KR20220054271A - 멀티-스테이션 프로세싱 및 전-프로세싱 스테이션 및/또는 후-프로세싱 스테이션을 갖는 컴팩트 기판 프로세싱 툴 - Google Patents

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Abstract

기판 프로세싱 툴은, 중앙 캐비티 둘레에서 제 1 이송 플레인 내에 배열된 N 개의 기판 프로세싱 스테이션들을 포함하고, N은 1보다 큰 정수이다. N 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션은 기판을 프로세싱하도록 구성된다. M 개의 기판 프로세싱 스테이션들이 중앙 캐비티 둘레에서 제 2 이송 플레인 내에 배열되고, M은 1보다 큰 정수이다. 제 2 이송 플레인은 제 1 이송 플레인과 평행하게 제 1 이송 플레인 위에 배열된다. 상부 툴 부분은 M 개의 기판 프로세싱 스테이션들 및 N 개의 기판 프로세싱 스테이션들의 제 1 부분을 포함한다. 회전가능한 하부 툴 부분은 상부 툴 부분에 대해 회전한다. N 개의 기판 프로세싱 스테이션들의 제 2 부분은 회전가능한 하부 툴 부분과 함께 회전한다.

Description

멀티-스테이션 프로세싱 및 전-프로세싱 스테이션 및/또는 후-프로세싱 스테이션을 갖는 컴팩트 기판 프로세싱 툴{COMPACT SUBSTRATE PROCESSING TOOL WITH MULTI-STATION PROCESSING AND PRE-PROCESSING AND/OR POST-PROCESSING STATIONS}
관련 출원의 교차 참조
본 출원은 2014년 2월 24일 출원된 미국 가 출원 번호 제 61/943,729 호의 이익을 주장한다. 상기 참조된 출원의 전체 개시 내용은 본 명세서에 참조로서 인용된다.
본 개시는 기판 프로세싱 툴들에 관한 것이고, 특히 반도체 프로세싱 툴들에 관한 것이다.
본 명세서에 제공된 배경기술 설명은 일반적으로 본 개시의 맥락을 제공하기 위한 것이다. 본 발명자들의 성과로서 본 배경기술 섹션에 기술되는 정도의 성과 및 출원시 종래 기술로서 인정되지 않을 수도 있는 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.
반도체 프로세싱 시스템들과 같은 기판 프로세싱 시스템들은 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 막 층들, 금속 층들 또는 다른 타입들의 층들을 증착하거나 에칭하도록 사용될 수도 있다. 기판 프로세싱 시스템은 하나 이상의 프로세싱 스테이션들을 포함할 수도 있다. 기판 프로세싱 시스템에서, 기판 처리는 비용 및 처리량에 상당한 영향을 줄 수 있다. 처리량을 증가시키고 비용을 감소시키기 위해, 기판들은 가장 효율적인 방식으로 그리고 최소 또는 오염이 없는 상이한 프로세싱 단계들을 통해 프로세싱되어야 한다.
일부 기판 프로세싱 시스템들에서, 기판들은 기판 카세트로부터 반응기로 이동된 후 다시 기판 카세트 또는 다른 위치로 이동된다. 처리량을 개선하고 기판 처리를 감소시키기 위해, 단일 반응기는 다수의, 연속하는 프로세싱 스테이션들을 포함할 수도 있다. 이러한 타입의 기판 프로세싱 시스템에서, 기판은 반응기로 이동되고, 프로세싱 스테이션들에서 순차적으로 프로세싱된 후 기판 카세트 또는 또 다른 위치로 이동된다. 이 프로세싱 장치는 기판 처리를 감소시킴으로써 처리량을 증가시키는 경향이 있다.
기판 프로세싱 툴들이 고 처리량 및 저 재료 비용을 제공하기 위해 개발되었지만, 이들 기판 프로세싱 툴들은 통상적으로 동일한 툴 상에서 선-프로세싱 또는 후-프로세싱 옵션들을 허용하지 않는다. 일부 툴들은 선-세정 모듈 또는 선-처리 모듈과 같은 단일 스테이션 모듈들과 멀티-스테이션 시퀀셜 프로세싱 (MSSP: multiple station, sequential processing) 을 결합하였다. 그러나, 이들 툴들을 위한 재료 비용은, 툴의 많은 서브시스템들이 모듈 각각에 대해 반복되기 때문에 높아지는 경향이 있다. 게다가, 모듈들이 중앙화된 웨이퍼 처리기 둘레에 불규칙하게 퍼져 있기 (sprawl) 때문에, 전체적으로 차지하는 공간이 비교적 크다.
