KR20180030478A - 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법 - Google Patents

가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법 Download PDF

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Abstract

복수의 가스 소스에 접속된 복수의 배관에 마련되어 있는 밸브의 누출을 검사한다. 일 실시형태의 방법에서는, 가스 소스에 접속되어 있는 제1 배관에 마련되어 있는 제1 밸브가 닫히고, 당해 제1 밸브의 하류에 있어서 제1 배관에 마련되어 있는 제2 밸브가 열린다. 그리고, 제1 배관의 하류에 있어서 압력계에 의하여 압력 상승이 검출된다. 또, 제1 밸브가 열리고, 제2 밸브가 닫힌다. 그리고, 제1 배관의 하류에 있어서 압력계에 의하여 압력 상승이 검출된다.

Description

가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법
본 발명의 실시형태는, 기판 처리 장치의 처리 용기에 가스를 공급하기 위한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스와 같은 전자 디바이스의 제조에 있어서는, 기판 처리 장치를 이용하여 기판에 대한 처리가 행해진다. 기판 처리 장치에 있어서 행해지는 처리로서, 예를 들면, 플라즈마를 이용하여, 에칭 또는 성막을 행하는 플라즈마 처리가 행해지는 경우가 있다.
이와 같은 기판 처리 장치에 있어서의 프로세스에서는, 동일한 처리 용기 내에 공급하는 가스를 순차 변경함으로써, 다른 처리를 기판에 대하여 행하는 경우가 있다. 이와 같은 프로세스를 행하기 위해서는, 기판 처리 장치는, 다른 가스를 전환하여 공급하는 것이 가능한 가스 공급계를 가질 필요가 있다. 이와 같은 가스 공급계를 구비하는 기판 처리 장치로서, 하기의 특허문헌 1에는 플라즈마 처리 장치가 기재되어 있다.
특허문헌 1에 기재된 플라즈마 처리 장치의 가스 공급계는, 복수의 가스 소스에 접속되어 있는 복수의 배관, 당해 복수의 배관에 접속되는 단일의 공통 배관, 및 당해 공통 배관으로부터 분기하는 복수의 분기관을 포함하고 있다. 복수의 배관의 각각에는, 밸브가 마련되어 있다. 복수의 분기관의 각각에는 유량 제어기 및 밸브가 마련되어 있다. 이 가스 공급계에 의하면, 복수의 배관의 밸브를 선택적으로 개폐함으로써, 복수의 가스 소스 중 선택된 가스를 복수의 분기관을 통하여 플라즈마 처리 장치에 공급할 수 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2013－51315호
상술한 가스 공급계의 복수의 배관에 접속되어 있는 복수의 가스 소스는, 동시에 이용되는 것이 상정되지 않는 가스의 소스이다. 따라서, 복수의 배관의 밸브에 누출이 발생하고 있으면, 원하지 않는 가스의 혼합이 발생한다. 그 결과, 기판 처리에 악영향이 미친다. 또, 복수의 배관의 밸브에 누출이 발생하고 있으면, 기판 처리 장치의 처리 용기 측으로부터 가스 소스로 가스가 역류하는 경우도 있다.
따라서, 기판 처리 장치의 처리 용기에 가스를 공급하기 위한 가스 공급계의 밸브, 특히, 복수의 가스 소스에 접속된 복수의 배관에 마련되어 있는 밸브의 누출을 검사하는 것이 필요하다.
일 양태에 있어서는, 기판 처리 장치의 처리 용기에 가스를 공급하기 위한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법이 제공된다. 가스 공급계는, 복수의 제1 배관, 복수의 제1 밸브, 복수의 제2 밸브, 제2 배관, 제3 배관, 복수의 제4 배관, 복수의 유량 제어기, 복수의 제3 밸브, 배기관, 제4 밸브, 및 제5 배관을 구비하고 있다. 복수의 제1 배관은, 복수의 가스 소스에 각각 접속되어 있다. 복수의 제1 밸브는, 복수의 제1 배관에 각각 마련되어 있다. 복수의 제2 밸브는, 복수의 제1 밸브보다 하류 측에 있어서 복수의 제1 배관에 각각 마련되어 있다. 즉, 복수의 제1 배관의 각각에는, 가스 소스 측에서부터 순서대로 제1 밸브 및 제2 밸브가 직렬적으로 마련되어 있다. 제2 배관은, 복수의 제2 밸브의 하류에 있어서 복수의 제1 배관에 접속되어 있다. 제3 배관은 제2 배관에 접속되어 있다. 복수의 제4 배관은 제3 배관으로부터 분기하고 있다. 복수의 유량 제어기는, 복수의 제4 배관에 각각 마련되어 있다. 복수의 제3 밸브는, 복수의 유량 제어기의 하류 측에 있어서 복수의 제4 배관에 각각 마련되어 있다. 즉, 복수의 제4 배관의 각각에는, 제3 배관 측에서부터 순서대로 유량 제어기 및 제3 밸브가 직렬적으로 마련되어 있다. 배기관은 배기 장치에 접속되어 있다. 제4 밸브는, 배기관에 마련되어 있다. 제5 배관은, 배기 장치 및 제4 밸브의 상류에 있어서 배기관에 접속되고, 또한 제2 배관에 접속되어 있다. 본 방법은, (i) 복수의 제1 배관의 내부, 제2 배관의 내부, 제3 배관의 내부 및, 복수의 제4 배관의 내부의 배기를 행하는 제1 공정으로서, 복수의 유량 제어기 각각의 컨트롤 밸브, 복수의 제2 밸브, 및 제4 밸브가 열리고, 복수의 제1 밸브 및 복수의 제3 밸브가 닫힌 배기 상태가 형성되는, 상기 제1 공정과, (ii) 복수의 제1 밸브, 복수의 제3 밸브, 및 제4 밸브가 닫히고, 복수의 제2 밸브 중 1개 이상의 제2 밸브 또는 복수의 제2 밸브가 열린 제1 검사 상태가 형성되는 제2 공정과, (iii) 배기 장치 및 제4 밸브의 상류에 있어서 배기관에 마련된 압력계, 또는 복수의 유량 제어기 중 하나의 유량 제어기의 압력계에 의하여, 압력 상승을 감시하는 제3 공정과, (iｖ) 복수의 제2 밸브, 복수의 제3 밸브, 및 제4 밸브가 닫히고, 복수의 제1 밸브 중 상기 1개 이상의 제2 밸브의 상류에 마련된 1개 이상의 제1 밸브 또는 복수의 제1 밸브가 열린 제2 검사 상태를 형성하는 제4 공정과, (ｖ) 배기 장치 및 제4 밸브의 상류에 있어서 배기관에 마련된 상기 압력계, 또는 복수의 유량 제어기 중 하나의 유량 제어기의 압력계에 의하여, 압력 상승을 감시하는 제5 공정을 포함한다.
상기 방법에 의하면, 제1 검사 상태에 있어서 열려 있는 제2 밸브의 상류에 있는 제1 밸브에 누출이 발생하고 있는 경우에는, 압력계에 의하여 압력 상승이 검출된다. 또, 제2 검사 상태에 있어서 열려 있는 제1 밸브의 하류에 있는 제2 밸브에 누출이 발생하고 있는 경우에는, 압력계에 의하여 압력 상승이 검출된다. 따라서, 복수의 제1 밸브 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있는 것, 또 복수의 제2 밸브 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있는 것을 검출하는 것이 가능해진다.
일 실시형태에서는, 제2 공정에 있어서 형성되는 제1 검사 상태에서는, 복수의 제2 밸브가 열리고, 제4 공정에 있어서 형성되는 제2 검사 상태에서는, 복수의 제1 밸브가 열려도 된다.
일 실시형태의 방법은, 제3 공정에 있어서 압력 상승이 검출된 경우에, 복수의 제1 밸브에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제1 밸브의 누출을 검사하는 공정을 더 포함한다. 이 공정은, 복수의 제1 밸브, 복수의 제3 밸브, 제4 밸브, 및 복수의 제2 밸브 중 검사 대상의 제1 밸브의 하류에 마련된 제2 밸브 이외의 제2 밸브가 닫힌 상태에서, 배기 장치 및 제4 밸브의 상류에 있어서 배기관에 마련된 압력계, 또는 복수의 유량 제어기 중 하나의 유량 제어기의 압력계에 의하여, 압력 상승을 감시하는 것을 포함한다. 이 실시형태에 의하면, 복수의 제1 밸브 중 어느 하나에 누출이 발생함으로써 제3 공정에 있어서 압력 상승이 검출된 경우에, 복수의 제1 밸브의 누출을 개별적으로 검출하는 것이 가능해진다.
일 실시형태의 방법은, 제5 공정에 있어서 압력 상승이 검출된 경우에, 복수의 제2 밸브에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제2 밸브의 누출을 검사하는 공정을 더 포함한다. 이 공정은, 복수의 제2 밸브, 복수의 제3 밸브, 제4 밸브, 및 복수의 제1 밸브 중 상기 검사 대상의 제2 밸브의 상류에 마련된 제1 밸브 이외의 제1 밸브가 닫힌 상태에서, 배기 장치 및 제4 밸브의 상류에 있어서 배기관에 마련된 압력계, 또는 복수의 유량 제어기 중 하나의 유량 제어기의 압력계에 의하여, 압력 상승을 감시하는 것을 포함한다. 이 실시형태에 의하면, 복수의 제2 밸브 중 어느 하나에 누출이 발생함으로써 제5 공정에 있어서 압력 상승이 검출된 경우에, 복수의 제2 밸브의 누출을 개별적으로 검출하는 것이 가능해진다.
일 실시형태에서는, 가스 공급계는, 다른 제1 배관, 복수의 다른 제1 밸브, 복수의 다른 제2 밸브, 다른 제2 배관, 다른 제3 배관, 복수의 다른 제4 배관, 복수의 다른 유량 제어기, 복수의 다른 제3 밸브, 다른 제5 배관, 제5 밸브, 및 다른 제5 밸브를 구비한다. 복수의 다른 제1 배관은, 복수의 다른 가스 소스에 각각 접속되어 있다. 복수의 다른 제1 밸브는, 복수의 다른 제1 배관에 각각 마련되어 있다. 복수의 다른 제2 밸브는, 복수의 다른 제1 밸브보다 하류 측에 있어서 복수의 다른 제1 배관에 각각 마련되어 있다. 즉, 복수의 다른 제1 배관의 각각에는, 가스 소스 측에서부터 순서대로 다른 제1 밸브 및 다른 제2 밸브가 직렬적으로 마련되어 있다. 다른 제2 배관은, 복수의 다른 제2 밸브의 하류에 있어서 복수의 다른 제1 배관에 접속되어 있다. 다른 제3 배관은, 다른 제2 배관에 접속되어 있다. 복수의 다른 제4 배관은, 다른 제3 배관으로부터 분기하고 있다. 복수의 다른 유량 제어기는, 복수의 다른 제4 배관에 각각 마련되어 있다. 복수의 다른 제3 밸브는, 복수의 다른 유량 제어기의 하류 측에 있어서 복수의 다른 제4 배관에 각각 마련되어 있다. 즉, 복수의 다른 제4 배관의 각각에는, 다른 제3 배관 측에서부터 순서대로 다른 유량 제어기 및 다른 제3 밸브가 직렬적으로 마련되어 있다. 다른 제5 배관은, 배기 장치 및 제4 밸브의 상류에 있어서 배기관에 접속되고, 또한 다른 제2 배관에 접속되어 있다. 제5 밸브는, 제5 배관에 마련되어 있다. 또, 다른 제5 밸브는, 다른 제5 배관에 마련되어 있다. 이 실시형태의 방법은, 다른 제5 밸브가 닫힌 상태에서, 복수의 다른 가스 소스 중 1개 이상의 가스 소스로부터 가스를 기판 처리 장치에 공급하는 공정을 더 포함한다. 또, 이 실시형태에서는, 가스를 기판 처리 장치에 공급하는 공정의 실행 중에, 제1 공정, 제2 공정, 제3 공정, 제4 공정, 및 제5 공정이 실행된다. 이 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치의 프로세스 중에, 당해 프로세스에 이용되지 않는 가스용의 제1 배관에 마련되어 있는 제1 밸브 및 제2 밸브의 누출을 검사할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 복수의 가스 소스에 접속된 복수의 배관에 마련되어 있는 밸브의 누출을 검사하는 것이 가능해진다.
