KR20120089375A - 접착재 테이프 및 접착재 테이프 권중체 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 접착재 테이프 (10)은, 제1면 (F1) 및 이것과 반대측의 제2면 (F2)를 갖는 테이프상의 지지체 (1)과, 접착제 성분 (2a)를 함유하고, 지지체 (1)의 제1면 (F1) 위에 형성된 접착제층 (2)를 구비하고, 지지체 (1)의 제2면 (F2)는 2차원 표면 조도를 측정했을 때의 최대 높이 (Ry)가 1 ㎛ 이상이다.

Description

접착재 테이프 및 접착재 테이프 권중체{ADHESIVE MATERIAL TAPE AND ADHESIVE MATERIAL TAPE WOUND BODY}
본 발명은, 접착재 테이프 및 그의 권중체(卷重體)에 관한 것이다.
다수의 전극을 갖는 피접속 부재끼리를 전기적으로 접속하기 위한 접속 재료로서, 이방 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film)이 사용되고 있다. 이방 도전 필름은 인쇄 배선 기판, LCD용 유리 기판, 플렉시블 인쇄 기판 등의 기판에 IC, LSI 등의 반도체 소자나 패키지 등의 피접속 부재를 접속할 때, 마주보는 전극끼리의 도통 상태를 유지하고, 인접하는 전극끼리의 절연을 유지하도록 전기적 접속과 기계적 고착을 행하는 것이다.
이방 도전 필름은, 열경화성 수지를 함유하는 접착제 성분과 필요에 따라 배합되는 도전성 입자를 함유하는 접착제 조성물로 이루어지고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET) 등의 지지체 위에 필름상으로 형성된다. 보다 구체적으로는, 지지체 위에 접착제층을 폭 10 내지 50 cm 정도로 형성한 후, 일단 권취하여 원반(原反)을 제조하고, 이것을 권출하면서 연속적으로 폭 0.5 내지 5 mm 정도로 재단하여 접착재 테이프가 얻어진다. 이 접착재 테이프를 권심(卷芯)에 권취함으로써 접착재 릴(reel)이 제조된다.
종래 이방 도전 필름의 접착제 성분으로서는, 고접착성이면서도 고신뢰성을 나타내는 에폭시 수지를 사용한 열경화성 수지가 많이 사용되었다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 또한, 반응 활성종인 라디칼의 반응성이 높고, 단시간에 경화가 가능하다는 점에서 라디칼 경화형 접착제가 주목받고 있다(예를 들면, 특허문헌 2, 3 참조). 라디칼 경화형 접착제는, 아크릴레이트 유도체나 메타크릴레이트 유도체와 라디칼 중합 개시제인 과산화물을 병용한 것이다.
일본 특허 공개 (평)01-113480호 공보 일본 특허 공개 제2002-203427호 공보 국제 공개 제98/044067호
그러나, 릴에 감긴 상태의 접착재 테이프를 사용할 때에는, 접착제층이 배치되는 개소까지 릴로부터 접착재 테이프를 인출할 필요가 있다. 또한, 접착제층이 배치되는 개소의 전후에는 롤러나 클램프 등에 의해 접착재 테이프를 부분적으로 고정한다. 접착재 테이프를 인출하는 장력이 큰 경우, 롤러나 클램프 등에 의한 고정이 불충분해지기 쉽고, 접착재 테이프가 소정의 위치로부터 움직이거나 미끄러질 우려가 있다. 이 경우, 접착제층을 접착하는 위치가 어긋나 접착제층을 소정의 위치에 정확하게 배치할 수 없다는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 접착제 조성물로 이루어지는 접착제층을 소정의 위치에 충분히 높은 정밀도로 배치하는 데 유용한 접착재 테이프 및 그의 권중체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 제1면 및 이것과 반대측의 제2면을 갖는 테이프상의 지지체와, 접착제 성분을 함유하고, 지지체의 제1면 위에 형성된 접착제층을 구비하는 접착재 테이프이며, 지지체의 제2면은 2차원 표면 조도를 측정했을 때의 최대 높이 (Ry)가 1 ㎛ 이상인 접착재 테이프를 제공한다. 이 접착재 테이프는, 지지체의 제2면의 최대 높이 (Ry)가 1 ㎛ 이상, 즉 접착제층이 형성되어 있지 않은 측의 지지체 표면에 미소한 요철이 있으며, 표면이 적절히 거칠어져 있다. 그 때문에, 롤러나 클램프 등이 접촉하는 개소에서 충분히 큰 마찰력이 발생하고, 접착재 테이프가 미끄러지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 접착재 테이프를 큰 장력으로 인출한 경우에도, 접착제층을 소정의 위치에 충분히 높은 정밀도로 배치할 수 있다.
본 발명에서는, 접착제층이, 접착제 성분 중에 분산된 도전성 입자를 추가로 함유하는 것이 바람직하다. 접착제 성분 중에 도전성 입자를 분산시킴으로써, 회로 부재끼리를 접속하는 접속 재료(이방 도전 필름 또는 등방 도전 필름)로서 상기 접착재 테이프를 바람직하게 사용할 수 있다. 접착제층을 소정의 위치에 충분히 높은 정밀도로 배치할 수 있기 때문에, 전자 기기 생산시의 문제점 감소 및 생산 효율의 향상이 도모된다.
본 발명은, 상기 접착재 테이프를 권중(卷重)하여 이루어지는 권중체를 제공한다. 접착재 테이프를 권중체로 함으로써, 시트상인 것에 비해 취급성이 우수하고, 접착 장치로의 공급도 용이하다.
