft auf 2 gf oder weniger einzustellen.

13. Kopfschieber für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, mit:
einem Substrat (43) zum Halten eines Wandlers (41),
wobei Informationen vom Wandler (41) aus einer Aufzeich nungsplatte gelesen bzw. in diese geschrieben werden, und wobei die Länge vom Lufteintrittsende zum Luftaustrittsende des Substrats (43) 2 mm oder weniger beträgt;
einer Schienenebene (43b, 43c), die an einer der Auf zeichnungsplatte zugewandten Oberfläche des Substrats (43) angeordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte bewirkten Schwebekraft;
einer oder mehreren ersten Erhebungen (45b), die auf einem ersten Teil der Schienenebene (43c) angeordnet sind, der nahe bei der Seite eines Lufteintrittsendes des Sub strats liegt; und
einer oder mehreren zweiten Erhebungen (45a), die auf einem zweiten Teil der Schienenebene (43c) angeordnet sind, der nahe bei der Seite eines Luftaustrittsendes des Sub strats (43) liegt.

14. Kopfschieber für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, mit:
einem Substrat (43) zum Halten eines Wandlers (41),
wobei Informationen vom Wandler (41) aus einer Aufzeich nungsplatte gelesen bzw. in diese geschrieben werden;
einer Schienenebene (43b, 43c), die an einer der Auf zeichnungsplatte zugewandten Oberfläche des Substrats (43) angeordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte bewirkten Schwebekraft;
einer oder mehreren ersten Erhebungen (45b), die auf einem ersten Teil der Schienenebene angeordnet sind, der nahe bei der Seite eines Lufteintrittsendes des Substrats (43) liegt;
einer oder mehreren zweiten Erhebungen (45a), die auf einem zweiten Teil der Schienenebene angeordnet sind, der nahe bei der Seite eines Luftaustrittsendes des Substrats (43) liegt; und
wobei das Gewicht des Substrats (43), der Schienenebene (43b, 43c), der ersten Erhebungen (45b) und der zweiten Er hebungen (45a) 6 mg oder weniger beträgt.

15. Kopfschieber für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, mit:
einem Substrat (2) zum Halten eines Wandlers (6), wobei Informationen vom Wandler aus einer Aufzeichnungsplatte (10) gelesen bzw. in diese geschrieben werden;
einem Paar von Schienenebenen (4), die an einer der Aufzeichnungsplatte (10) zugewandten Oberfläche des Sub strats (2) nahe bei beiden Seiten angeordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte (10) bewirkten Schwebekraft; und
Erhebungselementen (8, 28), die auf jeder der Schienen ebenen (4) angeordnet sind, wobei eine erste Distanz zwi schen jedem der Erhebungselemente (8, 28) und der Aufzeich nungsplatte (10) höher ist als eine zweite Distanz zwischen einem Luftaustrittsende des Substrats (2) und der Aufzeich nungsplatte (10), unter der Bedingung, daß das Substrat (2) über der Aufzeichnungsplatte (10) schwebt.

16. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 15, bei welchem das Zentrum der Preßlast des Sub strats auf die Aufzeichnungsplatte in einer Zone angeordnet ist, die von einer Vielzahl von Erhebungen, welche die Erhe bungselemente enthalten, umgeben ist.

17. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 15, bei welchem eine inselförmige Schienenebene zwischen Teilen der Schienenoberflächen angeordnet ist, die an der Seite des Lufteintrittsendes des Substrats liegen, eine zweite Erhebung auf der inselförmigen Schienenebene an geordnet ist, und jedes der Erhebungselemente eine Erhebung umfaßt, die auf einem Teil einer Schienenebene angeordnet ist, der an der Seite des Luftaustrittsendes des Substrats liegt.

18. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 15, bei welchem ein Punkt des Substrats, auf den eine Stützkraft ausgeübt wird, um eine Belastungskraft zwi schen einer Gruppe der Erhebungselemente und der zweiten Er hebung einzustellen, in einer Zone angeordnet ist, die von den beiden Erhebungen der Erhebungselemente und der zweiten Erhebung umgeben ist.

19. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 15, bei welchem jede der Schienenebenen aus einer Verjüngungsebene, die an der Seite des Lufteintrittsendes des Substrats angeordnet ist, und einer flachen Ebene be steht, die in einer Zone angeordnet ist, welche von einer zentralen Position zur Seite des Luftaustrittsendes des Substrats reicht, jedes der Erhebungselemente auf einer Grenzzone angeordnet ist, die von der Verjüngungsebene zur flachen Ebene einer Schienenebene reicht, und zumindest eines der Erhebungselemente einen gebogenen Teil aufweist, der in der Richtung der Dicke des Substrats, rechtwinkelig zur Oberfläche des Substrats, gekrümmt ist.

20. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 15, bei welchem jedes der Erhebungselemente aus einem Material hergestellt ist, das aus der Gruppe bestehend aus amorphem Kohlenstoff, Diamant ähnlichem Kohlenstoff und Oxid ausgewählt ist.

21. Kopfschieber für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, mit:
einem Substrat (2) zum Halten eines Wandlers, wobei In formationen vom Wandler (6) aus einer Aufzeichnungsplatte (10) gelesen bzw. in diese geschrieben werden;
einem Paar von Schienenebenen (4), die an einer der Aufzeichnungsplatte (10) zugewandten Oberfläche des Sub strats (2) nahe bei beiden Seiten angeordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte (10) bewirkten Schwebekraft;
einer ersten Erhebung (8), die auf einem Teil der Schienenebene (4) angeordnet ist, welche nahe bei einem Lufteintrittsende des Substrats (2) liegt; und
einer zweiten Erhebung (28), die auf Teilen der Schie nenebene (4) angeordnet ist, welche nahe bei einem Luftaus trittsende des Substrats (2) liegen, wobei die Höhe der zweiten Erhebung (28) niedriger ist als jene der ersten Er hebung (8).

22. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 21, bei welchem ein Punkt des Substrats, auf den eine Belastungskraft ausgeübt wird, in einer Zone angeordnet ist, die von den ersten Erhebungen und den zweiten Erhe bungen umgeben ist.

23. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 21, bei welchem jede der Schienenebenen aus einer Verjüngungsebene, die an der Seite des Lufteintrittsendes des Substrats angeordnet ist, und einer flachen Ebene be steht, die in einer Zone angeordnet ist, welche von einer zentralen Position zur Seite des Luftaustrittsendes des Sub strats reicht, jede der ersten Erhebungen an einer Grenzzone angeordnet ist, die von der Verjüngungsebene zur flachen Ebene einer Schienenebene reicht, und zumindest eine der ersten Erhebungen einen gebogenen Teil aufweist, der in der Richtung der Dicke des Substrats, rechtwinkelig zur Oberflä che des Substrats, gekrümmt ist.

24. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 21, bei welchem jede der ersten und zweiten Erhe bungen aus einem Material hergestellt ist, das aus der Gruppe bestehend aus amorphem Kohlenstoff, Diamant ähnlichem Kohlenstoff und Oxid ausgewählt ist.

25. Kopfschieber für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, mit:
einem Substrat (2) zum Halten eines Wandlers, wobei In formationen vom Wandler (6) aus einer Aufzeichnungsplatte (10) gelesen bzw. in diese geschrieben werden;
einem Paar von Schienenebenen (4), die an einer der Aufzeichnungsplatte (10) zugewandten Oberfläche des Sub strats (2) nahe bei beiden Seiten angeordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte (10) bewirkten Schwebekraft; und
einer Erhebung (30), die an nahezu zentralen Teilen jeder Schienenebene (4) angeordnet ist.

26. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 25, bei welchem eine erste Distanz zwischen jeder der Erhebungen und der Aufzeichnungsplatte länger ist als eine zweite Distanz zwischen einem Unterseitenteil des Sub strats, der am Luftaustrittsende des Substrats angeordnet ist, und der Aufzeichnungsplatte, unter der Bedingung, daß das Substrat über die Aufzeichnungsplatte fliegt.

27. Magnetaufzeichnungslaufwerk, mit:
einem Aufzeichnungsmedium (77);
einem Kopfschieber (71), der umfaßt:
ein Substrat mit einem Wandler (76),
eine Schienenebene (73), die an einer dem Auf zeichnungsmedium zugewandten Oberfläche des Substrats angeordnet ist, um den Kopfschieber zum Fliegen zu bringen, und
eine oder mehrere Erhebungen (74), die auf der Schienenebene angeordnet sind;
und einer Schmiermittelschicht (78), die auf dem Aufzeich nungsmedium (77) mit einer Filmdicke angeordnet ist, die kleiner ist als die Höhe jeder der Erhebungen (74) und größer ist als die Oberflächenrauhigkeit des Aufzeichnungs mediums (77).