도 1은, 일 실시형태에 관한 가스 공급계를 나타내는 도이다.
도 2는, 압력 제어식의 유량 제어기의 구성을 예시하는 도이다.
도 3은, 일 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도이다.
도 4는, 다른 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도이다.
도 5는, 밸브(V13)에 관한 다른 실시형태를 나타내는 도이다.
도 6은, 또 다른 실시형태의 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도이다.
도 7은, 일 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 8은, 다른 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 9는, 또 다른 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 10은, 또 다른 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하기로 한다.
우선, 몇 가지 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법을 적용하는 것이 가능한 가스 공급계의 몇 가지 실시형태, 및 당해 가스 공급계를 구비하는 기판 처리 장치의 실시형태에 대하여 설명한다.
도 1은, 일 실시형태에 관한 가스 공급계를 나타내는 도이다. 도 1에 나타내는 가스 공급계(GP1)는, 제1 기구(GM1), 제2 기구(GM2), 및 제3 기구(GM3)를 구비하고 있다.
제1 기구(GM1)는, 복수의 통합부(GI)를 갖고 있다. 본 실시형태에서는, 제1 기구(GM1)는, 5개의 통합부(GI)를 갖고 있다. 단, 통합부(GI)의 개수는 임의이다. 제1 기구(GM1)는, 복수의 통합부(GI)의 각각에 있어서 선택된 가스를 개별의 배관으로부터 출력하도록 구성되어 있다.
제1 기구(GM1)는, 복수의 제1 배관(L1), 복수의 제1 밸브(V1), 복수의 제2 밸브(V2) 및, 복수의 제2 배관(L2)을 갖고 있다. 복수의 제1 배관(L1)은 각각, 복수의 가스 소스(GS)에 접속되어 있다. 복수의 제1 배관(L1)에는, 복수의 제1 밸브(V1)가 각각 마련되어 있다. 또, 복수의 제1 밸브(V1)의 하류에 있어서 복수의 제1 배관(L1)에는, 복수의 제2 밸브(V2)가 각각 마련되어 있다. 즉, 복수의 제1 배관(L1)의 각각에는, 상류 측(가스 소스 측)에서부터 순서대로 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)가 직렬적으로 마련되어 있다. 또한, 도 1에는, 14개의 가스 소스(GS)가 나타나고 있지만, 복수의 가스 소스(GS)의 개수는 임의이다.
복수의 통합부(GI)의 각각은, 하나의 제2 배관(L2)과, 당해 하나의 제2 배관(L2)에 접속되어 있는 복수의 제1 배관(L1)과, 당해 복수의 제1 배관(L1)의 각각에 마련된 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)를 포함하고 있다. 각 통합부(GI)에는, 기판 처리 장치에서 행해지는 프로세스에 있어서 동시에 이용되지 않는 복수의 가스 소스가 접속되어 있다. 각 통합부(GI)는, 당해 통합부(GI)에 접속된 복수의 가스 소스(GS) 중 선택된 가스 소스로부터의 가스를 공급하는 것이 가능하다.
제2 기구(GM2)는, 복수의 통합부(GI)로부터의 복수의 가스를 분배하고, 분배된 가스의 유량을 조정하여 출력하도록 구성되어 있다. 제2 기구(GM2)는, 복수의 제3 배관(L3), 복수의 제4 배관(L4), 복수의 유량 제어기(FD), 및 복수의 제3 밸브(V3)를 갖고 있다. 일 실시형태에서는, 제2 기구(GM2)는, 복수의 밸브(FV1)를 더 갖고 있어도 된다.
복수의 제3 배관(L3)은, 복수의 제2 배관(L2)에 각각 접속되어 있다. 복수의 제3 배관의 각각으로부터는, 복수의 제4 배관(L4)이 분기하고 있다. 복수의 유량 제어기(FD)는, 복수의 제4 배관(L4)에 각각 마련되어 있다. 복수의 제3 밸브(V3)는, 복수의 유량 제어기(FD)의 하류에 있어서 복수의 제4 배관(L4)에 각각 마련되어 있다. 또, 복수의 밸브(FV1)는, 복수의 유량 제어기(FD)의 상류에 있어서 복수의 제4 배관(L4)에 각각 마련되어 있다.
일 실시형태에서는, 복수의 유량 제어기(FD)는, 압력 제어식의 유량 제어기이다. 도 2는 압력 제어식의 유량 제어기의 구성을 예시하는 도이다. 도 2에 나타내는 유량 제어기(FD)는, 컨트롤 밸브(CV), 압력계(FPM), 및 오리피스(OF)를 갖고 있다. 컨트롤 밸브(CV)는, 밸브(FV1)의 하류에 마련되어 있다. 오리피스(OF)는 컨트롤 밸브(CV)의 하류 또한 제3 밸브(V3)의 상류에 마련되어 있다. 또, 압력계(FPM)는, 컨트롤 밸브(CV)와 오리피스(OF)의 사이의 가스 라인에 있어서의 압력을 계측하도록 구성되어 있다. 유량 제어기(FD)는, 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력에 따라 컨트롤 밸브(CV)를 제어함으로써, 오리피스(OF)의 상류의 가스 라인의 압력을 조정한다. 이로써, 유량 제어기(FD)를 통과하는 가스의 유량이 조정된다.
다시 도 1을 참조한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 일 실시형태에서는, 제2 기구(GM2)는, 복수의 합류관(ML)을 더 갖고 있다. 복수의 합류관(ML)의 개수는, 기판 처리 장치의 예인 후술하는 플라즈마 처리 장치의 가스 토출부와 동수이다. 복수의 합류관(ML)의 각각에는, 각 제3 배관(L3)에 접속되어 있는 복수의 제4 배관(L4) 중 하나의 제4 배관(L4)이 접속되어 있다.
또, 제2 기구(GM2)는, 복수의 유량 제어 유닛군(FUG)을 제공하고 있다. 복수의 유량 제어 유닛군(FUG)의 각각은, 대응하는 하나의 합류관(ML)에 접속되어 있는 복수의 제4 배관(L4)에 각각 마련된 복수의 유량 제어 유닛(FU)을 포함하고 있다. 복수의 유량 제어 유닛(FU)의 각각은, 하나의 제4 배관(L4)에 마련된 유량 제어기(FD), 당해 유량 제어기(FD)의 상류에 마련된 밸브(FV1), 및 당해 복수의 유량 제어기(FD)의 하류에 마련된 제3 밸브(V3)를 포함하고 있다. 복수의 유량 제어 유닛군(FUG)의 개수는, 후술하는 가스 토출부와 동수이다. 도 1에 나타내는 예에서는, 복수의 유량 제어 유닛군(FUG)의 개수는, 3개이다. 단, 유량 제어 유닛군(FUG)의 개수 및 가스 토출부의 개수는, 복수이면, 임의의 개수일 수 있다.
이러한 제2 기구(GM2)에서는, 복수의 제3 배관(L3) 각각으로부터의 가스가 복수의 유량 제어 유닛군(FUG)에 분배되어, 각 유량 제어 유닛군(FUG)의 대응하는 유량 제어 유닛(FU)에 공급되도록 되어 있다. 각 유량 제어 유닛군(FUG)에서는, 대응하는 유량 제어 유닛(FU)이 가스의 유량을 조정하여, 유량이 조정된 가스를 합류관(ML)에 공급하도록 되어 있다.
제3 기구(GM3)는, 가스 공급계(GP1)의 배기용 기구이다. 제3 기구(GM3)는, 배기관(EL), 제4 밸브(V4), 복수의 제5 배관(L5), 복수의 제5 밸브, 및 밸브(V6)를 갖고 있다.
배기관(EL)에는, 제4 밸브(V4) 및 밸브(V6)가 마련되어 있다. 제4 밸브(V4)는, 배기관(EL)의 하류 측에 마련되어 있고, 밸브(V6)는 배기관(EL)의 상류 측에 마련되어 있다. 배기관(EL)은, 밸브(V6)의 상류에 있어서 퍼지 가스의 소스(GSP)에 접속되어 있다. 퍼지 가스는 예를 들면, N2 가스와 같은 불활성 가스이다. 또, 배기관(EL)은, 제4 밸브(V4)의 하류에 있어서 배기 장치에 접속되어 있다. 일 실시형태에서는, 배기관(EL)은, 후술하는 플라즈마 처리 장치의 터보 분자 펌프와 드라이 펌프의 사이의 배관에 접속된다. 또한, 후술하는 바와 같이, 플라즈마 처리 장치에서는, 처리 용기에 터보 분자 펌프가 접속되고, 당해 터보 분자 펌프의 하류에 드라이 펌프가 마련될 수 있다.
복수의 제5 배관(L5)의 일단은, 밸브(V6)와 제4 밸브(V4)의 사이에 있어서 배기관(EL)에 접속되어 있다. 또, 복수의 제5 배관(L5) 각각의 타단은, 대응하는 제2 배관(L2)에 접속되어 있다. 복수의 제5 배관(L5)에는, 복수의 제5 밸브(V5)가 각각 마련되어 있다.
일 실시형태에서는, 밸브(V6)와 제4 밸브(V4)의 사이에 있어서 배기관(EL)에는 압력계(PM)가 접속되어 있다. 압력계(PM)는 배기관(EL) 내의 유로의 압력을 계측하도록 되어 있다.
이러한 가스 공급계(GP1)에 의하면, 밸브(V6), 제4 밸브(V4), 및 복수의 제5 밸브(V5)를 닫고, 각 통합부(GI)의 복수의 제1 배관(L1) 중 원하는 하나의 제1 배관(L1)에 마련되어 있는 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)를 열어, 복수의 유량 제어 유닛군(FUG) 각각의 대응하는 유량 제어 유닛(FU)에 있어서 유량을 조정함으로써, 원하는 가스를 복수의 합류관(ML)으로부터 기판 처리 장치에 출력할 수 있다.
이어서, 가스 공급계(GP1)로부터 기판 처리 장치에 공급하는 가스를 변경하는 경우에는, 모든 제1 밸브(V1) 및 모든 제2 밸브(V2)와 복수의 제3 밸브(V3)를 닫고, 밸브(V6), 제4 밸브(V4), 모든 제5 밸브(V5), 및 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)를 엶으로써, 복수의 제1 배관(L1), 복수의 제2 배관(L2), 복수의 제3 배관(L3), 및 복수의 제4 배관에 잔류하고 있는 가스를 고속으로 배기할 수 있다.
이어서, 밸브(V6), 제4 밸브(V4), 및 모든 제5 밸브(V5)를 닫고, 각 통합부(GI)의 복수의 제1 배관(L1) 중 원하는 하나의 제1 배관(L1)에 마련되어 있는 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)를 열어, 복수의 유량 제어 유닛군(FUG) 각각의 대응하는 유량 제어 유닛(FU)에 있어서 유량을 조정함으로써, 원하는 가스를 복수의 합류관(ML)으로부터 기판 처리 장치에 출력할 수 있다. 이와 같이, 가스 공급계(GP1)는, 당해 가스 공급계(GP1) 내의 유로 내의 가스를 고속으로, 즉, 단시간에 배기하고, 다른 가스로 치환하는 것이 가능하다.
이하, 가스 공급계(GP1)를 구비하는 기판 처리 장치로서, 일 실시형태의 플라즈마 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 3은, 일 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도이다. 도 3에 나타내는 플라즈마 처리 장치(10)는, 용량 결합형 플라즈마 처리 장치이며, 플라즈마 처리로서 예를 들면, 플라즈마 에칭을 위하여 이용되는 장치이다.
