KR20110135380A - 발광 디바이스 및 발광 디바이스에 대한 투명 렌즈 접착 방법 - Google Patents

발광 디바이스 및 발광 디바이스에 대한 투명 렌즈 접착 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110135380A
KR20110135380A KR1020110123498A KR20110123498A KR20110135380A KR 20110135380 A KR20110135380 A KR 20110135380A KR 1020110123498 A KR1020110123498 A KR 1020110123498A KR 20110123498 A KR20110123498 A KR 20110123498A KR 20110135380 A KR20110135380 A KR 20110135380A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lens
light emitting
emitting device
stack
transparent
Prior art date
Application number
KR1020110123498A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101199264B1 (ko
Inventor
마이클 디 캠라스
마이클 알 크레임스
웨인 엘 신더
프랭크 엠 스터랜카
로버트 씨 타버
존 제이 우에빙
더글라스 더블유 포시우스
트로이 에이 트로티어
크리스토퍼 에이치 로워리
게르드 오 뮤엘러
레지나 메울러-마치
Original Assignee
필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 filed Critical 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨
Publication of KR20110135380A publication Critical patent/KR20110135380A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101199264B1 publication Critical patent/KR101199264B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil

Abstract

본 발명은 개선된 광 추출 효율(light extraction efficiency)을 갖는 발광 디바이스에 관한 것이다. 발광 디바이스는 액티브 영역을 포함하는 반도체 층을 포함하는 층의 스택(a stack of layers)을 갖는다. 스택은 액티브 영역에 의해 방출되는 광에 대해 바람직하게는 약 1.5, 보다 바람직하게는 약 1.8보다 더 큰 굴절률을 갖는 투명 렌즈에 접착된다. 액티브 영역을 포함하는 반도체 층을 포함하는 층의 스택을 갖는 발광 디바이스에 투명 렌즈를 접착하는 방법은 렌즈와 스택의 온도를 상승시키는 단계와, 압력을 가하여 렌즈와 스택을 함께 누르는 단계를 포함한다. 높은 굴절률의 렌즈를 발광 디바이스에 접착하면 총 내부 반사(a total internal reflection)에 기인한 손실을 감소시켜 발광 디바이스의 광 추출 효율을 개선하게 된다. 유리하게, 이 개선은 인캡슐런트(an encapsulant)를 사용하지 않고도 달성될 수 있다.

