JP2606581B2 - 電界効果トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
電界効果トランジスタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2606581B2 JP2606581B2 JP6103654A JP10365494A JP2606581B2 JP 2606581 B2 JP2606581 B2 JP 2606581B2 JP 6103654 A JP6103654 A JP 6103654A JP 10365494 A JP10365494 A JP 10365494A JP 2606581 B2 JP2606581 B2 JP 2606581B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- effect transistor
- metal
- gate electrode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
する電界効果トランジスタの構造及びその製造方法に関
する。
成にはAu/Ge/Niを蒸着し、共晶化の起こる温度
以上の高温で熱処理を行うことで良好なオーミックコン
タクトの得られることがブラスローらによってソリッド
ステートエレクトロニクス1967年発行第10巻38
1頁〜383頁(N.Braslau et al.,
Solid−State Electronics,V
ol.10,pp.381−383,1967)で示さ
れた。それ以来、n型GaAs系に対するオーミック電
極金属としてAu/Ge/Ni系材料は今日まで広く用
いられるようになっており、電界効果トランジスタ、バ
イポーラトランジスタ等に応用されている。
・オーミック電極に関する開発も進められ、今までにも
例えば、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド
・フィジックス(Japanese Journal
of Applied Physics)1988年第
27巻第9号1718頁に発表されているニトノら(N
ittono et al.)の論文をはじめいくつか
の研究が発表されてきている。これはオーミック金属と
接触する半導体表面にショットキー障壁高さの低い半導
体InGaAs層を用い、高濃度にドープすることで熱
放出及びトンネル効果によって電極から供給される電子
が容易にチャネルに流れ込むことを可能にした電極構造
である。又、オーミック金属として必ずしもAu/Ge
/Ni系の金属を使用する必要がなく、Ti/Pt/A
uやW、WSi等の比較的安定な電極材料を用いること
が可能であり、電極材料選択の幅を広げる。また、基本
的にオーミック金属の熱によるだれ込みがなくなるので
形状崩れを心配する必要がない。オーミック電極の熱処
理工程が省略されることにより、ゲート電極形成をオー
ミック電極形成に先行させた場合でもオーミック電極作
製工程でゲート電極の劣化を促す事なく電界効果トラン
ジスタを作製することができる。
材料に対するものとして発表されているが、InGaA
sやInPを用いたデバイスのオーミック電極金属とし
ても広く使用されているものである。
/Pt/Au、Ti/Al、W等が一般的に用いられて
おり、その電極加工に対しては蒸着リフトオフ法やスパ
ッタ法等が広く用いられている。
ミック電極技術並びにゲート電極技術を用いて作製され
るが、このような既存電極をそれぞれ用いている場合に
は、オーミック電極とゲート電極ではその両電極金属が
異なることから、両電極の作製工程を分ける必要があ
り、またオーミック電極はアロイ工程が必要なため、工
程数の増加を招いていた。ゲート電極とオーミック電極
を同時に形成している例として特開平5−121448
号公報があげられる。この例ではリセス内に絶縁膜での
ゲート開口を作製した上でセルフアライン的にゲート電
極とオーミック電極を同時に作製された電界効果トラン
ジスタの構造及び製造方法を示している。
アロイ型のオーミック電極を用いる場合にはオーミック
電極とゲート電極ではその両電極金属が異なり、またオ
ーミック電極はアロイ工程が必要なため、両電極の作製
工程を分ける必要があることで工程数の増加を招く。ま
た、ノンアロイオーミック電極を用いてゲートとオーミ
ック電極を同時に作製するにあたっては必ずしも従来例
の特開平5−121446号公報で示したような絶縁膜
開口に対してのセルフアライン法による必要はない。ま
た、この例は信頼性に関して保証するものではない。
解決する手段としての電界効果トランジスタ及びその製
造方法を提供するものである。本発明の電界効果トラン
ジスタは、InP基板上に作製された電界効果トランジ
スタに於いて、ゲート電極とソース電極とドレイン電極
が同じ電極金属によって構成されていることを特徴と
し、特に、電極金属が最下層をモリブデンとする少なく
とも1層以上の積層構造である場合は、信頼性に関して
大幅な向上がみられる。
製造方法は、所望の位置にゲート電極の開口パターンを
形成する工程と、該ゲート電極開口パターンを挟んで両
側の所望の位置にソース電極並びにドレイン電極の開口
パターンを形成する工程と、前記ゲート電極開口パター
ン及び前記ソース電極開口パターン及び前記ドレイン電
極開口パターンに電極金属を形成することで、ゲート電
極とソース電極とドレイン電極を同時に形成する工程を
含むことを特徴とする。この場合も同様に、電極金属が
最下層をモリブデンとする少なくとも1層以上の積層構
造である場合も含むものとする。
一金属を電極金属として形成することでプロセスの簡略
化を図る。また、本発明に於いてモリブデンをはじめと
する高融点金属をコンタクト金属に用いることで高い信
頼性を得ることができる。
説明する。図1に本発明の電界効果トランジスタの構造
の一実施例を示す要部切断面図を示す。この電界効果ト
ランジスタの構造は半絶縁性InP半導体基板1上に不
純物無添加InAlAsバッファ層2、不純物無添加I
nGaAsチャネル層3、不純物無添加InAlAsス
ペーサ層4、n型にドープされたInAlAs電子供給
層5、不純物無添加InAlAsショットキー層6、n
型にドープされたInGaAsキャップ層7がこの順に
積層されており、ゲート電極8はInGaAsキャップ
層が除去されたリセス内に形成されており、ソース電極
9とドレイン電極10はInGaAsキャップ層7上に
形成されている。ゲート電極8とオーミック電極9,1
0として共にMoが50nm、Tiが50nm、Ptが50