플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(12)를 구비하고 있다. 처리 용기(12)는, 대략 원통 형상을 갖고 있다. 처리 용기(12)는 예를 들면, 알루미늄으로 구성되어 있고, 그 내벽면에는 양극(陽極) 산화 처리가 실시되어 있다. 이 처리 용기(12)는 보안 접지되어 있다. 또, 처리 용기(12)의 측벽에는 기판(이하, "웨이퍼(W)"라고 함)의 반입 출구(12g)가 마련되어 있고, 이 반입 출구(12g)는 게이트 밸브(54)에 의하여 개폐 가능하게 되어 있다.
처리 용기(12)의 저부(底部) 상에는, 대략 원통 형상의 지지부(14)가 마련되어 있다. 지지부(14)는 예를 들면, 절연 재료로 구성되어 있다. 지지부(14)는, 처리 용기(12) 내에 있어서, 처리 용기(12)의 저부로부터 연직 방향으로 연재하고 있다. 또, 처리 용기(12) 내에는, 재치대(PD)가 마련되어 있다. 재치대(PD)는, 지지부(14)에 의하여 지지되어 있다.
재치대(PD)는, 그 상면에서 웨이퍼(W)를 유지한다. 재치대(PD)는, 하부 전극(LE) 및 정전 척(ESC)을 갖고 있다. 하부 전극(LE)은, 제1 플레이트(18a) 및 제2 플레이트(18b)를 포함하고 있다. 제1 플레이트(18a) 및 제2 플레이트(18b)는, 예를 들면 알루미늄 알루미늄과 같은 금속으로 구성되어 있고, 대략 원반 형상을 이루고 있다. 제2 플레이트(18b)는, 제1 플레이트(18a) 상에 마련되어 있고, 제1 플레이트(18a)에 전기적으로 접속되어 있다.
제2 플레이트(18b) 상에는, 정전 척(ESC)이 마련되어 있다. 정전 척(ESC)은, 도전막인 전극을 한 쌍의 절연층 또는 절연 시트 사이에 배치한 구조를 갖고 있다. 정전 척(ESC)의 전극에는, 직류 전원(22)이 스위치(23)를 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 이 정전 척(ESC)은, 직류 전원(22)로부터의 직류 전압에 의하여 발생한 쿨롱력(coulomb force) 등의 정전력에 의하여 웨이퍼(W)를 흡착한다. 이로써, 정전 척(ESC)은, 웨이퍼(W)를 유지할 수 있다.
제2 플레이트(18b)의 둘레 가장자리부 상에는, 웨이퍼(W)의 에지 및 정전 척(ESC)을 둘러싸도록 포커스 링(FR)이 배치되어 있다. 포커스 링(FR)은, 플라즈마 처리의 균일성을 향상시키기 위하여 마련되어 있다. 포커스 링(FR)은, 예를 들면, 실리콘, 석영, 또는 SiC와 같은 재료로 구성될 수 있다.
제2 플레이트(18b)의 내부에는, 냉매 유로(24)가 마련되어 있다. 냉매 유로(24)는, 온도 조절 기구를 구성하고 있다. 냉매 유로(24)에는, 처리 용기(12)의 외부에 마련된 칠러 유닛으로부터 배관(26a)을 통하여 냉매가 공급된다. 냉매 유로(24)에 공급된 냉매는, 배관(26b)을 통하여 칠러 유닛으로 되돌려진다. 이와 같이, 냉매 유로(24)에는, 냉매가 순환하도록 공급된다. 이 냉매의 온도를 제어함으로써, 정전 척(ESC)에 의하여 지지된 웨이퍼(W)의 온도가 제어된다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)에는, 가스 공급 라인(28)이 마련되어 있다. 가스 공급 라인(28)은, 전열 가스 공급 기구로부터의 전열 가스, 예를 들면 He 가스를, 정전 척(ESC)의 상면과 웨이퍼(W)의 이면(裏面)의 사이에 공급한다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)에는, 가열 소자인 히터(HT)가 마련되어 있다. 히터(HT)는 예를 들면, 제2 플레이트(18b) 내에 매립되어 있다. 히터(HT)에는, 히터 전원(HP)이 접속되어 있다. 히터 전원(HP)으로부터 히터(HT)에 전력이 공급됨으로써, 재치대(PD)의 온도가 조정되어, 당해 재치대(PD) 상에 재치되는 웨이퍼(W)의 온도가 조정되도록 되어 있다. 또한, 히터(HT)는, 정전 척(ESC)에 내장되어 있어도 된다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)는, 상부 전극(30)을 구비하고 있다. 상부 전극(30)은, 재치대(PD)의 상방에 있어서, 당해 재치대(PD)와 대향 배치되어 있다. 하부 전극(LE)과 상부 전극(30)은, 서로 대략 평행으로 마련되어 있다. 상부 전극(30)과 재치대(PD)의 사이에는, 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리를 행하기 위한 처리 공간(S)이 제공되어 있다.
상부 전극(30)은, 절연성 차폐 부재(32)를 통하여, 처리 용기(12)의 상부에 지지되어 있다. 일 실시형태에서는, 상부 전극(30)은, 재치대(PD)의 상면, 즉, 웨이퍼 재치면으로부터의 연직 방향에 있어서의 거리가 가변하도록 구성될 수 있다. 상부 전극(30)은, 천판(34) 및 지지체(36)를 포함할 수 있다. 천판(34)은 처리 공간(S)에 면하고 있고, 당해 천판(34)에는 복수의 가스 토출 구멍(34a)이 마련되어 있다. 이 천판(34)은, 실리콘, 산화 실리콘으로 구성될 수 있다. 혹은, 천판(34)은, 도전성(예를 들면, 알루미늄)의 모재(母材)에 세라믹스의 코팅을 실시함으로써 형성될 수 있다.
지지체(36)는, 천판(34)을 착탈 가능하게 지지하는 것이며, 예를 들면 알루미늄과 같은 도전성 재료로 구성될 수 있다. 이 지지체(36)는, 수냉 구조를 가질 수 있다. 지지체(36)의 내부에는, 복수의 가스 확산실(36a)이 마련되어 있다. 복수의 가스 확산실(36a)은, 웨이퍼(W)의 중심, 즉, 재치대(PD)의 중심을 통과하여 연직 방향으로 뻗은 축선 중심에, 동심 형상으로 마련되어 있다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 복수의 가스 확산실(36a)에는 각각, 가스 공급계(GP1)의 복수의 합류관(ML)이 접속되어 있다.
도 3에 나타내는 예에서는, 복수의 가스 확산실(36a)은, 3개의 가스 확산실, 즉, 가스 확산실(36a) (1), 가스 확산실(36a) (2), 및 가스 확산실(36a) (3)을 포함하고 있다. 가스 확산실(36a) (1)은, 상술한 축선 상에 마련되어 있고, 연직 방향으로부터 봤을 때에 원형의 평면 형상을 가질 수 있다. 가스 확산실(36a) (2)는, 가스 확산실(36a) (1)의 외측에서 환형으로 연재하고 있다. 또, 가스 확산실(36a) (3)은, 가스 확산실(36a) (2)의 외측에서 환형으로 연재하고 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 지지체(36)에는, 각 가스 확산실(36a)과 당해 가스 확산실(36a)의 하방으로 연재하는 복수의 가스 토출 구멍(34a)을 접속하는 복수의 연통 구멍이 형성되어 있다. 이러한 구성의 상부 전극(30)은, 샤워 헤드(SH)를 구성하고 있다.
샤워 헤드(SH)에서는, 하나의 가스 확산실(36a)과 당해 가스 확산실(36a)에 접속되는 복수의 가스 토출 구멍이 하나의 가스 토출부를 구성하고 있다. 따라서, 샤워 헤드(SH)는 복수의 가스 토출부를 제공하고 있다. 이들 복수의 가스 토출부로부터는, 처리 용기(12) 내의 다른 복수의 존을 향하여, 즉, 웨이퍼(W)의 직경 방향의 다른 영역을 향하여, 가스를 공급할 수 있다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 처리 용기(12)의 내벽을 따라 디포지션 실드(46)가 착탈 가능하게 마련되어 있다. 디포지션 실드(46)는, 지지부(14)의 외주에도 마련되어 있다. 디포지션 실드(46)는, 처리 용기(12)에 플라즈마 처리의 부생물(디포지트)이 부착하는 것을 방지하는 것이며, 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다.
처리 용기(12)의 저부 측, 또한, 지지부(14)와 처리 용기(12)의 측벽의 사이에는 배기 플레이트(48)가 마련되어 있다. 배기 플레이트(48)는 예를 들면, 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다. 배기 플레이트(48)에는, 다수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 이 배기 플레이트(48)의 하방, 또한, 처리 용기(12)에는, 배기구(12e)가 마련되어 있다. 배기구(12e)에는, 배기관(52)을 통하여 배기 장치(50) 및 배기 장치(51)가 접속되어 있다. 일 실시형태에서는, 배기 장치(50)는, 터보 분자 펌프이며, 배기 장치(51)는 드라이 펌프이다. 배기 장치(50)는, 처리 용기(12)에 대하여, 배기 장치(51)보다 상류 측에 마련되어 있다. 이들 배기 장치(50)와 배기 장치(51)의 사이의 배관에는, 가스 공급계(GP1)의 배기관(EL)이 접속되어 있다. 배기 장치(50)와 배기 장치(51)의 사이에 배기관(EL)이 접속됨으로써, 배기관(EL)으로부터 처리 용기(12) 내로의 가스의 역류가 억제된다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)는, 제1 고주파 전원(62) 및 제2 고주파 전원(64)을 더 구비하고 있다. 제1 고주파 전원(62)은, 플라즈마 생성용의 제1 고주파를 발생하는 전원이며, 27~100MHz의 주파수, 일례에 있어서는 40MHz의 고주파를 발생한다. 제1 고주파 전원(62)은, 정합기(66)를 통하여 하부 전극(LE)에 접속되어 있다. 정합기(66)는, 제1 고주파 전원(62)의 출력 임피던스와 부하 측(하부 전극(LE) 측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다.
제2 고주파 전원(64)은, 웨이퍼(W)에 이온을 도입하기 위한 제2 고주파, 즉 바이어스용의 고주파를 발생하는 전원이며, 400kHz~13.56MHz의 범위 내의 주파수, 일례에 있어서는 3.2MHz의 제2 고주파를 발생한다. 제2 고주파 전원(64)은, 정합기(68)를 통하여 하부 전극(LE)에 접속되어 있다. 정합기(68)는, 제2 고주파 전원(64)의 출력 임피던스와 부하 측(하부 전극(LE) 측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다.
또, 일 실시형태에 있어서는, 플라즈마 처리 장치(10)는, 제어부(Cnt)를 더 구비할 수 있다. 이 제어부(Cnt)는, 프로세서, 기억부, 입력 장치, 표시 장치 등을 구비하는 컴퓨터이다. 제어부(Cnt)는, 플라즈마 처리 장치(10)에서 실행되는 플라즈마 처리를 위하여, 당해 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부를 제어한다.
이 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 처리 용기(12) 내에 공급된 가스를 여기시켜, 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 그리고, 활성종에 의하여 웨이퍼(W)를 처리할 수 있다. 또, 가스 공급계(GP1)에 의하여, 다른 가스를 고속으로 전환하여 처리 용기(12) 내에 공급할 수 있다. 따라서, 다른 플라즈마 처리를 웨이퍼(W)에 대하여 교대로 행하는 프로세스의 스루풋을 높이는 것이 가능하다.