본 발명에 따르면, 접착제 조성물로 이루어지는 접착제층을 소정의 위치에 충분히 높은 정밀도로 배치할 수 있다.
[도 1] 본 발명에 따른 접착재 테이프의 한 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
[도 2] 본 발명에 따른 접착재 테이프의 권중체의 한 실시 형태를 나타내는 사시도이다.
[도 3] 지지체의 2차원 표면 조도의 측정 결과의 일례를 나타내는 그래프이다.
[도 4] 회로 전극끼리가 접속된 회로 접속체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
[도 5] 회로 접속체의 제조 방법의 일례를 개략 단면도에 의해 나타내는 공정도이다.
[도 6] 실시예 1에서 사용한 지지체의 2차원 표면 조도의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
[도 7] 비교예 1에서 사용한 지지체의 2차원 표면 조도의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
<접착재 테이프>
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 접착재 테이프 (10)은 제1면 (F1) 및 이것과 반대측의 제2면 (F2)를 갖는 테이프상의 지지체 (1)과, 접착제 성분 (2a)를 함유하고, 지지체 (1)의 제1면 (F1) 위에 형성된 접착제층 (2)를 구비한다. 도 2에 나타내는 접착재 릴(권중체) (20)은, 접착재 테이프 (10)을 통 형상의 권심 (21)에 권중함으로써 형성한 것이다. 권심 (21)의 양끝에는 원형의 측판 (22)가 각각 설치되어 있다.
지지체 (1)의 제2면 (F2)는, 2차원 표면 조도를 측정했을 때의 최대 높이 (Ry)가 1 ㎛ 이상이다. 도 3은, 지지체 (1)의 2차원 표면 조도의 측정 결과의 일례를 나타내는 그래프이다. 지지체 (1)의 2차원 표면 조도는, JIS B0601(1994)에 준거한 방법에 의해 측정할 수 있다. 도 3에 나타낸 바와 같이 최대 높이 (Ry)란, 기준 길이 (L)마다의 최저 밸리 바닥부 (A)로부터 최대 피크 정상부 (B)까지의 높이를 의미한다. 이 값이 클수록 표면의 요철이 크고, 반대로 이 값이 0에 가까울수록 표면의 요철은 작아지며, 표면이 평활해진다.
제2면 (F2)의 최대 높이 (Ry)는 상기한 바와 같이 1 ㎛ 이상이고, 1.2 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 1.5 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 제2면 (F2)의 최대 높이 (Ry)는 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 5 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 제2면 (F2)의 최대 높이 (Ry)가 1 ㎛ 미만이면, 접착재 릴 (20)으로부터 접착재 테이프 (10)을 인출하는 장력이 큰 경우, 롤러나 클램프 등에 의한 고정이 불충분해진다. 그 결과, 접착제층 (2)를 접착하는 위치가 어긋나 접착제층 (2)를 소정의 위치에 충분히 정확하게 배치할 수 없다. 한편, 제2면 (F2)의 최대 높이 (Ry)가 10 ㎛를 초과하면 지지체 (1)의 두께 변동이 커지고, 접착재 테이프 (10)의 품질이 저하되는 경향이 있다. 또한, 지지체 (1)의 최대 높이 (Ry)는, 지지체 (1)의 재질의 선택 또는 표면 처리 등에 따라 적절하게 조정할 수 있다. 지지체 (1)의 표면 처리는, 접착제층 (2)로부터 지지체 (1)을 용이하게 박리시키기 위한 박리 처리나, 대전 처리 또는 도전 처리 등과 같은 지지체 (1) 자체에 독자적인 특성을 갖게 하기 위한 처리 등이 있다. 박리 처리에 사용되는 방법으로서는, 실리콘계 처리, 비실리콘계 처리, 불소계 처리 등의 공지된 처리 방법이 있다. 처리하는 재질이나 처리량에 따라 그 박리성에 강약을 갖게 할 수도 있다.
접착재 테이프 (10)은 필름상의 지지체 위에 접착제층을 폭 10 내지 50 cm 정도로 형성한 후, 일단 권취하여 원반을 제조하고, 이것을 권출하면서 연속적으로 폭 0.5 내지 5 mm 정도로 재단함으로써 얻어진다. 원반을 소정의 폭으로 절단할 때, 절단날의 선단이 접착재 테이프의 폭보다 내측을 향하도록 하여, 지지체측으로부터 접착제층측으로 절단날을 관통시키는 것이 바람직하다. 또는 절단날의 선단이 접착재 테이프의 폭보다 외측을 향하도록 하여, 접착제층측으로부터 지지체측으로 절단날을 관통시킬 수도 있다. 이와 같이 하여 절단함으로써, 지지체 (1)로부터 접착제층 (2)가 밀려나오지 않게 할 수 있다.
지지체 (1)로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리에틸렌이소프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리올레핀계 필름, 폴리아세테이트 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리페닐렌술피드 필름, 폴리아미드 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 합성 고무계 필름, 액정 중합체 필름 등의 각종 필름을 사용할 수 있다. 이들 중에서, 절단시의 꼬임 및 굴곡의 방지, 강도의 관점에서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 지지체 (1)로서 사용하는 것이 바람직하다.
지지체 (1)의 두께는 특별히 제한은 없지만, 테이프 강도 및 권중체로 했을 때의 테이프 길이를 확보하는 관점에서 30 내지 100 ㎛인 것이 바람직하다. 지지체 (1)의 폭은 접착제층 (2)의 폭보다 넓게 설정할 수 있으며, 예를 들면 0.5 내지 20 mm인 것이 바람직하다.