28. Aufzeichnungsplatte nach Anspruch 27, bei welcher eine Seitenfläche jeder der Erhebungen und ein Teil der Schienen ebene, der die Erhebungen umgibt, von der Schmiermittel schicht bedeckt sind.

29. Aufzeichnungsplatte nach Anspruch 27, bei welcher jede der Erhebungen einen Verjüngungsteil an ihrer Seitenfläche aufweist, und die Querschnittsfläche jeder der Erhebungen, die der Schienenebene zugewandt ist, entlang einer Richtung von einem oberen Teil jeder der Erhebungen zur schienenebene allmählich zunimmt.

30. Aufzeichnungsplatte nach Anspruch 27, bei welcher die Höhe jeder der Erhebungen zweimal oder mehrere Male so hoch ist wie eine mittlere Rauhigkeit einer Oberfläche des Auf zeichnungsmediums.

31. Aufzeichnungsplatte nach Anspruch 27, bei welcher die Tiefe der Schmiermittelschicht größer ist als eine mittlere Rauhigkeit einer Oberfläche des Aufzeichnungsmediums.

32. Aufzeichnungsplatte nach Anspruch 27, bei welcher die Scheitelhöhe der Schienenebene 1,27 × 10^-2 µm oder weniger beträgt.

33. Aufzeichnungsplatte nach Anspruch 27, bei welcher die Gesamtfläche der oberen Teile der Erhebungen 10% oder weniger der Fläche der Schienenebene beträgt.

34. Aufzeichnungsplatte nach Anspruch 27, bei welcher jede der Erhebungen aus einem Material mit wasserabstoßenden Eigenschaften oder ölabstoßenden Eigenschaften besteht.

35. Aufzeichnungsplatte nach Anspruch 27, bei welcher ein oberer Teil jeder der Erhebungen mit einem Schmiermittel be deckt ist.

36. Aufzeichnungsplatte nach Anspruch 27, bei welcher eine oder mehrere erste Erhebungen auf einem Teil der Schienen ebene angeordnet sind, der nahe beim Lufteintrittsende des Substrats liegt, zweite Erhebungen auf einem Teil der Schie nenebene angeordnet sind, der nahe beim Luftaustrittsende des Substrats liegt, und die Gesamtfläche der ersten Erhe bungen kleiner ist als jene der zweiten Erhebungen.

37. Aufzeichnungsplatte nach Anspruch 27, bei welcher die Erhebungen in eine erste Erhebung und zwei zweite Erhebungen eingeteilt werden, die erste Erhebung auf einem Teil der Schienenebene angeordnet ist, der an der Seite des Luftein trittsendes des Substrats liegt, und die zweiten Erhebungen auf Teilen der Schienenebene angeordnet sind, die an der Seite des Luftaustrittsendes des Substrats liegen.

38. Kopfschieber für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, mit:
einem Substrat (93) zum Halten eines Wandlers (92),
wobei Informationen vom Wandler (92) aus einer Aufzeich nungsplatte (100) gelesen bzw. in diese geschrieben werden;
einer Schienenebene (94), die an einer der Aufzeich nungsplatte (100) zugewandten Oberfläche des Substrats (93) angeordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte (100) bewirkten Schwebekraft;
einer Erhebung (97), die auf der Schienenebene (94) an geordnet ist; und
einem Schmiermittel (99) zum Bedecken eines oberen Teils der Erhebung (97).

39. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 38, bei welchem die Erhebung aus amorphem Kohlen stoff hergestellt ist, und das Schmiermittel aus einem Fluor enthaltenden Schmiermittel mit einem Benzol-Ring besteht.

40. Kopfschieber für das Magnetaufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 38, bei welchem die Erhebung aus einem Oxid herge stellt ist, und das Schmiermittel aus einem Fluor enthal tenden Schmiermittel mit einer Hydroxyl-Gruppe besteht.

