KR880005623A - 멀리비트 테스트모드에서 임의의 테스트패턴으로 메가비트 기억모듈을 테스트하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 본 발명의 메가비트 발생 기억모들의 기본적인 구성을 나타내는 블록 다이어그램.
Claims (8)
- m개 캐럭터가 동시에 테스트되는 멀티비테스트 모드에서 임의의 테스트 팬턴으로 메가비트 기억모들을 테스트하는 방법에 있어서, 메가비트 기억모듈내에 기억된 각각의 m개 데이터 정보 항목이 테스트워드 레지스터내에서 m차 테스트워드로 통합되고 이어서 테스트워드의 비트 위치를 m차 셀그룹의 셀로 각각 고정되게 지정하면서 데이터 정보가 0일때의 테스트워드 또는 데이터 정보가 1일때의 부정된 테스트워드가 하나의 셀그룹 또는 셀어레이의 연이은 다수의 셀그룹으로 재생되게 하는 스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메가비트 기억모듈을 테스트 하기 위한 방법.
- 제1항에 있어서, 서로 독립적인 적어도 2개의 테스트워드가 발생되고, 이들이 데이터 정보의 입력 항목에 의해 자유로이 선택될 수 있으며 셀어레이의 셀그룹에서 재생될 수 있는 것을 특징으로 하는 메가비트 기억모듈을 테스트 하기 위한 방법.
- 제1항 또는 2항에 있어서, 상기 테스트워드가 비교 논리 유니트로 공급되어 셀그룹의 실제적인 셀 내용을 원래 입력된 테스트워드와 비교하고, 이 비교의 결과 출력신호로서 양 또는 음의 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 메가비트 기억모듈을 테스트 하기 위한 방법.
- m개의 캐럭터가 동시에 테스트 되는 멀티비트 테스트모드에서 임의의 테스트 패턴으로 메가비트 기억모들을 테스트 하기 위한 장치에 있어서, 메가비트 기억모들내에 기억된 각각의 m개 데이터 정보 항목을 테스트워드 레지스터 내에서 m차 테스트 워드로 통합하는 수단과, 테스트워드의 비트 위치를 m차 셀그룹의 셀로 각각 고정되게 지정하면서 테스트워드 또는 부정된 테스트워드를 테스트 하기 위한 장치.
- 제1항 내지 3항중 어느 하나에서 청구된 방법을 실행하기 위한 장치에 있어서, 상기 메가비트 기억모들이 m차 테스트워드를 수용하고 셀어레이의 전단에 배치되어 있는 테스트워드 레지스터와, 이 테스트워드 레지스터에 연결되고 상기 셀어레이 후단에 배치된 비교논리 유니트와, 테스트워드 레지스터 내로의 테스트 워드의 입력과 셀어레이내로 테스트워드 또는 부정된 테스트워드가 입력되는 것을 제어하는 다수의 스위치를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 메가비트 기억모듈을 테스트 하기위한 장치.
- 제2항 또는 3항에서 청구한 방법을 실행하기 위한 장치에 있어서, 상기 메가비트 기억모들이 m차 테스트워드를 수용하고 셀어레이의 전단에 배치된 2개의 테스트워드 레지스터와, 이 테스트워드 레지스터에 연결되고 상기 셀어레이 후단에 배치된 비교논리 유니트와, 테스트워드 레지스터내로 테스트워드가 입력되는 것을 셀어레이내로 테스트워드가 입력되는 것을 제어하는 다수의 스위치를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 메가비트 기억모듈을 테스트 하기 위한 장치.
- 제6항 또는 7항에 있어서, 각각 m 또는 2m의 계수 사이클을 가지는 카운터가 설치되어 테스트워드 또는 테스트워드 각각의 입력의 종료를 판단하고 셀어레이내로 테스트워드가 입력되도록 작동시키는 것을 특징으로 하는 메가비트 기억모듈을 테스트 하기 위한 장치.
- 제6항 또는 7항에 있어서, 멀리비트 테스트모드에 따라 어드레스 공간이 적은 범위로 요구될 때 해제되는 제어 입력이 어드레스 라인 Aj를 통해 제공되어 테스트워드의 입력 또는 테스트 워드의 종료를 판단하고 셀어레이내로 테스트워드 또는 테스트워드 각각을 입력시키도록 작동하는 것을 특징으로 하는 메가비트 기억모듈을 테스트 하기 위한 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3634352.8 | 1986-10-08 | ||
DE19863634352 DE3634352A1 (de) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | Verfahren und anordnung zum testen von mega-bit-speicherbausteinen mit beliebigen testmustern im multi-bit-testmodus |
DEP3634352.8 | 1986-10-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR880005623A true KR880005623A (ko) | 1988-06-29 |
KR960004739B1 KR960004739B1 (ko) | 1996-04-12 |
Family
ID=6311350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019870011298A KR960004739B1 (ko) | 1986-10-08 | 1987-10-06 | 멀티비트 테스트모드에서 임의의 테스트 패턴으로 메가비트 기억모듈을 테스트하기 위한 방법 및 장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4841525A (ko) |
EP (1) | EP0263470B1 (ko) |
JP (1) | JP2894691B2 (ko) |
KR (1) | KR960004739B1 (ko) |
AT (1) | ATE85862T1 (ko) |
DE (2) | DE3634352A1 (ko) |
HK (1) | HK68794A (ko) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2222461B (en) * | 1988-08-30 | 1993-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | On chip testing of semiconductor memory devices |
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-
1986
- 1986-10-08 DE DE19863634352 patent/DE3634352A1/de not_active Withdrawn
-
1987
- 1987-10-05 AT AT87114519T patent/ATE85862T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-10-05 US US07/104,155 patent/US4841525A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-05 EP EP87114519A patent/EP0263470B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-05 DE DE8787114519T patent/DE3784209D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-06 JP JP62253452A patent/JP2894691B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-06 KR KR1019870011298A patent/KR960004739B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-07-14 HK HK68794A patent/HK68794A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0263470B1 (de) | 1993-02-17 |
DE3634352A1 (de) | 1988-04-21 |
JPS63106997A (ja) | 1988-05-12 |
EP0263470A2 (de) | 1988-04-13 |
HK68794A (en) | 1994-07-22 |
KR960004739B1 (ko) | 1996-04-12 |
DE3784209D1 (de) | 1993-03-25 |
US4841525A (en) | 1989-06-20 |
JP2894691B2 (ja) | 1999-05-24 |
ATE85862T1 (de) | 1993-03-15 |
EP0263470A3 (en) | 1989-11-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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GRNT | Written decision to grant | ||
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