KR20170022865A - 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 Download PDFInfo
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Abstract
본원은 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 본원에 따른 유기 전계 발광 화합물은 발광층 또는 전자 버퍼층에 포함될 수 있고, 구동 전압이 낮고 전류 효율 및 전력 효율이 우수하면서도, 구동 수명이 현저히 개선된 유기 전계 발광 소자를 제조하는 데 효과적이다.
Description
본원은 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
전계 발광 소자(electroluminescent device: EL 소자)는 자체 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다. 1987년 이스트만 코닥(Eastman Kodak)사는 발광층 형성용 재료로서 저분자인 방향족 디아민과 알루미늄 착물을 이용하고 있는 유기 EL 소자를 처음으로 개발하였다[참조: Appl. Phys. Lett. 51, 913, 1987].
유기 전계 발광 소자(organic electroluminescent device)는 유기 발광재료에 전기를 가해 전기 에너지를 빛으로 바꾸는 소자로서, 통상 양극(애노드) 및 음극과 이들 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 유기 전계 발광 소자의 유기물층은 정공주입층, 정공전달층, 전자차단층, 발광층(호스트 및 도판트 재료 포함), 전자버퍼층, 정공차단층, 전자전달층, 전자주입층 등을 포함할 수 있다. 상기 유기물층에 사용되는 재료는 기능에 따라 정공주입재료, 정공전달재료, 전자차단재료, 발광재료, 전자버퍼재료, 정공차단재료, 전자전달재료, 전자주입재료 등으로 나뉜다. 이러한 유기 전계 발광 소자에서는 전압 인가에 의해 양극에서 정공이, 음극에서 전자가 발광층에 주입되고, 정공과 전자의 재결합에 의해 에너지가 높은 엑시톤이 형성된다. 이 에너지에 의해 유기 발광 화합물이 여기 상태로 되며, 유기 발광 화합물의 여기 상태가 기저 상태로 돌아가면서 에너지를 빛으로 방출하여 발광하게 된다.
유기 전계 발광 소자의 발광재료는 소자의 발광 효율을 결정하는 가장 중요한 요인으로서, 발광재료는 양자 효율이 높고 전자와 정공의 이동도가 커야 하고, 형성된 발광재료층은 균일하고 안정해야 한다. 이러한 발광재료는 발광색에 따라 청색, 녹색 또는 적색 발광재료로 나뉘고, 추가로 황색 또는 주황색 발광재료도 있다. 또한, 발광재료는 기능적인 측면에서 호스트 재료와 도판트 재료로 구분될 수 있다. 최근에 고효율 및 장수명의 유기 전계 발광 소자의 개발이 시급한 과제로 대두되고 있는데, 특히 중대형 OLED 패널에서 요구하고 있는 EL 특성 수준을 고려해 볼 때 기존의 발광재료에 비해 매우 우수한 재료의 개발이 시급한 실정이다. 이를 위하여 고체 상태의 용매 및 에너지 전달자 역할을 하는 호스트 물질의 바람직한 특성은 순도가 높아야 하며, 진공증착이 가능하도록 적당한 분자량을 가져야 한다. 또한 유리전이온도와 열분해온도가 높아 열적 안정성을 확보해야 하며, 장수명화를 위해 높은 전기화학적 안정성이 요구되며, 무정형 박막을 형성하기 용이해야 하며, 인접한 다른 층의 재료들과는 접착력이 좋은 반면 층간 이동은 하지 않아야 한다.
또한, 전자 버퍼층은 패널 제작 공정에서 고온에 노출시 소자 내의 전류 특성이 변하여 발광 휘도의 저하가 발생할 수 있는 문제를 개선할 수 있는 층으로써 전자 버퍼층에 포함되는 화합물의 특성이 중요하다.
일본공개특허공보 제2001-23777호는 페난트렌 골격의 중간 벤젠 고리에 질소를 함유하는 5원 헤테로아릴이 축합된 형태의 화합물을 호스트 재료로 사용하는 유기 전계 발광 소자를 개시하고 있다.
일본공개특허공보 제2001-23777호에 개시된 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 청색의 우수한 색 순도 특성은 나타내지만, 여전히 구동 전압, 전류 효율 및 구동 수명에 대해서는 개선될 필요성을 갖고 있다.
이에, 본 발명자들은 페난트렌 골격의 사이드 벤젠 고리에 5원 헤테로아릴이 축합된 형태의 화합물을 호스트 또는 전자 버퍼층에 사용함으로써, 유기 전계 발광 소자의 구동 전압이 저하되고 효율이 향상되며, 구동 수명이 현저히 개선될 수 있음을 밝혀내었다.
본원의 목적은 구동 전압이 낮고 전류 효율 및 전력 효율이 우수하며 구동 수명이 현저히 개선된 유기 전계 발광 소자를 제조하는데 효과적인 유기 전계 발광 화합물을 제공하는 것이다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위해 예의 연구한 결과, 본 발명자들은 하기 화학식 1로 표시되는 유기 전계 발광 화합물이 상술한 목적을 달성함을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X1은 -N=, -NR7-, -O- 또는 -S-이고,
Y1은 -N=, -NR8-, -O- 또는 -S-이되, X1이 -N= 인 경우 Y1은 -NR8-, -O- 또는 -S-이고, X1이 -NR7- 인 경우 Y1은 -N=, -O- 또는 -S-이고,
단, X1과 Y1이 모두 -O-인 경우, 모두 -S-인 경우, 및 X1과 Y1 중 하나가 -O-이고, 다른 하나가 -S-인 경우는 제외하고,
R1 은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고,
R2 내지 R4, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이거나, 인접한 치환체와 연결되어 치환 또는 비치환된 (C3-C30) 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족 또는 방향족 고리의 탄소 원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있고,
a는 1 이고, b 및 c는 각각 독립적으로 1 또는 2이고, d는 1 내지 4의 정수이고,
상기 헤테로아릴은 B, N, O, S, Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다.
본원에 따른 유기 전계 발광 화합물을 발광층의 호스트 또는 전자 버퍼층에 사용했을 때 종래의 유기 전계 발광 화합물에 비해 효율과 수명 면에서 상당히 개선된다. 특히, 본원에 따른 유기 전계 발광 화합물은 고휘도에서도 높은 효율을 유지하며 상당히 개선된 장수명을 가짐으로써, 고해상도에 대한 요구가 점점 높아지는 현 트렌드에 더욱 적합한 특성을 보이고 있다.
