KR20160148459A - 세라믹 전자 부품의 제조 방법 및 세라믹 전자 부품 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 121
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 104
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 57
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 28
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 50
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 9
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 20
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000833 X-ray absorption fine structure spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
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- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Abstract
본 발명은, 소결 완료된 세라믹 소체 표면의 임의의 부분에 전극을 간단한 수법으로 형성할 수 있는 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 세라믹 전자 부품을 제안한다.
금속 산화물을 함유한 소결 완료된 세라믹 소체(10)를 준비하는 공정과, 상기 세라믹 소체(10) 표면의 전극 형성 영역에 레이저 L을 조사함으로써, 상기 세라믹 소체(10)의 일부를 저저항화시킨 저저항부(40)를 형성하는 공정과, 상기 세라믹 소체에 도금 처리를 행함으로써, 상기 저저항부(40) 위에 전극이 되는 도금 금속(14a)을 석출시키고, 그 도금 금속을 전극 형성 영역 전체에 확장되도록 성장시키는 공정을 구비하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법이다.
금속 산화물을 함유한 소결 완료된 세라믹 소체(10)를 준비하는 공정과, 상기 세라믹 소체(10) 표면의 전극 형성 영역에 레이저 L을 조사함으로써, 상기 세라믹 소체(10)의 일부를 저저항화시킨 저저항부(40)를 형성하는 공정과, 상기 세라믹 소체에 도금 처리를 행함으로써, 상기 저저항부(40) 위에 전극이 되는 도금 금속(14a)을 석출시키고, 그 도금 금속을 전극 형성 영역 전체에 확장되도록 성장시키는 공정을 구비하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법이다.
Description
본 발명은, 세라믹 전자 부품의 제조 방법 및 세라믹 전자 부품, 특히 세라믹 전자 부품의 전극 형성에 관한 것이다.
종래부터 세라믹 전자 부품의 외부 전극의 형성 방법은, 소결 완료된 세라믹 소체의 양단부면에 전극 페이스트를 도포하고, 베이킹하여 하지 전극을 형성한 후, 그 하지 전극 위에 도금 처리에 의해 상층 전극을 형성하는 것이 일반적이다. 그러나, 이 방법에서는, 하지 전극의 형성에 페이스트의 도포 공정과 베이킹에 수반되는 가열 공정을 필요로 하기 때문에, 제조 공정의 복잡화 및 비용 상승을 초래한다는 문제가 있다.
또한, 하지 전극의 형성에 있어서 도전 페이스트를 도포할 때, 그 도포 형상에 제약이 있다는 문제가 있다. 예를 들어 직육면체 형상의 세라믹 소체의 양단부에 도전 페이스트를 침지법에 의해 형성하는 경우, 도전 페이스트는 세라믹 소체의 양단부면뿐만 아니라, 양단부면에 인접하는 4개의 측면으로도 돌아 들어가 (wrap around) 도포된다. 그로 인해, 최종적으로 형성되는 외부 전극은, 양단부면과 그것에 인접하는 4개의 측면으로까지 확장된 형상이 된다.
이러한 종래의 전극 형성 방법 대신에, 도금 처리만으로 외부 전극을 형성하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 1). 이 방법은, 내부 전극의 복수의 단부를 세라믹 소체의 단부면에 서로 근접하여 노출시킴과 함께, 앵커 탭이라 불리는 더미 단자를 내부 전극의 단부와 동이한 단부면에 근접하여 노출시키고, 세라믹 소체에 대하여 무전해 도금을 행함으로써, 이들 내부 전극의 단부와 앵커 탭을 핵으로 하여 도금 금속을 성장시켜, 외부 전극을 형성하는 것이다.
그러나, 이 방법에서는, 세라믹 소체의 외부 전극 형성 부분에 복수의 내부 전극의 단부와 앵커 탭을 근접하여 노출시켜야만 하여, 제조 공정이 복잡해져서, 비용 상승을 초래하는 결점이 있다. 게다가, 도금 금속을 형성하는 면이 내부 전극의 단부와 앵커 탭이 노출되는 면으로 제약되기 때문에, 임의의 부분에 외부 전극을 형성할 수 없다.
한편, 특허문헌 2, 3, 4에는, 인덕터를 구성하는 페라이트의 전체면에 전극을 형성한 후, 레이저를 조사하여 전극을 연소 절단함으로써 코일 패턴을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 그 때, 레이저의 열이 전극뿐만 아니라 그 하측에 있는 페라이트로까지 파급되어, 페라이트의 일부의 성질이 변화되고, 도체화 또는 저저항화되는 것이 개시되어 있다(특허문헌 2의 단락 0005, 특허문헌 3의 단락 0004, 특허문헌 4의 단락 0005 참조). 그러나, 이들 문헌에서는 레이저를 조사하여 전극을 연소 절단하는 것밖에 개시하고 있지 않고, 게다가 레이저의 열이 인덕터로서의 특성에 악영향을 미친다고 기재되어 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 소결 완료된 세라믹 소체 표면의 임의의 부분에 전극을 간단한 수법으로 형성할 수 있는 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 세라믹 전자 부품을 제안하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 이하의 공정을 구비하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법을 제공한다.
A: 금속 산화물을 함유한 소결 완료된 세라믹 소체를 준비하는 공정,
B: 세라믹 소체 표면의 전극 형성 영역을 국소적으로 가열함으로써, 상기 세라믹 소체의 일부를 저저항화시킨 저저항부를 형성하는 공정,
C: 상기 세라믹 소체에 도금 처리를 행함으로써, 상기 저저항부 위에 전극이 되는 도금 금속을 석출시키고, 상기 도금 금속을 전극 형성 영역 전체에 확장되도록 성장시키는 공정.
본 발명은, 소결 완료된 세라믹 소체 표면의 전극 형성 영역을 국소적으로 가열함으로써, 그 가열 부분을 저저항화 또는 도체화시키고, 그 세라믹 소체를 도금 처리함으로써, 저저항부를 도금 금속의 석출 기점으로 할 수 있는 점에 착안하고 있다. 저저항부(또는 도체부)란, 국소 가열에 의해 세라믹 소체를 구성하는 금속 산화물이 변질되어, 그 금속 산화물보다도 저항값이 낮아진 부분을 가리킨다. 국소 가열한 세라믹 소체를 도금 처리하면, 저저항부에 먼저 도금 금속이 석출되고, 그 석출된 도금 금속을 핵으로 하여 도금 금속이 급속하게 성장함으로써, 전극 형성 영역 전체를 덮는 전극을 효율적으로 형성할 수 있다. 그로 인해, 종래와 같은 도전 페이스트의 도포, 베이킹 등의 복잡한 공정을 필요로 하지 않고, 전극의 형성 공정이 간이해진다. 또한, 특허문헌 1과 같이, 복수의 내부 전극이나 앵커 탭을 세라믹 소체의 단부면에 근접하여 노출시킬 필요가 없으므로, 전극의 형상에 제약이 없고, 게다가 제조 공정이 간략화되어, 비용을 저감할 수 있다.
