KR20130133695A - 발광소자, 발광장치 및 장치 베이스 - Google Patents

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첸-홍 리
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치-치 푸
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시-치에 탕
시앙-푸 홍
쯔-시앙 왕
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    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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    • H01L2224/13299—Base material
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    • H01L2224/13338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13339—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/1403—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
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    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract

본 발명은 발광소자, 발광장치 및 발광장치의 베이스를 제공한다. 발광소자는 투명기판과 복수의 발광다이오드 칩을 포함한다. 투명기판은 서로 대향하게 설치된 탑재면과 제2 주 표면을 갖는다. 적어도 일부의 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치되고 발광다이오드 칩이 설치되지 않은 일부 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성한다. 각 발광다이오드 칩은 제1 전극과 제2 전극을 포함한다. 적어도 하나의 발광다이오드 칩의 발광 방향은 투명기판을 통과하여 제2 주표면으로부터 발광되는 것을 포함한다. 발광장치는 발광소자 및 탑재대를 포함한다. 발광소자는 탑재대 상에 설치되고, 탑재대와 제1 협각을 이룬다.

Description

발광소자, 발광장치 및 장치 베이스{LIGHT EMITTING ELEMENT, ILLUMINATION DEVICE AND FOUNDATION THEREOF}
본 발명은 발광소자, 이 발광소자를 사용하는 발광장치 및 이 발광장치의 베이스에 관한 것으로, 특히 다 방향으로 발광하는 발광소자, 이 발광소자를 구비한 발광장치 및 이 발광장치의 베이스에 관한 것이다.
발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 자체에서 방출되는 빛이 편향되는 방향성 광원으로, 시장에서 판매되는 일반 전구와 같은 발산형 광원이 아니므로, 예를 들면, 일반 실내/실외 조명기구에서의 응용은 필요한 발광 패턴(光型)에 도달할 수 없는 등 응용 면에서 제한을 받는다. 그 밖에, 종래의 발광 다이오드 발광장치는 일면으로만 발광하므로, 발광 효율이 비교적 낮다.
본 발명의 목적 중 하나는 적어도 다 방향으로 발광하는 발광소자 및 이 소자를 사용하는 발광장치를 제공함으로써 발광 효율을 높이고, 발광 패턴(光型)을 개선하여 원가를 줄이는 데 있다.
본 발명의 바람직한 실시예는 투명기판 및 복수의 발광다이오드 칩을 포함하는 발광소자를 제공한다. 투명기판은 서로 대향하게 설치된 탑재면과 제2 주표면을 구비한다. 적어도 일부의 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치되고, 발광다이오드 칩이 설치되지 않은 일부 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성한다. 각 발광다이오드 칩은 제1 전극과 제2 전극을 포함한다. 적어도 하나의 발광다이오드 칩의 발광 방향은 투명기판을 통과하여 제2 주표면으로부터 발광되는 것을 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예는 적어도 하나의 발광소자 및 탑재대를 포함하는 발광장치를 제공한다. 발광소자는 투명기판 및 복수의 발광다이오드 칩을 포함한다. 투명기판은 서로 대향하게 설치된 탑재면과 제2 주표면을 구비한다. 적어도 일부의 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치되고, 발광다이오드 칩이 설치되지 않은 일부 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성한다. 각 발광다이오드 칩은 제1 전극과 제2 전극을 포함한다. 적어도 하나의 발광다이오드 칩의 발광 방향은 투명기판을 통과하여 제2 주표면으로부터 발광되는 것을 포함한다. 발광소자는 탑재대 상에 설치되고, 탑재대와 제1 협각을 이룬다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 투명기판과 적어도 하나의 발광다이오드 칩을 포함하는 발광소자를 제공한다. 투명기판은 서로 대향하게 설치된 탑재면과 제2 주표면을 구비한다. 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치되고, 발광다이오드 칩에 의해 커버되지 않은 일부 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성한다. 발광다이오드 칩은 제1 전극과 제2 전극을 포함한다. 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 크며, 투명기판은 발광다이오드 칩이 방출한 광선이 투과하는 것을 허용한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 투명기판 및 적어도 하나의 발광다이오드 칩을 포함하는 발광소자를 제공한다. 투명기판의 재료는 사파이어를 포함하고 투명기판은 탑재면을 갖는다. 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치된다. 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 크다. 발광다이오드 칩이 방출하는 적어도 일부 광선은 투명기판을 투과할 수 있고, 탑재면에 대응하는 제2 주표면으로부터 방출된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 투명기판, 적어도 하나의 발광다이오드 칩 및 에너지 변환층을 포함하는 발광소자를 제공한다. 투명기판은 탑재면을 갖는다. 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치되고, 발광다이오드 칩에 의해 커버되지 않은 일부 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성한다. 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 크다. 상기 발광다이오드 칩이 방출하는 적어도 일부 광선은 투명기판을 투과할 수 있고, 탑재면에 대응하는 제2 주표면으로부터 방출된다. 에너지 변환층은 적어도 발광다이오드 칩 또는 제2 주표면 상에 설치되고, 에너지 변환층은 발광다이오드 칩이 방출하는 광선을 적어도 부분적으로 흡수하여 다른 파장범위의 광선으로 변환시킨다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 투명기판 및 복수의 발광다이오드 칩을 포함하는 발광소자를 제공한다. 투명기판은 탑재면을 갖는다. 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치되고, 각 발광다이오드 칩의 투명기판에 의해 차단되지 않는 발광면은, 발광다이오드 칩에 의해 커버되지 않는 일부 탑재면과 함께 발광 가능한 제1 주표면을 형성한다. 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 크며, 상기 발광다이오드 칩이 발광하는 적어도 일부 광선은 투명기판을 투과할 수 있고, 탑재면에 대응하는 제2 주표면으로부터 방출된다. 제1 주표면 또는 제2 주표면의 면적은 발광다이오드 칩의 발광면 총 면적의 5배 이상이다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 투명기판, 적어도 하나의 다이아몬드상 카본막 및 적어도 하나의 발광다이오드 칩을 포함하는 발광소자를 제공한다. 투명기판은 탑재면을 갖는다. 다이아몬드상 카본막은 투명기판 상에 설치되고, 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치된다. 발광다이오드 칩의 투명기판에 의해 차단되지 않은 발광면은, 발광다이오드 칩에 의해 커버되지 않는 일부 탑재면과 함께 발광 가능한 제1 주표면을 형성하고, 상기 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 크다. 상기 발광다이오드 칩이 발광하는 적어도 일부 광선은 투명기판을 투과할 수 있고, 탑재면에 대응하는 제2 주표면으로부터 방출된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 투명기판, 적어도 하나의 발광다이오드 칩, 및 반사경 또는 여파기를 포함하는 발광소자를 제공한다. 투명기판은 탑재면을 갖고, 반사경 또는 여파기는 투명기판 상에서 탑재면에 대응하는 제2 주표면 상 또는 탑재면 상에 설치된다. 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치된다. 발광다이오드 칩의 투명기판에 의해 차단되지 않은 발광면은, 발광다이오드 칩에 의해 커버되지 않는 일부 탑재면과 함께 발광 가능한 제1 주표면을 형성하고, 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 크다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 투명기판, 적어도 하나의 발광다이오드 칩, 제1 연결전극 및 제2 연결전극을 포함하는 발광소자를 제공한다. 투명기판은 탑재면을 갖는다. 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치되고, 발광다이오드 칩에 의해 커버되지 않은 일부 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성하고, 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 크다. 발광다이오드 칩이 방출하는 적어도 일부 광선은 투명기판을 투과할 수 있으며, 탑재면에 대응하는 제2 주표면으로부터 방출된다. 제1 연결전극 및 제2 연결전극은 각각 투명기판 상에서 서로 대향하는 양단에 설치되고, 제1 연결전극과 제2 연결전극은 각각 발광다이오드 칩과 전기적으로 연결된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 발광소자 및 지지대를 포함하는 발광장치를 제공한다. 발광소자는 투명기판, 적어도 하나의 발광다이오드 칩, 제1 연결전극 및 제2 연결전극을 포함한다. 투명기판은 탑재면을 갖는다. 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치되고, 발광다이오드 칩에 의해 커버되지 않는 일부 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성하고, 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 크다. 발광다이오드 칩이 방출하는 적어도 일부 광선은 투명기판을 투과할 수 있으며, 탑재면에 대응하는 제2 주표면으로부터 방출된다. 제1 연결전극 및 제2 연결전극은 각각 투명기판 상에서 서로 대향하는 양단에 설치되고, 제1 연결전극과 제2 연결전극은 각각 발광다이오드 칩과 전기적으로 연결된다. 지지대는 적어도 하나의 노치를 포함하고, 발광소자는 노치와 대응 설치된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 복수의 발광소자 및 장치 베이스를 포함하는 발광장치를 제공한다. 각 발광소자는 투명기판, 적어도 하나의 발광다이오드 칩, 제1 연결전극 및 제2 연결전극을 포함한다. 투명기판은 탑재면을 갖는다. 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치되고, 발광다이오드 칩에 의해 커버되지 않은 일부 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성하고, 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 크다. 발광다이오드 칩이 방출하는 적어도 일부 광선은 투명기판을 투과할 수 있으며, 탑재면에 대응하는 제2 주표면으로부터 방출된다. 제1 연결전극 및 제2 연결전극은 각각 투명기판 상에서 서로 대향하는 양단에 설치되고, 제1 연결전극 및 제2 연결전극은 각각 발광다이오드 칩과 전기적으로 연결된다. 장치 베이스는 탑재대 및 탑재대로부터 외부로 연신 설치된 복수의 지지대를 포함한다. 각 지지대는 적어도 하나의 노치를 포함하고, 각 발광소자는 적어도 일부의 노치와 대응 설치된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 복수의 발광소자 및 라이트 바를 포함하는 발광장치를 제공한다. 각 발광소자는 투명기판, 적어도 하나의 발광다이오드 칩, 제1 연결전극 및 제2 연결전극을 포함한다. 투명기판은 탑재면을 갖는다. 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치되고, 발광다이오드 칩에 의해 커버되지 않은 일부 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성하고, 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 크다. 발광다이오드 칩이 방출하는 적어도 일부 광선은 투명기판을 투과할 수 있고, 탑재면에 대응하는 제2 주표면으로부터 방출된다. 제1 연결전극 및 제2 연결전극은 각각 투명기판 상에서 서로 대향하는 양단에 설치되고, 제1 연결전극과 제2 연결전극은 발광다이오드 칩과 각각 전기적으로 연결된다. 라이트 바는 복수의 노치를 포함한다. 라이트 바는 연신 방향을 가지고, 복수의 노치는 연신 방향을 따라 배열 설치되고, 각 발광소자는 적어도 일부의 노치와 대응 설치된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 복수의 발광소자 및 탑재대를 포함하는 발광장치를 제공한다. 각 발광소자는 투명기판, 적어도 하나의 발광다이오드 칩, 제1 연결전극 및 제2 연결전극을 포함한다. 투명기판은 탑재면을 갖는다. 발광다이오드 칩은 탑재면에 설치되고, 발광다이오드 칩에 의해 커버되지 않은 일부 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성하고, 발광 다이오드의 발광 각도는 180°보다 크다. 발광다이오드 칩이 방출하는 적어도 일부 광선은 투명기판을 투과할 수 있고, 탑재면에 대응하는 제2 주표면으로부터 방출된다. 제1 연결전극 및 제2 연결전극은 투명기판 상에서 서로 대향하는 양단에 각각 설치되고, 제1 연결전극과 제2 연결전극은 발광다이오드 칩과 각각 전기적으로 연결된다. 탑재대는 복수의 노치를 포함하고, 복수의 노치는 어레이 방식으로 배열 설치되며, 발광소자는 적어도 일부의 노치와 대응 설치된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는 탑재대 및 복수의 지지대를 포함하는 발광장치 베이스를 제공한다. 각 지지대는 탑재대로부터 외부로 연신 설치되며, 각 지지대는 적어도 하나의 노치 및 노치의 양측에 각각 설치된 복수의 전극을 포함한다.