이하에서 본원을 더욱 상세히 설명하나, 이는 설명을 위한 것으로 본원의 범위를 제한하는 방법으로 해석되어서는 안된다.
본원은 상기 화학식 1로 표시되는 유기 전계 발광 화합물, 상기 유기 전계 발광 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 재료 및 상기 유기 전계 발광 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
상기 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물은 하기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 1 내지 4에서, R1은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고, 바람직하게는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환된 (5-25원)헤테로아릴이며, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환된 (5-20원)헤테로아릴이며, 예를 들면, 비치환된 페닐, 비치환된 비페닐, 비치환된 나프틸, 메틸로 치환된 플루오레닐, 메틸로 치환된 벤조플루오레닐, 페닐로 치환된 카바졸릴, 페닐로 치환된 벤조카바졸릴, 페닐로 치환된 인돌로카바졸릴, 비치환된 디벤조푸라닐, 비치환된 디벤조티오페닐, 스피로[플루오렌-플루오렌], 또는 스피로[플루오렌-벤조플루오렌]일 수 있다.
상기 화학식 1 내지 4에서, R2 내지 R9는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이거나, 인접한 치환체와 연결되어 치환 또는 비치환된 (C3-C30) 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족 또는 방향족 고리의 탄소 원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있고, 바람직하게는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C6-C25)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-25원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C6-C25)아릴아미노이거나, 인접한 치환체와 연결되어 치환 또는 비치환된 (C3-C25) 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족 또는 방향족 고리의 탄소 원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴, 치환 또는 비치환된 (5-25원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 디(C6-C18)아릴아미노이거나, 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 (C3-C25) 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족 또는 방향족 고리의 탄소 원자는 질소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있으며, 상기 헤테로아릴은 B, N, O, S, Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함할 수 있다. 예를 들면, R2 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 치환된 페닐, 치환된 트리아진일, 치환된 피리미딘일, 치환 또는 비치환된 카바졸릴, 치환된 벤조카바졸릴, 비치환된 디벤조카바졸릴, 및 치환 또는 비치환된 디페닐아미노로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 연결되어 치환된 인덴 고리, 또는 치환된 벤조티오펜 고리를 형성할 수 있고, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 페닐, 치환 또는 비치환된 카바졸릴, 비치환된 벤조카바졸릴, 및 비치환된 디벤조카바졸릴로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 연결되어 비치환된 벤젠 고리, 페닐로 치환된 인돌 고리, 페닐로 치환된 벤조인돌 고리, 메틸로 치환된 인덴 고리, 또는 메틸로 치환된 벤조인덴 고리를 형성할 수 있다.
상기 화학식 1 내지 4에서, X1은 -N=, -NR7-, -O- 또는 -S-이고; Y1은 -N=, -NR8-, -O- 또는 -S-이고; X1이 -N=인 경우, Y1은 -NR8-, -O- 또는 -S-이고, X1이 -NR7-인 경우, Y1은 -N=, -O- 또는 -S-이며, X1과 Y1이 모두 -O-, 모두 -S-인 경우, 및 X1과 Y1 중 하나가 -O-이고, 다른 하나가 -S-인 경우는 제외하는 것이 바람직하다. 여기서, R7 및 R8은 비치환된 페닐일 수 있다.
상기 화학식 1 내지 4에서, a는 1 이고; b 및 c는 각각 독립적으로 1 또는 2이고, 바람직하게는 1이다.
상기 화학식 1에서, d는 1 내지 4 의 정수이고, 바람직하게는 1 또는 2이다.
상기 화학식 2 내지 4에서, L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이고, 바람직하게는 단일 결합, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C18)아릴렌이며, 더욱 바람직하게는 단일 결합, 또는 비치환된 (C6-C12)아릴렌이고, 예를 들면, 단일 결합 또는 비치환된 페닐일 수 있다.
상기 화학식 2에서, X2 내지 X4는 각각 독립적으로 -N- 또는 -CR9-이고, 바람직하게는 X2 내지 X4 중 하나 이상이 -N-이고, 더욱 바람직하게는 X2 내지 X4 중 둘 이상이 -N-이다. 여기서, R9는 수소일 수 있다.
상기 화학식 2에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고, 바람직하게는 치환 또는 비치환된 (C6-C25)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-25원)헤테로아릴이며, 더욱 바람직하게는 비치환된 (C6-C20)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴이고, 예를 들면, 비치환된 페닐, 비치환된 비페닐, 비치환된 나프틸, 비치환된 디벤조티오페닐, 메틸로 치환된 플루오레닐, 메틸로 치환된 벤조플루오레닐, 페닐로 치환된 카바졸릴, 페닐로 치환된 벤조카바졸릴, 또는 비치환된 벤조나프토티오페닐일 수 있다.
상기 화학식 2 내지 4에서, e는 1 내지 3의 정수이고, 1 또는 2가 바람직하다.
상기 화학식 3 및 4에서, Z는 단일 결합, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C6)알킬렌이고, 바람직하게는 단일 결합이다.
상기 화학식 3에서, n은 0 또는 1이고, f 및 g는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고, 바람직하게는 1 또는 2이다.
상기 화학식 4에서, n은 0 또는 1이고, 바람직하게는 1이며; g는 1 내지 4의 정수이고, 바람직하게는 1 또는 2이며, h는 1 내지 3의 정수이고, 바람직하게는 1 또는 2이다.
상기 화학식 4에서, W는 -NR10-, -O-, -S- 또는 -CR11R12-이고, 바람직하게는 -NR10-이다.
상기 화학식 4에서, R10은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고, 바람직하게는 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴이며, 더욱 바람직하게는 비치환된 (C6-C18)아릴이고, 예를 들면, 비치환된 페닐일 수 있다.
상기 화학식 4에서, R11 및 R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고, 바람직하게는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C20)알킬이며, 더욱 바람직하게는 각각 독립적으로 비치환된 (C1-C15)알킬이고, 예를 들면, 비치환된 메틸일 수 있다.
