KR102329470B1 - 세라믹 코팅층을 형성하는 것을 포함하는 광학 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
세라믹 코팅층의 제조 방법은 ZnS렌즈 상에 아연(Zn) 및 제1 분자구조의 황(S)을 제공하고, 아연(Zn)과 제1 분자구조의 황(S)을 가열하는 것을 포함하고, 제1 분자구조의 황(S)을 제공하는 것은 황(S)을 포함하는 칼코겐소스를 증발시켜서 제2 분자구조의 황(S)을 형성하고, 제2 분자구조의 황(S)을 분해하여서 제2 분자구조보다 더 적은 황(S) 원자들을 포함하는 분자구조인 제1 분자구조의 황(S)을 형성하는 것을 포함한다.
Description
본 발명은 세라믹 코팅층의 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 렌즈와 동일한 물질을 포함하는 세라믹 코팅층의 제조 방법에 관한 것이다.
장파장 적외선 구역인 8 ~ 12 mm 영역(LWIR)은, 대기 중에서 적외선이 수분이나 이산화탄소에 적게 흡수되어 광학적 투과성이 뛰어 나기 때문에 장파장 적외선용 비냉각 촬상소자의 등장과 더불어 군사용/민수용 최근에 많이 사용이 되고 있다. ZnS 와 ZnSe는 적외선 창(infrared window) 또는 적외선 돔(dome)으로의 사용이 적합하다. 특히, ZnS 는 경도면에서 월등하고, 녹는점(melting temperature)도 높아서 유도비행체의 돔으로 사용 시 공기 저항으로 발생하는 마찰열에 견디는 능력이 탁월하다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 저온에서 세라믹 코팅층을 형성할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 공정 비용 및 공정 시간을 절감하여 세라믹 코팅층을 형성할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법은 ZnS렌즈 상에 아연(Zn) 및 제1 분자구조의 황(S)을 제공하는 것; 및 상기 아연(Zn)과 상기 제1 분자구조의 황(S)을 가열하는 것을 포함하며, 상기 제1 분자구조의 황(S)을 제공하는 것은 황(S)을 포함하는 칼코겐소스를 증발시켜서 제2 분자구조의 황(S)을 형성하는 단계 및 상기 제2 분자구조의 황(S)을 분해하여서 상기 제1 분자구조의 황(S)을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 분자구조는 상기 제2 분자구조보다 더 적은 황(S) 원자들을 포함하는 분자구이다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 저온에서 세라믹 코팅층을 형성할 수 있다. 특히, 저온에서 ZnS 또는 ZnSe 코팅층을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 세라믹 코팅층의 제조 공정은 광학기재의 제조 공정을 그대로 이용할 수 있으므로, 공정 비용 및 공정 시간을 절감하여 세라믹 코팅층을 형성할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 개시된 바에 한정되지 않는다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 칼코겐물질의 크랙킹(Cracking) 장치 및 크랙킹(cracking) 공정을 나타낸다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 나타낸다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 나타낸다.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 제조 장치에 적용한 일 예를 나타낸다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 제조 장치에 적용한 일 예를 나타낸다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 제조 장치에 적용한 다른 예를 나타낸다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 나타낸다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 나타낸다.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 제조 장치에 적용한 일 예를 나타낸다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 제조 장치에 적용한 일 예를 나타낸다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 제조 장치에 적용한 다른 예를 나타낸다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 막(또는 층)이 다른 막(또는 층) 또는 렌즈 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막(또는 층) 또는 렌즈 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막(또는 층)이 개재될 수도 있다 또한, 도면들에 있어서, 구성들의 크기 및 두께 등은 명확성을 위하여 과장된 것이다. 또한, 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 방향들, 막들(또는 층들) 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 방향들 및 막들(또는 층들)이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 방향 또는 막(또는 층)을 다른 방향 또는 막(또는 층)과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시예에서 제 1 막(또는 층)으로 언급된 막이 다른 실시예에서는 제 2 막(또는 층)으로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다. 본 명세서에서 '및/또는' 이란 표현은 전후에 나열된 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용된다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
이하, 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 칼코겐물질의 크랙킹(Cracking) 장치 및 크랙킹(cracking) 공정을 나타낸다.
