JPH05347214A - 薄形インダクタ/トランスおよびその製造方法 - Google Patents

薄形インダクタ/トランスおよびその製造方法

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JPH05347214A
JPH05347214A JP9121292A JP9121292A JPH05347214A JP H05347214 A JPH05347214 A JP H05347214A JP 9121292 A JP9121292 A JP 9121292A JP 9121292 A JP9121292 A JP 9121292A JP H05347214 A JPH05347214 A JP H05347214A
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JP
Japan
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plate
soft ferrite
shaped soft
spiral coil
hole
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Withdrawn
Application number
JP9121292A
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English (en)
Inventor
Kenichi Tanigawa
健一 谷川
Shingo Katayama
真吾 片山
Yoshio Hirano
芳生 平野
Nobuyoshi Tanaka
信嘉 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
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Publication date
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  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 外部コイル形の薄形インダクタ/トランスお
よびその容易な製造方法を提供する。 【構成】 板状のソフトフェライトに導体を螺旋状のコ
イルに形成して成る薄形インダクタ/トランス。導体を
板状のソフトフェライトに設けたスルーホールを介して
螺旋状のコイルに形成する。導体は導電ペーストをスク
リーン印刷し、焼成する方法ないし、導電層をスルーホ
ールを介して、電気的に接続するよう両面に成膜し、フ
ォト・エッチングする方法により、容易に螺旋状のコイ
ルに形成できる。そして、スルーホールに沿って設けた
切り欠き線により各個に分割する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電源や信号処理用回路
の部品として使用される薄形インダクタ/トランスに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】電子機器の小形、薄形化要求に伴い、電
源や信号処理に用いるインダクタ、トランス等の磁性部
品の小形、薄形化が進められている。小形フェライトコ
アに巻線を施した外部コイル形のインダクタ/トランス
が実用されているが、銅線を用いるため小形化に限界が
あり、また巻線を施すのは容易でない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、外部
コイル形の薄形インダクタ/トランスおよびその容易な
製造方法を提供しようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の薄形インダクタ/トランスでは、板状のソ
フトフェライトに巻線の代わりに、導体を螺旋状のコイ
ルに形成する。そして、板状のソフトフェライトに予め
スルーホールを設け、それらを介して導体を螺旋状のコ
イルに形成することを特徴とする。また導体をスクリー
ン印刷し、焼成する方法、ないしソフトフェライト上に
予め成膜した導電層をフォト・エッチングする方法によ
り形成することを特徴とする。このように、板状のソフ
トフェライトにスルーホールを設けることにより、導体
を容易に螺旋状コイルに形成することが可能となる。
【0005】以下に本発明を詳細に説明する。本発明の
薄形インダクタの基本構造は図1に示したものである。
板状のソフトフェライト1に螺旋状コイル2が形成され
ている。螺旋状コイル2として示した実線および破線は
導体断面の中心線の軌跡である。
【0006】本発明で板状のソフトフェライト1にはM
n−Zn系、Ni−Zn系、Ni−Cu系、Ni−Cu
−Zn系等のスピネル系フェライト、Al置換ガーネッ
ト、Gd置換ガーネット等のガーネット系フェライト等
の酸化物軟質磁性材料が適用できる。これらの内、絶縁
性のより高いNi−Zn系、Ni−Cu−Zn系を用い
るのが好ましい。Mn−Zn系は絶縁抵抗が小さいた
め、その上に絶縁層を設けた方が良い。
【0007】板状のソフトフェライト1の厚さは任意の
厚さが可能であるが、30〜2000μmが好ましい。
30μmより薄いと、耐曲げ性が低下し、外力により容
易に曲がるためである。また、2000μmを超える
と、導体を螺旋状コイルに形成することが難しく成るた
めである。大きさも任意の大きさが可能であるが、容易
に形成できる導体の幅が70〜2000μmであるた
め、2mm×3mm〜10mm×50mmが好ましい。
【0008】本発明で螺旋状コイル2に適用できる導体
材料には銅、銀、金、アルミニウム等各種金属およびそ
れらの合金系が挙げられる。螺旋状コイル2は、インダ
クタンス、直流重畳特性、ソフトフェライトのサイズ等
に応じて、断面形状、長さ、巻数等を任意に設計し、形
成することが可能である。
【0009】板状のソフトフェライト1の形状は図1で
は短冊形の開磁路構造としたが、リング形等の閉磁路構
造とすることも可能である。螺旋状コイルを複数交互に
設けるか、絶縁層を介して複数積層して設けることによ
り、薄形トランスが得られる。これらは薄い板状の磁性
体を用いるため、主に高周波用途に適する構造である。
即ち、高周波動作で渦電流損失を下げることができ、高
いインダクタンスを得るのに有利である。
【0010】開磁路構造では漏洩磁束が発生する。高密
度実装を行い、部品間の距離が短くなると、放射ノイズ
が問題となる。そこで、フェライトコンポジットで囲ん
だり、フェライトペーストで囲い、焼成するなどによ
り、モールドしても良い。磁気シールド効果のみなら
ず、インダクタンスを高めることができる。
【0011】外部端子は板状のソフトフェライトの左右
側面等適当な位置に設け、螺旋状コイルの端に接続す
る。螺旋状コイルの端は側面に沿って端子部として設け
るのが好ましい。外部端子は導電ペーストを焼き付けた
り、メッキ等により作製可能である。得られた薄形イン
ダクタないしトランスは螺旋状コイルを電気的に直列に
接続し、縦および/または横に立体的に配置することに
より、任意の形状、サイズ、特性のものが得られる。
【0012】螺旋状コイルは、板状のソフトフェライト
に予めスルーホールを設け、それらを介して形成する。
実際の工程は複数個の薄形インダクタ/トランスを同時
に製造する。1例として、同時に薄形インダクタを4個
製造する場合のレイアウトを図2に示す。板状のソフト
フェライト1′に予めスルーホール3を設け、それらを
介して螺旋状コイル2を形成する。スルーホール3に沿
って、切り欠き線4,4′を予め設けておき、分割する
ことにより、各個を得る。
【0013】螺旋状コイル2は板状のソフトフェライト
1上に導電ペーストをスクリーン印刷し、焼成する方
法、ないし板状のソフトフェライト1上に予め成膜した
導電層をフォト・エッチングする方法等により任意に形
成できる。スクリーン印刷し、焼成する方法はハイブリ
ッドICの製造に多く用いられており、量産に適する方
法である。スクリーン印刷時、導体用導電ペーストは予
め板状のソフトフェライト1に設けたスルーホール3を
介して、両面で容易につながり、焼成後電気的に接続さ
れる。スルーホール3の大きさは板状のソフトフェライ
ト1の板厚、導体の幅、高さ、導電ペーストの粘度等に
応じて、最適に設ければ良い。
【0014】予め成膜した導電層をフォト・エッチング
する方法はプリント配線板の銅箔をフォト・エッチング
し、電気配線を形成するのに主に用いられている。導電
層の成膜方法としては、導電箔をプレス加工等により圧
着する方法、電気メッキ、無電解メッキ等により湿式メ
ッキする方法、溶融メッキ、金属溶射、気相メッキ、及
び真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等の真空メッキ等により乾式メッキする方法等があ
る。板状のソフトフェライト1に予めスルーホール3を
設け、これにメッキ等により導電層を成膜すると、導電
層はスルーホール3を介して、板状のソフトフェライト
1の両面で容易に電気的に接続される。成膜した導電層
をフォト・エッチングすることによりスルーホール3を
介して、螺旋状コイル2を形成できる。導電箔をプレス
加工等により圧着すると、導電層はスルーホール3を介
して、板状のソフトフェライト1の両面で電気的に接続
されない。成膜した導電層をフォト・エッチングするこ
とにより、導体2を形成し、スルーホール3に導電ペー
スト、メッキ液等の導電材料を注入し、乾燥、焼成を行
うことにより、導体を基板の両面で電気的に接続でき、
螺旋状のコイルに形成できる。
【0015】板状のソフトフェライト1はドクターブレ
ード法、金型成形法、圧延加工法等により成形し、乾
燥、焼成する方法等により作成される。薄形インダクタ
/トランスの製造時、グリーンシートを使用し、焼成す
ることにより焼結体とすることも可能である。
【0016】絶縁層は導体に電流を流した時、板状のソ
フトフェライトと導通し、ショートするのを防ぐため設
け、ポリイミド等の高分子またはSiO2 、ガラス、硬
質炭素膜等の無機物の膜が可能である。無機物は熱伝導
率が高分子に比べ、大きいため、導体や板状のソフトフ
ェライトで損失により発生する熱を放散し易く、温度上
昇を防止するのに適している。無機膜は(ガラス等を)
ペースト化し、印刷後、焼成する方法、有機塩または無
機塩を用いるゾル・ゲルプロセスによる方法、溶射、及
び真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等の真空メッキ等により乾式メッキする方法により
成膜される。
【0017】
【実施例】(実施例1)板状のソフトフェライト1′
に、予め直径300μmのスルーホール3を設けた2イ
ンチ平方、600μm厚さの3種の組成のものを使用
し、螺旋状コイル2をCuペーストをスクリーン印刷
後、焼成することにより形成した。3種の組成はNi
0.30Zn0.70Fe2 4 のNi−Zn系、Ni0.1 Cu
0.25Zn0.65Fe2 4 のNi−Cu−Zn系、(Mn
O)35(ZnO)12(Fe2 3 53のMn−Zn系で
ある。ただし、Mn−Zn系は絶縁抵抗が小さいため、
その上に予めガラスペーストを印刷後、焼成することに
より絶縁層を20μm厚さで設けた。Cuペーストはス
ルーホール3を介して、板状のソフトフェライト1′の
両面で電気的に接続された。次に、予めスルーホール3
に沿って設けた切り欠き線4,4′により各個に分割し
た。これにより板状のソフトフェライト1に螺旋状コイ
ル2を形成して成るインダクタをそれぞれ16個ずつ容
易に得ることができた。外部端子は板状のソフトフェラ
イト1の左右側面に、Cuペーストを焼き付け、螺旋状
コイル2の端に接続して作製した。
【0018】得られたインダクタは、板状のソフトフェ
ライト1の大きさが5mm×20mm×600μm厚さであ
り、螺旋状コイル2の巻数38、コイル幅250μm、
コイル厚さ20μmであり、総厚640〜680μmと
薄くできた。
【0019】尚、インダクタに周波数500kHz 、振幅
1mAの正弦波交流を加え、インダクタンスを測定した。
測定値は80〜120μHであった。また、定電流電源
を用いて、正弦波交流に100mAの直流を重畳してもイ
ンダクタンスは低下しなかった。
【0020】(比較例1)板状のソフトフェライトに、
5mm×20mm×600μm厚さ、組成Ni0.30Zn0.70
Fe2 4 (N−Zn系)のものを使用し、これに直径
80μmの銅線を巻くことにより巻数38のインダクタ
の作製を試みた。銅線の断面積は実施例1で形成した導
体の断面積とほぼ等しくした。銅線は細く、端の固定が
難しいため、均一に巻くのは容易でなかった。また外部
端子を設け、銅線の端に接続するのは容易でなかった。
そこで、外部端子を両端に設けたボビンを用い、これに
銅線を巻き、銅線の端を外部端子とはんだで接続するこ
とによりインダクタを作製した。インダクタの厚さはボ
ビンを用いたため、2mmとなった。以上、実施例1と比
べ製造は容易でなく、インダクタは厚くなった。
【0021】(実施例2)板状のソフトフェライト1′
に、予め直径300μmのスルーホール3を設けた3種
の組成のグリーンシートを使用し、螺旋状コイル2をA
gペーストをスクリーン印刷後、焼成することにより形
成した。焼成後の板状のソフトフェライト1′の大きさ
は2インチ平方、600μm厚さである。3種の組成は
Ni0.30Zn0.70Fe2 4 のNi−Zn系、Ni0.1
Cu0.25Zn0.65Fe2 4 のNi−Cu−Zn系、
(MnO)35(ZnO)12(Fe2 3 53のMn−Z
n系である。ただし、Mn−Zn系は絶縁抵抗が小さい
ため、グリーンシート上に予めガラスペーストを印刷
し、焼成することにより絶縁層を20μm厚さで設け
た。Agペーストはスルーホール3を介して、板状のソ
フトフェライト1の両面で電気的に接続された。次に、
予めスルーホール3に沿って設けた切り欠き線4,4′
により各個に分割した。これにより板状のソフトフェラ
イト1に螺旋状コイル2を形成して成るインダクタをそ
れぞれ16個ずつ容易に得ることができた。外部端子は
板状のソフトフェライト1の左右側面に、Agペースト
を焼き付け、螺旋状コイル2の端に接続して作製した。
【0022】得られたインダクタは、板状のソフトフェ
ライト1の大きさが5mm×20mm×600μm厚さであ
り、螺旋状コイル2の巻数38、コイル幅250μm、
コイル厚さ20μmであり、総厚640〜680μmと
薄くできた。尚、インダクタに周波数500kHz 、振幅
1mAの正弦波交流を加え、インダクタンスを測定した。
測定値は80〜120μHであった。また、定電流電源
を用いて、正弦波交流に100mAの直流を重畳してもイ
ンダクタンスは低下しなかった。
【0023】(実施例3)板状のソフトフェライト1′
に、予め直径300μmのスルーホール3を設けた2イ
ンチ平方、600μm厚さの3種の組成のものを使用
し、メッキによりCuの導電層を20μm厚さに成膜し
た。3種の組成はNi0.30Zn0.70Fe2 4 のNi−
Zn系、Ni0.1 Cu0.25Zn0.65Fe2 4 のNi−
Cu−Zn系、(MnO)35(ZnO)12(Fe
2 3 53のMn−Zn系である。Cu導電層はスルー
ホール3を介して、板状のソフトフェライト1の両面で
容易に電気的に接続された。ただし、Mn−Zn系は絶
縁抵抗が小さいため、その上に予めガラスペーストを印
刷し、焼成することにより絶縁層を20μm厚さで設け
た。成膜したCu導電層をフォト・エッチングすること
により、螺旋状コイル2を形成した。次に、予めスルー
ホール3に沿って設けた切り欠き線4,4′により各個
に分割した。これにより板状のソフトフェライト1に螺
旋状コイル2を形成して成るインダクタをそれぞれ16
個ずつ容易に得ることができた。外部端子は板状のソフ
トフェライト1の左右側面に、Cuペーストを焼き付
け、螺旋状コイル2の端に接続して作製した。
【0024】得られたインダクタは、板状のソフトフェ
ライト1の大きさが5mm×20mm×600μm厚さであ
り、螺旋状コイル2の巻数38、コイル幅250μm、
コイル厚さ20μmであり、総厚640〜680μmと
薄くできた。尚、インダクタに周波数500kHz 、振幅
1mAの正弦波交流を加え、インダクタンスを測定した。
測定値は80〜120μHであった。また、定電流電源
を用いて、正弦波交流に100mAの直流を重畳してもイ
ンダクタンスは低下しなかった。
【0025】
【発明の効果】板状のソフトフェライトにスルーホール
を設けることにより、導体をスルーホールを介して螺旋
状のコイルに形成することができ、外部コイル形の薄形
インダクタ/トランスが容易に製造可能となった。導体
を導電ペーストをスクリーン印刷し、焼成する方法によ
り形成すると、導電ペーストはスクリーン印刷時、スル
ーホールを介して、板状のソフトフェライトの両面で容
易につながり、焼成後電気的に接続されるため、螺旋状
のコイルに形成することができる。また、板状のソフト
フェライト上にメッキ等により導電層を成膜すると、導
電層はスルーホールを介して、板状のソフトフェライト
の両面で容易に電気的に接続されるため、導電層をフォ
ト・エッチングすることにより螺旋状のコイルに形成す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の薄形インダクタの構造例である。
【図2】本発明の薄形インダクタを複数取りする場合の
レイアウト例を示す平面図である。
【符号の説明】
1,1′ 板状のソフトフェライト 2 螺旋状コイル 3 スルーホール 4,4′ 切り欠き線
フロントページの続き (72)発明者 田中 信嘉 神奈川県川崎市中原区苅宿228番地 株式 会社ユタカ電機製作所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 板状のソフトフェライトに、導体を螺旋
    状のコイルに形成してなる薄形インダクタ/トランス。
  2. 【請求項2】 板状のソフトフェライトにスルーホール
    を設け、導電ペーストをスクリーン印刷し、焼成する方
    法により、導体をスルーホールを介して、スルーホール
    で囲まれた板状のソフトフェライト部分に螺旋状のコイ
    ルに形成し、スルーホールに沿って設けた切り欠き線に
    より分割することを特徴とする薄形インダクタ/トラン
    スの製造方法。
  3. 【請求項3】 板状のソフトフェライトにスルーホール
    を設け、導電層をスルーホールを介して、電気的に接続
    するよう両面に成膜し、フォト・エッチングする方法に
    より、導体をスルーホールで囲まれた板状のソフトフェ
    ライト部分に螺旋状のコイルに形成し、スルーホールに
    沿って設けた切り欠き線により分割することを特徴とす
    る薄形インダクタ/トランスの製造方法。
JP9121292A 1992-04-10 1992-04-10 薄形インダクタ/トランスおよびその製造方法 Withdrawn JPH05347214A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100576877B1 (ko) * 2004-11-17 2006-05-10 삼성전기주식회사 평면형 인덕터의 제조 방법
JP2013527620A (ja) * 2010-05-26 2013-06-27 タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション 平面インダクタデバイス

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Effective date: 19990706