본 발명의 발광장치는 발광다이오드 칩을 투명기판에 고정 설치하고, 투명기판은 발광다이오드 칩이 방출하는 광선이 투과하는 것을 허용한다. 따라서 본 발명의 발광장치는 적어도 다(多) 방향 또는 전(全) 방향으로 발광할 수 있어, 발광 효율을 높이고 종래의 발광다이오드 칩의 발광 패턴이 좋지 않은 문제를 개선할 수 있다.
도 1a와 도 1b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 소자를 나타낸 구조 개략도이다.
도 2a, 도 2b, 도 2c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 서로 다른 형식의 발광다이오드 칩이 도선에 결합된 것을 나타낸 개략도이다.
도 3a와 도 3b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에너지 변환층을 나타낸 배치 개략도이다.
도 4a는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광 소자를 나타낸 단면 개략도이다.
도 4b는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광 소자를 나타낸 단면 개략도이다.
도 5는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광 소자를 나타낸 개략도이다.
도 6a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탑재대를 나타낸 개략도이다.
도 6b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 회로기판을 나타낸 개략도이다.
도 6c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반사경을 나타낸 개략도이다.
도 6d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다이아몬드상 카본막을 나타낸 개략도이다.
도 7a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 개략도이다.
도 7b는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 개략도이다.
도 8은 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 외관 개략도이다.
도 9a, 도 9b와 도 9c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명기판이 탑재대에 삽입 연결되거나 접합 연결된 것을 나타낸 개략도이다.
도 10a와 도 10b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명기판이 지지대를 구비한 탑재대에 접합 연결된 것을 나타낸 개략도이다.
도 11은 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 입체 개략도이다.
도 12는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광장치의 베이스를 나타낸 입체 개략도이다.
도 13은 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 입체 개략도이다.
도 14a, 도 14b, 도 14c, 도 14d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 대칭점 대칭 또는 선 대칭으로 투명기판을 탑재부재 상에 배열한 것을 나타낸 평면 개략도이다.
도 15는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 개략도이다.
도 16a와 도 16b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 램프 하우징을 나타낸 개략도이다.
도 16c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광고 간판 타입의 램프 하우징을 나타낸 평면 단면 개략도이다.
도 16d, 도 16e, 도 16f, 도 16g는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전구 타입을 나타낸 실시 개략도이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 라이트 바(light bar)를 나타낸 개략도이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 입체 개략도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 개략도이다.
도 1a와 도 1b를 참고하면, 도 1a와 도 1b는 본 발명의 바람직한 실시예의 발광소자 또는 발광판의 구조를 나타낸다. 도 1a와 도 1b에 도시한 바와 같이, 발광소자(1)는, 투명기판(2), 탑재면(210), 제1 주표면(21A), 제2 주표면(2B), 및 적어도 다 방향으로 발광하는 발광다이오드 칩(3)을 포함한다. 평판 필름 형상의 투명기판(2) 자체는 2개의 주요 면을 가지며, 2개의 주요 면 중 임의의 한 면은 탑재면(210)이며, 발광 기능을 가진 발광다이오드 칩(3)이 상기 탑재면(210)에 설치되고, 발광다이오드 칩(3)의 투명기판(2)에 의해 차단되지 않는 발광면(34)은, 발광다이오드 칩(3)이 설치되지 않은 일부 탑재면(210)과 함께 발광 가능한 제1 주표면(21A)을 형성한다. 투명기판(2)의 발광다이오드 칩(3)이 설치되지 않은 다른 주요 면이 제2 주표면(21B)이다. 상기 배치 방식을 반대로 할 수도 있으며, 또한 기판의 2개 면에 발광다이오드 칩(3)을 모두 배치할 수도 있으며, 그 중 2개 면 상의 발광다이오드 칩(3)을 대응되게 엇갈려 배열함으로써, 각 면 상의 발광다이오드 칩(3)이 발광할 때, 광선이 다른 면 상의 발광 다이오드칩에 의해 차단되지 않고 투명기판(2)을 순조롭게 투과하여 다른 면으로부터 출광되도록 하여, 단위 면적의 발광 강도를 증가시킨다. 투명기판(2)의 재료는 산화알루미늄(Al2O3), 산화알루미늄 함유 사파이어, 탄화규소(SiC), 유리, 플라스틱 또는 고무일 수 있으며, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 사파이어 기판을 사용하는데, 그 이유는 이 재료가 대체로 단일 결정 구조여서, 비교적 좋은 투광률을 가질 뿐만 아니라, 방열 기능이 좋으므로, 발광소자(1)의 수명을 연장시킬 수 있기 때문이다. 그러나 종래의 사파이어 기판을 본 발명에 사용하면 쉽게 파열되는 문제가 발생하므로, 본 발명은 실험을 통하여, 본 발명의 투명기판(2)은 두께가 200㎛보다 크거나 같은 사파이어 기판을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다는 것을 검증하였다. 이렇게 하면 바람직한 신뢰성을 얻을 수 있고, 바람직한 탑재 및 투광 기능을 가지게 된다. 동시에 발광소자(1)가 양 방향 또는 다 방향, 더 나아가 모든 방향으로 발광하는 목적에 효과적으로 도달하기 위하여, 본 발명의 발광다이오드 칩(3)은 바람직하게 발광 각도가 180°보다 큰 것을 선택할 수 있다. 이렇게 하면, 본 발명은 사용 시, 투명기판(2) 상의 발광다이오드 칩(3)은 발광면(34)이 기판으로부터 멀어지는 방향으로 나가는 광선을 방출할 뿐만 아니라, 발광다이오드 칩(3)은 투명기판(2)으로 진입하는 적어도 일부의 광선을 방출하며, 투명기판(2)에 진입한 광선은 투명기판(2) 상에서 제1 주표면(21A)에 대응하는 제2 주표면(21B)으로부터 방출될 뿐만 아니라, 투명기판(2)의 발광다이오드 칩(3)이 설치되지 않은 일부 탑재면(210)과 기타 표면으로부터 방출될 수 있으므로, 발광소자(1)가 적어도 양방향, 다 방향으로 발광하거나 또는 모든 방향으로 발광할 수 있게 한다. 본 발명에서, 제1 주표면(21A) 또는 제2 주표면(21B)의 면적은 발광면(34)의 총 면적의 5배 이상이며, 이는 발광 효율 및 방열 등 조건을 동시에 고려한 바람직한 배치 비율이다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시예는 발광소자(1)의 제1 주표면(21A)과 제2 주표면(21B)이 방출하는 광선의 색온도 차이를 1500K와 같거나 작게 하여, 발광소자(1)가 더욱 전면적이고 일치한 발광 효과를 갖도록 한다. 투명기판(2)의 투광 특성 상, 발광다이오드 칩(3)이 방출하는 광선의 파장 범위가 420㎚보다 크거나 작으며, 및/또는 상기 광선의 파장 범위가 범위가 470㎚보다 작거나 같을 경우, 상기 투명기판(2) 두께를 가진 조건에서, 투명기판(2)의 투광율은 70%보다 크거나 같다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않는다. 이하, 본 발명의 기타 바람직한 실시예를 순서대로 소개하고, 또한 각 실시예의 차이점을 비교하기 쉽고 설명을 간소화하기 위하여, 이하, 각 실시예에서 동일한 부호로 동일한 소자를 표시하며, 각 실시예의 차이점에 대해 중점적으로 설명하고, 중복된 부분은 다시 설명하지 않는다.
도 2a, 도 2b, 도 2c를 참고하면, 본 발명은 전력을 공급받아 발광하도록, 발광다이오드 칩(3) 자체가 제1 전극(31A)과 제2 전극(31B)을 포함하고, 이 제1 전극(31A)과 제2 전극(31B)은 각각 투명기판(2)에 위치하는 제1 연결도선(23A) 및 제2 연결도선(23B)에 전기적으로 연결된다. 도 2a, 도 2b와 도 2c는 각각 서로 다른 형식의 발광다이오드 칩(3) 및 도선과의 결합 방식을 나타낸다. 도 2a는 수평형 발광다이오드 칩을 나타내며, 발광다이오드 칩(3)은 투명기판(2)의 탑재면(210)에 형성되고, 제1 전극(31A)과 제2 전극(31B)은 와이어 본딩 방식으로 각각 제1 연결도선(23A)과 제2 연결도선(23B)에 결합된다. 도 2b는 플립칩 타입 발광다이오드 칩을 나타내며, 발광다이오드 칩(30)은 뒤집어져 장착되고 제1 전극(31A)과 제2 전극(31B)을 통해 투명기판(2)과 결합되고, 제1 전극(31A)과 제2 전극(31B)은 각각 용접 또는 접착 방식으로 제1 연결도선(23A)과 제2 연결도선(23B)에 각각 전기적으로 결합된다. 도 2c는 발광다이오드 칩(3)의 양단에 제1 전극(31A)과 제2 전극(31B)을 설치하는 것을 나타내며, 발광다이오드 칩(3)을 직립 설치하는 방식으로 제1 전극(31A)과 제2 전극(31B)이 각각 제1 연결도선(23A) 및 제2 연결도선(23B)과 연결되게 한다.
