KR20160064122A - 전자 부품의 몰딩 및 표면 처리 방법, 및 이 방법에 의해 제조된 전자 부품 - Google Patents

전자 부품의 몰딩 및 표면 처리 방법, 및 이 방법에 의해 제조된 전자 부품 Download PDF

Info

Publication number
KR20160064122A
KR20160064122A KR1020167008962A KR20167008962A KR20160064122A KR 20160064122 A KR20160064122 A KR 20160064122A KR 1020167008962 A KR1020167008962 A KR 1020167008962A KR 20167008962 A KR20167008962 A KR 20167008962A KR 20160064122 A KR20160064122 A KR 20160064122A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electronic component
carrier
mold cavity
electronic
partially encapsulated
Prior art date
Application number
KR1020167008962A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102125263B1 (ko
Inventor
빌헬름무스 게라르두스 요제프 갈
Original Assignee
베시 네덜란드 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 베시 네덜란드 비.브이. filed Critical 베시 네덜란드 비.브이.
Publication of KR20160064122A publication Critical patent/KR20160064122A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102125263B1 publication Critical patent/KR102125263B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14754—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles being in movable or releasable engagement with the coating, e.g. bearing assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3185—Partial encapsulation or coating the coating covering also the sidewalls of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B29C2045/14663—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame the mould cavity walls being lined with a film, e.g. release film
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14754—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles being in movable or releasable engagement with the coating, e.g. bearing assemblies
    • B29C2045/1477—Removable inserts, e.g. the insert being peeled off after moulding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/68—Release sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18162—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a chip with build-up interconnect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

본 개시는 전자 부품의 몰딩 및 표면 처리하는 방법에 관한 것이고, 이때, 전자 부품은 격자 형태로 캐리어 상부에 부착되고; 이후 박편은 캐리어 반대측인 전자 부품의 면에 대하여 배치되고, 전자 부품은 부분적으로 봉지된다. 몰딩 이후 박편은 전자 부품에서 제거되고, 부품의 바깥면은 표면 처리된다. 본 개시는 또한 이러한 방법으로 제조된, 부분 봉지된 전자 부품에 관한 것이다.