기판 프로세싱 툴은, 중앙 캐비티 둘레에서 제 1 이송 플레인 내에 배열된 N 개의 기판 프로세싱 스테이션들을 포함하고, N은 1보다 큰 정수이다. N 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션은 기판을 프로세싱하도록 구성된다. M 개의 기판 프로세싱 스테이션들이 중앙 캐비티 둘레에서 제 2 이송 플레인 내에 배열되고, M은 1보다 큰 정수이다. 제 2 이송 플레인은 제 1 이송 플레인과 평행하게 제 1 이송 플레인 위에 배열된다. 상부 툴 부분은 M 개의 기판 프로세싱 스테이션들 및 N 개의 기판 프로세싱 스테이션들의 제 1 부분을 포함한다. 회전가능한 하부 툴 부분은 상부 툴 부분에 대해 회전한다. N 개의 기판 프로세싱 스테이션들의 제 2 부분은 회전가능한 하부 툴 부분과 함께 회전한다.
다른 특징들에서, N 개의 기판 프로세싱 스테이션들은 멀티-스테이션 시퀀셜 프로세싱 (MSSP: multi-station sequential processing) 을 수행한다. M 개의 기판 프로세싱 스테이션들은 기판의 선-프로세싱 및 후-프로싱 중 적어도 하나를 수행한다. 로봇은 중앙 캐비티 내에 배열되고, 제 1 이송 플레인 내의 N 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션 및 제 2 이송 플레인 내의 M 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션으로 기판들을 이송하도록 구성된다.
다른 특징들에서, M 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션은 선-세정, 선-처리, 핵생성 및 버퍼링으로 구성된 그룹으로부터 선택된 기능을 수행한다. N 개의 기판 프로세싱 스테이션들은 중앙 캐비티 둘레에 동일한 각도 오프셋으로 배열된다. N 개의 기판 프로세싱 스테이션들은 중앙 캐비티 둘레에 불규칙한 각도 오프셋들로 배열된다. 제 2 이송 플레인 내의 M 개의 기판 프로세싱 스테이션들은 제 1 이송 플레인 내의 N 개의 기판 프로세싱 스테이션들 위에 배열되고 N 개의 기판 프로세싱 스테이션들에 대해 번갈아 위치된다 (staggered).
다른 특징들에서, N 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션은 원자층 증착 (ALD), 플라즈마-강화된 ALD (PEALD), 화학적 기상 증착 (CVD) 및 플라즈마-강화된 CVD (PECVD) 중 적어도 하나를 수행하도록 구성된다. N 개의 기판 프로세싱 스테이션들 각각은 회전가능한 하부 툴 부분과 함께 이동하는 페데스탈을 포함한다. N 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션은 상부 툴 부분에 연결된 샤워헤드 및 회전가능한 하부 툴 부분에 연결된 페데스탈을 포함한다.
다른 특징들에서, 베어링 표면들이 상부 툴 부분과 회전가능한 하부 툴 부분 사이에 배열된다. 베어링 표면들은 가스 베어링 표면들 및 차동 펌핑 디바이스 (differential pumping device) 를 포함한다. 상부 툴 부분 내의 통로는 N 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션을 중앙 캐비티에 연결한다.
다른 특징들에서, 상부 툴 부분 내의 M 개의 통로들은 M 개의 기판 프로세싱 스테이션들을 중앙 캐비티에 각각 연결한다. M 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션으로의 외부 통로는 외부에서 M 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션 내로의 기판의 로딩을 가능하게 한다. 로봇은 제 2 이송 플레인 내의 M 개의 기판 프로세싱 스테이션들 각각으로 기판들을 이송하도록 구성된다.
