JPS63278277A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
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- JPS63278277A JPS63278277A JP11311487A JP11311487A JPS63278277A JP S63278277 A JPS63278277 A JP S63278277A JP 11311487 A JP11311487 A JP 11311487A JP 11311487 A JP11311487 A JP 11311487A JP S63278277 A JPS63278277 A JP S63278277A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 7
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 abstract description 14
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 241001538234 Nala Species 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
ＩｎＧａＡｓ活性層と、ＩｎＡｌＡｓ層 ＩｎＡｌＧａ
Ａｓ超格子からなるバッファ層とが設けられた化合物半
導体装置であり、このようなデバイスは動作が一層高速
化できる。
Ａｓ超格子からなるバッファ層とが設けられた化合物半
導体装置であり、このようなデバイスは動作が一層高速
化できる。
［産業上の利用分野］
本発明はＧａＡｓ系化合物半導体装置の構成に関する。
ＨＥ Ｍ Ｔ （Ｈ４ｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂ
ｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：高電子移動度トラ
ンジスタ）や各種ＦＥＴなどを構成するＧａＡｓ系デバ
イスは超高速動作が可能なデバイスである。しかし、高
速コンピュータや高速信号処理などの高性能システムに
おいては、なお一層の高性能化が要望されている。
ｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：高電子移動度トラ
ンジスタ）や各種ＦＥＴなどを構成するＧａＡｓ系デバ
イスは超高速動作が可能なデバイスである。しかし、高
速コンピュータや高速信号処理などの高性能システムに
おいては、なお一層の高性能化が要望されている。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点コ第３図
は従来のＩｎＧａＡｓ層 ｎ −ｒｎＡＩＡｓ系ＨＥＭ
Ｔの構造断面図を示しており、１は半絶縁性１ｎＰ基板
、２はノンドープＩｎＡｌＡｓ層（バッファ層）、３は
ノンドープＩｎＧａＡｓ層（チャネル層）、４はｎ−Ｉ
ｎＡｌＡｓ層（電子供給層）、５はｎ −ＩｎＧａＡｓ
層（コンタクト層）、６はＡ１からなるゲート電極、７
はソース電極、８はドレイン電極である。
は従来のＩｎＧａＡｓ層 ｎ −ｒｎＡＩＡｓ系ＨＥＭ
Ｔの構造断面図を示しており、１は半絶縁性１ｎＰ基板
、２はノンドープＩｎＡｌＡｓ層（バッファ層）、３は
ノンドープＩｎＧａＡｓ層（チャネル層）、４はｎ−Ｉ
ｎＡｌＡｓ層（電子供給層）、５はｎ −ＩｎＧａＡｓ
層（コンタクト層）、６はＡ１からなるゲート電極、７
はソース電極、８はドレイン電極である。
このようなＩｎＧａＡｓ層をチャネル層（活性層）とす
るのは、ＩｎＧａＡｓ層がＧａＡｓ層よりも電子の飽和
速度が大きく、高速化が容易なために採られている構造
で、このような構成は、例えば、分子線エピタキシャル
成長（ＭＢＥ）法を用いて連続成長して形成される。且
つ、その動作概要は、周知のように、ｎ−ＩｎＡ１八Ｓ
層へ中のドナーからＩｎＧａＡｓ層３へ電子が移動し、
ヘテロ界面のＩｎＧａＡｓ層３側に高速の二次元電子ガ
ス（２０ＥＧ ；点線で示す）を発生させ、その２ＤＥ
Ｇの流れをゲートで制御して、トランジスタ動作させる
ものである。その時、ｎ−ＩｎＡｌＡｓ層が空乏層とな
るために、このｎ −ＩｎＡｌＡｓ層を絶縁膜と考えれ
ば、一種のＭＩＳＦＥＴと云える構造である。
