KR890005747A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR890005747A
KR890005747A KR1019880011293A KR880011293A KR890005747A KR 890005747 A KR890005747 A KR 890005747A KR 1019880011293 A KR1019880011293 A KR 1019880011293A KR 880011293 A KR880011293 A KR 880011293A KR 890005747 A KR890005747 A KR 890005747A
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가즈히꼬 가지가야
히로아끼 고따니
가즈요시 오오시마
야스히로 가사마
신지 우도우
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미다 가쓰시게
가부시키가이샤 히다찌세이사꾸쇼
오노 미노루
히다찌쵸 엘 에스 아이 엔지니어링 가부시키가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도~제3도는 본 발명이 적용된 다이나믹형 RAM의 타이밍 발생회로의 공통부의 1실시예를 도시한 회로도.

Claims (9)

  1. 공통 반도체 기판에 마련된 소정의 패드에 대한 본딩 처리가 소정의 조합으로 실시되는 것으로 그 동작 모드가 선택적으로 설정되고, 상기 공통 반도체 기판의 포토마스크의 일부가 변경되는 것으로 그 비트 구성이 선택적으로 설정되는 반도체 기억장치.
  2. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 여러개의 동작 모드를 갖고, 상기 동작 모드는 소정의 내부 제어 신호가 소정의 조합으로 형성되는 것에 의해 선택적으로 지정되는 반도체 기억장치.
  3. 특허 청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 패드는 여러개의 동작 모드 설정용 패드이며, 상기 본딩 처리는 상기 도작 모드 설정용 패드에 회로의 접지 전위 또는 전원전압을 소정의 조합으로 공급하기 위해 행하여지고, 상기 내부 제어신호는 상기 동작 모드 설정용 패드에 회로의 접지 전위 또는 전원전압이 소정의 조합으로 공급되는 것으로 선택적으로 지정되는 반도체 기억장치.
  4. 특허 청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 공통 반도체 기판의 포토마스크의 일부가 변경되는 것으로 그 비트 구성의 선택적으로 ×1비트 구성 또는 ×4 비트 구성으로 되는 반도체 기억장치.
  5. 특허 청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 공통 반도체 기판은 그 비트 구성을 변경하기 위해 여러개의 접속 전환점을 갖고, 상기 포토마스크는 상기 여러개의 접속 전환점에 있어서 그 일부가 변경되는 반도체 기억장치.
  6. 특허 청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 여러개의 동작 모드는 퍼스트 페이지 모드, 스테이틱 칼럼 모드, 니블 모드, 마스크 라이트 모드 및 시리얼모드인 반도체 기억장치.
  7. 특허 청구의 범위 제6항에 있어서, 반도체 기억장치는 다이나믹형 RAM인 반도체 기억장치.
  8. 공통 반도체 기판에 마련된 소정의 퓨즈 수단이 소정의 조합으로 절단되는 것으로 그 동작 모드가 선택적으로 설정하고, 상기 공통 반도체 기판의 포토마스크의 일부가 변경되는 것으로 그 비트 구성이 선택적으로 설정되는 반도체 기억장치.
  9. 공통 반도체 기판에 마련된 소정의 패드에 대한 본딩 처리가 소정의 조합으로 실시되고, 또한 상기 공통 반도체 기판에 마련된 소정의 퓨즈 수단이 소정의 조합으로 절단되는 것으로 그 동작 모드가 선택적으로 설정되고, 상기 공통 반도체 기판의 포토마스크의 일부가 변경되는 것으로 그 비트 구성이 선택적으로 설정되는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880011293A 1987-09-16 1988-09-01 반도체 기억장치 KR0155150B1 (ko)

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JP62-231641 1987-09-16
JP62231641A JP2623461B2 (ja) 1987-09-16 1987-09-16 ダイナミック型ｒａｍ
JP62231640A JP2623460B2 (ja) 1987-09-16 1987-09-16 半導体記憶装置
JP62-231640 1987-09-16

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