저저항부는, 세라믹 소체에 포함되는 금속 산화물의 일부가 환원된 환원층을 포함하는 것이어도 된다. 금속 산화물의 일부가 환원됨으로써, 금속 산화물이 도체화 또는 반도체화되어, 도금 금속이 석출되기 쉬워진다. 또한, 환원층 표층의 일부 또는 전부가 재산화층으로 덮여 있는 구성으로 해도 된다. 재산화층이 형성된 경우에는, 하층에 있는 환원층의 산화를 억제함과 함께, 재산화층 자체의 경시 변화를 억제할 수 있는 효과가 있다. 또한, 재산화층은 1종의 반도체이며, 절연체인 금속 산화물보다도 저항값은 낮기 때문에, 재산화층 위에 도금 금속이 석출되기 쉽다. 또한, 재산화층은 예를 들어 ㎚ 오더의 박막 형상으로 형성되므로, 전해 도금에 사용하는 미디어 볼이 재산화층에 닿아 재산화층의 일부가 박리되거나, 또는 도금액이 재산화층 내에 침식되어, 재산화층 아래에 있는 환원층 위에 도금이 붙어 있을 가능성도 있다.
본 발명의 전극은, 세라믹 소체의 표면에 형성되는 전극이라면, 외부 전극에 한하지 않고, 임의의 전극이어도 된다. 예를 들어, 코일 형상 전극이나 배선 전극이어도 된다. 국소적인 가열 방법으로서는, 예를 들어 레이저 조사, 전자 빔 조사, 또는 이미지 로를 사용한 국소 가열 등, 다양한 방법이 있다. 이 중, 레이저 조사는, 레이저의 세라믹 소체에 대한 조사 위치를 재빨리 바꿀 수 있는 점에서 유리하다.
본 발명에서는 전극 형성 영역을 국소 가열하고, 도금 처리할 뿐이므로, 임의의 부분에 전극을 형성할 수 있다. 예를 들어, 종래의 도전 페이스트를 사용한 방법으로는, 이형 전극, 즉 양단부면과 그것에 인접하는 하나의 측면에(측면에서 볼 때 L자형의) 외부 전극을 형성하거나, 또는 하나의 측면에 복수의 외부 전극을 간격을 두고 형성하거나 하는 것은 곤란했지만, 본 발명에서는 이러한 임의의 형상의 외부 전극에서도 간단하게 형성할 수 있다. 국소 가열은 세라믹 소체의 표층부만이어도 되므로, 세라믹 전자 부품(예를 들어 인덕터)으로서의 특성에 실질적으로 영향을 미칠 일은 없다.
도금 처리의 방법으로서, 전해 도금이어도 무전해 도금이어도 가능하지만, 전해 도금법이 적합하다. 즉, 전해 도금법에서는 도금하는 대상물에 도전성이 필요하게 된다. 본 발명 방법에 의해 형성된 저저항부는 도전성을 가지므로, 전해 도금 시에 저저항부에 흐르는 전류 밀도가 다른 부분보다 높아져, 저저항부에 빠르게 도금 금속이 석출된다. 종래의 도금법에서는, 세라믹 소체의 일부에 도금을 입히고 싶지 않은 경우에는, 그 부분에 미리 도금 방지재를 코팅할 필요가 있었다. 본 발명에서는 저저항부를 핵으로 하여 도금 전극이 전극 형성 영역으로 빠르게 확장되는 것에 반해, 전극 형성 영역 이외의 부분은 절연성이며, 핵이 되는 도전 부분이 없으므로, 도금 전극의 성장 속도는 늦다. 그로 인해, 도금 방지재를 코팅하지 않아도, 전극 형성 영역에 선택적으로 도금 금속을 성장시킬 수 있다. 또한 전해 도금에 의해 저저항부에 형성되는 도금 금속의 두께가 다른 부분보다 두꺼워지기 때문에, 도금 전극의 세라믹 소체에 대한 고착 강도가 높아진다는 이점이 있다.
본 발명은, 내부 전극을 갖는 전자 부품에도 적용할 수 있다. 예를 들어 직육면체 형상의 세라믹 소체에 대하여, 내부 전극의 단부가 노출된 면에 레이저 조사 등에 의해 저저항부를 형성하고, 도금 처리에 의해 내부 전극의 단부를 덮도록 외부 전극을 형성해도 된다. 레이저 가공 등의 국소 가열이 가능한 면이라면, 임의의 면에 전극을 형성할 수 있다. 예를 들어, 폭 방향 양측면에 전극을 형성하지 않도록 할 수도 있다. 폭 방향 양측면에 외부 전극이 형성되어 있지 않은 전자 부품에서는, 이 전자 부품을 고밀도 실장했을 경우에, 폭 방향에 인접하는 전자 부품과의 절연 거리를 확보할 수 있고, 쇼트의 리스크를 저감할 수 있다. 그로 인해, 한층 고밀도 실장이 가능해진다. 또한, 세라믹 소체의 하면(저면)에만 외부 전극을 형성한 경우에는, 저면만으로 실장되므로, 주위의 전자 부품과의 쇼트의 발생 리스크를 더 저감할 수 있다.
본 발명은, 예를 들어 권선형 코일 부품에도 적용할 수 있다. 즉, 세라믹 소체는 양단부에 플랜지부를 갖고, 그 사이에 권취 코어부를 갖는 페라이트 코어이며, 페라이트 코어의 권취 코어부에는 레이저 가공 등에 의해 코일 형상의 저저항부가 형성되고, 코어의 플랜지부에는 레이저 가공 등에 의해 외부 전극 형상의 저저항부가 형성되고, 코일 형상의 저저항부는 외부 전극 형상의 저저항부와 접속되어 있고, 코일 형상의 저저항부 위와 외부 전극 형상의 저저항부 위에 연속적으로 도금 전극이 형성되어 있는 구성으로 해도 된다. 이 경우에는, 코일부와 외부 전극부가 모두 레이저 가공 등에 의해 형성 가능하기 때문에, 제조가 한층 간단해진다. 또한, 레이저 강도를 조정하는 등의 방법에 의해, 코일부의 전극을 외부 전극보다 두껍게 할 수도 있다.
또한, 세라믹 소체는 양단부에 플랜지부를 갖고, 그 사이에 권취 코어부를 갖는 페라이트 코어이며, 권취 코어부의 둘레면에는 와이어가 권회되고, 플랜지부의 표면에는 각각 저저항부가 형성되고, 플랜지부의 저저항부 위에 도금 금속을 포함하는 전극이 각각 형성되고, 전극이 와이어의 양단부와 접속되어 있는 구성으로 해도 된다. 이 경우에는, 권선부가 금속 와이어로 형성되어 있으므로, 자기 효율이 높고, 또한 외부 전극은 본 발명에 의한 박육인 전극으로 할 수 있으므로, 와전류 손실이 적고, 높은 Q치의 인덕터를 실현할 수 있다.
