CN106256930A - 陶瓷电子部件的制造方法以及陶瓷电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及能够利用简单的手法在烧结完毕陶瓷坯体的表面的任意的部分形成电极的陶瓷电子部件的制造方法以及利用该方法制造的陶瓷电子部件。该陶瓷电子部件的制造方法具备：准备含有金属氧化物的烧结完毕陶瓷坯体(10)的工序；通过在上述陶瓷坯体(10)的表面的电极形成区域照射激光L，形成使上述陶瓷坯体(10)的一部分低电阻化的低电阻部(40)的工序；以及通过在上述陶瓷坯体进行电镀处理，使成为电极的电镀金属(14a)在上述低电阻部(40)上析出，并使该电镀金属以扩展至电极形成区域整体的方式生长的工序。

Description

陶瓷电子部件的制造方法以及陶瓷电子部件
技术领域
本发明涉及陶瓷电子部件的制造方法以及陶瓷电子部件，特别是涉及陶瓷电子部件的电极的形成。
背景技术
以往，陶瓷电子部件的外部电极的形成方法一般在烧结完毕的陶瓷坯体的两端面涂覆电极糊，烘焙而形成基底电极后，通过电镀处理在该基底电极上形成上层电极。然而，在该方法中，基底电极的形成需要糊的涂覆工序和伴随着烘焙的加热工序，因此存在导致制造工序的复杂化以及成本上升的问题。
另外，在基底电极的形成中涂覆导电糊时，存在其涂覆形状被制约的问题。例如在立方体形状的陶瓷坯体的两端部利用浸涂法形成导电糊的情况下，导电糊不仅在陶瓷坯体的两端面，也绕到与两端面邻接的四个侧面而进行涂覆。因此，最终形成的外部电极成为扩张至两端面以及与其邻接的四个侧面的形状。
取代这样的以往的电极形成方法，提出有仅利用电镀处理而形成外部电极的方法(专利文献1)。该方法使内部电极的多个端部彼此接近陶瓷坯体的端面而露出，并使被称为锚标签(Anchor tab)的虚拟端子接近与内部电极的端部相同的端面而露出，对陶瓷坯体进行无电解电镀，由此将这些内部电极的端部与锚标签作为核而使电镀金属生长，形成外部电极。
然而，在该方法中，必须在陶瓷坯体的外部电极形成部分使多个内部电极的端部与锚标签接近而露出，从而存在制造工序复杂，导致成本上升的缺点。另外，形成电镀金属的面被内部电极的端部与锚标签露出的面制约，因此无法在任意的部分形成外部电极。
另一方面，专利文献2、3、4公开有，在构成电感器的铁素体的全表面形成电极后，照射激光而烧断电极由此形成线圈图案的方法。此时，激光的热不仅波及电极还波及处于其下侧的铁素体，铁素体的一部分的性质发生变化，从而使导体化或者低电阻化(参照专利文献2的段落0005、专利文献3的段落0004、专利文献4的段落0005)。但是，这些文献中只公开有照射激光而烧断电极，并记载有激光的热给作为电感器的特性带来负面影响。
专利文献1：日本特开2004-40084号公报
专利文献2：日本特开2000-223342号公报
专利文献3：日本特开2000-243629号公报
专利文献4：日本特开平11-176685号公报
发明内容
因此，本发明的目的在于提出利用简单的方法能够在烧结完毕陶瓷坯体的表面的任意的部分形成电极的制造方法以及利用该方法制造的陶瓷电子部件。
为了实现上述目的，本发明提供具备以下工序的陶瓷电子部件的制造方法。
A：准备含有金属氧化物的烧结完毕陶瓷坯体的工序；
B：通过对陶瓷坯体的表面的电极形成区域进行局部加热，形成使上述陶瓷坯体的一部分低电阻化的低电阻部的工序；以及
C：通过在上述陶瓷坯体进行电镀处理，使成为电极的电镀金属在上述低电阻部上析出，并使上述电镀金属以扩展至电极形成区域整体的方式生长的工序。
本发明着眼于以下方面，通过对烧结完毕陶瓷坯体的表面的电极形成区域进行局部加热，使该加热部分低电阻化或者导体化，通过对该陶瓷坯体进行电镀处理，能够使低电阻部成为电镀金属的析出起点。低电阻部(或者导体部)是指通过局部加热使构成陶瓷坯体的金属氧化物质变，比该金属氧化物电阻值低的部分。若对局部加热的陶瓷坯体进行电镀处理，则电镀金属首先在低电阻部析出，电镀金属以该析出的电镀金属作为核迅速生长，由此能够高效地形成覆盖电极形成区域整体的电极。因此，不需要以往那样的导电糊的涂覆、烘焙之类的复杂的工序，使电极的形成工序变简易。并且，不需要如专利文献1那样使多个内部电极、锚标签接近陶瓷坯体的端面而露出，因此对电极的形状没有制约，而且制造工序简单化，能够减少成本。