Description

전자 부품의 몰딩 및 표면 처리 방법, 및 이 방법에 의해 제조된 전자 부품{ METHOD FOR MOULDING AND SURFACE PROCESSING ELECTRONIC COMPONENTS AND ELECTRONIC COMPONENT PRODUCED WITH THIS METHOD }
본 개시는 연속적인 처리 단계에 의해 전자 부품을 몰딩 및 표면 처리하는 방법에 관한 것이다. 이 처리 단계는 - 특히(among others) - A) 캐리어 상부에 전자 부품을 격자 형태(a grid of)로 부착; B) 상기 캐리어의 반대측인 상기 전자 부품의 면에 대하여 박편을 배치; C) 상기 캐리어 상부의 상기 박편으로 가려진 전자 부품을 몰드 캐비티로 둘러쌈(enclosure); D) 봉지 재료의 몰드 캐비티로의 공급; E) 몰드 캐비티에 공급된 상기 봉지 재료의 적어도 부분적인 경화; F) 캐리어에 부착된 부분 봉지된 전자 부품을 몰드 캐비티로부터 제거;를 포함한다.
캐리어 상부에 실장된(mounted) 전자 부품을 봉지(encapsulation), 그리고 더 상세하게는 반도체 회로(칩) / 집적 회로(integrated circuits, IC's)를 봉지하는 동안, 사용은 보통 종래 기술에 따라 두 개의 반쪽 몰드(mould halves)가 제공되고, 적어도 하나에 하나 이상의 몰드 캐비티를 오목한(recessed)게 한, 봉지 프레스(encapsulating presses)로 이루어진다.
반쪽 몰드 사이에 봉지하기 위한 전자 부품을 갖는 캐리어를 배치한 이후에, 반쪽 몰드는 서로 가까워질(moved toward) 수 있다(예를 들어, 캐리어를 고정(clamp)). 보통 열처리되고, 액체 봉지 재료는, 보통 트랜스퍼 몰딩 의해 몰드 캐비티에 채워질 수 있다. 대안적으로, 작은 알갱이로서의 봉지 재료를 몰드 캐비티 안에 넣는 것도 가능하고, 이 경우, 몰딩되는 부품은 몰딩 재료로 프레스된다; 압축 몰딩이 트랜스퍼 몰딩에 대해 대안적이다. 봉지 재료로서 적용되는 것은, 주로 충전 재료(filler material)로 제공되는 (레진(resin)이라고도 불리우는)에폭시(epoxy)이다. 몰드 캐비티/캐비티들 내의 봉지 재료의 적어도 부분적인 (화학적) 큐어링 이후, 봉지된 전자 부품의 캐리어는 봉지 프레스(encapsulating press)에서 꺼내진다. 그리고, 봉지된 제품은 추가적인 공정 동안 서로 분리된다. 박편의 사용은, 박편으로 커버된 전자 부품의 일부를 차폐(screen) 또는 커버하기 위함이고, 따라서, 전자 부품의 일부가 봉지 재료에 의해 커버되는 것을 방지하기 위함이다. ("가공되지 않은 원상태의 다이(bare die)" 제품으로서 언급되는 오버 몰딩된 제품이 아닌(not over moulded products))부분적으로 커버된 제품은, 예를 들어 센서 부품 또는 방열 부품(heat dissipating components)의 다양한 유형과 같은 다양한 적용에 사용될 수 있다. 몰딩 방법은 큰 산업적인 규모로 수행되고, 부분적으로 커버되지 않은 전자 부품의 몰딩을 상당히 제어할 수 있다. 부분적으로 몰딩되고 분리된 전자 부품의 후속 공정 동안의 문제는, 특히, 몰딩 공정 동안 수행되는 가열 및 냉각(heating and cooling) 때문에, 몰딩된 제품의 치수의 정확도가 완전히 제어 가능하지 않다는 것이다.
본 개시는 전자 부품의 부분적인 몰딩 방법의 선행 기술의 이점들은 유지하지만, 후속의 처리 단계에서, 부분 몰딩된 전자 부품(partial moulded electronic components)의 보다 좋고 더 정밀한 처리가 가능하게 하는, 대안적인 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시는 상기 목적을 위해 : A) 캐리어 상부에 전자 부품을 격자 형태(a grid of)로 부착하는 단계; B) 상기 캐리어에 반대측인(opposite) 상기 전자 부품의 면에 대하여 박편(foil)을 배치하는 단계; C) 상기 캐리어 상부의 상기 박편으로 가려진 전자 부품(foil covert electronic components)을 몰드 캐비티(mould cavity)로 둘러 싸는(enclosing) 단계; D) 상기 몰드 캐비티에 봉지 재료(encapsulating material)를 공급하는(feeding) 단계; E) 상기 몰드 캐비티에 공급된 상기 봉지 재료의 적어도 부분적인 경화(hardening) 단계; F) 상기 캐리어에 부착된 상기 부분 봉지된 전자 부품(partial encapsulated electronic components)을 몰드 캐비티로부터 제거하는 단계; G) 상기 캐리어에 부착된 상기 부분 봉지된 전자 부품으로부터 상기 박편을 제거하는 단계; H) 상기 캐리어에 부착된 부품의 바깥면(free side)에 적어도 하나의 표면에 영향을 미치는 처리(surface influencing process)를 제공하는 단계; 및 I) 상기 부분 봉지되고, 표면 처리된 전자 부품을 상기 캐리어로부터 느슨하게 하는(loosening) 단계;의 연속적인 처리 단계(successive processing steps)에 의한 전자 부품의 몰딩 및 표면 처리 방법을 제공한다. 