JPS5818964A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5818964A JPS5818964A JP56118154A JP11815481A JPS5818964A JP S5818964 A JPS5818964 A JP S5818964A JP 56118154 A JP56118154 A JP 56118154A JP 11815481 A JP11815481 A JP 11815481A JP S5818964 A JPS5818964 A JP S5818964A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0804—Emitter regions of bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/7302—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices
- H01L29/7304—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices the device being a resistive element, e.g. ballasting resistor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関し、籍にニオツタ領域の平田パ
ターン形状が綱目状とされたトクンジスタ素子に関する
・高周波高出力用半導体装置の一つとしてエミッタ領域
の平田パターン形状が綱目状とされ九ト２ンジスタ、い
わゆるメッシ為ニオツタトランジスタが実用化されてい
る。
ターン形状が綱目状とされたトクンジスタ素子に関する
・高周波高出力用半導体装置の一つとしてエミッタ領域
の平田パターン形状が綱目状とされ九ト２ンジスタ、い
わゆるメッシ為ニオツタトランジスタが実用化されてい
る。
かかるメッシ為ニオツタトランジスタは従来第１髄に示
されるｍ造を肩している。同図（−は（−のＡ−Ａ’断
ｒＩｉを示す・ 同国において、ｌはコレクタ領域を′ＩＩＩ成するＮ履
シリコン基板、Ｓは該シリコン１ＩＩｓ板ｌの一方の主
ｆｆ１Ｋアク七グタ不純物の選択拡散あるいは全面拡散
によりて形成されたＰＷペース領域、Ｉｄ該Ｐ型ベース
領域２にドナー不純物の選択拡散によって形成され九Ｎ
＋型エンツタ領域で６る・かか、６Ｎ十型エミツタ領域
８は網目状の平面形状を有する。
されるｍ造を肩している。同図（−は（−のＡ−Ａ’断
ｒＩｉを示す・ 同国において、ｌはコレクタ領域を′ＩＩＩ成するＮ履
シリコン基板、Ｓは該シリコン１ＩＩｓ板ｌの一方の主
ｆｆ１Ｋアク七グタ不純物の選択拡散あるいは全面拡散
によりて形成されたＰＷペース領域、Ｉｄ該Ｐ型ベース
領域２にドナー不純物の選択拡散によって形成され九Ｎ
＋型エンツタ領域で６る・かか、６Ｎ十型エミツタ領域
８は網目状の平面形状を有する。
また、４はシリコン基板の我国を榎う二酸化シリコン（
８４０ｇ）Ｗからなる杷−皮膜、Ｓはペース引出し電惚
、６はエミッメ引出し電極、７はコレクタ電極である。
８４０ｇ）Ｗからなる杷−皮膜、Ｓはペース引出し電惚
、６はエミッメ引出し電極、７はコレクタ電極である。
ｊ！ Ｋ ｌ ｌ ａ ｅ ｌ ｍ ｂは絶縁皮膜４に
設けられ九ベース亀他窓、１８ａ＊１ｉｌｂ・曲・は同
じく絶縁皮膜４に設けられ九エミッタＩＥ−趣でめる・
更に１４ａｅ１４ｂ−７−はＰ＋緘ベースコンタクト領
ＪＩｌ！（ベース禰偵拡歓饋域）である◎ 仁のようなメッシ凰工々ツタト２ンジスタにあっては、
例えは篇周ａ借域において大電力か扱えるようエミッタ
領域の単位向横緬ルの電流密就をは下させるためにエミ
ッタスト２イグのｍが広くされた場合に、綱目状エミッ
タ領域の交点の中央部直下からベース電＃７に接続部方
向（例えば図面上Ａ−Ａ’＊Ｋａう方向）に向うエミッ
タ領域８下のベース領域の抵抗、すなわちペース引出し
抵抗Ｃｒ＆＆’ ）が大きな値となってしまう。