접착제층 (2)의 두께는 특별히 제한은 없지만, 5 내지 100 ㎛인 것이 바람직하다. 접착제층 (2)의 두께가 5 ㎛ 미만이면 회로 부재끼리의 기계적 고착이 불충분해지는 경향이 있으며, 한편 100 ㎛를 초과하면 마주보는 전극끼리의 전기적 접속이 불충분해지는 경향이 있다. 접착제층 (2)의 폭은 지지체 (1)의 폭보다 좁게 설정할 수 있으며, 예를 들면 0.5 내지 20 mm가 바람직하다.
(접착제 성분)
접착제층 (2)는, 접착제 성분 (2a)로서 열가소성 수지 (a), 라디칼 중합성 화합물 (b) 및 라디칼 발생제 (c)를 함유하는 접착제 조성물을 포함하는 것이 바람직하다. 이들 성분을 함유하는 접착제층 (2)는, 단시간 접착성 및 높은 접속 신뢰성을 모두 충분히 높은 수준으로 달성할 수 있다는 점에서 바람직하다.
열가소성 수지 (a)로서 페녹시 수지, 폴리비닐포르말 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 크실렌 수지, 폴리우레탄 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는 필름 형성재로서 알려져 있다. 필름 형성재란 액상물을 고형화하고, 구성 조성물을 필름 형상으로 한 경우, 쉽게 찢어지거나 깨지거나 달라붙지 않는 특성 등을 부여하여 그 필름의 취급을 용이하게 하는 것이다. 상기 수지 중 접착성, 상용성, 내열성 및 기계 강도가 우수하기 때문에, 페녹시 수지가 바람직하다. 페녹시 수지는 2관능 페놀류와 에피클로로히드린을 고분자량까지 반응시키거나, 또는 2관능 에폭시 수지와 2관능 페놀류를 중부가시킴으로써 얻어진다.
구체적으로는, 2관능 페놀류 1 몰과 에피클로로히드린 0.985 내지 1.015 몰을 알칼리 금속 수산화물의 존재하에 비반응성 용매 중에서 40 내지 120 ℃의 온도에서 반응시킴으로써 페녹시 수지를 얻을 수 있다. 기계적 특성이나 열적 특성의 관점에서는, 2관능 에폭시 수지 및 2관능 페놀류로부터 이하와 같이 하여 얻은 페녹시 수지를 사용하는 것이 보다 바람직하다. 즉, 2관능성 에폭시 수지와 2관능성 페놀류의 배합 당량비(에폭시기/페놀 수산기)를 1/0.9 내지 1/1.1로 조정하고, 촉매의 존재하에 유기 용제 중에서 반응 고형분 50 질량부 이하로 중부가 반응시켜 얻은 페녹시 수지가 보다 바람직하다. 이 경우, 반응 온도는 50 내지 200 ℃가 바람직하다. 촉매로서는 알칼리 금속 화합물, 유기 인계 화합물 또는 환상 아민계 화합물 등을 사용할 수 있다. 또한, 유기 용제로서는 비점이 120 ℃ 이상인 아미드계, 에테르계, 케톤계, 락톤계, 알코올계 등을 사용할 수 있다.
2관능 에폭시 수지로서는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비페닐디글리시딜에테르, 메틸 치환 비페닐디글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 2관능 페놀류는 2개의 페놀성 수산기를 갖는 것이며, 예를 들면 하이드로퀴논류, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S, 비스페놀플루오렌, 메틸 치환 비스페놀플루오렌, 디히드록시비페닐, 메틸 치환 디히드록시비페닐 등의 비스페놀류 등을 들 수 있다. 페녹시 수지는 라디칼 중합성의 관능기나, 기타 반응성 화합물에 의해 변성되어 있을 수도 있다. 페녹시 수지는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
라디칼 중합성 화합물 (b)는, 라디칼에 의해 중합하는 관능기를 갖는 물질이다. 그의 구체예로서는 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 말레이미드 화합물, 스티렌 유도체 등을 들 수 있다. 라디칼 중합성 화합물은 단량체, 올리고머 중 어떠한 상태여도 사용하는 것이 가능하고, 단량체와 올리고머를 병용하는 것도 가능하다.
아크릴레이트 또는 메타크릴레이트의 구체예로서는, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시폴리에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜티닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트, 이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 트리 아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트류 및 이들 아크릴레이트에 대응하는 메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 병용하여 사용할 수 있고, 필요에 따라서는 하이드로퀴논, 메틸에테르하이드로퀴논류 등의 중합 금지제를 적절하게 사용할 수도 있다. 또한, 디시클로펜티닐기, 트리시클로데카닐기 및 트리아진환으로부터 선택되는 기를 1종 이상 갖는 화합물을 사용하면, 내열성이 향상되기 때문에 바람직하다.