다른 특징들에서, 로드록이 중앙 캐비티에 연결된다. 로봇은 카세트로부터 로드록으로 그리고 로드록으로부터 중앙 캐비티로 기판들을 이송하도록 구성된다. 기판은 반도체 웨이퍼를 포함한다. 베어링 표면들은 자성유체 시일부들 (ferrofluidic seals) 및 차동 펌핑 디바이스를 포함한다.
다른 특징들에서, N 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션은 기판 상에 막의 증착을 수행하도록 구성된다. 기판은 반도체 웨이퍼를 포함한다.
본 개시의 다른 적용가능 영역들은 상세한 기술, 청구항들 및 도면들로부터 명백해질 것이다. 상세한 기술 및 구체적인 예들은 단지 예시를 목적으로 의도되고 본 개시의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
본 개시는 상세한 기술 및 첨부된 도면들로부터 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1은 본 개시에 따른 기판 프로세싱 툴을 예시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 프로세싱 툴을 보다 상세히 예시하는 사시도이다.
도 3은 도 1 및 도 2의 기판 프로세싱 툴을 보다 상세히 예시하는 다른 사시도이다.
이제 도 1을 참조하면, 본 개시에 따른 기판 프로세싱 툴 (10) 이 도시된다. 기판 프로세싱 툴 (10) 은 중앙 위치에 배열된 로봇 (12) 을 포함한다. 로봇 (12) 은 진공에서 동작할 수도 있다.
멀티-스테이션 시퀀셜 프로세싱 (MSSP) 은 하부 이송 플레인 (20) (또한 도 2 참조) 에서 로봇 (12) 둘레에 배열된 복수의 스테이션들 (16-1, 16-2, …, 및 16-M) (집합적으로, 스테이션들 (16)) (M은 1보다 큰 정수) 을 통해 수행된다. 부가적으로, 기판 스테이션들 (24-1, 24-2, …, 및 24-N) (집합적으로 스테이션들 (24)) (N은 1보다 큰 정수) 이 하부 이송 플레인 (20) 위에 배열된 상부 이송 플레인 (28) (또한 도 2 참조) 내에 위치된다. 하나 이상의 스테이션들 (24) 은 슬릿 밸브와 같은 격리 밸브 (25) 를 사용하여 이송 챔버 (50) 의 분위기 및/또는 다른 스테이션들로부터 격리될 수도 있다. 스테이션들 (24) 은 격리되거나 격리되지 않을 수도 있다.
스테이션들 (16) 은 동일하거나 불규칙한 각도 오프셋으로 기판 프로세싱 툴 (10) 의 중심 둘레에 배열될 수도 있다. 스테이션들 (24) 은 또한 동일하거나 불규칙한 각도 오프셋으로 기판 프로세싱 툴 (10) 의 중심 둘레에 배열될 수도 있다. 스테이션들 (16) 은 스테이션들 (24) 사이에 위치될 수도 있고 스테이션들 (24) 에 대한 각도 오프셋을 가질 수도 있다. 도 1에서 N 및 M이 6으로 같지만, N 및 M은 다른 값들로 설정될 수도 있다. 스테이션들 (24) 의 예들은 선-세정, 선-처리, 핵생성, 및 버퍼링을 포함할 수도 있지만, 다른 타입들의 스테이션들이 사용될 수도 있다. 스테이션들 (24) 은 기판들 상에서 선-프로세싱 및/또는 후-프로세싱을 수행하도록 사용될 수도 있다. 상부 스테이션들 (24) 및 하부 스테이션들 (16) 은 공유되거나 전용일 수도 있는 가스 전달, 펌핑, 계측 (instrumentation) 및/또는 플라즈마 전력 시스템들과 같은 지원 시스템들을 포함한다.
기판들은 처음에 카세트 (34) 내에 위치될 수 있다. 일반적으로 38로 식별된 로봇 및 로드록은 카세트 (34) 로부터 기판 프로세싱 툴 (10) 로 기판들을 이동시키기 위해 사용될 수도 있다. 프로세싱이 완료될 때, 로봇 및 로드록 (38) 은 카세트 (34) 및/또는 또 다른 카세트 (39) 로 기판들을 되돌려 줄 수도 있다. 하부 이송 플레인 및 상부 이송 플레인 (20 및 28) 은, 스테이션 하드웨어가 수직 방향으로 공간적으로 내포되기 때문에, 비교적 작은 거리로 각각 분리된다.