るのは、ＩｎＧａＡｓ層がＧａＡｓ層よりも電子の飽和
速度が大きく、高速化が容易なために採られている構造
で、このような構成は、例えば、分子線エピタキシャル
成長（ＭＢＥ）法を用いて連続成長して形成される。且
つ、その動作概要は、周知のように、ｎ−ＩｎＡ１八Ｓ
層へ中のドナーからＩｎＧａＡｓ層３へ電子が移動し、
ヘテロ界面のＩｎＧａＡｓ層３側に高速の二次元電子ガ
ス（２０ＥＧ ；点線で示す）を発生させ、その２ＤＥ
Ｇの流れをゲートで制御して、トランジスタ動作させる
ものである。その時、ｎ−ＩｎＡｌＡｓ層が空乏層とな
るために、このｎ −ＩｎＡｌＡｓ層を絶縁膜と考えれ
ば、一種のＭＩＳＦＥＴと云える構造である。
第４図は第３図のエネルギーバンド構造図を示しており
、ＩｎＡｌＡｓ層２ 、 ＩｎＧａＡｓ層３ 、 ｎ
−ＩｎＡｌＡｓ層４の部分図で、ＥＣは伝導帯、ＥＦ
Ａよフェルミ準位である。図のように、二次元電子ガス
（２ＤＥＧ）かへテロ界面のＩｎＧａＡｓ層３側に発生
して、これはチャネル電流になるが、その際、同じ＜Ｉ
ｎＡｌＡｓとＩｎＧａＡｓの電子親和力の違いによって
、ＩｎＡｌＡｓ層２ （バッファ層）に近いヘテロ界面
のＩｎＧａＡｓ層３側にも二次元電子ガスが発生する問
題がある。
、ＩｎＡｌＡｓ層２ 、 ＩｎＧａＡｓ層３ 、 ｎ
−ＩｎＡｌＡｓ層４の部分図で、ＥＣは伝導帯、ＥＦ
Ａよフェルミ準位である。図のように、二次元電子ガス
（２ＤＥＧ）かへテロ界面のＩｎＧａＡｓ層３側に発生
して、これはチャネル電流になるが、その際、同じ＜Ｉ
ｎＡｌＡｓとＩｎＧａＡｓの電子親和力の違いによって
、ＩｎＡｌＡｓ層２ （バッファ層）に近いヘテロ界面
のＩｎＧａＡｓ層３側にも二次元電子ガスが発生する問
題がある。
これは、電荷供給層と同様のバッファ層２における深い
不純物準位にあるドナーによって形成されるものである
。
不純物準位にあるドナーによって形成されるものである
。
しかし、このようなバッファ層側の二次元電子ガスは、
金種の高電圧を印加しないかぎり、動作信号のオフ時に
未だチャネル電流として残って、ピンチオフ特性を悪化
させて高速動作を害することになる。
金種の高電圧を印加しないかぎり、動作信号のオフ時に
未だチャネル電流として残って、ピンチオフ特性を悪化
させて高速動作を害することになる。
また、この問題はＩｎＡｌＡｓ層２をバッファ層として
使用するため、上記のような二次元電子ガスが発生する
のであるから、そのＩｎＡｌＡｓ層の代わりに、ＩｎＧ
ａＡｓ層をバッファ層とすれば、バッファ層側での二次
元電子ガスの問題はなくなる。しかし、ＩｎＧａＡｓ層
はバンドギャップ（伝導帯と価電子帯との間隔）が狭く
、そのため、半導体素子を分離する際、Ｉ ｎＧａＡｓ
層（バッファ層）を確実に分離する必要があり、その確
実な分離が難しいためにＩｎＡｌＡｓ層２がバッファ層
として用いられているものである。
使用するため、上記のような二次元電子ガスが発生する
のであるから、そのＩｎＡｌＡｓ層の代わりに、ＩｎＧ
ａＡｓ層をバッファ層とすれば、バッファ層側での二次
元電子ガスの問題はなくなる。しかし、ＩｎＧａＡｓ層
はバンドギャップ（伝導帯と価電子帯との間隔）が狭く
、そのため、半導体素子を分離する際、Ｉ ｎＧａＡｓ
層（バッファ層）を確実に分離する必要があり、その確
実な分離が難しいためにＩｎＡｌＡｓ層２がバッファ層
として用いられているものである。
従って、このＩｎＡｌＡｓ層をバッファ層として用い、
バッファ層側の二次元電子ガスの発生を抑える構造が望
まれて、既にその構造が提唱されている。
バッファ層側の二次元電子ガスの発生を抑える構造が望
まれて、既にその構造が提唱されている。
その方法はノンドープＩｎＡｌＡｓ層２からなるバッフ
ァ層の代わりに、Ｉｎ＾ｌ Ａｓ ／ ＩｎＧａＡｓ超
格子からなるバッファ層を設けるもので、第５図にその
ＨＥＭＴの構造断面図を示している。第５図において第
３図と同一部位に同一記号を付けであるが、その他の２
２がＩｎＡｌＡｓ層 ＩｎＧａＡｓ超格子である。また
、第６図はそのエネルギーバンド構造図を示しており、
第５図と同様に、超格子バッファ層２２． ＩｎＧａＡ
ｓ層３、ｎ−ＩｎｌＩＡｓ層４の部分図である。
ァ層の代わりに、Ｉｎ＾ｌ Ａｓ ／ ＩｎＧａＡｓ超
格子からなるバッファ層を設けるもので、第５図にその
ＨＥＭＴの構造断面図を示している。第５図において第
３図と同一部位に同一記号を付けであるが、その他の２
２がＩｎＡｌＡｓ層 ＩｎＧａＡｓ超格子である。また
、第６図はそのエネルギーバンド構造図を示しており、
第５図と同様に、超格子バッファ層２２． ＩｎＧａＡ
ｓ層３、ｎ−ＩｎｌＩＡｓ層４の部分図である。
この超格子からなるバッファ層を設けると、超格子のへ
テロ界面で不純物（ドナー）がトラップされて、チャネ
ル層（活性層）へのドナーの拡散が防がれ、バッファ層
側の二次元電子ガスの発生は抑制される。しかし、その
ような十分な量子効果を与えるには、超格子中のＩｎＧ
ａＡｓの厚みを精度良くコントロールして、２〜４原子
層の薄い膜厚で積層しなければならない。そうしなけれ
ば、超格子のＩｎＧａＡｓ中に二次元電子ガスが発生し
て、第３図に示す構造と同じ結果になる。
テロ界面で不純物（ドナー）がトラップされて、チャネ
ル層（活性層）へのドナーの拡散が防がれ、バッファ層
側の二次元電子ガスの発生は抑制される。しかし、その
ような十分な量子効果を与えるには、超格子中のＩｎＧ
ａＡｓの厚みを精度良くコントロールして、２〜４原子
層の薄い膜厚で積層しなければならない。そうしなけれ
ば、超格子のＩｎＧａＡｓ中に二次元電子ガスが発生し
て、第３図に示す構造と同じ結果になる。
しかし、そのように超格子を薄い膜厚（１０Å以下とな
る）に制御することは極めて至難な問題である。
る）に制御することは極めて至難な問題である。
本発明はこのような問題点を解消させ、且つ、バッファ
層側の二次元電子ガスの発生が抑止される化合物半導体
装置を提案するものである。
層側の二次元電子ガスの発生が抑止される化合物半導体
装置を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その目的は、ＩｎＧａＡｓからなる活性層を有し、Ｉｎ
ＡｌＡｓとＩｎＡｌＧａＡｓとを交互に積層した超格子
からなるバッファ層が設けられている化合物半導体装置
によって達成される。
ＡｌＡｓとＩｎＡｌＧａＡｓとを交互に積層した超格子
からなるバッファ層が設けられている化合物半導体装置
によって達成される。
［作用］
即ち、本発明は、ＩｎＧａＡｓ活性層（チャネル層）に
対してＩｎＡｌＡｓ層 ＩｎＡｌＧａＡｓ超格子のバッ
ファ層を設けた化合物半導体装置であり、このようなデ
バイス構造にすれば、ＩｎＡｌＡｓ層から電子の移動が
防止され、同時に活性層への不純物の拡散が防止されて
、バッファ層側の二次元電子ガスの発生が抑制される。
対してＩｎＡｌＡｓ層 ＩｎＡｌＧａＡｓ超格子のバッ
ファ層を設けた化合物半導体装置であり、このようなデ
バイス構造にすれば、ＩｎＡｌＡｓ層から電子の移動が
防止され、同時に活性層への不純物の拡散が防止されて
、バッファ層側の二次元電子ガスの発生が抑制される。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にがかるＨＥＭＴの構造断面図を示して
おり、１１は半絶縁性１ｎＰ基板、１２はＩｎＡｌＡｓ
層 ＩｎＡｌＧａＡｓ超格子（バッファ層）、１３はノ
ンドープＩｎＧａＡｓ層（チャネル層；活性層）、１４
はｎ−ＩｎＡｌＡｓ層（電子供給層）、１５はｎ −Ｉ
ｎＧａＡｓ層（コンタクト層）、１６はゲート電極、１
７はソース電極。
おり、１１は半絶縁性１ｎＰ基板、１２はＩｎＡｌＡｓ
層 ＩｎＡｌＧａＡｓ超格子（バッファ層）、１３はノ
ンドープＩｎＧａＡｓ層（チャネル層；活性層）、１４
はｎ−ＩｎＡｌＡｓ層（電子供給層）、１５はｎ −Ｉ
ｎＧａＡｓ層（コンタクト層）、１６はゲート電極、１
７はソース電極。
１８はドレイン電極である。
第２図はそのエネルギーバンド構造図を示し、超格子１
２． ＩｎＧａＡｓ層１３＋ ｎ −ＩｎＡｌＡｓ層
１４の部分図で、Ｅｃは伝導帯、ＥＦはフェルミ準位で
ある。
２． ＩｎＧａＡｓ層１３＋ ｎ −ＩｎＡｌＡｓ層
１４の部分図で、Ｅｃは伝導帯、ＥＦはフェルミ準位で
ある。
このように、バッファ層１２としてＩｎＡｌＡｓとＩｎ
ＡｌＧａＡｓとで超格子を作製すると、ＩｎＡｌＧａＡ
ｓ （四元系）の伝導帯が高レベルになって、ＩｎＡｌ
ＡｓとＩｎＡｌＧａＡｓとの伝導帯の差が小さくなり、
ＩｎＡｌＡｓの深い不純物準位にあるドナーはＩｎＡｌ
ＧａＡｓを越えて移動することが難しくなる。従って、
二次元電子ガスがヘテロ界面のバッファ層１２側に発生
することが抑制される。
ＡｌＧａＡｓとで超格子を作製すると、ＩｎＡｌＧａＡ
ｓ （四元系）の伝導帯が高レベルになって、ＩｎＡｌ