nm、Auが300nmそれぞれ基板側からこの順に積層さ
れている。この場合、InGaAsキャップ層7のドー
ピング濃度が大きいほどノンアロイオーミックでの電子
のトンネル確率が向上するため低いコンタクト抵抗が得
られることになる。
要部切断面図を示す。この電界効果トランジスタは半絶
縁性GaAs基板11上に不純物無添加GaAsバッフ
ァ層12、不純物無添加InGaAsチャネル層13、
不純物無添加AlGaAsスペーサ層14、n型にドー
プされたAlGaAs電子供給層15、n型にドープさ
れたInGaAsキャップ層16が積層されており、キ
ャップ層16中のIn組成は基板側から表面側にかけて
0から0.5まで階段状にシフトしていくように設定さ
れている。ゲート電極17はInGaAsキャップ層1
6が除去されたリセス内に形成されており、ソース電極
18とドレイン電極19はInGaAsキャップ層16
上に形成されている。ゲート電極17とオーミック電極
18,19として共にMoが50nm、Tiが50nm、P
tが50nm、Auが300nmそれぞれ基板側からこの順
に積層されている。この場合、InGaAsキャップ層
16のドーピング濃度が大きいほどノンアロイオーミッ
クでの電子のトンネル確率が向上するため低いコンタク
ト抵抗が得られることになる。
方法を図1の電界効果トランジスタを例にとって説明す
る。図3(a)〜(e)はその概略図である。図3
(a)に示すように半絶縁性InP基板21上に不純物
無添加InAlAsバッファ層22を500nm、不純物
無添加InGaAsチャネル層23を40nm、不純物無
添加InAlAsスペーサ層24を3nm、5×1018cm
-3にSiをドープされたInAlAs電子供給層25を
10nm、不純物無添加InAlAsショットキー層26
を20nm、3×1018cm-3にSiをドープされたInG
aAsキャップ層27を40nm、以上の各層がこの順に
例えばMBE法により積層成長される。
間分離を行う。この時のエッチャントとしては例えば燐
酸と過酸化水素水と水の混合液を用いることが可能であ
る。次に図3(b)に示すように形成されたメサ上の所
望の位置にゲート電極を形成すべくその位置にゲートリ
セス28をやはりエッチングにより形成する。この時の
エッチャントとしても前出のエッチャントが使用可能で
ある。リセス形成後はソース電極、ドレイン電極をリセ
スを挟んで両側の所望の位置に、またゲート電極をリセ
ス内の所望の位置に形成すべく図3(c)に示すように
例えばレジスト29を用いた開口パターンを形成する。
つぎに図3(d)に示すようにこの開口パターンに対し
電極金属30としてモリブデンを50nm、チタンを50
nm、白金を50nm、金を300nm、蒸着する。最後にこ
の蒸着された金属をリフトオフすることによりゲート電
極31及びソース電極32、ドレイン電極33を同時に
形成することができる。以上で図3(e)に示した本実
施例の電界効果トランジスタの製造工程は完了する。こ
の方法によって作製されたゲート長1μm のデバイスは
相互コンダクタンスとして500mS/mm、電流利得遮
断周波数として35GHzが得られた。
値を用いて説明したがこれは理解を容易にするためのも
のであり、例えば、各半導体層のドーピング濃度や厚
み、電極金属の各金属層の厚みはここに述べた値に限る
ものではなく、また、モリブデン金属の上に積層される
金属材料もチタン、白金及び金に限られるものではな
い。また、作製するにあたっての電極形成も実施例に示
した蒸着及びリフトオフの方法に限られるものではな
く、例えばスパッタ法により作製することも可能であ
る。
ク電極を同時に同一金属により作製することができるの
で工程数の削減が可能になる。また、高融点金属である
モリブデンをコンタクト金属に用いることでデバイスの
大幅な信頼性向上が可能となる。ノンアロイオーミック
電極に対してこの発明は有効で、熱処理の必要でないこ
とから工数削減が実現できている。
図である。
図である。
す工程図である。
Claims (2)
- 【請求項1】InP基板上に作製された電界効果トラン
ジスタに於いて、ゲート電極とソース電極とドレイン電
極が同じ電極金属によって構成され、前記電極金属が最
下層をモリブデンとする少なくとも1層以上の積層構造
であることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 【請求項2】InP基板上に電界効果トランジスタを作
製する製造方法に於いて、所望の位置にゲート電極の開
口パターンを形成する工程と、該ゲート開口パターンを
挟んで両側の所望の位置にソース電極並びにドレイン電
極の開口パターンを形成する工程と、前記ゲート電極開
口パターン及び前記ソース電極と前記ドレイン電極の開
口パターンに電極金属を形成することで、ゲート電極と
ソース電極とドレイン電極を同時に形成する工程を含み
かつ前記電極金属を最下層をモリブデンとする少なくと
も1層以上の積層構造で形成することを特徴とする電界
効果トランジスタの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6103654A JP2606581B2 (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
US08/444,026 US5770489A (en) | 1994-05-18 | 1995-05-18 | Method of making a compound semiconductor field-effect transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6103654A JP2606581B2 (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07312373A JPH07312373A (ja) | 1995-11-28 |
JP2606581B2 true JP2606581B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=14359775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6103654A Expired - Lifetime JP2606581B2 (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5770489A (ja) |