이제 도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 프로세싱 툴 (10) 의 하부 이송 플레인 (20) 및 상부 이송 플레인 (28) 이 보다 상세히 도시된다. 로봇 (12) 은 기판 프로세싱 툴 (10) 의 중앙 부분에 규정된 수직 캐비티 (50) 내에 배열될 수도 있다.
스테이션들 (16) 은 하부 이송 플레인 (20) 내에 배열된다. 일부 구현예들에서, 하나 이상의 스테이션들 (16) 은 페데스탈 (64) 및 샤워헤드 (68) 를 포함할 수도 있지만, 다른 타입들의 스테이션들 (16) 이 사용될 수도 있다. 하부 이송 플레인 (20) 은 정지 부분 (70) 및 회전가능 부분 (72) 을 더 포함한다. 베어링 표면은 시일 및/또는 상대적인 회전을 가능하게 하도록 정지 부분 (70) 과 회전가능 부분 (72) 사이의 하나 이상의 위치들 (73) 에 배열될 수도 있다.
일부 애플리케이션들에서, 베어링 표면들 (73) 은 가스 베어링을 가로지르는 차동 펌핑 디바이스와 함께 내측 (원형 수송 동안 내측 직경) 및 외측 (외측 직경) 양측 상에서 가압된 불활성 가스 장치를 활용하는 가스 베어링을 포함할 수도 있다. 차동 펌핑 디바이스는 다수의 플레넘들을 포함할 수도 있다. 플레넘들은 시일을 형성하기 위해 상이한 레벨들의 진공에서 차동 펌프들에 연결된 그루브를 포함한다. 대안적으로, 차동 펌핑과 함께 자성 유체 시일부가 사용될 수도 있다.
회전가능 부분 (72) 은 정지 부분 (70) 에 대해 회전하고 캐로절 어셈블리로서 동작한다. 사용된다면, 스테이션들 (16) 내의 페데스탈 (64) 은 하부 이송 플레인 (20) 의 회전가능 부분 (72) 에 부착될 수도 있다. 사용된다면, 스테이션들 (16) 내의 샤워헤드 (68) 는 하부 이송 플레인 (20) 의 정지 부분 (70) 에 부착될 수도 있다.
기판들은 수직 캐비티 (50) 에 연결하는 하나 이상의 통로들 (88) 을 통해 로봇 (12) 으로부터 하부 이송 플레인 (20) 의 스테이션들 (16) 내로 로딩될 수 있다. 기판들 상에 프로세싱이 수행될 수도 있고 이어서 회전가능 부분 (72) (캐로절 어셈블리) 이 하부 이송 플레인 (20) 내의 다음 스테이션들 (16) 을 중심으로 회전될 수 있다. 기판이 스테이션들 (16) 내에서 프로세싱 완료되면, 기판은 필요에 따라 로봇 (12) 을 사용하여 후-프로세싱을 위해 상부 이송 플레인 (28) 내의 하나 이상의 스테이션들 (24) 또는 카세트들 (34 또는 39) 중 하나로 이동될 수 있다. 유사하게, 선-프로세싱이 스테이션들 (16) 내에서의 MSSP에 앞서 스테이션들 (24) 내에서 수행될 수 있다.
기판들은 수직 캐비티 (50) 에 연결되는 대응하는 통로들 (90-1, 90-2, …, 및 90-T) (T는 정수) 을 통해 로봇 (12) 으로부터 상부 이송 플레인 (28) 내의 스테이션들 (24) 내로 로딩될 수 있다. 하나 이상의 외부 통로들 (94) 은 스테이션들 (16 및/또는 24) 내로 바로 로딩될 수 있게 할 수 있다. 도 3에서, 스테이션 (24-5) 은 페데스탈 (98) 을 포함하는 것으로 도시된다.