본 개시에 따른 방법의 장점 중 하나는, 캐리어에 부착된 부분 봉지된 전자 부품으로부터 박편이 직접 제거된 이후, 적어도 하나의 표면에 영향을 미치는 처리가 캐리어에 부착된 부품의 바깥면(free side)을 제공한다는 이유 때문에, 표면에 영향을 미치는 처리가 제공되기 이전에, 부분 몰딩된 부품은 변형(deform)(수축(shirink), 굽음(bend), 뒤틀림(warp) 등등)이 없다(또는 적어도 선행 기술 방법에 따른 경우 보다는 적다)는 것이다. 여기서 용어 "직접(directly)"은, 부분 커버되지 않은 부품(partial uncovered components)이 표면에 영향을 미치는 처리가 제공되기 이전에 캐리어로부터 분리(de-attached)되지 않는다는 것으로서 이해될 수 있다. 표면에 영향을 미치는 처리 동안에 일부 커버되지 않은 전자 부품은 여전히 캐리어에 부착되어 있기 때문에, 캐리어는 전자 부품 및 몰딩된 모양 내부의 큐어링된 몰딩 재료를(대체로(substantially)) 유지(retain)할 수 있고, 따라서, 부분 몰딩된 전자 부품의 모양과 치수(dimensions), 및 인접한(adjoining) 큐어링된 몰딩 재료 제품은 제어가 잘된다. 이에 따라, 표면에 영향을 미치는 처리(들)는 또한, 처리된 제품의 더 높은 정밀성(precision)을 이끌도록 더 제어될 수 있다. 추가적인 장점은, 제품 캐리어로서의 캐리어는, 하나 이상의 표면에 영향을 미치는 처리 위치들(stations)내 또는 이를 핸들링(handling)하는 동안 사용될 수 있다는 것이다. 표면에 영향을 미치는 처리(들)를 수행한 이후에만, 부분 봉지되고 표면 처리된 전자 부품이 캐리어로부터 느슨해질 수 있다.
본 개시에 따른 방법에서 사용되는 박편은, 캐리어로부터 외면된 측면의 전자 부품을 커버하는 박편이고, 또한 "안티 플래시 릴리즈 박편" 또는 "릴리즈 박편"으로서 불리우며, 캐리어로부터 외면된 전자 부품의 턴드 측면(turned sides)이, 이미 지칭된 이름과 같은 몰딩 재료("플래시(flash)"))에 자유롭도록 한다. 본 개시에 따른 방법에서는, 언급되는 박편은 전자 부품을 커버하는 박편(따라서 "릴리즈 박편")으로 이해될 것이다. 필수적인(obligatory) ("릴리즈")박편의 사용 이외에도, 추가적으로 다른 유형의 박편을 사용하는 것이 가능할 수도 있다.
단계 A)에 따라 캐리어 상부에 격자 형태의 전자 부품을 부착하고, 단계 I)에 따른 부품의 분리에 관해서, 용도(use)는 온도 의존성 특징(temperature dependent properties)을 갖는 부착 층(attachment layer)으로 구성될 수 있다. 이러한 부착 층(또한, 실제로 "부착 박편(attach foil)" 또는 "점착성의 박편(sticky foil)"으로 언급되는 박편)은, 바람직하게 몰딩 온도에서 점착 특성을 갖지만, 몰딩 온도 이상 수준에서는 이 점착 특성을 잃는다. 이러한 온도 반응성(sensitivity)은, 몰딩 온도 이하 수준의 온도에서 처리 단계 A) 동안 캐리어 상부의 격자 형태의 전자 부품을 부착하는데 사용될 수 있고, 부착 층의 점착 특성을 잃는 온도 이상을 위한 부착 층의 가열에 의하여, 처리 단계 I)동안 부분 봉지되고 표면 처리된 전자 부품을 캐리어로부터 느슨하게 하는 것을 가능하게 한다. 부착 층의 가열은, 예를 들어 전도열(conductive heating) 또는 (UV) 복사(radiation) 또는 가열의 대안적인 방법에 의해 개시될 수 있다. 가열 유형의 선택은, 사용되는 캐리어(재료)의 유형에 의존하여 이루어질 수 있다. 뿐만 아니라, 부착 층을 느슨하게 한 이후 전자 부품 상에 부착층의 잔여물이 없는 것이 중요하다. 캐리어와 전자 부품 사이의 "부착 박편"의 사용은, 캐리어로부터 외면된 전자 부품의 측면 상에 ("릴리즈")박편의 필수적인 사용이 결합될 수 있다.
처리 단계 I)에 따라, 부분 봉지되고 표면 처리된 전자 부품을 캐리어로부터 느슨하게(loosing)한 이후, 부분 봉지되고 표면 처리된 전자 부품은 분리(separated)될 수 있다. 분리의 순간 당시, 영향을 미치는 프로세스(들)에서 이미 요구되는 정확성은 전자 부품 내에 내장된다(embedded).