JP (1) | JP2606581B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5976920A (en) * | 1996-07-22 | 1999-11-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Single layer integrated metal process for high electron mobility transistor (HEMT) and pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) |
US5940694A (en) * | 1996-07-22 | 1999-08-17 | Bozada; Christopher A. | Field effect transistor process with semiconductor mask, single layer integrated metal, and dual etch stops |
JP3377022B2 (ja) * | 1997-01-23 | 2003-02-17 | 日本電信電話株式会社 | ヘテロ接合型電界効果トランジスタの製造方法 |
JP3285132B2 (ja) * | 1997-02-12 | 2002-05-27 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP3123940B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2001-01-15 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
US6229193B1 (en) * | 1998-04-06 | 2001-05-08 | California Institute Of Technology | Multiple stage high power diode |
US6555457B1 (en) | 2000-04-07 | 2003-04-29 | Triquint Technology Holding Co. | Method of forming a laser circuit having low penetration ohmic contact providing impurity gettering and the resultant laser circuit |
DE10064479A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | United Monolithic Semiconduct | Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen Bauelements |
US20090029353A1 (en) * | 2003-12-08 | 2009-01-29 | Maki Wusi C | Molecular detector |
JP2013131650A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6206159B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-10-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10224285B2 (en) | 2017-02-21 | 2019-03-05 | Raytheon Company | Nitride structure having gold-free contact and methods for forming such structures |
US10096550B2 (en) * | 2017-02-21 | 2018-10-09 | Raytheon Company | Nitride structure having gold-free contact and methods for forming such structures |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5548709B2 (ja) * | 1974-04-06 | 1980-12-08 | ||
EP0224614B1 (en) * | 1985-12-06 | 1990-03-14 | International Business Machines Corporation | Process of fabricating a fully self- aligned field effect transistor |
JPS62169483A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタの構造及び製造方法 |
JPS62199068A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH0750781B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1995-05-31 | 富士通株式会社 | 化合物半導体集積回路装置 |
KR920006875B1 (ko) * | 1987-03-18 | 1992-08-21 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 비합금 오옴 콘택트들을 가지고 있는 화합물 반도체 장치 |
US4792531A (en) * | 1987-10-05 | 1988-12-20 | Menlo Industries, Inc. | Self-aligned gate process |
JP2685149B2 (ja) * | 1988-04-11 | 1997-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
JPH0547798A (ja) * | 1991-01-31 | 1993-02-26 | Texas Instr Inc <Ti> | 抵抗性AlGaAsを有するGaAs FET |
EP0503731B1 (fr) * | 1991-03-15 | 1998-12-02 | Laboratoires D'electronique Philips S.A.S. | Procédé de réalisation d'un transistor à haute mobilité électronique intégré |