도 1을 참조하면, 저장부(10)를 포함하는 제1 가열부(20)가 제공될 수 있다. 제1 가열부(20)는 일측에 개구부를 가지는 반개관(half-open tube) 형태를 가질 수 있다. 저장부(10)는 내부에 칼코겐소스(12)를 포함할 수 있다. 칼코겐소스(12)는 고체 또는 액체의 칼코겐물질일 수 있다. 저장부(10)는 일측에 개구부를 가질 수 있다. 저장부(10)의 개구부를 통해 칼코겐소스(12)가 저장부(10)의 내외부로 이동할 수 있다. 제2 가열부(30)가 제1 가열부(20)의 개구부에서 연장될 수 있다. 제2 가열부(30)는 양측에 개구부를 가지는 개관(open tube) 형태를 가질 수 있다.
이하, 크랙킹(cracking) 공정이 자세히 설명된다. 칼코겐소스(12)가 황(S)인 경우가 일 예로 설명되지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 칼코겐물질도 크랙킹(cracking) 공정의 대상물이 될 수 있다.
도 2를 참조하면, 저장부(10) 내부에 황(S)(12)이 제공될 수 있다. 황(12)은 고체 또는 액체일 수 있다. 일 예에서, 저장부(10) 내부에 파우더(powder) 형태의 황(12)이 제공될 수 있다. 제1 가열부(20)를 통해 황(12)은 제1 온도로 가열될 수 있다. 일 예에서, 제1 온도는 약 150 ℃ 내지 약 200 ℃일 수 있다. 황(12)은 약 115 ℃를 녹는점으로 가지므로, 약 150 ℃ 내지 약 200 ℃에서 액체 상태일 수 있다. 액체 상태의 황이 증발되어 기체 상태인 제2 분자구조의 황(14)이 될 수 있다. 제2 분자구조는 이하 설명될 제1 분자구조보다 상대적으로 다수의 황 원자들로 구성된 분자구조일 수 있다. 일 예로 제2 분자구조는 S8일 수 있다. 제2 분자구조의 황(14)은 제1 가열부(20)의 내부를 따라 제2 가열부(30)로 이동할 수 있다.
도 3을 참조하면, 제2 분자구조의 황(14)은 제2 가열부(30)에서 제2 온도로 가열되어 제1 분자구조의 황(16)이 될 수 있다. 제2 온도는 약 700 ℃ 내지 약 1000 ℃일 수 있다. 제1 분자구조는 제2 분자구조보다 상대적으로 소수의 황원자들로 구성된 분자구조일 수 있다. 일 예로, 제1 분자구조는 S2, S3, 및 S4에서 선택되는 어느 하나의 구조일 수 있다. 상기 제1 온도 및 상기 제2 온도는 예시적으로 제시된 것이며, 이에 한정되지 않는다. 제1 분자구조의 황(16)은 후술할 아연(Zn)과 화합물이 되려는 반응성이 높을 수 있다. 따라서, 본 발명의 크랙킹(cracking) 공정에 따르면, 반응성이 우수한 제1 분자구조의 황(16)이 형성될 수 있다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 나타낸다.
도 4를 참조하면, 아연(Zn) 입자들(112)이 렌즈(100) 상에 제공될 수 있다. 렌즈(100)는 ZnS 또는 ZnSe를 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 아연 입자들(Zn)(112)의 제공을 통해, 아연(Zn)막(110)이 렌즈(100) 상에 형성될 수 있다. 아연(Zn)막(110)의 형성 공정은 증발(evaporation)법 또는 스퍼터링(sputtering)법과 같은 진공 증착 방법을 포함할 수 있다. 일 예에서, 아연(Zn)막(110)의 형성 공정은 스퍼터링 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 아연(Zn)막(110)의 형성 공정은 아연(Zn)을 스퍼터링 타겟으로 이용하는 스퍼터링 공정일 수 있다. 아연(Zn) 물질은 스퍼터링 타겟에서 분리되어, 렌즈(100) 상에 제공될 수 있다. 이에 따라, 렌즈(100) 상에 아연(Zn)막이 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 칼코겐물질(122)이 아연(Zn)막(110) 상에 제공될 수 있다. 일 예에서, 칼코겐물질(122)은 황(S) 또는 셀레늄(Se)일 수 있다. 예를 들어, 렌즈(100)가 ZnS를 포함하는 경우, 칼코겐물질(122)은 황(S)일 수 있다. 다른 예로, 렌즈(100)가 ZnSe를 포함하는 경우, 칼코겐물질(122)은 셀레늄(Se)일 수 있다. 칼코겐물질(122)은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 크랙킹(Cracking) 공정 통하여, 아연(Zn)막(110) 상에 제공될 수 있다. 크랙킹(Cracking) 공정을 거친 칼코겐물질(122)은 높은 반응성을 가질 수 있다.
칼코겐물질(122)과 아연(Zn)막(110)은 가열될 수 있다. 가열 공정은 렌즈(100)를 제3 온도로 가열하는 것을 포함할 수 있다. 일 예에서, 제3 온도는 약 350 ℃ 내지 약 500 ℃를 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 칼코겐물질(122)과 아연(Zn)막(110)은 가열 공정을 통해 세라믹 코팅층이 될 수 있다. 가열 공정을 통해, 칼코겐물질(122)과 아연(Zn)막(110)의 반응성이 높아질 수 있다. 가열 공정은 칼코겐물질(122) 및/또는 아연(Zn)막(110)이 렌즈 상에 제공되기 이전 또는 이후에 시작되어, 적어도 원하는 세라믹 코팅층이 형성될 때까지 계속될 수 있다.
도 7을 참조하면, 도 4 내지 도 6의 공정을 통하여 세라믹 코팅층(130)이 렌즈(100) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, ZnS 렌즈 상에 ZnS 코팅층이 형성될 수 있다. 세라믹 코팅층(130)이 렌즈(100)와 동일한 물질을 포함하는 경우, 세라믹 코팅층(130)의 제조 공정은 렌즈(100)의 제조 공정을 그대로 이용할 수 있다. 따라서, 추가적인 공정이 도입됨에 따른 추가적인 시간 및 비용을 절감하여 세라믹 코팅층(130)을 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 세라믹 코팅층 제조 방법에 의하면, 저온(예를 들어, 약 350 ℃)에서 세라믹 코팅층(130)을 형성할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 나타낸다. 설명의 간소화를 위하여, 도 4 내지 도 7을 참조하여 설명된 실시예와 실질적으로 동일한 부분의 설명은 생략된다.
도 8를 참조하면, 렌즈(100) 상에 아연(Zn) 입자들(112) 및 칼코겐물질(122)이 동시에 제공될 수 있다. 다만, '동시에 제공'은 두 물질(112, 122)이 완벽하게 동일한 시간 동안 제공된다는 것이 아니라 아연(Zn) 입자들(112)(또는 칼코겐물질(122))이 제공되는 중에 칼코겐물질(122)(또는 아연(Zn)입자들(112))도 제공된다는 의미일 수 있다. 아연(Zn) 입자들(112)과 칼코겐물질(122)의 제공 공정은 도 4 내지 도 7을 참조하여 설명된 실시예의 아연(Zn) 입자들(112)과 칼코겐물질(122)의 제공 공정과 실질적으로 동일할 수 있다.
아연(Zn) 입자들(112)과 칼코겐물질(122)은 제3 온도로 가열될 수 있다. 아연(Zn) 입자들(112)과 칼코겐물질(122)의 가열 공정 및 가열 온도는 도 4 내지 도 7을 참조하여 설명된 실시예의 아연(Zn)막(110)과 칼코겐물질(122)의 가열 공정 및 가열 온도와 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 도 7에 도시된 바와 같이, 세라믹 코팅층(130)이 렌즈(100) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, ZnS 렌즈 상에 ZnS 코팅층이 형성될 수 있다. 다른 예에서, ZnSe 렌즈 상에 ZnSe 코팅층이 형성될 수 있다. 세라믹 코팅층(130)이 렌즈(100)와 동일한 물질을 포함하는 경우, 세라믹 코팅층(130)의 제조 공정은 렌즈(100)의 제조 공정을 그대로 이용할 수 있다. 따라서, 추가적인 공정이 도입됨에 따른 추가적인 시간 및 비용을 절감하여 세라믹 코팅층(130)을 제조 할 수 있다. 또한, 본 발명의 세라믹 코팅층 제조 방법에 의하면, 저온(예를 들어, 약 350 ℃)에서 세라믹 코팅층(130)을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법의 적용례들이 설명된다.