도 3a와 도 3b를 참고하면, 본 발명의 발광소자(1)는 에너지 변환층(4)을 더 포함할 수 있으며, 에너지 변환층(4)은 제1 주표면(21A) 또는 제2 주표면(21B) 상에 설치되거나 발광다이오드 칩(3) 상에 직접 설치되며, 또한 에너지 변환층(4)은 발광다이오드 칩(3)과 직접 접촉하거나 또는 발광다이오드 칩(3)과 직접 접촉하지 않고 일정한 거리를 두고 인접할 수 있다. 에너지 변환층(4)은 가넷계, 황산염계, 또는 실리케이트계 등 무기 또는 유기 재료와 같은 적어도 한가지 형광분을 함유함으로써, 발광다이오드 칩(3)이 방출하는 적어도 일부 광선을 흡수하고 광선의 파장을 다른 종류의 파장 범위로 변환한다. 예를 들면, 발광다이오드 칩(3)이 청색광을 방출하면, 에너지 변환층(4)은 일부 청색광을 황색광으로 변환시켜, 발광 소자(1)로 하여금 청색광과 황색광이 혼합되어 최종적으로 백색광을 방출하게 한다. 그밖에, 제1 주표면(21A)의 광원은 주로 발광다이오드 칩(3)의 발광면이 직접 광선을 방출하는 광원이고, 제2 주표면(21B)의 광원은 발광다이오드 칩(3)의 광선이 투명기판(2)을 투과하여 방출되는 광원으로, 2개 표면의 광선 강도가 다르므로, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에서 발광소자(1)는 제1 주표면(21A)과 제2 주표면(21B) 상의 에너지 변환층(4)의 형광분 함량이 상응하게 배치되고, 그 중 제1 주표면(21A) 대비 제2 주표면(21B)의 형광분[또는 발광다이오드 칩 상의 형광분 대비 제2 주표면(21B)의 형광분] 함량 비율 범위를 바람직하게 1:0.5 ~ 1:3으로 함으로써, 발광소자(1)의 광선 강도 또는 발광 패턴이 응용 요구에 부합될 수 있게 하며, 발광소자(1)의 제1 주표면(21A)과 제2 주표면(21B)이 방출하는 광선의 색온도 차이를 1500K와 같거나 작게 하여, 발광소자(1)의 파장 변환 효율과 발광 효과를 향상시킨다.
도 4a를 참고하면, 도 4a는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광소자(1)를 나타낸 단면 개략도이다. 도 4a에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 발광소자(1)는 투명기판(2)과 적어도 하나의 다 방향으로 발광하는 발광다이오드 칩(14)을 포함한다. 투명기판(2)은 서로 대향하게 설치된 탑재면(210)과 제2 주표면(21B)을 갖는다. 발광다이오드 칩(14)은 투명기판(2)의 탑재면(210)에 설치되고, 발광다이오드 칩(14)은 외부와 전기적으로 연결하기 위한 제1 전극(16)과 제2 전극(18)을 포함한다. 발광다이오드 칩(14)의 투명기판(2)에 의해 차단되지 않는 발광면(34)은, 발광다이오드 칩(14)에 의해 커버되지 않는 일부 탑재면(210)과 제1 주표면(21A)을 형성한다.
발광다이오드 칩(14)은, 기재(141), N형 반도체층(142), 능동층(143)과 P형 반도체층(144)을 포함한다. 본 실시예에서, 발광다이오드 칩(14)의 기재(141)는 칩 접합층(28)을 이용하여 투명기판(2) 상에 접합될 수 있다. 칩 접합층(28)은 발광다이오드 칩(14)을 접합하는 데 사용될 뿐만 아니라, 재료의 선택에 있어서, 칩 접합층(28)이 바람직하게 기재(141)의 굴절률과 투명기판(2)의 굴절률 사이의 굴절률을 갖게 함으로써, 이를 통해 발광량을 증가시킬 수 있다. 그밖에, 칩 접합층(28)은 투명 글루(transparent glue) 또는 기타 적당한 접합 재료일 수 있다. 제1 전극(16)과 제2 전극(18)은 칩 접합층(28)에 상대적으로 발광다이오드 칩(14)의 다른 면에 설치되고, 각각 P형 반도체층(144) 및 N형 반도체층(142)과 전기적으로 연결된다[제2 전극(18)과 N형 반도체층(142)의 연결 관계를 도시하지 않음]. 제1 전극(16)과 제2 전극(18)의 상부 표면은 서로 동일한 수평 위치에 위치하고 금속 전극일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 그밖에, 발광소자(1)는 제1 연결도선(20), 제2 연결도선(22), 및 에너지 변환층(4)을 더 포함한다. 제1 연결도선(20)과 제2 연결도선(22)은 투명기판(2)에 설치된다. 제1 연결도선(20)과 제2 연결도선(22)은 예를 들면 금속 연결도선 또는 기타 도전 패턴일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제1 전극(16)과 제2 전극(18)은 각각 제1 연결도선(20)과 제2 연결도선(22)에 전기적으로 연결되고, 연결 방식은 와이어 본딩(wire bonding) 방식 또는 용접 방식을 이용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 에너지 변환층(4)은 투명기판(2) 상에 설치되고, 발광다이오드 칩(14)을 커버할 수 있다. 그밖에, 에너지 변환층(4)은 추가적으로 설치될 수 있고 투명기판(2)의 제2 주표면(21B)을 커버한다.
또한, 광선이 투명기판(2)으로부터 나가는 발광량을 증가시키고, 발광량의 분포를 균일하게 하기 위하여, 투명기판(2)의 제1 주표면(21A)과 제2 주표면(21B)은 각각 비평면 구조(12M)를 선택적으로 가질 수 있다. 비평면 구조(12M)는 각종 돌출 또는 오목한 기하 구조, 예를 들면 금자탑, 원추체, 반구체 또는 삼각주 등일 수 있으며, 비평면 구조(12M)의 배열은 규칙적 배열 또는 랜덤 배열일 수 있다. 그리고, 제1 주표면(21A) 및 제2 주표면(21B)에 열 전도 및 방열 효과를 증가시키는 다이아몬드상 카본막(diamond-like carbon, DLC)(25)을 선택적으로 설치할 수 있다.
도 4b를 참고하면, 도 4b는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면 개략도이다. 도 4a의 실시예와 비교하면, 본 실시예의 발광소자(1)에서, 제1 전극(16)과 제2 전극(18)은 제1 칩 접합층(28A)과 함께 발광다이오드 칩(14)의 동일 표면에 설치되고, 플립칩(flip chip) 방식을 통해 각각 제1 연결도선(20) 및 제2 연결도선(22)과 전기적으로 연결된다. 제1 연결도선(20)과 제2 연결도선(22)은 각각 제1 전극(16)과 제2 전극(18)의 하측까지 연신되고, 제1 전극(16)과 제2 전극(18)은 제2 칩 접합층(28B)을 이용하여 각각 제1 연결도선(20) 및 제2 연결도선(22)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 칩 접합층(28B)은 골드 범프(gold bump) 또는 솔더 범프(solder bump)와 같은 도전 범프(conductive bump), 은 글루와 같은 도전성 글루(conductive glue), 또는 Au-Sn 합금 공융층 또는 In-Bi-Sn 합금 공융층과 같은 공융층(eutectic layer)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제2 칩 접합층(28B)을 사용할 경우, 발광다이오드 칩(14)의 하측의 투명 글루와 같은 제1 칩 접합층(28A)은 생략할 수 있거나 또는 에너지 변환층(4)으로 대체할 수 있다.
도 5를 참고하면, 도 5는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광 소자를 나타낸 입체 개략도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 발광소자(310)는 투명기판(2), 적어도 하나의 발광다이오드 칩(3), 제1 연결전극(311A), 제2 연결전극(311B), 적어도 하나의 에너지 변환층(4)을 포함한다. 그 중 발광다이오드 칩(3)은 투명기판(2)의 탑재면(210)에 설치되어, 발광하는 제1 주표면(21A)을 형성한다. 이 실시예에서, 발광다이오드 칩(3)의 발광 각도는 180°보다 크고, 발광다이오드 칩(3)이 방출하는 적어도 일부 광선은 투명기판(2)에 입사되고, 입사 광선의 적어도 일부는 제1 주표면(21A)에 대응하는 제2 주표면(21B)으로부터 방출되며, 일부는 투명기판(2)의 기타 표면으로부터 방출되어, 육면(六面)으로 발광하는 발광 효과를 이룬다. 제1 연결전극(311A) 및 제2 연결전극(311B)은 각각 투명기판(2)의 양단 또는 동일 측(미도시)에 설치되고, 각각 투명기판(2) 상의 제1 연결도선과 제2 연결도선이 연신된 소자의 외부 전극이므로, 제1 연결전극(311A)과 제2 연결전극(311B)은 각각 발광다이오드 칩(3)과 전기적으로 연결된다. 에너지 변환층(4)은 적어도 발광다이오드 칩(3)을 커버하고, 적어도 일부의 제1 연결전극(311A)과 제2 연결전극(311B)을 노출시키고, 그중 에너지 변환층(4)은 적어도 일부의 발광다이오드 칩(3) 및/또는 투명기판(2)이 방출하는 광선을 흡수하여, 다른 파장 범위의 광선으로 변환시킨 후, 흡수되지 않은 광선과 혼광함으로써, 발광소자(310)의 발광 파장 범위와 발광 효과를 증가시킨다. 본 실시예의 발광소자(310)는 투명기판(2) 상의 상대적 양단에 각각 설치된 제1 연결전극(311A)과 제2 연결전극(311B)을 가지므로, 발광소자(310)는 독립적으로 제작된 후 다시 적당한 탑재대와 결합될 수 있어, 전체 제조 수율을 향상시키고, 구조를 간소화하고 결합되는 탑재대의 설계 변화를 증가시키는 등의 효과를 이룰 수 있다.
도 6a를 참고하면, 본 발명의 실시예는 상술한 발광소자를 사용한 발광장치(11)에 관한 것으로, 발광장치(11)는 발광소자의 투명기판(2)이 수직 설치되어 결합될 수 있는 탑재대(5)를 더 포함할 수 있으며, 또한 투명기판(2)과 탑재대(5)는 제1 협각(θ1)을 이루고, 상기 제1 협각(θ1)의 각도는 고정 설치되거나 또는 발광장치의 발광 패턴의 요구에 따라 조절 가능하며, 바람직한 실시예에서의 제1 협각(θ1)의 각도 범위는 30°~ 150° 사이에 있다.