처리 단계 A) 동안 방법의 실시 예에서, 격자 형태의 전자 부품은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)와 같이 조립될(assembled) 수 있다. 이에 따라, 몰딩 이전에 분리 없이, 전자 부품의 몰딩은 수행될 수 있다. 또한, 이는 제품 치수 제어의 향상을 인식(realise)하고, 따라서, 제품 퀄리티가 향상되도록 지원한다.
처리 단계 A)동안의 격자 형태의 전자 부품은, 편평한 캐리어 판(flat carrier plate), 바람직하게는 편평한 금속 판(flat metal plate)에 부착된다. 금속 판은 몰딩 재료의 존재(presence) 및 상태에 독립적인 모양에서 안정한, 그러한 치수를 가질 수 있다. 이상적인 환경에선, 편평한 캐리어 판 상부의 몰딩 재료의 큐어링은 캐리어 판의 모양(및 크기)에 중요한 영향을 미치지 않는다. 긍정적인 결과는, 캐리어가 슬롯 카세트(slotted cassettes) 내에 배치되게 하기 위하여, 편원의 면(oblate sides)을 갖는 원형의 금속 캐리어 판(circular metal carrier plate)을 사용하여 인식될 수 있다. 대안으로는, 예를 들어 네모난 캐리어 판과 같은 다른 모양을 갖는 편평한 캐리어 판 또한 사용될 수 있다. 스테인레스(stainless steel)로 만든 편평한 캐리어 판의 전형적인 두께는 1-2mm이나, 캐리어 판은 구리(copper), 알루미늄(aluminium), 세라믹(ceramic) 또는 유리(glass)와 같은 다른 물질로 만들어질 수도 있다.
더 작은 부품을 사용하는 경향이 있기 때문에, 실시 예에서, 처리 단계 D) 동안 몰드 캐비티에 공급된 봉지 재료(encapsulating material)는, 트랜스퍼 몰딩(transfer moulding)을 통해 액체로서 몰드에 공급되고, 물, 기름 또는 꿀(honey)과 같은 액체의 점성도(viscosity)는 예를 들어, 1-5 Pa.s.(=2.103 - 5.103 mPa.s.)이다. 특히, 액체 봉지 재료는, 트랜스퍼 몰딩에 의해 몰드 캐비티에 공급될 수 있으나, 또한 대안적으로는, 다른 몰딩 재료 공급 방법의 (핀 포인트(pin point))사출 몰딩(injection moulding)이 사용될 수도 있다.
(처리 단계 F)에 따라)캐리어에 부착된 부분 봉지된 전자 부품의 몰드 캐비티로부터의 제거는, (처리 단계 G)에 따라)캐리어에 부착된 부분 봉지된 전자 부품으로부터의 박편의 제거와 동시에 수행될 수 있다. 이 두 처리 단계를 결합함으로 인하여, 사이클 타임(cycle time)은 제한될 수 있다.
(처리 단계 G)에 따라) 전자 부품으로부터의 박편의 더 쉬운 제거를 위해, 박편은 가열될 수 있다. 이에 따라, 제거 공정이 촉진될(facilitated) 뿐만 아니라, 부적절한 박편 제거 때문에 감소된 제품 퀄리티의 위험도 제한될 수 있다.
처리 단계 H)에 따라, 전자 부품의 바깥면(free side)에 제공되는 적어도 하나의 표면에 영향을 미치는 처리는, 리소그래피(lithography), 에칭(etching), 일루미네이팅(illuminating), 임프린팅(imprinting), 레이저 활성화(laser activation), 및 도금(plating)의 그룹으로부터 선택될 수 있다. 부분 몰딩된 전자 부품의 바깥면(또는 전자 부품과 몰딩 재료의 경계) 상에 수행될 수 있는, 표면에 영향을 미치는 전형적인 처리는, 처리들의 리소그래피 유형에 의해 제공될 수 있는 (예를 들어, "팬 아웃(fan out)"으로서 언급된)전기 접점 배선 및/또는 접점의 포인트이다. 이에 따라, 처리 단계 H)에 따라, 부품의 바깥면(free side)에 제공되는 표면에 영향을 미치는 처리는, 비제한적인 예로서, 전자 부품으로부터 봉지 재료의 표면까지 도전성 연결(electric conductive connections)을 적용하는 처리일 수 있다. 접점의 배선 및/또는 포인트와 같은 구성의 위치 결정(positioning)의 정확도는, 그러한 "표면 처리된(surface treated)" 전자 제품의 적용에 있어서 매우 중요하다.
본 개시는, 물리적인 제품 변수(physical product variables)에 있어서, 그리고 상기한 방법으로 제조된 부분 봉지된 전자 부품의 차후의 사용 동안 더 나은 처리에 있어서, 더 높은 정확도를 가능하게 한다.
본 개시는 이하의 도면에 개시된 비제한적인 실시 예에 기초하여 더 설명할 것이다. 여기서,
도 1a - 1f는, 본 개시에 따른 방법의 여러 단계의 전자 부품을 나타내는 다양한 개략도,
도 2a 및 2b는, 전자 부품을 봉지하기 위한 몰드(mould)의 부분을 통한 두 개의 단면도,
