KR930003436A - 이질접합 계면을 가지며, 캐리어를 고속으로 운송하는 반도체 장치 - Google Patents

이질접합 계면을 가지며, 캐리어를 고속으로 운송하는 반도체 장치 Download PDF

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KR930003436A
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Abstract

내용 없음.

Description

이질접합 계면을 가지며, 캐리어를 고속으로 운송하는 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1실시예에 따른 HEMT의 구조를 도시한 다이어그램,
제5도는 제3도 장치에 이용된 여러 가지 물질의 전자 속도 및 전계간의 관계를 도시한 다이어그램,
제6(A)도 및 제6(B)도는 제4도 장치의 대응 밴드 구조 및 에피텍셜 구조를 도시한 다이어그램.

Claims (8)

  1. 상측면을 갖는 반도체 기판(11), 상측면과 하측면을 갖으며 캐리어를 이동시키기 위해 상기의 반도체 기판상의 상측면에 제공되고, 상기의 상측면을 따라 형성된 2차원 캐리어기체(15a)를 포함하는 전자주행층(13), 도핑된 제3반도체 재료로 형성되고 상측 및 하측면을 갖으며 상기 전자주행층의 상측면에 제공된 캐리어 공급층(17), 캐리어를 상기의 캐리어 공급층을 통해 2차원 캐리어가스 안으로 주입하기 위해 저항 접촉식으로 상기 캐리어 공급층의 상측면에 제공된 소스 전극수단(21), 캐리어를 상기 캐리어 공급층을 통해 2차원 캐리어 기체로부터 회수하기 위해 상기의 소스 전극수단으로부터 분리되어지도록 저항 접촉식으로 상기 캐리어 공급층의 상측면에 제공된 드레인 전극 수단(22), 및 상기의 2차원 캐리어 기체를 통해 캐리어의 흐름을 제어하기 위해 상기의 소스 및 드레인 전극 수단 사이의 캐리어 공급층의 상측면에 제공된 게이트 전극수단(23)으로 구성되되, 상기의 전자 주행층은 상기 전자주행층(13)의 하측면에 대응하는 하측면과 상측면을 갖는 제1반도체 재료로된 도핑되지 않은 제1부층(14)과, 상기 전자주행층의 상측면에 대응하는 상측면과 하측면을 갖는 제2반도체 재료로된 도핑되지 않은 제2부층(15)을 포함하고, 상기의 제2부층은 상기의 제1부층에 제공되며, 상기의 제1 및 제2부층은 제1 및 제2캐리어 포화 이송속도를 갖되, 상기의 제1포화 이동속도는 제2포화 이동속도 보다 큰 것을 특징으로 하는 이질접합 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 제2부층(15)은 상기의 제1부층(14)보다 큰 전자이동도를 갖음을 특징으로 하는 이질접합 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기의 제1 및 제2부층(14, 15)은 상기의 제2부층이 상기의 제2부층(15)의 상측면에 대응되게 형성된 제1전위장벽과 상기의 제2부층(15)의 하측면에 대응되게 형성된 제2전위장벽에 의해 한정된 전위부를 형성하도록 제1 및 제2전자친화도를 각각 갖으며, 상기의 제1 및 제2전위장벽은 제1 및 제2장벽 높이를 각각 갖되, 상기의 제1장벽 높이는 제2장벽 높이보다 큰 것을 특징으로 하는 이질접합 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기의 제1부층(14)은 상기의 제1부층의 하측면에 형성된 전위장벽에 의해 한정된 전위부를 형성하는 것을 특징으로 하는 이질접합 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기의 제1전자주행층(14)은 InP로 형성되고, 상기의 제2전자주행층(15)은 InGaAs로 형성됨을 특징으로 하는 이질접합 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기의 제2전자주행층(15)은 Ino.51Gao.49As의 조성물을 갖음을 특징으로 하는 이질접합 반도체 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기의 제1 및 제2부층(14, 15)은 제1부층(14)의 상측면이 제2부층(15)의 하측면과의 밀접접촉을 달성하도록 제공됨을 특징으로 하는 이질접합 반도체 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기의 반도체 장치는 상. 하측면을 갖는 버퍼층(12)을 또한 포함하되 상기의 버퍼층은 상기의 상측면에서 향상된 결정면을 제공하기 위해 상기 전자주행층(13)의 하측면과 기판(11)의 상측면 사이에 삽입되며, 상기의 캐리어 공급층(17)을 형성하는 상기의 제3반도체 재료와 동일한 조성물을 갖는 도핑되지 않은 반도체 재료를 포함함을 특징으로 하는 이질접합 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920011884A 1991-07-03 1992-07-03 이질접합계면을 가지며, 캐리어를 고속으로 운송하는 반도체 장치. KR950011787B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102600814B1 (ko) * 2023-05-09 2023-11-10 동원영 고강성 교량 구조물

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0482726B1 (en) * 1990-10-26 1996-03-13 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Heterojunction field-effect transistor
JP3301888B2 (ja) * 1995-05-18 2002-07-15 三洋電機株式会社 電界効果型半導体装置
US5698870A (en) * 1996-07-22 1997-12-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force High electron mobility transistor (HEMT) and pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) devices with single layer integrated metal
AUPP147398A0 (en) * 1998-01-23 1998-02-19 Defence Science And Technology Organisation Dual non-parallel electronic field electro-optic effect device
US6150680A (en) * 1998-03-05 2000-11-21 Welch Allyn, Inc. Field effect semiconductor device having dipole barrier
US6020226A (en) * 1998-04-14 2000-02-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Single layer integrated metal process for enhancement mode field-effect transistor
US20050139838A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US7528447B2 (en) * 2005-04-06 2009-05-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory and method for controlling a non-volatile semiconductor memory
JP2008306130A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Sanken Electric Co Ltd 電界効果型半導体装置及びその製造方法
TWI508281B (zh) * 2011-08-01 2015-11-11 Murata Manufacturing Co Field effect transistor
CN111863625B (zh) * 2020-07-28 2023-04-07 哈尔滨工业大学 一种单一材料pn异质结及其设计方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4745452A (en) * 1984-09-24 1988-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Tunneling transfer devices
JPH0654786B2 (ja) * 1984-12-27 1994-07-20 住友電気工業株式会社 ヘテロ接合半導体デバイス
JP2652647B2 (ja) * 1988-01-19 1997-09-10 住友電気工業株式会社 ヘテロ接合電界効果トランジスタ
US5164800A (en) * 1990-08-30 1992-11-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102600814B1 (ko) * 2023-05-09 2023-11-10 동원영 고강성 교량 구조물

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Publication number Publication date
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JP3046098B2 (ja) 2000-05-29
DE69216163T2 (de) 1997-04-10
JPH0513461A (ja) 1993-01-22
KR950011787B1 (ko) 1995-10-10
US5326995A (en) 1994-07-05

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