본원에 기재되어 있는 “(C1-C30)알킬”은 쇄를 구성하는 탄소수가 1 내지 30개인 직쇄 또는 분지쇄 알킬을 의미하고, 여기에서 탄소수가 1 내지 20개인 것이 바람직하고, 1 내지 10개인 것이 더 바람직하다. 상기 알킬의 구체적인 예로서, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸 및 3급-부틸 등이 있다. 본원에서 “(C3-C30)시클로알킬”은 환 골격 탄소수가 3 내지 30개인 단일환 또는 다환 탄화수소를 의미하고, 여기에서 탄소수가 3 내지 20개인 것이 바람직하고, 3 내지 7개인 것이 더 바람직하다. 상기 시클로알킬의 예로서, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실 등이 있다. 본원에서 “(C6-C30)아릴(렌)”은 환 골격 탄소수가 6 내지 30개인 방향족 탄화수소에서 유래된 단일환 또는 융합환계 라디칼을 의미하고, 여기에서 환 골격 탄소수가 6 내지 20개인 것이 바람직하고, 6 내지 15개인 것이 더 바람직하다. 상기 아릴의 예로서, 페닐, 비페닐, 터페닐, 나프틸, 비나프틸, 페닐나프틸, 나프틸페닐, 플루오레닐, 페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 디벤조플루오레닐, 페난트레닐, 페닐페난트레닐, 안트라세닐, 인데닐, 트리페닐레닐, 피레닐, 테트라세닐, 페릴레닐, 크라이세닐, 나프타세닐, 플루오란테닐 등이 있다. 본원에서 “(3-30원)헤테로아릴(렌)”은 환 골격 원자수가 3 내지 30개이고, B, N, O, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 아릴기를 의미하고, 여기에서 환 골격 원자수가 5 내지 25개인 것이 바람직하다. 헤테로원자수는 바람직하게는 1 내지 4개이고, 단일환계이거나 하나 이상의 벤젠환과 축합된 융합환계일 수 있으며, 부분적으로 포화될 수도 있다. 또한, 본원에서 상기 헤테로아릴은 하나 이상의 헤테로아릴기 또는 아릴기가 단일 결합에 의해 헤테로아릴기와 연결된 형태도 포함한다. 상기 헤테로아릴의 예로서, 푸릴, 티오펜일, 피롤릴, 이미다졸릴, 피라졸릴, 티아졸릴, 티아디아졸릴, 이소티아졸릴, 이속사졸릴, 옥사졸릴, 옥사디아졸릴, 트리아진일, 테트라진일, 트리아졸릴, 테트라졸릴, 푸라잔일, 피리딜, 피라진일, 피리미딘일, 피리다진일 등의 단일환계 헤테로아릴, 벤조푸란일, 벤조티오펜일, 이소벤조푸란일, 디벤조푸란일, 디벤조티오펜일, 벤조이미다졸릴, 벤조티아졸릴, 벤조이소티아졸릴, 벤조이속사졸릴, 벤조옥사졸릴, 이소인돌릴, 인돌릴, 벤조인돌릴, 인다졸릴, 벤조티아디아졸릴, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 신놀리닐, 퀴나졸리닐, 퀴녹살리닐, 카바졸릴, 벤조카바졸릴, 디벤조카바졸릴, 페녹사진일, 페난트리딘일, 벤조디옥솔릴 등의 융합환계 헤테로아릴 등이 있다. 본원에서“할로겐”은 F, Cl, Br 및 I 원자를 포함한다.
또한 본원에 기재되어 있는 "치환 또는 비치환" 이라는 기재에서 “치환”은 어떤 작용기에서 수소 원자가 다른 원자 또는 다른 작용기 (즉, 치환체)로 대체되는 것을 뜻한다. 상기 화학식 1 내지 4의 R1 내지 R12, L1, Ar1, Ar2 및 Z에서 치환된 알킬(렌), 치환된 아릴(렌), 치환된 헤테로아릴(렌), 치환된 시클로알킬, 치환된 알콕시, 치환된 트리알킬실릴, 치환된 디알킬아릴실릴, 치환된 알킬디아릴실릴, 치환된 트리아릴실릴, 치환된 모노- 또는 디- 알킬아미노, 치환된 모노- 또는 디- 아릴아미노, 치환된 알킬아릴아미노, 및 치환된 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리의 치환체는 각각 독립적으로 중수소; 할로겐; 시아노; 카르복실; 니트로; 히드록시; (C1-C30)알킬; 할로(C1-C30)알킬; (C2-C30)알케닐; (C2-C30)알키닐; (C1-C30)알콕시; (C1-C30)알킬티오; (C3-C30)시클로알킬; (C3-C30)시클로알케닐; (3-7원)헤테로시클로알킬; (C6-C30)아릴옥시; (C6-C30)아릴티오; (C1-C6)알킬 또는 (C6-C30)아릴로 치환되거나 비치환된 (3-30원)헤테로아릴; 시아노, (3-30원)헤테로아릴 또는 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노로 치환되거나 비치환된 (C6-C30)아릴; 트리(C1-C30)알킬실릴; 트리(C6-C30)아릴실릴; 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴; (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴; 아미노; 모노- 또는 디- (C1-C30)알킬아미노; 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노; (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노; (C1-C30)알킬카보닐; (C1-C30)알콕시카보닐; (C6-C30)아릴카보닐; 디(C6-C30)아릴보로닐; 디(C1-C30)알킬보로닐; (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴보로닐; (C6-C30)아르(C1-C30)알킬; 및 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것을 의미하고, 각각 독립적으로 (C1-C6)알킬; (3-30원)헤테로아릴 또는 디(C6-C30)아릴아미노로 치환되거나 비치환된 (C6-C30)아릴; (C1-C6)알킬 또는 (C6-C30)아릴로 치환되거나 비치환된 (3-30원)헤테로아릴; 및 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 것이 바람직하며, 인접한 치환기끼리 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 (C5-C30)의 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있고, 상기 형성된 지환족 또는 방향족 고리의 탄소 원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있으며, 예를 들면, 비치환된 메틸, 카바졸릴이나 디페닐아미노로 치환 또는 비치환된 페닐, 비치환된 비페닐, 비치환된 나프틸, 메틸로 치환된 플루오레닐, 메틸로 치환된 벤조플루오레닐, 비치환된 디벤조티오페닐, 페닐로 치환 또는 비치환된 카바졸릴, 페닐로 치환 또는 비치환된 벤조카바졸릴, 비치환된 디벤조카바졸릴, 페닐로 치환된 피리미디닐, 비치환된 벤조나프토티오페닐, 또는 비치환된 디(C6-C12)아릴아미노이거나, 인접한 치환기끼리 서로 연결되어 페닐로 치환된 인돌 고리, 페닐로 치환된 벤조인돌 고리, 비치환된 벤젠 고리, 메틸로 치환된 벤즈인덴 고리, 또는 메틸로 치환된 인덴 고리를 형성할 수 있다.