이하, 다른 실시형태에 관한 가스 공급계, 및 당해 가스 공급계를 구비하는 기판 처리 장치의 일례인 플라즈마 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 4는, 다른 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도이다. 도 4에 나타내는 플라즈마 처리 장치(102)는, 도 3에 나타낸 플라즈마 처리 장치(10)의 가스 공급계(GP1) 이외의 구성, 즉, 처리 용기(12), 샤워 헤드(SH), 배기 장치(50), 배기 장치(51) 등을 구비하고 있다. 이하, 가스 공급계 이외의 처리 용기 등을 포함하는 구성을 리액터부라고 한다.
플라즈마 처리 장치(102)는, 가스 공급계(GP2)를 더 구비하고 있다. 가스 공급계(GP2)는, 제1 기구(GM21), 제2 기구(GM22), 및 제3 기구(GM23)를 포함하고 있다. 제1 기구(GM21)는, 당해 제1 기구(GM21)의 통합부(GI)의 개수가 가스 공급계(GP1)의 제1 기구(GM1)의 통합부(GI)의 개수보다 많은 점에서 당해 제1 기구(GM1)와 다를 뿐이다. 따라서, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제1 기구(GM21)로부터는, 제1 기구(GM1)보다 다수의 제2 배관(L2)이 뻗어 있다.
제3 기구(GM23)는, 제1 기구(GM21)의 제2 배관(L2)의 개수와 동수의 제5 배관(L5) 및 제5 밸브(V5)를 갖는 점, 즉, 가스 공급계(GP1)의 제3 기구(GM3)의 제5 배관(L5)의 개수보다 많은 제5 배관(L5)을 갖고, 당해 제3 기구(GM3)의 제5 밸브(V5)의 개수보다 많은 제5 밸브(V5)를 갖는 점에 있어서, 가스 공급계(GP1)의 제3 기구(GM3)와는 다르다. 이 제3 기구(GM23)의 배기관(EL)은, 가스 공급계(GP1)의 제3 기구(GM3)의 배기관(EL)과 마찬가지로, 배기 장치(50)와 배기 장치(51)의 사이의 배관에 접속되어 있다.
제2 기구(GM22)는, 복수의 유량 제어 유닛군(FUG)을 갖고 있다. 도 4에 나타내는 예에서는, 제2 기구(GM22)의 복수의 유량 제어 유닛군(FUG)의 개수는 3개이지만, 이 개수로 한정되는 것은 아니다. 복수의 유량 제어 유닛군(FUG)의 각각은, 복수의 유량 제어 유닛(FU)을 갖고 있다. 제2 기구(GM22)에 있어서는, 각 유량 제어 유닛군(FUG)이 갖는 유량 제어 유닛(FU)의 개수는, 가스 공급계(GP1)의 각 유량 제어 유닛군(FUG)이 갖는 유량 제어 유닛(FU)의 개수보다 많게 되어 있다.
제2 기구(GM22)는, 복수의 분기관(BL1), 복수의 분기관(BL2), 복수의 밸브(V7), 복수의 밸브(V8), 복수의 합류관(ML1), 및 복수의 합류관(ML2)을 갖고 있다.
복수의 분기관(BL1)은 각각, 대응하는 유량 제어 유닛(FU)의 하류에 있어서, 복수의 제4 배관(L4)에 접속되어 있다. 또, 복수의 분기관(BL2)도 각각, 대응하는 유량 제어 유닛(FU)의 하류에 있어서, 복수의 제4 배관(L4)에 접속되어 있다. 즉, 유량 제어 유닛(FU)의 하류에 있어서, 각 제4 배관(L4)으로부터는, 분기관(BL1)과 분기관(BL2)이 분기하고 있다. 각 분기관(BL1)에는 밸브(V7)가 마련되어 있고, 각 분기관(BL2)에는 밸브(V8)가 마련되어 있다.
복수의 합류관(ML1)은, 유량 제어 유닛군(FUG)마다, 복수의 분기관(BL1)으로부터의 가스를 합류시키도록 구성되어 있다. 즉, 하나의 합류관(ML1)에는, 대응하는 하나의 유량 제어 유닛군(FUG)의 복수의 유량 제어 유닛(FU)에 접속되는 복수의 분기관(BL1)이 접속되어 있다. 또, 복수의 합류관(ML2)은, 유량 제어 유닛군(FUG)마다, 복수의 분기관(BL2)으로부터의 가스를 합류시키도록 구성되어 있다. 즉, 하나의 합류관(ML2)에는, 대응하는 하나의 유량 제어 유닛군(FUG)의 복수의 유량 제어 유닛(FU)에 접속되는 복수의 분기관(BL2)이 접속되어 있다.
또, 도 4에 나타내는 가스 공급계(GP2)의 제2 기구(GM22)는, 복수의 밸브(V9), 복수의 밸브(V10), 복수의 밸브(V11), 및 복수의 밸브(V12)를 더 구비하고 있다.
각 합류관(ML1)은, 샤워 헤드(SH)의 복수의 가스 토출부 중 대응하는 가스 토출부에 밸브(V9)를 통하여 접속되어 있다. 또, 각 합류관(ML1)은, 밸브(V10)를 통하여, 배기 장치(50)와 배기 장치(51)의 사이의 배관에 접속되어 있다. 즉, 각 합류관(ML1)은, 밸브(V9)를 갖는 배관(LA) 및 밸브(V10)를 갖는 배관(LB)에 분기하고 있다. 배관(LA)은 배관(LM)에 합류하고, 당해 배관(LM)은 샤워 헤드(SH)의 복수의 가스 토출부 중 대응하는 가스 토출부에 접속되어 있다. 또, 배관(LB)은, 배기 장치(50)와 배기 장치(51)의 사이의 배관에 접속되어 있다.
각 합류관(ML2)은, 샤워 헤드(SH)의 복수의 가스 토출부 중 대응하는 가스 토출부에 밸브(V11)를 통하여 접속되어 있다. 또, 각 합류관(ML2)은, 밸브(V12)를 통하여, 배기 장치(50)와 배기 장치(51)의 사이의 배관에 접속되어 있다. 즉, 각 합류관(ML2)은, 밸브(V11)를 갖는 배관(LC) 및 밸브(V12)를 갖는 배관(LD)에 분기하고 있다. 배관(LC)은, 동일한 유량 제어 유닛군(FUG)으로부터의 가스를 유도하는 배관(LA)과 함께 배관(LM)에 합류하고, 당해 배관(LM)은 샤워 헤드(SH)의 복수의 가스 토출부 중 대응하는 가스 토출부에 접속되어 있다. 또, 배관(LD)은, 배기 장치(50)와 배기 장치(51)의 사이의 배관에 접속되어 있다.
또, 플라즈마 처리 장치(102)는, 밸브(V13)를 더 구비하고 있어도 된다. 밸브(V13)는, 샤워 헤드(SH)와, 처리 용기(12)와 배기 장치(50)의 사이의 배기관(52)(도 3 참조)에 접속되는 배관에 마련되어 있다. 이 밸브(V13)는, 가스 공급계(GP2) 내의 가스를 배기할 때에 열린다. 이로써, 샤워 헤드(SH) 내의 가스는, 배기 장치(50)로 배기된다. 따라서, 샤워 헤드(SH) 내의 가스도 고속으로 배기하는 것이 가능하다.
도 5는, 밸브(V13)에 관한 다른 실시형태를 나타내는 도이다. 도 5에 나타내는 실시형태에서는, 샤워 헤드(SH)는, 복수의 가스 토출부, 예를 들면, 가스 토출부(D1), 가스 토출부(D2), 및 가스 토출부(D3)를 갖고 있다. 가스 토출부(D1)는 가스 확산실(36a) (1)을 포함하고, 가스 토출부(D2)는 가스 확산실(36a) (2)를 포함하며, 가스 토출부(D3)는 가스 확산실(36a) (3)을 포함하고 있다. 이 실시형태에서는, 가스 확산실(36a) (1)에 접속되는 가스 토출 구멍(34a)의 개수보다, 가스 확산실(36a) (3)에 접속되는 가스 토출 구멍(34a)의 개수가 많게 되어 있다. 따라서, 가스 토출부(D1)의 컨덕턴스보다, 가스 토출부(D3)의 컨덕턴스가 높게 되어 있다. 이러한 샤워 헤드(SH) 내의 가스를 고속으로 배기하기 위하여, 밸브(V13)를 갖는 배관이 가스 토출부(D1)와 가스 토출부(D3)를 접속하고 있다. 이 밸브(V13)는, 가스 공급계(GP2) 내의 가스를 배기할 때에 열린다. 이로써, 가스 토출부(D1)로부터의 가스는 가스 토출부(D3)로 흘러, 처리 용기(12) 내의 공간을 통하여 고속으로 배기된다.
이상 설명한 가스 공급계(GP2)에 있어서도, 가스 공급계(GP1)와 마찬가지로, 당해 가스 공급계(GP2) 내의 유로 내의 가스를 고속으로, 즉, 단시간에 치환하는 것이 가능하다. 또, 가스 공급계(GP2)에서는, 각 제4 배관(L4)으로부터 분기하고 있는 한 쌍의 분기관(BL1) 및 분기관(BL2)에 각각 마련된 밸브(V7) 및 밸브(V8) 중 한 쪽을 엶으로써, 각 유량 제어 유닛군(FUG)의 복수의 유량 제어 유닛(FU) 중 일부로부터의 가스 A를 합류관(ML1)에 공급하고, 다른 일부로부터의 가스 B를 합류관(ML2)에 공급할 수 있다.
이러한 가스 공급계(GP2)를 갖는 플라즈마 처리 장치(102)에 의하면, 복수의 합류관(ML1)으로부터의 가스 A 및 복수의 합류관(ML2)으로부터의 가스 B를, 교대로 처리 용기(12) 내에 공급하고, 처리 용기(12) 내에 공급되지 않는 가스를, 배기 측으로 흘려 보내는 것이 가능하다. 이로써, 처리 용기(12) 내에 공급하는 가스의 변경을 고속으로 행할 수 있다. 이 경우의 가스 A와 가스 B는 이종의 가스이다. 따라서, 다른 플라즈마 처리를 웨이퍼(W)에 대하여 교대로 행하는 프로세스의 스루풋을 높일 수 있다.
혹은, 플라즈마 처리 장치(102)에 의하면, 합류관(ML1)으로부터 처리 용기(12) 내에 연속적으로 가스 A를 공급하고, 합류관(ML2)으로부터의 가스 B를 단속적으로, 즉 펄스상으로 처리 용기(12) 내에 공급할 수 있다. 이 경우에, 합류관(ML2)으로부터의 가스는, 합류관(ML1)으로부터의 가스와 다른 가스여도 되고, 동일한 가스여도 된다.
이하, 또 다른 실시형태의 플라즈마 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 6은 또 다른 실시형태의 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도이다. 도 6에 나타내는 플라즈마 처리 장치(103)는, 리액터부(RA) 및 리액터부(RB)를 구비하고 있다. 리액터부(RA) 및 리액터부(RB)는, 플라즈마 처리 장치(10) 및 플라즈마 처리 장치(102)의 리액터부와 동일한 리액터부이다.
플라즈마 처리 장치(103)는, 가스 공급계(GP3)를 더 구비하고 있다. 가스 공급계(GP3)는, 가스 공급계(GP2)와 마찬가지로, 제1 기구(GM21), 및 제3 기구(GM23)를 갖고 있다. 가스 공급계(GP3)는, 제2 기구(GM32)를 더 갖고 있다. 플라즈마 처리 장치(102)에서는, 제2 기구(GM22)의 합류관(ML1) 및 합류관(ML2)이 단일의 리액터부의 샤워 헤드(SH)에 접속되어 있었지만, 플라즈마 처리 장치(103)에서는, 제2 기구(GM32)의 복수의 합류관(ML1)은 각각, 리액터부(RA)의 샤워 헤드(SH)의 복수의 가스 토출부에 접속되어 있고, 복수의 합류관(ML2)은 각각, 리액터부(RB)의 샤워 헤드(SH)의 복수의 가스 토출부에 접속되어 있다.