低电阻部也可以包括将陶瓷坯体所包含的金属氧化物的一部分还原而成的还原层。金属氧化物的一部分还原，从而将金属氧化物导体化或者半导体化，容易使电镀金属析出。并且，也可以成为还原层的表层的一部分或者全部被再氧化层覆盖的结构。在形成了再氧化层的情况下，对处于下层的还原层的氧化进行抑制，并且具有能够抑制再氧化层本身的相对于时间的变化的效果。另外，再氧化层是一种半导体，电阻值比作为绝缘体的金属氧化物低，因此电镀金属容易在再氧化层上析出。此外，再氧化层被形成为例如nm级的薄膜状，因此存在用于电解电镀的介质球与再氧化层接触使再氧化层的一部分剥离，或者电镀液侵蚀再氧化层内，在处于再氧化层下的还原层上进行电镀的可能性。
本发明的电极只要是被形成于陶瓷坯体的表面的电极，不局限于外部电极，可以是任意的电极。例如，可以是螺旋状电极、布线电极。作为局部的加热方法，例如存在激光照射、电子束照射、或者使用聚焦炉(image furnace)的局部加热等各种方法。其中，激光照射在迅速改变激光相对于陶瓷坯体的照射位置的方面有利。
本发明中仅对电极形成区域进行局部加热，并进行电镀处理，因此能够在任意的部分形成电极。例如，在使用以往的导电糊的方法中，形成异形电极即在两端面与同该两端面邻接的一个侧面(侧视L字形的)形成外部电极、或者以隔开间隔的方式在一个侧面形成多个外部电极是困难的，本发明中这样的任意的形状的外部电极也能够简单地形成。局部加热可以仅在陶瓷坯体的表层部，因此对作为陶瓷电子部件(例如电感器)的特性不会带来实际的影响。
作为电镀处理的方法，电解电镀、无电解电镀均可以，但优选电解电镀法。即，电解电镀法中作为电镀的对象物需要导电性。通过本发明方法形成的低电阻部具有导电性，因此在电解电镀时在低电阻部流动的电流密度比其他部分高，电镀金属迅速地在低电阻部析出。在以往的电镀法中，在未欲对陶瓷坯体的一部分实施电镀的情况下，需要在该部分预先涂布防止电镀材料。本发明中，电镀电极以低电阻部作为核在电极形成区域迅速扩张，相对于此，电极形成区域以外的部分是绝缘性的，没有成为核的导电部分，因此电镀电极的生长速度慢。因此，不涂布防止电镀材料，也能够使电镀金属在电极形成区域选择性地生长。另外，通过电解电镀被形成于低电阻部的电镀金属的厚度比其他部分厚，因此具有电镀电极相对于陶瓷坯体的固定强度高的优点。
本发明也能够在具有内部电极的电子部件中应用。例如也可以相对于立方体形状的陶瓷坯体，在内部电极的端部露出的面通过激光照射等形成低电阻部，通过电镀处理以覆盖内部电极的端部的方式形成外部电极。只要是能够激光加工等局部加热的面，能够在任意的面形成电极。例如，也能够不在宽度方向两侧面形成电极。对于不在宽度方向两侧面形成外部电极的电子部件而言，在高密度安装该电子部件的情况下，能够确保与在宽度方向上邻接的电子部件之间的绝缘距离，能够减少短路的风险。因此，能够进行进一步的高密度安装。并且，在仅在陶瓷坯体的下表面(底面)形成外部电极的情况下，仅在底面安装，因此能够进一步减少与周围的电子部件的短路的产生风险。
本发明在例如绕线型线圈部件也能够应用。即，也可以构成为，陶瓷坯体是在两端部具有凸缘部，在其间具有卷芯部的铁素体芯部，在铁素体芯部的卷芯部通过激光加工等形成线圈形状的低电阻部，在芯部的凸缘部通过激光加工等形成外部电极形状的低电阻部，线圈形状的低电阻部与外部电极形状的低电阻部连接，在线圈形状的低电阻部上与外部电极形状的低电阻部上连续地形成电镀电极。此时，线圈部与外部电极部均能够通过激光加工等形成，因此制造进一步简单。此外，通过对激光强度进行调整等的方法，也能够使线圈部的电极比外部电极厚。
另外，也可以构成为，陶瓷坯体是在两端部具有凸缘部，在其间具有卷芯部的铁素体芯部，在卷芯部的周面卷绕有导线，在凸缘部的表面分别形成低电阻部，在凸缘部的低电阻部上分别形成由电镀金属构成的电极，电极与导线的两端部连接。此时，卷线部由金属线形成，因此磁效率高，并且外部电极能够成为本发明的较薄的电极，因此能够实现涡流损失少、高Q值的电感器。
在作为局部加热的方法使用激光的情况下，激光能量在狭窄的区域集中，因此陶瓷坯体的一部分熔融和凝固，在陶瓷坯体的表面形成线状或者点状的激光照射痕，在其周围附近形成低电阻部。激光照射痕以及低电阻部的深度、宽度可通过激光的照射能量(波长、输出等)来调整。在低电阻部析出的电镀金属沿着凹状的激光照射痕的内壁固定，因此通过其锚栓效果能够提高电镀金属(电极)相对于陶瓷坯体的固定强度。
为了使低电阻部几乎不存在间隙，也可以将激光密集地照射于电极形成区域。此时，低电阻部也连续地形成，因此电镀金属迅速析出/生长，能够缩短电镀处理时间。此外，“密集地照射”是指激光照射的光斑中心的间隔与低电阻部的展宽相等或者比其窄。即，在将激光照射的光斑中心的间隔设为D，将光斑的直径(低电阻部的展宽)设为W的情况下，D≤W。
在如上述那样在电极形成区域密集地照射激光的情况下，需要多次发射次数，花费加工时间。因此，也可以在电极形成区域以隔开规定距离的方式分散地照射激光，由此在电极形成区域分散形成多个低电阻部，以在低电阻部上析出的电镀金属作为核生长，继续电镀处理直至电镀金属彼此相互连接。此处，“分散照射”是指激光照射的光斑中心的间隔比低电阻部的展宽更宽。即，在将激光照射的光斑中心的间隔设为D，将光斑的直径(低电阻部的展宽)设为W的情况下，D＞W。电镀处理的优点是若电镀金属在一部分析出，则电镀金属将该部分作为核向周围迅速生长。利用该优点，电镀金属在多个分散的低电阻部析出后，将此作为核使电镀金属也向低电阻部以外的区域生长，因此能够遍及电极形成区域的全域形成均质的电极。因此，不密集地照射激光也能够形成质量优良的电极，能够缩短激光加工时间。
作为照射激光而能够低电阻化或者导体化的代表的陶瓷材料，存在铁素体。铁素体是以氧化铁为主要成分的陶瓷，例如有尖晶石铁素体、六方晶铁素体、石榴石铁素体等。若对铁素体照射激光，则照射部分成为高温，具有绝缘性的铁素体的表层部分质变而具有导电性。用于电感器的铁素体例如有Ni-Zn系铁素体、Ni-Cu-Zn系铁素体等。在Ni-Zn系铁素体的情况下，可认为通过激光照射使铁素体所包含的Fe的一部分还原，而且存在Ni和/或Zn也还原的可能性。在Ni-Cu-Zn系铁素体的情况下，可认为铁素体所包含的Fe和/或Cu还原，而且存在Ni和/或Zn也还原的可能性。
如以上那样，根据本发明，对烧结完毕陶瓷坯体的电极形成区域进行局部加热而形成低电阻部，对该陶瓷坯体进行电镀处理，由此使电镀金属在低电阻部上析出，使该电镀电极在电极形成区域全域生长，因此能够通过简单的方法形成电极。另外，只要是能够局部加热的区域能够在任意的部分形成电极，因此能够简单地形成任意形状的电极。
附图说明
图1是本发明的陶瓷电子部件的第一实施例的立体图。
图2是图1所示的陶瓷电子部件的分解立体图。
图3是表示在外部电极形成区域照射激光的情况的立体图。
图4是表示外部电极的形成工序的剖视图。
图5是低电阻部的一个例子的放大剖视图。
图6是表示本发明的陶瓷电子部件的安装例的图。
图7是表示外部电极的形成工序的其他例子的剖视图。
图8是表示本发明的陶瓷电子部件的几个实施例的立体图。
图9是表示作为本发明的陶瓷电子部件的一个例子的绕线型电感器的图。
图10是表示本发明的绕线型电感器的其他例子的图。
图11是表示作为本发明的陶瓷电子部件的一个例子的纵向卷绕型线圈部件的图。
图12是表示作为本发明的陶瓷电子部件的一个例子的多端子型的电子部件的图。
附图标记的说明
1...陶瓷电子部件；10...陶瓷坯体；20...内部电极；21～23...线圈导体；21a、23a...一端部(引出部)；30、31...外部电极；40...激光照射痕；43...低电阻部；44...绝缘区域；45a...电镀金属；45...外部电极；L...激光。
具体实施方式
图1示出作为本发明的陶瓷电子部件的一个例子的片式电感器1。电感器1具备烧结完毕陶瓷坯体10，在陶瓷坯体10的长度方向两端部形成有外部电极30、31。如图1所示，该实施例的电感器1的形状是与Y轴以及Z轴方向的尺寸相比，X轴方向的尺寸更长的立方体。
如图2所示，通过例如将以Ni-Zn系铁素体或者Ni-Cu-Zn系铁素体作为主体的绝缘体层12a～12e层叠并烧结可得到陶瓷坯体10。绝缘体层12a～12e沿上下方向(Z轴方向)依次层叠。在除去上下两端的绝缘体层12a、12e的中间的绝缘体层12b～12d上分别形成有构成内部电极20的线圈导体21～23。这三个线圈导体21～23通过通孔导体24、25彼此连接，作为整体形成为螺旋状。线圈导体21～23以及通孔导体24、25由Au、Ag、Pd、Cu、Ni等导电性材料形成。线圈导体21的一端部(引出部)21a在陶瓷坯体10的X轴方向的一端面露出，线圈导体23的一端部(引出部)23a在陶瓷坯体10的X轴方向的另一端面露出。此外，该实施例示出线圈导体21～23形成2匝量的线圈的例子，但匝数是任意的，线圈导体的形状以及绝缘体层的层数也能够任意选择。另外，不具有线圈导体的绝缘体层12a、12e的层数也是任意的。
如图1所示，外部电极30、31以覆盖陶瓷坯体10的X轴方向的两端面与上表面(安装时底面)的一部分的方式被形成为侧视L字形。即，在从Y方向观察陶瓷坯体10时，外部电极30、31分别被形成为L字形。外部电极30与线圈导体23的引出部23a连接，外部电极31与线圈导体21的引出部21a连接。此外，外部电极30、31如后述那样通过电镀处理形成，其材料例如使用Cu、Au、Ag、Pd、Ni、Sn等。此外，外部电极30、31本身也可以由多层的电镀金属构成。
图3示出外部电极30、31形成在陶瓷坯体10上之前，在外部电极形成区域S1、S2照射激光L的情况。图3的(a)示出连续照射激光L并且沿着Y轴方向扫描的例子(或者使陶瓷坯体10沿Y轴方向移动的例子)。此外，扫描方向是任意的，可以是X轴方向(或者Z轴方向)，也可以是之字形状、环绕状。通过激光L的照射，在陶瓷坯体10的表面形成多条线状的激光照射痕40。此外，图3的(a)示出以隔开间隔的方式沿X轴方向形成线状的激光照射痕40的例子，但也可以激光照射痕40彼此以相互重叠的方式密集地形成。图3的(b)示出以点状照射激光L的例子。此时，多条点状的激光照射痕41分散地形成于陶瓷坯体10的表面。图3的(c)示出以虚线状照射激光L的例子。此时，多条虚线状的激光照射痕42分散地形成于陶瓷坯体10的表面。在任一情况下，优选遍及外部电极形成区域S1、S2的全域均衡地照射激光L。
图4示出外部电极的形成过程的一个例子的简要情况。特别是示出在外部电极形成区域以隔开规定的间隔的方式线状地照射激光L的情况。
图4的(A)示出首先在陶瓷坯体10的表面的外部电极形成区域照射激光，由此在陶瓷坯体10的表面形成了剖面V字状或者U字状的激光照射痕40的状态。此外，图4的(A)示出激光L聚光于1点的例子，实际上照射激光L的光斑也可以具有一定程度的面积。该激光照射痕40是通过激光照射使陶瓷坯体10的表层部熔融和凝固的痕。光斑的中心部能量最高，该部分的陶瓷材料容易质变，激光照射痕40的剖面呈近似V字状或者近似U字状。在包括激光照射痕40的内壁面的周围，构成陶瓷坯体的绝缘材料(铁素体)质变，形成有比该绝缘材料电阻值低的导体部或者低电阻部43。具体而言，在陶瓷坯体10为Ni-Zn系铁素体的情况下，可考虑利用激光照射将包含于铁素体的Fe的一部分还原，而且存在Ni和/或Zn也还原的可能性。在Ni-Cu-Zn系铁素体的情况下，可考虑包含于铁素体的Fe和/或Cu还原，而且存在Ni和/或Zn也还原的可能性。低电阻部43的深度、宽度根据激光的照射能量、照射范围等能够改变。
图4的(B)示出通过反复进行激光照射，在外部电极形成区域隔开间隔D地形成了多个激光照射痕40的状态。该例子中激光照射的光斑中心的间隔D比低电阻部43的展宽(例如直径的平均值)W宽，因此在各激光照射痕40间存在低电阻部以外的绝缘区域44。该区域44是构成陶瓷坯体的原来的绝缘材料不质变而露出的区域。
图4的(C)示出将如上述那样通过激光照射形成了低电阻部43的陶瓷坯体10浸渍于电镀液，进行了电镀的初期的状态。具有导电性的低电阻部43的电流密度比其他部分高，因此电镀金属45a仅在低电阻部43的表面析出，还未在绝缘区域44上析出。换句话说，该阶段中未形成连续的外部电极。
图4的(D)示出进行了电镀的末期的状态。通过继续电镀处理，在低电阻部43上析出的电镀金属45a成为核朝周围生长，扩展至与低电阻部43邻接的绝缘区域44上。继续电镀处理直至邻接的电镀金属45a彼此连接，由此能够形成连续的外部电极45。与照射了激光的外部电极形成区域的电镀金属的生长速度相比，外部电极形成区域以外的区域的电镀金属的生长速度慢，因此不严格控制电镀处理时间，也能够在外部电极形成区域使电镀金属选择性地生长。通过对电镀处理时间、电压或者电流进行控制，能够控制外部电极的形成时间、厚度。并且，通过在通过第一次的电镀处理而形成的外部电极45上进行追加的电镀处理，也能够形成多层构造的外部电极。此时，形成有已经成为基底的外部电极45，因此追加的电镀处理时间较短。
-实验例-
以下对实际进行了外部电极的形成的实验例进行说明。
(1)在由Ni-Cu-Zn系铁素体构成的烧结完毕陶瓷坯体，边往返扫描边照射激光。加工条件如以下那样，但波长也可以例如在532nm～10620nm的任一范围。照射间隔是指往返扫描激光的情况的往路与返路的光斑中心的距离。
表1
[激光加工条件]
波长 1064nm(YVO4)
输出 14A
扫描速度 200mm/s
Q switch频率 20kHz
照射间隔(间距) 30μm
光斑径 70μm
能量密度 1J/sec
(2)对激光照射后的陶瓷坯体，用以下的条件进行了电镀。具体而言，使用了滚镀。
表2
[电镀条件]
电镀液 焦磷酸铜电镀液
转速[rpm] 24rpm
电流[A] 12A
温度[℃] 55℃
时间 8min
用上述那样的条件进行了电镀处理的结果，能够在陶瓷坯体的表面形成平均厚度20μm的良好的Cu外部电极。此外，相同的结果在使用Ni-Zn系铁素体的情况下也可得到。另外，作为电镀液，除了焦磷酸铜电镀液以外，还能够使用硫酸铜电镀液、氰化铜电镀液等。
-评价-
相对于在Ni-Cu-Zn系铁素体照射了激光的试料、和未照射激光的试料，通过使用XPS(X射线光电子能谱法)以及转换电子收量法的Fe、Cu、Zn的、K端XAFS(X射线吸收微小构造)，对试料表面的Fe、Cu、Zn的价数进行了评价。XPS的结果，照射了激光的试料的表层部分无法检测出金属成分，下层能够检测出金属成分。另外，XAFS的结果，针对照射了激光的试料的表层部分，能够检测出Cu的金属成分。另一方面，XAFS的结果，针对照射了激光的试料的表层部分，无法检测Fe的金属成分，但能够检测Fe的半导体的成分以及绝缘体的成分。也可知下层Fe2+相对于Fe3+的比例相对于陶瓷坯体整体的比例较大。根据以上内容，可推测出利用激光加工的热使被包含于铁素体的金属氧化物分解，陶瓷坯体的下层的铁素体的金属元素还原，陶瓷坯体的表层部分由于残热而达到再氧化。
图5示出这样形成的低电阻部43的剖面构造的一个例子，在下层形成有还原层43a，其表层被由半导体和/或绝缘体的成分构成的再氧化层43b覆盖。通过这些还原层和再氧化层构成低电阻部。此外，激光照射不局限于大气环境中，也可以在真空中、N2环境中进行激光照射，但在真空中、N2环境中进行了激光照射的情况下，存在不产生再氧化层的可能性。
在形成了上述的再氧化层的情况下，可考虑以下那样的效果。即，作为再氧化层形成的Fe3O4具有常温的再氧化难以进行的性质，也具有对处于下层的还原层的氧化进行抑制，并且能够对再氧化层本身的相对于时间的变化进行抑制的效果。另外，再氧化层是一种半导体，比作为绝缘体的铁素体电阻值低。因此，电镀金属容易在再氧化层上析出。
在本实施方式中，外部电极30、31在侧视中(从Y方向观察陶瓷坯体10时)形成为L字形。换句话说，外部电极30、31仅形成于电感器1的两端面和底面(安装时)，未形成于上表面(安装时)以及Y方向两侧面。因此，如图6的(a)那样，在安装状态下接近电感器1的上方存在其他电子部件2或者导体的情况下，能够减少短路的产生风险。并且，如图6的(b)那样，在与电感器1的Y方向邻接而安装有其他电子部件3的情况下，外部电极30、31未被形成于电感器1的Y方向两侧面，因此能够确保与邻接的电子部件3的绝缘距离，并且也能够确保被涂覆于外部电极的焊锡彼此的距离。因此，能够减少与邻接的电子部件3的短路的风险。其结果，在具有L字形外部电极的电感器1的情况下，能够成为进一步的高密度安装。并且，也具有与以往的外部电极相比，杂散电容的减少的效果。
图7示出外部电极30、31的形成过程的其他例子，特别示出将激光L密集地照射于外部电极形成区域的情况。“密集地照射”是指激光照射的光斑中心的间隔D与低电阻部43的展宽(例如直径的平均值)W相等或者比低电阻部43的展宽W窄，被形成于邻接的激光照射痕40的下侧的低电阻部43彼此相互连接的状态(参照图7的(B))。但是，不需要全部的低电阻部43连接。因此，陶瓷坯体10的外部电极形成区域的几乎全域被低电阻部43覆盖。
此时，如图7的(C)所示，从电镀处理的开始在短时间内在低电阻部43的表面析出电镀金属45a，但这些电镀电极45a几乎接近，因此邻接的电镀电极45a彼此迅速连接。因此，能够在比图4的情况短的时间内形成连续的外部电极45。
如图7那样在将激光L密集地照射于外部电极形成区域的情况下，激光照射痕40也密集地形成，因此成为陶瓷坯体10的表面被削去一部分的状态。在该表面形成有电镀金属45，因此能够使外部电极的表面与陶瓷坯体10的表面成为几乎相同高度或者比陶瓷坯体10的表面低。因此，外部电极本身的厚度薄，从而能够抑制外部电极的突出量，能够实现进一步小型的片部件。
图8示出利用本发明形成的外部电极的各种的形态。图8的(a)在陶瓷坯体10的两端部形成コ字型的外部电极30、31。与图1的实施例相同，内部电极的引出部21a、23a(21a未图示)在陶瓷坯体10的X方向两端面露出，与外部电极30、31连接。在该例中，在陶瓷坯体10的X方向的两端面与上下表面(Z方向两侧面)的一部分形成外部电极30、31，未在Y方向的两侧面形成外部电极。因此，能够使该电子部件1在Y方向上邻接地高密度安装。
图8的(b)仅在陶瓷坯体10的上表面(安装时底面)的两端部形成外部电极30、31。未在另一面形成外部电极。该情况下，内部电极的端部21a、23a未在陶瓷坯体10的X方向两端面露出，仅在上表面与X方向平行地露出。外部电极30、31分别与内部电极的端部23a、21a连接。此时，构成陶瓷坯体10的绝缘体层不是在Z方向而在Y方向上层叠。仅在陶瓷坯体10的底面形成有外部电极，因此能够实现高密度安装所适用的电子部件。
图8的(c)在陶瓷坯体10的上表面(安装时底面)的X方向两端部形成合计四个的外部电极30～33。该情况下，内部电极的端部(未图示)未在陶瓷坯体10的X方向两端面露出，仅在形成有外部电极30～33的上表面露出。如以上那样，使用了本发明方法的外部电极只要是能够进行激光加工与电镀处理的面没有制约，能够形成于任意的部分。
图9是在绕线型电感器的电极形成中应用了本发明的例子。陶瓷坯体50是在两端部具有凸缘部51、52，在其间具有卷芯部53的芯部。作为芯部材料能够使用Ni-Zn系铁素体、Ni-Cu-Zn系铁素体等。通过激光加工在芯部50的凸缘部51、52的上表面以及端面的外部电极形成区域形成低电阻部，在其上通过电镀处理形成有外部电极54、55。另外，在卷芯部53的周面通过激光加工形成有螺旋状的低电阻部，在其上通过电镀处理形成有线圈电极56。螺旋状的低电阻部的两端以与外部电极形成区域的低电阻部连续的方式被进行激光加工，因此通过电镀处理将线圈电极56的两端56a、56b分别与外部电极54、55连接。
在该实施例中，利用激光加工能够连续地形成螺旋状的低电阻部和外部电极用的低电阻部。作为激光加工，例如能够使用将激光位置固定，并使芯部50旋转以及轴向移动的等方法。线圈电极56与外部电极54、55能够通过电镀处理同时形成，因此能够使电感器的制造工序效率化，从而能够减少制造成本。此外，通过对线圈电极56以及外部电极54、55进行多次电镀处理，也能够成为多层构造。此外，在该实施例中，通过电镀处理形成线圈电极56与外部电极54、55，但在卷芯部卷绕了导线的绕线型电感器(铁素体芯部)中，也能够通过电镀处理仅形成与导线连接的外部电极。
如上述那样，在通过相同的激光加工以及电镀处理形成线圈电极56和外部电极54、55的情况下，存在电极56、54、55成为几乎恒定的厚度的可能性。特别是，在欲使线圈电极56所产生的磁通较大的情况下，优选使线圈电极56的厚度比外部电极54、55的厚度厚。在该情况下，例如也可以使朝卷芯部53照射的激光的激光强度比照射于外部电极区域的激光的激光强度高，也可以对朝卷芯部53照射的激光与照射于外部电极区域的激光的照射方式(例如间歇照射与连续照射、照射范围的扩缩等)进行变更。通过提高激光强度，使螺旋状的低电阻部的电阻值比外部电极形成区域的低电阻部的电阻值低，或者使螺旋状的低电阻部的深度比外部电极形成区域的低电阻部的深度深。由此，能够使通过电镀处理被形成于螺旋状的低电阻部的电极56的厚度比被形成于外部电极形成区域的低电阻部的电极54、55的厚度厚。
图10示出绕线型电感器的其他应用例。对与图9相同的部分或者对应部分标注相同附图标记并省略重复说明。在芯部50的凸缘部51、52的上表面、外侧面以及下表面的外部电极形成区域通过激光加工形成有低电阻部，在其上通过电镀处理形成有外部电极54、55。因此，在该实施例中，作为整体形成有コ字形的外部电极54、55。在卷芯部53的周面卷绕有导线57，其两端57a、57b分别与被形成于凸缘部51、52的上表面的外部电极54、55的部分连接。被形成于凸缘部51、52的下表面的外部电极54、55的部分作为安装用电极使用。此外，外部电极54、55的形状不局限于コ字形，例如也可以仅形成于凸缘部51、52的上表面(导线57的连接面)。
在该实施例中，与导线57相比，能够使外部电极54、55更薄地形成，因此具有抑制涡流损失的效果。即，由导线57产生的磁通(图10虚线箭头所示)由于与外部电极54、55交链而产生涡流的损失，该涡流损失与交链的外部电极54、55的厚度的平方成比例。利用本发明方法形成的外部电极54、55与一般的外部电极相比能够更薄地形成，因此能够抑制涡流损失。并且，若作为卷线使用导线57，则产生的磁通密度增加，因此能够得到较高的Q值的电感器。
图11示出在纵向卷绕型的线圈部件(电感器)应用了本发明的例子。该情况下的陶瓷坯体60是在两端部具有凸缘部61、62，在其间具有卷芯部63的铁素体芯部。在芯部60的一个凸缘部61的上表面的外部电极形成区域通过激光加工等形成有低电阻部，在其上通过电镀处理形成有外部电极64、65。另外，在卷芯部63的周面卷绕有带覆盖层的导线(未图示)，其两端部分别与外部电极64、65连接。此外，图9、图10示出形成两个外部电极64、65的例子，在使用两条导线的情况下，也可以在凸缘部61上形成四个外部电极。
图12示出在多端子型的电子部件应用了本发明的例子。该电子部件主体70由陶瓷坯体构成，在其长边方向两侧面形成有多个(这里为六个)外部电极71～76。此外，外部电极71～76的一部分也可以扩展至陶瓷坯体70的上表面或者下表面。外部电极71～76与被形成于陶瓷坯体70的内部电极或者外表面的电路部连接。该情况下的外部电极71～76也通过激光加工等局部加热、其后的电镀处理而形成。
示出本发明应用于层叠型电感器的外部电极、绕线型电感器(铁素体芯部)的电极形成的例子，但不局限于此。作为本发明成为对象的陶瓷电子部件，不局限于电感器，只要是使用了通过激光照射质变，并形成有成为电镀电极的析出起点的低电阻部的陶瓷坯体的电子部件，便能够应用。即，陶瓷坯体的材质不限定于铁素体。并且，电子部件的构造不局限于具有内部电极的构造、和层叠了多个绝缘层的构造。作为电镀处理方法，示出使用了电镀的例子，但也可以使用无电解电镀。
在上述实施例中，作为局部的加热方法使用激光照射，但也能够应用电子束的照射、使用了聚焦炉的加热等。任一情况下，均能够使热源的能量聚集，对陶瓷坯体的外部电极形成区域进行局部加热，因此不会有损其他区域的电特性。
本发明中，将一个激光分光，也可以在多个位置同时照射激光。
另外，在本发明中，与激光的焦点一致的情况相比，也可以使激光的焦点错开，使激光的照射范围变大。
本发明在电镀金属由多层形成的情况下，不局限于使电镀金属的最下层以向电极形成区域整体扩展的方式生长的情况。也可以使电镀金属的最下层以向电极形成区域的一部分扩展的方式生长、使电镀金属的上层以向电极形成区域整体扩展的方式生长。

Claims (18)

1.一种具备以下工序的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，具备：
A：准备含有金属氧化物的烧结完毕陶瓷坯体的工序；
B：通过对所述陶瓷坯体的表面的电极形成区域进行局部加热，形成使所述陶瓷坯体的一部分低电阻化的低电阻部的工序；以及
C：通过对所述陶瓷坯体进行电镀处理，使成为电极的电镀金属在所述低电阻部上析出，并使所述电镀金属以扩展至电极形成区域整体的方式生长的工序。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述低电阻部包括将所述陶瓷坯体所包含的金属氧化物的一部分还原而成的还原层。
3.根据权利要求2所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述还原层的表层被再氧化层覆盖。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述局部加热的方法是利用激光照射、电子束照射或者聚焦炉的局部加热中的任一种。
5.根据权利要求4所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
通过以隔开规定距离的方式使激光照射于所述电极形成区域的多处位置，使多个所述低电阻部分散形成于所述电极形成区域，
将在所述低电阻部上析出的电镀金属作为核而使电镀金属生长，继续所述电镀处理直至所述电镀金属彼此相互连接。
6.根据权利要求4所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
通过将激光密集地照射于所述电极形成区域，将连续的所述低电阻部形成于所述电极形成区域，
将在所述低电阻部上析出的电镀金属作为核而生长，继续所述电镀处理直至所述电镀金属扩展至电极形成区域整体。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述电镀处理使用电解电镀法。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述陶瓷坯体是铁素体。
9.根据权利要求8所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述陶瓷坯体是Ni-Zn系铁素体，
所述低电阻部通过所述铁素体所含有的Fe的一部分还原而形成。
10.根据权利要求8所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述陶瓷坯体是Ni-Cu-Zn系铁素体，
所述低电阻部通过对所述铁素体所包含的Fe以及Cu的至少一方的一部分进行还原而形成。
11.一种陶瓷电子部件，其特征在于，具有：
烧结完毕的陶瓷坯体，其含有金属氧化物；
低电阻部，其被形成于该陶瓷坯体的表面，并使所述金属氧化物的一部分质变而低电阻化；以及
电极，其由被形成在所述低电阻部上的电镀金属构成。
12.根据权利要求11所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述低电阻部包括将所述陶瓷坯体所包含的金属氧化物的一部分还原而成的还原层。
13.根据权利要求12所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述还原层的表层被再氧化层覆盖。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述陶瓷坯体是铁素体。
15.根据权利要求11～14中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述陶瓷坯体是立方体形状，
在所述陶瓷坯体的内部设置有内部电极，
所述内部电极的端部在所述陶瓷坯体的任一个表面露出，
在所述内部电极的端部露出的表面形成有所述低电阻部，
作为所述电极的外部电极以覆盖所述内部电极的端部的方式被形成在所述低电阻部上。
16.根据权利要求11～14中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述陶瓷坯体是在两端部具有凸缘部，在其间具有卷芯部的铁素体芯部，
在所述卷芯部的周面形成有螺旋状的所述低电阻部，
在所述凸缘部的表面形成有与所述螺旋状的低电阻部连接的低电阻部，
在所述凸缘部的低电阻部与所述螺旋状的低电阻部连续地形成由所述电镀金属构成的电极。
17.根据权利要求16所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
与被形成在所述凸缘部的低电阻部上的电极的膜厚相比，被形成在所述螺旋状的低电阻部上的电极的膜厚较厚。
18.根据权利要求11～14中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述陶瓷坯体是在两端部具有凸缘部，在其间具有卷芯部的铁素体芯部，
在所述卷芯部的周面卷绕有导线，
在所述凸缘部的表面分别形成所述低电阻部，
在所述凸缘部的低电阻部上分别形成由所述电镀金属构成的电极，
所述电极与所述导线的两端部连接。
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