국소 가열의 방법으로서 레이저를 사용한 경우, 레이저는 좁은 영역에 에너지가 집중되므로, 세라믹 소체의 일부가 용융·응고되어, 세라믹 소체의 표면에는 선형 또는 점형의 레이저 조사 자국이 형성되고, 그 주위 근방에 저저항부가 형성된다. 레이저 조사 자국 및 저저항부의 깊이나 넓이는, 레이저의 조사 에너지(파장, 출력 등)에 의해 조정할 수 있다. 저저항부에 석출된 도금 금속은, 오목 형상의 레이저 조사 자국의 내벽을 따라 고착되므로, 그 앵커 효과에 의해 도금 금속(전극)의 세라믹 소체에 대한 고착 강도를 높일 수 있다.
저저항부가 거의 간극 없이 존재하도록, 레이저를 전극 형성 영역에 밀(密)하게 조사해도 된다. 이 경우에는, 저저항부도 연속적으로 형성되기 때문에, 도금 금속이 빠르게 석출·성장되어, 도금 처리 시간을 단축할 수 있다. 또한, 「밀하게 조사한다」는 것은, 레이저 조사의 스팟 중심의 간격이 저저항부의 확장 폭과 동등 또는 그것보다 좁은 것을 가리킨다. 즉, 레이저 조사의 스팟 중심의 간격을 D라 하고, 스팟의 직경(저저항부의 확장 폭)을 W라 했을 경우, D≤W를 말한다.
상술한 바와 같이 전극 형성 영역에 레이저를 밀하게 조사하는 경우에는, 다수의 샷 횟수를 필요로 하여, 가공 시간이 걸린다. 따라서, 레이저를 전극 형성 영역에 소정 거리를 두고 분산하여 조사함으로써, 복수의 저저항부를 전극 형성 영역에 분산 형성하고, 저저항부 위에 석출된 도금 금속을 핵으로 하여 성장하고, 도금 금속끼리 서로 접속될 때까지 도금 처리를 계속하도록 해도 된다. 여기서, 「분산하여 조사한다」는 것은, 레이저 조사의 스팟 중심의 간격이 저저항부의 확장 폭보다 넓은 것을 가리킨다. 즉, 레이저 조사의 스팟 중심의 간격을 D라 하고, 스팟의 직경(저저항부의 확장 폭)을 W라 했을 경우, D>W를 말한다. 도금 처리의 이점은, 일부분에 도금 금속이 석출되면, 그 부분을 핵으로 하여 도금 금속이 주위로 급속하게 성장하는 점이다. 이 이점을 활용하여, 복수의 분산된 저저항부에 도금 금속이 석출된 후, 그것을 핵으로 하여 도금 금속이 저저항부 이외의 영역으로도 성장하므로, 전극 형성 영역의 전역에 걸쳐 균질한 전극을 형성할 수 있다. 따라서, 레이저를 밀하게 조사하지 않아도 양질의 전극을 형성할 수 있으며, 레이저 가공 시간을 단축할 수 있다.
레이저를 조사하여 저저항화 또는 도체화할 수 있는 대표적인 세라믹 재료로서는, 페라이트가 있다. 페라이트는 산화철을 주성분으로 하는 세라믹스이며, 예를 들어 스피넬 페라이트, 육방정 페라이트, 가닛 페라이트 등이 있다. 페라이트에 레이저를 조사하면, 조사 부분이 고온이 되고, 절연성을 갖는 페라이트의 표층 부분이 변질되어 도전성을 갖는다. 인덕터에 사용되는 페라이트에는, 예를 들어 Ni-Zn계 페라이트, Ni-Cu-Zn계 페라이트 등이 있다. Ni-Zn계 페라이트의 경우에는, 레이저 조사에 의해 페라이트에 포함되는 Fe의 일부가 환원되어 있다고 생각되며, 또한 Ni 및/또는 Zn도 환원되어 있을 가능성이 있다. Ni-Cu-Zn계 페라이트의 경우에는, 페라이트에 포함되는 Fe 및/또는 Cu가 환원되어 있다고 생각되고, 또한 Ni 및/또는 Zn도 환원되어 있을 가능성이 있다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면, 소결 완료된 세라믹 소체의 전극 형성 영역을 국소적으로 가열하여 저저항부를 형성하고, 그 세라믹 소체를 도금 처리함으로써 저저항부 위에 도금 금속을 석출시키고, 이 도금 전극을 전극 형성 영역 전역에 성장시키도록 했으므로, 간이한 방법으로 전극을 형성할 수 있다. 또한, 국소 가열할 수 있는 영역이라면 임의의 부분에 전극을 형성할 수 있으므로, 임의의 형상의 전극을 간단하게 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 제1 실시예의 사시도.
도 2는 도 1에 도시하는 세라믹 전자 부품의 분해 사시도.
도 3은 외부 전극 형성 영역에 레이저를 조사하는 모습을 도시하는 사시도.
도 4는 외부 전극의 형성 공정을 도시하는 단면도.
도 5는 저저항부의 일례의 확대 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 실장예를 도시하는 도면.
도 7은 외부 전극의 형성 공정의 다른 예를 도시하는 단면도.
도 8은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 몇 가지 실시예를 도시하는 사시도.
도 9는 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 일례인 권선형 인덕터를 도시하는 도면.
도 10은 본 발명에 따른 권선형 인덕터의 다른 예를 도시하는 도면.
도 11은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 일례인 세로 감기형 코일 부품을 도시하는 도면.
도 12는 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 일례인 다단자형 전자 부품을 도시하는 도면.
도 2는 도 1에 도시하는 세라믹 전자 부품의 분해 사시도.
도 3은 외부 전극 형성 영역에 레이저를 조사하는 모습을 도시하는 사시도.
도 4는 외부 전극의 형성 공정을 도시하는 단면도.
도 5는 저저항부의 일례의 확대 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 실장예를 도시하는 도면.
도 7은 외부 전극의 형성 공정의 다른 예를 도시하는 단면도.
도 8은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 몇 가지 실시예를 도시하는 사시도.
도 9는 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 일례인 권선형 인덕터를 도시하는 도면.
도 10은 본 발명에 따른 권선형 인덕터의 다른 예를 도시하는 도면.
도 11은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 일례인 세로 감기형 코일 부품을 도시하는 도면.
도 12는 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 일례인 다단자형 전자 부품을 도시하는 도면.
도 1은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 일례인 칩형 인덕터(1)를 도시한다. 인덕터(1)는, 소결 완료된 세라믹 소체(10)를 구비하고 있고, 세라믹 소체(10)의 길이 방향 양단부에는 외부 전극(30, 31)이 형성되어 있다. 이 실시예의 인덕터(1)의 형상은, 도 1에 도시하는 바와 같이 Y축 및 Z축 방향의 치수에 비하여 X축 방향의 치수가 긴 직육면체이다.