또, 플라즈마 처리 장치(103)에서는, 제3 기구(GM23)의 배기관(EL)은, 리액터부(RA)의 배기 장치(50)와 배기 장치(51)의 사이의 배관, 또는, 리액터부(RB)의 배기 장치(50)와 배기 장치(51)의 사이의 배관에 접속될 수 있다.
이러한 플라즈마 처리 장치(103)에 의하면, 단일의 가스 공급계(GP3)로부터, 리액터부(RA)의 처리 용기(12) 내에 가스 A를 공급하고, 리액터부(RB)의 처리 용기(12) 내에 가스 B를 공급할 수 있다. 가스 A와 가스 B는 이종의 가스여도 되고, 동종의 가스여도 된다. 가스 A와 가스 B가 이종의 가스인 경우에는, 리액터부(RA)와 리액터부(RB)에서 다른 플라즈마 처리를 행할 수 있다. 한편, 가스 A와 가스 B가 동종의 가스인 경우에는, 리액터부(RA)와 리액터부(RB)에서 동일한 플라즈마 처리를 행할 수 있다.
이하, 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법의 몇 가지 실시형태에 대하여 설명한다. 도 7은, 일 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 7에 나타내는 방법 MT1은, 복수의 제1 밸브(V1) 및 복수의 제2 밸브(V2)의 누출을 순서대로 또한 개별적으로 검사하는 방법이며, 가스 공급계(GP1), 가스 공급계(GP2), 및 가스 공급계(GP3) 중 어느 것에도 적용 가능한 방법이다. 또, 방법 MT1은, 예를 들면, 기판에 대한 프로세스가 실행되지 않는 기판 처리 장치의 휴지 기간에 실행될 수 있다. 즉, 방법 MT1은, 기판 처리 장치의 처리 용기 내에 복수의 가스 소스(GS)로부터의 가스가 공급되지 않는 휴지 기간에 실행될 수 있다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 방법 MT1에서는, 우선, 공정 ST1이 실행된다. 공정 ST1에서는, 복수의 제1 배관(L1)의 내부, 복수의 제2 배관(L2)의 내부, 복수의 제3 배관(L3)의 내부, 및 복수의 제4 배관(L4)의 내부의 배기가 행해진다. 이로 인하여, 공정 ST1에서는, 배기 상태가 형성된다. 배기 상태는, 복수의 유량 제어기(FD) 각각의 컨트롤 밸브(CV), 복수의 제2 밸브(V2), 및 제4 밸브(V4)가 열리고, 복수의 제1 밸브(V1), 복수의 제3 밸브(V3)가 닫힌 상태이다. 또한, 배기 상태에서는, 복수의 제5 밸브(V5)는 열린다. 밸브(V6)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 배기 상태에서는, 제4 밸브(V4)의 하류에 있어서 배기관(EL)에 접속되어 있는 배기 장치에 의하여, 복수의 제1 배관(L1)의 내부, 복수의 제2 배관(L2)의 내부, 복수의 제3 배관(L3)의 내부, 및 복수의 제4 배관(L4)의 내부에 있는 가스가 배기된다. 구체적으로는, 복수의 제1 밸브(V1)보다 하류에 있어서의 복수의 제1 배관(L1)의 내부, 복수의 제2 배관(L2)의 내부, 복수의 제3 배관(L3)의 내부, 및 복수의 제3 밸브(V3)보다 상류에 있어서의 제4 배관(L4)의 내부에 있는 가스가 배기된다.
이후, 방법 MT1에서는, 복수의 제1 밸브(V1)에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제1 밸브(V1), 및 복수의 제2 밸브(V2)에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 대하여, 공정 ST2~공정 ST5를 포함하는 시퀀스가 실행된다.
공정 ST2에서는, 제1 검사 상태가 형성된다. 제1 검사 상태에서는, 복수의 제1 밸브(V1), 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 제1 검사 상태에서는, 복수의 제2 밸브(V2) 중 검사 대상의 제1 밸브(V1)의 하류에 마련되어 있는 제2 밸브(V2)가 열린다. 또, 검사 대상의 제1 밸브(V1)의 하류에 마련되어 있는 제2 밸브(V2) 이외의 제2 밸브(V2)는 닫힌다. 또한, 제1 검사 상태에서는, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST3에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 특정의 제5 밸브(V5)가 열린다. 이 특정의 제5 밸브(V5)는, 검사 대상의 제1 밸브(V1)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2)을 통하여 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)이다. 한편, 공정 ST3에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 복수의 제5 밸브(V5)는 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST3에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST3에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 공정 ST3에 있어서 이용되는 압력계(FPM)를 갖는 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
이어서, 방법 MT1에서는, 공정 ST3이 실행된다. 공정 ST3에서는, 압력계(FPM)에 의하여, 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 이 압력계(FPM)는, 검사 대상의 제1 밸브(V1)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2) 및 제3 배관(L3)을 통하여 접속되어 있는 하나의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 유량 제어기(FD)의 압력계(FPM)이다. 이 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST3의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST3의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
혹은, 공정 ST3에서는, 압력계(PM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 이 소정 시간 내에 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST3의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST3의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
계속되는 공정 ST4에서는, 제2 검사 상태가 형성된다. 제2 검사 상태에서는, 복수의 제2 밸브(V2), 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 제2 검사 상태에서는, 복수의 제1 밸브(V1) 중 검사 대상의 제2 밸브(V2)의 상류에 마련되어 있는 제1 밸브(V1)가 열린다. 또, 검사 대상의 제2 밸브(V2)의 상류에 마련되어 있는 제1 밸브(V1) 이외의 제1 밸브(V1)는 닫힌다. 또한, 제2 검사 상태에서는, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST5에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 특정의 제5 밸브(V5)가 열린다. 특정의 제5 밸브(V5)는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2)을 통하여 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)이다. 한편, 공정 ST5에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 복수의 제5 밸브(V5)는 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST5에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST5에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 공정 ST5에 있어서 이용되는 압력계(FPM)를 갖는 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
이어서, 방법 MT1에서는, 공정 ST5가 실행된다. 공정 ST5에서는, 압력계(FPM)에 의하여, 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 이 압력계(FPM)는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2) 및 제3 배관(L3)을 통하여 접속되어 있는 하나의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 유량 제어기(FD)의 압력계(FPM)이다. 이 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST5의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST5의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
혹은, 공정 ST5에서는, 압력계(PM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 이 소정 시간 내에 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST5의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST5의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
계속되는 공정 STJ에서는, 모든 제1 밸브(V1) 및 모든 제2 밸브(V2)의 검사가 완료되어 있는지 여부가 판정되고 있다. 공정 STJ에 있어서, 검사가 완료되지 않은 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)가 존재한다고 판정되는 경우에는, 검사가 완료되지 않은 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)가 검사 대상의 제1 밸브(V1) 및 검사 대상의 제2 밸브(V2)로서 선택되어, 공정 ST2부터 공정 ST5의 시퀀스가 다시 실행된다. 한편, 모든 제1 밸브(V1) 및 모든 제2 밸브(V2)의 검사가 완료되어 있는 경우에는, 방법 MT1은 종료된다.
이 방법 MT1에 의하면, 복수의 제1 배관(L1)에 각각 마련되어 있는 복수의 제1 밸브(V1) 및 복수의 제2 밸브(V2)의 누출을 순서대로 또한 개별적으로 검사하는 것이 가능하다. 또한, 공정 ST2 및 공정 ST3은, 공정 ST4 및 공정 ST5의 실행 후에 실행되어도 된다.
이하, 다른 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법에 대하여 설명한다. 도 8은, 다른 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 8에 나타내는 방법 MT2는, 복수의 제1 밸브(V1)의 누출을 동시에 검사하여, 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있는 경우에는, 복수의 제1 밸브(V1)의 누출을 순서대로 검사하는 방법이다. 또, 방법 MT2는, 복수의 제2 밸브(V2)의 누출을 동시에 검사하여, 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있는 경우에는, 복수의 제2 밸브(V2)의 누출을 순서대로 검사하는 방법이다. 이 방법 MT2는, 가스 공급계(GP1), 가스 공급계(GP2), 및 가스 공급계(GP3) 중 어느 것에도 적용 가능한 방법이다. 또, 방법 MT2는 예를 들면, 기판에 대한 프로세스가 실행되지 않는 기판 처리 장치의 휴지 기간에 실행될 수 있다. 즉, 방법 MT2는, 기판 처리 장치의 처리 용기 내에 복수의 가스 소스(GS)로부터의 가스가 공급되지 않는 휴지 기간에 실행될 수 있다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 방법 MT2에서는, 우선, 공정 ST21이 실행된다. 공정 ST21은, 방법 MT1의 공정 ST1과 동일한 공정이다.
계속되는 공정 ST22에서는, 제1 검사 상태가 형성된다. 이 제1 검사 상태에서는, 복수의 제1 밸브(V1), 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 제1 검사 상태에서는, 복수의 제2 밸브(V2)가 열린다. 또한, 제1 검사 상태에서는, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST23에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 복수의 제5 배관(L5)에 각각 마련되어 있는 복수의 제5 밸브(V5)가 열린다. 한편, 공정 ST23에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 복수의 제5 밸브(V5)는 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST23에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST23에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 각 제3 배관(L3)으로부터 분기하고 있는 복수의 제4 배관(L4) 중 적어도 하나의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
이어서, 방법 MT2에서는, 공정 ST23이 실행된다. 공정 ST23에서는, 각 제3 배관(L3)으로부터 분기하고 있는 복수의 제4 배관(L4) 중 하나의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 유량 제어기(FD)의 압력계(FPM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 공정 ST23에 있어서 이용되는 어느 압력계(FPM)에 있어서도 압력 상승이 검출되지 않으면, 복수의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 각 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST23의 초기에 당해 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 복수의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(FPM) 중 어느 하나에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 압력 상승을 검출한 압력계(FPM)의 상류에 있는 통합부(GI)에 포함되는 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST23의 초기에 당해 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 그 압력계(FPM)의 상류에 있는 통합부(GI)에 포함되는 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
혹은, 공정 ST23에서는, 압력계(PM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 복수의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST23의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 복수의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST23의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
계속되는 공정 ST24에서는, 제2 검사 상태가 형성된다. 이 제2 검사 상태에서는, 복수의 제2 밸브(V2), 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 제2 검사 상태에서는, 복수의 제1 밸브(V1)가 열린다. 또한, 제2 검사 상태에서는, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST25에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 복수의 제5 배관(L5)에 각각 마련되어 있는 복수의 제5 밸브(V5)가 열린다. 한편, 공정 ST25에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 복수의 제5 밸브(V5)는 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST25에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST25에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 각 제3 배관(L3)으로부터 분기하고 있는 복수의 제4 배관(L4) 중 적어도 하나의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
이어서, 방법 MT2에서는, 공정 ST25가 실행된다. 공정 ST25에서는, 각 제3 배관(L3)으로부터 분기하고 있는 복수의 제4 배관(L4) 중 하나의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 유량 제어기(FD)의 압력계(FPM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 공정 ST25에 있어서 이용되는 어느 압력계(FPM)에 있어서도 압력 상승이 검출되지 않으면, 복수의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 각 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST25의 초기에 당해 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 복수의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(FPM) 중 어느 하나에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 압력 상승을 검출한 압력계(FPM)의 상류에 있는 통합부(GI)에 포함되는 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST25의 초기에 당해 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 그 압력계(FPM)의 상류에 있는 통합부(GI)에 포함되는 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
혹은, 공정 ST25에서는, 압력계(PM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 복수의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST25의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 복수의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST25의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
계속되는 공정 ST2a에서는, 공정 ST23에 있어서 압력 상승이 검출되었는지 여부가 판정된다. 공정 ST23에 있어서 압력 상승이 검출되지 않은 경우에는, 공정 ST2c로 이행한다. 한편, 공정 ST23에 있어서 압력 상승이 검출되고 있는 경우에는, 복수의 제1 밸브(V1)에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제1 밸브(V1)의 누출이, 공정 ST26에 있어서 검사된다.