設けられ九ベース亀他窓、１８ａ＊１ｉｌｂ・曲・は同
じく絶縁皮膜４に設けられ九エミッタＩＥ−趣でめる・
更に１４ａｅ１４ｂ−７−はＰ＋緘ベースコンタクト領
ＪＩｌ！（ベース禰偵拡歓饋域）である◎ 仁のようなメッシ凰工々ツタト２ンジスタにあっては、
例えは篇周ａ借域において大電力か扱えるようエミッタ
領域の単位向横緬ルの電流密就をは下させるためにエミ
ッタスト２イグのｍが広くされた場合に、綱目状エミッ
タ領域の交点の中央部直下からベース電＃７に接続部方
向（例えば図面上Ａ−Ａ’＊Ｋａう方向）に向うエミッ
タ領域８下のベース領域の抵抗、すなわちペース引出し
抵抗Ｃｒ＆＆’ ）が大きな値となってしまう。
このため、当該メツシムエミッタトランジスタにあって
は、スイッチング速度の低下、並びにスイッチング時に
おけるエミッタ領域の交点中央部直下への電流集中によ
る破壊号を招いてしまう◎本発明はこのような従来のメ
ッシエエミッタトランジスタの有する欠点を除去して高
速スイッチング性並びに高破壊針量を得ることができる
メッシ為エミッタトランジスタを提供しようとするもの
である・ この恵め本ＪＭｉ明によれば−４電型コレクタ領域と該
コレクタ領域ＫＹｅｇされ九反対導電朦ベース懺域と咳
ベース領域に形成された綱目状の一導電菫エミッタ慎域
とを偽えてなる半導体装置において、ＳＯ紀エンツタ領
域の交点の中央部にペース領域が配設されてなる牛纒体
Ｗ＆蝋か提供される。
は、スイッチング速度の低下、並びにスイッチング時に
おけるエミッタ領域の交点中央部直下への電流集中によ
る破壊号を招いてしまう◎本発明はこのような従来のメ
ッシエエミッタトランジスタの有する欠点を除去して高
速スイッチング性並びに高破壊針量を得ることができる
メッシ為エミッタトランジスタを提供しようとするもの
である・ この恵め本ＪＭｉ明によれば−４電型コレクタ領域と該
コレクタ領域ＫＹｅｇされ九反対導電朦ベース懺域と咳
ベース領域に形成された綱目状の一導電菫エミッタ慎域
とを偽えてなる半導体装置において、ＳＯ紀エンツタ領
域の交点の中央部にペース領域が配設されてなる牛纒体
Ｗ＆蝋か提供される。
以下本発明を実施例をもって詳細に説明する・第Ｓ図は
本発明による半導体装置の構造を示す。
本発明による半導体装置の構造を示す。
同図（ｌは（−〇Ｂ−Ｂ’断面を示す。
同図において、ｌＯｌはコレクタ領域を構成する８厘シ
リコン基板、１０Ｂは該シリコン基板１０１の一方の主
面に７クセプタ不純物、例えば硼１ｇ＠の選択拡散ある
いは全面拡散によって形成されたＰ型ベース領域、１０
Ｊｉは該Ｐｔ！Ｊ１ベース領域ｌｏ領域１チ 形成されたＮ＋型エミッタ懺域である。かかるエミッタ
領域１０２１は綱目状の半間形状を有し、かつ係る綱目
の交点部分の中央には該エミッタ領域が形成、配設され
ずベース＠＠ ｌ Ｏ ｇ 〕−１１ １０８’が表出
される形状とされる。
リコン基板、１０Ｂは該シリコン基板１０１の一方の主
面に７クセプタ不純物、例えば硼１ｇ＠の選択拡散ある
いは全面拡散によって形成されたＰ型ベース領域、１０
Ｊｉは該Ｐｔ！Ｊ１ベース領域ｌｏ領域１チ 形成されたＮ＋型エミッタ懺域である。かかるエミッタ
領域１０２１は綱目状の半間形状を有し、かつ係る綱目
の交点部分の中央には該エミッタ領域が形成、配設され
ずベース＠＠ ｌ Ｏ ｇ 〕−１１ １０８’が表出
される形状とされる。
また１０４シリコン着１０表向を覆う二酸化シリコン（
Ｓム０３）尋からなる杷−Ｊｉ．膜、１０５はアルミニ
ウム（Ａｔ）からな本ベース引出し電極、１０６はｌ１
ｆｆＪじくアルミニウムからなるエミッタ引出し電極、
１０７はコレクタ電極である。ｌ［ａのペース引出し電
４ｍ１０５は共通にベース電極）くラド１０８ＫＩ［Ｉ
続され、また複数のエミッタ引出し電価１０１ｉも共通
に工ζツタ電極パッドｉ ｏｅ４ｃ！ｌ！続される。更
１１Ｃ １１１ ｍ 、 １ １ Ｂ ｂ・・・・・・
は絶縁皮膜１０４に設けられたベース電極窓、１１Ｊｉ
ｍ．１１８ｂ・・・・・・は同じく絶縁皮膜１０４に設
けられたエミッタ電極窓である。更に１１４ａ・１１４
ｂ・・・・・・はＰ中型ベースコンタクト領域（ベース