<적용례 1>
도 9 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 제조 장치에 적용한 일 예를 나타낸다. 설명의 간소화를 위하여, 도 4 내지 도 7을 참조하여 설명된 실시예와 실질적으로 동일한 부분은 생략된다.
도 9를 참조하면, 내부에 렌즈부(210)를 포함하는 챔버(200)가 제공될 수 있다. 챔버(200)는 두 개의 개구부들을 포함할 수 있다. 일 예에서, 개구부들은 챔버(200)의 상부에 배치될 수 있다. 아연 제공장치(230) 및 칼코겐물질 제공장치(220)가 챔버(200)의 개구부들의 각각에서 연장 또는 연결될 수 있다.
도 10를 참조하면, 렌즈(100)가 렌즈부(210) 상에 제공될 수 있다. 렌즈(100)는 ZnS 또는 ZnSe를 포함할 수 있다.
아연(Zn) 입자들(112)이 아연 제공장치(230)로부터 렌즈(100) 상으로 제공될 수 있다. 일 예에서, 아연(Zn) 입자들(112)은 증발(evaporation)증착 장치를 포함하는 아연(Zn) 제공장치(230)로부터 렌즈(100)상으로 제공될 수 있다. 이에 따라, 렌즈(100) 상에 아연(Zn)막이 형성될 수 있다. 다른 예에서, 아연(Zn) 입자들(112)은 스퍼터링 공정으로 렌즈(100) 상에 제공될 수 있다. 이 경우, 챔버 내에 스퍼터링 장치(미도시)가 제공될 수 있고, 아연(Zn) 제공장치(230)는 제거될 수 있다.
도 11을 참조하면, 칼코겐물질(122)이 아연(Zn)막(110) 상에 제공될 수 있다. 아연(Zn)막(110)은 아연(Zn) 입자들(112)의 제공을 통해 형성될 수 있다. 칼코겐물질(122)은 칼코겐물질 제공장치(220)로부터 아연(Zn)막(110) 상으로 제공될 수 있다. 일 예에서, 칼코겐물질 제공장치(220)는 크랙킹 장치(미도시)를 포함할 수 있다. 크랙킹 장치(미도시)는 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 실시예의 크랙킹 장치와 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 실시예의 제1 분자구조의 황기체(16)가 아연(Zn)막 상에 제공될 수 있다.
칼코겐물질(122)과 아연(Zn)막(110)은 가열될 수 있다. 가열 공정은 렌즈부(210)를 제3 온도로 가열하는 것을 포함할 수 있다. 제3 온도는 약 350 ℃ 내지 약 500 ℃일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 가열 공정을 통해, 칼코겐물질(122)과 아연(Zn)막(110)의 반응성이 높아질 수 있다.
도 12를 참조하면, 도 9 내지 도 11의 공정을 통하여 세라믹 코팅층(130)이 렌즈(100) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, ZnS 렌즈 상에 ZnS 코팅층이 형성될 수 있다. 다른 예에서, ZnSe 렌즈 상에 ZnSe 코팅층이 형성될 수 있다. 세라믹 코팅층(130)이 렌즈(100)와 동일한 물질을 포함하는 경우, 세라믹 코팅층(130)의 제조 공정은 렌즈(100)의 제조 공정을 그대로 이용할 수 있다. 따라서, 추가적인 공정이 도입됨에 따른 추가적인 시간 및 비용을 절감하여 세라믹 코팅층(130)을 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 세라믹 코팅층 제조 방법에 의하면, 저온(예를 들어, 약 350 ℃)에서 세라믹 코팅층(130)을 형성할 수 있다.