구체적으로, 공정 ST26에서는, 복수의 제1 밸브(V1), 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 복수의 제2 밸브(V2) 중 검사 대상의 제1 밸브(V1)의 하류에 마련되어 있는 제2 밸브(V2)가 열린다. 또, 검사 대상의 제1 밸브(V1)의 하류에 마련되어 있는 제2 밸브(V2) 이외의 제2 밸브(V2)는 닫힌다. 또한, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST26에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 특정의 제5 밸브(V5)가 열린다. 특정의 제5 밸브(V5)는, 검사 대상의 제1 밸브(V1)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2)을 통하여 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)이다. 한편, 공정 ST26에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 복수의 제5 밸브(V5)는 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST26에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST26에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 적어도 공정 ST26에 있어서 이용되는 압력계(FPM)를 갖는 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
그리고, 공정 ST26에서는, 압력계(FPM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 이 압력계(FPM)는, 검사 대상의 제1 밸브(V1)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2) 및 제3 배관(L3)을 통하여 접속되어 있는 하나의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 유량 제어기(FD)의 압력계(FPM)이다. 이 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST26의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST26의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
혹은, 공정 ST26에서는, 압력계(PM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 이 소정 시간 내에 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST26의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST26의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
계속되는 공정 ST2b에서는, 모든 제1 밸브(V1)의 검사가 완료되었는지 여부가 판정된다. 공정 ST2b에 있어서, 검사가 완료되지 않은 제1 밸브(V1)가 존재한다고 판정되는 경우에는, 검사가 완료되지 않은 제1 밸브(V1)가 검사 대상의 제1 밸브(V1)로서 선택되어, 공정 ST26이 다시 실행된다. 한편, 모든 제1 밸브(V1)의 검사가 완료되어 있는 경우에는, 공정 ST2c로 이행한다.
공정 ST2c에서는, 공정 ST25에 있어서 압력 상승이 검출되었는지 여부가 판정된다. 공정 ST25에 있어서 압력 상승이 검출되지 않은 경우에는, 방법 MT2는 종료된다. 한편, 공정 ST25에 있어서 압력 상승이 검출되고 있는 경우에는, 복수의 제2 밸브(V2)에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제2 밸브(V2)의 누출이, 공정 ST27에 있어서 검사된다.
구체적으로는, 공정 ST27에서는, 복수의 제2 밸브(V2), 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 복수의 제1 밸브(V1) 중 검사 대상의 제2 밸브(V2)의 상류에 마련되어 있는 제1 밸브(V1)가 열린다. 또, 검사 대상의 제2 밸브(V2)의 상류에 마련되어 있는 제1 밸브(V1) 이외의 제1 밸브(V1)는 닫힌다. 또한, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST27에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 특정의 제5 밸브(V5)가 열린다. 특정의 제5 밸브(V5)는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2)을 통하여 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)이다. 한편, 공정 ST27에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 복수의 제5 밸브(V5)는 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST27에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST27에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 적어도 공정 ST27에 있어서 이용되는 압력계(FPM)를 갖는 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
그리고, 공정 ST27에서는, 압력계(FPM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 이 압력계(FPM)는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2) 및 제3 배관(L3)을 통하여 접속되어 있는 하나의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 유량 제어기(FD)의 압력계(FPM)이다. 이 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST27의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST27의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
혹은, 공정 ST27에서는, 압력계(PM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 이 소정 시간 내에 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST27의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST27의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
계속되는 공정 ST2d에서는, 모든 제2 밸브(V2)의 검사가 완료되었는지 여부가 판정된다. 공정 ST2b에 있어서, 검사가 완료되지 않은 제2 밸브(V2)가 존재한다고 판정되는 경우에는, 검사가 완료되지 않은 제2 밸브(V2)가 검사 대상의 제2 밸브(V2)로서 선택되어, 공정 ST27가 다시 실행된다. 한편, 모든 제2 밸브(V2)의 검사가 완료되어 있는 경우에는, 방법 MT는 종료된다.
이 방법 MT2에 의하면, 복수의 제1 밸브(V1)의 누출이 동시에 검사된다. 그리고, 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단되는 경우에만, 복수의 제1 밸브(V1)의 누출의 검사가 순서대로 또한 개별적으로 행해진다. 또, 방법 MT2에서는, 복수의 제2 밸브(V2)의 누출이 동시에 검사된다. 그리고, 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단되는 경우에만, 복수의 제2 밸브(V2)의 누출의 검사가 순서대로 또한 개별적으로 행해진다. 따라서, 모든 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하지 않은 경우에는, 복수의 제1 밸브(V1)의 누출의 검사가 단시간에 완료된다. 또, 모든 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하지 않은 경우에는, 복수의 제2 밸브(V2)의 누출의 검사가 단시간에 검사가 완료된다.
또한, 공정 ST24 및 공정 ST25의 실행 후에 공정 ST22 및 공정 ST23이 실행되어도 된다. 또, 공정 ST22 및 공정 ST23의 실행 직후에, 공정 ST2a의 판정이 행해지고, 필요에 따라 공정 ST26 및 공정 ST2b가 실행되어도 된다. 또, 공정 ST24 및 공정 ST25의 실행 직후에, 공정 ST2c의 판정이 행해지고, 필요에 따라 공정 ST27 및 공정 ST2d가 실행되어도 된다. 또, 공정 ST2a의 실행 전에, 공정 ST2c가 실행되고, 필요에 따라 공정 ST27 및 공정 ST2d가 실행되어도 된다. 또, 공정 ST26은, 누출이 발생하고 있을 가능성이 있는 제1 밸브(V1)를 포함하는 통합부(GI)에 포함되는 복수의 제1 밸브(V1)에만 적용되어도 된다. 또, 공정 ST27은, 누출이 발생하고 있을 가능성이 있는 제2 밸브(V2)를 포함하는 통합부(GI)에 포함되는 복수의 제2 밸브(V2)에만 적용되어도 된다.
이하, 또 다른 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법에 대하여 설명한다. 도 9는, 또 다른 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 9에 나타내는 방법 MT3은, 복수의 통합부(GI) 중 일부로부터 기판 처리 장치의 처리 용기 내에 가스가 공급되어 당해 처리 용기 내에 있어서 기판에 대한 프로세스가 실행되고 있는 한편으로, 복수의 통합부(GI) 중 처리 용기 내에 가스를 공급하지 않는 통합부(GI)에 포함되는 복수의 제1 밸브(V1) 및 복수의 제2 밸브(V2)의 누출이 검사된다. 즉, 방법 MT3에서는, 복수의 제1 밸브(V1) 및 복수의 제2 밸브(V2)의 누출이 순서대로 또한 개별적으로 검사되는 한편으로, 복수의 다른 제1 밸브(V1) 및 복수의 다른 제2 밸브(V2)를 통하여 기판 처리 장치의 처리 용기에 가스가 공급된다. 이 방법 MT3은, 가스 공급계(GP1), 가스 공급계(GP2), 및 가스 공급계(GP3) 중 어느 것에도 적용 가능한 방법이다. 이하, 복수의 통합부(GI) 중 처리 용기 내에 가스를 공급하는 통합부(GI)를 "프로세스용 통합부(GI)"라고 부르고, 처리 용기 내에 가스를 공급하지 않는 통합부(GI)를 "검사 대상의 통합부(GI)"라고 부른다.
방법 MT3에서는, 공정 ST3p에 있어서, 프로세스용 통합부(GI)로부터의 가스가 기판 처리 장치의 처리 용기 내에 공급된다. 이 공정 ST3p의 실행 중, 프로세스용 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)는 닫힌다. 또한, 후술하는 공정 ST31~ST35의 실행은, 공정 ST3p의 실행 중에 행해진다.
계속되는 공정 ST31에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 배관(L1)의 내부 및 제2 배관(L2)의 내부, 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 접속되어 있는 제3 배관(L3)의 내부와, 당해 제3 배관(L3)에 접속되어 있는 복수의 제4 배관(L4)의 내부의 배기가 행해진다. 이로 인하여, 공정 ST31에서는, 배기 상태가 형성된다. 배기 상태는, 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 제3 배관(L3)을 통하여 접속되어 있는 복수의 제4 배관(L4)에 마련된 복수의 유량 제어기(FD) 각각의 컨트롤 밸브(CV), 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2), 및 제4 밸브(V4)가 열리고, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1), 및 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 제3 배관(L3)을 통하여 접속되어 있는 복수의 제4 배관(L4)에 마련된 복수의 제3 밸브(V3)가 닫힌 상태이다. 또한, 배기 상태에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)가 열린다. 밸브(V6)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다.
이후, 방법 MT3에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1)에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제1 밸브(V1), 및 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2)에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제2 밸브(V2)에 대하여, 공정 ST32~공정 ST35를 포함하는 시퀀스가 실행된다.
공정 ST32에서는, 제1 검사 상태가 형성된다. 제1 검사 상태에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1), 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 제3 배관(L3)을 통하여 접속되어 있는 복수의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 제1 검사 상태에서는, 검사 대상의 제1 밸브(V1)의 하류에 마련되어 있는 제2 밸브(V2)가 열린다. 또, 검사 대상의 통합부(GI)에 포함되는 복수의 제2 밸브(V2) 중, 검사 대상의 제1 밸브(V1)의 하류에 마련되어 있는 제2 밸브(V2) 이외의 제2 밸브(V2)는 닫힌다. 또한, 제1 검사 상태에서는, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST33에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 특정의 제5 밸브(V5)가 열린다. 특정의 제5 밸브(V5)는, 검사 대상의 제1 밸브(V1)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2)을 통하여 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)이다. 한편, 공정 ST33에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 상기 특정의 제5 밸브(V5)는, 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST33에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 하류에 있는 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST33에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 공정 ST33에 있어서 이용되는 압력계(FPM)를 갖는 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
이어서, 방법 MT3에서는, 공정 ST33이 실행된다. 이 공정 ST33은, 방법 MT1의 공정 ST3과 동일한 공정이다.
계속되는 공정 ST34에서는, 제2 검사 상태가 형성된다. 제2 검사 상태에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2), 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 제3 배관(L3)을 통하여 접속되어 있는 복수의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 제2 검사 상태에서는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)의 상류에 마련되어 있는 제1 밸브(V1)가 열린다. 또, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1) 중, 검사 대상의 제2 밸브(V2)의 상류에 마련되어 있는 제1 밸브 이외의 제1 밸브(V1)가 닫힌다. 또한, 제2 검사 상태에서는, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST35에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 특정의 제5 밸브(V5)가 열린다. 특정의 제5 밸브(V5)는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2)을 통하여 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)이다. 한편, 공정 ST35에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 상기 특정의 제5 밸브(V5)는 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST35에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 하류에 있는 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST35에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 공정 ST35에 있어서 이용되는 압력계(FPM)를 갖는 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
이어서, 방법 MT3에서는, 공정 ST35가 실행된다. 이 공정 ST35는, 방법 MT1의 공정 ST5와 동일한 공정이다.
계속되는 공정 ST3J에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 모든 제1 밸브(V1) 및 모든 제2 밸브(V2)의 검사가 완료되어 있는지 여부가 판정되고 있다. 공정 ST3J에 있어서, 검사가 완료되지 않은 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)가 존재한다고 판정되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1) 및 복수의 제2 밸브(V2)로부터, 검사가 완료되지 않은 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)가 검사 대상의 제1 밸브(V1) 및 검사 대상의 제2 밸브(V2)로서 선택되어, 공정 ST32부터 공정 ST35의 시퀀스가 다시 실행된다. 한편, 검사 대상의 통합부(GI)의 모든 제1 밸브(V1) 및 모든 제2 밸브(V2)의 검사가 완료되어 있는 경우에는, 방법 MT3은 종료된다.