41. Herstellungsverfahren eines Kopfschiebers für ein Mag netaufzeichnungslaufwerk, welches die Schritte umfaßt:
Bilden einer Schienenebene (94) an einem Substrat (93), In dem ein Wandler (92) gehalten wird, wobei eine Schwebekraft durch eine Drehung einer Aufzeichnungsplatte erzeugt wird;
Bilden einer oder mehrerer Erhebungen (97) auf der Schienenoberfläche (94);
Beschichten der Erhebung (97) mit einem Schmiermittel (99); und
Bestrahlen des Schmiermittels (99) mit Ultraviolett licht, um das Schmiermittel (99) fest an die Erhebung (97) zu kleben.

42. Kopfschieber für ein Magnetaufzeichnungslaufwerk, mit:
einem Substrat (93) zum Halten eines Wandlers (92), wobei Informationen vom Wandler (92) aus einer Aufzeich nungsplatte (100) gelesen bzw. in diese geschrieben werden;
einer Schienenebene (94), die an einer der Aufzeich nungsplatte (100) zugewandten Oberfläche des Substrats (93) angeordnet ist, zum Empfangen einer durch eine Drehung der Aufzeichnungsplatte (100) bewirkten Schwebekraft; und
einer oder mehreren Erhebungen (97), die auf der Schie nenebene (94) angeordnet sind, wobei Oberflächen der Erhe bungen (97) aus fluoriertem Kohlenstoff hergestellt sind.

43. Herstellungsverfahren eines Kopfschiebers für ein Mag netaufzeichnungslaufwerk, welches die Schritte umfaßt:
Bilden einer Schienenebene (94) an einem Substrat (93), in dem ein Wandler (92) gehalten wird, wobei eine Schwebe kraft durch eine Drehung einer Aufzeichnungsplatte erzeugt wird;
Bilden einer oder mehrerer Erhebungen (97) aus Kohlen stoffhydroxid auf der Schienenebene (94); und
Fluorieren von Oberflächen der Erhebungen (97) mit einem Mischgas, in dem Argon und fluorierter Kohlenstoff enthalten sind.

44. Herstellungsverfahren eines Kopfschiebers für ein Mag netaufzeichnungslaufwerk, welches die Schritte umfaßt:
Bilden eines Schienenebenen-Schutzfilms (123) auf einem Substrat (121);
Bilden eines Erhebungsbildungsfilms (125) auf dem Schienenebenen-Schutzfilm (123);
Mustern des Erhebungsbildungsfilms (125), des Schienen ebenen-Schutzfilms (123) und eines oberen Teils des Sub strats (121), um einen konkaven Teil (111a) zu bilden;
Verarbeiten oberer Flächen des Substrats (121), die an beiden Seiten des konkaven Teils (111a) abstehen, als Paar von Schienenebenen (112);
Bilden einer oder mehrerer erster Erhebungen (115) aus dem Erhebungsbildungsfilm (125) auf Teilen der Schienenebe nen (112), die auf dem Substrat (121) nahe beim Luftein trittsende angeordnet sind, durch das Mustern des auf den Schienenebenen (112) zurückbleibenden Erhebungsbildungsfilms (125); und
Bilden einer oder mehrerer zweiter Erhebungen (115) aus dem Erhebungsbildungsfilm (125) auf Teilen der Schienenebe nen (112), die auf dem Substrat (121) nahe beim Luftaus trittsende angeordnet sind, durch das Mustern des auf den Schienenebenen (112) zurückbleibenden Erhebungsbildungsfilms (125), wobei die Querschnittsfläche jeder der zweiten Erhe bungen (116) größer ist als jene jeder der ersten Erhebungen (115).

45. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 44, bei welchem der Schritt der Bildung eines Schienenebenen-Schutzfilms ent hält:
Bilden des Erhebungsbildungsfilms aus Diamant ähnlichem Kohlenstoff; und
Bilden des Schienenebenen-Schutzfilms aus Siliciumoxid, Aluminiumoxid, Silicium, Siliciumcarbid oder Diamant ähnli chem Kohlenstoff.

46. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 44, bei welchem der Schritt der Bildung eines Schienenebenen-Schutzfilms ent hält:
Bilden eines Zwischenfilms, der zwischen dem Erhebungs bildungsfilm und dem Schienenebenen-Schutzfilm anzuordnen ist,
der Schritt der Bildung einer oder mehrerer erster Erhebun gen enthält:
Ätzen des Erhebungsbildungsfilms unter Verwendung eines Ätzmittels ohne Ätzen des Zwischenfilms;
und der Schritt der Bildung einer oder mehrerer zweiter Er hebungen enthält:
Ätzen des Erhebungsbildungsfilms unter Verwendung eines Ätzmittels ohne Ätzen des Zwischenfilms.

47. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 46, bei welchem der Schritt der Bildung eines Schienenebenen-Schutzfilms ent hält:
Bilden des Erhebungsbildungsfilms aus Diamant ähnlichem Kohlenstoff, um die ersten und zweiten Erhebungen aus Diamant ähnlichem Kohlenstoff zu bilden; und
Bilden des Zwischenfilms aus Silicium oder Silicium carbid.

48. Herstellungsverfahren eines Kopfschiebers für ein Mag netaufzeichnungslaufwerk, welches die Schritte umfaßt:
Bilden eines Erhebungsbildungsfilms (45) an einer Ober fläche eines Substrats (43), die als Schienenebene (43b) verwendet wird, mit einer Haftschicht (44), wobei eine Schwebekraft durch die Drehung einer Magnetplatte erzeugt wird;
Bedecken eines Erhebungsbildungsteils des Erhebungsbil dungsfilms (45) mit einer ersten Maske (46);
Entfernen des Erhebungsbildungsfilms (45), der nicht mit der ersten Maske (46) bedeckt ist, durch das Zuführen eines ersten Ätzgases zum Erhebungsbildungsfilm (45), unter der Bedingung, daß die Ätzrate des ersten Ätzgases des Erhe bungsbildungsfilms (45) höher ist als jene der Haftschicht (44); und
Bilden einer Erhebung (45a) aus dem Erhebungsbildungs film (45), der unter der ersten Maske (46) angeordnet ist.

49. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 48, welches ferner die Schritte umfaßt:
Bilden einer zweiten Maske, die in Form einer Flugober fläche gebildet ist und ein Fenster in einer Zone aufweist, in der ein konkaver Teil, der entlang eines Luftstroms ver läuft, zu bilden ist, auf der Haftschicht und der ersten Maske, nachdem die Erhebung im Schritt der Bildung einer Er hebung gebildet wird;
Ätzen der Haftschicht und eines oberen Teils des Sub strats durch das Fenster der zweiten Maske, um den konkaven Teil auf dem geätzten Substrat zu bilden;
Bilden der Schienenebene mit der nicht-geätzten Haft schicht; und
gleichzeitiges Entfernen der ersten und zweiten Maske.

50. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 49, welches ferner den Schritt umfaßt:
Bilden eines Schutzfilms zum Schützen der Haftschicht, die als äußerste Oberfläche der Schienenebene angeordnet ist, nach dem Schritt der gleichzeitigen Entfernung der ersten und zweiten Maske.

51. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 48, bei welchem der Schritt der Bildung eines Erhebungsbildungsfilms enthält:
Bilden des Zwischenfilms aus Diamant ähnlichem Kohlen stoff, Aluminiumoxid oder Siliciumoxid.

52. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 48, bei welchem der Schritt des Bedeckens eines Erhebungsbildungsteils enthält:
Bilden der ersten Maske durch Belichten und Entwickeln eines Trockenfilm-Resists.

53. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 48, bei welchem der Schritt der Bildung der zweiten Maske enthält:
Ätzen der ersten Maske zur Verringerung der Dicke der ersten Maske auf 10 µm oder weniger;
Laminieren eines Trockenfilm-Resists auf die erste Maske, deren Dicke verringert ist; und
Belichten und Entwickeln des Trockenfilm-Resists, um die zweite Maske zu bilden.

54. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 49, bei welchem der Schritt der Bildung der zweiten Maske enthält:
Aufbringen eines Flüssig-Resists auf das Substrat und die erste Maske; und
Backen, Belichten und Entwickeln des Flüssig-Resists, um die zweite Maske zu bilden.

55. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 48, bei welchem der Schritt der Bildung eines Erhebungsbildungsfilms enthält:
Bilden der Haftschicht aus Silicium oder Silicium carbid, und
Bilden des Erhebungsbildungsfilms aus Diamant ähnlichem Kohlenstoff;
und der Schritt der Entfernung des Erhebungsbildungsfilms enthält:
Bilden des ersten Ätzgases aus Sauerstoffplasma.

