KR900006972A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR900006972A
KR900006972A KR1019890012802A KR890012802A KR900006972A KR 900006972 A KR900006972 A KR 900006972A KR 1019890012802 A KR1019890012802 A KR 1019890012802A KR 890012802 A KR890012802 A KR 890012802A KR 900006972 A KR900006972 A KR 900006972A
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semiconductor memory
pair
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KR1019890012802A
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가즈마사 야나기사와
Original Assignee
미다 가쓰시게
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 적용된 다이내믹형 RAM의 1실시예를 도시한 블럭도,
제2도는 제1도의 다이내믹형 RAM의 메모리 어레이 및 그 주변회로의 1실시예를 도시한 부분적인 회로도,
제5도는 다이내믹형 RAM의 접속상태의 1예를 도시한 개념도.

Claims (8)

  1. 쌍을 이루어 인접해서 배치되는 제 1 및 제2의 메모리 어레이 및 그 연장방향의 소정의 위치에서 서로 교차해서 배치되고, 또한 상기 소정의 위치의 양측에서 상기 제1 도는 제2의 메모리 어레이의 지정된 데이타선이 선택적으로 접속되는 제1 및 제2의 공통 데이타선을 포함하는 반도체 기억장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 메모리 어레이와 제1 및 제2의 공통 데이타선을 공통의 칼럼어드레스 디코더를 사이에 끼워서 배치되고, 상기 제1 및 제2의 공통 데이타선은 그 연장방향의 중간점에서 교차되는 것으로서, 상기칼럼 어드레스 디코더가 상기 중간점의 양착에서 대응하는 여러개의 데이타선을 동시에 선택상태로 하고 상기 제1 및 제2의 공통 데이타선에 각각 접속되는 반도체 기억장치.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 반도체 기억장치는 다이내믹형 RAM인 반도체 기억장치.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 또 상기 제1 및 제2의 메모리 어레이에 대응해서 마련되는 제1 및 제2의 로우어드레스 디코더와 제 1 및 제2의 센스앰프 및 상기 제 1 및 제2의 공통데이타선에 대응해서 마련되는 제1 및 제2의 메인앰프를 포함하는 반도체 기억장치.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2의메모리 어레이는 상기 제1 및 제2의 센스앰프가 소정의 어드레스 신호에 따라서 선택적으로 동작상태로 되는 것에 의해 선택적으로 활성상태로 되고, 상기 제1 및 제2의 메인앰프는 상기 어드레스 신호에 관계없이 동시에 활성상태로 되는 반도체 기억장치.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 또 상기 칼럼어드레스 디코더와 1쌍의 메모리 어레이, 로우어드레스 디코더, 센스앰프 및 칼럼스위치를 갖는 여러개의 메모리 매트와 상기 메모리 매트에 대응해서 마련되는 여러 쌍의 메인앰프를 포함하는 반도체 기억장치.
  7. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 상기메모리 매트는 상기 공통데이타선의 연장방향에 인접해서 배치되는 2개가 각각 쌍을 이루는 것으로서 상기 공통데이타선이 상기 쌍을 이루는 2개의 메모리 매트에 의해 공유되는 반도체 기억장치.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 공통데이타선은 상기 쌍을 이루는 2개의 메모리 매트에 대응해서 4개조씩 마련되는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890012802A 1988-10-11 1989-09-05 반도체 기억장치 KR900006972A (ko)

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JP88-255371 1988-10-11
JP63255371A JP2712128B2 (ja) 1988-10-11 1988-10-11 半導体記憶装置

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