이 방법 MT3에 의하면, 기판 처리 장치의 처리 용기 내에서 행해지는 프로세스에 있어서 이용되고 있지 않는 통합부(GI)의 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)의 누출을 순서대로 또한 개별적으로 검사하는 것이 가능하다. 따라서, 기판 처리 장치 프로세스용의 가동 시간에 영향을 주지 않고, 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)의 누출을 검사하는 것이 가능해진다. 또한, 공정 ST32 및 공정 ST33은, 공정 ST34 및 공정 ST35의 실행 후에 실행되어도 된다.
이하, 또 다른 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법에 대하여 설명한다. 도 10은, 또 다른 실시형태에 관한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 10에 나타내는 방법 MT4는, 복수의 통합부(GI) 중 일부로부터 기판 처리 장치의 처리 용기 내에 가스가 공급되어 당해 처리 용기 내에 있어서 기판에 대한 프로세스가 실행되고 있는 한편으로, 복수의 통합부(GI) 중 처리 용기 내에 가스를 공급하지 않는 통합부(GI)에 포함되는 복수의 제1 밸브(V1) 및 복수의 제2 밸브(V2)의 누출이 검사된다. 즉, 방법 MT4에서는, 복수의 제1 밸브(V1) 및 복수의 제2 밸브(V2)의 누출이 검사되는 한편으로, 복수의 다른 제1 밸브(V1) 및 복수의 다른 제2 밸브(V2)를 통하여 기판 처리 장치의 처리 용기에 가스가 공급된다. 이하, 복수의 통합부(GI) 중 처리 용기 내에 가스를 공급하는 통합부(GI)를 "프로세스용 통합부(GI)"라고 부르고, 처리 용기 내에 가스를 공급하지 않는 통합부(GI)를 "검사 대상의 통합부(GI)"라고 부른다. 또, 방법 MT4에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1)의 누출을 동시에 검사하여, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1)의 누출을 순서대로 검사하는 방법이다. 또, 방법 MT4는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2)의 누출을 동시에 검사하여, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2)의 누출을 순서대로 검사하는 방법이다. 이 방법 MT4는, 가스 공급계(GP1), 가스 공급계(GP2), 및 가스 공급계(GP3) 중 어느 것에도 적용 가능한 방법이다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 방법 MT4에서는, 공정 ST4p에 있어서, 프로세스용 통합부(GI)로부터의 가스가 기판 처리 장치의 처리 용기 내에 공급된다. 이 공정 ST4p의 실행 중, 프로세스용 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)는 닫힌다. 또한, 후술하는 공정 ST41~ST4d의 실행은, 공정 ST4p의 실행 중에 행해진다.
이어서, 방법 MT4에서는, 공정 ST41이 실행된다. 공정 ST41은, 방법 MT3의 공정 ST31과 동일한 공정이다.
이어서, 방법 MT4에서는, 공정 ST42가 실행된다. 공정 ST42에서는, 제1 검사 상태가 형성된다. 제1 검사 상태에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1), 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 제3 배관(L3)을 통하여 접속되어 있는 복수의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 제1 검사 상태에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2)가 열린다. 또한, 제1 검사 상태에서는, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST43에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)가 열린다. 한편, 공정 ST43에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)는, 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST43에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 하류에 있는 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST43에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 하류에 있는 적어도 하나의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
이어서, 방법 MT4에서는, 공정 ST43이 실행된다. 공정 ST43에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 하류에 있는 하나의 유량 제어기(FD)의 압력계(FPM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST43의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST43의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
혹은, 공정 ST43에서는, 압력계(PM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST43의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST43의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
이어서, 방법 MT4에서는 공정 ST44가 실행된다. 공정 ST34에서는, 제2 검사 상태가 형성된다. 제2 검사 상태에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2), 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 제3 배관(L3)을 통하여 접속되어 있는 복수의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 제2 검사 상태에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1)가 열린다. 또한, 제2 검사 상태에서는, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST45에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)가 열린다. 한편, 공정 ST45에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)는, 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST45에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 하류에 있는 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST45에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 하류에 있는 적어도 하나의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
이어서, 방법 MT4에서는, 공정 ST45가 실행된다. 공정 ST45에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 하류에 있는 하나의 유량 제어기(FD)의 압력계(FPM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST45의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(FPM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력과 공정 ST45의 초기에 압력계(FPM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
혹은, 공정 ST45에서는, 압력계(PM)에 의하여 압력 상승이 소정 시간 감시된다. 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출되지 않으면, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST45의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값보다 작은 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하고 있지 않다고 판단된다. 한편, 압력계(PM)에 있어서 압력 상승이 검출된 경우, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다. 예를 들면, 소정 시간 경과 시에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력과, 공정 ST45의 초기에 압력계(PM)에 의하여 계측된 압력의 차가 소정값 이상인 경우에, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단된다.
계속되는 공정 ST4a에서는, 공정 ST43에 있어서 압력 상승이 검출되었는지 여부가 판정된다. 공정 ST43에 있어서 압력 상승이 검출되지 않은 경우에는, 공정 ST4c로 이행한다. 한편, 공정 ST43에 있어서 압력 상승이 검출되고 있는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1)에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제1 밸브(V1)의 누출이, 공정 ST46에 있어서 검사된다.
구체적으로, 공정 ST46에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1), 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 제3 배관을 통하여 접속되어 있는 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 검사 대상의 제1 밸브(V1)의 하류에 마련되어 있는 제2 밸브(V2)가 열린다. 또, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2) 중, 검사 대상의 제1 밸브(V1)의 하류에 마련되어 있는 제2 밸브(V2) 이외의 제2 밸브(V2)는 닫힌다. 또한, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST46에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 특정의 제5 밸브(V5)가 열린다. 특정의 제5 밸브(V5)는, 검사 대상의 제1 밸브(V1)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2)을 통하여 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)이다. 한편, 공정 ST46에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 상기 특정의 제5 밸브(V5)는 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST46에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 하류에 있는 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST46에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 적어도 공정 ST46에 있어서 이용되는 압력계(FPM)를 갖는 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
그리고, 공정 ST46에서는, 방법 MT2의 공정 ST26과 마찬가지로 압력 상승이 감시되어, 검사 대상의 제1 밸브(V1)의 누출의 발생 유무가 검출된다.
계속되는 공정 ST4b에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 모든 제1 밸브(V1)의 검사가 완료되었는지 여부가 판정된다. 공정 ST4b에 있어서, 검사가 완료되지 않은 제1 밸브(V1)가 존재한다고 판정되는 경우에는, 검사가 완료되지 않은 제1 밸브(V1)가 검사 대상의 제1 밸브(V1)로서 선택되어, 공정 ST46이 다시 실행된다. 한편, 검사 대상의 통합부(GI)의 모든 제1 밸브(V1)의 검사가 완료되어 있는 경우에는, 공정 ST4c로 이행한다.
공정 ST4c에서는, 공정 ST45에 있어서 압력 상승이 검출되었는지 여부가 판정된다. 공정 ST45에 있어서 압력 상승이 검출되지 않은 경우에는, 방법 MT4는 종료된다. 한편, 공정 ST45에 있어서 압력 상승이 검출되고 있는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2)에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제2 밸브(V2)의 누출이, 공정 ST47에 있어서 검사된다.
구체적으로는, 공정 ST47에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제2 밸브(V2), 검사 대상의 통합부(GI)의 제2 배관(L2)에 제3 배관(L3)을 통하여 접속되어 있는 복수의 제4 배관(L4)에 마련되어 있는 복수의 제3 밸브(V3), 및 제4 밸브(V4)가 닫힌다. 또, 제2 검사 상태에서는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)의 상류에 마련되어 있는 제1 밸브(V1)가 열린다. 또, 검사 대상의 통합부(GI)의 복수의 제1 밸브(V1) 중, 검사 대상의 제2 밸브(V2)의 상류에 마련되어 있는 제1 밸브(V1) 이외의 제1 밸브(V1)가 닫힌다. 또한, 제2 검사 상태에서는, 밸브(V6)는 닫힌다. 또, 공정 ST47에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 특정의 제5 밸브(V5)가 열린다. 특정의 제5 밸브(V5)는, 검사 대상의 제2 밸브(V2)가 마련되어 있는 제1 배관(L1)에 제2 배관(L2)을 통하여 접속되어 있는 제5 배관(L5)에 마련되어 있는 제5 밸브(V5)이다. 한편, 공정 ST47에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 상기 특정의 제5 밸브(V5)는 닫혀 있어도 되고, 열려 있어도 된다. 또, 공정 ST47에 있어서 압력계(PM)가 이용되는 경우에는, 검사 대상의 통합부(GI)의 하류에 있는 복수의 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)는 열려 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 공정 ST47에 있어서 압력계(FPM)가 이용되는 경우에는, 적어도 공정 ST47에 있어서 이용되는 압력계(FPM)를 갖는 유량 제어기(FD)의 컨트롤 밸브(CV)가 열린다.
그리고, 공정 ST47에서는, 방법 MT2의 공정 ST27과 마찬가지로 압력 상승이 감시되어, 검사 대상의 제2 밸브(V2)의 누출의 발생 유무가 검출된다.
계속되는 공정 ST4d에서는, 검사 대상의 통합부(GI)의 모든 제2 밸브(V2)의 검사가 완료되었는지 여부가 판정된다. 공정 ST4d에 있어서, 검사가 완료되지 않은 제2 밸브(V2)가 존재한다고 판정되는 경우에는, 검사가 완료되지 않은 제2 밸브(V2)가 검사 대상의 제2 밸브(V2)로서 선택되어, 공정 ST47이 다시 실행된다. 한편, 검사 대상의 통합부(GI)의 모든 제2 밸브(V2)의 검사가 완료되어 있는 경우에는, 방법 MT4는 종료된다.
이 방법 MT4에 의하면, 기판 처리 장치의 처리 용기 내에서 행해지는 프로세스에 있어서 이용되고 있지 않는 통합부(GI)의 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)의 누출을 검사하는 것이 가능하다. 따라서, 기판 처리 장치의 프로세스용의 가동 시간에 영향을 주지 않고, 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)의 누출을 검사하는 것이 가능해진다. 또, 복수의 제1 밸브(V1)의 누출이 동시에 검사된다. 그리고, 복수의 제1 밸브(V1) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단되는 경우에만, 복수의 제1 밸브(V1)의 누출의 검사가 순서대로 또한 개별적으로 행해진다. 또, 복수의 제2 밸브(V2)의 누출이 동시에 검사된다. 그리고, 복수의 제2 밸브(V2) 중 어느 하나에 누출이 발생하고 있다고 판단되는 경우에만, 복수의 제2 밸브(V2)의 누출의 검사가 순서대로 또한 개별적으로 행해진다. 따라서, 검사 대상의 통합부(GI)의 모든 제1 밸브(V1)에 누출이 발생하지 않은 경우에는, 누출의 검사가 단시간에 완료된다. 또, 검사 대상의 통합부(GI)의 모든 제2 밸브(V2)에 누출이 발생하지 않은 경우에는, 복수의 제2 밸브(V2)의 누출의 검사가 단시간에 검사가 완료된다.
또한, 공정 ST44 및 공정 ST45의 실행 후에 공정 ST42 및 공정 ST43이 실행되어도 된다. 또, 공정 ST42 및 공정 ST43의 실행 직후에, 공정 ST4a의 판정이 행해지고, 필요에 따라 공정 ST46 및 공정 ST4b가 실행되어도 된다. 또, 공정 ST44 및 공정 ST45의 실행 직후에, 공정 ST4c의 판정이 행해지고, 필요에 따라 공정 ST47 및 공정 ST4d가 실행되어도 된다. 또, 공정 ST4a의 실행 전에, 공정 ST4c가 실행되고, 필요에 따라 공정 ST47 및 공정 ST4d가 실행되어도 된다. 또, 공정 ST46은, 누출이 발생하고 있을 가능성이 있는 제1 밸브(V1)를 포함하는 통합부(GI)에 포함되어 있는 복수의 제1 밸브(V1)에만 적용되어도 된다. 또, 공정 ST47은, 누출이 발생하고 있을 가능성이 있는 제2 밸브(V2)를 포함하는 통합부(GI)에 포함되어 있는 복수의 제2 밸브(V2)에만 적용되어도 된다.