도 6b를 참고하면, 본 발명의 발광장치(11)의 탑재대(5)는 외부 전원과 결합되는 회로기판(6)을 더 포함할 수 있고, 투명기판(2) 상의 제1 연결도선 및 제2 연결도선(미도시)과 전기적으로 결합되어, 발광다이오드 칩(3)과 전기적으로 연결됨으로써, 외부 전원이 회로기판을 통하여 발광다이오드 칩(3)의 발광에 필요한 전원을 공급받게 한다. 상기 회로기판(6)을 설치하지 않을 경우, 제1 연결도선 및 제2 연결도선(미도시)을 통하여 발광다이오드 칩(3)을 직접 탑재대(5)에 전기적으로 연결하여, 외부 전원이 탑재대(5)를 통해 상기 발광다이오드 칩(3)에 전기를 공급하게 한다.
도 6c를 참고하면, 본 발명의 발광장치(11)는 제2 주표면(21B) 또는 탑재대(210) 상에 설치된 반사경(8) 또는 여파기를 더 포함할 수 있고, 이 반사경(8)은 상기 발광다이오드 칩(3)으로부터 방출되어 상기 투명기판(2)을 투과하는 적어도 일부 광선을 반사할 수 있어, 상기 광선의 적어도 일부가 상기 제1 주표면(21A)으로부터 방출되게 한다. 상기 반사경(8)은 적어도 금속층 또는 브래그 반사경(Bragg reflector)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 브래그 반사경은 서로 다른 굴절률을 갖는 다층의 유전 박막이 적층되어 구성되거나 또는 서로 다른 굴절률을 갖는 다층의 유전 박막과 다층의 금속 산화물이 적층되어 구성된다.
도 6d를 참고하면, 본 발명의 발광장치(11)의 투명기판(2)은 다이아몬드상 카본막(diamond-like carbon, DLC)(9)을 더 포함할 수 있고, 상기 다이아몬드상 카본막(9)은 열 전도 및 방열 효과를 증가시키기 위하여 투명기판(2)의 탑재면(210) 및/또는 제2 주표면(21B)에 설치된다.
도 7a를 참고하면, 도 7a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 개략도이다. 도 7a에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 발광장치(10)는 상기 실시예에 기재한 바와 같은 발광소자와 탑재대(26)를 포함하며, 그 중 상기 발광소자는 투명기판(2)과 적어도 하나의 발광다이오드 칩(14)을 포함하고, 발광소자는 상기 탑재대(26) 내에 삽입되고, 연결도선(20, 22)을 통해 각각 상기 탑재대의 전극(30, 32)과 전기적으로 연결되어, 전원이 상기 전극(30, 32)을 통해 구동 전압(V+, V-)을 제공하게 함으로써 상기 발광다이오드 칩(14)을 구동시켜 광선(L)을 방출한다. 발광다이오드 칩(14)에 포함되는 제1 전극(16)과 제2 전극(18)은 와이어 본딩 방식을 이용하여 제1 연결도선(20) 및 제2 연결도선(22)과 전기적으로 연결되나 이에 한정되지 않는다. 그밖에 발광다이오드 칩(14)은 방출 광선(L)의 발광 각도가 180°보다 크거나 또는 복수의 발광면을 가짐으로써, 상기 발광소자의 방광방향이 제1 주표면(21) 및 제2 주표면(21B)으로부터 방출되는 방향을 포함하고, 또한 일부 광선이 발광다이오드 칩(14) 및/또는 투명기판(2)의 4개 측벽으로부터 방출되도록 하여, 발광장치(10)가 육면 발광 또는 전(全) 방향으로 발광하는 특성을 갖게 한다.
발광소자는 발광다이오드 칩(14), 제1 주표면(21A) 또는 제2 주표면(21B)에 설치된 에너지 변환층(4)을 더 포함할 수 있다. 에너지 변환층(4)은 발광다이오드 칩(14)이 방출하는 적어도 일부의 광선을 다른 파장 범위의 광으로 변환시켜, 발광장치(10)로 하여금 특정 색광 또는 파장 범위가 비교적 큰 광선을 방출하도록 한다. 예를 들면 발광다이오드 칩(14)이 방출한 일부 청색광은 에너지 변환층(4)에 조사된 후 황색광으로 변환될 수 있어, 발광장치(10)는 청색광과 황색광이 혼합하된 백색광을 방출할 수 있다. 그밖에, 투명기판(2)은 비평행 방식 및/또는 평행 방식으로 직접 또는 간접적으로 탑재대(26)에 고정 설치될 수 있다. 예를 들면, 투명기판(2)의 측벽은 수직 방식으로 탑재대(26)에 고정되거나 또는 기판(2)을 탑재대(26) 상에 수평으로 놓을 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 투명기판(2)은 양호한 열전도 특성을 가진 재료를 선택함으로, 발광다이오드 칩(14)이 발생한 열에너지는 투명기판(2)을 빠르게 통과하여 탑재대(26)에 전달되어 방열이 이루어지므로, 본 발명의 발광장치는 고출력의 발광다이오드 칩을 사용할 수 있으나, 바람직한 실시예의 발광장치는 동일한 출력 조건에서, 출력이 비교적 작은 복수의 발광다이오드 칩을 투명기판(2)에 설치하여, 투명기판(2)의 열전도 특성을 충분히 이용한다. 예를 들면 본 실시예의 발광다이오드 칩의 효율은 0.2W보다 작거나 같을 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도 7b를 참고하면, 도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 외관 개략도이다. 도 7a와 비교하면, 발광장치(10')는 복수의 발광다이오드 칩(14)을 포함하며, 적어도 일부의 발광다이오드 칩(14)은 직렬 연결 방식으로 서로 전기적으로 연결된다. 그 중, 각 발광다이오드 칩(14)은 제1 전극(16)과 제2 전극(18)을 각각 포함하며, 직렬 연결 전단(前端)의 발광다이오드 칩(14)의 제1 전극(16)은 제1 연결도선(20)과 전기적으로 연결되고, 후단(後端)의 다른 발광다이오드 칩(14)의 제2 전극(18)은 제2 연결도선(22)과 전기적으로 연결되나 이에 한정되지 않으며, 발광다이오드 칩(14)은 병렬 연결 또는 직렬 연결 방식으로 전기적으로 연결될 수도 있다. 본 실시예의 발광다이오드 칩(14)은 동일한 색상의 광을 발광하는 발광다이오드 칩, 예를 들면 청색광 발광다이오드 칩들로부터 선택될 수 있거나, 또는 응용 필요에 따라 서로 다른 색광의 발광다이오드 칩을 조합하여 사용할 수 있다. 이러한 경우, 에너지 변환층(4)을 결합하는 방법은 발광장치(10')가 각종 색상의 광을 방출하는 융통성을 더 증가시킬 수 있다.
도 8을 참고하면, 도 8은 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 외관 개략도이다. 도 7a 및 도 7b와 비교하면, 본 실시예의 발광장치(50)는 발광 소자와 탑재대(26)를 연결하는 지지대(51)를 더 포함하고, 그 중 발광소자의 투명기판(2)은 소자 접합층(52)을 통해 지지대(51)의 일측에 고정 설치되고, 지지대(51)의 타측은 탑재대(26)에 삽입 설치된다. 그밖에 지지대(51)는 각도를 탄성 조절 가능하여, 투명기판(2)과 탑재대(26)의 협각이 30°~ 150° 사이에 있게 한다. 지지대(51)의 재료는 알루미늄 재질 금속, 복합식 금속 재료, 구리 도선, 전선, 세라믹 기판, 또는 인쇄회로기판 중 임의의 재질을 선택할 수 있다.
도 9a, 도 9b, 도 9c를 참고하면, 본 발명에서의 투명기판(2)을 탑재대(5) 상에 설치할 때, 바람직한 실시예 중 하나는 삽입 결합 또는 접착 결합 방식을 통해 양자의 결합을 이룰 수 있다.
도 9a에 도시한 바와 같이, 투명기판(2)을 탑재대(5) 상에 배치할 때, 투명기판(2)은 탑재대(5)의 단일 홀식 삽입홈(61)에 삽입 결합되어, 발광 다이오드 소자로 하여금 연결도선을 통해 상기 삽입홈(61)과 전기적으로 결합되게 한다. 이때 투명기판(2)상의 발광다이오드 칩(미도시)은 탑재대(5)의 전원 공급과 결합되기 위해, 회로 패턴 또는 연결도선이 투명기판(2)의 모서리에 집중되어 복수의 도전 접촉자를 구비한 골드 핑거 구조 또는 연결전극(311A, 311B)과 같은 구조로 통합된다. 다시 말해 전기적 연결 포트로 통합된다. 삽입홈(61)에 투명기판(2)이 삽입될 수 있어, 발광다이오드 칩(미도시)이 탑재대(5)에 의해 전원을 공급받고, 동시에 투명기판(2) 또한 탑재대(5)의 삽입홉(61)에 고정 설치된다.
도 9b를 참고하면, 도 9b는 투명기판(2)을 탑재대(5) 상의 멀티 홀식 삽입홈에 삽입 연결하는 것을 나타낸 구조 개략도이다. 이때 투명기판(2)은 적어도 하나의 더블핀 구조를 가지며, 그중 하나의 삽입핀은 소자의 양극이며, 다른 하나의 삽입핀은 소자의 음극이며, 양자는 모두 연결포트로서의 도전 접촉자를 구비한다. 상응하게, 탑재대(5)는 삽입핀 삽입면 크기에 부합하는 적어도 2개의 삽입홈(61)을 구비하여, 투명기판(2)이 탑재대(5)와 순조롭게 결합될 수 있게 하고, 발광다이오드 칩이 전력을 공급받게 한다.
도 9c를 참고하면, 소자 결합층은 접착 결합 방식으로 투명기판(2)과 탑재대(5)를 접합시킨다. 접착 결합하는 과정에서, 금, 주석, 인듐, 비스무트, 은 등 금속을 용접 보조재로 하여 접합하거나 또는 도전성을 가진 실리카젤 또는 에폭시수지를 보조재로 사용하여 투명기판(2)을 고정 설치함으로써, 발광소자의 도전 패턴 또는 연결도선이 상기 소자 접합층을 통해 탑재대 상의 전극과 전기적으로 연결되게 한다.