Description

발광 디바이스 및 발광 디바이스에 대한 투명 렌즈 접착 방법{LIGHT EMITTING DIODES WITH IMPROVED LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY}
본 발명은 일반적으로 발광 디바이스, 더 상세하게는 개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)의 광 추출 효율은 LED 내부 양자 효율에 대한 LED 외부 양자 효율의 비(ratio)로서 규정된다. 전형적으로, 패킷형 LED의 광 추출 효율은 1보다 실질적으로 작은데, 즉, LED의 액티브 영역에서 생성된 광의 많은 양이 외부 환경에 도달하지 못한다는 것을 의미한다.
광 추출 효율은 LED와 주변 환경의 재료 사이의 인터페이스에서 총 내부 반사와 후속하는 LED 내의 총 내부 반사 광의 재흡수로 인해 감소된다. 예를 들면, 에폭시로 둘러싸인 투명 기판 상의 입방체 구조의 LED에 대해, 방출 파장에서의 굴절률(refractive index)(n)은 가령, LED 반도체 내에서의 굴절률 값인 nsemi∼3.5로부터 에폭시 내의 굴절률 값인 nepoxy∼1.5까지 변한다. 이 예의 LED 반도체로부터 에폭시 인캡슐런트 상으로 입사하는 광의 총 내부 반사에 대해 대응하는 임계각은 θC = arcsin(nepoxy/nsemi)∼25°이다. 산란 및 다중 반사를 고려하지 않는다면, 입방체 LED의 액티브 영역 내의 한 지점으로부터 4π 스테라디안(steradian) 이상으로 방출되는 광은 임계각과 동일한 반각을 가지며 각각의 인터페이스에 대해 하나인 6개의 협소한 광 코운(light cones) 중 하나 내로 방출되는 경우에만 반도체/에폭시 인캡슐런트 인터페이스를 지난다. 총 내부 반사로 인한 부가적인 손실은 에폭시/공기 인터페이스에서 발생할 수 있다. 결과적으로, 에폭시로 둘러싸인 효율적인 통상의 구조(가령, 평행 육면체형)인 투명 기판 AlInGaP LED는 거의 100%의 내부 양자 효율을 갖지만 외부 양자 효율은 예를 들면, 단지 ∼40%만 가질 수 있다.
LED의 광 추출 효율에 대한 총 내부 반사의 효과는 본 명세서에서 참고로서 인용되는 미국 특허 제 5,779,924 호, 제 5,793,062 호 및 제 6,015,719 호에 더 상세히 논의되어 있다.
광 추출 효율을 개선하기 위한 하나의 방법에서, LED는 반구형의 형상으로 연마된다. 반구형 LED의 액티브 영역 내의 한 지점으로부터 방출되는 광은 거의 수직에 가깝게 반구형 인터페이스를 가로질러 입사한다. 따라서, 총 내부 반사는 감소하게 된다. 그러나, 이 기술은 고루하고 재료를 낭비한다. 게다가, 연마 공정(grinding process) 동안 발생하는 흠이 LED의 신뢰도와 성능을 떨어뜨릴 수 있다.
또 다른 방법에서, LED는 돔(dome)형 또는 반구형 표면을 갖는 재료로 보호될(둘러싸일) 수 있다. 예컨대, 전술한 예의 에폭시 인캡술런트는 돔형으로 만들어져 에폭시 인캡슐런트/공기 인터페이스에서의 총 내부 반사로 인한 손실을 줄일 수 있다. 그러나, 에폭시와 같은 낮은 굴절률의 인캡슐런트 표면을 성형하는 것은 반도체/낮은 굴절률 인캡슐런트 인터페이스에서의 총 내부 반사로 인한 손실을 줄이지는 못한다. 더욱이, 전형적으로 에폭시 인캡슐런트는 LED 내의 반도체 재료의 열팽창 계수와 일치하지 않는 열평창 계수를 갖는다. 따라서, 에폭시 인캡슐런트는 LED의 가열 및 냉각 시 LED에 기계적 스트레스를 가하여 손상을 줄 수 있다. 또한, LED는 돔형의 높은 굴절률의 유리로 둘러싸이게 되는데, 이는 반도체/인캡슐런트 인터페이스에 대한 임계각을 증가시킨다. 불행히도, 전형적으로 높은 굴절률의 유리에서의 광 흡수 및 기계적 스트레스는 그런 유리 내에서 보호되는 LED의 성능을 열화시킨다.
전술한 방법의 결점이 없이 발광 다이오드의 광 추출 효율을 증가시키는 방법이 필요하다.
개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 디바이스가 제공된다. 발광 디바이스는 액티브 영역을 포함하는 반도체 층을 포함하는 층의 스택(a stack of layers)을 갖는다. 스택을 투명 렌즈(transparent lens)에 접착한다.
예를 들면, 렌즈의 형상은 바이어슈트라스 구(Weierstrass sphere), 반구, 반구보다 작은 구의 일부, 타원 또는 타원의 일부이다. 일 실시예에서, 렌즈는 프레넬 렌즈(Fresnel lens)이다. 렌즈는 가령, 광학 유리, Ⅲ족-Ⅴ족 반도체, Ⅱ족-Ⅵ족 반도체, Ⅳ족 반도체 및 화합물(compounds), 금속 산화물(metal oxides), 금속 플루오르화물(metal fluorides), 다이아몬드(diamonds), 사파이어(sapphire), 지르코늄 산화물(zirconium oxide), 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet) 또는 그 조합들로부터 형성된다. 액티브 영역으로부터 방출된 광에 대한 렌즈의 굴절률은 바람직하게는 약 1.5, 더욱 바람직하게는 약 1.8보다 더 크다.
일 실시예에서, 투명 렌즈를 스택의 반도체층 중 적어도 하나에 직접 접착한다. 다른 실시예에서는 투명 렌즈를 반도체층 위에 배치된 투명 수퍼스트레이트에 직접 접착한다. 바람직하게, 투명 수퍼스트레이트는 액티브 영역으로부터 방출되는 광에 대해 약 1.8보다 더 큰 굴절률을 갖는다.
다른 실시예에서, 발광 디바이스는 렌즈와 스택의 표면 사이에 위치한 투명 접착층을 포함한다. 투명 접착층은 렌즈를 스택의 표면에 접착한다. 일 실시예에서, 표면은 반도체층 중 하나의 표면을 포함한다. 다른 실시예에서, 표면은 반도체층 위에 위치하는 투명 수퍼스트레이트층의 표면을 포함한다. 투명 접착층은 예를 들면, 금속, 인화물 화합물(phosphide compounds), 비소 화합물, 안티몬화물 화합물(antimonide compounds), 질화물 화합물 또는 전술한 투명 렌즈용 재료로부터 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 투명 접착 재료는 액티브 영역으로부터 방출된 광에 대해 약 1.5, 바람직하게는 약 1.8보다 더 큰 굴절률을 갖는다.
액티브 영역을 포함하는 반도체층을 포함하는 층의 스택을 갖는 발광 디바이스에 투명 렌즈를 접착하는 방법이 제공된다. 이 방법은 렌즈와 스택의 온도를 상승시키는 단계와 압력을 가하여 렌즈 및 스택을 함께 누르는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, 이 방법은 투명 접착 재료층을 스택과 렌즈 사이에 배치하는 단계도 포함한다.
발광 디바이스에 높은 굴절률의 렌즈를 접착하는 것은 총 내부 반사로 인한 손실을 감소시켜 발광 디바이스의 광 추출 효율을 개선한다. 유리하게도, 이 개선은 인캡술런트를 사용하지 않고도 달성할 수 있다.
본 발명에 의하면 인캡슐런트(an encapsulant)를 사용하지 않고도 총 내부 반사(a total internal reflection)에 기인한 손실을 감소시켜 발광 디바이스의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따라 상호 접착되는 렌즈 및 발광 다이오드의 개략도,
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따라 발광 다이오드에 접착층을 이용하여 접착되는 렌즈의 개략도,
도 1c는 본 발명의 다른 실시예에 따라 발광 다이오드에 접착되는 렌즈의 개략도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 발광 다이오드에 직접 접착되는 렌즈의 개략도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 경사면(beveled side)을 갖는 발광 다이오드에 접착층을 이용하여 접착된 렌즈의 개략도,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판 및 수퍼스트레이트층을 갖는 발광 다이오드에 접착층을 이용하여 접착되는 렌즈의 개략도,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판 및 수퍼스트레이트층을 갖는 발광 다이오드에 직접 접착되는 렌즈의 개략도,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 "플립 칩(flip chip)" 구조물을 갖는 발광 다이오드에 접착층과 함께 접착되는 렌즈의 개략도,
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 "플립 칩" 구조를 갖는 발광 다이오드에 직접적 접착되는 렌즈의 개략도,
도 8은 렌즈에 실질적으로 수직인 액티브 영역을 갖는 발광 다이오드에 접착층을 이용하여 접착되는 렌즈의 개략도,
도 9는 렌즈에 실질적으로 수직인 액티브 영역을 갖는 발광 다이오드에 직접 접착되는 렌즈의 개략도,
도 10은 직접 접착되는 렌즈 표면의 리세스(recess) 내에 위치한 발광 다이오드의 개략도,
도 11은 접착층을 이용하여 접착되는 렌즈 표면의 리세스 내에 위치하는 발광 다이오드의 개략도.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따라 상호 접착되는 투명 렌즈(2) 및 발광 다이오드(LED) 다이(4)를 도시하고 있다. 도 1b에서는 본 발명의 일 실시예에 따라 투명 렌즈(2)가 투명 접착층(6)을 이용하여 LED 다이(4)에 접착된다.
본문에서 "투명(transparent)"이란 용어는 "투명 렌즈", "투명 접착층", "투명 기판" 또는 "투명 수퍼스트레이트"와 같이 기술된 광학적 요소가 LED의 방출 파장에서 흡수 및 산란에 기인한 단일 통과 손실(single pass loss)을 약 50%, 바람직하게는 약 10% 이하로 하여 광을 전송하는 것을 나타내는 데 사용된다. LED의 방출 파장은 전자기 스펙트럼의 적외선, 가시광선 또는 자외선 영역 내에 있을 수 있다. 당업자는 "50%의 단일 통과 손실보다 적어야 한다" 및 "10%의 단일 통과 손실보다 적어야 한다"라는 조건이 전송 경로 길이와 흡수 상수의 다양한 조합에 의해 만족될 수 있다는 것을 잘 알고 있을 것이다.
