KR880014807A - 전하전송소자 - Google Patents

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KR880014807A
KR880014807A KR1019880005922A KR880005922A KR880014807A KR 880014807 A KR880014807 A KR 880014807A KR 1019880005922 A KR1019880005922 A KR 1019880005922A KR 880005922 A KR880005922 A KR 880005922A KR 880014807 A KR880014807 A KR 880014807A
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KR
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mos transistor
output circuit
diffusion region
voltage
floating diffusion
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KR1019880005922A
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신이치 이마이
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • G11C19/282—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
    • G11C19/285—Peripheral circuits, e.g. for writing into the first stage; for reading-out of the last stage

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Abstract

내용 없음

Description

전하전송소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전하전송소자(CTD)중 출력회로부근의 구성을 나타낸 도면, 제4도는 본 발명의 제2실시예에 따른 CTD 중 출력회로 부근의 구성을 나타낸 도면, 제5도는 본 발명의 제3실시예에 따른 CTD 중 출력회로 부근의 구성을 나타낸 도면.

Claims (6)

  1. 반도체 기판상에 형성되어 전하전송부로부터 신호전하를 전송받게 되는 부유확산영역과, 리셋트전압을 인가받아서 불필요한 전하를 배출하게 되는 드레인영역, 상기 부유확산영역과 드레인간에 설치되어서 리셋트 펄스에 따라 상기 부유확산영역의 축적전하를 상기 드레인영역으로 배출하는 것을 제어하게 되는 리셋트수단, 상기 부유확산영역에 그 게이트가 접속된 인헨스멘트형의 구동용 MOS 트랜지스터 및 이 구동용 MOS 트랜지스터의 소오스에 접속된 정전류원으로 이루어져 상기 부유확산 영역의 축적 전하량을 전압치로 변환시켜서 출력하게 되는 소오스 플로워형 출력회로를 구비하고, 상기 출력회로내에 있는 상기 구동용 MOS 트랜지스터의 드레숄드전압을 동일기판상에 형성된 동일도전형 MOS 트랜지스터중에서 최대로 되도록 설정하여 구성한 것을 특징으로 하는 전하전송소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 출력회로에 공급되는 전원전압을 VDD, 상기 리셋트전압을 VGG, 상기 부유확산영역에 전송되는 전하의 직류바이어스성분을VFD, 교류신호성분을V, 출력회로내의 구동용 MOS 트랜지스터의 드레숄드전압을 VTH로 한때,
    VTH＞VGG-VFD-V-VDD
    를 만족시키도록 상기 구동용 MOS 트랜지스터의 드레숄드전압이 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 전하전송소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 드레인영역에는 상기 출력회로에 부여되는 전원전압 보다 절대치가 큰 리셋트전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 전하전송소자.
  4. 반도체 기판상에 형성되어 전하전송부로부터 신호전하를 전송받게 되는 부유확산영역과, 리셋트전압을 인가받아서 불필요한 전하를 배출하게 되는 드레인영역과, 상기 부유확산영역과 드레인영역간에 설치되어서 리셋트 펄스에 따라 상기 부유확산영역의 축전전하를 상기 드레인영역으로 배출하는 것을 제어하게 되는 리셋트수단, 상기 부유확산영역에 그 게이트가 접속된 인핸스멘트형의 구동용 MOS 트랜지스터 및 이 구동용 MOS 트랜지스터의 소오스에 접속된 인핸스멘트형의 정전류원 부하용 MOS 트랜지스터로 이루어져 상기 유확산영역의 축전전하량을 전압치로 변환시켜서 출력하게 되는 소오스 플로워형 출력회로를 구비하고, 상기 출력회로내에 있는 상기 구동용 MOS 트랜지스터의 드레숄드 전압을 상기 정전류원 부하용 MOS 트랜지스터의 드레숄드전압보다 크게 성정하여 구성한 것을 특징으로 하는 전하전송소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 출력회로에 공급되는 전원전압을 VDD, 상기 리셋트전압을 VGG, 상기 부유확산영역에 전송되는 전하의 직류 바이어스성분을VFD, 교류신호성분을V, 출력회로내의 구동용 MOS 트랜지스터의 드레숄드전압을 VTH로 한 때에,
    VTH＞VGG-VFD-V-VDD
    를 만족시키도록 상기 구동용 MOS 트랜지스터의 드레숄드전압이 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 전하전송소자.
  6. 제4항에 있어서, 상기 드레인영역에는 상기 출력회로에 부여되는 전원전압보다 절대치가 큰 리셋트 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 전하전송소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880005922A 1987-05-21 1988-05-20 전하전송소자 KR910007841B1 (ko)

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