도 3a 및 3b는, 전자 부품이 있는 캐리어의 두 개의 평면도, 그리고,
도 4a 및 4b는, 표면에 영향을 미치는 처리가 수행되기 전후의 부분적으로 몰딩된 전자 부품의 두 개의 평면도를 나타낸다.
도 1a는 캐리어(2)의 상부에 배치된 전자 부품(1)(예를 들어, 집적 회로(Integrated Circuit, IC))을 나타낸다. 도 1b에서의 박편(foil, 3)(예를 들어, "안티 플래시 릴리즈 박편(anti flash release foil)")은, 캐리어(2)로부터 외면된(turned away) 전자 부품(1)의 측면에 대하여 배치된다. 도 1c는 몰딩 재료(moulding material, 4)가 캐리어(2)와 박편(3) 사이에 공급된 이후의 전자 부품(1)을 나타낸다. 도 1d에서는, 부분적으로 몰딩된 전자 부품(1)은, 전자 부품(1)의 한쪽 면이 몰딩 재료(4)로부터 자유롭기(free) 위해, 캐리어(2)로부터 외면된 전자 부품(1)의 측면을 커버한 박편(3)으로부터 해방(freed)된다. 도 1e에서는, 캐리어(2)로부터 외면된 전자 부품(1)의 측면 상에 전기 접점 배선(electric contact wiring, 5)이 적용된다. 도 1f에서는, 전자 부품(1)은 출고된 제품(released product)으로서 나타난다. 도 1a-1e에 도시되지는 않았지만, 캐리어(2)의 한쪽 면과, 전자 부품(1) 및 몰딩 재료(4)의 다른 쪽 면 사이에 부착 층(attachment layer)(예를 들어, "부착 박편(attach foil)" 또는 "점착성의 박편(sticky foil)")이 제공될 수도 있다. 예를 들어, 도 1e에 도시된 바와 같이 캐리어의 가열에 의해, 전자 부품(1) 및 몰딩 재료(4)는 캐리어(2)로부터 느슨해질(loosened) 수 있다.
도 2a는 본 개시의 방법의 부분으로서 전자 부품(11)을 봉지하는(encapsulating) 몰드(mould, 10)의 부분을 관통하는(through) 단면도를 나타낸다. 전자 부품(11)은 상부 몰드부(13) 및 하부 몰드부(14) 사이에 고정된(clamped) 캐리어 판(carrier plate, 12)에 부착된다. 하부 몰드부에서는, 전자 부품(11)을 지탱하는(hold) 몰드 캐비티(mould cavity, 15)는 개방되어 있다(left open). 전자 부품(11)과 몰드 캐비티(15) 사이에, 박편(16)이 배치되어 있어, 캐리어 판(12)로부터 외면된 전자 부품(11)의 측면은 이 박편(16)에 의해 보호된다. 도면은 하부 몰드부(14)에서 자유롭고, 몰드 캐비티(15)에 몰딩 재료(도 2a에는 미도시)를 제공하기 위해 몰드 캐비티(15)를 연결하는 러너(runner, 16)도 도시한다.
도 2b는 도 2a에 도시된 전자 부품(11)을 봉지하기 위한 몰드(10)의 부분을 관통하는 단면도를 나타내지만, 지금은 몰드 캐비티(15) 내에 몰딩 재료(27)가 액체로서 공급된 상태이다. 적어도 몰딩 재료(17)의 큐어링(curing, 경화(hardening)) 이후, 상부 몰드부(13) 및 하부 몰드부(14)는 분리되고(moved apart), 부분 몰딩된(partial moulded) 전자 부품(11)을 포함한 캐리어 판(12)은 몰드(10)에서 꺼내진다. 박편(16)은, 부분 몰딩된 전자 부품(11)을 갖는 캐리어 판(12)이 제거되면서 몰드(10)에서 제거되거나, 대안으로서, 부분 몰딩된 전자 부품(11)을 포함한 캐리어 판(12)이 제거되면서 하부 몰드부(14)에 남을 수 있다.
도 3a는 전자 부품(22)를 포함한 웨이퍼(wafer, 21)를 지탱하는 캐리어 판(20)의 평면도를 나타낸다. 도 3b에서는, 몰딩 화합물(moulding compound, 23)이 전자 부품(22)을 부분적으로 커버하기 위해 추가된 이후의 캐리어 판(20)이 도시된다. 캐리어 판(20)으로부터 외면된 전자 부품(22)의 면은 몰딩 화합물(23)의 자유가 유지된다.
도 4a는, 이전 도면과 비교하여 더 자세히 설명된 것으로서, 접점(31)을 포함하고, 몰딩 재료(32)에 의해 부분적으로 커버된 전자 부품(30)의 단면도를 나타낸다. 도 4b에서는, 도 4a에 도시된 바와 같이 접점(31)을 포함한 전자 부품(30)이 접점 배선(contact wiring, 33)과 함께 제공되고, 접점 배선(33)은 전자 부품(30) 및 전자 부품(30) 주위의 몰딩 재료(32)의 상부에 배치된다. 접점 배선(33)은, 전자 부품(30) 및 몰딩 재료(32)가 여전히 (도 4a 및 4b에서는 볼 수 없는)캐리어 판에 부착되어 있는 동안 수행되는, 표면에 영향을 미치는 처리(surface influencing process)로 인해 적용된다.

