KR880001557A - 저휘발성/유기 가용성 포스핀 리간드를 사용한 하이드로 포밀화 방법 - Google Patents

저휘발성/유기 가용성 포스핀 리간드를 사용한 하이드로 포밀화 방법 Download PDF

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내용 없음

Description

저휘발성/유기 가용성 포스핀 리간드를 사용한 하이드로 포밀화 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (20)

  1. 올레핀계 불포화 유기 화합물을, 유기 가용화Ⅷ 족 전이금속-포스포러스 리간드 착화합물 촉매 및 유리 포스포러스 리간드를 함유하는 비수성 하이드로포밀화 반응매질 중에서, 일산화탄소 및 수소와 반응시켜 알데히드를 제조하는 비수성 하이드로 포밀화 방법에 있어서, 상기 착화합물 촉매의 포스포러스 리간드 및 상기 유리포스러스 리간드로서 하기 일반식의 저취발성, 유기 가용성 일설폰화 3급 포시핀 염을 사용함을 특징으로 하는 방법.
    상기식에서, 각 R그룹은 각기 알킬, 아릴, 알크아릴, 아르아릴, 및 사이클로알킬 라디칼로 이루어진 군중에서 선택되는 탄소수 1내지 30의 라디칼을 나타내고, M은 일반식
    야민 양이온을 나탸내며, 여기에서 R1수소 또는 알킬, 아릴, 알크아릴, 아르알킬 및 사이클로알킬 라디칼로 이루어진 군중에서 선택 되는 탄소수 1내지 30의 라디칼을 나태내고, 각 R², R³ 및 R⁴그룹은 각기 알킬, 아릴, 알크아릴, 아르알킬 및 사이클로 헥실 라디칼로 이루어진 군중에서 선택되는 라디칼을 나타내며, 상기 R1, R²,R³ 및 R⁴그룹중의 2개 또는 3개는 함께 결합하여 상기 아민 양이온 질소원자와 함께 모노-, 비-, 또는 폴리-사이클릭 환을 형성할 수 있으며 ; 단, 사용된 일설폰화 3급 포스핀염에서 아민 양이온 M 의 상기R¹, R²,R³및 R⁴그룹중의 하나 이상은 탄소수 8내지 30의 알킬 또는 아르알킬 라디칼을 나타내어야 한다.
  2. 제1항에 있어서, 하이드로포밀화 반응조건이 약45°C 내지 약200°C의 반응온도와 약 1500psia 미만의, 수소, 일산화탄소 및 올레핀계 불포화 화합물의 총기압을 포함하며, 기체상 소소 대 일산화탄소의 Hz : co 몰비가 약 1 : 10 내지 100 : 1 의 범위이며 : 반응 매질이 상기 매질중 Ⅷ 족 전이금속의 몰당 약 4몰 이상의 총유티 포스러스 리간드를 함유하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 기체상 수소 대 일산화탄소의 H₂: co몰비가 약1 :1 내지 50 :1의 범위인 방법.
  4. 제2항에서 있어서, Ⅷ족 전이금속이 로듐이고, 올레핀계 불포화 화합물이 2내지 20개의 탄소원자를 함유하며, 반응온도가 약60°C 내지 약140°C이고, 수소, 일산화탄소 및 올레핀계 불포화 화합물의 총기압이 약 500psia 미만이며, 일산화탄소 분압이 약 1내지 120psia 이고, 수소 분압이 약 15내지 160psia 인 방법.
  5. 제4항에 있어서, 올레핀계 불포화 화합물이 탄소수 2내지 5의 알파 올레핀인 방법.
  6. 제5항에 있어서, 각 R 이 각기 탄소수 3내지 9의 측쇄 알킬 라디칼, 페닐 및 사이클로헥실 라디칼로 이루어진 그룹중에서 선택되는 라디칼인 방법.
  7. 제6항에 있어서 R¹이 수소 또는 탄소수 1내지 20의 알킬 라디칼이고, R2및, R3가 각기 탄소수 1내지 20의 알킬 라디칼이며, R⁴가 탄소수 8내지 20의 알킬 또는 아르알킬 라디칼인 방법
  8. 제7항에 있어서, 각 R이 각기 페닐 또는 사이클로헥실 라디칼이고, R¹이 수소이며, R² 및, R³가 각기 탄소수 1내지 8의 알킬 라디칼이고, R⁴가 탄소수 8내지 16의 알킬 라디칼인 방법.
  9. 제8항에 있어서, 알파 올레핀이 프로필렌 또는 부텐-1이고,M+가 트리옥틸암모늄, 디메틸도데실 암모늄, 디메틸옥틸암모늄 및 디메틸세틸암모늄으로 이루어진 그룹중에 선택되는 4급 암모늄 라디칼을 나타내는 방법.
  10. 제4항에 있어서, 올레핀계 분포화 화합물이 탄소수 6내지 20의 알파 올레핀인 방법.
  11. 제10항에 있어서, 알파 올레핀이 6내지 14개의 탄소원자를 함유하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 각 R이 각기 탄소수 3내지 9의 측쇄 알킬 라디칼, 페닐 및 사이클로헥실 라디칼로 이루어진 그룹중에서 선택되는 라디칼인 방법.
  13. 제12항에 있어서, R¹이 수소 또는 탄소수 1내지 20의 알킬 라디칼이고, R² 및, R³가 각기 탄소수 1내지 20의 알킬 라디칼이며, R⁴가 탄소수 8내지 20의 알킬또는 아르알킬 라디칼인 방법.
  14. 제13항에 있어서, 각 R이 각기 페닐 또는 사이클로 헥실 라디칼이고, R¹이 수소이며, R² 및 R³가 각기 탄소수 1내지 8의 알킬 라디칼이고, R⁴가 탄소수 8내지 16의 알킬 라디칼인 방법.
  15. 제14항에 있어서,M+이 트리옥틸암모늄, 디메틸도데실암모늄, 디메틸옥틸암모늄 및 디메틸세틸 암모늄으로 이루어진 그룹중에서 선택되는 4급 암모늄 라디칼을 나타내는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 알파 올레핀이 옥텐-1 방법.
  17. 제11항에 있어서, 일설폰화 3급 포스핀염 리간드가 3-(디페닐포스핀)벤젠설폰산 트리옥틸암모늄인 방법.
  18. 제17항에 있어서, 알파 올레핀이 옥텐-1인 방법.
  19. 제17항에 있어서, 알파 올레핀이 도데센-1인 방법.
  20. 제11항에 있어서, 하이드로 포밀화 방법이 연속적 촉매-함유 액체 재순환 공정을 포함하는 방법.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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