상기 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물은 보다 구체적으로 하기의 화합물로서 예시될 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본원은 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 재료, 및 상기 유기 전계 발광 재료를 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
상기 유기 전계 발광 재료는 본원의 유기 전계 발광 화합물 단독으로 이루어질 수 있고, 유기 전계 발광 재료에 포함되는 통상의 물질들을 추가로 포함할 수도 있다.
본원에 따른 유기 전계 발광 소자는 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 개재되는 1층 이상의 유기물층을 갖고, 상기 유기물층은 상기 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물을 하나 이상 포함할 수 있다.
상기 제1 전극과 제2 전극 중 하나는 애노드이고, 다른 하나는 캐소드일 수 있다. 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공 주입층, 정공 전달층, 전자 전달층, 전자 버퍼층, 전자 주입층, 계면층(interlayer), 정공 차단층 및 전자 차단층에서 선택되는 1층 이상을 더 포함할 수 있다.
본원의 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물은 상기 발광층에 호스트 재료로서 포함되거나, 전자 버퍼층에 포함될 수 있다. 바람직하게는 상기 발광층은 하나 이상의 도판트를 포함할 수 있으며, 필요한 경우, 본원의 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물 이외의 다른 화합물을 제2 호스트 재료로 추가로 포함할 수도 있다.
또한, 본원의 추가의 일 양태는 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물을 포함하는 전자 버퍼 재료, 및 상기 전자 버퍼 재료를 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
본원의 유기 전계 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 발광층; 및 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이의 전자 전달 대역 및 전자 버퍼층을 포함하고; 상기 전자 버퍼층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 상기 화합물을 이용할 경우, 소자의 구동전압, 효율 및 수명 측면이 향상될 수 있다.
본원에 사용되는 도판트로는 하나 이상의 인광 도판트가 바람직하다. 본원의 유기 전계 발광 소자에 적용되는 인광 도판트 재료는 특별히 제한되지는 않으나, 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 구리(Cu) 및 백금(Pt)으로부터 선택되는 금속 원자의 착체 화합물이 바람직하고, 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 구리(Cu) 및 백금(Pt)으로부터 선택되는 금속 원자의 오르토 메탈화 착체 화합물이 더욱 바람직하며, 오르토 메탈화 이리듐 착체 화합물이 더더욱 바람직하다.
본원의 유기 전계 발광 소자에 포함되는 도판트는 하기 화학식 10 내지 12로 표시되는 화합물로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다.
[화학식 10] [화학식 11] [화학식 12]
상기 화학식 10 내지 12에서,
Ld 는 하기 구조에서 선택되고;
R100은 수소, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬이며;
R101 내지 R109 및 R111 내지 R123은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 시아노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시이고; R120 내지 R123은 인접 치환기가 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 융합고리를 형성할 수 있는데, 예를 들어 치환 또는 비치환된 퀴놀린 형성이 가능하며;
R124 내지 R127은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이고; R124 내지 R127은 인접 치환기가 서로 연결되어 융합고리를 형성할 수 있는데, 예를 들어 치환 또는 비치환된 플루오렌, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조푸란 형성이 가능하며;
R201 내지 R211은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이고, R201 내지 R211은 인접 치환기가 서로 연결되어 융합고리를 형성할 수 있는데, 예를 들어 치환 또는 비치환된 디벤조푸란, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜 형성이 가능하며;
r 및 s는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며; r 또는 s가 2 이상의 정수인 경우 각각의 R100은 서로 동일하거나 상이할 수 있고;
t는 1 내지 3의 정수이다.
상기 인광 도판트 재료의 구체적인 예로는 다음과 같다.
본원의 유기 전계 발광 소자는 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물을 포함하고, 이와 동시에 아릴아민계 화합물 및 스티릴아릴아민계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 본원의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 유기물층에 상기 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물 이외에 1족, 2족, 4주기 전이금속, 5주기 전이금속, 란탄 계열 금속 및 d-전이원소의 유기 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 이의 착체 화합물을 더 포함할 수도 있고, 나아가 상기 유기물층은 발광층 및 전하생성층을 더 포함할 수 있다.
또한, 본원의 상기 유기 전계 발광 소자는 본원의 유기 전계 발광 화합물 이외에 당업계에 알려진 청색, 적색 또는 녹색 발광 화합물을 포함하는 발광층을 하나 이상 더 포함함으로써 백색 발광을 할 수 있다. 또한, 필요에 따라, 황색 또는 오렌지색 발광층을 더 포함할 수도 있다.
본원의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 한 쌍의 전극의 적어도 한쪽의 내측 표면에, 칼코제나이드(chalcogenide)층, 할로겐화 금속층 및 금속 산화물층으로부터 선택되는 하나 이상의 층(이하, 이들을 “표면층”이라고 지칭함)을 배치하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 발광 매체층 측의 양극 표면에 규소 및 알루미늄 칼코제나이드(산화물을 포함한다)층을, 또한 발광 매체층 측의 음극 표면에 할로겐화 금속층 또는 금속 산화물층을 배치하는 것이 바람직하다. 상기 표면층에 의해 소자의 구동 안정화를 얻을 수 있다. 상기 칼코제나이드의 바람직한 예로는 SiOX(1≤X≤2), AlOX(1≤X≤1.5), SiON, SiAlON 등이 있고, 할로겐화 금속의 바람직한 예로는 LiF, MgF2, CaF2, 불화 희토류 금속 등이 있으며, 금속 산화물의 바람직한 예로는 Cs2O, Li2O, MgO, SrO, BaO, CaO 등이 있다.
또한, 본원의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 한 쌍의 전극의 적어도 한쪽의 표면에 전자 수송 화합물과 환원성 도판트의 혼합 영역 또는 정공 수송 화합물과 산화성 도판트의 혼합 영역을 배치하는 것도 바람직하다. 이러한 방식에 의해 전자 수송 화합물이 음이온으로 환원되므로 혼합 영역으로부터 발광 매체에 전자를 주입 및 수송하기 용이해진다. 또한, 정공 수송 화합물은 산화되어 양이온으로 되므로 혼합 영역으로부터 발광 매체에 정공을 주입 및 수송하기 용이해진다. 바람직한 산화성 도판트로서는 각종 루이스산 및 억셉터(acceptor) 화합물을 들 수 있고, 바람직한 환원성 도판트로는 알칼리 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토류 금속, 희토류 금속 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 또한 환원성 도판트층을 전하 생성층으로 사용하여 두 개 이상의 발광층을 가진 백색 발광의 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.
본원의 유기 전계 발광 소자의 각층의 형성은 진공증착, 스퍼터링, 플라즈마, 이온플레이팅 등의 건식 성막법이나 잉크젯 프린팅(ink jet printing), 노즐 프린팅(nozzle printing), 슬롯 코팅(slot coating), 스핀 코팅, 침지 코팅(dip coating), 플로우 코팅 등의 습식 성막법 중의 어느 하나의 방법을 적용할 수 있다.
습식 성막법의 경우, 각 층을 형성하는 재료를 에탄올, 클로로포름, 테트라하이드로푸란, 디옥산 등의 적절한 용매에 용해 또는 분산시켜 박막을 형성하는데, 그 용매는 각 층을 형성하는 재료가 용해 또는 분산될 수 있고, 성막성에 문제가 없는 것이라면 어느 것이어도 된다.
이하에서, 본원의 상세한 이해를 위하여 본원의 대표 화합물을 들어 본원에 따른 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자의 발광특성을 설명한다.
[실시예 1] 화합물 C-24의 제조
1) 화합물 1-1의 제조
반응용기에 화합물 A (CAS: 1044146-16-8, 36 g, 124 mmol), 4-클로로-2-포밀벤젠보론산 (25.2 g, 136 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 (5.7 g, 5.0 mmol), 탄산나트륨 (33 g, 150 mmol), 톨루엔 600 mL, 에탄올 150 mL 및 증류수 150 mL를 첨가한 후, 140℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 석출된 고체를 증류수와 메탄올로 세척하였다. 얻어진 화합물 1-1은 추가 정제 없이 다음 반응에 사용되었다.
2) 화합물 1-2의 제조
반응용기에 화합물 1-1 (45.6 g, 130 mmol), (메톡시메틸)트라이페닐포스포늄 클로라이드 (74.3 g, 217 mmol) 및 테트라하이드로퓨란 1500 mL을 넣고 반응 혼합물을 5 분간 교반한 후 포타슘 t-부톡사이드 (1M in THF, 220 mL)를 0℃ 조건 하에서 천천히 적가하였다. 천천히 온도를 올려 3 시간 동안 상온에서 교반하였다. 반응 용액에 증류수를 넣어 반응을 종료하고, 에틸아세테이트로 추출하였다. 추출한 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1-2 (48 g, 97 %)를 얻었다.
3) 화합물 1-3의 제조
반응용기에 화합물 1-2 (44.8 g, 119 mmol), Eaton's reagent (4.5 mL) 및 클로로벤젠 600 mL을 넣고 2시간 동안 환류하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후 메틸렌클로라이드(MC)로 추출하였다. 추출한 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1-3 (36.3 g, 89 %)를 얻었다.
4) 화합물 C-24의 제조
반응용기에 화합물 1-3 (8 g, 23 mmol), 화합물 B (CAS: 1060735-14-9, 9.5 g, 23 mmol), 트리스(다이벤질리딘아세톤)다이팔라듐 (1 g, 1.16 mmol), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',6'-다이메톡시바이페닐(s-phos) (0.95 g, 2.31 mmol), 소듐t-부톡사이드 (4.5 g, 46.3 mmol) 및 o-자일렌 150 mL를 첨가한 후, 170℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 혼합물을 메탄올에 적가하고, 생성된 고체를 여과하였다. 생성된 고체는 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 C-24 (8.7 g, 68 %)를 얻었다.
[실시예 2] 화합물 C-1의 제조
1) 화합물 2-1의 제조
반응용기에 화합물 C (10 g, 29 mmol), 비스(피나콜레이토)다이보란 (8.8 g, 34.8 mmol), 트리스(다이벤질리딘아세톤)다이팔라듐 (1.3 g, 1.45 mmol), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',6'-다이메톡시바이페닐(s-phos) (1.2 g, 2.9 mmol), 아세트산 칼륨 (8.5 g, 87 mmol) 및 1,4-다이옥산 150 mL를 첨가한 후, 140℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 상온으로 냉각하고 에틸 아세테이트로 추출하였다. 추출한 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 2-1 (10.4 g, 82 %)를 얻었다.
2) 화합물 C-1의 제조
반응용기에 화합물 2-1 (10 g, 23.8 mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐트라이아진 (CAS: 3842-55-5, 6.4 g, 23.8 mmol), 트리스(다이벤질리딘아세톤)다이팔라듐 (1 g, 1.16 mmol), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',6'-다이메톡시바이페닐(s-phos) (1 g, 2.31 mmol), 소듐 t-부톡사이드 (4.5 g, 46.3 mmol) 및 o-자일렌 150 mL를 첨가한 후, 170℃에서 3시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 혼합물을 메탄올에 적가하고, 생성된 고체를 여과하였다. 생성된 고체는 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 C-1 (8.2 g, 55 %)를 얻었다.
[실시예 3] 화합물 C-17의 제조
반응용기에 화합물 C (8 g, 23.1 mmol), 화합물 D (CAS: 1448296-00-1, 7.7 g, 23.1 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 (1.4 g, 1.19 mmol), 탄산칼륨 (8.2 g, 60 mmol), 톨루엔 90 mL, 에탄올 30 mL 및 증류수 30 mL를 첨가한 후, 140℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 석출된 고체를 증류수와 메탄올로 세척하였다. 얻어진 화합물은 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 C-17 (8.7 g, 77 %)를 얻었다.