말레이미드 화합물로서는, 분자 중에 말레이미드기를 적어도 2개 이상 함유하는 것, 예를 들면 1-메틸-2,4-비스말레이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스말레이미드, N,N'-p-페닐렌비스말레이미드, N,N'-m-톨루일렌비스말레이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3'-디메틸-비페닐렌)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3'-디메틸디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3'-디에틸디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스말레이미드, N,N'-3,3'-디페닐술폰비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스말레이미드, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-4,8-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 1,1-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스(1-(4-말레이미드페녹시)-2-시클로헥실벤젠, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)헥사플루오로프로판 등을 들 수 있다. 말레이미드 화합물은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
라디칼 발생제 (c)는, 과가열에 의해 분해되어 유리 라디칼을 발생하는 것이다. 라디칼 발생제 (c)로서 과산화 화합물, 아조계 화합물 등을 사용할 수 있으며, 목적으로 하는 접속 온도, 접속 시간, 사용 가능 시간 등에 따라 적절하게 선정된다. 고반응성 및 사용 가능 시간의 면에서 반감기 10 시간의 온도가 40 ℃ 이상, 반감기 1분의 온도가 180 ℃ 이하인 유기 과산화물이 바람직하고, 반감기 10 시간의 온도가 60 ℃ 이상, 반감기 1분의 온도가 170 ℃ 이하인 유기 과산화물이 보다 바람직하다. 짧은 접속 시간(예를 들면, 10초 이하)을 달성하는 관점에서, 라디칼 발생제 (c)의 배합량은 열가소성 수지 (a) 및 라디칼 중합성 화합물 (b)의 합계 100 질량부에 대하여 0.1 내지 30 질량부로 하는 것이 바람직하고, 1 내지 20 질량부로 하는 것이 보다 바람직하다. 라디칼 발생제 (c)의 배합량이 0.1 질량부 미만이면 충분한 반응률을 얻을 수 없고, 양호한 접착 강도나 낮은 접속 저항을 얻기 어려운 경향이 있다. 한편, 라디칼 발생제 (c)의 배합량이 30 질량부를 초과하면, 접착제 성분의 유동성이 저하되거나 접속 저항이 상승하거나 접착제 성분의 사용 가능 시간이 짧아지는 경향이 있다.
라디칼 발생제 (c)의 구체예로서는 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시디카르보네이트, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥사이드, 하이드로퍼옥사이드 및 실릴퍼옥사이드 등을 들 수 있다. 또한, 회로 부재의 접속 단자의 부식을 억제하기 위해, 염소 이온 및 유기산의 함유량은 5000 ppm 이하인 것이 바람직하다. 라디칼 발생제 (c)는 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥사이드, 하이드로퍼옥사이드 및 실릴퍼옥사이드로부터 선정하는 것이 바람직하고, 고반응성이 얻어지는 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈로부터 선정되는 것이 보다 바람직하다.
디아실퍼옥사이드로서는 이소부틸퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥사이드, 옥타노일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, 스테아로일퍼옥사이드, 숙시닉퍼옥사이드, 벤조일퍼옥시톨루엔, 벤조일퍼옥사이드 등을 들 수 있다.
퍼옥시디카르보네이트로서는 디-n-프로필퍼옥시디카르보네이트, 디이소프로필퍼옥시디카르보네이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카르보네이트, 디-2-에톡시메톡시퍼옥시디카르보네이트, 디(2-에틸헥실퍼옥시)디카르보네이트, 디메톡시부틸퍼옥시디카르보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시부틸퍼옥시)디카르보네이트 등을 들 수 있다.
퍼옥시에스테르로서는 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시이소부티레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, t-헥실퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, 2,5-디메틸-2,5-디(m-톨루오일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카르보네이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시아세테이트 등을 들 수 있다.
퍼옥시케탈로서는 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-(t-부틸퍼옥시)시클로도데칸, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)데칸 등을 들 수 있다.
디알킬퍼옥사이드로서는 α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, 디쿠밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, t-부틸쿠밀퍼옥사이드 등을 들 수 있다.
하이드로퍼옥사이드로서는 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드 등을 들 수 있다.
실릴퍼옥사이드로서는 t-부틸트리메틸실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디메틸실릴퍼옥사이드, t-부틸트리비닐실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디비닐실릴퍼옥사이드, 트리스(t-부틸)비닐실릴퍼옥사이드, t-부틸트리알릴실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디알릴실릴퍼옥사이드, 트리스(t-부틸)알릴실릴퍼옥사이드 등을 들 수 있다.
라디칼 발생제 (c)로서는 상기 화합물을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 라디칼 발생제 (c)와 함께 분해 촉진제, 억제제 등을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 라디칼 발생제 (c)를 폴리우레탄계 또는 폴리에스테르계의 고분자 물질 등으로 피복하여 마이크로 캡슐화한 것은, 사용 가능 시간이 연장되기 때문에 바람직하다.
접착제 성분 (2a)는 충전제, 연화제, 촉진제, 노화 방지제, 난연화제, 색소, 틱소트로픽제, 커플링제, 페놀 수지, 멜라민 수지 및 이소시아네이트류 등을 추가로 함유할 수도 있다. 충전제를 함유시킴으로써, 접속 신뢰성 등의 향상이 얻어지기 때문에 바람직하다. 충전제의 배합량은, 접착제 성분 100 부피부에 대하여 5 내지 60 부피부인 것이 바람직하다. 충전제의 배합량이 5 부피부 미만이면 충전제에 의한 효과가 불충분해지는 경향이 있으며, 한편 60 부피부를 초과하면 신뢰성 향상의 효과가 포화되는 경향이 있다. 또한, 충전제의 최대 직경은 후술하는 도전성 입자 (2b)의 입경 미만일 수 있다.
접착제 성분 (2a)에 커플링제를 배합하는 경우, 그 배합량은 접착제 조성물100 질량부에 대하여 0.5 내지 30 질량부인 것이 바람직하다. 커플링제의 배합량이 0.5 질량부 미만이면, 커플링제에 의한 효과가 불충분해지는 경향이 있다. 한편, 커플링제의 배합량이 30 질량부를 초과하면 지지체 (1) 위에 접착제층 (2)를 형성하기 어려워지고, 막 두께 정밀도가 저하되는 경향이 있다.
커플링제로서는, 접착성 향상의 면에서 케티민, 비닐기, 아크릴기, 아미노기, 에폭시기 또는 이소시아네이트기 함유물로부터 선택하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 아크릴기를 갖는 실란 커플링제로서, (3-메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, (3-아크릴옥시프로필)트리메톡시실란, (3-메타크릴옥시프로필)디메톡시메틸실란, (3-아크릴옥시프로필)디메톡시메틸실란 등을 들 수 있다. 아미노기를 갖는 실란 커플링제로서, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 케티민을 갖는 실란 커플링제로서, 상기한 아미노기를 갖는 실란 커플링제에 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 화합물을 반응시켜 얻어진 것을 들 수 있다.
접착제 성분 (2a)는, 열가소성 수지 (a), 에폭시 수지 (d) 및 잠재성 경화제 (e)를 함유하는 것일 수도 있다. 이들을 함유하는 접착제 성분 (2a)에 따르면, 회로 부재끼리 높은 강도로 접착되어 이루어지는 회로 접속체를 제조할 수 있다.
에폭시 수지 (d)로서는, 에피클로로히드린과 비스페놀 A, F 또는 AD로부터 유도되는 비스페놀형 에폭시 수지, 에피클로로히드린과 페놀 노볼락 또는 크레졸 노볼락으로부터 유도되는 에폭시 노볼락 수지, 나프탈렌환을 포함한 골격을 갖는 나프탈렌계 에폭시 수지, 글리시딜아민, 글리시딜에테르, 비페닐, 지환식 등의 1 분자 내에 2개 이상의 글리시딜기를 갖는 각종 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 전자 이동(electron migration) 방지의 관점에서, 불순물 이온(Na+, Cl- 등)이나 가수분해성 염소 등의 함유량이 300 ppm 이하로 감소된 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
잠재성 경화제 (e)로서는 이미다졸계, 히드라지드계, 3불화 붕소-아민 착체, 술포늄염, 아민이미드, 폴리아민의 염, 디시안디아미드 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 분해 촉진제, 억제제 등을 혼합하여 사용할 수도 있다. 이들 경화제를 폴리우레탄계, 폴리에스테르계의 고분자 물질 등으로 피복하여 마이크로 캡슐화할 수도 있다. 이에 따라, 사용 가능 시간을 연장할 수 있다. 잠재성 경화제 (e)의 배합량은, 충분한 반응률을 얻기 위해 열가소성 수지 (a) 및 에폭시 수지 (d)의 합계 100 질량부에 대하여 0.1 내지 60 질량부인 것이 바람직하고, 1 내지 20 질량부인 것이 보다 바람직하다. 잠재성 경화제 (e)의 배합량이 0.1 질량부 미만이면 충분한 반응률을 얻을 수 없고, 양호한 접착 강도나 작은 접속 저항을 얻기 어려운 경향이 있다. 잠재성 경화제 (e)의 배합량이 60 질량부를 초과하면, 접착제 조성물의 유동성이 저하되거나 접속 저항이 상승하거나 접착제 조성물의 가용 시간이 짧아지는 경향이 있다.
접착제 성분 (2a)는 아크릴산, 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르 및 아크릴로니트릴로부터 선택되는 적어도 1종을 단량체 성분으로 한 중합체 또는 공중합체를 포함하는 것일 수도 있다. 이 경우, 글리시딜에테르기를 함유하는 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트를 포함하는 공중합체계 아크릴 고무를 병용하면, 응력 완화가 우수하기 때문에 바람직하다. 아크릴 고무의 분자량(중량 평균)은 접착제층 (2)의 응집력을 높이는 점에서 20만 이상이 바람직하다.
접착제 성분 (2a)로서 단량체 성분이나 분자량이 5000 미만인 저분자량 중합체 성분을 많이 함유하는 것이면, 이들은 상온에서의 형태가 액상 또는 점조(粘稠)한 액상인 것이 많고, 접착제층 (2)의 표면의 점착 강도가 높아지는 경향이 있다. 그 때문에, 접착재 릴 (20)으로부터 접착재 테이프 (10)을 인출할 때의 장력이 커지는 경향이 있다. 이러한 경우에도 접착재 테이프 (10)은 제2면 (F2)에 미소한 요철이 있으며, 적절히 거칠어져 있기 때문에, 롤러나 클램프 등이 접촉하는 개소에서 충분히 큰 마찰력이 발생하고, 접착재 테이프 (10)이 미끄러지는 것을 억제할 수 있다.
(도전성 입자)
접착제층 (2)를 구성하는 접착제 조성물은, 상기 접착제 성분 (2a) 중에 분산된 도전성 입자 (2b)를 함유하는 것이 바람직하다. 도 1에 나타낸 바와 같이 접착제층 (2)가 도전성 입자 (2b)를 함유하는 것이면, 도전성 입자 (2b)를 함유하지 않는 것에 비해 후술하는 회로 접속체 (100)에서 한층 더 안정적인 전기적 접속을 얻을 수 있다. 또한, 접착제층 (2)가 도전성 입자 (2b)를 함유하지 않고 접착제 성분 (2a)만을 포함하는 경우에도, 마주보는 회로 전극끼리를 직접 접촉시키면 전기적 접속을 확보할 수 있다.
도전성 입자 (2b)로서는, 예를 들면 Au, Ag, Pt, Ni, Cu, W, Sb, Sn, 땜납 등의 금속 또는 카본의 입자를 들 수 있다. 도전성 입자 (2b)의 평균 입경은, 분산성 및 도전성의 관점에서 1 내지 18 ㎛인 것이 바람직하다. 도전성 입자 (2b)의 배합 비율은 접착제 성분 100 부피부에 대하여 0.1 내지 30 부피부인 것이 바람직하고, 0.1 내지 10 부피부인 것이 보다 바람직하다. 이 배합 비율은 접착제 조성물의 용도에 따라 적절하게 조정한다. 도전성 입자 (2b)의 배합 비율이 0.1 부피부 미만이면 마주보는 전극간의 접속 저항이 높아지는 경향이 있으며, 30 부피부를 초과하면 인접하는 전극간의 단락이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다.
충분한 사용 가능 시간을 얻는 관점에서, 도전성 입자 (2b)의 표층은 Ni, Cu 등의 전이 금속류가 아닌 Au, Ag, 백금속의 귀금속류로 형성되어 있는 것이 바람직하고, Au로 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다. 도전성 입자 (2b)는, Ni 등의 전이 금속류로 이루어지는 층을 Au 등의 귀금속류로 피복한 것일 수도 있다. 또한, 도전성 입자 (2b)는 비도전성의 유리, 세라믹, 플라스틱 등의 입자의 표면에 도통층을 피복하고, 최외층에 귀금속류로 이루어지는 층을 형성한 것일 수도 있다.
도전성 입자 (2b)로서 가열 가압에 의해 변형되는 입자, 예를 들면 플라스틱 입자의 표면에 도통층을 형성한 입자 또는 땜납과 같은 열용융 금속 입자를 사용할 수도 있다. 이러한 입자를 사용함으로써, 접속시에 전극과의 접촉 면적이 증대됨과 동시에 회로 부재의 회로 단자의 두께 변동을 흡수할 수 있으며, 접속 신뢰성이 향상된다.
플라스틱 입자의 표면에 귀금속류로 이루어지는 도전층을 설치하는 경우, 도전층의 두께는 10 nm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 도전층의 두께가 10 nm 미만이면, 회로 접속체의 접속 저항이 커지는 경향이 있다. Ni 등의 전이 금속으로 이루어지는 층을 귀금속류로 피복하는 경우, 귀금속류로 이루어지는 층의 두께는 30 nm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 귀금속류로 이루어지는 층의 두께가 30 nm 미만이면, 해당 피복층의 결손 등에 의해 전이 금속이 노출되기 쉬워지는 경향이 있다. 전이 금속이 도전성 입자 (2b)의 표면에 노출되면 산화 환원 작용에 의해 유리 라디칼이 발생하고, 접착제 조성물을 장기간에 걸쳐서 보존하는 것이 곤란해진다. 또한, 해당 피복층의 두께의 상한은 1 ㎛ 정도이다.
도전성 입자 (2b)로서 절연성을 갖는 수지를 표면에 피복한 것, 또는 절연성을 갖는 미립자를 부착시킨 것 등을 사용할 수도 있다. 이러한 구성의 도전성 입자 (2b)를 사용한 경우 입자끼리의 접촉에 의한 단락을 억제할 수 있으며, 인접하는 전극 회로간의 절연성을 향상시킬 수 있다. 도전성 입자 (2b)로서 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 복수의 종류인 것을 병용할 수도 있다.
(회로 접속체)
이어서, 접착재 테이프 (10)의 접착제층 (2)를 회로 접속 재료로서 사용하여 제조된 회로 접속체에 대하여 설명한다. 도 4는, 회로 전극끼리 접속된 회로 접속체를 나타내는 개략 단면도이다. 도 4에 나타내는 회로 접속체 (100)은, 서로 대향하는 제1 회로 부재 (30) 및 제2 회로 부재 (40)을 구비한다. 제1 회로 부재 (30)과 제2 회로 부재 (40) 사이에는 이들을 접속하는 접속부 (50a)가 설치되어 있다.
제1 회로 부재 (30)은, 회로 기판 (31)과 회로 기판 (31)의 주면 (31a) 위에 형성된 회로 전극 (32)를 구비한다. 제2 회로 부재 (40)은, 회로 기판 (41)과 회로 기판 (41)의 주면 (41a) 위에 형성된 회로 전극 (42)를 구비한다.
회로 부재의 구체예로서는, 반도체칩(IC칩), 저항체칩, 콘덴서칩 등의 칩 부품 등을 들 수 있다. 이들 회로 부재는 회로 전극을 구비하고 있으며, 다수의 회로 전극을 구비하고 있는 것이 일반적이다. 상기 회로 부재가 접속되는 다른 하나의 회로 부재의 구체예로서는, 금속 배선을 갖는 플렉시블 테이프, 플렉시블 인쇄 배선판, 인듐 주석 산화물(ITO)이 증착된 유리 기판 등의 배선 기판을 들 수 있다. 본 실시 형태에 따른 접착재 테이프 (10)은, 미세한 접속 단자(회로 전극)를 다수 구비하는 칩 부품의 배선 기판 위로의 COG 실장 또는 COF 실장에도 적용할 수 있다.
각 회로 전극 (32), (42)의 표면은, 금, 은, 주석, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 백금 및 인듐 주석 산화물(ITO)로부터 선택되는 1종으로 구성될 수도 있고, 2종 이상으로 구성될 수도 있다. 또한, 회로 전극 (32), (42)의 표면의 재질은, 모든 회로 전극에서 동일하거나 상이할 수 있다.
접속부 (50a)는 접착제층 (2)에 포함되는 접착제 성분 (2a)의 경화물 (2A)와, 이에 분산되어 있는 도전성 입자 (2b)를 구비한다. 회로 접속체 (100)에서는, 마주보는 회로 전극 (32)와 회로 전극 (42)가 도전성 입자 (2b)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 도전성 입자 (2b)가 회로 전극 (32), (42) 쌍방에 직접 접촉하고 있다. 그 때문에, 회로 전극 (32), (42) 사이의 접속 저항이 충분히 감소되고, 회로 전극 (32), (42) 사이의 양호한 전기적 접속이 가능해진다. 한편, 경화물 (2A)는 전기 절연성을 갖는 것이며, 인접하는 회로 전극끼리 절연성이 확보된다. 따라서, 회로 전극 (32), (42) 사이의 전류의 흐름을 원활하게 할 수 있으며, 회로가 갖는 기능을 충분히 발휘할 수 있다.
(회로 접속체의 제조 방법)
이어서, 회로 접속체 (100)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 5는, 회로 접속체의 제조 방법의 한 실시 형태를 개략 단면도에 의해 나타내는 공정도이다. 본 실시 형태에서는, 접착재 테이프 (10)의 접착제층 (2)를 열경화시켜 최종적으로 회로 접속체 (100)을 제조한다.
우선, 접속 장치(도시하지 않음)의 회전축에 접착재 릴 (20)을 장착한다. 이 접착재릴 (20)으로부터 접착재 테이프 (10)을 접착제층 (2)가 하측을 향하도록 하여 인출한다. 제1 회로 부재 (30)의 주면 (31a) 위의 소정 위치에 접착재 테이프 (10)을 배치하기 위해, 접속 장치의 롤러 (45a), (45b)에 의해 접착재 테이프 (10)을 고정한다(도 5(a)). 그 후, 지지체 (1)을 박리함과 동시에, 접착제층 (2)를 소정의 길이로 절단하여 회로 부재 (30)의 주면 (31a) 위에 놓는다(도 5(b)).
이어서, 도 5(b)의 화살표 A 및 B 방향으로 가압하고, 접착제층 (2)를 제1 회로 부재 (30)에 임시 접속한다(도 5(c)). 이 때의 압력은 회로 부재에 손상을 주지 않는 범위이면 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로는 0.1 내지 30.0 MPa로 하는 것이 바람직하다. 또한, 가열하면서 가압할 수도 있고, 가열 온도는 접착제층 (2)가 실질적으로 경화되지 않는 온도로 한다. 가열 온도는 일반적으로 50 내지 190 ℃로 하는 것이 바람직하다. 이들의 가열 및 가압은 0.5 내지 120초의 범위에서 행하는 것이 바람직하다.
이어서, 도 5(d)에 나타낸 바와 같이, 제2 회로 부재 (40)을 제2 회로 전극 (42)가 제1 회로 부재 (30)측을 향하도록 하여 접착제층 (2) 위에 올린다. 또한, 접착제층 (2)를 가열하면서, 도 5(d)의 화살표 (A) 및 (B) 방향으로 전체를 가압한다. 이 때의 가열 온도는, 접착제층 (2)의 접착제 성분 (2a)가 경화 가능한 온도로 한다. 가열 온도는 60 내지 180 ℃가 바람직하고, 70 내지 170 ℃가 보다 바람직하고, 80 내지 160 ℃가 더욱 바람직하다. 가열 온도가 60 ℃ 미만이면 경화 속도가 늦어지는 경향이 있으며, 180 ℃를 초과하면 원하지 않는 부반응이 진행되기 쉬운 경향이 있다. 가열 시간은 0.1 내지 180초가 바람직하고, 0.5 내지 180초가 보다 바람직하고, 1 내지 180초가 더욱 바람직하다.
접착제 성분 (2a)의 경화에 의해 접속부 (50a)가 형성되어, 도 4에 나타낸 바와 같은 회로 접속체 (100)이 얻어진다. 접속의 조건은 사용하는 용도, 접착제 조성물, 회로 부재에 따라 적절하게 선택된다. 또한, 접착제층 (2)의 접착제 성분으로서 빛에 의해 경화되는 것을 사용한 경우에는, 접착제층 (2)에 대하여 활성 광선이나 에너지선을 적절하게 조사할 수 있다. 활성 광선으로서는 자외선, 가시광, 적외선 등을 들 수 있다. 에너지선으로서는 전자선, X선, γ선, 마이크로파 등을 들 수 있다.
본 실시 형태에 따른 접착재 테이프 (10)은, 지지체 (1)의 제2면 (F2)가 적절한 요철을 갖고 있기 때문에 제2면 (F2)가 롤러 (45a), (45b)와 접촉하는 개소에서 충분히 큰 마찰력이 발생한다. 그 때문에, 접착재 테이프 (10)이 미끄러지는 것을 억제할 수 있으며, 접착재 테이프 (10)을 큰 장력으로 인출한 경우에도 접착제층 (2)를 소정의 위치에 충분히 높은 정밀도로 배치할 수 있다. 또한, 접착재 테이프 (10)은, 일단 회로 부재 (30) 위에 부설되면 접착제층 (2)가 전사되어 다시 접착할 수 없기 때문에, 소정의 위치에 높은 정밀도로 배치함으로써 접착재 테이프 (10)의 손실도 감소시킬 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것으로 제한되지 않는다.
(2차원 표면 조도의 측정)
3 종류의 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름(두께 80 ㎛)을 준비하고, 접착제층을 형성하지 않는 측의 표면의 2차원 표면 조도를 각각 측정하였다. 2차원 표면 조도의 측정에는, 표면 조도 측정기(가부시끼가이샤 고사까 겡뀨쇼 제조, 상품명: 서프코더 SE-3500)를 사용하였다. 측정 길이 (L)을 30 mm, 이동 속도 1 mm/s로 하고, 측정 길이 (L)의 범위 내의 최저 밸리 바닥부 (A)로부터 최대 피크 정상부 (B)까지의 최대 높이 (Ry)를 각 필름의 길이 방향에 대하여 측정하였다. 표 1에 결과를 나타낸다. 또한, 도 6 및 도 7은, 필름 1 및 필름 3의 2차원 표면 조도의 측정 결과를 각각 나타내는 그래프이다.
(지지체 표면의 미끄러짐에 대한 평가)
필름 1 내지 3을 각각 폭 5 mm, 길이 20 mm의 크기로 절단하여, 측정 샘플을 제조하였다. 측정 샘플의 길이 방향의 상부 및 하부를 클립으로 각각 끼움으로써 측정 샘플을 유지하였다. 하측의 클립을 고정한 상태로 하고, 상측의 클립을 연직 방향으로 일정 속도로 인장하여, 상측의 클립이 빠질 때까지 가해진 힘을 측정하였다. 이 힘은 도요 볼드윈 가부시끼가이샤 제조 텐실론 UTM-4를 사용하여 측정을 행하였다. 측정 조건은 속도 50 mm/분, 측정 길이 15 mm로 하였다. 표 1에 결과를 나타낸다.
Figure pat00001
(실시예 1)
표 2에 나타낸 조성의 용액을 제조하고, 이 용액을 필름 1의 실리콘 박리 처리를 실시한 표면(제1면)에 도포하였다. 그 후, 70 ℃에서 10분의 열풍 건조에 의해 용제를 휘발시킴으로써, 필름 1 위에 접착제층(두께 30 ㎛)이 형성된 접착재 필름을 얻었다. 이 접착재 필름을 권중체 제작 장치에 공급하여, 폭 10 mm, 권취 길이 50 m의 접착재 테이프 권중체를 제조하였다.
Figure pat00002
표 2 중의 "비스페놀 A 골격 페녹시 수지"는, 2관능 비스페놀 A형 에폭시 수지를 소정의 방법에 의해 고분자량화한 것이다. "과산화물"은 t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노에이트의 50 질량% DOP(디옥틸프탈레이트) 용액(닛본 유시 가부시끼가이샤 제조, 상품명: 퍼큐어 HO)이다. "도전성 입자"는, 폴리스티렌을 포함하는 핵 입자의 표면에 두께 0.2 ㎛의 니켈층을 설치하고, 그 외측에 두께 0.04 ㎛의 금층을 설치하여 제조한 것이다.
(실시예 2)
필름 1 대신에 필름 2를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 접착재 필름 및 접착재 테이프 권중체를 제조하였다.
(비교예 1)
필름 1 대신에 필름 3을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 접착재 필름 및 접착재 테이프 권중체를 제조하였다.
(접착제층의 접착에 대한 평가)
실시예 1, 2 및 비교예 1에서 제조한 권중체를 접속 장치에 각각 장착하고, 인출 장력 1 N으로 접착재 테이프를 인출하였다. 두께 0.2 ㎛의 ITO층을 형성한 유리(두께 1.1 mm, 표면 저항 20 Ω/□) 위에 길이 40 mm에 걸쳐서 접착제층을 접착하였다. 접착제층의 접착은 온도 70 ℃, 압력 1 MPa로 3초에 걸쳐서 가열 가압함으로써 실시하였다.
1개의 권중체에 대하여 상기한 접착 작업을 30회씩 행하였다. 그 결과, 실시예 1, 2에 따른 권중체는 접착 위치 어긋남이 전혀 발생하지 않았다. 이에 비해, 비교예 1에 따른 권중체는 접착 위치가 폭 방향으로 0.2 mm 어긋난 현상이 30회 중 6회 발생하였다.
1…지지체, 2…접착제층, 2a…접착제 성분, 2b…도전성 입자, 10…접착재 테이프, 20…접착재 릴, 100…회로 접속체, A…최저 밸리 바닥부, B…최대 피크 정상부, L…기준 길이, Ry…최대 높이.

Claims (8)

  1. 제1면 및 이것과 반대측의 제2면을 갖는 테이프상의 지지체와, 접착제 성분을 함유하고, 상기 지지체의 상기 제1면 위에 형성된 접착제층을 구비하는 접착재 테이프이며,
    상기 지지체는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이고,
    상기 지지체의 상기 제2면은 2차원 표면 조도를 측정했을 때의 최대 높이 Ry가 1 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만인 접착재 테이프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접착제층은 상기 접착제 성분 중에 분산된 도전성 입자를 추가로 함유하는 접착재 테이프.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접착제층은 회로 부재끼리를 접착함과 동시에 각각의 회로 부재가 갖는 회로 전극끼리를 전기적으로 접속하기 위해 사용되는 이방 도전 필름인 접착재 테이프.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 최대 높이 Ry가 1.2 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만인 접착재 테이프.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 최대 높이 Ry가 1.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만인 접착재 테이프.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 최대 높이 Ry가 1 ㎛ 이상 4 ㎛ 이하인 접착재 테이프.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지체를 폭 5 mm, 길이 20 mm의 크기로 절단하여 얻은 측정 샘플의 길이 방향의 상부 및 하부를 클립으로 각각 끼움으로써 해당 측정 샘플을 유지하고, 하측의 클립을 고정한 상태에서 상측의 클립을 연직 방향으로 50 mm/분의 속도로 인장했을 때, 상측의 클립이 분리될 때까지 가해지는 힘이 1080 내지 1350 N/m인 접착재 테이프.
  8. 제1항 또는 제2항에 기재된 접착재 테이프를 권중(卷重)하여 이루어지는 접착재 테이프 권중체.
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