Claims (11)

  1. 연속적인 처리 단계(successive processing steps)에 의한 전자 부품(electronic components)의 몰딩(moulding) 및 표면 처리(surface processing) 방법에 있어서,
    A) 캐리어(carrier) 상부에 전자 부품을 격자 형태(a grid of)로 부착하는 단계;
    B) 상기 캐리어에 반대측인(opposite) 상기 전자 부품의 면에 대하여 박편(foil)을 배치하는 단계;
    C) 상기 캐리어 상부의 상기 박편으로 가려진 전자 부품(foil covert electronic components)을 몰드 캐비티(mould cavity)로 둘러 싸는(enclosing) 단계;
    D) 상기 몰드 캐비티에 봉지 재료(encapsulating material)를 공급하는(feeding) 단계;
    E) 상기 몰드 캐비티에 공급된 상기 봉지 재료의 적어도 부분적인 경화(hardening) 단계;
    F) 상기 캐리어에 부착된 상기 부분 봉지된 전자 부품(partial encapsulated electronic components)을 몰드 캐비티로부터 제거하는 단계;
    G) 상기 캐리어에 부착된 상기 부분 봉지된 전자 부품으로부터 상기 박편을 제거하는 단계;
    H) 상기 캐리어에 부착된 부품의 바깥면(free side)에 적어도 하나의 표면에 영향을 미치는 처리(surface influencing process)를 제공하는 단계; 및
    I) 상기 부분 봉지되고, 표면 처리된 전자 부품을 상기 캐리어로부터 느슨하게 하는(loosening) 단계;를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    처리 단계 I) 이후, 상기 부분 봉지되고, 표면 처리된 전자 부품이 분리되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    처리 단계 A) 동안, 상기 격자 형태의 전자 부품은, 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)와 같이 조립되는(assembled) 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    처리 단계 A) 동안, 상기 격자 형태의 전자 부품은, 편평한 캐리어 판(flat carrier plate), 바람직하게는 편평한 금속 판(flat metal plate)에 부착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    처리 단계 D) 동안 상기 몰드 캐비티에 공급된 상기 봉지 재료는, 1-5 Pa.s의 점성도(viscosity)를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 봉지 재료는, 처리 단계 D) 동안, 트랜스퍼 몰딩(transfer moulding)에 의해 상기 몰드 캐비티에 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몰드 캐비티로부터 상기 캐리어에 부착된 상기 부분 봉지된 전자 부품을 제거하는 처리 단계 F)는, 처리 단계 G)에 따른 상기 캐리어에 부착된 상기 부분 봉지된 전자 부품으로부터 상기 박편의 제거와 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    처리 단계 G) 동안, 상기 박편은 상기 전자 부품으로부터 상기 박편을 제거하기 위해 가열되는(heated) 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    처리 단계 H)에 따라 상기 부품의 바깥면에 제공되는 적어도 하나의 표면에 영향을 미치는 처리는, 리소그래피(lithography), 에칭(etching), 일루미네이팅(illuminating), 임프린팅(imprinting), 레이저 활성화(laser activation), 도금(plating)의 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    처리 단계 H)에 따라 상기 부품의 바깥면(free side)에 제공되는 적어도 하나의 표면에 영향을 미치는 처리는, 상기 전자 부품으로부터 상기 봉지 재료의 표면까지 도전성 연결(electric conductive connections)을 적용하는 처리인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된, 부분 봉지된 전자 부품.
KR1020167008962A 2013-09-26 2014-09-26 전자 부품의 몰딩 및 표면 처리 방법, 및 이 방법에 의해 제조된 전자 부품 KR102125263B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2011512A NL2011512C2 (en) 2013-09-26 2013-09-26 Method for moulding and surface processing electronic components and electronic component produced with this method.
NL2011512 2013-09-26
PCT/NL2014/050658 WO2015047089A1 (en) 2013-09-26 2014-09-26 Method for moulding and surface processing electronic components and electronic component produced with this method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160064122A true KR20160064122A (ko) 2016-06-07
KR102125263B1 KR102125263B1 (ko) 2020-06-24