JPH081955B2 (ja) * | 1991-08-21 | 1996-01-10 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | 反転変調ドープされたヘテロ構造の製造方法 |
JP2735718B2 (ja) * | 1991-10-29 | 1998-04-02 | 三菱電機株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US5369043A (en) * | 1992-12-25 | 1994-11-29 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor circuit device and method for production thereof |
US5364816A (en) * | 1993-01-29 | 1994-11-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fabrication method for III-V heterostructure field-effect transistors |
JPH06232168A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
US5489539A (en) * | 1994-01-10 | 1996-02-06 | Hughes Aircraft Company | Method of making quantum well structure with self-aligned gate |
-
1994
- 1994-05-18 JP JP6103654A patent/JP2606581B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-05-18 US US08/444,026 patent/US5770489A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5770489A (en) | 1998-06-23 |
JPH07312373A (ja) | 1995-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0283278B1 (en) | Compound semiconductor device having nonalloyed ohmic contacts | |
US4889831A (en) | Method of forming a high temperature stable ohmic contact to a III-V substrate | |
JP2606581B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JPH10135242A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JP3087671B2 (ja) | バイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
JP3119248B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JPH10199896A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JPH08115925A (ja) | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
JPS61188966A (ja) | 高速半導体装置の製造方法 | |
JP2630208B2 (ja) | オーミック電極 | |
JP2000223504A (ja) | 電界効果型半導体装置およびその製造方法 | |
JPS627159A (ja) | 半導体装置 | |
JP3038737B2 (ja) | 量子細線半導体装置およびその製造方法 | |
JP2001230261A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3077653B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JPH02189978A (ja) | 細線電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JP3505884B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JPH0789586B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0951092A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JPS6115375A (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ | |
JP3195807B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPS6010785A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JPH06232168A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JPH08288297A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
JPH09181085A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961217 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080213 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130213 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140213 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |