KR880006792A - 반도체 바이 씨 모오스장치의 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 11
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
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- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 바이 씨 모오스의 평면도.
Claims (4)
- 제 2도전형의 바이폴라 트랜지스터가 형성될 제1기판영역과 상기 제1도전형의 채널을 갖는 제1모오스 전계효과 트랜지스터가 형성될 제2기판영역 및 제2도전형의 채널을 갖는 제2모오스 전계효과 트랜지스터가 형성될 상기 제1도전형의 실리콘기판상에 소정영역을 구비한 제1도전형의 단결정 실리콘기판상에 하기의 공정으로 바이 씨 모오스를 제조함을 특징으로 하는 방법.(a) 상기 제1도전형의 단결정 실리콘기판상에 제1산화막층과 제2상부 질화막층으로 구성된 마스킹층을 형성하는 공정.(b) 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜랙터 접속영역과 에미터영역 및 상기 제1모오스 전계효과 트랜지스터의 소오스영역과 드레인영역 및 상기 제2모오스 전계효과 트랜지스터의 접속영역을 마스크 하기 위해 상기 마스킹층 상부에 마스크를 형성하는 공정.(c) 상기 마스크가 형성되지 않은 노출된 마스킹층 부분을 제거하는 공정.(d) 상기 마스킹층 상부의 마스크를 제거하는 공정.(e) 상기 노출된 제1기판영역 표면과 제2기판영역 표면 및 실리콘기판 표면상에 제2산화막층을 형성하는 공정.(f) 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스영역과 제1모오스 전계효과 트랜지스터의 소오스영역 및 드레인영역과 제1도전형의 기판상에 채널스토퍼 영역을 형성하기 위해 상기 제2산화막층 상부에 마스크를 형성하는 공정.(g) 상기 마스크되지 않은 노출된 부분의 제2산화막 층을 제거하는 공정.(h) 상기 마스크되지 않은 노출된 부분을 통해 상기 베이스영역과 소오스영역과 드레인영역 및 체널스토퍼영역을 형성하기 위한 이온주입을 하는 공정.(i) 상기 마스크를 제거하고 마스킹층을 갖지 않는 표면영역에 제3산화막층을 형성함과 동시에 상기 이온주입을 활성화하는 공정.(j) 트랜지스터의 콜랙터 접속영역부분과 에미터영역 부분 및 제1모오스 전계효과 트랜지스터의 접속영역부분 및 제2모오스 전계효과 트랜지스터의 소오스영역 부분 및 드레인영역 부분 상부의 마스킹층을 제거하고 이온주입을 하는 공정.(k) 기판 표면 전면에 산화막층을 형성하는 공정.(l) 제1및 제2모오스 전계효과 트랜지스터의 게이트산화막을 형성하기 위한 마스크를 형성하고 게이트 영역 상부의 산화막층을 제거하는 공정.(m) 상기 마스크를 제거하고 게이트산화막을 형성하는 공정.(n) 이온주입된 불순물들의 활성화와 상기 (k)공정에서 형성된 산화막의 밀도를 높이기 위한 열처리 공정.(o) 트랜지스터의 에미터영역과 베이스영역과 콜랙터접속영역 및 채널스토퍼영역과 제1및 제2모오스 전계효과 트랜지스터의 소오스 및 드레인영역과의 접속을 위한 개구들을 형성하는 공정.(p) 상기 개구들을 통해 도체층의 접속을 하는 공정.(q) 패시베이숀층을 상기 기판전면에 도포하고 도선용접을 위한 패드를 노출하는 공정.
- 제1항에 있어서, (k)의 공정후 질화막층을 상기 산화막층의 상부에 형성함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, (m)의 공정후 드레쉬홀드 전압조정을 위한 이온주입공정을 함을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 이온주입공정이 N모오스 전계효과 트랜지스터의 드레쉬홀드 전압을 조절하기 위한 공정이며, 상기 이온주입공정후 P모오스 전계효과 트랜지스터의 드레쉬홀드 전압조정을 위한 선택마스크를 사용하여 이온주입 공정을 함을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019860009286A KR890004420B1 (ko) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 반도체 바이 씨 모오스장치의 제조방법 |
US07/106,582 US4826783A (en) | 1986-11-04 | 1987-10-08 | Method for fabricating a BiCMOS device |
DE19873736369 DE3736369A1 (de) | 1986-11-04 | 1987-10-27 | Verfahren zur herstellung eines bicmos-bauelements |
GB8725477A GB2197127B (en) | 1986-11-04 | 1987-10-30 | A method for fabricating a bicmos device |
FR878715204A FR2606212B1 (fr) | 1986-11-04 | 1987-11-03 | Procede de fabrication d'un composant bicmos |
JP62277543A JP2633873B2 (ja) | 1986-11-04 | 1987-11-04 | 半導体BiCMOS装置の製造方法 |
HK280/91A HK28091A (en) | 1986-11-04 | 1991-04-11 | A method for fabricating a bicmos device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019860009286A KR890004420B1 (ko) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 반도체 바이 씨 모오스장치의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR880006792A true KR880006792A (ko) | 1988-07-25 |
KR890004420B1 KR890004420B1 (ko) | 1989-11-03 |
Family
ID=19253178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019860009286A KR890004420B1 (ko) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 반도체 바이 씨 모오스장치의 제조방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4826783A (ko) |
JP (1) | JP2633873B2 (ko) |
KR (1) | KR890004420B1 (ko) |
DE (1) | DE3736369A1 (ko) |
FR (1) | FR2606212B1 (ko) |
GB (1) | GB2197127B (ko) |
HK (1) | HK28091A (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR930008899B1 (ko) * | 1987-12-31 | 1993-09-16 | 금성일렉트론 주식회사 | 트랜칭(trenching)에 의한 바이-씨모스(Bi-CMOS)제조방법 |
US5091760A (en) * | 1989-04-14 | 1992-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US5112761A (en) * | 1990-01-10 | 1992-05-12 | Microunity Systems Engineering | Bicmos process utilizing planarization technique |
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JPH088268A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | バイポーラトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法 |
JPH08148583A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | バイポーラトランジスタを有する半導体記憶装置 |
EP0782968B1 (de) * | 1995-12-18 | 2001-10-17 | Heidelberger Druckmaschinen Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtungen zum Halten von Substraten auf einem Transportband einer Druckmaschine |
US5879954A (en) * | 1996-05-20 | 1999-03-09 | Raytheon Company | Radiation-hard isoplanar cryo-CMOS process suitable for sub-micron devices |
DE102018109242B4 (de) * | 2018-04-18 | 2019-11-14 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Verfahren zum herstellen eines dotierten vergrabenen gebiets und eines dotierten kontaktgebiets in einem halbleiterkörper |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT947674B (it) * | 1971-04-28 | 1973-05-30 | Ibm | Tecnica di diffusione epitassiale per la fabbricazione di transisto ri bipolari e transistori fet |
DE2219969C3 (de) * | 1972-04-24 | 1978-09-07 | Roth Electric Gmbh, 8035 Gauting | Vorrichtung zum selbsttätigen Zuführen von Längsdrähten in Gitter-Schweißmaschinen |
JPS5633864B2 (ko) * | 1972-12-06 | 1981-08-06 | ||
US3898107A (en) * | 1973-12-03 | 1975-08-05 | Rca Corp | Method of making a junction-isolated semiconductor integrated circuit device |
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US4314267A (en) * | 1978-06-13 | 1982-02-02 | Ibm Corporation | Dense high performance JFET compatible with NPN transistor formation and merged BIFET |
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JPS56169359A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
EP0093786B1 (de) * | 1982-05-06 | 1986-08-06 | Deutsche ITT Industries GmbH | Verfahren zum Herstellen einer planaren monolithisch integrierten Festkörperschaltung mit mindestens einem Isolierschicht-Feldeffekttransistor und mit mindestens einem Bipolartransistor |
JPS58216455A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS59117150A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置とその製造法 |
US4637125A (en) * | 1983-09-22 | 1987-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for making a semiconductor integrated device including bipolar transistor and CMOS transistor |
JPS60171757A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-05 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-11-04 KR KR1019860009286A patent/KR890004420B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-10-08 US US07/106,582 patent/US4826783A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-27 DE DE19873736369 patent/DE3736369A1/de active Granted
- 1987-10-30 GB GB8725477A patent/GB2197127B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-03 FR FR878715204A patent/FR2606212B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-04 JP JP62277543A patent/JP2633873B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-11 HK HK280/91A patent/HK28091A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2197127A (en) | 1988-05-11 |
FR2606212A1 (fr) | 1988-05-06 |
US4826783A (en) | 1989-05-02 |
FR2606212B1 (fr) | 1990-08-31 |
KR890004420B1 (ko) | 1989-11-03 |
JP2633873B2 (ja) | 1997-07-23 |
DE3736369C2 (ko) | 1991-09-05 |
GB2197127B (en) | 1990-07-04 |
HK28091A (en) | 1991-04-19 |
JPS63278265A (ja) | 1988-11-15 |
DE3736369A1 (de) | 1988-05-11 |
GB8725477D0 (en) | 1987-12-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20051007 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Expiration of term |