도 10a와 도 10b를 참고하면, 본 실시예의 발광장치(11)의 주요 구성은 앞에서 서술한 실시예와 같으며, 그중 탑재대(5)는 금속기판으로서, 예를 들면 만곡 가능한 알루미늄 재질 금속, 복합 알루미늄 함유 재료, 구리 도선, 또는 전선으로 구성되며, 세라믹 기판이나 인쇄회로기판도 가능하다. 탑재대(5)의 표면 또는 측변에는 적어도 하나의 지지대(62)를 구비하고, 상기 지지대(62)는 탑재대(5)와 분리되거나 또는 일체화된 구성부재이다. 발광소자는 접착 결합 방식을 통해 지지대(62)와 결합될 수 있다. 다시 말하면 소자 접합층(63)을 통해 투명기판(2)을 탑재대(5)에 고정 설치하고, 탑재대(5)의 지지대가 없는 부분의 표면과 제1 협각(θ1)을 유지하고, 탑재대(5)의 지지대가 없는 부분의 표면에 발광다이오드 칩(2)을 설치하여 발광장치(11)의 발광 효율을 향상시킬 수도 있다. 그밖에, 발광소자는 삽입 연결(미도시) 방식을 통해 지지대(62)와 서로 연결될 수 있다. 다시 말하면 연결장치를 통해 소자와 지지대 및/또는 지지대와 탑재대를 결합시켜 투명기판(2)을 탑재대(5)에 고정 설치한다. 탑재대(5)와 지지대(62)는 만곡 가능하므로, 응용시의 융통성을 증가시키는 동시에 복수의 발광소자를 사용할 수 있으므로, 서로 다른 광색의 발광소자를 조합하는 것을 통해, 발광장치(11)로 하여금 색채 변화성을 갖게 하여 서로 다른 수요를 만족시킬 수 있다.
도 11을 참고하면, 도시한 바와 같이, 본 실시예의 발광장치는 적어도 하나의 발광소자(1) 및 탑재대(5)를 포함하고, 그 중 상기 탑재대(5)는 적어도 하나의 지지대(62) 및 적어도 하나의 회로 패턴(P)을 포함한다. 발광소자(1)의 주요 구성은 앞에서 서술한 실시예와 같으며, 투명기판의 일단을 지지대(62)와 결합시킴으로써 발광소자(1)의 발광에 대한 지지대(62)의 차단 효과를 줄이거나 또는 차단 효과가 발생하지 않게 한다. 탑재대(5)는 알루미늄 재질 금속 기판, 복합 알루미늄 금속 기판, 구리 도선 또는 전선으로 구성되며, 세라믹 기판 또는 인쇄회로기판도 가능하다. 지지대(62)는 탑재대(5)의 일부분을 절단하여 일정 각도[상기 도 10a와 도 10b의 제1 협각(θ1)]으로 만곡하여 이루어진다. 회로 패턴(P)은 탑재대(5)에 설치되고, 전원과 전기적으로 연결되는 적어도 1그룹의 전기 단자를 구비하고, 일부가 지지대(62)까지 연신되어 발광소자(1)와 전기적으로 연결됨으로써, 상기 발광소자(1)가 탑재대(5)의 회로 패턴(P)을 통하여 전원과 전기적으로 연결되게 한다. 그밖에 탑재대(5)는 적어도 하나의 공동(H) 또는 적어도 하나의 노치(G)를 더 포함함으로써, 나사, 못, 볼트 등과 같은 고정부재가 상기 공동(H) 또는 노치(G)를 통해 탑재대(5)를 발광장치의 응용 상황에 따라 기타 부재에 추가적으로 팩킹하거나 장착할 수 있게 하고, 동시에 공동(H) 또는 노치(G)는 탑재대(5)의 방열 면적을 증가시켜, 발광장치의 방열 효과를 향상시킨다.
도 12를 참고하면, 도 12는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광장치의 베이스를 나타낸 입체 개략도이다. 도 12에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 장치 베이스(322)는 탑재대(5) 및 적어도 하나의 지지대(62)를 포함하고, 도 11의 실시예와 비교하면, 본 실시예의 지지대(62)는 적어도 하나의 바형부재(342)와 노치(330)를 더 포함하고, 그중 전극(30, 32)은 각각 노치(330)의 양측에 설치되고, 바형부재(342)는 적어도 상기 노치(330)의 측벽을 구성한다. 발광소자는 상기 노치(330)에 대응하여 상기 지지대(62)와 결합되고, 상기 발광소자의 연결도선은 전극(30,32)과 전기적으로 연결됨으로써, 상기 발광소자가 지지대(62) 및 탑재대 상의 회로 패턴을 통해 전원과 전기적으로 결합되어 구동될 수 있게 한다. 그중 노치(330) 크기는 지지대(62) 방향에 대한 발광소자의 발광이 지지대(62)에 의해 차단되지 않도록 발광소자의 주 발광면보다 작지 않아야 한다. 지지대(62)와 탑재대(5)의 연결부는 지지대(62)와 탑재대(5) 사이의 협각을 필요에 따라 조절할 수 있도록 가동적으로 설계할 수 있다.
도 12와 도 13을 참고하면, 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 입체 개략도이다. 도 12의 실시예와 비교하면, 도 13에 도시한 발광장치(302)는 복수의 노치(330)를 구비한 적어도 하나의 지지대(62)를 더 포함하며, 그중 상기 복수의 노치(330)는 각각 지지대(62)의 대응 양변에 각각 설치됨으로써, 바형부재(342)가 적어도 상기 복수의 노치(330)의 측벽을 동시에 구성하게 한다. 복수의 발광소자(310)는 상기 복수의 노치(330)와 대응하게 설치되고, 각 발광소자(310)의 회로 패턴 또는 연결전극(미도시)은 전극(30) 및 전극(32)과 각각 대응 설치되고 전기적으로 연결된다. 본 실시예의 발광장치(302)는 추가적으로 복수의 지지대(62)를 더 포함할 수 있으며, 발광소자(310)가 설치된 지지대(62)와 탑재대(5) 사이 협각은 필요에 따라 각자 조절할 수 있다. 바꾸어 말하면, 적어도 일부의 지지대(62)와 탑재대(5) 사이의 협각을 서로 다르게 하여, 필요한 발광 효과에 도달할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 그밖에 동일한 지지대 또는 서로 다른 지지대에 발광 파장 범위가 서로 다른 발광 소자의 조합을 설치함으로써, 발광장치의 색채 효과를 더욱 풍부하게 할 수도 있다.
휘도를 향상시키고 발광 효과를 개선하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예의 발광장치는 복수의 투명기판으로 형성된 발광소자를 동시에 상기 실시예와 같은 탑재대 또는 기타 탑재부재 상에 배치한다. 이때 대칭 또는 비대칭의 배열 형식으로 배치할 수 있으며, 바람직한 대칭 배치 방식은 즉 복수의 투명기판으로 형성된 발광소자를 점 대칭 또는 선 대칭의 형식으로 탑재부재에 설치하는 것이다. 도 14a, 도 14b, 도 14c, 도 14d를 참고하면, 각 실시예의 발광장치는 서로 다른 형상의 각종 탑재부재(60) 상에 복수의 발광소자를 설치하여, 점 대칭 또는 선 대칭의 형식으로 전체 발광장치(11)의 발광을 균일하게 할 수 있으며(발광다이오드 칩은 도시하지 않음), 이러한 발광장치(11)의 발광 효과는 상기의 제1 협각의 크기를 변화시키는 것을 통해 추가적으로 조절 및 개선할 수 있다. 도 14에 도시한 바와 같이, 발광소자 간은 점 대칭 방식으로 90° 협각을 이루고, 이때 발광장치 4개 면 중 어느 한 면으로부터 발광장치를 보아도 모두 적어도 2개의 발광소자와 직면한다. 도 14b에 도시한 발광장치의 발광소자 사이의 협각은 90°보다 작다. 도 14d에 도시한 발광장치의 발광소자 사이의 협각은 90°보다 크다. 다른 실시예는 비대칭 배치 방식으로 복수의 발광소자 중의 적어도 일부를 집중 또는 분산 설치함으로써 서로 다른 응용시의 발광장치의 발광 패턴 요구를 달성한다(미도시).
도 15를 참고하면, 도 15는 본 발명의 다른 바람직한 실시예의 발광장치를 나타낸 단면 개략도이다. 도 15에 도시한 바와 같이, 발광장치(301)는 발광소자(310) 및 지지대(321)를 포함한다. 지지대(321)는 노치(330)를 포함하고, 발광소자(310)는 노치(330)와 대응 설치된다. 그중, 본 실시예의 지지대(321)의 하부는 삽입핀으로 하거나 또는 표면 용접에 필요한 접합 패드로 만곡하여, 탑재대와 같은 기타 필요한 소자에 고정 설치하거나 또는/및 전기적으로 연결하는데 사용할 수 있다. 발광소자(310)의 한 발광면은 노치(330) 내에 설치되므로, 지지대(321)가 투광재료인지 여부에 상관없이 발광장치(301)는 모두 육면 발광의 발광 효과를 가진다.
도 16a를 참고하면, 본 발명의 구체적 실시예 중 하나에 따른 발광장치를 나타내고 있으며, 상기 발광장치는 긴 튜브형의 램프 하우징(7) 및 적어도 하나의 발광소자(1) 및 그 탑재부재(60)를 포함하고, 그중 발광소자(1)는 탑재부재(60) 상에 설치되고 적어도 일부는 긴 튜브형의 램프 하우징(7)으로 형성된 공간 내에 위치한다. 도 16b를 참고하면, 2개 이상의 발광소자(1)가 램프 하우징(7)의 내부에 설치될 경우, 상기 발광소자(1)의 제1 주표면(21A) 사이는 서로 평행되지 않는 방식으로 배열된다. 그밖에, 발광소자(1)의 적어도 일부는 램프 하우징(7)으로 형성된 공간 내에 배치되고, 또한 램프 하우징(7)의 내벽과 긴밀하게 접촉되지 않고, 바람직한 실시예는 발광소자(1)와 램프 하우징(7) 사이의 거리(D)는 500㎛보다 크거나 같다. 그러나 포팅 방식으로 램프 하우징(7)이 형성되도록 설계할 수도 있으며, 상기 램프 하우징(7)의 적어도 일부가 상기 발광소자(1)를 감싸면서 직접 접촉되게 한다.
도 16c를 참고하면, 본 발명의 다른 바람직한 실시예의 발광장치로써, 그중 상기 발광장치의 램프 하우징(7)은 적어도 하나의 하우징면(71)을 구비하며, 상기 하우징면(71)은 광고가 인쇄되어 있는 면 또는 기타 백라이트가 필요한 표시장치일 수 있고, 본 발명의 발광소자(1)의 제1 주표면(21A)과 제2 주표면(21B)에 의해 제공된 조명으로 하우징면(71)의 백라이트를 형성한다. 그중, 발광소자(1)와 하우징면(71) 사이에 형성된 제2 협각의 각도 범위는 0°~ 45°[제2 협각은 도면에서 0°이므로, 도시하지 않음]이다. 투명기판 및 다 방향으로 발광하는 발광다이오드 칩이 조합되어 이루어진 발광소자 또는 발광판/발광시트가 발생하는 광이 비교적 균일하게 램프 하우징(7)을 통과할 수 있도록 하기 위하여, 발광소자(1)의 적어도 일부는 램프 하우징(7)으로 형성된 공간 내에 배치되고, 또한 기본적으로 램프 하우징(7)의 내벽에 긴밀하게 접착되지 않으며, 바람직하게는 발광소자(1)와 램프 하우징(7) 사이의 거리(D)가 500㎛보다 크거나 같다. 그러나 포팅 방식으로 램프 하우징(7)이 형성되도록 설계할 수도 있으며, 상기 하우징 램프(7)의 적어도 일부가 상기 투명기판(2)를 감싸면서 직접 접촉되게 한다.