ＡｓとＩｎＡｌＧａＡｓとの伝導帯の差が小さくなり、
ＩｎＡｌＡｓの深い不純物準位にあるドナーはＩｎＡｌ
ＧａＡｓを越えて移動することが難しくなる。従って、
二次元電子ガスがヘテロ界面のバッファ層１２側に発生
することが抑制される。
次に、本発明にかかる構造の具体例を説明する。
半絶縁性ＩｎＰ基板１１の上に成長するバッファ層の超
格子（バッファ層）はＩｎ０．、ＡＩ、、、ＡｓとＩ
ｎ、、（へＩ工ＧａＪ 、４ｔ Ａ ｓ （Ｘ−０８５
′）の組成で構成し、各層の厚みは約２０ｎｍ、周期は
１０にする。このようにＩｎＡｌＧａＡｓの中のＡ１組
成を大きくして、その上にノンドープＩｎＧａＡｓチャ
ネル層１３の厚みを３０ｎｍ、 ｎ −ＩｎＡＩＡｓ
電子供給層１４の厚みを４５ｎｍ、 ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層１５の厚みを２０ｎｍにしてエピタキシ
ャル成長する。
格子（バッファ層）はＩｎ０．、ＡＩ、、、ＡｓとＩ
ｎ、、（へＩ工ＧａＪ 、４ｔ Ａ ｓ （Ｘ−０８５
′）の組成で構成し、各層の厚みは約２０ｎｍ、周期は
１０にする。このようにＩｎＡｌＧａＡｓの中のＡ１組
成を大きくして、その上にノンドープＩｎＧａＡｓチャ
ネル層１３の厚みを３０ｎｍ、 ｎ −ＩｎＡＩＡｓ
電子供給層１４の厚みを４５ｎｍ、 ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層１５の厚みを２０ｎｍにしてエピタキシ
ャル成長する。
そのウェハーを素子分離してデバイスを作製し、そのデ
バイスの特性を測定すると、良好なピンチオフ特性が得
られる。
バイスの特性を測定すると、良好なピンチオフ特性が得
られる。
以上はＨＥＭＴＯ例で説明したが、本発明はＨＥＭＴに
限るものではなく、例えば、ｎ −ＧａＡｓ層をチャネ
ル層（活性層）としたＭＥＳＦＥＴやｎ−ＩｎＧａＡｓ
層をチャネル層としたＭＩＳＦＦ、Ｔにも適用して、同
様の効果があるものである。
限るものではなく、例えば、ｎ −ＧａＡｓ層をチャネ
ル層（活性層）としたＭＥＳＦＥＴやｎ−ＩｎＧａＡｓ
層をチャネル層としたＭＩＳＦＦ、Ｔにも適用して、同
様の効果があるものである。
［発明の効果コ
上記の説明から明らかなように、本発明にかかる半導体
装置は、活性層におけるバッファ層側の二次元電子ガス
の発生が抑制されて、ピンチオフ特性が向上し、その動
作が一層高速できる利点がある。
装置は、活性層におけるバッファ層側の二次元電子ガス
の発生が抑制されて、ピンチオフ特性が向上し、その動
作が一層高速できる利点がある。
第１図は本発明にがかるＨＥＭＴの構造断面図、第２図
はそのエネルギーバンド構造図、第３図は従来のＨＥＭ
Ｔの構造断面図、第４図はそのエネルギーバンド構造図
、第５図は従来の他の例のＨＥＭＴの構造断面図、第６
図はそのエネルギーバンド構造図である。 図において、 １．１１は半絶縁性ＩｎＰ基板、 ２はノンドープＩｎＡｌＡｓ層（バッファ層）、３．１
３はノンドープＩｎＧａＡｓ層（チャネル層）、４．１
４はｎ −ＩｎＡｌＡｓ層（電子供給層）、５．１５は
ｎ −ＩｎＧａＡｓ層（コンタクト層）、６．１６はゲ
ート電極、 ７．１７はソース電極、 ８．１８はドレイン電極、 １２はＩｎＡｌＡｓ層 ＩｎＡｌＧａＡｓ超格子（バッ
ファ層）、２２はＩｎＡｌＡｓ層 ＩｎＧａＡｓ［格子
（へ゛ソファ層）を示している。 Ｊ＆軸弓にか〉ろＨＥＭＴり社Ｙ介１狛Ｆへ第１図 ｖ１１図り工λルＮ−バ〉ド靜いｔワ 第２図 ＬＬ ／） ＨＥｌｖｌＴＪ１ｈｉＬｔｌｒ面図第３図 輌９３図す工８）し〜゛−パ′ンド澗縁１昭第４図
はそのエネルギーバンド構造図、第３図は従来のＨＥＭ
Ｔの構造断面図、第４図はそのエネルギーバンド構造図
、第５図は従来の他の例のＨＥＭＴの構造断面図、第６
図はそのエネルギーバンド構造図である。 図において、 １．１１は半絶縁性ＩｎＰ基板、 ２はノンドープＩｎＡｌＡｓ層（バッファ層）、３．１
３はノンドープＩｎＧａＡｓ層（チャネル層）、４．１
４はｎ −ＩｎＡｌＡｓ層（電子供給層）、５．１５は
ｎ −ＩｎＧａＡｓ層（コンタクト層）、６．１６はゲ
ート電極、 ７．１７はソース電極、 ８．１８はドレイン電極、 １２はＩｎＡｌＡｓ層 ＩｎＡｌＧａＡｓ超格子（バッ
ファ層）、２２はＩｎＡｌＡｓ層 ＩｎＧａＡｓ［格子