도 1a 및 도 1b 내에 도시된 LED 다이(4)는 n 형 도전성인 제 1 반도체 층(n 층)(8)과 p 형 도전성인 제 2 반도체 층(p 층)(10)을 포함한다. 반도체 층(8, 10)은 액티브 영역(12)과 전기적으로 접속한다. 액티브 영역(12)은 예를 들면, 층(8, 10)의 인터페이스와 관련된 p-n 다이오드 접합이다. 이와 달리, 액티브 영역(12)은 n 형 또는 p 형 도핑 또는 도핑되지 않은 하나 이상의 반도체 층을 포함한다. n 컨택트(14) 및 p 컨택트(16)를 각각 반도체 층(8, 10)과 전기적으로 접속시킨다. 액티브 영역(12)은 컨택트(14, 16) 양단에 적절한 전압을 인가할 때 광을 방출한다. 또 다른 실시예에서, 층(8, 10)과 컨택트(14, 16)의 도전형(conductivity type)은 반대가 된다. 즉, 층(8)은 p 형 층, 컨택트(14)는 p 컨택트, 층(10)은 n 형 층, 컨택트(16)은 n 컨택트이다.
반도체 층(8, 10) 및 액티브 영역(12)을 AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb를 포함하는 Ⅲ족-Ⅴ족 반도체, ZnS, ZnSe, CdSe, CdTe를 포함하는 Ⅱ족-Ⅵ족 반도체, Ge, Si, SiC를 포함하는 Ⅳ족 반도체 및 그 화합물 또는 그 합금으로부터 형성할 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 이들 반도체는 자신이 존재하는 LED의 전형적인 방출 파장에서 범위가 약 2.4 내지 4.1인 굴절률을 갖는다. 예를 들면, GaN과 같은 Ⅲ족-질화물 반도체는 500nm에서 약 2.4의 굴절률을 가지고, InGaP와 같은 Ⅲ족-인화물 반도체는 600nm에서 약 3.7의 굴절률을 갖는다.
일 실시예에서, 컨택트(14, 16)는 금(gold), 은(silver), 니켈(nickel), 알루미늄(aluminum), 티타늄(titanium), 크롬(chromium), 백금(platinum), 팔라듐(palladium), 로듐(rhodium), 레늄(rhenium), 루테늄(ruthenium), 텅스텐(tungsten) 및 그 화합물 또는 그 합금을 포함하는 금속으로부터 형성된 금속 컨택트이나 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 실시예에서, 컨택트(14, 16) 중 하나 또는 모두를 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)과 같은 투명 도전체로부터 형성한다.
도 1a 및 도 1b는 특정 LED 구조물을 도시하고 있지만, 본 발명은 LED 다이(4) 내의 반도체 층의 수와 무관하고 액티브 영역(12)의 세부 구조와는 무관하다. 또한, 가령, LED 다이(4)는 도 1a 및 도 1b에는 도시되지 않은 투명 기판과 수퍼스트레이트를 포함할 수도 있다. 다수의 도면에 도시된 LED 다이(4)의 다양한 구성 요소의 치수는 실제 크기로 나타낸 것이 아니라는 것을 주의해야 한다.
일 실시예에서, 접착 재료의 층을 LED 다이(4)(도 1a)의 상부 표면(18)에 도포하여 LED 다이(4)에 렌즈(2)를 접착시키는 투명 접착층(6)(도 1b)을 형성한다. 예를 들면, 투명 접착층(6)은 두께가 약 10Å 내지 약 100㎛ 이다. 예컨대, 스피닝(spinning), 스퍼터링(sputtering), 증발(evaporation), 화학 기상 증착(CVD)을 포함하는 통상의 증착 기술로 접착 재료를 도포하거나, 재료 성장의 일부로서 가령, 금속 유기 화학 기상 증착(metal-organic chemical vapor deposition : MOCVD), 기상 에피택시(vapor phase epitaxy : VEP), 액상 에피택시(liquid phase epitaxy : LPE) 또는 분자 빔 에피택시(morecular beam epitaxy : MBE)로 접착 재료를 도포하나 이에 한정되지는 않는다. 투명 접착층(6)은 예를 들면, 통상의 포토리소그래피 및 에칭 기술로 선택적으로 패터닝되어 접착 재료가 컨택트(14)를 덮지 않도록 하고, 컨택트가(14) 렌즈(2) 상의 임의의 금속화물층(20)과 전기적으로 접속되도록 한다. 일 실시예에서는 메쉬(mesh)이고 다른 실시예에서는 연속층이거나 패터닝된 층인, 가령, 두께가 약 2Å 내지 약 5000Å인 금속화물층(20)은 입사광의 약 10%, 바람직하게는 약 50% 이상을 전달하고 컨택트(14)에 접속되는 물리적 액세스가능한 전기 컨택트를 제공한다. 금속화물층(20)을 예를 들면, 인듐 주석 산화물(indium tin dxide)과 같은 금속 또는 투명 도전체로부터 형성한다.
또 다른 실시예에서는 투명 접착층(6)을 실질적으로 렌즈(2)의 평평한 표면(22) 상에 또는 금속화물층(20)의 표면 상에 형성하고, 예컨대, 통상의 포토리소그래피 및 에칭 기술로 패터닝되어 컨택트(14) 및 금속화물층(20) 사이의 전기적 접속을 허용한다. 다른 실시예에서는 접착층(6)과 같은 투명 접착층이 LED 다이(14)의 표면(18) 및 렌즈(2)의 표면(22) 상에 형성된다. 다른 실시예에서는 컨택트(14)를 따로 제공하지 않고, 접착층(6)을 패터닝하여 금속화물층(20)과 n층(8) 사이에서 전기적 접속을 하도록 한다. 도 1c에 도시된 실시예에서는 컨택트(14)와 접착층(6) 모두를 따로 제공하지 않고, 금속화물층(20)이 접착층으로서의 부가적인 기능을 한다. 다른 실시예에서는 컨택트(14)가 표면(18) 상에 없으며 금속화층도 사용하지 않는다.
후속하는 논의는 접착층(6)을 렌즈(2)의 표면에 또는 LED 다이(4) 및 표면(22) 상의 모두에 형성하기보다는 LED 다이(4) 상에서만 형성한다고 가정하지만, 후속하여 기술될 공정은 후속 실시예를 구현하기 위해 단순하게 변경될 수도 있다.
일 실시예에서, 투명 접착층(6)을 형성하는 접착 재료는 높은 굴절률의 광학 유리, 즉, 액티브 영역(12)에 의해 방출되는 파장의 범위에서 약 1.5보다 더 큰 굴절률을 갖는 광학 유리이다. 바람직하게, 굴절률은 약 1.8보다 더 크다. 예컨대, 투명 접착층(6)을 ∼600nm에서의 ∼1.95의 굴절률(n) 및 ∼362℃의 유리 전이 온도(TG)를 갖는 불투명하고 단단한 유리인 스콧 유리(Schott glass) SF59로부터 형성한다. 한편, 투명 접착층(6)을 ∼600nm에서 n∼1.81이고 TG∼630℃인 스콧 유리 LaSF3, ∼600nm에서 n∼1.91이고 TG∼660℃인 스콧 유리 LaSF N18 및 그 화합물을 포함하는 높은 굴절률의 광학 유리로부터 형성할 수 있는데, 이에 한정하지 않는다. 이들 유리는 펜실베니아 듀레아(Duryea, PA.)에 위치한 스콧 유리 기술 회사(Schott Glass Technology Incorporation)로부터 입수가능하다. 또한, 접착층(6)을 가령, (Ge, Sb, Ga)(S, Se) 칼코겐화 유리(chalcogenide glasses)같은 높은 굴절률의 칼코겐화 유리로부터 형성할 수도 있다.
다른 실시예에서, 접착층(6)은 GaP(∼600nm에서 n∼3.3), InGaP(∼600nm에서 n∼3.7), GaAs(500nm에서 n∼3.4) 및 GaN(500nm에서 n∼2.4)을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ 반도체, ZnS(500nm에서 n∼2.4), ZnSe(500nm에서 n∼2.6), ZnTe(500nm에서 n∼3.1), CdS(500nm에서 n∼2.6), CdSe(500nm에서 n∼2.6) 및 CdTe(500nm에서 n∼2.7)를 포함하는 Ⅱ-Ⅵ 반도체, Si(500nm에서 n∼3.5) 및 Ge(500nm에서 n∼4.1)를 포함하는 Ⅳ족 반도체 및 화합물, 유기 반도체, 텅스텐 산화물, 티타늄 산화물(500nm에서 n∼2.9), 니켈 산화물(500nm에서 n∼2.2), 지르코늄 산화물(500nm에서 n∼2.2), 인듐 주석 산화물 및 크롬 산화물을 포함하는 금속 산화물, 마그네슘 플루오르화물(500nm에서 n∼1.4) 및 칼슘 플루오르화물(500nm에서 n∼1.4)를 포함하는 금속 플루오르화물, Zn, In, Mg 및 Sn을 포함하는 금속, 이트륨 알루미늄 가닛(YAG), 인화물 화합물, 비소 화합물, 안티몬화물 화합물, 질화물 화합물, 높은 굴절률 유기 화합물 및 그 조합 및 합금으로부터 형성되며, 이에 한정되지 않는다.
일 실시예에서, 접착층(6)은 액티브 영역(12)에 의해 방출된 파장의 광을 다른 파장으로 변환하는 발광 재료(luminescent material)를 포함한다. 예를 들면, 발광 재료는 통상의 인광 입자(phosphor particles), 유기 반도체, Ⅱ-Ⅵ 또는 Ⅲ-Ⅴ 반도체, Ⅱ-Ⅵ 또는 Ⅲ-Ⅴ 반도체 양자 도트(quantum dots) 또는 나노크리스탈, 염료, 폴리머 및 결함의 중심으로부터 발광하는 GaN과 같은 재료를 포함한다. 접착층(6)이 통상의 인광 입자를 포함하는 경우에는 전형적으로 약 5 마이크론 내지 약 50 마이크론까지의 크기를 갖는 입자를 수용할 만큼 충분히 두꺼워야 한다.
일 실시예에서, 접착층(6)은 LED 다이(4)의 상부 층, 가령 반도체층(8)의 굴절률보다는 작은 굴절률을 갖는 높은 굴절률 재료(약 1.5, 바람직하게는 약 1.8보다 더 큰 LED의 방출 파장에서의 굴절률)로부터 형성된다. 그러므로, 임계각은 LED 다이(4) 내부로부터 반도체층(8)/접착층(6) 인터페이스 상으로 입사하는 광의 총 내부 반사에 대해 존재한다. 그러나, 이 임계각은 LED 다이(4)와 에폭시 또는 공기 사이의 인터페이스에 대한 임계각과 비교할 때 증가되고, 에폭시 인캡슐런트 또는 공기 내로 추출되는 것보다 더 많은 광이 표면(18)을 통해 접착층(6) 내로 추출된다. 다른 실시예에서, 접착층(6)(예를 들면, ZnS 또는 ZnSe)의 굴절률은 반도체 층(8)(예를 들면, GaN)의 굴절률 이상이고, LED 다이(4) 내부로부터 접착층(6)으로 입사하는 광 중 어느 것도 완전하게 내부 반사되지 않는다. 접착층(6) 및 LED 다이(4)의 상부 층의 굴절률을 대략적으로 일치시킴으로써 최소화될 수 있는 프레넬 반사 손실을 고려하지 않으면 후자의 경우에서도 에폭시 인캡슐런트 또는 공기 내로 추출되는 것보다 더 많은 광이 표면(18)을 통해 접착층(6) 내로 추출된다.
다른 실시예에서, 투명 접착층(6)을 낮은 굴절률의 접착 재료, 즉, LED의 방출 파장에서 약 1.5보다 더 작은 굴절률을 갖는 접착 재료로부터 형성한다. 예를 들면, 마그네슘 플루오르화물이 그러한 접착 재료 중 하나다. 또한, 낮은 굴절률의 광학 유리, 에폭시 및 실리콘은 낮은 굴절률의 접착 재료로서 적절하다. 당업자는 접착층(6)이 충분히 얇을 경우, LED 다이(4)로부터의 광이 낮은 굴절률의 재료로부터 형성된 투명 접착층(6)을 지나 렌즈(2)까지 효율적으로 전송될 수 있다는 것을 알 것이다. 따라서, 이 실시예에서는 접착층(6)을 약 500Å, 바람직하게는 약 100Å보다 얇은 두께로 만듦으로써 LED 다이(4)/접착층(6) 인터페이스에서의 총 내부 반사로 인한 손실을 줄인다. 표면(18) 또는 표면(22)의 고르지 못함(roughness), 또는, 표면(18) 또는 표면(22) 상의 울퉁불퉁한 부분의 전형적인 높이가 접착층(6)의 두께를 초과하는 경우에는 렌즈(2)가 LED 다이(4)에 잘 접착되지 않을 수도 있다. 이 실시예에서, 표면이 고르지 못한 높이를 접착층(6)의 두께 이하로 달성하기 위해 표면(18, 22)을 선택적으로 연마한다.
LED 다이(4)가 액티브 영역(12)에 의해 방출된 광을 흡수하는 재료를 포함하는 경우 및 접착층(6)이 낮은 굴절률 재료로부터 형성되더라도 전술한 바와 같이 얇지 않은 경우에는 액티브 영역(12)에 의해 방출된 광의 대부분은 전형적으로 LED 다이(4) 내에 갇히게 되며 접착층(6) 자신이 흡수하고 있지 않는 경우에서조차도 흡수되어 손실될 것이다. 반대로, 높은 굴절률 재료로부터 형성된 접착층(6)은 가령, 높은 굴절률 접착 재료가 방출된 광의 일부를 흡수하는 칼코겐화 유리와 같은 재료라 하더라도 액티브 영역(12)에 의해 방출되는 광의 대부분을 LED 다이(4)로부터 렌즈(2)로 전달할 것이다.
투명 접착층(6)이 LED 다이(4)에 도포된 후, 실질적으로 렌즈의 평평한 표면(22)은 접착층(6)과 접하도록 위치할 것이다. 그런 후에, 접착층(6)의 온도는 약 실온과 약 1000℃ 사이의 온도까지 상승되고, 렌즈(2) 및 LED 다이(4)에는 약 1초 내지 약 6시간 동안 약 1 psi 내지 6000 psi의 압력이 함께 가해진다. 본 발명자는 이 공정에서 예를 들어, 전단 변형 스트레스(shear stress)를 통한 재료 전달(material transfer), 증발-응축, 액화(또는 융화(melting) 또는 연화(softening))후의 응고, 확산 또는 합금화에 의해 렌즈(2)와 접착층(6)(LED 다이 상에 형성됨) 사이에서 생성된 접착력으로 인해 렌즈(2)가 LED 다이(4)에 접착된다고 믿는다. 본 발명자는 다른 실시예에서, 가령, 렌즈(2)와 LED 다이(4) 상에 각각 형성된 접착층 사이 또는 접착층(6)(렌즈(2) 상에 형성됨)과 LED 다이(4) 사이의 재료 전달에 의해 유사하게 생성된 접착력에 의해 렌즈(2)가 LED 다이(4)에 접착된다는 것을 믿는다. 따라서, 재료 전달에 의해 형성되는 접착 인터페이스가 렌즈(2)와 LED 다이(4) 사이에 위치할 수 있다. 일 실시예에서는 가령, n 층(8)과 접착층(6)의 인터페이스에서의 표면(18)이 이러한 접착 인터페이스이다. 다른 실시예에서는 렌즈(2)와 LED 다이(4) 상에 각각 형성된 접착층의 인터페이스가 접착 인터페이스이다. 또 다른 실시예에서는 렌즈(2) 및 접착층(6)의 인터페이스가 접착 인터페이스이다.
일 실시예에서 투명 접착층(6)이 광학 유리로 LED 다이(4) 상에 형성된 경우에는 예를 들어, 접착층(6)의 온도가 광학 유리의 변형점(strain point) 정도까지 상승된다. 유리 전이 온도에 가깝지만 그 보다는 낮은 변형점 온도는 광학 유리가 약 1014.5 푸아즈(poise)의 점성률을 갖는 온도이다. 또한 변형점 온도는 광학 유리에 있어서 온도에 대한 팽창의 그래프 내에서 제 1 비선형 부분에 대응하고, 따라서 어닐링 범위의 하한을 나타낸다. 변형점 온도 부근 또는 그 보다 높은 온도에서 층(6) 내의 광학 유리의 결과적인 유연성 및 낮아진 표면 장력은 광학 유리가 표면(22)에 대해 미세한 부분까지 부합하도록 하고 렌즈(2)와 접착층(6) 사이의 접착을 달성하도록 한다.
전술한 LED 다이(4)에 렌즈(2)를 접착하는 공정은 상승된 온도 및 압력에서 반도체 웨이퍼를 접착시키는 데 이전에 사용된, 본 명세서에서 참조로 인용되는 미국 특허 제 5,502,316 호 및 제 5,376,580 호에 개시된 디바이스를 이용하여 수행할 수 있다. 개시된 디바이스는 필요한 경우 LED 다이 및 렌즈를 수용하도록 변형될 수 있다. 이와 달리, 전술한 접착 공정은 통상의 수직 압착기(a vertical press)를 이용하여 수행될 수 있다.
투명 렌즈(2)를 가령, SiC(500nm에서 n∼2.7), 알루미늄 산화물(사파이어, 500nm에서 n∼1.8), 다이아몬드(500nm에서 n∼2.4) 또는 금속을 제외하고 앞서 열거된 투명 접착층(6) 내의 접착 재료로 사용하기 위한 재료 중 임의의 재료로부터 형성한다. 렌즈(2)가 접착되는 렌즈(2)와 LED 다이(4)의 열팽창 계수 사이의 상당한 불일치로 인해 가열 또는 냉각 시 렌즈(2)가 LED 다이(4)로부터 분리될 수 있다. 또한, 열팽창 계수를 대략적으로 일치시키는 것은 접착층(6)과 렌즈(2)에 의해 LED 다이(4) 내로 유입되는 스트레스를 줄인다. 따라서, 일 실시예에서 렌즈(2)가 접착되는 LED 다이(4)의 열팽창 계수와 대략적으로 일치하는 열확산 계수를 갖는 재료로부터 렌즈(2)를 형성한다.
일 실시예에서, 투명 렌즈(2)는 LED 다이(4)로부터 렌즈(2)로 들어오는 광이 직교 입사에 가까운 입사각으로 렌즈(2)의 표면(24)을 지나도록 하는 형태 및 크기를 갖는다. 그것에 의해, 표면(24)과 전형적으로는 공기인 주변 매체의 인터페이스에서의 총 내부 반사가 줄어들게 된다. 게다가, 입사각의 범위가 좁기 때문에, 표면(24)에서의 프레넬 반사 손실은 통상의 반사 방지 코팅(25)을 표면(24)에 도포함으로써 줄일 수 있다. 예를 들어, 렌즈(2)의 형상은 반구와 같은 구의 일부, 바이어슈트라스 구(절단된 구) 또는 반구보다 작은 구의 일부이다. 이와 달리, 렌즈(2) 형상은 절단된 타원과 같은 타원의 일부이다. LED 다이(4)로부터 렌즈(2)로 들어가는 광에 대한 표면(24)에서의 입사각은 렌즈(2)의 크기가 증가함에 따라 직교 입사에 더 근접하게 된다. 따라서, LED 다이(4)의 표면(18)의 길이에 대한 투명 렌즈(2)의 베이스 길이의 최소 비는 바람직하게는 약 1보다 더 크며, 보다 바람직하게는 약 2보다 더 크다.
당업자는 특정 재료의 렌즈(2)가 전술한 바와 같이 계속해서 투명하도록 하는 최대 크기가 LED의 방출 파장에서의 렌즈 재료의 흡수 상수에 의해 결정된다는 것을 알 것이다. 일 실시예에서, 렌즈(2)는 프레넬 렌즈이다. 전형적으로 프레넬 렌즈는 가령, 유사한 초점 길이의 구형 렌즈보다 더 얇아서 더 적게 흡수한다.
다른 실시예에서, 렌즈(2)는 가령, 표면(22)에 수직인 방향으로 감소하는 또는 표면(22)의 중앙 근처의 최대값으로부터 방사선상으로 감소하는 굴절률을 갖는 구배형 굴절률 렌즈(a graded index lens)이다.
일 실시예에서 렌즈(2)는 액티브 영역(12)에 의해 방출되는 파장의 광을 다른 파장으로 변환시키는 발광 재료를 포함한다. 다른 실시예에서, 표면(22) 상의 코팅은 예를 들어, 발광 재료를 포함한다. 발광 재료는 가령, 통상의 인광 입자, 유기 반도체, Ⅱ족-Ⅵ족 또는 Ⅲ족-Ⅴ족 반도체, Ⅱ족-Ⅵ족 또는 Ⅲ족-Ⅴ족 반도체 양자 도트 또는 나노크리스탈, 염료, 폴리머 및 결함의 중심으로부터 발광하는 GaN와 같은 재료를 포함한다. 이와 달리, 표면(22) 부근의 렌즈(2)의 영역을 가령, 발광 재료로 도핑한다.
렌즈(2)의 굴절률(nlens), 접착층(6)의 굴절률(nbond) 및 LED 다이(4)의 상부 층의 굴절률(nLED)의 크기는 6 가지로 순서화된다. nLED≤nbond≤nlens 또는 nLED≤nlens≤nbo nd일 경우에는 총 내부 반사에 기인한 손실이 제거되지만, 프레넬 손실이 발생할 수도 있다. 특히, nLED=nlens=nbond인 경우에는 프레넬 손실 또는 총 내부 반사에 기인한 손실 없이 LED 다이(4)로부터 렌즈(2)로 광이 들어간다. 한편, nbond≤nLED≤nle ns이지만 nbond＞nepoxy 이거나 접착층(6)이 전술한 바와 같이 얇을 경우에는 프레넬 반사 손실을 고려하지 않는다면, 에폭시 인캡슐런트 또는 공기 내로 추출되는 것보다 더 많은 광이 렌즈(2)로 추출될 것이다. 유사하게, nbond≤nlens≤nLED이지만 nbond＞nepoxy 이거나 접착층(6)이 전술한 바와 같이 얇고 nlens＞nepoxy 인 경우, 프레넬 반사 손실을 고려하지 않는다면 에폭시 인캡슐런트 또는 공기 내로 추출되는 것보다 더 많은 광이 렌즈(2)로 추출될 것이다. nlens≤nbond≤nLED 또는 nlens≤nLED≤nbond 이지만 nlens＞nepoxy 인 경우, 프레넬 반사 손실을 고려하지 않는다면, 에폭시 인캡슐런트 또는 공기 내로 추출되는 것보다 더 많은 광이 렌즈(2)로 추출될 것이다. 따라서, 바람직하게 투명 렌즈(2)는 LED 다이(4)의 방출 파장에서 약 1.5, 보다 바람직하게는 약 1.8보다 더 큰 굴절률을 갖는다. 주위의 매체가 에폭시 인캡슐런트가 아니라 공기(nair∼1)인 경우 nepoxy 대신 nair로 유사한 분석을 적용한다.
접착층(6)이 인 입자를 포함하고 바람직하게는 높은 굴절률의 칼코겐화 유리인 접착 재료의 굴절률이 인 입자의 굴절률과 대략 일치하는 경우에는, 액티브 영역 또는 인 입자에 의해 방출되는 광의 인 입자에 의한 산란은 무시될 것이다. 바람직하게, 인 입자, 접착 재료, LED 다이(4)의 상부의 층(가령, n 층(8)) 및 렌즈의 굴절률은 모두 거의 같다. LED 다이(4)의 상부 층이 InGaN인 경우에는 인 입자가 SrS:Eu 및/또는 SrGaS:Eu이고 렌즈는 ZnS이다.
도 2를 참조하면, 다른 실시예에서, 투명 렌즈(2)는 별도의 접착층을 사용하지 않고 LED 다이(4)의 상부 표면(18)에 직접 접착된다. 발명자는 가령, 전단 변형 스트레스를 통한 재료 전달, 증발-응축, 액화 후의 응고(또는 융화 또는 연화), 확산 또는 합금화에 의해 렌즈(2)와 LED 다이(4) 사이의 접착력이 생긴다고 믿는다. 금속화물층(20)은 존재하는 경우에는 렌즈(2)의 표면(22)이 표면(18)에 직접 접착되도록 패터닝될 것이다. 또한, 표면(22)은 예를 들어, 에칭에 의해 선택적으로 패터닝될 것이다. 이러한 일 실시예에서, 투명 렌즈(2)는 별도의 결합층을 형성하기 위해 사용될 수 있는 전술한 재료와 같은 재료로부터 형성된다. 다른 실시예에서, LED 다이(4)의 상부 층(예를 들면, 도 2의 n 층(8))이 형성되는 재료는 접착 재료로 적합하다. 따라서, 렌즈(2) 또는 LED 다이(4)의 상부 층 중 하나는 접착층으로서 부가적인 역할을 하고, 별도의 접착층은 필요가 없게된다. 일 실시예에서, 표면(18)에서 렌즈(2)와 LED 다이(4)의 인터페이스는 렌즈(2)와 LED 다이(4) 사이의 매스 전달(mass transfer)에 의해 특징지어지는 접착 인터페이스이다.
LED 다이(4)에 직접 접착되는 렌즈에 있어서, nLED ≤ nlens 또는 nlens ＜ nLED 이지만 nlens ＞ nepoxy 인 경우, 프레넬 반사 손실을 고려하지 않으면 에폭시 인캡슐런트 내로 추출되는 것보다 더 많은 광이 렌즈(2)로 추출된다. 주위의 매체가 에폭시 인캡슐런트가 아니라 공기(nair∼1)인 경우 nepoxy 대신 nair로 유사한 분석을 적용한다.
투명 렌즈(2)는 접착층(6)을 이용하는 접착 공정에 대해 전술한 것과 같은 온도 및 압력에서 LED 다이(4)에 직접 접착된다. 일 실시예에서, LED 다이(4)의 표면(18) 또는 렌즈(2)의 표면(22)을 가령 Zn 또는 Si와 같은 높은 확산 계수(diffusivity)를 갖는 재료로 도핑한다. 그러한 도핑은 MOCVD, VPE, LPE 또는 MBE에 의한 재료 성장 동안 달성되거나 예를 들어, 주입에 의한 재료 성장 후에 달성된다. 다른 실시예에서, 높은 확산 계수의 재료의 얇은 층은 표면(18, 22) 중 적어도 하나 상에서의 증착에 의해 렌즈(2)와 LED 다이(4) 사이에 배치된다. 증착은 예컨대, 증발이나 스퍼터링 등의 통상적인 수단에 의해 달성될 수 있다. 발명자는 접착 공정 동안 높은 확산 계수의 재료가 렌즈(2)와 LED 다이(4) 사이의 인터페이스를 가로질러 확산하여 렌즈(2)와 LED 다이(4) 사이의 재료 전달을 증진시킨다는 것으로 생각한다. 사용된 높은 확산 계수의 재료의 양은 가령, 렌즈(2)와 LED 다이(4)의 상부층의 투명도를 유지하기에 충분히 적어야 한다.
통상적으로 LED 다이(4)를 인캡슐런트 내에 두는 것보다는 렌즈(2)에 접착하는 것이 더 유리하다. 예를 들면, 전술한 바와 같이 접착층(6)을 이용하여 또는 접착층(6) 없이 렌즈(2)에 접착되는 LED 다이(4)의 표면(18)을 통한 광 추출 효율은 통상의 에폭시로 보호된 LED와 비교할 때 개선된다. 게다가, LED 다이(4)는 에폭시로 보호된(둘러싸인) LED가 겪게 되는 해로운 스트레스를 받을 필요가 없다. 더욱이, 비교적 저온에서 열화되는 에폭시 인캡슐런트가 없으면 LED 다이(4)는 보다 고온에서 사용될 수 있다. 결과적으로, LED 다이(4)의 광 출력은 더 높은 전류 밀도에서 LED 다이(4)를 사용함으로써 증가될 수있다.
그러나, 원하는 경우에는 렌즈(2)에 접착되는 LED 다이(4)를 가령, 에폭시 또는 실리콘으로 부가적으로 감쌀 수 있다. 렌즈(2)에 접착되는 LED 다이(4)의 캡슐화는 LED다이(4)의 표면(18)을 통한 렌즈(2) 내로의 광 추출 효율에 영향을 주지 않을 것이다. 표면(24)과 인캡슐런트의 인터페이스에서의 총 내부 반사는 전술한 바와 같이 렌즈(2)의 형태와 크기에 의해 최소화될 것이다.
몇몇 실시예에서, LED 다이(4)는 예를 들어, 상승된 온도에서 열화되는 전기적 접속부를 위한 금속화물을 포함한다. 다른 실시예에서는, 도시되지는 않았지만 LED 다이(4)가 고온에서 열화되는 솔더 또는 은 베어링 다이 접착 에폭시(silver bearing die-attach epoxies)로 서브마운트에 접착된다(다이 접착 에폭시는 에폭시 인캡슐런트와 다름에 유의). 따라서, 일 실시예에서는 예를 들어, 금속화물 또는 다이 접착 에폭시의 열화를 방지하기 위해 렌즈(2)를 접착층(6)을 이용하거나 접착층(6) 없이 LED 다이(4)에 접착시키는 공정을 약 500℃보다 낮은 온도에서 실시한다. 다른 실시예에서, 렌즈(2)는 불완전한 LED 다이, 예를 들어, 몇몇 또는 모든 금속화물이 결여된 LED 다이에 접착된다. 후자의 실시예에서, LED 다이의 제조는 렌즈 접착 공정 후에 완료된다.
도 3 내지 도 11에 도시된 LED 다이(4)의 구조는 도 1a, 1b, 1c 및 도 2 내에 도시된 구조와 다를 수 있다. 다양한 실시예의 동일 부분은 도 1 내지 도 11 내에서 같은 참조 번호로 나타난다.
도 3의 실시예에서, LED 다이(4)의 측면(26, 28)은 각각 90°보다 작은 각 α 및 β로 접착층을 교차하고 각각 90°보다 큰 각 γ 및 δ로 액티브 영역을 교차하도록 기울어져 있다. 두 개의 경사면이 도 3에 도시되어 있지만, 다른 실시예에서는 LED 다이(4)가 두 개의 경사면보다 더 많거나 적은 경사면을 가져서 가령, 모양이 실질적인 원뿔형 또는 피라미드형이 될 수 있다.
경사면(26, 28)은 액티브 영역(12)으로부터 방출되는 광을 접착층(6) 쪽으로 반사한다. 이로써, 반사되지 않았다면 LED 다이(4) 내에서 갇히거나 다이의 측면 밖으로 손실되었을 광은 접착층(6)과 렌즈(2)를 통해 유리하게 추출된다. 일 실시예에서, LED 다이(4)는 공기와 같은 저 굴절률 매체에 의해 둘러싸이고, 액티브 영역(12)으로부터 경사면(26, 28) 상으로 입사되는 광의 일부는 모두 접착층(6) 쪽으로 내부 반사된다. 다른 실시예에서는 금속층이고 또 다른 실시예에서는 유전체층이며, 광을 접착층(6)으로 반사하는 반사 코팅으로 경사면(26, 28)이 코팅된다.
일 실시예에서, 컨택트(16)는 반사성이 매우 강하다. 따라서, 이 실시예에서는 컨택트(16) 상의 입사광이 접착층과 렌즈(2)를 향해 직접적으로 또는 측면(26, 28)로부터의 부가적인 반사 후에 반사된다. LED 다이(4)의 광 추출 효율은 결과적으로 증가하게 된다.
도 4 및 도 5에 도시된 실시예에서, LED 다이(4)는 금속화물층(20) 및 n 층(8)에 전기적으로 접속되는 도전성 투명 수퍼스트레이트(30)와 p 층(10) 및 컨택트(16)에 전기적으로 접속되는 선택적인 투명 도전성 기판(32)을 포함한다. 수퍼스트레이트(30) 및 (선택적인) 기판(32)은 예를 들면, LED 다이(4)에 의해 방출되는 광자의 에너지보다 더 큰 대역 갭 에너지를 갖는 반도체로부터 형성된다. 수퍼스트레이트(30)는 액티브 영역(12)의 방출 파장에서 바람직하게 약 1.5, 더 바람직하게는 약 1.8보다 더 큰 굴절률을 갖는 재료로부터 형성된다. 다른 실시예에서, LED 다이(4)의 측면(26, 28)은 기울어지고 매우 반사성이 강하며, 전술한 바와 같이 컨택트(16)도 매우 반사성이 강하다. 도 4에 도시된 일 실시예에서, 투명 렌즈(2)는 접착층(6)을 함께 이용하여 수퍼스트레이트(30)에 접착되고, n 층(8)은 n 컨택트(14)에 의해 금속화물층(20)에 전기적으로 접속된다. 도 5에 도시된 실시예에서, 투명 렌즈(2)는 수퍼스트레이트(30)에 직접 접착되고, n 컨택트(14)는 따로 제공되지 않는다.
컨택트(14, 16)는 도 6 및 도 7 내에 도시된 "플립 칩" 실시예에서 LED 다이(4)의 동일 측면 상에 위치한다. 렌즈(2)는 컨택트(14, 16)로부터 LED 다이(4)의 반대편에 접착되기 때문에, 이들 실시예에서는 렌즈(2) 상에 금속화물층이 필요없다. 렌즈(2) 내로의 광 추출 효율은 금속화물층의 부재에 의해 개선된다. 다른 실시예에서, LED 다이(4)의 측면(26, 28)은 기울어지고 매우 반사성이 강하게 되며, 전술한 바와 같이 컨택트도 매우 반사성이 강하게 된다. 투명 수퍼스트레이트(34)는 예를 들어, 액티브 영역(12)의 방출 파장에서 바람직하게 1.5, 더 바람직하게는 1.8보다 큰 굴절률을 갖는 사파이어, SiC, GaN 또는 GaP와 같은 재료로부터 형성된다. 도 6에 도시된 실시예에서, 렌즈(2)는 접착층(6)을 이용하여 투명 수퍼스트레이트(34)에 접착된다. 도 7에 도시된 실시예에서, 렌즈(2)는 투명 수퍼스트레이트(34)에 직접 접착된다.
도 6 및 도 7에 도시된 실시예 중 일 실시예에서, 렌즈(2)는 ZnS로부터 형성되고 수퍼스트레이트(34)는 SiC 또는 GaN으로부터 형성되며, n 층(8)은 GaN과 같은 Ⅲ족-질화물 반도체로부터 형성된다. 다른 실시예에서, 렌즈(2)는 GaP로부터 형성되고, 수퍼스트레이트(34)는 GaP로부터 형성되며, n 층(8)은 AlInGaP 합금과 같은 Ⅲ족-인화물 반도체로부터 형성된다. 만일 존재하는 경우에는 접착층(6)은 가령, ZnS로부터 형성된다.
도 8 및 도 9에 형성된 실시예에서는, n 층(8), p 층 및 액티브 영역(12)의 배향이 렌즈(2)에 실질적으로 수직이다. 도 6 또는 도 7에 도시된 실시예에서처럼, 렌즈(2) 상에는 금속화물층이 필요하지 않다. 도 8에 도시된 실시예에서는 렌즈(2)가 접착층(6)을 이용하여 LED 다이(4)에 접착된다. 도 9에 도시된 실시예에서는 렌즈(2)가 LED(4)에 직접 접착된다. 일 실시예에서, LED 다이(4)는 절단부가 웨이퍼로부터 층(8, 10) 및 액티브 영역(12)에 실질적으로 수직 방향이 되도록 절단(다이싱(diced))기로 절단된다. 이 실시예에서, 렌즈(2)에 접착되는 LED 다이(4)의 표면은 고르지 못한 부분을 줄이기 위해 선택적으로 연마된다. 다른 실시예에서, LED 다이(4)의 측면(26, 28)은 경사를 이루고, 컨택트(14)는 매우 반사성이 강하게 되며, 반사층(36)은 광을 렌즈(2)로 반사하도록 위치한다.
도 10과 도 11의 실시예에서, LED 다이(4)는 LED 다이(4)가 접착되는 렌즈(2)의 표면(22) 내의 리세스(recess)(38) 내에 위치한다. 도 10에 도시된 실시예에서, 렌즈(2)는 LED 다이(4)에 직접 접착된다. 도 11의 다른 실시예에서, 렌즈(2)는 접착층(6)을 이용하여 LED 다이(4)에 접착된다.
본 발명은 특정 구체적 실시예와 함께 설명되었지만, 본 발명은 첨부된 청구범위의 범주 내의 모든 변형 및 응용을 포함하도록 의도되었다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
2 : 투명 렌즈 4 : LED 다이
6 : 접착층 8, 10 : 반도체층
12 : 액티브 영역 14, 16 : 컨택트
18 : LED 다이 표면 20 : 금속화물층
22 : 렌즈 표면 24 : 렌즈 표면
25 : 반사 방지 코팅 26, 28 : 경사면
30 : 수퍼스트레이트 32 : 기판
34 : 투명 수퍼스트레이트 36 : 반사층
38 : 리세스 α,β,γ,δ: 각

Claims (18)

  1. 액티브 영역을 포함하는 반도체층을 포함하는 층의 스택(a stack of layers)과,
    상기 스택과의 사이에 배치되는 경계면에서 작용되는 접착(bond)에 의해 상기 스택에 부착되는 투명 렌즈(transparent lens)와,
    상기 렌즈와 상기 스택의 표면 사이에 배치되고, 상기 렌즈를 상기 스택에 접착하며, 무기 접착 재료를 포함하는 투명 접착층을 포함하는
    발광 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈의 일 형상(a shape of said lens)은 바이어슈트라스 구(Weierstrass sphere), 반구, 반구보다 작은 구의 일부, 타원 및 타원의 일부로 이루어진 그룹으로부터 선택되는
    발광 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈는 프레넬 렌즈(Fresnel lens)인
    발광 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈는 구배형 굴절률 렌즈(a graded index lens)인
    발광 디바이스.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈는 광학 유리(optical glass), Ⅲ족-Ⅴ족 반도체, Ⅱ족-Ⅵ족 반도체, Ⅳ족 반도체와 화합물(compounds), 금속 산화물(metal oxides), 금속 플루오르화물(metal fluorides), 다이아몬드(diamonds), 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet) 및 이들의 조합(combinations)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 재료로 형성되는
    발광 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈는 지르코늄 산화물(zirconium oxide), 사파이어(sapphire), GaP, ZnS 및 SiC로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 재료로 형성되는
    발광 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈는 상기 액티브 영역에 의해 방출되는 파장의 광을 적어도 다른 파장으로 변환하는 하나 이상의 발광 재료를 포함하는
    발광 디바이스.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈는 상기 액티브 영역에 의해 방출되는 파장의 광을 적어도 다른 파장으로 변환하는 하나 이상의 발광 재료로 코팅되는
    발광 디바이스.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 스택은 LED 다이가 접착되는 상기 렌즈의 표면의 리세스(a recess) 내에 위치하는
    발광 디바이스.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 액티브 영역에 의해 방출되는 광에 대한 상기 렌즈의 굴절률은 1.5보다 큰
    발광 디바이스.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈의 굴절률은 상기 액티브 영역에 의해 방출되는 광에 대한 상기 반도체층의 굴절률 이상인
    발광 디바이스.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 액티브 영역으로부터 방출된 광을 상기 렌즈 방향으로 반사하도록 위치한 적어도 하나의 경사면을 더 포함하는
    발광 디바이스.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 액티브 영역으로부터 방출된 광을 상기 렌즈 방향으로 반사하도록 위치한 적어도 하나의 고 반사층(at least one layer highly reflective)을 더 포함하는
    발광 디바이스.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 스택은 상기 반도체층 위에 위치하고 상기 렌즈에 직접 접착되는 투명 수퍼스트레이트층(transparent superstrate layer)을 포함하는
    발광 디바이스.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 접착층은 광학 유리(optical glass), 칼코겐화 유리(chalcogenide glass), Ⅲ족-Ⅴ족 반도체, Ⅱ족-Ⅵ족 반도체, Ⅳ족 반도체, 유기 반도체(organic semiconductors), 금속, 금속 산화물(metal oxides), 금속 플루오르화물(metal fluorides), 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet), 인화물(phosphides), 비화물(arsenides), 안티몬화물(antimonides), 질화물(nitrides) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 재료로 형성되는
    발광 디바이스.
  16. 액티브 영역을 포함하는 반도체층을 포함하는 층의 스택을 갖는 발광 디바이스에 투명 렌즈를 접착하는 방법에 있어서,
    상기 렌즈 및 상기 스택의 온도를 상승시키는 단계와,
    상기 렌즈 및 상기 스택에 함께 압력을 가하여 상기 렌즈를 상기 스택에 접착하는 단계를 포함하며,
    상기 렌즈를 상기 스택에 접착하는 단계는 무기 접착 재료를 포함하는 투명 접착층에 의해 행해지는
    투명 렌즈 접착 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 온도는 500℃ 미만까지 상승되는
    투명 렌즈 접착 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 렌즈와 상기 스택 사이에 하나 이상의 높은 확산 계수의 재료를 도핑하는 단계를 더 포함하는
    투명 렌즈 접착 방법.
KR1020110123498A 2000-09-12 2011-11-24 발광 디바이스 및 발광 디바이스에 대한 투명 렌즈 접착 방법 KR101199264B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/660,317 US7053419B1 (en) 2000-09-12 2000-09-12 Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US09/660,317 2000-09-12

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010055273A Division KR101163719B1 (ko) 2000-09-12 2001-09-08 발광 디바이스 및 발광 디바이스에 대한 투명 렌즈 접착방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110135380A true KR20110135380A (ko) 2011-12-16
KR101199264B1 KR101199264B1 (ko) 2012-11-09

Family

ID=24649025

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010055273A KR101163719B1 (ko) 2000-09-12 2001-09-08 발광 디바이스 및 발광 디바이스에 대한 투명 렌즈 접착방법
KR1020110123498A KR101199264B1 (ko) 2000-09-12 2011-11-24 발광 디바이스 및 발광 디바이스에 대한 투명 렌즈 접착 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010055273A KR101163719B1 (ko) 2000-09-12 2001-09-08 발광 디바이스 및 발광 디바이스에 대한 투명 렌즈 접착방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7053419B1 (ko)
EP (1) EP1191608B1 (ko)
JP (1) JP2002176200A (ko)
KR (2) KR101163719B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101500633B1 (ko) * 2013-12-10 2015-03-09 한국광기술원 자외선 ｌｅｄ 패키지의 윈도우 접착 장치 및 방법

Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
DE10101554A1 (de) * 2001-01-15 2002-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiode
JP2003017756A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
GB0123731D0 (en) * 2001-10-03 2001-11-21 Qinetiq Ltd Optical bonding technique
WO2003100873A1 (fr) * 2002-05-28 2003-12-04 Matsushita Electric Works, Ltd. Element electroluminescent, dispositif electroluminescent et dispositif d'eclairage par emission de surface utilisant ledit element
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
DE60330023D1 (de) * 2002-08-30 2009-12-24 Lumination Llc Geschichtete led mit verbessertem wirkungsgrad
CN1742391A (zh) * 2003-01-27 2006-03-01 3M创新有限公司 具有聚合物长通反射器的基于荧光粉的光源
MY142684A (en) * 2003-02-26 2010-12-31 Cree Inc Composite white light source and method for fabricating
CN100546056C (zh) * 2003-06-26 2009-09-30 富士施乐株式会社 带有透镜的发光元件以及其制造方法
US7009213B2 (en) * 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
JP4093943B2 (ja) * 2003-09-30 2008-06-04 三洋電機株式会社 発光素子およびその製造方法
DE10351397A1 (de) * 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
DE10351349A1 (de) 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Hestellen eines Lumineszenzdiodenchips
JP2005166733A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US10575376B2 (en) 2004-02-25 2020-02-25 Lynk Labs, Inc. AC light emitting diode and AC LED drive methods and apparatus
US10499465B2 (en) 2004-02-25 2019-12-03 Lynk Labs, Inc. High frequency multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and systems and methods of using same
JP2005294820A (ja) * 2004-03-12 2005-10-20 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその形成方法、それを用いたランプ、光源
KR100604602B1 (ko) * 2004-05-19 2006-07-24 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 렌즈 및 그것을 갖는 발광 다이오드
US7361938B2 (en) 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US8294166B2 (en) 2006-12-11 2012-10-23 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US20080149949A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-26 The Regents Of The University Of California Lead frame for transparent and mirrorless light emitting diodes
US20070267646A1 (en) * 2004-06-03 2007-11-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light Emitting Device Including a Photonic Crystal and a Luminescent Ceramic
WO2006035353A2 (en) * 2004-09-28 2006-04-06 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Light emitting device with improved conversion layer
US20060091411A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J High brightness LED package
US7419839B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US20060146533A1 (en) * 2005-01-03 2006-07-06 Wen-Chieh Chen Illuminating device for projector
JP2006278567A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄユニット
US20080192472A1 (en) * 2005-04-14 2008-08-14 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Light-Emitting Device
TWI279929B (en) * 2005-05-20 2007-04-21 Cree Inc High efficacy white LED
US7319246B2 (en) 2005-06-23 2008-01-15 Lumination Llc Luminescent sheet covering for LEDs
JP2007080884A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Asahi Glass Co Ltd 発光装置の製造方法、発光装置および発光装置の中間部品
EP1949463A4 (en) * 2005-11-04 2010-12-29 Univ California HIGH-PERFORMANCE LIGHT EMITTING DIODE (LED)
KR20080077259A (ko) * 2005-12-08 2008-08-21 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 고효율 발광 다이오드
JP2009530798A (ja) 2006-01-05 2009-08-27 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄから光を導くための独立した光学デバイス
EP1979439A1 (en) * 2006-01-16 2008-10-15 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Light emitting device with a eu-comprising phosphor material
WO2007080555A1 (en) 2006-01-16 2007-07-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted light emitting device
KR20080113051A (ko) * 2006-04-24 2008-12-26 아사히 가라스 가부시키가이샤 발광 장치
US7955531B1 (en) 2006-04-26 2011-06-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Patterned light extraction sheet and method of making same
US7521727B2 (en) * 2006-04-26 2009-04-21 Rohm And Haas Company Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of making same
US7423297B2 (en) * 2006-05-03 2008-09-09 3M Innovative Properties Company LED extractor composed of high index glass
CN101501872B (zh) * 2006-08-08 2012-03-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 纳米颗粒基无机粘合材料
US7842960B2 (en) 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
US7789531B2 (en) * 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
US20090275157A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device shaping
JPWO2008041771A1 (ja) * 2006-10-05 2010-02-04 旭硝子株式会社 ガラス被覆発光素子、発光素子付き配線基板、発光素子付き配線基板の製造方法、照明装置およびプロジェクタ装置
JP2010510659A (ja) * 2006-11-15 2010-04-02 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア テクスチャ化された蛍光体変換層を有する発光ダイオード
WO2008060615A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California Transparent mirrorless light emitting diode
JP2010510671A (ja) * 2006-11-17 2010-04-02 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Ｌｅｄ光源用の光学接着組成物
EP2087533A2 (en) * 2006-11-17 2009-08-12 3M Innovative Properties Company Planarized led with optical extractor
KR101450929B1 (ko) * 2006-11-20 2014-10-14 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 Ｌｅｄ 광원용 광학 접합 조성물
JP4561732B2 (ja) * 2006-11-20 2010-10-13 トヨタ自動車株式会社 移動体位置測位装置
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
US7902564B2 (en) * 2006-12-22 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices
US7618163B2 (en) * 2007-04-02 2009-11-17 Ruud Lighting, Inc. Light-directing LED apparatus
DE102008021403A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
US8348475B2 (en) 2008-05-23 2013-01-08 Ruud Lighting, Inc. Lens with controlled backlight management
US8388193B2 (en) * 2008-05-23 2013-03-05 Ruud Lighting, Inc. Lens with TIR for off-axial light distribution
US9423096B2 (en) 2008-05-23 2016-08-23 Cree, Inc. LED lighting apparatus
DE102008025756B4 (de) * 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
DE102008028886B4 (de) * 2008-06-18 2024-02-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
EP2294634B1 (en) * 2008-07-01 2020-08-05 Lumileds Holding B.V. Wavelength converted light emitting diode with reduced emission of unconverted light
US7841750B2 (en) 2008-08-01 2010-11-30 Ruud Lighting, Inc. Light-directing lensing member with improved angled light distribution
DE102008045331A1 (de) * 2008-09-01 2010-03-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
JP5298987B2 (ja) * 2009-03-17 2013-09-25 豊田合成株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US9255686B2 (en) 2009-05-29 2016-02-09 Cree, Inc. Multi-lens LED-array optic system
JP2010287687A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
JP2011060966A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
US20110062469A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Molded lens incorporating a window element
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
BR112012022991A8 (pt) * 2010-03-16 2018-04-03 Koninklijke Philips Electronics Nv Aparelho de iluminação, método de fabricação para fabricar um aparelho de iluminação e método de iluminação
US8916399B2 (en) * 2010-04-08 2014-12-23 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device including light emitting element and wavelength converting member
CN102906877A (zh) * 2010-05-27 2013-01-30 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 包括全氮化物发光二极管的发光二极管光源
JP2012222005A (ja) * 2011-04-04 2012-11-12 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、繊維複合体、及び繊維複合体の製造方法
EP2751852A1 (en) 2011-08-30 2014-07-09 Koninklijke Philips N.V. Method of bonding a substrate to a semiconductor light emitting device
US20130187179A1 (en) * 2012-01-23 2013-07-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting diode with improved directionality
GB201202222D0 (en) 2012-02-09 2012-03-28 Mled Ltd Enhanced light extraction
US9541258B2 (en) 2012-02-29 2017-01-10 Cree, Inc. Lens for wide lateral-angle distribution
US9541257B2 (en) 2012-02-29 2017-01-10 Cree, Inc. Lens for primarily-elongate light distribution
US10408429B2 (en) 2012-02-29 2019-09-10 Ideal Industries Lighting Llc Lens for preferential-side distribution
JP2013232503A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Toshiba Corp 半導体発光装置
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
USD697664S1 (en) 2012-05-07 2014-01-14 Cree, Inc. LED lens
KR101428021B1 (ko) * 2013-02-19 2014-08-12 한국광기술원 Ｌｅｄ 패키지
USD718490S1 (en) 2013-03-15 2014-11-25 Cree, Inc. LED lens
CN105393372B (zh) * 2013-07-26 2018-06-15 亮锐控股有限公司 具有内部高折射率柱的led圆顶
JP2015065236A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
JP6387780B2 (ja) * 2013-10-28 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9196763B2 (en) 2013-10-30 2015-11-24 Terahertz Device Corporation Efficient light extraction from weakly-coupled dielectric buttes
US9523479B2 (en) 2014-01-03 2016-12-20 Cree, Inc. LED lens
RU2647977C2 (ru) * 2014-02-25 2018-03-21 Общество с ограниченной ответственностью "ИоффеЛЕД" Многоканальный инфракрасный фотоприемный модуль
EP2953176A1 (de) * 2014-06-02 2015-12-09 Swarovski Energy GmbH Beleuchtungsvorrichtung
KR102329470B1 (ko) * 2014-08-22 2021-11-25 한국전자통신연구원 세라믹 코팅층을 형성하는 것을 포함하는 광학 장치의 제조 방법
US9508907B2 (en) * 2014-09-15 2016-11-29 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device on a mount with a reflective layer
TW201628217A (zh) * 2015-01-30 2016-08-01 聯京光電股份有限公司 改良之發光二極體封裝結構與方法
JP6668608B2 (ja) * 2015-04-27 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10507367B2 (en) 2016-05-27 2019-12-17 Wilson Sporting Goods Co. Bat with barrel pivot joint
US20180169491A1 (en) * 2016-12-16 2018-06-21 Wilson Sporting Goods Co. Bat with barrel inner tube weight
US10987556B2 (en) 2016-05-27 2021-04-27 Wilson Sporting Goods Co. Bat with barrel pivot joint
US10468566B2 (en) 2017-04-10 2019-11-05 Ideal Industries Lighting Llc Hybrid lens for controlled light distribution
EP3662517B1 (en) * 2017-08-03 2021-03-24 Lumileds LLC Light emitting device and method of manufacturing thereof
DE102017122325A1 (de) 2017-09-26 2019-03-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen
US10879420B2 (en) 2018-07-09 2020-12-29 University Of Iowa Research Foundation Cascaded superlattice LED system
JP6846583B2 (ja) * 2018-10-31 2021-03-24 株式会社サンセイアールアンドディ 遊技機
EP3966873B1 (en) * 2019-05-09 2022-12-14 Signify Holding B.V. Lighting system including a truncated ball lens
JPWO2021039730A1 (ko) * 2019-08-30 2021-03-04
JP7011195B2 (ja) * 2020-02-27 2022-01-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD933872S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture
US11032976B1 (en) 2020-03-16 2021-06-15 Hgci, Inc. Light fixture for indoor grow application and components thereof
USD933881S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture having heat sink
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3769536A (en) 1972-01-28 1973-10-30 Varian Associates Iii-v photocathode bonded to a foreign transparent substrate
DE2209194A1 (de) * 1972-02-26 1973-08-30 Licentia Gmbh Anzeigegeraet
US3932881A (en) * 1972-09-05 1976-01-13 Nippon Electric Co., Inc. Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components
US3964157A (en) * 1974-10-31 1976-06-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of mounting semiconductor chips
US4109054A (en) * 1976-05-19 1978-08-22 Ferro Corporation Composites of glass-ceramic-to-metal, seals and method of making same
JPS5380988A (en) * 1976-12-27 1978-07-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Light emitting diode
JPS5565473A (en) * 1978-11-13 1980-05-16 Nec Corp Nonvolatile semiconductor memory device
US4391683A (en) 1982-09-10 1983-07-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Mask structures for photoetching procedures
US4675058A (en) 1983-12-14 1987-06-23 Honeywell Inc. Method of manufacturing a high-bandwidth, high radiance, surface emitting LED
JPS60191548A (ja) 1984-03-12 1985-09-30 Hitachi Ltd イメ−ジセンサ
JPS61280686A (ja) * 1985-06-06 1986-12-11 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US5181220A (en) * 1985-07-16 1993-01-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting light concentration device
FR2593930B1 (fr) * 1986-01-24 1989-11-24 Radiotechnique Compelec Dispositif opto-electronique pour montage en surface
US4815084A (en) 1987-05-20 1989-03-21 Spectra Diode Laboratories, Inc. Semiconductor laser with integrated optical elements
GB8728342D0 (en) * 1987-12-03 1988-01-06 Bt & D Technologies Ltd Light sources
JP2708183B2 (ja) * 1988-07-21 1998-02-04 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子
ES2150409T3 (es) 1989-05-31 2000-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Procedimiento para montar un opto-componente que se puede montar sobre una superficie.
US5130531A (en) 1989-06-09 1992-07-14 Omron Corporation Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens
US5255333A (en) * 1989-08-09 1993-10-19 Siemens Aktiengesellschaft Opto-electronic transducer arrangement having a lens-type optical coupling
US5055892A (en) * 1989-08-29 1991-10-08 Hewlett-Packard Company High efficiency lamp or light accepter
US5216263A (en) 1990-11-29 1993-06-01 Xerox Corporation High density, independently addressable, surface emitting semiconductor laser-light emitting diode arrays
US5300788A (en) * 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
US5132430A (en) 1991-06-26 1992-07-21 Polaroid Corporation High refractive index polymers
US5255171A (en) 1991-11-27 1993-10-19 Clark L Douglas Colored light source providing intensification of initial source illumination
JP3025109B2 (ja) 1992-03-11 2000-03-27 シャープ株式会社 光源および光源装置
JPH0645650A (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 Omron Corp 半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
JPH06151972A (ja) * 1992-11-09 1994-05-31 Omron Corp レンズ・オン・チップ型発光装置及びその製造方法
JP3230638B2 (ja) * 1993-02-10 2001-11-19 シャープ株式会社 発光ダイオードの製造方法
US5376580A (en) 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
JPH06338630A (ja) 1993-05-28 1994-12-06 Omron Corp 半導体発光素子、並びに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置、光結合装置及び発光装置
JPH07115244A (ja) * 1993-10-19 1995-05-02 Toyota Motor Corp 半導体レーザー及びその製造方法
JP3150025B2 (ja) * 1993-12-16 2001-03-26 シャープ株式会社 発光ダイオードの製造方法
EP0660467B1 (de) 1993-12-22 1997-03-19 Siemens Aktiengesellschaft Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
TW289837B (ko) 1994-01-18 1996-11-01 Hwelett Packard Co
EP0680163A3 (en) 1994-04-25 1996-07-03 At & T Corp Integrated detector / photo transmitter with non-imaging director.
US5394430A (en) * 1994-05-03 1995-02-28 Quarton Inc. Laser module
JPH0876697A (ja) * 1994-09-02 1996-03-22 Sharp Corp 発光表示装置
JPH08255933A (ja) * 1995-03-15 1996-10-01 Omron Corp レンズ一体型半導体発光素子及びその製造方法
US5959787A (en) 1995-06-06 1999-09-28 The Boeing Company Concentrating coverglass for photovoltaic cells
DE19527026C2 (de) * 1995-07-24 1997-12-18 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren
DE19629920B4 (de) 1995-08-10 2006-02-02 LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor
US5592578A (en) 1995-11-01 1997-01-07 Hewlett-Packard Company Peripheral optical element for redirecting light from an LED
US5724376A (en) 1995-11-30 1998-03-03 Hewlett-Packard Company Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding
JPH09172198A (ja) * 1995-12-20 1997-06-30 Daido Steel Co Ltd 発光ダイオードおよびその製造方法
US5779924A (en) 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
DE19621124A1 (de) * 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
US5925898A (en) 1996-07-18 1999-07-20 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic transducer and production methods
EP0918984B1 (de) 1996-08-16 2001-06-27 Zeptosens AG Optische detektionsvorrichtung
JP3992770B2 (ja) * 1996-11-22 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその形成方法
US6473554B1 (en) 1996-12-12 2002-10-29 Teledyne Lighting And Display Products, Inc. Lighting apparatus having low profile
US5898185A (en) 1997-01-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
US6229160B1 (en) * 1997-06-03 2001-05-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
US5917201A (en) 1997-08-07 1999-06-29 Epistar Co. Light emitting diode with asymmetrical energy band structure
DE59813644D1 (de) 1997-09-05 2006-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Immersionssystem
US5966399A (en) 1997-10-02 1999-10-12 Motorola, Inc. Vertical cavity surface emitting laser with integrated diffractive lens and method of fabrication
US6015719A (en) 1997-10-24 2000-01-18 Hewlett-Packard Company Transparent substrate light emitting diodes with directed light output
EP1928034A3 (en) 1997-12-15 2008-06-18 Philips Lumileds Lighting Company LLC Light emitting device
US6412971B1 (en) 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
US6233267B1 (en) 1998-01-21 2001-05-15 Brown University Research Foundation Blue/ultraviolet/green vertical cavity surface emitting laser employing lateral edge overgrowth (LEO) technique
JP4304733B2 (ja) * 1998-04-14 2009-07-29 住友電気工業株式会社 多結晶硫化亜鉛光学部品及びその製造方法
AU3759099A (en) 1998-04-24 1999-11-16 Digital Optics Corporation Diffusing imager and associated methods
JP2000006467A (ja) * 1998-06-24 2000-01-11 Matsushita Electron Corp 画像書込みデバイス
JP3785820B2 (ja) * 1998-08-03 2006-06-14 豊田合成株式会社 発光装置
JP3469484B2 (ja) 1998-12-24 2003-11-25 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
JP3531722B2 (ja) * 1998-12-28 2004-05-31 信越半導体株式会社 発光ダイオードの製造方法
RU2142661C1 (ru) 1998-12-29 1999-12-10 Швейкин Василий Иванович Инжекционный некогерентный излучатель
US6155699A (en) * 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
US6258699B1 (en) 1999-05-10 2001-07-10 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Light emitting diode with a permanent subtrate of transparent glass or quartz and the method for manufacturing the same
DE19922176C2 (de) 1999-05-12 2001-11-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierte LED-Mehrfachanordnung und deren Verwendung in einer Beleuchtungseinrichtung
DE19922361C2 (de) 1999-05-14 2003-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul für Anzeigeeinrichtungen
EP1119058A4 (en) * 1999-07-29 2006-08-23 Citizen Electronics LIGHT-EMITTING DIODE
JP2000082849A (ja) * 1999-09-27 2000-03-21 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
US6214733B1 (en) * 1999-11-17 2001-04-10 Elo Technologies, Inc. Process for lift off and handling of thin film materials
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
CA2393081C (en) 1999-12-03 2011-10-11 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
US6165911A (en) 1999-12-29 2000-12-26 Calveley; Peter Braden Method of patterning a metal layer
US6483196B1 (en) 2000-04-03 2002-11-19 General Electric Company Flip chip led apparatus
DE10019665A1 (de) 2000-04-19 2001-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
DE10054966A1 (de) 2000-11-06 2002-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement für die Optoelektronik
DE10101554A1 (de) 2001-01-15 2002-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiode
US6987613B2 (en) 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
US6598998B2 (en) 2001-05-04 2003-07-29 Lumileds Lighting, U.S., Llc Side emitting light emitting device
US6870311B2 (en) 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101500633B1 (ko) * 2013-12-10 2015-03-09 한국광기술원 자외선 ｌｅｄ 패키지의 윈도우 접착 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7053419B1 (en) 2006-05-30
JP2002176200A (ja) 2002-06-21
EP1191608A3 (en) 2009-04-22
EP1191608A2 (en) 2002-03-27
EP1191608B1 (en) 2019-04-10
KR20020021014A (ko) 2002-03-18
KR101199264B1 (ko) 2012-11-09
KR101163719B1 (ko) 2012-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101199264B1 (ko) 발광 디바이스 및 발광 디바이스에 대한 투명 렌즈 접착 방법
US10312422B2 (en) Light emitting devices with optical elements and bonding layers
KR100941639B1 (ko) 발광 디바이스 및 그 제조 방법과 발광 디바이스에 대한투명 광학 소자 접착 방법
EP2453490B1 (en) Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US6784463B2 (en) III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US7419839B2 (en) Bonding an optical element to a light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151021

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161024

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171017

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181023

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191016

Year of fee payment: 8