도 16d, 도 16e, 도 16f, 도 16g를 참고하면, 본 발명의 다른 계열의 구체적인 실시예이며, 이 계열의 실시예에서 발광장치는 구형의 램프 하우징(7) 및 베이스(64)를 더 포함한다. 도 16d에서, 이전의 실시예와 비교하면, 본 실시예의 발광장치는 구형의 램프 하우징(7), 베이스(64) 상에 추가 설치된 탑재대(5)를 더 포함하고, 그중 상기 베이스(64)는 종래의 전구의 베이스일 수 있으며, 상기 램프 하우징(7)과 베이스(64)가 결합되어 발광 소자와 지지대(5)를 감싸고, 램프 하우징(7)이 탑재대(5)와 직접 결합되어 발광소자를 감쌀 수도 있다. 베이스(64)의 형식은 플랫폼 또는 도 16e에 도시한 바와 같이 별도의 탑재돌출부를 구비할 수 있다. 도 16f에서, 램프 하우징(7)의 내측에 에너지 변환층(4)이 도포되어 있어, 발광다이오드 칩(3)이 발생하는 광선의 적어도 일부가 램프 하우징(7)으로부터 나가기 전에 다른 파장 범위의 광으로 변환될 수 있게 한다. 도 16g에서, 이중층의 램프 하우징(7)과 램프 하우징(7')을 사용한 설계를 나타냈으며, 램프 하우징(7)과 램프 하우징(7') 사이에 공간(S)이 있고, 램프 하우징(7), 램프 하우징(7') 및 양자 사이의 공간(S)을 이용하여 발광장치로 하여금 무늬와 색채 상에 있어서 추가적인 변화를 가지게 할 수 있다.
도 17과 도 18을 참고하면, 도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 라이트 바를 나타낸 개략도이며, 도 18은 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 입체 개략도이다. 도 17에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 라이트 바(323)는 복수의 노치(330)를 포함한다. 라이트 바(323)는 연신 방향 X를 가지고, 노치(330)는 연신 방향 X를 따라 배열 설치된다. 다 방향으로 발광하는 복수의 발광소자는 라이트 바(323)의 노치(330)에 대응하게 설치되어 발광 라이트 바를 형성하나 이에 한정되지 않는다. 또한, 라이트 바(323)는 복수의 전기적 성질(電性)이 서로 다른 전극(30), 전극(32), 및 제1 외부 연결전극(350A)과 제2 외부 연결전극(350B)을 더 포함할 수 있다. 전극(30)과 전극(32)은 각 노치(330)의 양측에 각각 설치된다. 제1 외부 연결전극(350A) 및 제2 외부 연결전극(350B)은 각 전극(30)과 각 전극(32)에 각각 전기적으로 연결되고 라이트 바(323)의 양측에 설치된다. 도 17과 도 18에서 도시한 바와 같이, 발광장치(303)는 상기 실시예의 라이트 바(323) 및 장치 프레임(360)을 포함할 수 있다. 그중, 발광소자(310)가 설치되어 있는 라이트 바(323)는 필요에 따라 수직, 수평 또는 경사 방식으로 장치 프레임(360)에 설치될 수 있고, 라이트 바(323)는 양측에 위치하는 제1 외부 연결전극(350A) 및 제2 외부 연결전극(350B)에 의해 장치 프레임(360)을 통해 전원과 전기적으로 연결되나 이에 한정되지 않는다. 그밖에, 발광장치(303)는 필요에 따라 확산막과 같은 적합한 광학막을 결합함으로써 장치 프레임(360) 내에서 발광소자(310)가 형성하는 발광 효과를 조절한다.
도 19를 참고하면, 도 19는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광장치를 나타낸 개략도이다. 도 19에 도시한 바와 같이, 발광장치(304)는 복수의 발광소자(310) 및 탑재대(324)를 포함한다. 탑재대(324)는 복수의 노치(330)를 포함하고, 노치(330)는 어레이 방식으로 배열 설치되고, 각 발광소자(310)는 노치(30)와 대응 설치된다. 본 실시예의 각 발광소자(310)는 노치(330)에서의 연결 방식이 상기 실시예와 유사하므로, 여기서 상세히 설명하지 않는다. 설명해야 할 점은, 탑재대(324)는 기타 외부 소자와 전기적으로 연결하는데 사용되는 제1 외부 연결전극(350A) 및 제2 외부 연결전극(350B)을 더 포함할 수 있다. 그밖에, 본 실시예의 발광장치(304)는 광고 간판 또는 직하식 백라이트 모듈에 사용될 수 있으며, 탑재대(324)는 투광성을 갖는 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다.
종합하자면, 본 발명의 발광소자는 투명기판 및 발광 각도가 180°보다 큰 발광다이오드 칩을 사용하므로, 육면 발광 또는 전(全) 방향 발광의 효과를 가지며, 또한 발광 효율을 향상시키고 발광 다이오드를 사용하는 종래의 발광 소자의 발광 패턴이 좋지않은 문제를 개선할 수 있다. 그밖에, 투명기판은 양호한 열전도성 특성을 가진 재료를 선택함으로써, 발광다이오드 칩이 발생하는 열에너지가 투명기판을 통해 빠르게 방열될 수 있게 한다.
그밖에, 본 발명에 개시된 발광소자의 구조는 발광다이오드 칩을 투명기판에 설치하여 형성된 발광소자 또는 발광판/발광시트를 통해 효과적이고 충분하게 응용될 수 있다. 또한 발광소자의 2개의 주요 면으로 모두 발광할 수 있으므로, 최소한의 전기 공급으로 최대의 발광 효율을 얻을 수 있고 균일한 발광 효과를 가지며, 전구, 조명관, 광고 간판 등 분야에 응용되더라도 발광 효과가 좋고, 전력 소비가 낮고, 발광이 모두 균일한 등의 장점을 나타낼 수 있으며, 실제로 경제적, 실용적 가치를 가지는 발광소자이다.
1, 310: 발광소자
2: 투명기판
3, 14: 발광다이오드 칩
4: 에너지 변환층
5, 26, 324: 탑재대
6: 회로기판
7, 7': 램프 하우징
8: 반사경
9, 25: 다이아몬드상 카본막
10, 10', 11, 50, 301, 302, 303, 304: 발광장치
12M: 비평면 구조
16, 31A: 제1 전극
18, 31B: 제2 전극
20, 23A: 제1 연결도선
21A: 제1 주표면
21B: 제2 주표면
22, 23B: 제2 연결도선
28: 칩 접합층
28A: 제1 칩 접합층
28B: 제2 칩 접합층
30, 32: 전극
34: 발광면
51: 지지대
52: 소자 접합층
60: 탑재부재
61: 삽입홈
62: 지지대
63: 소자 접합층
64: 베이스
71: 하우징면
141: 기재
142: N형 반도체층
143: 능동층
144: P형 반도체층
210: 탑재면
311A: 제1 연결전극
311B: 제2 연결전극
321: 지지대
322: 장치 베이스
323: 라이트 바
330: 노치
342: 바형부재
350A: 제1 외부 연결전극
350B: 제2 외부 연결전극
360: 장치 프레임
D: 거리
G: 노치
H: 홀
L: 광선
P: 회로 패턴
S: 공간
V+: 구동전압
V-: 구동전압
θ1: 제1 협각
X: 연신 방향

Claims (50)

  1. 투명기판 및 복수의 발광 다이오드 칩
    을 포함하고,
    상기 투명기판은 서로 대향하게 설치된 탑재면과 제2 주표면을 구비하고,
    적어도 일부의 상기 발광다이오드 칩은 상기 탑재면에 설치되고, 상기 발광다이오드 칩이 설치되지 않은 일부 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성하고, 각 상기 발광다이오드 칩은 제1 전극과 제2 전극을 포함하고,
    상기 복수의 발광다이오드 칩 중 적어도 하나의 상기 발광다이오드 칩의 발광 방향은 상기 투명기판을 통과하여, 상기 제2 주표면으로부터 발광되는,
    발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광다이오드 칩, 상기 제1 주표면, 또는 상기 제2 주표면 상에 설치되는 적어도 하나의 에너지 변환층을 더 포함하고, 상기 에너지 변환층은 상기 복수의 발광다이오드 칩이 방출하는 광선의 적어도 일부를 흡수하여 서로 다른 파장 범위의 광선으로 변환하는, 발광소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 에너지 변환층은 상기 제1 주표면과 상기 제2 주표면 상에 설치되고, 서로 다른 위치의 상기 에너지 변환층에 함유된 형광분의 비율은 1:0.5 ~ 1:3인, 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 각 발광다이오드 칩의 출력은 0.2W보다 작거나 같은, 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 투명기판의 재료는 산화알루미늄(Al2O3), 산화알루미늄 함유 사파이어, 탄화규소(SiC), 유리, 플라스틱, 또는 고무를 포함하여 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는, 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 주표면은 비평면 구조를 가지는, 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 탑재면 또는 상기 제2 주표면 상에 설치되는 다이아몬드상 카본막을 더 포함하는 발광소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 투명기판과 상기 다이아몬드상 카본막 사이에 설치되는 광학막을 더 포함하는 발광소자.
  9. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 큰, 발광소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 투명기판의 재료는 사파이어이며, 두께가 200㎛보다 크거나 같은, 발광소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 각각 상기 투명기판 상에 위치하는 제1 연결도선 및 제2 연결도선과 전기적으로 연결되는, 발광소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 주표면과 상기 제2 주표면이 방출하는 광선의 색온도 차이는 1500K와 같거나 작은, 발광소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 투명기판은 파장 범위가 420㎚ 이상 또는 470㎚ 이하인 광선에 대해, 광 투과율이 70% 이상인, 발광소자.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 각 발광다이오드 칩은 모두 발광면을 가지며, 상기 제1 주표면 또는 상기 제2 주표면의 면적은 상기 발광다이오드 칩의 상기 발광면의 총 면적의 5배 이상인, 발광소자.
  15. 제2항에 있어서,
    상기 에너지 변환층은 상기 발광다이오드 칩과 상기 제2 주표면 상에 설치되고, 서로 다른 위치의 에너지 변환층에 함유된 형광분의 비율은 1:0.5 ~ 1:3인, 발광소자.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제2 주표면 상 또는 상기 탑재면 상에 설치되는 반사경 또는 여파기(濾波器)를 더 포함하는 발광소자.
  17. 제1항에 있어서,
    적어도 일부의 상기 발광다이오드 칩은 상기 제2 주표면 상에 설치되고, 상기 탑재면과 상기 제2 주표면 상의 상기 복수의 발광다이오드 칩은 대응되게 엇갈려 배열되는, 발광소자.
  18. 투명기판 및 적어도 하나의 발광다이오드 칩
    을 포함하고,
    상기 투명기판은 서로 대향하게 설치된 탑재면과 제2 주표면을 구비하고,
    적어도 일부의 상기 발광다이오드 칩은 상기 탑재면에 설치되고, 상기 발광다이오드 칩이 설치되지 않은 일부 상기 탑재면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성하고,
    상기 발광다이오드 칩의 발광 각도는 180°보다 크며, 상기 발광다이오드 칩이 방출하는 적어도 일부 광선은 상기 투명기판을 통과하여, 상기 제2 주표면으로부터 방출되는,
    발광소자.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 투명기판의 재질은 사파이어이며, 두께가 200㎛보다 크거나 같은, 발광소자.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제1 주표면과 상기 제2 주표면이 방출하는 광선의 색온도 차이는 1500K와 같거나 작은, 발광소자.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩, 상기 제1 주표면, 또는 상기 제2 주표면 상에 설치되는 에너지 변환층을 더 포함하고, 상기 에너지 변환층은 상기 발광다이오드 칩이 방출하는 적어도 일부의 광선을 흡수하여 서로 다른 파장 범위의 광선으로 변환하는, 발광소자.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 에너지 변환층은 상기 발광다이오드 칩 상에 설치되고, 상기 발광다이오드 칩과 직접 접촉하는, 발광소자.
  23. 제21항에 있어서
    상기 에너지 변환층과 상기 발광다이오드 칩은 서로 접촉하지 않는, 발광소자.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 에너지 변환층은 상기 제1 주표면과 상기 제2 주표면 상에 설치되고, 상기 서로 다른 위치의 상기 에너지 변환층에 함유된 형광분의 비율은 1:0.5 ~ 1:3인, 발광소자.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 에너지 변환층은 상기 발광다이오드 칩과 상기 제2 주표면 상에 설치되고, 서로 다른 위치의 상기 에너지 변환층에 함유된 형광분의 비율은 1:0.5 ~ 1:3인, 발광소자.
  26. 제18항에 있어서,
    상기 투명기판은 파장 범위가 420㎚ 이상이거나 또는 470㎚ 이하인 광선에 대해, 광 투과율이 70% 이상인, 발광소자.
  27. 제18항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 발광면을 가지며, 상기 제1 주표면 또는 상기 제2 주표면의 면적은 상기 발광다이오드 칩의 상기 발광면의 총 면적의 5배 이상인, 발광소자.
  28. 제18항에 있어서,
    각 상기 발광다이오드 칩의 출력은 0.2W보다 작거나 같은, 발광소자.
  29. 제18항에 있어서,
    상기 투명기판의 재료는 산화알루미늄(Al2O3), 산화알루미늄 함유 사파이어, 탄화규소(SiC), 유리, 플라스틱, 또는 고무를 포함하여 이루어진 군으로부터 선택된 하나인, 발광소자.
  30. 제18항에 있어서,
    상기 제2 주표면은 비평면 구조를 가지는, 발광소자.
  31. 제18항에 있어서,
    상기 탑재면 또는 상기 제2 주표면 상에 설치되는 다이아몬드상 카본막을 더 포함하는 발광소자.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 투명기판과 상기 다이아몬드상 카본막 사이에 설치되는 광학막을 더 포함하는 발광소자.
  33. 제18항에 있어서,
    상기 제2 주표면 상 또는 상기 탑재면 상에 설치되는 반사경 또는 여파기를 더 포함하는 발광소자.
  34. 제18항에 있어서,
    상기 제2 주표면 상에 설치되는 복수의 상기 발광다이오드 칩을 더 포함하고, 상기 탑재면과 상기 제2 주표면 상의 상기 복수의 발광다이오드 칩은 대응하게 엇갈려 배열되는, 발광소자.
  35. 제1항 또는 제18항에 기재된 발광소자, 및 탑재대를 포함하는 발광장치에 있어서,
    상기 발광소자는 상기 탑재대 상에 설치되는, 발광장치.
  36. 제35항에 있어서,
    상기 발광소자와 상기 탑재대는 각도 범위가 30°~ 150°인 제1 협각을 이루는, 발광장치.
  37. 제35항에 있어서,
    상기 탑재대와 결합되는 지지대를 더 포함하고, 상기 발광소자는 상기 지지대 상에 고정 설치되는, 발광장치.
  38. 제37항에 있어서,
    상기 지지대는 상기 발광소자와 상기 탑재대가 제1 협각을 이루도록 만곡될 수 있는, 발광장치.
  39. 제35항에 있어서,
    복수의 상기 발광소자를 더 포함하고, 적어도 일부의 상기 발광소자는 점 대칭 또는 선 대칭 방식으로 상기 탑재대 상에 설치되는, 발광장치.
  40. 제39항에 있어서,
    복수의 지지대를 더 포함하고, 적어도 일부의 상기 발광소자가 각각 복수의 상기 지지대에 설치되는, 발광장치.
  41. 제40항에 있어서,
    적어도 일부의 상기 지지대와 상기 탑재대가 이루는 협각의 각도가 서로 다른, 발광장치.
  42. 제37항에 있어서,
    상기 지지대는 적어도 하나의 노치를 가지고, 상기 발광소자는 상기 노치에 대응되게 상기 지지대에 고정 설치되는, 발광장치.
  43. 제37항에 있어서,
    상기 지지대는 상기 탑재대와 일체인, 발광장치.
  44. 제37항에 있어서,
    상기 지지대의 재료는 알루미늄 재질 금속, 복합식 금속 재료, 구리 도선, 전선, 세라믹 기판, 또는 인쇄회로기판 중 임의의 일종으로부터 선택 가능한, 발광장치.
  45. 제35항에 있어서,
    상기 탑재대는 적어도 하나의 노치 또는 공동(孔洞)을 포함하는 발광장치.
  46. 제35항에 있어서,
    복수의 상기 발광소자 및 지지대를 더 포함하고, 상기 지지대는 상기 탑재대와 결합되고, 상기 지지대는 엇갈려 설치된 복수의 노치를 더 포함하고, 적어도 일부의 상기 발광소자는 상기 노치에 대응되게 상기 지지대 상에 고정 설치되는, 발광장치.
  47. 제1항 또는 제18항에 기재된 발광소자, 및 지지대를 포함하는 발광장치에 있어서,
    상기 발광소자는 상기 지지대 상에 설치되는, 발광장치.
  48. 탑재대; 및
    상기 탑재대로부터 외부로 연신 설치된 발광소자 설치용 복수의 지지대
    를 포함하는 발광장치.
  49. 제48항에 있어서,
    적어도 일부의 상기 지지대와 상기 탑재대가 이루는 협각이 서로 다른, 발광장치.
  50. 제48항에 있어서,
    적어도 일부의 상기 지지대는 점 대칭 또는 선 대칭 방식으로 상기 탑재대 상에 설치된, 발광장치.
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TW102116429A TWI533468B (zh) 2012-05-29 2013-05-08 發光元件及其發光裝置
TW102116650 2013-05-10
TW102116650A TWI511279B (zh) 2012-06-19 2013-05-10 用於形成多方向出光之發光二極體晶片的藍寶石基板

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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9269870B2 (en) 2011-03-17 2016-02-23 Epistar Corporation Light-emitting device with intermediate layer
US9166116B2 (en) * 2012-05-29 2015-10-20 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting device
CN203277498U (zh) 2012-05-29 2013-11-06 璨圆光电股份有限公司 发光组件及其发光装置的装置基座
DE112013005849T5 (de) 2012-12-06 2015-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Lichtemittierende Diode und Anwendung dafür
US9536924B2 (en) 2012-12-06 2017-01-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode and application therefor
TWI540768B (zh) * 2012-12-21 2016-07-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光晶片組合及其製造方法
KR20140096722A (ko) * 2013-01-29 2014-08-06 엘지이노텍 주식회사 램프 유닛
TWI626395B (zh) 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
US20150003058A1 (en) * 2013-07-01 2015-01-01 Biao Zhang Led light bulb
TWI642874B (zh) 2013-09-11 2018-12-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件以及相關之照明裝置
CN103545458B (zh) * 2013-10-18 2019-06-11 京东方科技集团股份有限公司 照明装置及其制作方法
TWM473612U (zh) * 2013-10-25 2014-03-01 Unity Opto Technology Co Ltd 發光二極體支架及其泡燈
CN104654067A (zh) * 2013-11-25 2015-05-27 璨圆光电股份有限公司 发光装置
JP2015135918A (ja) * 2014-01-17 2015-07-27 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
TWI550898B (zh) * 2014-03-18 2016-09-21 璨圓光電股份有限公司 半導體發光元件及其發光裝置
CN103912808B (zh) * 2014-03-19 2016-09-28 江苏日月照明电器有限公司 一种led发光组件及其灯具
CN103953896A (zh) * 2014-04-23 2014-07-30 广东聚科照明股份有限公司 一种360°全周光灯丝装置
CN103953863A (zh) * 2014-04-23 2014-07-30 广东聚科照明股份有限公司 一种360°全周光灯条
WO2015170814A1 (en) * 2014-05-09 2015-11-12 Lg Electronics Inc. Apparatus of light source for display and apparatus of display using the same
TW201545378A (zh) * 2014-05-19 2015-12-01 Achrolux Inc 封裝結構及其製法
KR102199991B1 (ko) * 2014-05-28 2021-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
US10739882B2 (en) 2014-08-06 2020-08-11 Apple Inc. Electronic device display with array of discrete light-emitting diodes
US10854800B2 (en) 2014-08-07 2020-12-01 Epistar Corporation Light emitting device, light emitting module, and illuminating apparatus
CN105509001A (zh) * 2014-09-26 2016-04-20 罗建华 一种led灯板
US20180231191A1 (en) * 2014-10-01 2018-08-16 Koninklijke Philips N.V. Light source with tunable emission spectrum
CN104359027A (zh) * 2014-11-03 2015-02-18 黎昌兴 发光体装置于透射导热基本的led光源
TW201617548A (zh) * 2014-11-06 2016-05-16 艾笛森光電股份有限公司 Led燈蕊結構
CN105737103B (zh) * 2014-12-10 2018-07-20 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置及相关荧光色轮和投影装置
US9958115B2 (en) * 2015-07-22 2018-05-01 Qin Kong LED tube grow light
US10209427B2 (en) * 2015-10-30 2019-02-19 Alson Technology Limited Electronic device
KR102435458B1 (ko) * 2015-12-04 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛용 광원 패키지 및 그를 포함하는 광원 장치
DE102016105211A1 (de) 2016-03-21 2017-09-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Filament und dessen Herstellung sowie Leuchtmittel mit Filamenten
KR20170131910A (ko) * 2016-05-23 2017-12-01 주식회사 루멘스 발광소자 및 이를 포함하는 발광벌브
DE102016113206A1 (de) * 2016-07-18 2018-01-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlung emittierende Vorrichtung
DE102016117594A1 (de) * 2016-09-19 2018-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierende Vorrichtung
CN107887369A (zh) * 2016-09-30 2018-04-06 王定锋 一种led双色灯条及制作方法
KR102430500B1 (ko) * 2017-05-30 2022-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈
EP3480510B1 (en) * 2017-11-03 2020-03-25 Xiamen Eco Lighting Co., Ltd. Led lighting apparatus
KR102582424B1 (ko) * 2017-12-14 2023-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
DE102017129975A1 (de) 2017-12-14 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils und Halbleiterbauteil
US10069047B1 (en) * 2018-01-16 2018-09-04 Leedarson Lighting Co. Ltd. LED device
CN108417691A (zh) * 2018-04-18 2018-08-17 东莞市恩瑞精密电子有限公司 线光源制作方法