[실시예 4] 화합물 C-39의 제조
1) 화합물 3-1의 제조
반응용기에 화합물 E (CAS: 913835-76-4, 40 g, 212.7 mmol), 벤즈알데하이드 (27 g, 255.29 mmol), 소듐사이아나이드 (10.4 g, 212.7 mmol) 및 N,N-다이메틸포름아마이드(DMF) 1000 mL를 첨가한 후, 100℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 상온으로 식힌 반응 용액을 에틸 아세테이트로 추출하였다. 얻어진 화합물 3-1은 추가 정제 없이 다음 반응에 사용되었다.
2) 화합물 3-2의 제조
반응용기에 화합물 3-1 (35 g, 128 mmol), 4-클로로-2-포밀벤젠보론산 (26 g, 141 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 (6 g, 5.1 mmol), 탄산나트륨 (34 g, 320 mmol), 톨루엔 600 mL, 에탄올 150 mL 및 증류수 150 mL를 첨가한 후, 140℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 석출된 고체를 증류수와 메탄올로 세척하였다. 얻어진 화합물 3-2는 추가 정제없이 다음 반응에 사용되었다.
3) 화합물 3-3의 제조
반응용기에 화합물 3-2 (19 g, 56.9 mmol), (메톡시메틸)트라이페닐포스포늄 클로라이드 (29.3 g, 85.4 mmol) 및 테트라하이드로퓨란 500 mL을 넣고 반응 혼합물을 5 분간 교반한 후 포타슘 t-부톡사이드 (1M in THF, 85 mL)를 0℃ 조건 하에서 천천히 적가하였다. 천천히 온도를 올려 3 시간 동안 상온에서 교반하였다. 반응 용액에 증류수를 넣어 반응을 종료하고, 에틸아세테이트로 추출하였다. 추출한 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 3-3 (16.4 g, 80 %)를 얻었다.
4) 화합물 3-4의 제조
반응용기에 화합물 3-3 (14.4 g, 39.8 mmol), Eaton's reagent (1.4 mL) 및 클로로벤젠 200 mL을 넣고 2시간 동안 환류하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후 메틸렌클로라이드(MC)로 추출하였다. 추출한 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 3-4 (11.1 g, 79 %)를 얻었다.
5) 화합물 C-39의 제조
반응용기에 화합물 3-4 (4 g, 12.1 mmol), 화합물 B (CAS: 1060735-14-9, 4.9 g, 12.1 mmol), 트리스(다이벤질리딘아세톤)다이팔라듐 (0.5 g, 0.61 mmol), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',6'-다이메톡시바이페닐(s-phos) (0.5 g, 1.21 mmol), 소듐t-부톡사이드 (2.33 g, 24.3 mmol) 및 o-자일렌 100 mL를 첨가한 후, 170℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 혼합물을 메탄올에 적가하고, 생성된 고체를 여과하였다. 생성된 고체는 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 C-39 (8.7 g, 47 %)를 얻었다.
[실시예 5] 화합물 C-49의 제조
1) 화합물 2-1의 제조
화합물 2-1은 실시예 2에 기재된 것과 동일한 방법으로 제조하였다.
2) 화합물 C-49의 제조
반응용기에 화합물 2-1 (4.5 g, 10 mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐피리미딘 (CAS: 2915-16-4, 2.7 g, 10 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 (0.47 g, 0.4 mmol), 탄산칼륨 (3.6 g, 26 mmol), 톨루엔 50 mL, 에탄올 13 mL 및 증류수 13 mL를 첨가한 후, 120℃에서 4 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 혼합물을 메탄올에 적가하고, 생성된 고체를 여과하였다. 생성된 고체는 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 C-49 (4.5 g, 73 %)를 얻었다.
[실시예 6] 화합물 C-75의 제조
1) 화합물 4-1의 제조
반응용기에 화합물 F (7.2 g, 21.8 mmol), 비스(피나콜레이토)다이보란 (6.6 g, 26.2 mmol), 트리스(다이벤질리딘아세톤)다이팔라듐 (1.0 g, 1.1 mmol), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',6'-다이메톡시바이페닐(s-phos) (0.89 g, 2.2 mmol), 아세트산 칼륨 (6.4 g, 65 mmol) 및 1,4-다이옥산 150 mL를 첨가한 후, 140℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 상온으로 냉각하고 에틸 아세테이트로 추출하였다. 추출한 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 4-1 (5.2 g, 57 %)를 얻었다.
2) 화합물 C-75의 제조
반응용기에 화합물 4-1 (5.2 g, 12.3 mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐피리미딘 (CAS: 2915-16-4, 3.3 g, 12.3 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 (0.71 g, 0.62 mmol), 탄산칼륨 (4.2 g, 30 mmol), 톨루엔 60 mL, 에탄올 20 mL 및 증류수 20 mL를 첨가한 후, 120℃에서 4 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 혼합물을 메탄올에 적가하고, 생성된 고체를 여과하였다. 생성된 고체는 컬럼 크로마토그래피와 재결정으로 정제하여 화합물 C-75 (5.3 g, 82 %)를 얻었다.
[실시예 7] 화합물 C-87의 제조
1) 화합물 G의 제조
화합물 G는, 실시예 4에 기재된 화합물 3-2 의 제조 공정에서 4-클로로-2-포밀벤젠보론산 대신 5-클로로-2-포밀보론산을 사용한 것 이외에는 화합물 3-2의 제조 공정과 동일한 방법으로 제조하였다.
2) 화합물 5-1의 제조
반응용기에 화합물 G (15 g, 45.5 mmol), 비스(피나콜레이토)다이보란 (13.9 g, 54.6 mmol), 트리스(다이벤질리딘아세톤)다이팔라듐 (1.6 g, 1.8 mmol), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',6'-다이메톡시바이페닐(s-phos) (0.9 g, 3.64 mmol), 아세트산 칼륨 (13 g, 136 mmol) 및 1,4-다이옥산 350 mL를 첨가한 후, 140℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 상온으로 냉각하고 에틸 아세테이트로 추출하였다. 추출한 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 5-1 (20 g, 99 %)를 얻었다.