（へ゛ソファ層）を示している。 Ｊ＆軸弓にか〉ろＨＥＭＴり社Ｙ介１狛Ｆへ第１図 ｖ１１図り工λルＮ−バ〉ド靜いｔワ 第２図 ＬＬ ／） ＨＥｌｖｌＴＪ１ｈｉＬｔｌｒ面図第３図 輌９３図す工８）し〜゛−パ′ンド澗縁１昭第４図
Claims (1)
- ＩｎＧａＡｓからなる活性層を有し、ＩｎＡｌＡｓとＩ
ｎＡｌＧａＡｓとを交互に積層した超格子からなるバッ
ファ層が設けられていることを特徴とする化合物半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11311487A JPS63278277A (ja) | 1987-05-09 | 1987-05-09 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11311487A JPS63278277A (ja) | 1987-05-09 | 1987-05-09 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278277A true JPS63278277A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14603864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11311487A Pending JPS63278277A (ja) | 1987-05-09 | 1987-05-09 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63278277A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0366179A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-03-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アバランシェフォトダイオード |
| US5550388A (en) * | 1993-12-22 | 1996-08-27 | Nec Corporation | Heterojunction FET having barrier layer consisting of two layers between channel and buffer layers |
| JPH08236752A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Nec Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
| JPH08236753A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-13 | Nec Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
| US5773853A (en) * | 1993-02-26 | 1998-06-30 | Fujitsu Ltd. | Compound semiconductor device |
| EP0863554A2 (en) * | 1997-03-05 | 1998-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-effect transistor |
| US5856685A (en) * | 1995-02-22 | 1999-01-05 | Nec Corporation | Heterojunction field effect transistor |
-
1987
- 1987-05-09 JP JP11311487A patent/JPS63278277A/ja active Pending
Cited By (8)
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| JPH08236753A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-13 | Nec Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
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