Family

ID=50483423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167008962A KR102125263B1 (ko) 2013-09-26 2014-09-26 전자 부품의 몰딩 및 표면 처리 방법, 및 이 방법에 의해 제조된 전자 부품

Country Status (12)

Country Link
US (1) US9831105B2 (ko)
JP (1) JP6445536B2 (ko)
KR (1) KR102125263B1 (ko)
CN (1) CN105531806B (ko)
DE (1) DE112014004450B4 (ko)
MY (1) MY174762A (ko)
NL (1) NL2011512C2 (ko)
PH (1) PH12016500468A1 (ko)
PT (1) PT2015047089B (ko)
SG (1) SG11201601604UA (ko)
TW (1) TWI581344B (ko)
WO (1) WO2015047089A1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267345A (ja) * 2000-03-21 2001-09-28 Apic Yamada Corp 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP2003197662A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Sony Corp 電子部品、電子部品の製造方法および装置
KR20090007120A (ko) * 2007-07-13 2009-01-16 삼성전자주식회사 봉지부를 통하여 재배선을 달성하는 웨이퍼 레벨 적층형패키지 및 그 제조방법
US20110151623A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Yoshimi Takahashi Exposed mold

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3061954B2 (ja) * 1991-08-20 2000-07-10 株式会社東芝 半導体装置
NL9400119A (nl) * 1994-01-27 1995-09-01 3P Licensing Bv Werkwijze voor het met een hardende kunststof omhullen van een electronische component, electronische componenten met kunststofomhulling verkregen door middel van deze werkwijze en matrijs voor het uitvoeren der werkwijze.
EP0742586A3 (en) * 1995-05-02 1998-03-11 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to integrated circuits
JP3139981B2 (ja) * 1996-07-23 2001-03-05 アピックヤマダ株式会社 チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP3455667B2 (ja) * 1997-02-03 2003-10-14 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置の製造方法および樹脂封止型半導体装置
JPH11121488A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
JP3494586B2 (ja) 1999-03-26 2004-02-09 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
EP1085566A1 (en) 1999-09-16 2001-03-21 "3P" Licensing B.V. Method and apparatus for partially encapsulating semiconductor chips
JP2001168117A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Idemitsu Petrochem Co Ltd 半導体素子の封止用離型フィルム及びそれを用いる半導体素子の封止方法
JP4658353B2 (ja) * 2001-03-01 2011-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 樹脂モールド金型及び樹脂モールドパッケージの製造方法
US7595017B2 (en) * 2002-01-31 2009-09-29 Stmicroelectronics, Inc. Method for using a pre-formed film in a transfer molding process for an integrated circuit
JP3666462B2 (ja) 2002-03-11 2005-06-29 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US6700190B2 (en) 2002-07-26 2004-03-02 Stmicroelectronics, Inc. Integrated circuit device with exposed upper and lower die surfaces
JP4102634B2 (ja) * 2002-09-27 2008-06-18 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂注入装置
DE10250621B4 (de) 2002-10-30 2004-09-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Erzeugen verkapselter Chips und zum Erzeugen eines Stapels aus den verkapselten Chips
US7141874B2 (en) * 2003-05-14 2006-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component packaging structure and method for producing the same
JP3739375B2 (ja) * 2003-11-28 2006-01-25 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7465368B2 (en) * 2003-12-24 2008-12-16 Intel Corporation Die molding for flip chip molded matrix array package using UV curable tape
US7189601B2 (en) * 2004-03-02 2007-03-13 Texas Instruments Incorporated System and method for forming mold caps over integrated circuit devices
JP2006049850A (ja) * 2004-06-29 2006-02-16 Asahi Glass Co Ltd 半導体チップ封止用離型フィルム
JP4443334B2 (ja) * 2004-07-16 2010-03-31 Ｔｏｗａ株式会社 半導体素子の樹脂封止成形方法
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
DE102006009789B3 (de) * 2006-03-01 2007-10-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils aus einer Verbundplatte mit Halbleiterchips und Kunststoffgehäusemasse
JP2008066696A (ja) * 2006-08-10 2008-03-21 Denso Corp 半導体製造装置および半導体製造方法
JP2008277325A (ja) * 2007-04-25 2008-11-13 Canon Inc 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7595226B2 (en) * 2007-08-29 2009-09-29 Freescale Semiconductor, Inc. Method of packaging an integrated circuit die
US8390117B2 (en) * 2007-12-11 2013-03-05 Panasonic Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW200935527A (en) * 2008-02-15 2009-08-16 Chipmos Technologies Inc Chip package apparatus and chip package process
US8278142B2 (en) 2008-05-22 2012-10-02 Texas Instruments Incorporated Combined metallic bonding and molding for electronic assemblies including void-reduced underfill
JP2010147153A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5300558B2 (ja) * 2009-03-27 2013-09-25 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
WO2011037034A1 (ja) * 2009-09-24 2011-03-31 旭硝子株式会社 離型フィルムおよび発光ダイオードの製造方法
KR20110076604A (ko) * 2009-12-29 2011-07-06 하나 마이크론(주) Ｐｏｐ 패키지 및 그 제조 방법
US9196509B2 (en) * 2010-02-16 2015-11-24 Deca Technologies Inc Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging
FR2960339B1 (fr) 2010-05-18 2012-05-18 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'elements a puce munis de rainures d'insertion de fils
US9735113B2 (en) * 2010-05-24 2017-08-15 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming ultra thin multi-die face-to-face WLCSP
US8796137B2 (en) * 2010-06-24 2014-08-05 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming RDL along sloped side surface of semiconductor die for z-direction interconnect
US8288201B2 (en) * 2010-08-25 2012-10-16 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming FO-WLCSP with discrete semiconductor components mounted under and over semiconductor die
JP2012167177A (ja) 2011-02-14 2012-09-06 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及びそのテープを用いた半導体チップの製造方法
US8623702B2 (en) 2011-02-24 2014-01-07 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming conductive THV and RDL on opposite sides of semiconductor die for RDL-to-RDL bonding
JP5670249B2 (ja) * 2011-04-14 2015-02-18 日東電工株式会社 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置
JP2013149660A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
EP2893562A2 (en) * 2012-09-07 2015-07-15 Eoplex Limited Lead carrier with print-formed terminal pads
US9111947B2 (en) * 2013-06-04 2015-08-18 Intel Deutschland Gmbh Chip arrangement with a recessed chip housing region and a method for manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267345A (ja) * 2000-03-21 2001-09-28 Apic Yamada Corp 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP2003197662A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Sony Corp 電子部品、電子部品の製造方法および装置
KR20090007120A (ko) * 2007-07-13 2009-01-16 삼성전자주식회사 봉지부를 통하여 재배선을 달성하는 웨이퍼 레벨 적층형패키지 및 그 제조방법
US20110151623A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Yoshimi Takahashi Exposed mold