補償拡散領域）を示す・ このよりなメッシ為エミッタトランジスタにあっては、
前述の如＜４１１目状エミツタ領域１０１１の交点部分
の中央においては、エミッタ領域が形成、配設されずペ
ース領域の一ｇｌｏｇ’が表出される。
Ｓム０３）尋からなる杷−Ｊｉ．膜、１０５はアルミニ
ウム（Ａｔ）からな本ベース引出し電極、１０６はｌ１
ｆｆＪじくアルミニウムからなるエミッタ引出し電極、
１０７はコレクタ電極である。ｌ［ａのペース引出し電
４ｍ１０５は共通にベース電極）くラド１０８ＫＩ［Ｉ
続され、また複数のエミッタ引出し電価１０１ｉも共通
に工ζツタ電極パッドｉ ｏｅ４ｃ！ｌ！続される。更
１１Ｃ １１１ ｍ 、 １ １ Ｂ ｂ・・・・・・
は絶縁皮膜１０４に設けられたベース電極窓、１１Ｊｉ
ｍ．１１８ｂ・・・・・・は同じく絶縁皮膜１０４に設
けられたエミッタ電極窓である。更に１１４ａ・１１４
ｂ・・・・・・はＰ中型ベースコンタクト領域（ベース
補償拡散領域）を示す・ このよりなメッシ為エミッタトランジスタにあっては、
前述の如＜４１１目状エミツタ領域１０１１の交点部分
の中央においては、エミッタ領域が形成、配設されずペ
ース領域の一ｇｌｏｇ’が表出される。
かかる構ＨｔＫよれば、該ペース領域１ ０１’におけ
るベース抵抗は鋏ベース領域１０８′が厚いことからし
て十分に低く、ベース抵抗はエンツタ領域１０ａｖＩＬ
下のペース領域における抵抗のみとなる。
るベース抵抗は鋏ベース領域１０８′が厚いことからし
て十分に低く、ベース抵抗はエンツタ領域１０ａｖＩＬ
下のペース領域における抵抗のみとなる。
し九がって、ペース引出し抵抗（ ７ｂｂ’ ）が低下
されて、更にスイッチング時にエミッタ領域１０ｇ直下
に３！Ｉ！存し蓋積される電荷の量が低減されるためエ
ミッタ領＠ｌｏｇへの電流集中も低減される。
されて、更にスイッチング時にエミッタ領域１０ｇ直下
に３！Ｉ！存し蓋積される電荷の量が低減されるためエ
ミッタ領＠ｌｏｇへの電流集中も低減される。
ｉ九スイッチング時のエンツタ領域中央部への電流集中
はペース領域ＩＱＳ’に螢する工Ｚｔり領域１０１の周
縁ＩＳＫ分散されるために、前記従来構造の如く網目状
エミッタ領域の交点中央に電流の集中を生ぜず、大きな
破壊耐量を得ることができる。
はペース領域ＩＱＳ’に螢する工Ｚｔり領域１０１の周
縁ＩＳＫ分散されるために、前記従来構造の如く網目状
エミッタ領域の交点中央に電流の集中を生ぜず、大きな
破壊耐量を得ることができる。
１記ＩＩｚ図に示される構造において、Ｎｍコレクタ＊
城１Ｏ１Ｏ比抵抗 １０Ｇ（Ω１〕 Ｐ型ベース領域１０Ｂの表面不純瞼濃度５ｘｌＧ”（
イｉｔ／ｇ”、Ｉ Ｐ厘ペース領域ｌｏｎの深さ １Ｂ（７ｙｍ） Ｎ十蓋工叱ツタ領ｚ １０ Ｊｌ （Ｄ表向不純物損度
ｔｘＢｏ”（１ｉ１／ａ＋”Ｊ Ｎ＋蓋エミッタ領域ｔｏｇｏＨさ マＪ（＊ｍ） Ｎ中蓋エミッタ領域１０ｇのストライプ幅８Ｇ（ＩＩｍ
〕 Ｐｇベース懺職域１ＧＢ開口の大きさ 長さＴｏ（ｐｍ）ｘ幅７Ｇ（Ｉｌｍ） Ｐｊｌペース領域１０１／の開口の大きさ長さ１１Ｇ（
１ｍ）ｘ幅６Ｇ（ｊｍ） 絶縁皮Ｊ１１１０４の厚さ Ｂ（、ｕ−）ベース引
出し電＠１０５の厚さ ８〔μｍ〕 ベース引出し電極１０５の幅 ８０〔μｍ〕 エミッタ引出し電極１０Ｇの厚さ ８〔μｍ〕 エミッタ引出し電極１０６の− ｇｓ（＊ｍ） としたメッシ＾エミッメト２ンジスタを形成した。
城１Ｏ１Ｏ比抵抗 １０Ｇ（Ω１〕 Ｐ型ベース領域１０Ｂの表面不純瞼濃度５ｘｌＧ”（
イｉｔ／ｇ”、Ｉ Ｐ厘ペース領域ｌｏｎの深さ １Ｂ（７ｙｍ） Ｎ十蓋工叱ツタ領ｚ １０ Ｊｌ （Ｄ表向不純物損度
ｔｘＢｏ”（１ｉ１／ａ＋”Ｊ Ｎ＋蓋エミッタ領域ｔｏｇｏＨさ マＪ（＊ｍ） Ｎ中蓋エミッタ領域１０ｇのストライプ幅８Ｇ（ＩＩｍ
〕 Ｐｇベース懺職域１ＧＢ開口の大きさ 長さＴｏ（ｐｍ）ｘ幅７Ｇ（Ｉｌｍ） Ｐｊｌペース領域１０１／の開口の大きさ長さ１１Ｇ（
１ｍ）ｘ幅６Ｇ（ｊｍ） 絶縁皮Ｊ１１１０４の厚さ Ｂ（、ｕ−）ベース引
出し電＠１０５の厚さ ８〔μｍ〕 ベース引出し電極１０５の幅 ８０〔μｍ〕 エミッタ引出し電極１０Ｇの厚さ ８〔μｍ〕 エミッタ引出し電極１０６の− ｇｓ（＊ｍ） としたメッシ＾エミッメト２ンジスタを形成した。
一方、騎紀Ｉ１１ｍＫ示される構造をもりて前記ｇｓｉ
ＩｌＱに示される構造を有するトランジスタと同一〇コ
レクメ領域の比抵抗、ペース領域の表面不＃１愉績置、
＃！さ、エミッタ領域の表面不純物議に１深さ等を有す
るメッシ畠エミッタトランジスタを形成し友。
ＩｌＱに示される構造を有するトランジスタと同一〇コ
レクメ領域の比抵抗、ペース領域の表面不＃１愉績置、
＃！さ、エミッタ領域の表面不純物議に１深さ等を有す
るメッシ畠エミッタトランジスタを形成し友。
そしてかかる従来ｗａＯメッシ為エミッタトラ／ジスタ
と本発明によるメッシ轟工（ツタトランジスタとく対し
てインダクタンス（Ｌ）負荷による逆バイアス安全動作
領域を求めたところ、インダクタンス２の値を１ （ｍ
Ｈ）、 コレクターエばツタ間電圧９００ （Ｖ）の
条件において、従来のメッシ瓢エミッタトランジスタは
８〔ム〕の電流耐量を有するに対して、本発明によるメ
ッシ為エミッタトランジスタは６〔Ａ〕の電流耐量を肩
していた。
と本発明によるメッシ轟工（ツタトランジスタとく対し
てインダクタンス（Ｌ）負荷による逆バイアス安全動作
領域を求めたところ、インダクタンス２の値を１ （ｍ
Ｈ）、 コレクターエばツタ間電圧９００ （Ｖ）の
条件において、従来のメッシ瓢エミッタトランジスタは
８〔ム〕の電流耐量を有するに対して、本発明によるメ
ッシ為エミッタトランジスタは６〔Ａ〕の電流耐量を肩
していた。
第８図は本発明による半導体装置の他の実施例を示す。
ｆｌｒＪ図において＋！０紀第２図に示す実施例と対応
する部位にはこれと同一の符号を何している。
する部位にはこれと同一の符号を何している。
本実Ｊ１ｍ例にあっては、綱目状エミッタ領域の交点鄭
がベース電極窓１０５万同に幅広くされるＯこのような
ベース電−窓方岡への拡大によってエイツタ領域は七の
ｍｉｓが増大し、扱うエミッタ電流を増加させることか
でき、もりてよ〕大きな電力を扱い得る半導体装置を形
成することができる。
がベース電極窓１０５万同に幅広くされるＯこのような
ベース電−窓方岡への拡大によってエイツタ領域は七の
ｍｉｓが増大し、扱うエミッタ電流を増加させることか
でき、もりてよ〕大きな電力を扱い得る半導体装置を形
成することができる。
第４−は本発明による半導体装置の他の実施例を示す。
同図において＃紀ｇｓ図に示す実施例と対応する部位に
はこれと同一符号を付している。
はこれと同一符号を付している。
本実施例にありては、絶縁皮膜１０４に設けられるエミ
ッタ零ａ窓１１８がペース領域１０Ｂ’をｊｅ２シ囲ん
で形成される。
ッタ零ａ窓１１８がペース領域１０Ｂ’をｊｅ２シ囲ん
で形成される。
このようなニオツタ電極窓の構成によってエミッタ領域
とエミッタ電極とのｆｆ１Ｉ続をより低抵抗な状態で行
なうことができる。
とエミッタ電極とのｆｆ１Ｉ続をより低抵抗な状態で行
なうことができる。
第Ｓ図は本発明による半導体装置の更に他の実施例を示
す、同図において＃１第２０図に示す実施例と対応する
部位にはこれと同一符号を付して込る・同図（−は（−
〇〇−Ｃ′断面を示す。
す、同図において＃１第２０図に示す実施例と対応する
部位にはこれと同一符号を付して込る・同図（−は（−
〇〇−Ｃ′断面を示す。
本実ＪＩＩＭにおいては、＃１目状エミッタ領域１０ｇ
の父点婦分よＫそれぞれ安定化抵抗が配設され。
の父点婦分よＫそれぞれ安定化抵抗が配設され。
エミッタ引出し電極ｌｏｇは鎖安定化娠抗を介してエミ
ッタ領＠ｌ０ＪＩに設続される。
ッタ領＠ｌ０ＪＩに設続される。
なお、該１１５図に示される実施例にあっては、Ｊｌｌ
Ｉｉ目状エミッタ領域１０ｇの叉点中央部に配設される
ペース領域１０３！’は六角形の平面形状を有しオ九ペ
ース懺域１０１Ｑ表出邸も六角形を有する。
Ｉｉ目状エミッタ領域１０ｇの叉点中央部に配設される
ペース領域１０３！’は六角形の平面形状を有しオ九ペ
ース懺域１０１Ｑ表出邸も六角形を有する。
第５凶において、１５１は例えば燐等の不純物を含んだ