세라믹 소체(10)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 Ni-Zn계 페라이트 또는 Ni-Cu-Zn계 페라이트를 주체로 하는 절연체층(12a 내지 12e)을 적층하여 소결함으로써 얻어진다. 절연체층(12a 내지 12e)은, 상하 방향(Z축 방향)으로 순서대로 적층되어 있다. 상하 양단부의 절연체층(12a, 12e)을 제외한 중간의 절연체층(12b 내지 12d) 위에는, 내부 전극(20)을 구성하는 코일 도체(21 내지 23)가 각각 형성되어 있다. 이들 3개의 코일 도체(21 내지 23)는 비아 도체(24, 25)에 의해 서로 접속되고, 전체적으로 나선 형상으로 형성되어 있다. 코일 도체(21 내지 23) 및 비아 도체(24, 25)는, Au, Ag, Pd, Cu, Ni 등의 도전성 재료로 형성되어 있다. 코일 도체(21)의 일단부(인출부)(21a)가 세라믹 소체(10)의 X축 방향의 일단부면에 노출되어 있고, 코일 도체(23)의 일단부(인출부)(23a)가 세라믹 소체(10)의 X축 방향의 타단부면에 노출되어 있다. 또한, 이 실시예에서는 코일 도체(21 내지 23)가 2턴분의 코일을 형성하고 있는 예를 나타냈지만, 턴 수는 임의이며, 코일 도체의 형상 및 절연체층의 층수도 임의로 선택할 수 있다. 또한, 코일 도체를 갖지 않는 절연체층(12a, 12e)의 층수도 임의이다.
외부 전극(30, 31)은, 도 1에 도시하는 바와 같이, 세라믹 소체(10)의 X축 방향의 양단부면과 상면(실장 시에는 저면)의 일부를 덮도록 측면에서 볼 때 L자형으로 형성되어 있다. 즉, 세라믹 소체(10)를 Y 방향에서 보았을 때, 외부 전극(30, 31)은 각각 L자형으로 형성되어 있다. 외부 전극(30)은 코일 도체(23)의 인출부(23a)와 접속되어 있고, 외부 전극(31)은 코일 도체(21)의 인출부(21a)와 접속되어 있다. 또한, 외부 전극(30, 31)은, 후술하는 바와 같이 도금 처리에 의해 형성되어 있고, 그 재료는 예를 들어 Cu, Au, Ag, Pd, Ni, Sn 등이 사용된다. 또한, 외부 전극(30, 31) 자체가 다층의 도금 금속을 포함하고 있어도 된다.
도 3은 세라믹 소체(10) 상으로의 외부 전극(30, 31)의 형성 전에, 외부 전극 형성 영역 S1, S2에 레이저 L을 조사하는 모습을 도시한다. 도 3의 (a)는, 레이저 L을 연속 조사하면서 Y축 방향을 따라서 주사한 예(또는 세라믹 소체(10)를 Y축 방향으로 이동시킨 예)를 나타내고 있다. 또한, 주사 방향은 임의이며, X축 방향(또는 Z축 방향)이어도 되고, 지그재그 형상이나 주회 형상이어도 된다. 레이저 L의 조사에 의해, 세라믹 소체(10)의 표면에는 다수의 선상의 레이저 조사 자국(40)이 형성된다. 또한, 도 3의 (a)에서는, 선상의 레이저 조사 자국(40)을 X축 방향으로 간격을 두고 형성한 예를 도시했지만, 레이저 조사 자국(40)끼리 서로 겹치도록 밀하게 형성해도 된다. 도 3의 (b)는 레이저 L을 점 형상으로 조사한 예를 도시한다. 이 경우에는, 세라믹 소체(10)의 표면에 다수의 점 형상의 레이저 조사 자국(41)이 분산되어 형성된다. 도 3의 (c)는 레이저 L을 파선 형상으로 조사한 예를 도시한다. 이 경우에는, 세라믹 소체(10)의 표면에 다수의 파선 형상의 레이저 조사 자국(42)이 분산되어 형성된다. 어떠한 경우라도, 외부 전극 형성 영역 S1, S2의 전역에 걸쳐 균등하게 레이저 L을 조사하는 것이 바람직하다.
도 4는 외부 전극의 형성 과정의 일례의 개략을 도시한다. 특히, 레이저 L을 외부 전극 형성 영역에 소정의 간격을 두고 선상으로 조사한 경우를 도시한다.
도 4의 (A)는 먼저 세라믹 소체(10) 표면의 외부 전극 형성 영역에 레이저를 조사하고, 그것에 의해 세라믹 소체(10)의 표면에 단면 V자형 또는 U자형의 레이저 조사 자국(40)을 형성한 상태를 도시한다. 또한, 도 4의 (A)에서는 레이저 L이 1점에 집광된 예를 도시했지만, 실제로는 레이저 L을 조사하는 스팟이 어느 정도의 면적을 가지고 있어도 된다. 이 레이저 조사 자국(40)은, 레이저 조사에 의해 세라믹 소체(10)의 표층부가 용융·응고된 자국이다. 스팟의 중심부가 가장 에너지가 높으므로, 그 부분의 세라믹 소재가 변질되기 쉬워, 레이저 조사 자국(40)의 단면은 대략 V자형 또는 대략 U자형이 된다. 레이저 조사 자국(40)의 내벽면을 포함하는 주위에는, 세라믹 소체를 구성하는 절연 재료(페라이트)가 변질되고, 그 절연 재료보다도 저항값이 낮은 도체부 또는 저저항부(43)가 형성된다. 구체적으로는, 세라믹 소체(10)가 Ni-Zn계 페라이트인 경우에는, 레이저 조사에 의해 페라이트에 포함되는 Fe의 일부가 환원되어 있다고 생각되며, 또한 Ni 및/또는 Zn도 환원되어 있을 가능성이 있다. Ni-Cu-Zn계 페라이트의 경우에는, 페라이트에 포함되는 Fe 및/또는 Cu가 환원되어 있다고 생각되며, 또한 Ni 및/또는 Zn도 환원되어 있을 가능성이 있다. 저저항부(43)의 깊이나 넓이는, 레이저의 조사 에너지나 조사 범위 등에 따라 가변할 수 있다.
도 4의 (B)는 레이저 조사를 반복함으로써, 외부 전극 형성 영역에 복수의 레이저 조사 자국(40)을, 간격 D를 두고 형성한 상태를 도시한다. 이 예에서는 레이저 조사의 스팟 중심의 간격 D가 저저항부(43)의 확장 폭(예를 들어 직경의 평균값) W보다도 넓기 때문에, 각 레이저 조사 자국(40)의 사이에는 저저항부 이외의 절연 영역(44)이 존재하고 있다. 이 영역(44)은, 세라믹 소체를 구성하는 원래의 절연 재료가 변질되지 않고 노출되어 있는 영역이다.