3) 화합물 C-87의 제조
반응용기에 화합물 5-1 (10 g, 22.7 mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐피리미딘 (CAS: 2915-16-4, 5.5 g, 20.6 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 (1.2 g, 1.0 mmol), 탄산칼륨 (7.1 g, 56 mmol), 톨루엔 90 mL, 에탄올 30 mL 및 증류수 30 mL를 첨가한 후, 120℃에서 4 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 혼합물을 메탄올에 적가하고, 생성된 고체를 여과하였다. 생성된 고체는 컬럼 크로마토그래피와 재결정으로 정제하여 화합물 C-87 (5.5 g, 51 %)를 얻었다.
[실시예 8] 화합물 C-88의 제조
반응용기에 화합물 5-1 (10 g, 23.7 mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐트라이아진 (CAS: 3842-55-5, 5.8 g, 21.6 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 (1.2 g, 1.0 mmol), 탄산칼륨 (7.5 g, 59 mmol), 톨루엔 90 mL, 에탄올 30 mL 및 증류수 30 mL를 첨가한 후, 120℃에서 4 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 혼합물을 메탄올에 적가하고, 생성된 고체를 여과하였다. 생성된 고체는 컬럼 크로마토그래피와 재결정으로 정제하여 화합물 C-88 (5.7 g, 50 %)를 얻었다.
[실시예 9] 화합물 C-45의 제조
1) 화합물 9-1의 제조
반응용기에 화합물 7-브로모-2-페닐-벤조옥사졸 (37 g, 135 mmol), 4-클로로-2-포밀벤젠보론산 (25 g, 135 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 (7.8 g, 6.7 mmol), 탄산나트륨 (35 g, 338 mmol), 톨루엔 680 mL, 에탄올 170 mL 및 증류수 170 mL를 첨가한 후, 130℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 석출된 고체를 증류수와 메탄올로 세척하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 9-1 (26 g, 60 %)를 얻었다.
2) 화합물 9-2의 제조
반응용기에 화합물 9-1 (26 g, 80.2 mmol), (메톡시메틸)트라이페닐포스포늄 클로라이드 (41 g, 120 mmol) 및 테트라하이드로퓨란 800 mL을 넣고 반응 혼합물을 5분간 교반한 후 포타슘 t-부톡사이드 (1M in THF, 120 mL)를 0℃ 조건 하에서 천천히 적가하였다. 천천히 온도를 올려 3 시간 동안 상온에서 교반하였다. 반응 용액에 증류수를 넣어 반응을 종료하고, 에틸아세테이트로 추출하였다. 추출한 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 9-2 (25 g, 87 %)를 얻었다.
3) 화합물 9-3의 제조
반응용기에 화합물 9-2 (25 g, 70.2 mmol), Eaton's reagent (3 mL) 및 클로로벤젠 350 mL을 넣고 2시간 동안 환류하였다. 반응이 종료되면 상온으로 냉각한 후 메틸렌클로라이드(MC)로 추출하였다. 추출한 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 9-3 (13 g, 56 %)를 얻었다.
4) 화합물 9-4의 제조
반응용기에 화합물 9-3 (13 g, 39 mmol), 비스(피나콜레이토)다이보란 (12 g, 47 mmol), 트리스(다이벤질리딘아세톤)다이팔라듐 (1.8 g, 1.9 mmol), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',6'-다이메톡시바이페닐(s-phos) (1.6 g, 3.9 mmol), 아세트산 칼륨 (11 g, 118 mmol) 및 1,4-다이옥산 330 mL를 첨가한 후, 130℃에서 4 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 상온으로 냉각하고 에틸 아세테이트로 추출하였다. 추출한 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 9-4 (13 g, 81 %)를 얻었다.
5) 화합물 C-45의 제조
반응용기에 화합물 9-4 (13 g, 31 mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐트라이아진 (8 g, 30 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 (1.7 g, 1.5 mmol), 탄산칼륨 (10 g, 75 mmol), 톨루엔 140 mL, 에탄올 35 mL 및 증류수 35 mL를 첨가한 후, 130℃에서 4 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 석출된 고체를 증류수와 메탄올로 세척하였다. 이 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 C-45 (7.7 g, 49 %)를 얻었다.
[실시예 10] 화합물 C-100의 제조
반응용기에 화합물 9-4 (3 g, 7.1 mmol), 2-(3-브로모페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 (CAS: 864377-31-1, 3.04 g, 7.8 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 (0.41 g, 0.36 mmol), 탄산나트륨 (1.9 g, 17.8 mmol), 톨루엔 24 mL, 에탄올 6 mL 및 증류수 6 mL를 첨가한 후, 120℃에서 4 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 혼합물을 메탄올에 적가하고, 생성된 고체를 여과하였다. 생성된 고체는 컬럼 크로마토그래피와 재결정으로 정제하여 화합물 C-100 (2.3 g, 54 %)를 얻었다.
[실시예 11] 화합물 C-101의 제조
반응용기에 화합물 9-4 (3.48 g, 8.3 mmol), 2-([1,1'-바이페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 (CAS: 1472062-94-4, 3.53 g, 9.1 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 (0.48 g, 0.41 mmol), 탄산나트륨 (2.2 g, 20.7 mmol), 톨루엔 28 mL, 에탄올 7 mL 및 증류수 7 mL를 첨가한 후, 120℃에서 5 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 혼합물을 메탄올에 적가하고, 생성된 고체를 여과하였다. 생성된 고체는 컬럼 크로마토그래피와 재결정으로 정제하여 화합물 C-101 (3.7 g, 74 %)를 얻었다.
상기 합성된 화합물의 물성을 정리하여 아래 표 1에 나타내었다.
이하에서, 본원의 상세한 이해를 위하여 본원의 유기 전계 발광 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자의 발광 특성을 설명한다.