<적용례2>
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 제조 장치에 적용한 일 예를 나타낸다. 설명의 간소화를 위하여, 도 8을 참조하여 설명된 실시예 및 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명된 적용례와 실질적으로 동일한 부분의 설명은 생략된다.
도 13을 참조하면, 아연(Zn) 입자들(112)과 칼코겐물질(122)은 각각 아연 제공장치(230)와 칼코겐물질 제공장치(220)로부터 렌즈(100) 상으로 동시에 제공될 수 있다. 다만, '동시에 제공'은 두 물질(112, 122)이 완벽하게 동일한 시간 동안 제공된다는 것이 아니라 아연(Zn) 입자들(112)(또는 칼코겐물질(122))이 제공되는 중에 칼코겐물질(122)(또는 아연(Zn) 입자들(112))도 제공된다는 의미일 수 있다.
아연(Zn) 입자들(112)과 칼코겐물질(122)은 가열될 수 있다. 가열 공정은 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명된 적용례의 가열 공정과 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 도 12에 도시된 바와 같이, 세라믹 코팅층(130)이 렌즈(100) 상에 형성될 수 있다.
<적용례 3>
도 14 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 코팅층의 제조 방법을 제조 장치에 적용한 다른 예를 나타낸다. 설명의 간소화를 위하여, 도 4 내지 도 7을 참조하여 설명된 실시예 및 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명된 적용례와 실질적으로 동일한 부분의 설명은 생략된다.
도 14를 참조하면, 시료이동부(500)를 통해 연결되는 제1 챔버(300) 및 제2 챔버(400)가 제공될 수 있다. 제1 챔버(300)의 일측에 아연 제공장치(320)가 연결될 수 있다. 제1 챔버(300)는 내부에 제1 렌즈부(310)를 포함할 수 있다. 제2 챔버(400)의 일측에 칼코겐물질 제공장치(420)가 연결될 수 있다. 제2 챔버(400)는 내부에 제2 렌즈부(410)를 포함할 수 있다.
렌즈(100)가 제1 렌즈부(310) 상에 제공될 수 있다. 아연(Zn) 입자들(112)이 아연 제공장치(320)로부터 렌즈(100) 상으로 제공될 수 있다. 아연(Zn) 입자들(112)의 제공 공정은 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명된 적용례의 아연(Zn) 입자들(112)의 제공 공정과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 15를 참조하면, 도 14의 공정을 통하여 아연(Zn)막(110)이 형성된 렌즈(100)가 제2 챔버(400)로 이동될 수 있다. 렌즈(100)는 시료이동부(500)를 통해 이동될 수 있다. 시료이동부(500)는 개폐 가능한 차단부(510)를 포함할 수 있다. 렌즈(100)의 이동 시, 차단부(510)는 열릴 수 있다. 렌즈(100)의 이동 종료 시, 차단부(510)는 닫힐 수 있다.
도 16을 참조하면, 칼코겐물질(122)이 칼코겐물질 제공장치(420)로부터 아연(Zn)막(110) 상으로 제공될 수 있다. 칼코겐물질(122)의 제공 공정은 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명된 적용례의 칼코겐물질(122)의 제공 공정과 실질적으로 동일할 수 있다.
아연(Zn)막(110)과 칼코겐물질(122)이 제2 렌즈부(410)를 통해 가열될 수 있다. 가열 공정은 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명된 적용례의 가열 공정과 실질적으로 동일할 수 있다. 다만, 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명된 적용례의 가열 공정의 렌즈부(210)는 본 적용례의 제2 렌즈부(410)일 수 있다.