기판 프로세싱 툴 (10) 의 컴포넌트들은 핵심 컴포넌트들을 내포할 수 있게 하는 3차원으로 전략적으로 위치된다. 이는 (이로 제한되는 것은 아니지만 450 ㎜와 같은) 대형 기판 직경들에 유용한 “더블 데커 (double decker)”가 최소 수직 변위만으로 가능하게 한다. 기판 프로세싱 툴 (10) 은 또한 대형 기판 직경들에 대해 특히 중요한 차지하는 공간 활용을 개선하였다. 개별 챔버 바디들의 수를 최소화함으로써, 기판 프로세싱 툴 (10) 은 또한 개선된 비용 구조를 갖는 경향이 있다.
비제한적인 예들로서, 기판 프로세싱 시스템은 원자층 증착 (ALD), 플라즈마-강화된 ALD (PEALD), 화학적 기상 증착 (CVD), 플라즈마-강화된 CVD (PECVD) 과 같은 프로세스들, 및 다른 타입들의 프로세스들에 사용될 수도 있다. 유사하게 설계된 기판 프로세싱 시스템들이 또한 광전지, 플랫 패널 디스플레이들 및 일렉트로크로믹 윈도와 같은 애플리케이션들을 위해 유리 판들을 프로세싱하도록 사용된다.
본 명세서에서 상기에 기술된 장치/프로세스는 예를 들어, 반도체 디바이스들, 디스플레이들, LED들, 광전 패널들 등의 제조 또는 가공을 위한 리소그래피 패터닝 툴 또는 프로세스와 함께 사용될 수 있다. 통상적으로, 이러한 툴들/프로세스들은 반드시 그러한 것은 아니지만 공통 제조 시설 내에서 함께 사용 또는 수행될 수 있다. 막 리소그래피 패터닝은 통상적으로 각각 다수의 가능한 툴을 사용하여 실현되는 다음의 동작들 중 몇몇 또는 모두를 포함하며, 이 동작들은 (1) 스핀 온 또는 스프레이 온 툴을 사용하여, 워크피스, 즉 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 동작, (2) 고온 플레이트 또는 퍼니스 또는 UV 경화 툴을 사용하여서 포토레지스트를 경화하는 동작, (3) 웨이퍼 스텝퍼와 같은 툴을 사용하여 포토레지스트를 가시광선 또는 UV 또는 x 선 광에 노출시키는 동작, (4) 습식 벤치 (wet bench) 와 같은 툴을 사용하여 레지스트를 선택적으로 제거하여 이를 패터닝하도록 상기 포토레지스트를 현상하는 동작, (5) 건식 또는 플라즈마 보조 에칭 툴을 사용하여 상기 레지스트 패턴을 그 아래의 막 또는 워크피스에 전사하는 동작 및 (6) RF 또는 마이크로웨이브 플라즈마 레지스트 스트립퍼 (stripper) 와 같은 툴을 사용하여 포토레지스트를 제거하는 동작을 포함할 수 있다.
전술한 기술은 본질적으로 단순히 예시적이고 개시, 어떠한 방법으로도 이들의 애플리케이션 또는 용도들을 제한하도록 의도되지 않는다. 개시의 광범위한 교시가 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시는 특정한 예들을 포함하지만, 다른 수정 사항들이 도면들, 명세서, 및 이하의 청구항들을 연구함으로써 명백해질 것이기 때문에, 본 개시의 진정한 범위는 이렇게 제한되지 않아야 한다. 명확성을 위해, 도면들에서 동일한 참조 번호들이 유사한 엘리먼트들을 식별하도록 사용될 것이다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "A, B, 및 C 중 적어도 하나"라는 구는 비배타적인 논리 OR를 사용하여, 논리적 (A 또는 B 또는 C) 를 의미하는 것으로 해석되어야 한다. 방법 내의 하나 이상의 단계들이 본 개시의 원리들을 변경하지 않고 상이한 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다.