Also Published As

Publication number Publication date
PT2015047089B (pt) 2021-08-26
TWI581344B (zh) 2017-05-01
PH12016500468B1 (en) 2016-05-16
PH12016500468A1 (en) 2016-05-16
JP6445536B2 (ja) 2018-12-26
JP2016534543A (ja) 2016-11-04
US20160240397A1 (en) 2016-08-18
MY174762A (en) 2020-05-13
NL2011512C2 (en) 2015-03-30
DE112014004450T5 (de) 2016-07-07
KR102125263B1 (ko) 2020-06-24
DE112014004450B4 (de) 2024-05-02
SG11201601604UA (en) 2016-04-28
CN105531806A (zh) 2016-04-27
CN105531806B (zh) 2019-07-30
US9831105B2 (en) 2017-11-28
TW201519330A (zh) 2015-05-16
WO2015047089A1 (en) 2015-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6058431B2 (ja) 樹脂モールド装置、および樹脂モールド方法
US7741161B2 (en) Method of making integrated circuit package with transparent encapsulant
TWI641471B (zh) Resin molding die and resin molding method
US20050184404A1 (en) Photosensitive semiconductor package with support member and method for fabricating the same
JP2004216558A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
US20130337614A1 (en) Methods for manufacturing a chip package, a method for manufacturing a wafer level package, and a compression apparatus
JP3897565B2 (ja) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
KR102125263B1 (ko) 전자 부품의 몰딩 및 표면 처리 방법, 및 이 방법에 의해 제조된 전자 부품
NL2015091B1 (en) Mould, moulding press and method for encapsulating electronic components mounted on a carrier using elastomeric micro-pillars.
US20080138938A1 (en) Die positioning for packaged integrated circuits
JP6397808B2 (ja) 樹脂成形金型および樹脂成形方法
US9159644B2 (en) Manufacturing of DSC type electronic devices by means of spacer insert
US7241414B2 (en) Method and apparatus for molding a semiconductor device
CN112262461A (zh) 用于封装电子元件的模具、模具嵌件、制造嵌件的方法和封装电子元件的方法
KR101947610B1 (ko) 전자 부품들을 갖는 폐쇄된 플랫 캐리어를 적어도 부분적으로 캡슐화하기 위한 장치 및 방법
CN116364562A (zh) 芯片封装方法及封装结构
JP2005158873A (ja) 半導体装置の製造方法
TWI431698B (zh) 封裝方法
TW445611B (en) Encapsulating method of semiconductor device
JP2005019926A (ja) 樹脂封止装置及び半導体装置の製造方法
TW200644259A (en) Semiconductor package and fabrication method thereof
JP2017052287A (ja) 樹脂モールド装置、樹脂モールド方法および樹脂モールド金型

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
AMND Amendment
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant