KR880011902A - 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치 - Google Patents

비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 화합물 반도체 장치의 일예인 HEMT의 일실시예의 제조과정을 설명하기 위한 측면도.
제2도는 제1도에 도시한 공정의 다음 공정을 설명하기 위한 측면도.
제3도는 제2도에서 보인 공정 다음에 오는 공정을 설명하기 위한 측면도.

Claims (18)

  1. 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치에 있어서, 화합물 반도체 기판과, 첫 번째 반도체로 만들어졌고 화합물 반도체 기판상에 형성되며, 채널 영역과 소오스 및 드레인 각 영역을 지니는 액티브 층과, 액티브 층상에 형성되고 첫 번째 반도체의 전자 친화력보다 친화력이 더 작은 두 번째 반도체로 이루어진 전자 공급층과, 세 번째 반도체로 만들어졌고 전자 공급층상에, 그리고 드레인 영역 및 소오스 영역 전역에 형성되어 있는 중간층과, 네 번째 반도체로 이루어졌고 중간층상에 형성되어 있으며, 금속과 비합금 오옴 콘택트를 형성하는 오옴 콘택트층과, 오옴 콘택트층상에, 소오스 및 드레인 각 영역 전역에 형성되어 있는 소오스 및 드레인 각 전극과, 전자 공급층상에 형성되어 있는 숏트키 게이트 전극로 구성되어 있는, 비함금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 오옴 콘택트층을 형성하는 네 번째 반도체가 인듐 갈륨 비소(InxGa1-xAs ; OX1)와 게르마늄(Ge)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 비함금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, InxGa1-xAs의 도우핑 농도가 5×1028(cm-3) 또는 그 이상인, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  4. 제2항에 있어서, 오옴 콘택트층이 InxGa1-xAs에서의 몰 마찰 X가 중간층에 있는 계면에서 증가하는 곳인 경사층 부분을 포함하는, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 소오스, 드레인 및 게이트 각 전극이 동일 금속 재료로 만들어지는, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 액티브 층, 전자 공급층 및 소오스 및 드레인 각 전극 밑에 있는 중간층등으로 이루어진 구조의 저항을, 전자 공급층을 형성하는 두 번째 몰 마찰을 선택하여서 1×10-6(.cm2) 또는 그 이하로 설정하는 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  7. 제1항에 있어서, 소오스 전극 또는 드레인 전극과 오옴 콘택트층과의 사이의 계면에 형성된 장벽의 콘택트 저항이 1×10-6(.cm2) 또는 그 이항인, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  8. 제1항에 있어서, 액티브층, 전자공급층 및, 소오스 및 드레인 각 전극밑에 있는 중간층으로 구성되어 있는 저항이 게이트 전극 밑에 형성된 숏트키 장벽의 저항보다 더 작은, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  9. 제1항에 있어서, 전자 공급층을 형성하는 두 번째 반도체가 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs) 인듐 알루미늄 비소(InAlAs) 및 인듐 갈륨인(InGaP)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  10. 비합금 오옴 콘택트를 가지고 있는 화합물 반도체 장치에 있어서, 화합물 반도체 기판과, 첫 번째 반되체로 만들어졌고 화합물 반도체 기판상에 형성되어 있으며, 채널 영역과 소오스 및 드레인 각 영역을 지닌 액티브 층과, 소오스 및 드레인 각 영역 전역에 있는 액티브 층에 형성되어 있고 첫 번째 반도체의 전자 친화력 보다 친화력이 더 작은 두 번째 반도체로 이루어진 전자 공급층과, 세 번째 반도체로 만들어졌고 전자 공급층상에, 그리고 드레인 영역 및 소오스 영역 전역에 형성되어 있는 중간츠과, 네 번째 반도체로 이루어졌고 중간 층상에 형성되어 있으며, 금속과 비합금 오옴 콘택트를 형성하는 오옴 콘택트츠오가, 오옴 콘택트사이에, 소오스 및 듸레인 각 영역 전역에 형성되어 있는 소오스 및 드레인 각 전극과, 전자 공급층상에 형성도어 있는 솟트키 게이트 전극과, 노리 회로를 형성하기 위하여 소오스 및 드레인 각 전극중에서 적어도 한 전극에 게이트 전극을 연결해주는 금속층과, 동일 금속 재질로 서로 집적적으로 형성되어 있는 상기 전극들과 금속층과로 이루어져 있는 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 오옴 콘택트층을 형성하는 네 번째 반도체가 인듐 갈륨 비소( InxGa1-xAs;0x1)과 게르마늄(Ge)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  12. 제11항에 있어서,InxGa1-xAs도우핑 농도가 5×1018(cm-3) 또는 그 이상인, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  13. 제11항에 있어서, InxGa1-xAs 에서의 몰 단편 x가 중간층에 있는 계면에서 증가하는 곳인 경사층 부분을 포함하는, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  14. 제10항에 있어서, 액티브층, 전자공급층 및, 소오스 및 디렝인 각 전극밑에 있는 중간층등으로 이루어진 구조의 저항을, 전자 공급층을 형성하는 두 번째 반도체의 몰 단편을 선택하여서 1×10-6(.cm2)또는 그 이하로 설정하는 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  15. 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치에 있어서, 화합물 반도체 기판과, 첫 번째 반도체로 만들어졌고 화합물 반도체 기판상에 형성되며, 채널 영역과 소오스 및 드레인 각 영역을 지니는 액티브 층과, 두 번째 반도체로 이루어졌고 소오스 영역 및 드레인 영역 전역에 있는 액티브 층의 일부분상에 형성되어 있는 오옴 콘택트층과, 오옴 콘택트층상에, 소오스 및 드레인 각 영역 전역에 형성되어 있는소오스 및 드레인 각 전극과, 액티브 층상 그리고 거기에 형성된 채널 영역 전역에 형성되어 있는 숏트키게이트 전극과, 소오스 및 드레인 각 전극중에서 적어도 한 전극을 연결하기 위한 금속층과, 동일 금속 재질로 서로 직접적으로 형성되어 있는 상기 전극들과 금속층과 등으로 이루어져 있는, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  16. 제15항에 있어서, 오옴 콘택트층을 형성하는 네 번째 반도체가 인듐 갈륨 비소(InxGa1-xAs;0x1)와 게르마늄(Ge)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  17. 제16항에 있어서, InxGa1-xAs의 도우핑 농도가 5×1018(cm-3), 또는 그 이상인, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
  18. 제16항에 있어서, 오옴 콘택트층이 InxGa1_xAs에서의 몰 단편 x가 중간층에 있는 계면에서부터 증가하는 곳인 경사층 부분을 포함하는, 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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