KR910003818A - 불휘발성 반도체기억장치 및 그 동작방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 E2PROM의 평면도,
제2도는 제1도에 나타낸 A-A′선에 따른 단면도,
제3도 (a) 내지 제3도 (f)는 제1실시예에 관한 장치를 제조공정순으로 나타낸 단면도.
Claims (3)
- 특정의 메모리셀을 지정하는 기능을 갖춘 선택게이트(111)와 하전(荷電)캐리어를 축적함으로써 정보를 기억하는 기능을 기진 부유게이트(106)를 적어도 구비한 불휘발성 반도체기억장치의 동작방법에 있어서, 기억정보의 소거시 상기 선택게이트로 부유게이트에 대해 고전위를 인가함으로써 상기 부유게이트속으로부터 여기에 축적되어 있는 하전캐리어를 선택게이트로 향해 인출하여 기억정보의 소거를 실행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치의 동작방법.
- 제1도전형의 반도체기판(101)내에 형성된 제1, 제2의 제2도전형 확산층(102, 103)고, 이들 상호간에 존재하는 채널영역상에 제1절연막(105)을 매개로 형성된 부유게이트전극(106), 이 부유게이트전극상에 또한 제2절연막(107)을 매개로 형성된 제어게이트전극(108), 이들에 의해 구성되는 적층체의 측벽에 제3절연막(109)을 매개로 형성된 선택게이트전극(111)을 구비한 불휘발성 반도체기억장치에 있어서, 기억정보의 기록시 상기 제어게이트 전극, 선택게이트전극 및 제1의 제2도전형 확산층에 동일극성의 전위을 각각 인가하고, 상기 부유게이트전극속으로 하전캐리어를 주입하는 수단과, 기억정보의 독출시 상기 선택게이트전극에 기록시보다 높은 전위를 인가하고 제어게이트전극 및 제1의 제2도전형 확산층에 기록시보다 낮은 전위를 각각 인가하며 상기 부유게이트 아래의 채널형성의 유무를 조사함으로써 기억정보를 나타내는 부유게이트의 대전상태를 조사하는 수단, 기억정보의 소거시 상기 선택게이트전극에 기록시 보다 높은 전위를 인가하고 상기 부유게이트속의 하전캐리어를 선택게이트로 향해 인출하는 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
- 제1도전형의 반도체기판(101)내에 형성된 제1, 제2의 제2도전형 확산층(102, 103)과, 이들 상호간에 존재하는 채널영역상에 제1절연막(105)을 마개로 형성된 부유게이트전극(106). 이 부유게이트전극상에 또한 제2절연막(107)을 매개로 형성된 제어게이트(108), 이들에 의해 구성된 적층체의 한쪽 측부에 제3절연막(109a)을 매개로 형성된 선택게이트전극(111a), 다른쪽의 측벽에 제4절연막(109b)을 매개로 형성된 소거게이트전극(111b)을 구비한 불휘발성 반도체기억장치에 있어서, 기억정보의 기록시 상기 제어게이트전극, 선택게이트전극, 소거게이트전극 및 제1의 제2도전형 확산층에 동일극성의 전위를 각각 인가하고 상기 부유게이트전극속으로 하전캐리어를 주입하는 수단과, 기억정보의 독출시 상기 선택게이트 전극에 기록시보다 낮은 전위를 각각 인가하고 상기 부유게이트 아래의 채널형성의 유무를 조사함으로써 기억정보를 나타내는 부유게이트의 대전상태를 조사하는 수단, 기억정보의 소거시 상기 소거게이트전극에 기록시 보다 높은 전위를 인가하여 상기 부유게이트속의 하전캐리어를 소거게이트로 향해 인출하는 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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