[소자 제조예 1] 본원에 따른 유기 전계 발광 화합물을 호스트로서 포함하는 OLED 소자 제조
본원의 유기 전계 발광 화합물을 이용하여 OLED 소자를 제조하였다. 우선, OLED용 글래스(지오마텍사 제조) 기판 상의 투명전극 ITO 박막(10/□)을 아세톤, 에탄올 및 증류수를 순차적으로 사용하여 초음파 세척을 실시한 후, 이소프로판올에 넣어 보관한 후 사용하였다. 다음으로 진공 증착 장비의 기판 홀더에 ITO 기판을 장착한 후, 진공 증착 장비 내의 셀에 화합물 HI-1을 넣고 챔버 내의 진공도가 10-6 torr에 도달할 때까지 배기시킨 후, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 ITO 기판 위에 80 nm 두께의 제1 정공 주입층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 화합물 HI-2 를 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제1 정공 주입층 위에 5 nm 두께의 제2 정공 주입층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 셀에 화합물 HT-1을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제2 정공 주입층 위에 10 nm 두께의 제1 정공 전달층을 증착하였다. 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 화합물 HT-3을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제1 정공 전달층 위에 60 nm 두께의 제2 정공 전달층을 증착 하였다. 정공 주입층, 정공 전달층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층을 다음과 같이 증착시켰다. 진공 증착 장비 내의 셀에 호스트로서 화합물 C-24를 넣고, 또 다른 셀에는 도판트로서 화합물 D-71을 넣은 후, 두 물질을 다른 속도로 증발시켜 호스트와 도판트의 합계량에 대해 도판트를 3중량%의 양으로 도핑함으로써 상기 제2 정공 전달층 위에 40 nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 또 다른 셀 두 군데에 화합물 ET-1 과 화합물 EI-1을 1:1의 속도로 증발시켜 발광층 위에 30 nm 두께의 전자 전달층을 증착하였다. 이어서, 전자 주입층으로 화합물 EI-1 를 2 nm 두께로 증착한 후, 다른 진공 증착 장비를 이용하여 Al 음극을 80 nm의 두께로 증착하여 OLED 소자를 제조하였다.
소자 제조예 1에서 제조된 유기 전계 발광 소자는 4.4 V의 전압에서 24.4 cd/A의 발광 효율을 보이고, 1000 cd/m2의 적색 발광이 확인되었다. 또한, 5000 nit의 휘도에서 전류를 일정하게 가했을 때 발광이 90%로 떨어지는데 걸린 시간이 43시간 이상임을 확인할 수 있었다.
[소자 제조예 2] 본원에 따른 유기 전계 발광 화합물을 호스트로서 포함하는 OLED 소자 제조
발광층의 호스트로서 화합물 C-1을 사용한 것 외에는 소자 제조예 1과 동일한 방법으로 OLED 소자를 제조하고 평가하였다. 그 결과, 6.0 V에서 27.8 cd/A의 발광 효율을 보이고, 1000 cd/m2의 적색 발광이 확인되었다. 또한, 5000 nit의 휘도에서 전류를 일정하게 가했을 때 발광이 90%로 떨어지는데 걸린 시간이 37시간 이상임을 확인할 수 있었다.
[소자 제조예 3] 본원에 따른 유기 전계 발광 화합물을 호스트로서 포함하는 OLED 소자 제조
발광층의 호스트로서 화합물 C-39를 사용한 것 외에는 소자 제조예 1과 동일한 방법으로 OLED 소자를 제조하고 평가하였다. 그 결과, 4.5 V의 전압에서 22.9 cd/A의 발광 효율을 보이고, 1000 cd/m2의 적색 발광이 확인되었다. 또한, 5000 nit의 휘도에서 전류를 일정하게 가했을 때 발광이 90%로 떨어지는데 걸린 시간이 38시간 이상임을 확인할 수 있었다.
[비교예 1] 종래의 유기 전계 발광 화합물을 포함하는 OLED 소자 제조
발광재료로서 호스트로 하기의 화합물 K를 사용한 것 외에는 소자 제조예 1과 동일한 방법으로 OLED소자를 제조하였다.
그 결과, 10.0 V의 전압에서 14.3 cd/A의 발광 효율을 보이고, 1000 cd/m2의 적색 발광이 확인되었다. 또한, 5000 nit의 휘도에서 전류를 일정하게 가했을 때 발광이 90%로 떨어지는데 걸린 시간이 1시간 미만임을 확인할 수 있었다.
Claims (6)
- 하기 화학식 1로 표시되는 유기 전계 발광 화합물.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X1은 -N=, -NR7-, -O- 또는 -S-이고,
Y1은 -N=, -NR8-, -O- 또는 -S-이되, X1이 -N= 인 경우 Y1은 -NR8-, -O- 또는 -S-이고, X1이 -NR7-인 경우 Y1은 -N=, -O- 또는 -S- 이고,
단, X1과 Y1이 모두 -O-인 경우, 모두 -S-인 경우, 및 X1과 Y1 중 하나가 -O-이고, 다른 하나가 -S-인 경우는 제외하고,
R1 은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고,
R2 내지 R4, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이거나, 인접한 치환체와 연결되어 치환 또는 비치환된 (C3-C30) 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족 또는 방향족 고리의 탄소 원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있고,
a는 1이고, b 및 c는 각각 독립적으로 1 또는 2이고, d는 1 내지 4 의 정수이고,
상기 헤테로아릴은 B, N, O, S, Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다. - 제1항에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 로 표시되는, 유기 전계 발광 화합물.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이고,
X2 내지 X4는 각각 독립적으로 -N- 또는 -CR9-이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고,
R9는 R2 내지 R4의 정의와 동일하고,
e는 1 내지 3의 정수이고,
X1, Y1, R1 내지 R4, 및 a 내지 c는 제1항에서 정의한 바와 같다. - 제1항에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시되는, 유기 전계 발광 화합물.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이고,
Z는 단일 결합, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C6)알킬렌이고,
R5 및 R6은 각각 독립적으로 R2 내지 R4의 정의와 동일하고,
n은 0 또는 1이고, e는 1 내지 3의 정수이고, f 및 g는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,
X1, Y1, R1 내지 R4, 및 a 내지 c는 제1항에서 정의한 바와 같다. - 제1항에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4 로 표시되는, 유기 전계 발광 화합물.
[화학식 4]
상기 화학식 4에서,
L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이고,
Z는 단일 결합, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C6)알킬렌이고,
W는 -NR10-, -O-, -S- 또는 -CR11R12-이고,
R10은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고,
R11 및 R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고,
R5 및 R6은 각각 독립적으로 R2 내지 R4의 정의와 동일하고,
n은 0 또는 1 이고, e 및 h는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고, g는 1 내지 4의 정수이고,
X1, Y1, R1 내지 R4, 및 a 내지 c는 제1항에서 정의한 바와 같다. - 제1항에 기재된 유기 전계 발광 화합물을 호스트 재료로 포함하는 유기 전계 발광 소자.
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