도 4의 (C)는, 상기와 같이 레이저 조사에 의해 저저항부(43)를 형성한 세라믹 소체(10)를 도금액에 침지하여, 전해 도금을 행한 초기의 상태를 도시한다. 도전성을 갖는 저저항부(43)에 있어서의 전류 밀도가 다른 부분보다 높아지므로, 저저항부(43)의 표면에만 도금 금속(45a)이 석출되어 있고, 절연 영역(44)의 위에는 아직 석출되어 있지 않다. 즉, 이 단계에서는 연속된 외부 전극은 형성되어 있지 않다.
도 4의 (D)는 전해 도금을 행한 종기의 상태를 도시한다. 도금 처리를 계속 함으로써, 저저항부(43) 위에 석출된 도금 금속(45a)이 핵이 되어 주위로 성장하고, 저저항부(43)에 인접하는 절연 영역(44) 위까지 확장된다. 인접하는 도금 금속(45a)끼리 접속될 때까지 도금 처리를 계속함으로써, 연속된 외부 전극(45)을 형성할 수 있다. 레이저를 조사한 외부 전극 형성 영역에서의 도금 금속의 성장 속도에 비하여, 외부 전극 형성 영역 이외의 영역의 도금 금속의 성장 속도가 느리기 때문에, 도금 처리 시간을 엄밀하게 컨트롤하지 않아도, 외부 전극 형성 영역에 도금 금속을 선택적으로 성장시킬 수 있다. 도금 처리 시간, 전압 또는 전류를 제어함으로써, 외부 전극의 형성 시간이나 두께를 컨트롤하는 것이 가능하다. 또한, 1회째의 도금 처리에 의해 형성한 외부 전극(45) 위에 추가의 도금 처리를 행함으로써, 다층 구조의 외부 전극을 형성할 수도 있다. 이 경우에는, 이미 하지가 되는 외부 전극(45)이 형성되어 있으므로, 추가 도금 처리 시간은 짧아도 된다.
-실험예-
이하에, 실제로 외부 전극의 형성을 행한 실험예에 대하여 설명한다.
(1) Ni-Cu-Zn계 페라이트를 포함하는 소결 완료된 세라믹 소체에, 레이저를 왕복 주사하면서 조사하였다. 가공 조건은 이하와 같지만, 파장은 예를 들어 532㎚ 내지 10620㎚의 어느 쪽 범위여도 된다. 조사 간격이란, 레이저를 왕복 주사하는 경우의 왕로와 귀로의 스팟 중심의 거리를 의미한다.
(2) 레이저 조사 후의 세라믹 소체에 대하여, 전해 도금을 이하의 조건에서 행하였다. 구체적으로는, 배럴 도금을 사용하였다.
상기와 같은 조건에서 도금 처리를 행한 결과, 세라믹 소체의 표면에 평균 두께 20㎛의 양호한 Cu 외부 전극을 형성할 수 있었다. 또한, 마찬가지의 결과는, Ni-Zn계 페라이트를 사용한 경우에도 얻어졌다. 또한, 도금액으로서는, 피로인산 구리 도금액 이외에, 황산 구리 도금액, 시안화 구리 도금액 등도 사용 가능하다.
-평가-
Ni-Cu-Zn계 페라이트에 레이저를 조사한 시료와, 레이저 미조사의 시료에 대하여, XPS(X선 광전자 분광법) 및 전환 전자 수량법을 사용한 Fe, Cu, Zn의, K단XAFS(X선 흡수 미세 구조)에 의해, 시료 표면에 있어서의 Fe, Cu, Zn의 가수를 평가하였다. XPS의 결과, 레이저를 조사한 시료의 표층 부분에서는 금속 성분을 검출할 수 없고, 하층이 되면 금속 성분을 검출할 수 있었다. 또한, XAFS의 결과, 레이저를 조사한 시료의 표층 부분에 대해서, Cu의 금속 성분을 검출할 수 있었다. 한편, XAFS의 결과, 레이저를 조사한 시료의 표층 부분에 대해서, Fe의 금속 성분을 검출할 수는 없었지만, Fe의 반도체 성분 및 절연체 성분을 검출할 수 있었다. 하층은, Fe3+에 대한 Fe2+의 비율이 세라믹스 소체 전체에서의 비율에 비하여 큰 것도 알 수 있었다. 이상에서, 레이저 가공에 의한 열로 페라이트에 포함되는 금속 산화물이 분해되어, 세라믹스 소체의 하층은 페라이트의 금속 원소가 환원되고, 세라믹스 소체의 표층 부분은 잔열에 의해 재산화에 이르렀다고 추측된다.
도 5는 이렇게 형성되는 저저항부(43)의 단면 구조의 일례를 도시하며, 하층에는 환원층(43a)이 형성되고, 그 표층이 반도체 및/또는 절연체의 성분을 포함하는 재산화층(43b)으로 덮여 있다. 이들 환원층과 재산화층에 의해 저저항부가 구성되어 있다. 또한, 레이저 조사는 대기 분위기에 한하지 않고, 진공 중이나 N2 분위기에서 레이저 조사를 행해도 되지만, 진공 중이나 N2 분위기에서 레이저 조사를 행한 경우에는, 재산화층이 형성되지 않을 가능성이 있다.
상술한 재산화층이 형성된 경우에는, 이하와 같은 효과를 생각할 수 있다. 즉, 재산화층으로서 형성되어 있는 Fe3O4는 상온에서의 재산화가 진행되기 어려운 성질이 있고, 하층에 있는 환원층의 산화를 억제함과 함께, 재산화층 자체의 경시 변화를 억제할 수 있는 효과도 있다. 또한, 재산화층은 1종의 반도체이며, 절연체인 페라이트보다도 저항값은 낮다. 그로 인해, 재산화층 위에 도금 금속이 석출되기 쉽다.
본 실시 형태에서는, 외부 전극(30, 31)은 측면에서 볼 때(세라믹 소체(10)를 Y 방향에서 보았을 때) L자형으로 형성되어 있다. 즉, 외부 전극(30, 31)이 인덕터(1)의 양단부면과 저면(실장 시)에만 형성되고, 상면(실장 시) 및 Y 방향 양측면에는 형성되어 있지 않다. 그로 인해, 도 6의 (a)와 같이, 실장 상태에 있어서 인덕터(1)의 상방에 근접하여 별도의 전자 부품(2) 또는 도체가 존재하는 경우에도, 쇼트의 발생 리스크를 저감할 수 있다. 또한, 도 6의 (b)와 같이, 인덕터(1)의 Y 방향에 인접하여 별도의 전자 부품(3)이 실장되어 있는 경우에도, 외부 전극(30, 31)이 인덕터(1)의 Y 방향 양측면에는 형성되어 있지 않으므로, 인접하는 전자 부품(3)과의 절연 거리를 확보할 수 있음과 함께, 외부 전극에 도포되는 땜납끼리의 거리도 확보할 수 있다. 그로 인해, 인접하는 전자 부품(3)과의 쇼트의 리스크를 저감할 수 있다. 그 결과, L자형 외부 전극을 갖는 인덕터(1)의 경우에는, 한층 더 고밀도 실장이 가능해진다. 또한, 종래의 외부 전극에 비하여 부유 용량의 저감 효과도 있다.
