KR900004044A - 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치 - Google Patents

프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치 Download PDF

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KR900004044A
KR900004044A KR1019890011255A KR890011255A KR900004044A KR 900004044 A KR900004044 A KR 900004044A KR 1019890011255 A KR1019890011255 A KR 1019890011255A KR 890011255 A KR890011255 A KR 890011255A KR 900004044 A KR900004044 A KR 900004044A
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charge transfer
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KR1019890011255A
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게라르두스 코르넬리우스 바커 야코부스
구일라우메 콜레트 마르닉스
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에프.제이.스미트
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음

Description

프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 및 제1b도는 종래의 프레임 트랜스퍼 이미지센서를 채널에 각각 방향으로 절단한 단면도.
제2도 및 제3도는 채널에 직각 방향으로 취하여 절단한 단면도로서, 본 발명의 이미지 센서의 2가지 변형예를 도시한 도면.

Claims (20)

  1. 제1전도형의 제1영역을 갖는 반도체 기판과, 이 기판위에 배열된 제1전도형과 반대인 제2전도형의 제2영역과 기판의 제2영역내에 전하 이동 방향으로 배열된 제1전도형의 평행 전하 이동채널과, 이동 전극이 적정 전위가 되었을때 상기 평행 채널에 따라 전하 이동 방향에서 입사광에 응답하여 기본 셀에 저장된 제1부호의 전하 이동을 허용하도록 제2영역의 기판면과 수직이고 또한 기판과 전기적 절연 상태인 전하 이동 전극 배열체를 구비한 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서 장치에 있어서, 상기 장치는 서로 전기적으로 절연된 전극(1A,1B,1C,1D) 배열체를 피복하는 광감지면을 포함하고, 전극(1A,1B,1C,1D) 배열체는 전하 이동 윈도우(40,240) 배열체를 가지고 있어서 광감지 구조의 최소하나의 윈도우 영역(100,101,200,201)이 각 기본셀에 대해 평행 채널중의 한 채널과 국부적으로 전기적 접속되며, 분리 스트립(24)의 망사형은 전극(1A,1B,1C,1D)배열체상에 겹치고, 윈도우 영역(100,101,200,201) 사이의 제1부호의 전하 표류 및 제1부호와 반대인 제2부호의 전하 공핍을 방지시키도록 윈도우 영역(100,101,200,201)의 전체 외곽선을 따라 배치되며, 상기 망사형은 최소한 방향에서 윈도우 배열체의 윈도우 영역(100,101,200,201)과 인접한 제2전도형의 전도 스트립(30)를 갖는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 윈도우 배열체는 광감지층으로된 윈도우 영역의 연장부분(20,240)에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 윈도우 배열체는 전극 배열체의 최소 1개 전극에 의해 설치된 적어도 하나의 윈도우(40)에 단위 기본셀을 구비하는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 장치는 교착형이고, 전극(1A,1B,1C,1D)의 배열체는 각 기본셀에 대해 인접하지 않은 두개의 전하 이동전극(1B,1D)상에 놓이고 최소 1개의 전하 이동전극(1A,1C)에 의해 분리된 두개의 윈도우(40)를 구비하는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 윈도우 배열체는 전극 배열체의 전하 이동전극에 평행한 스트립을 가지며, 윈도우 배열체의 각 스트립(240)은 두개의 이동전극(1B,1C:1B,1A)사이에 이격된 상태로 놓이고, 상기 스트립(240)은 전하 이동방향에 상기 분리 스트립(230)에 의해 기본 셀들사이를 차단하는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  6. 선행항중 어느 한항에 있어서, 상기 광감지 구조(50)는 재결정 Si으로 도핑된 층으로 구성되고, 기판도 Si을 성분으로 하는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 재결정 Si으로 도핑된 층은 제1전도형을 구성하며, 연장부분(40)도 상기 동일하게 도핑된 제1전도형을 구성하는 재결정 Si으로 제작되는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 재결정 Si도핑층은 제2전도형이고, 연장부분(40)도 제2전도형의 재결정 Si으로 제작되나 도핑 농도가 큰 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1전도형은 n-형이고, 재결정 Si도핑층과 연장부분(40)의 도핑 농도는 5.1015at/㎤이고, 전하 이동채널(15)은 도핑 농도가 1 내지 4.1016at/㎤인 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1전도형은 n형이고, 재결정 Si도핑층의 도핑 농도는 5.1015at/㎤인 반면, 연장부분(40)의 도핑 농도는 2.1016at/㎤이며, 전하 이동 채널의 도핑농도는 1 내지 4.1016t/㎤인 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  11. 선행항중 어느 한항에 있어서, 최소 1개의 상부전극(2)은 전하 이동 배열체(1A,1B,1C,1D)의 배열체에 중복되고, 상기 전극배열체가 이미지 결합시에 제1부호의 제1전위를 가져오고, 전하 이동단시에 제2부호의 전위를 가져올때 이미지 흐름 현상이 감소되는 방식으로 전하 이동 전극과 절연되는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 상부전극(2)은 반사성인 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 접촉 구역에서 약간 돌출한 불투명 고립체(42)는 윈도우(40,240)에 직각 상태로 하여 광감지 구조(50)의 표면(50)에 배열되는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  14. 제1항 내지 제10항중의 어느 한항에 있어서, 상기 장치는 영상 결합단에서 제1부호의 제1전위를 가져오고, 전하 이동단에서 제1반대인 제2전위를 가져올때 이미지 흐림을 감소시키기 위해 서로 전기적으로 절연된 광감지 구조(50,230,250)의 최소 일부 표면상에 배열된 투명 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 이동전극(1A,1B,1C,1D)는 반사성인 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  16. 제14항에 있어서, 각 윈도우 영역(100,101,200,201)에서 전기적으로 절연되도록, 해당 윈도우 영역(100,101,200,201)과 전기적으로 접속된 전도성 반사영역(70)이 광감지 구조(50)와 전극 전극 배열체(1A,1B,1C,1D)사이에 배열되는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 반사 선로(71)는 스트립과 직각으로 배열되는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 반사선로(71)는 분리 스트립 하부에 배열되어 절연체내에 삽입된 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  19. 제5항에 있어서, 상기 장치는 전극 스트립이 이미지 결합단에서 제1부호의 전위를 가져오고 전하 이동단에서 제1부호와 반대인 제2부호의 제2전위를 가져올때 이미지 흐림을 감소시키도록 윈도우 배열체(240)의 스트립(240)에 직각으로 배열된 전극 스트립(202)을 구비하는 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 전극 스트립은 불투명성인 것을 특징으로 하는 프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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