56. Herstellungsverfahren eines Kopfschiebers für ein Mag netaufzeichnungslaufwerk, welches die Schritte umfaßt:
Bilden eines Schutzfilms (61) an einer Oberfläche eines Substrats (43), die als Schienenebene (43a) verwendet wird, wobei eine Schwebekraft durch den Luftstrom mit der Plattenrotation erzeugt wird;
Bilden eines Erhebungsbildungsfilms (45) auf dem Schutzfilm (61) durch eine Haftschicht (44);
Bedecken eines Erhebungsbildungsteils des Erhebungsbil dungsfilms (45) mit einer ersten Maske (46);
Entfernen des Erhebungsbildungsfilms (45), der nicht mit der ersten Maske (46) bedeckt ist, durch das Zuführen eines ersten Ätzgases zum Erhebungsbildungsfilm (45), unter der Bedingung, daß die Ätzrate des ersten Ätzgases am Erhe bungsbildungsfilm (45) höher ist als jene der Haftschicht (44);
Bilden einer Erhebung (45a) aus dem Erhebungsbildungs film (45), der unter der ersten Maske (46) angeordnet ist; und
Entfernen der Haftschicht (44), die nicht mit der Erhe bung (45a) bedeckt ist, durch das Zuführen eines zweiten Ätzgases zur Haftschicht (44), unter der Bedingung, daß die Ätzrate des zweiten Ätzgases an der Haftschicht (44) höher ist als jene am Schutzfilm (61).

57. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 56, welches ferner die Schritte umfaßt:
Bilden einer zweiten Maske, die in Form einer Schienen ebene gebildet ist und ein Fenster in einer Zone aufweist, in der ein konkaver Teil, der entlang eines Luftstroms ver läuft, zu bilden ist, auf dem Schutzfilm und der ersten Maske nach dem Schritt der Entfernung der Haftschicht;
Ätzen des Schutzfilms und eines oberen Teils des Sub strats durch das Fenster der zweiten Maske, um den konkaven Teil auf dem geätzten Substrat zu bilden; und
gleichzeitiges Entfernen der ersten und zweiten Maske.

58. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 56, bei welchem der Schritt der Bildung eines Schutzfilms enthält:
Bilden des Schutzfilms aus Diamant ähnlichem Kohlen stoff, Aluminiumoxid oder Siliciumoxid.

59. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 56, bei welchem der Schritt des Bedeckens eines Erhebungsbildungsteils enthält:
Bilden der ersten Maske durch das Belichten und Ent wickeln eines Trockenfilm-Resists.

60. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 57, bei welchem der Schritt der Bildung einer zweiten Maske enthält:
Ätzen der ersten Maske zur Verringerung der Dicke der ersten Maske auf 10 µm oder weniger;
Aufbringen eines Trockenfilm-Resists auf der ersten Maske, deren Dicke verringert ist; und
Belichten und Entwickeln des Trockenfilm-Resists, um die zweite Maske zu bilden.

61. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 57, bei welchem der Schritt der Bildung einer zweiten Maske enthält:
Aufbringen eines Flüssig-Resists auf der ersten Maske und dem Substrat; und
Backen, Belichten und Entwickeln des Flüssig-Resists, um die zweite Maske zu bilden.

62. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magriet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 56, bei welchem der Schritt der Bildung eines Erhebungsbildungsfilms enthält:
Bilden der Haftschicht aus Silicium oder Silicium carbid, und
Bilden des Erhebungsbildungsfilms aus Diamant ähnlichem Kohlenstoff;
und der Schritt der Entfernung des Erhebungsbildungsfilms enthält:
Bilden des ersten Ätzgases aus Sauerstoffplasma.

63. Herstellungsverfahren des Kopfschiebers für das Magnet aufzeichnungslaufwerk nach Anspruch 56, bei welchem der Schritt der Bildung eines Schutzfilms enthält:
Bilden des Schutzfilms aus Diamant ähnlichem Kohlen stoff, Aluminiumoxid oder Siliciumoxid;
der Schritt der Bildung eines Erhebungsbildungsfilms ent hält:
Bilden der Haftschicht aus Silicium;
und der Schritt der Entfernung der Haftschicht enthält:
Bilden des zweiten Ätzgases aus CF₄-Plasma oder ge mischtem CF₄- und O₂-Plasma.