도 7은 외부 전극(30, 31)의 형성 과정의 다른 예를 도시하고, 특히 레이저 L을 외부 전극 형성 영역에 밀하게 조사한 경우를 도시한다. 「밀하게 조사한다」는 것은, 레이저 조사의 스팟 중심의 간격 D가 저저항부(43)의 확장 폭(예를 들어 직경의 평균값) W와 동등 또는 그것보다 좁은 것을 가리키고, 인접하는 레이저 조사 자국(40)의 하측에 형성되는 저저항부(43)끼리 서로 연결되어 있는 상태를 가리킨다(도 7의 (B) 참조). 단, 모든 저저항부(43)가 연결되어 있을 필요는 없다. 그로 인해, 세라믹 소체(10)의 외부 전극 형성 영역의 거의 전역이 저저항부(43)로 덮여 있다.
이 경우에는, 도 7의 (C)에 도시하는 바와 같이, 도금 처리의 개시부터 단시간에 저저항부(43)의 표면에 도금 금속(45a)이 석출되는데, 그들 도금 전극(45a)이 거의 근접하고 있기 때문에, 인접하는 도금 전극(45a)끼리 빠르게 접속된다. 그로 인해, 연속된 외부 전극(45)을 도 4의 경우보다도 단시간에 형성할 수 있다.
도 7과 같이 레이저 L을 외부 전극 형성 영역에 밀하게 조사한 경우에는, 레이저 조사 자국(40)도 밀하게 형성되기 때문에, 세라믹 소체(10)의 표면이 깍인 상태가 된다. 그 표면에 도금 금속(45)이 형성되기 때문에, 외부 전극의 표면을 세라믹 소체(10)의 표면과 거의 동일 높이 또는 그것보다 낮게 하는 것이 가능하다. 그로 인해, 외부 전극 자체의 두께가 얇은 것과 아울러, 외부 전극의 돌출량을 억제할 수 있어, 보다 소형의 칩 부품을 실현할 수 있다.
도 8은 본 발명을 사용하여 형성되는 외부 전극의 다양한 형태를 도시한다. 도 8의 (a)는 세라믹 소체(10)의 양단부에 역 ㄷ자형의 외부 전극(30, 31)을 형성한 것이다. 도 1의 실시예와 마찬가지로, 내부 전극의 인출부(21a, 23a)(21a는 도시하지 않음)가 세라믹 소체(10)의 X 방향 양단부면에 노출되고, 외부 전극(30, 31)과 접속되어 있다. 이 예는, 세라믹 소체(10)의 X 방향의 양단부면과 상하면(Z 방향 양측면)의 일부에 외부 전극(30, 31)을 형성한 것이며, Y 방향의 양측면에는 외부 전극이 형성되어 있지 않다. 그로 인해, 이 전자 부품(1)을 Y 방향에 인접하여 고밀도로 실장 가능하다.
도 8의 (b)는, 세라믹 소체(10)의 상면(실장 시에는 저면)의 양단부에만 외부 전극(30, 31)을 형성한 것이다. 다른 면에는 외부 전극이 형성되어 있지 않다. 이 경우에는, 내부 전극의 단부(21a, 23a)가 세라믹 소체(10)의 X 방향 양단부면에는 노출되어 있지 않고, 상면에만 X 방향과 평행하게 노출되어 있다. 외부 전극(30, 31)은 내부 전극의 단부(23a, 21a)와 각각 접속되어 있다. 이 경우에는, 세라믹 소체(10)를 구성하는 절연체층이 Z 방향이 아닌 Y 방향으로 적층되어 있다. 세라믹 소체(10)의 저면에만 외부 전극이 형성되어 있으므로, 고밀도 실장에 적합한 전자 부품을 실현할 수 있다.
도 8의 (c)는 세라믹 소체(10)의 상면(실장 시에는 저면)의 X 방향 양단부에, 합계 4개의 외부 전극(30 내지 33)을 형성한 것이다. 이 경우에도, 내부 전극의 단부(도시하지 않음)는 세라믹 소체(10)의 X 방향 양단부면에는 노출되어 있지 않고, 외부 전극(30 내지 33)이 형성된 상면에만 노출되어 있다. 이상과 같이, 본 발명 방법을 사용한 외부 전극은, 레이저 가공과 도금 처리가 가능한 면이면 제약이 없고, 임의의 부분에 형성할 수 있다.
도 9는 권선형 인덕터의 전극 형성에 본 발명을 적용한 예이다. 세라믹 소체(50)는 양단부에 플랜지부(51, 52)를 갖고, 그 사이에 권취 코어부(53)를 갖는 코어이다. 코어 재료로서는, Ni-Zn계 페라이트나 Ni-Cu-Zn계 페라이트 등을 사용할 수 있다. 코어(50)의 플랜지부(51, 52)의 상면 및 단부면의 외부 전극 형성 영역에는 레이저 가공에 의해 저저항부가 형성되고, 그 위에 외부 전극(54, 55)이 도금 처리에 의해 형성되어 있다. 또한, 권취 코어부(53)의 둘레면에는 레이저 가공에 의해 코일 형상의 저저항부가 형성되고, 그 위에 코일 전극(56)이 도금 처리에 의해 형성되어 있다. 코일 형상의 저저항부의 양단부가 외부 전극 형성 영역의 저저항부와 연속되게 레이저 가공되어 있으므로, 도금 처리에 의해 코일 전극(56)의 양단부(56a, 56b)가 각각 외부 전극(54, 55)에 접속된다.
이 실시예에서는, 코일 형상의 저저항부와 외부 전극용 저저항부를 레이저 가공으로 연속적으로 형성하는 것이 가능하다. 레이저 가공으로서는, 예를 들어 레이저 위치를 고정하고, 코어(50)를 회전 및 축 방향 이동시키는 등의 방법을 사용할 수 있다. 코일 전극(56)과 외부 전극(54, 55)은 도금 처리에 의해 동시에 형성할 수 있기 때문에, 인덕터의 제조 공정을 효율화할 수 있고, 제조 비용을 저감할 수 있다. 또한, 코일 전극(56) 및 외부 전극(54, 55)에 대하여 복수회의 도금 처리를 행함으로써, 다층 구조로 할 수도 있다. 또한, 이 실시예에서는 코일 전극(56)과 외부 전극(54, 55)을 도금 처리에 의해 형성하고 있지만, 권취 코어부에 와이어가 권회된 권선형 인덕터(페라이트 코어)에 있어서, 와이어에 접속되는 외부 전극만을 도금 처리에 의해 형성할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 코일 전극(56)과 외부 전극(54, 55)을 같은 레이저 가공 및 도금 처리에 의해 형성한 경우에는, 전극(56, 54, 55)이 거의 일정한 두께가 될 가능성이 있다. 특히, 코일 전극(56)의 발생 자속을 크게 하고 싶은 경우에는, 코일 전극(56)의 두께를 외부 전극(54, 55)의 두께보다 두껍게 하는 것이 바람직하다. 그 경우에는, 예를 들어 권취 코어부(53)에 조사되는 레이저의 레이저 강도를 외부 전극 영역에 조사되는 레이저의 레이저 강도보다 높게 해도 되고, 권취 코어부(53)에 조사되는 레이저와 외부 전극 영역에 조사되는 레이저의 조사 방식(예를 들어 간헐 조사와 연속 조사, 조사 범위의 확대·축소 등)을 변경해도 된다. 레이저 강도를 높임으로써, 코일 형상의 저저항부의 저항값이 외부 전극 형성 영역의 저저항부의 저항값보다 낮아지거나, 또는 코일 형상의 저저항부의 깊이가 외부 전극 형성 영역의 저저항부의 깊이보다 커진다. 그에 따라, 도금 처리에 의해 코일 형상의 저저항부에 형성되는 전극(56)의 두께를 외부 전극 형성 영역의 저저항부에 형성되는 전극(54, 55)의 두께보다 두껍게 할 수 있다.
도 10은 권선형 인덕터의 다른 적용예를 도시한다. 도 9와 동일 부분 또는 대응 부분에는 동일 부호를 부여하고 중복 설명을 생략한다. 코어(50)의 플랜지부(51, 52)의 상면, 외측면 및 하면의 외부 전극 형성 영역에는 레이저 가공에 의해 저저항부가 형성되고, 그 위에 외부 전극(54, 55)이 도금 처리에 의해 형성되어 있다. 그로 인해, 이 실시예에서는 전체적으로 역 ㄷ자형 외부 전극(54, 55)이 형성되어 있다. 권취 코어부(53)의 둘레면에는 와이어(57)가 권회되고, 그 양단부(57a, 57b)가 각각 플랜지부(51, 52)의 상면에 형성된 외부 전극(54, 55)의 부분에 접속되어 있다. 플랜지부(51, 52)의 하면에 형성된 외부 전극(54, 55)의 부분은, 실장용 전극으로서 사용된다. 또한, 외부 전극(54, 55)의 형상은 역 ㄷ자형에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 플랜지부(51, 52)의 상면(와이어(57)의 접속면)에만 형성되어 있어도 된다.
이 실시예에서는, 와이어(57)에 비하여 외부 전극(54, 55)을 박육으로 형성할 수 있으므로, 와전류 손실을 억제하는 효과가 있다. 즉, 와이어(57)에 의해 발생하는 자속(도 10에 파선 화살표로 표시함)이 외부 전극(54, 55)과 쇄교함으로써 와전류에 의한 손실이 발생하고, 그 와전류 손실은 쇄교하는 외부 전극(54, 55)의 두께의 제곱에 비례한다. 본 발명 방법에 의해 형성된 외부 전극(54, 55)은, 일반적인 외부 전극에 비하여 박육으로 형성할 수 있으므로, 와전류 손실을 억제할 수 있다. 또한, 권선으로서 와이어(57)를 사용하면, 발생하는 자속 밀도가 증가하므로, 높은 Q치의 인덕터를 얻을 수 있다.
도 11은, 세로 감기형 코일 부품(인덕터)에 본 발명을 적용한 예를 도시한다. 이 경우의 세라믹 소체(60)는, 양단부에 플랜지부(61, 62)를 갖고, 그 사이에 권취 코어부(63)를 갖는 페라이트 코어이다. 코어(60)의 한쪽 플랜지부(61)의 상면의 외부 전극 형성 영역에는 레이저 가공 등에 의해 저저항부가 형성되고, 그 위에 외부 전극(64, 65)이 도금 처리에 의해 형성되어 있다. 또한, 권취 코어부(63)의 둘레면에는 피복된 와이어(도시하지 않음)가 권회되고, 그 양단부가 각각 외부 전극(64, 65)에 접속된다. 또한, 도 9, 도 10에서는 2개의 외부 전극(64, 65)을 형성한 예를 도시했지만, 2개의 와이어를 사용한 경우에는, 플랜지부(61) 위에 4개의 외부 전극을 형성해도 된다.
도 12는 다단자형 전자 부품에 본 발명을 적용한 예를 도시한다. 이 전자 부품 본체(70)는 세라믹 소체를 포함하고, 그 길이 방향 양측면에 복수(여기서는 6개)의 외부 전극(71 내지 76)이 형성되어 있다. 또한, 외부 전극(71 내지 76)의 일부가, 세라믹 소체(70)의 상면 또는 하면에까지 확장되어 있어도 된다. 외부 전극(71 내지 76)은, 세라믹 소체(70)의 내부 전극 또는 외표면에 형성된 회로부와 접속되어 있다. 이 경우의 외부 전극(71 내지 76)도, 레이저 가공 등의 국소 가열과, 그 후의 도금 처리에 의해 형성된다.
본 발명은 적층형 인덕터의 외부 전극이나, 권선형 인덕터(페라이트 코어)의 전극 형성에 적용한 예를 나타냈지만, 이것에 한정하는 것은 아니다. 본 발명이 대상으로 하는 세라믹 전자 부품으로서는, 인덕터에 한하지 않고, 레이저 조사에 의해 변질되어, 도금 전극의 석출 기점이 되는 저저항부가 형성되는 세라믹 소체를 사용한 전자 부품이라면, 적용 가능하다. 즉, 세라믹 소체의 재질은 페라이트에 한정되지 않는다. 또한, 전자 부품의 구조는, 내부 전극을 갖는 구조나, 복수의 절연층을 적층한 구조에 제한하지 않는다. 도금 처리 방법으로서, 전해 도금을 사용한 예를 나타냈지만, 무전해 도금을 사용해도 된다.
상기 실시예에서는, 국소적인 가열 방법으로서 레이저 조사를 사용했지만, 전자 빔의 조사, 이미지 로를 사용한 가열 등도 적용 가능하다. 어떤 경우라도, 열원의 에너지를 집광하여 세라믹 소체의 외부 전극 형성 영역을 국소 가열할 수 있기 때문에, 다른 영역의 전기적 특성을 손상시킬 일이 없다.
본 발명에 있어서, 하나의 레이저를 분광하여, 복수 개소에 동시에 레이저를 조사해도 된다.
또한, 본 발명에 있어서, 레이저의 초점을 비켜놓아(shift), 레이저의 초점이 맞는 경우에 비하여 레이저의 조사 범위를 확장해도 된다.
본 발명은, 도금 금속이 복수층으로 형성되는 경우에, 도금 금속의 최하층을 전극 형성 영역 전체에 확장되도록 성장시키는 경우에 제한되지 않는다. 도금 금속의 최하층을 전극 형성 영역의 일부에 확장되도록 성장시키고, 도금 금속의 상층을 전극 형성 영역 전체에 확장되도록 성장시켜도 된다.
