KR880011933A - 수직 전계효과 트랜지스터 및 그 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

내용없음

Description

수직 전계효과 트랜지스터 및 그 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명을 구현하는 수직 전계효과 트랜지스터의 소수의 소스 영역.
제3도는 본 발명을 이해하는 데 유용한 수직 전계효과 트랜지스터의 적은 부분의 단면 개략도.

Claims (7)

  1. 최소 비활동 드레인 영역을 얻기 위한 패턴으로 배치되는 복수의 소스 영역을 가지는 수직 전계효과 트랜지스터에 있어서, 제1기판 및 제2기판을 가지는 반도체 기판과, 형태가 거의 장방형이며, 제1표면으로부터기판내로 뻗어있는 복수의 소스 영역과, 복수의 소스 영역 각각을 둘러싸며, 소스 영역보다 더 멀리 기판내로 뻗어 있는 영역과, 제2표면과 접촉하는 공동 드레인 전극과, 열 및 행으로 배치되며, 하나 결론행으로 인접행으부터 오프셋 되어, 오프셋 행에서의 소스는 인접행에서의 두 소스 영역 사이에 제공되는 스페이스로 배치되며, 오프셋행 및 인접행 사이의 거리는 동일행에서의 소스 영역사이의거리의 1/2의 복수의 소스 영역과, 인접 소스영역 사이에 형성되는 게이트 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 전계효과 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 소스 영역은 동일행에서의 인접 소스 영역 사이의 거리와 동일한 길이의 사이드를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 전계효과 트랜지스터.
  3. 공동 드레인 및 병렬로 접속된 소스 및 게이트를 가지는 수직 전계효과 트랜지스터에 있어서, 제1방향에서의 소스 사이의 거리가 2방향에서의 소스 사이의 거리보다 짧아서 수직 전게효과 트랜지스터가 동작하는 동안에 소스 사이의 드레인 영역에 비활동 드레인 영역을 남기지 않도록 소스가 배치되는 것을 특징으로 하는 수직 전계효과 트랜지스터.
  4. 제3항에 있어서, 제1방향에서의 소스 사이의 거리가 제2방향에서의 소스 사이의 거리의 약 1/2이 되는 것을 특징으로 하는 수직 전계효과 트랜지스터.
  5. 제3항에 있어서, 소스는 거의 장방형인 것을 특징으로 하는 수직 전계효과 트랜지스터.
  6. 반도체 기판의 한 표면상의 복수의 소스 영역 및 반도체 기판의 대향 표면상의 드레인 전극을 가지는 수직 FET 반도체 장치에 있어서, 반도체 기판의 한 표면상의 비활동 드레인 영역을 실질적으로 제거하기 위한 소스 영역의 장치를 구비하며, 여기서, 소스 영역은 형태가 장방형이며, 행 및 열을 형성하며, 여기서, 하나 걸른 행은 시프트되어 시프트된 행에서의 소스가 인접행에서의 소스 사이에 배치되며, 행은 근접되어 비활동 드레인 영역을 실질적으로 제거할 수 있는 것을 특징으로 하는 수직 FET 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서, 한 표면상에 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 FET 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880002697A 1987-03-18 1988-03-15 수직 전계효과 트랜지스터 및 그 반도체 장치 KR940010918B1 (ko)

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