CN110737085B (zh) * 2018-07-18 2021-11-30 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置
CN108870104A (zh) * 2018-08-16 2018-11-23 四川蓝景光电技术有限责任公司 单点外漏型led灯
US11342311B2 (en) * 2019-03-18 2022-05-24 Intematix Corporation LED-filaments and LED-filament lamps utilizing manganese-activated fluoride red photoluminescence material
WO2020190914A1 (en) 2019-03-18 2020-09-24 Intematix Corporation Packaged white light emitting device comprising photoluminescence layered structure
US11781714B2 (en) 2019-03-18 2023-10-10 Bridgelux, Inc. LED-filaments and LED-filament lamps
CN112086413B (zh) * 2019-06-14 2024-04-23 Jmj韩国株式会社 半导体封装
US11171118B2 (en) 2019-07-03 2021-11-09 Micron Technology, Inc. Semiconductor assemblies including thermal circuits and methods of manufacturing the same
US11206749B2 (en) 2019-08-02 2021-12-21 Micron Technology, Inc. Tubular heat spreaders for memory modules and memory modules incorporating the same
EP4143894A1 (en) * 2020-04-30 2023-03-08 Lumileds LLC Color leds with integrated optical filtering elements
TWI744194B (zh) * 2021-02-23 2021-10-21 晶呈科技股份有限公司 發光二極體封裝結構及其製作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005347516A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Jsr Corp 発光装置
JP2007165811A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
KR20110099513A (ko) * 2010-03-02 2011-09-08 삼성엘이디 주식회사 조명 장치

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5718771Y2 (ko) * 1976-05-25 1982-04-20
EP0465984A1 (en) * 1990-07-04 1992-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photosensitive body used in electrophotography
JPH10117018A (ja) * 1996-10-11 1998-05-06 Citizen Electron Co Ltd チップ型発光ダイオード
JP4061005B2 (ja) * 1999-03-31 2008-03-12 シャープ株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法並びに発光ダイオードの電気配線基板への搭載方法
US6479046B2 (en) * 2000-08-17 2002-11-12 Joseph C. Dickens Attractants and repellants for colorado potato beetle
JP2002232020A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄおよびこれを用いた表示装置、照明装置、液晶のバックライト装置並びに投影装置の光源装置
TW511299B (en) * 2001-03-14 2002-11-21 Kuo-Yen Lai Metal substrate with double LED for double side light emission
JP2004134249A (ja) * 2002-10-10 2004-04-30 Mitsubishi Electric Corp 照明装置
TW582122B (en) 2003-01-27 2004-04-01 Opto Tech Corp Light emitting diode package structure
US20050052885A1 (en) 2003-09-04 2005-03-10 Amazing International Enterprise Limited Structure of LED decoration lighting set
JP2005252222A (ja) * 2004-02-03 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法
EP1640756A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-29 Barco N.V. Methods and systems for illuminating
JP4995722B2 (ja) * 2004-12-22 2012-08-08 パナソニック株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、および照明装置
CN1862879A (zh) 2005-01-26 2006-11-15 内部无线公司 低形天线
JP2006216765A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
CN1866552A (zh) * 2005-05-18 2006-11-22 光宝科技股份有限公司 光线行进方向改变单元及含有其的模块和发光二极管组件
US7569406B2 (en) 2006-01-09 2009-08-04 Cree, Inc. Method for coating semiconductor device using droplet deposition
US8441179B2 (en) * 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
KR100703217B1 (ko) 2006-02-22 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법
JP2007234975A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ光源モジュール、エッジ入力型バックライトおよび液晶表示装置
JP2007324578A (ja) * 2006-05-01 2007-12-13 Mitsubishi Chemicals Corp 集積型半導体発光装置およびその製造方法
WO2008060615A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California Transparent mirrorless light emitting diode
CN101192601B (zh) * 2006-11-30 2010-10-13 东芝照明技术株式会社 具有半导体发光元件的照明装置
TW200825529A (en) * 2006-12-06 2008-06-16 Chi Lin Technology Co Ltd Light mixer and backlight module having it
JP5296690B2 (ja) 2007-01-11 2013-09-25 パナソニック株式会社 光源
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP5463447B2 (ja) * 2008-01-18 2014-04-09 三洋電機株式会社 発光装置及びそれを備えた灯具
JP5097057B2 (ja) * 2008-08-29 2012-12-12 株式会社沖データ 表示装置
US20100073944A1 (en) 2008-09-23 2010-03-25 Edison Opto Corporation Light emitting diode bulb
TW201015743A (en) * 2008-10-01 2010-04-16 Formosa Epitaxy Inc LED and manufacturing method thereof
SG171893A1 (en) 2008-12-04 2011-07-28 Univerity Of California Electron injection nanostructured semiconductor material anode electroluminescence method and device
KR20100076083A (ko) * 2008-12-17 2010-07-06 서울반도체 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
JP5266075B2 (ja) * 2009-01-26 2013-08-21 パナソニック株式会社 電球形照明装置
US8382331B2 (en) * 2009-04-03 2013-02-26 Yung Pun Cheng LED lighting lamp
US8079735B1 (en) 2009-03-31 2011-12-20 Usman Vakil Light emitting diode illumination device
TWI495084B (zh) * 2009-07-07 2015-08-01 Epistar Corp 發光元件
US9029898B2 (en) * 2009-08-26 2015-05-12 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting diode and illumination device using same
WO2011033551A1 (ja) * 2009-09-15 2011-03-24 アリスト・エンジニアリング プライベート リミテッド 照明装置
US8021192B2 (en) * 2009-11-13 2011-09-20 Smk Corporation LED illumination apparatus
TWM383697U (en) 2009-12-30 2010-07-01 Sheng-Yi Zhuang LED lamp set and light-emitting bulb applying the lamp set
CN102194957A (zh) * 2010-03-19 2011-09-21 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 发光二极管芯片承载座
CN102222749A (zh) * 2010-04-19 2011-10-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光组件及其模块
CN101846256A (zh) * 2010-05-04 2010-09-29 蔡州 Led光源
TWM389204U (en) 2010-06-03 2010-09-21 Liquidleds Lighting Corp LED illumination lamp
CN102339927A (zh) * 2010-07-27 2012-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
CN102374418B (zh) * 2010-08-20 2014-08-20 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管灯具
US8210716B2 (en) * 2010-08-27 2012-07-03 Quarkstar Llc Solid state bidirectional light sheet for general illumination
WO2012031533A1 (zh) 2010-09-08 2012-03-15 浙江锐迪生光电有限公司 LED灯泡及能够4π出光的LED发光条
JP5545547B2 (ja) * 2010-10-07 2014-07-09 東芝ライテック株式会社 光源体および照明器具
JP4778107B1 (ja) * 2010-10-19 2011-09-21 有限会社ナプラ 発光デバイス、及び、その製造方法
WO2012053134A1 (ja) * 2010-10-22 2012-04-26 パナソニック株式会社 実装用基板、発光装置及びランプ
CN201866576U (zh) * 2010-10-28 2011-06-15 王元成 一种led灯泡
KR101726807B1 (ko) * 2010-11-01 2017-04-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
JP2012099726A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄモジュール及びｌｅｄランプ
US20120118222A1 (en) * 2010-11-15 2012-05-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. METHOD OF MANUFACTURING GaN-BASED FILM
TW201233940A (en) 2010-11-30 2012-08-16 Wintek Corp Light source for crystal lamp
WO2012090356A1 (ja) 2010-12-28 2012-07-05 パナソニック株式会社 発光装置、発光モジュール及びランプ
CN102130239B (zh) 2011-01-31 2012-11-07 郑榕彬 全方位采光的led封装方法及led封装件
US8314566B2 (en) * 2011-02-22 2012-11-20 Quarkstar Llc Solid state lamp using light emitting strips
DE102011017195A1 (de) * 2011-04-15 2012-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung
US8723665B2 (en) * 2011-07-26 2014-05-13 Tyco Safety Products Canada Ltd. Audio buffering in two-way voice alarm systems
TWI464868B (zh) 2011-09-14 2014-12-11 Lextar Electronics Corp 固態光源模組及固態光源陣列
CN103907211B (zh) * 2011-10-31 2017-03-15 夏普株式会社 发光装置、照明装置以及发光装置的制造方法
US8591072B2 (en) * 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
US9395051B2 (en) 2012-04-13 2016-07-19 Cree, Inc. Gas cooled LED lamp
US9010964B2 (en) * 2012-04-26 2015-04-21 Epistar Corporation LED light bulb with interior facing LEDs
CN203277498U (zh) * 2012-05-29 2013-11-06 璨圆光电股份有限公司 发光组件及其发光装置的装置基座
CN202733581U (zh) * 2012-08-27 2013-02-13 程敬鹏 一种全角度发光的led灯泡
TWM453804U (zh) 2013-01-25 2013-05-21 Bo-Cheng Lin 具多方向照明之ｌｅｄ燈泡

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005347516A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Jsr Corp 発光装置
JP2007165811A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
KR20110099513A (ko) * 2010-03-02 2011-09-08 삼성엘이디 주식회사 조명 장치

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