1: 세라믹 전자 부품
10: 세라믹 소체
20: 내부 전극
21 내지 23: 코일 도체
21a, 23a: 일단부(인출부)
30, 31: 외부 전극
40: 레이저 조사 자국
43: 저저항부
44: 절연 영역
45a: 도금 금속
45: 외부 전극
L: 레이저
10: 세라믹 소체
20: 내부 전극
21 내지 23: 코일 도체
21a, 23a: 일단부(인출부)
30, 31: 외부 전극
40: 레이저 조사 자국
43: 저저항부
44: 절연 영역
45a: 도금 금속
45: 외부 전극
L: 레이저
Claims (18)
- 이하의 공정을 구비하는, 세라믹 전자 부품의 제조 방법;
A: 금속 산화물을 함유한 소결 완료된 세라믹 소체를 준비하는 공정;
B: 상기 세라믹 소체 표면의 전극 형성 영역을 국소적으로 가열함으로써, 상기 세라믹 소체의 일부를 저저항화시킨 저저항부를 형성하는 공정;
C: 상기 세라믹 소체에 도금 처리를 행함으로써, 상기 저저항부 위에 전극이 되는 도금 금속을 석출시키고, 상기 도금 금속을 전극 형성 영역 전체에 확장되도록 성장시키는 공정. - 제1항에 있어서,
상기 저저항부는, 상기 세라믹 소체에 포함되는 금속 산화물의 일부가 환원된 환원층을 포함하는, 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제2항에 있어서,
상기 환원층의 표층이 재산화층으로 덮여 있는, 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 국소적으로 가열하는 방법은, 레이저 조사, 전자 빔 조사, 또는 이미지 로에 의한 국소 가열 중 어느 하나인, 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제4항에 있어서,
레이저를 상기 전극 형성 영역에 소정 거리를 두고 복수 개소에 조사함으로써, 복수의 상기 저저항부를 상기 전극 형성 영역에 분산 형성하고,
상기 저저항부 위에 석출된 도금 금속을 핵으로 하여 도금 금속을 성장시키고, 상기 도금 금속끼리 서로 접속될 때까지, 상기 도금 처리를 계속하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제4항에 있어서,
레이저를 상기 전극 형성 영역에 밀하게 조사함으로써, 연속된 상기 저저항부를 상기 전극 형성 영역에 형성하고,
상기 저저항부 위에 석출된 도금 금속을 핵으로 하여 성장하고, 상기 도금 금속이 전극 형성 영역 전체에 확장될 때까지, 상기 도금 처리를 계속하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금 처리는, 전해 도금법을 사용하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세라믹 소체는 페라이트인, 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제8항에 있어서,
상기 세라믹 소체는, Ni-Zn계 페라이트이며,
상기 저저항부는, 상기 페라이트에 포함되는 Fe의 일부가 환원됨으로써 형성되는, 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제8항에 있어서,
상기 세라믹 소체는, Ni-Cu-Zn계 페라이트이며,
상기 저저항부는, 상기 페라이트에 포함되는 Fe 및 Cu 중 적어도 한쪽의 일부를 환원함으로써 형성되는, 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 금속 산화물을 함유한 소결 완료된 세라믹 소체와,
이 세라믹 소체의 표면에 형성되고, 상기 금속 산화물의 일부를 변질시켜서 저저항화시킨 저저항부와,
상기 저저항부 위에 형성된 도금 금속을 포함하는 전극을 갖는 세라믹 전자 부품. - 제11항에 있어서,
상기 저저항부는, 상기 세라믹 소체에 포함되는 금속 산화물의 일부가 환원된 환원층을 포함하는, 세라믹 전자 부품. - 제12항에 있어서,
상기 환원층의 표층이 재산화층으로 덮여 있는, 세라믹 전자 부품. - 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세라믹 소체는 페라이트인, 세라믹 전자 부품. - 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세라믹 소체는 직육면체 형상이며,
상기 세라믹 소체의 내부에는 내부 전극이 형성되고,
상기 내부 전극의 단부가 상기 세라믹 소체의 어느 한쪽의 표면에 노출되어 있고,
상기 내부 전극의 단부가 노출된 표면에 상기 저저항부가 형성되고,
상기 저저항부 위에 상기 전극인 외부 전극이 상기 내부 전극의 단부를 덮도록 형성되어 있는, 세라믹 전자 부품. - 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세라믹 소체는 양단부에 플랜지부를 갖고, 그 사이에 권취 코어부를 갖는 페라이트 코어이며,
상기 권취 코어부의 둘레면에는, 코일 형상의 상기 저저항부가 형성되고,
상기 플랜지부의 표면에는, 상기 코일 형상의 저저항부와 접속된 저저항부가 형성되고,
상기 플랜지부의 저저항부와 상기 코일 형상의 저저항부에 상기 도금 금속을 포함하는 전극이 연속적으로 형성되어 있는, 세라믹 전자 부품. - 제16항에 있어서,
상기 플랜지부의 저저항부 위에 형성된 전극의 막 두께에 비하여, 상기 코일 형상의 저저항부 위에 형성된 전극의 막 두께가 큰, 세라믹 전자 부품. - 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세라믹 소체는 양단부에 플랜지부를 갖고, 그 사이에 권취 코어부를 갖는 페라이트 코어이며,
상기 권취 코어부의 둘레면에는 와이어가 권회되고,
상기 플랜지부의 표면에는 각각 상기 저저항부가 형성되고,
상기 플랜지부의 저저항부 위에 상기 도금 금속을 포함하는 전극이 각각 형성되고,
상기 전극이 상기 와이어의 양단부와 접속되어 있는, 세라믹 전자 부품.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015120751 | 2015-06-16 | ||
| JPJP-P-2015-120751 | 2015-06-16 | ||
| JPJP-P-2016-022323 | 2016-02-09 | ||
| JP2016022323A JP6547651B2 (ja) | 2015-06-16 | 2016-02-09 | セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160148459A true KR20160148459A (ko) | 2016-12-26 |
| KR101947231B1 KR101947231B1 (ko) | 2019-02-12 |
Family
ID=57588392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160071793A KR101947231B1 (ko) | 2015-06-16 | 2016-06-09 | 세라믹 전자 부품의 제조 방법 및 세라믹 전자 부품 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10242789B2 (ko) |
| KR (1) | KR101947231B1 (ko) |
| CN (1) | CN106256930B (ko) |
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|---|---|
| US10242789B2 (en) | 2019-03-26 |
| US20160372255A1 (en) | 2016-12-22 |
| US20190164682A1 (en) | 2019-05-30 |
| CN106256930A (zh) | 2016-12-28 |
| CN106256930B (zh) | 2019-07-23 |
| US11322293B2 (en) | 2022-05-03 |
| KR101947231B1 (ko) | 2019-02-12 |
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Legal Events
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| GRNT | Written decision to grant |