多結晶シリコンあるいはニク四ム（Ｎ１−Ｏｒ）等から
構成される安定化抵抗、１５３は該安定化抵抗１ｓｌと
エミッタ領域１０ｇとの間をエミッタ電極窓１１８を通
して！ｊ！続する、例えばアルミニウムからなる接続導
体である。
多結晶シリコンあるいはニク四ム（Ｎ１−Ｏｒ）等から
構成される安定化抵抗、１５３は該安定化抵抗１ｓｌと
エミッタ領域１０ｇとの間をエミッタ電極窓１１８を通
して！ｊ！続する、例えばアルミニウムからなる接続導
体である。
図示されるように、安定化抵抗１５１はその両端部にエ
ミッタ電極１０６（例えば１０６ａと１０６ｂ）が配設
・最後され、また中央幅に接続導体ｔｓｇが配設、炭絖
される。安定化倣抗１５１の抵抗値は、その膜厚、輻あ
るいは不挑豐濃度°等が選択されて決足される。
ミッタ電極１０６（例えば１０６ａと１０６ｂ）が配設
・最後され、また中央幅に接続導体ｔｓｇが配設、炭絖
される。安定化倣抗１５１の抵抗値は、その膜厚、輻あ
るいは不挑豐濃度°等が選択されて決足される。
このような構造において、ｓｕ記安定化抵抗１５１は例
えば燐（Ｐ）を含む多結晶シリコンの被着及びこれに続
くフォトタングラフィ技術を用いてのパターニング処理
により形成される。かかる安定化抵抗の形成の後、通常
のグＶ−す原バイボーラド之ンジスタの製造工種に従う
アルミニウムの被着及びこれに続くパターニング処理に
よシベース引出し電極、エミッタ引出し電極及び接続導
体等が形成される。
えば燐（Ｐ）を含む多結晶シリコンの被着及びこれに続
くフォトタングラフィ技術を用いてのパターニング処理
により形成される。かかる安定化抵抗の形成の後、通常
のグＶ−す原バイボーラド之ンジスタの製造工種に従う
アルミニウムの被着及びこれに続くパターニング処理に
よシベース引出し電極、エミッタ引出し電極及び接続導
体等が形成される。
前記安定化抵抗１５１を綱目状エミッタ領域１０Ｂの各
交点部分に配置し、エンツタ引出し電極とエミッタ領域
とを該安定化抵抗によ〉抵抗することにより、＊に大電
流動作時にあってもエミッタ領域はどの部分においても
均一に動作し、特定部分への電流の集中を招来しないＯ したがって尚骸半導体装置は、二次降伏現象によるＦｉ
ｌＪＩｌｔ−招くことなく、優れた嶌周ｆｌ脣性、高ス
イツチング性並びに高破壊耐重を有する。
交点部分に配置し、エンツタ引出し電極とエミッタ領域
とを該安定化抵抗によ〉抵抗することにより、＊に大電
流動作時にあってもエミッタ領域はどの部分においても
均一に動作し、特定部分への電流の集中を招来しないＯ したがって尚骸半導体装置は、二次降伏現象によるＦｉ
ｌＪＩｌｔ−招くことなく、優れた嶌周ｆｌ脣性、高ス
イツチング性並びに高破壊耐重を有する。
しかも安定化抵抗を配置するための領域を新らたに設け
る必費がなく、果槓腋の低下を招くことはない６ なお、かかる安定化抵抗の挿入、配置構造はニオツタ領
域が略リング状とされ、ベース領域中に該リング状エン
ツタがｌＫ畝配設されてなるマルチエミッタトランジス
タにおいても適用すること力五できる・ 罰紀第２図乃至第５凶に示す本発明による半導体ｉｉ瀘
唸、通常のプＶ−す型ノ（イポーラトランジスタの製造
方法をもって形成することや工できる。
る必費がなく、果槓腋の低下を招くことはない６ なお、かかる安定化抵抗の挿入、配置構造はニオツタ領
域が略リング状とされ、ベース領域中に該リング状エン
ツタがｌＫ畝配設されてなるマルチエミッタトランジス
タにおいても適用すること力五できる・ 罰紀第２図乃至第５凶に示す本発明による半導体ｉｉ瀘
唸、通常のプＶ−す型ノ（イポーラトランジスタの製造
方法をもって形成することや工できる。
この時、コレクタ領域、ペース域値及びエミッタ領域の
不純愉濃度、深さ等、更には表面絶縁皮膜の厚さ、電極
材料Ｏ厚さは、肖該牛導体装置の扱う電力、周波数等に
よりて選択される。
不純愉濃度、深さ等、更には表面絶縁皮膜の厚さ、電極
材料Ｏ厚さは、肖該牛導体装置の扱う電力、周波数等に
よりて選択される。
以上のように本発明によれば綱目状エミッタ構造を有す
る半導体装置において、−目状エミッタの交点中央部に
エミッタ領域を存在させずベース鎖酸を表出させること
により、扁速スイッチング性運びに１４破壊耐量を有す
る半導体装置を実現することができる・したかりて、か
かる半導体装置を電ｌｌ１ｌ装厘等に通用すればかかる
電源装置の小塵化を図ることができる。
る半導体装置において、−目状エミッタの交点中央部に
エミッタ領域を存在させずベース鎖酸を表出させること
により、扁速スイッチング性運びに１４破壊耐量を有す
る半導体装置を実現することができる・したかりて、か
かる半導体装置を電ｌｌ１ｌ装厘等に通用すればかかる
電源装置の小塵化を図ることができる。
纂１図は従来の半導体装置の構造を示す平面−（（転）
及び断向図１ｂ）、纂Ｓ図は不発明による半導体鉄源の
Ｗ造を示す平Ｉｍ １ｍ （ａＪ及び断面−田、第８図
乃至第１ｓ図は本発明による半導体装置の他の実１例を
示す平１１［１図でめシ、第６図において（（転）は平
面図、ｌｂＪは断ｍａｉｕでめる０ 図において、 １．１０１−・・・・・−半導体装置 １１．１０１−−−−−””ベース領域８．１０８−”
”’エミッタ領域 ４．１０４・−一・・・・絶縁皮膜 ５．１０５−−−””ペース引出し電極６．１０６・・
・−一ニオツタ引出し電極１０ｍ’・・・・・・−・・
・・ベース領域代理人弁理士 転量 茸 １ 旧 ＃ ３ 目 耳 ４１！ｌ１ ｔ
及び断向図１ｂ）、纂Ｓ図は不発明による半導体鉄源の
Ｗ造を示す平Ｉｍ １ｍ （ａＪ及び断面−田、第８図
乃至第１ｓ図は本発明による半導体装置の他の実１例を
示す平１１［１図でめシ、第６図において（（転）は平
面図、ｌｂＪは断ｍａｉｕでめる０ 図において、 １．１０１−・・・・・−半導体装置 １１．１０１−−−−−””ベース領域８．１０８−”
”’エミッタ領域 ４．１０４・−一・・・・絶縁皮膜 ５．１０５−−−””ペース引出し電極６．１０６・・
・−一ニオツタ引出し電極１０ｍ’・・・・・・−・・
・・ベース領域代理人弁理士 転量 茸 １ 旧 ＃ ３ 目 耳 ４１！ｌ１ ｔ
Claims (1)
- 一纏電鳳コレクタ領域と該コレクタ領域に形成された反
対導電型ベース領域と、該ベース領域に形成された網目
状の一導電履エミッタ領域とを備えてなる半導体装置に
おいて、前記エミッタ領域の交点の中央部にベース領域
が配設されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118154A JPS5818964A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 半導体装置 |
| EP82106552A EP0071161B1 (en) | 1981-07-28 | 1982-07-21 | A transistor having the mesh emitter structure |
| DE8282106552T DE3277484D1 (en) | 1981-07-28 | 1982-07-21 | A transistor having the mesh emitter structure |
| US06/402,425 US4586072A (en) | 1981-07-28 | 1982-07-28 | Bipolar transistor with meshed emitter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118154A JPS5818964A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818964A true JPS5818964A (ja) | 1983-02-03 |
| JPH0156531B2 JPH0156531B2 (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=14729426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56118154A Granted JPS5818964A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4586072A (ja) |