이상, 다양한 실시형태에 대하여 설명했지만, 상술한 실시형태로 한정되지 않고, 다양한 변형 양태를 구성 가능하다. 예를 들면, 상술한 기판 처리 장치는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치였지만, 기판 처리 장치는, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치, 마이크로파와 같은 표면파를 이용하는 플라즈마 처리 장치와 같은 임의의 플라즈마 처리 장치여도 된다.
10, 102, 103…플라즈마 처리 장치
12…처리 용기
30…상부 전극
PD…재치대
50…배기 장치
51…배기 장치
SH…샤워 헤드
D1, D2, D3…가스 토출부
GP1, GP2, GP3…가스 공급계
GM1, GM21…제1 기구
GM2, GM22, GM32…제2 기구
GM3, GM23…제3 기구
GI…통합부
L1…제1 배관
L2…제2 배관
L3…제3 배관
L4…제4 배관
L5…제5 배관
EL…배기관
V1…제1 밸브
V2…제2 밸브
V3…제3 밸브
V4…제4 밸브
V5…제5 밸브
FUG…유량 제어 유닛군
FU…유량 제어 유닛
FD…유량 제어기
FPM…압력계
CV…컨트롤 밸브
FV1…밸브
GS…가스 소스
GSP…소스
PM…압력계

Claims (5)

  1. 기판 처리 장치의 처리 용기에 가스를 공급하기 위한 가스 공급계의 밸브의 누출을 검사하는 방법으로서,
    상기 가스 공급계는,
    복수의 가스 소스에 각각 접속된 복수의 제1 배관과,
    복수의 제1 배관에 각각 마련된 복수의 제1 밸브와,
    상기 복수의 제1 밸브보다 하류 측에 있어서 상기 복수의 제1 배관에 각각 마련된 복수의 제2 밸브와,
    상기 복수의 제2 밸브의 하류에 있어서 상기 복수의 제1 배관에 접속된 제2 배관과,
    상기 제2 배관에 접속된 제3 배관과,
    상기 제3 배관으로부터 분기하는 복수의 제4 배관과,
    상기 복수의 제4 배관에 각각 마련된 복수의 유량 제어기와,
    상기 복수의 유량 제어기의 하류 측에 있어서 상기 복수의 제4 배관에 각각 마련된 복수의 제3 밸브와,
    배기 장치에 접속된 배기관과,
    상기 배기관에 마련된 제4 밸브와,
    상기 배기 장치 및 상기 제4 밸브의 상류에 있어서 상기 배기관에 접속되고, 또한 상기 제2 배관에 접속하는 제5 배관을 구비하며,
    상기 방법은,
    상기 복수의 제1 배관의 내부, 상기 제2 배관의 내부, 상기 제3 배관의 내부, 및 상기 복수의 제4 배관의 내부의 배기를 행하는 제1 공정으로서, 상기 복수의 유량 제어기 각각의 컨트롤 밸브, 상기 복수의 제2 밸브, 및 상기 제4 밸브가 열리고, 상기 복수의 제1 밸브 및 상기 복수의 제3 밸브가 닫힌 배기 상태가 형성되는, 상기 제1 공정과,
    상기 복수의 제1 밸브, 상기 복수의 제3 밸브, 및 상기 제4 밸브가 닫히고, 상기 복수의 제2 밸브 중 1개 이상의 제2 밸브 또는 상기 복수의 제2 밸브가 열린 제1 검사 상태를 형성하는 제2 공정과,
    상기 배기 장치 및 상기 제4 밸브의 상류에 있어서 상기 배기관에 마련된 압력계, 또는 상기 복수의 유량 제어기 중 하나의 유량 제어기의 압력계에 의하여, 압력 상승을 감시하는 제3 공정과,
    상기 복수의 제2 밸브, 상기 복수의 제3 밸브, 및 상기 제4 밸브가 닫히고, 상기 복수의 제1 밸브 중 상기 1개 이상의 제2 밸브의 상류에 마련된 1개 이상의 제1 밸브 또는 상기 복수의 제1 밸브가 열린 제2 검사 상태를 형성하는 제4 공정과,
    상기 배기 장치 및 상기 제4 밸브의 상류에 있어서 상기 배기관에 마련된 상기 압력계, 또는 상기 복수의 유량 제어기 중 하나의 유량 제어기의 압력계에 의하여, 압력 상승을 감시하는 제5 공정을 포함하는 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 공정에 있어서 형성되는 상기 제1 검사 상태에서는, 상기 복수의 제2 밸브가 열리고,
    상기 제4 공정에 있어서 형성되는 상기 제2 검사 상태에서는, 상기 복수의 제1 밸브가 열리는, 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제3 공정에 있어서 압력 상승이 검출된 경우에, 상기 복수의 제1 밸브에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제1 밸브의 누출을 검사하는 공정을 더 포함하고,
    검사 대상의 제1 밸브의 누출을 검사하는 상기 공정은, 상기 복수의 제1 밸브, 상기 복수의 제3 밸브, 상기 제4 밸브, 및 상기 복수의 제2 밸브 중 상기 검사 대상의 제1 밸브의 하류에 마련된 제2 밸브 이외의 제2 밸브가 닫힌 상태에서, 상기 배기 장치 및 상기 제4 밸브의 상류에 있어서 상기 배기관에 마련된 상기 압력계, 또는 상기 복수의 유량 제어기 중 하나의 유량 제어기의 압력계에 의하여, 압력 상승을 감시하는 것을 포함하는, 방법.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 제5 공정에 있어서 압력 상승이 검출된 경우에, 상기 복수의 제2 밸브에서부터 순서대로 선택되는 검사 대상의 제2 밸브의 누출을 검사하는 공정을 더 포함하고,
    검사 대상의 제2 밸브의 누출을 검사하는 상기 공정은, 상기 복수의 제2 밸브, 상기 복수의 제3 밸브, 상기 제4 밸브, 및 상기 복수의 제1 밸브 중 상기 검사 대상의 제2 밸브의 상류에 마련된 제1 밸브 이외의 제1 밸브가 닫힌 상태에서, 상기 배기 장치 및 상기 제4 밸브의 상류에 있어서 상기 배기관에 마련된 상기 압력계, 또는 상기 복수의 유량 제어기 중 하나의 유량 제어기의 압력계에 의하여, 압력 상승을 감시하는 것을 포함하는, 방법.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급계는,
    복수의 다른 가스 소스에 각각 접속된 복수의 다른 제1 배관과,
    복수의 다른 제1 배관의 각각에 마련된 복수의 다른 제1 밸브와,
    상기 복수의 다른 제1 밸브보다 하류 측에 있어서 상기 복수의 다른 제1 배관의 각각에 마련된 복수의 다른 제2 밸브와,
    상기 복수의 다른 제2 밸브의 하류에 있어서 상기 복수의 다른 제1 배관에 접속된 다른 제2 배관과,
    상기 다른 제2 배관에 접속된 다른 제3 배관과,
    상기 다른 제3 배관으로부터 분기하는 복수의 다른 제4 배관과,
    상기 복수의 다른 제4 배관에 각각 마련된 복수의 다른 유량 제어기와,
    상기 복수의 다른 유량 제어기의 하류 측에 있어서 상기 복수의 다른 제4 배관에 각각 마련된 복수의 다른 제3 밸브와,
    상기 배기 장치 및 상기 제4 밸브의 상류에 있어서 상기 배기관에 접속되고, 또한 상기 다른 제2 배관에 접속되는 다른 제5 배관과,
    상기 제5 배관에 마련된 제5 밸브와,
    상기 다른 제5 배관에 마련된 다른 제5 밸브를 더 구비하며,
    상기 방법은, 상기 다른 제5 밸브가 닫힌 상태에서, 상기 복수의 다른 가스 소스 중 1개 이상의 가스 소스로부터 가스를 상기 기판 처리 장치에 공급하는 공정을 더 포함하고,
    가스를 상기 기판 처리 장치에 공급하는 상기 공정의 실행 중에, 상기 제1 공정, 상기 제2 공정, 상기 제3 공정, 상기 제4 공정, 및 상기 제5 공정이 실행되는, 방법.
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Families Citing this family (291)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
JP6811147B2 (ja) * 2017-06-23 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系を検査する方法
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102654894B1 (ko) * 2017-09-26 2024-04-03 램 리써치 코포레이션 펄스 폭 조정된 도즈 제어를 위한 시스템들 및 방법들
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) * 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP7254620B2 (ja) * 2018-06-26 2023-04-10 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、部品の管理方法、基板処理装置及び基板処理プログラム
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7296699B2 (ja) * 2018-07-02 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム、プラズマ処理装置およびガス供給システムの制御方法
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
DE112018007946T5 (de) * 2018-08-28 2021-06-02 Fuji Corporation Gaszufuhrbestimmungsverfahren und Plasmageneratorvorrichtung
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
JP7151420B2 (ja) * 2018-11-27 2022-10-12 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置及びガス供給方法
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
EP3903083A4 (en) * 2018-12-28 2022-10-26 Beckam Coulter Inc. PNEUMATIC SYSTEM WITH EXTENDED SYSTEM DIAGNOSTIC CAPACITIES
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
JP7296854B2 (ja) * 2019-11-07 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 ガス供給方法及び基板処理装置
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN111024316B (zh) * 2019-12-26 2024-07-05 中国工程物理研究院材料研究所 一种多功能检漏管阀系统
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102511756B1 (ko) * 2020-05-15 2023-03-20 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치의 검사 방법
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
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KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN113280983A (zh) * 2021-04-21 2021-08-20 浙江工业大学 一种关于气动调节阀内漏的在线诊断方法
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP2023048726A (ja) * 2021-09-28 2023-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理を行う装置、ガスシャワーヘッド、及び基板処理を行う方法
US12031885B2 (en) * 2022-03-31 2024-07-09 Applied Materials, Inc. Leak detection for gas sticks
KR102515060B1 (ko) * 2022-07-18 2023-03-29 한전케이피에스 주식회사 밸브 성능진단 시험장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08159928A (ja) * 1994-12-01 1996-06-21 Posukon:Kk 神経回路網を利用した回転機器の異常有無診断装置およびその診断方法
JPH08184523A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Miura Co Ltd 多重遮断弁装置のチェック方法
JP2013051315A (ja) 2011-08-31 2013-03-14 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0644986B2 (ja) * 1988-05-08 1994-06-15 忠弘 大見 プロセスガス供給配管装置
JPH08159908A (ja) * 1994-12-09 1996-06-21 Kokusai Electric Co Ltd バルブの性能確認方法及びその装置
US6170496B1 (en) * 1998-08-26 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for servicing a wafer platform
CN100458629C (zh) * 2002-11-08 2009-02-04 东京毅力科创株式会社 流体处理装置及流体处理方法
JP4358727B2 (ja) * 2004-12-09 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置，基板処理装置及び供給ガス設定方法
US9127361B2 (en) * 2009-12-07 2015-09-08 Mks Instruments, Inc. Methods of and apparatus for controlling pressure in multiple zones of a process tool
TWI524388B (zh) * 2013-12-27 2016-03-01 Hitachi Int Electric Inc A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08159928A (ja) * 1994-12-01 1996-06-21 Posukon:Kk 神経回路網を利用した回転機器の異常有無診断装置およびその診断方法
JPH08184523A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Miura Co Ltd 多重遮断弁装置のチェック方法
JP2013051315A (ja) 2011-08-31 2013-03-14 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI688726B (zh) 2020-03-21
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