도 17을 참조하면, 세라믹 코팅층(130)이 렌즈(100) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, ZnS 렌즈 상에 ZnS 코팅층이 형성될 수 있다. 다른 예에서, ZnSe 렌즈 상에 ZnSe 코팅층이 형성될 수 있다. 세라믹 코팅층(130)이 렌즈(100)와 동일한 물질을 포함하는 경우, 세라믹 코팅층(130)의 제조 공정은 렌즈(100)의 제조 공정을 그대로 이용할 수 있다. 따라서, 추가적인 공정이 도입됨에 따른 추가적인 시간 및 비용을 절감하여 세라믹 코팅층(130)을 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 세라믹 코팅층 제조 방법에 의하면, 저온(예를 들어, 약 350 ℃)에서 세라믹 코팅층(130)을 형성할 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 저장부 12 : 칼코겐소스, 황(S)
14 : 제2 분자구조의 황 16 : 제1 분자구조의 황
20 : 제1 가열부 30 : 제2 가열부
100 : 렌즈 110 : 아연(Zn)막
112 : 아연(Zn) 입자들 122 : 칼코겐물질
130 : 세라믹 코팅층 200 : 챔버
210 : 렌즈부 220 : 칼코겐물질 제공장치
230 : 아연 제공장치 300 : 제1 챔버
310 : 제1 렌즈부 320 : 아연 제공장치
400 : 제2 챔버 410 : 제2 렌즈부
420 : 칼코겐물질 제공장치 500 : 시료이동부
510 : 차단부
14 : 제2 분자구조의 황 16 : 제1 분자구조의 황
20 : 제1 가열부 30 : 제2 가열부
100 : 렌즈 110 : 아연(Zn)막
112 : 아연(Zn) 입자들 122 : 칼코겐물질
130 : 세라믹 코팅층 200 : 챔버
210 : 렌즈부 220 : 칼코겐물질 제공장치
230 : 아연 제공장치 300 : 제1 챔버
310 : 제1 렌즈부 320 : 아연 제공장치
400 : 제2 챔버 410 : 제2 렌즈부
420 : 칼코겐물질 제공장치 500 : 시료이동부
510 : 차단부
Claims (10)
- 렌즈 상에 세라믹 코팅층을 형성하는 것을 포함하고,
상기 세라믹 코팅층을 형성하는 것은:
아연(Zn) 및 제1 분자구조의 칼코겐물질을 제공하는 것; 및상기 아연(Zn)과 상기 제1 분자구조의 칼코겐물질을 가열하는 것을 포함하되,
상기 제1 분자구조의 칼코겐물질을 제공하는 것은,
칼코겐물질을 증발시켜서 제2 분자구조의 칼코겐물질을 형성하는 단계; 및
상기 제2 분자구조의 칼코겐물질을 분해하여서 상기 제1 분자구조의 칼코겐물질을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 분자구조는 상기 제2 분자구조보다 더 적은 원자들을 포함하는 분자구조이고,
상기 세라믹 코팅층은 상기 렌즈와 동일한 물질을 포함하는 광학 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 칼코겐물질을 증발시켜서 제2 분자구조의 칼코겐물질을 형성하는 단계; 및
상기 제2 분자구조의 칼코겐물질을 분해하여서 상기 제1 분자구조의 칼코겐물질을 형성하는 단계는 제1 가열부 및 제2 가열부를 포함하는 크래킹(craking) 장치 내에서 수행되는 광학 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서,
상기 제2 분자구조의 칼코겐물질을 형성하는 단계는 상기 크래킹 장치 내의 상기 제1 가열부에서 수행되며,
상기 제1 가열부의 온도는 150 내지 200 ℃인 광학 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서,
상기 제1 분자구조의 칼코겐물질을 형성하는 단계는 상기 크래킹 장치 내의 상기 제2 가열부에서 수행되며,
상기 제2 가열부의 온도는 700 내지 1000 ℃인 광학 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 아연(Zn)과 상기 제1 분자구조의 칼코겐물질을 가열하는 단계의 온도는 350 내지 500 ℃인 광학 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 렌즈는 ZnS를 포함하고,
상기 칼코겐물질은 S(황)을 포함하는 광학 장치의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,
상기 제2 분자구조의 S(황)은 S8인 광학 장치의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,
상기 제1 분자구조의 S(황)은 S2, S3 및 S4에서 선택되는 어느 하나인 광학 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 렌즈는 ZnSe를 포함하고,
상기 칼코겐물질은 Se(셀레늄)을 포함하는 광학 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 아연(Zn) 및 제1 분자구조의 칼코겐물질은 동시에 제공되는 것을 특징으로 하는 광학 장치의 제조 방법.
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