Claims (27)

  1. 기판 프로세싱 툴에 있어서,
    모놀리식 바디 (monolithic body) 로서,
    중앙 캐비티, 및
    상기 중앙 캐비티 둘레에 배열되고 상기 중앙 캐비티로부터 액세스가능한 복수의 캐비티들을 포함하는, 상기 모놀리식 바디; 및
    제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들로서, 상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 각각의 적어도 일부는 상기 복수의 캐비티들 중 각각의 캐비티 내에 배열되는, 상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들을 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 중앙 캐비티로부터 상기 복수의 캐비티들로 연장하는 복수의 통로들을 더 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 통로들은 이를 통해 기판들의 이송을 위해 사이징되는, 기판 프로세싱 툴.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 중앙 캐비티 내에 배열되고 상기 중앙 캐비티와 상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 사이에서 기판들을 이송하도록 구성된 로봇을 더 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 로봇은 상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 각각에 액세스하기 위한 멀티-링크 관절형 암 (multi-link articulating arm) 을 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들은 멀티-스테이션 시퀀셜 프로세싱 (MSSP: multi-station sequential processing) 을 수행하는, 기판 프로세싱 툴.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들은 기판의 선-프로세싱 및 후-프로싱 중 적어도 하나를 수행하는, 기판 프로세싱 툴.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션은 선-세정, 선-처리, 핵생성 및 버퍼링으로 구성된 그룹으로부터 선택된 기능을 수행하는, 기판 프로세싱 툴.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들은 상기 중앙 캐비티 둘레에 동일한 각도 오프셋으로 배열되는, 기판 프로세싱 툴.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들은 상기 중앙 캐비티 둘레에 불규칙한 각도 오프셋들로 배열되는, 기판 프로세싱 툴.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션은 원자층 증착 (ALD), 플라즈마-강화된 ALD (PEALD), 화학적 기상 증착 (CVD) 및 플라즈마-강화된 CVD (PECVD) 중 적어도 하나를 수행하도록 구성되는, 기판 프로세싱 툴.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나는 기판 상에 막의 증착을 수행하도록 구성되는, 기판 프로세싱 툴.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들은 제 1 이송 플레인 내에 배열되는, 기판 프로세싱 툴.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 중앙 캐비티 둘레의 제 2 이송 플레인에 배열된 제 2 복수의 기판 프로세싱 스테이션들을 더 포함하고, 상기 제 2 이송 플레인은 상기 제 1 이송 플레인에 평행하게 배열되는, 기판 프로세싱 툴.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 이송 플레인 내의 상기 제 2 복수의 기판 프로세싱 스테이션들은 상기 제 1 이송 플레인 내의 상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 위에 배열되고 상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들에 대하여 번갈아 위치되는 (staggered), 기판 프로세싱 툴.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 중앙 캐비티 내에 배열되고 상기 중앙 캐비티와 상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 사이 그리고 상기 중앙 캐비티와 상기 제 2 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 사이에서 기판들을 이송하도록 구성된 로봇을 더 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 로봇은 상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 및 상기 제 2 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 각각에 액세스하기 위한 멀티-링크 관절형 암을 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 로봇은 상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들과 상기 제 2 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 사이에서 수직으로 기판을 이동시키도록 구성되는, 기판 프로세싱 툴.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 및 상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들의 제 1 부분을 포함하는 상부 툴 부분; 및
    상기 상부 툴 부분에 대해 회전하는 회전가능한 하부 툴 부분을 더 포함하고, 상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들의 제 2 부분은 상기 회전가능한 하부 툴 부분과 함께 회전하는, 기판 프로세싱 툴.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 모놀리식 바디는 상기 상부 툴 부분으로서 구현되는, 기판 프로세싱 툴.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 모놀리식 바디는 상기 상부 툴 부분을 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 회전가능한 하부 툴 부분은 상기 중앙 캐비티를 중심으로 회전하는, 기판 프로세싱 툴.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 각각은 상기 회전가능한 하부 툴 부분과 함께 이동하는 페데스탈을 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
  24. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션은 상기 상부 툴 부분에 연결된 샤워헤드 및 상기 회전가능한 하부 툴 부분에 연결된 페데스탈을 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
  25. 제 19 항에 있어서,
    상기 상부 툴 부분과 상기 회전가능한 하부 툴 부분 사이에 배열된 베어링 표면들을 더 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 베어링 표면들은 가스 베어링 표면들을 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 베어링 표면들은 자성유체 시일부들 (ferrofluidic seals) 을 포함하는, 기판 프로세싱 툴.
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