| EP (1) | EP0071161B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5818964A (ja) |
| DE (1) | DE3277484D1 (ja) |
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| US5354637A (en) * | 1991-06-19 | 1994-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic toner |
| JP2006049693A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| KR101159997B1 (ko) | 2010-09-29 | 2012-06-25 | 현대제철 주식회사 | 홀확장성이 우수한 저탄소 고강도 열연강판 및 그 제조 방법 |
| CN113594239A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-11-02 | 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 | 一种具有网格结构的双极功率晶体管 |
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| FR2615326B1 (fr) * | 1987-05-15 | 1990-08-31 | Fuji Electric Co Ltd | Dispositif a semi-conducteurs du type multi-emetteur |
| JPH0712045B2 (ja) * | 1988-03-02 | 1995-02-08 | 株式会社東海理化電機製作所 | 電流検出素子 |
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| JPS54120587A (en) * | 1978-03-10 | 1979-09-19 | Fujitsu Ltd | Transistor |
| JPS57501407A (ja) * | 1980-09-12 | 1982-08-05 | ||
| DE3035462A1 (de) * | 1980-09-19 | 1982-05-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterelement |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP56118154A patent/JPS5818964A/ja active Granted
-
1982
- 1982-07-21 EP EP82106552A patent/EP0071161B1/en not_active Expired
- 1982-07-21 DE DE8282106552T patent/DE3277484D1/de not_active Expired
- 1982-07-28 US US06/402,425 patent/US4586072A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0071161A3 (en) | 1983-11-16 |
| DE3277484D1 (en) | 1987-11-19 |
| US4586072A (en) | 1986-04-29 |
| JPH0156531B2 (ja) | 1989-11-30 |
| EP0071161B1 (en) | 1987-10-14 |
| EP0071161A2 (en) | 1983-02-09 |
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