JPH01282175A - 超伝導材料の保護膜形成方法 - Google Patents
超伝導材料の保護膜形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
超伝導材料の表面に保護膜、特にフッ素系樹脂の保護膜
を形成する方法に関し、 超伝導材料にフッ素系樹脂の保護膜を充分な付着力をも
って形成して超伝導特性の安定化を図ることを目的とし
、 超伝導材料の表面にイオンエネルギーが１〜１０ＫｅＶ
である不活性ガスの低エネルギーイオンビームを照射す
るとともに不活性ガスのイオンビームをフッ素系樹脂の
ターゲットに照射してスパッタリングし、超伝導材料表
面にフッ素系樹脂の薄膜を形成し、またはフッ素系樹脂
を蒸発させてイオンエネルギーが１〜１０ＫｅＶである
低エネルギーイオンビームとして超伝導材料の表面に照
射してフッ素系樹脂の薄膜を形成するように構成する。
を形成する方法に関し、 超伝導材料にフッ素系樹脂の保護膜を充分な付着力をも
って形成して超伝導特性の安定化を図ることを目的とし
、 超伝導材料の表面にイオンエネルギーが１〜１０ＫｅＶ
である不活性ガスの低エネルギーイオンビームを照射す
るとともに不活性ガスのイオンビームをフッ素系樹脂の
ターゲットに照射してスパッタリングし、超伝導材料表
面にフッ素系樹脂の薄膜を形成し、またはフッ素系樹脂
を蒸発させてイオンエネルギーが１〜１０ＫｅＶである
低エネルギーイオンビームとして超伝導材料の表面に照
射してフッ素系樹脂の薄膜を形成するように構成する。
本発明は超伝導材料の表面に保護膜、特にフッ素系樹脂
の保護膜を形成する方法に関する。
の保護膜を形成する方法に関する。
現在、高い転移温度（Ｔｃ）を示す超伝導材料としてＬ
ａＢａＣｕ０ｘ、ＹＢａＣｕＯｘあるいはＢ ｉ ５ｒ
ＣａＣｕＯｘ等の酸化物超伝導材料が理学、工学的見地
から非常に関心がもたれている。
ａＢａＣｕ０ｘ、ＹＢａＣｕＯｘあるいはＢ ｉ ５ｒ
ＣａＣｕＯｘ等の酸化物超伝導材料が理学、工学的見地
から非常に関心がもたれている。
そして、経時変化を生ぜず安定した超伝導特性を維持す
る超伝導材料について種々の研究が行なわれている。
る超伝導材料について種々の研究が行なわれている。
上述の酸化物超伝導材料は比較的容易に作成され、その
作成方法は種々存在し、例えばラバープレス法等によっ
てバルクとして製造したり、エレクトロンビーム（ＥＢ
）蒸着法、スパッタリング法あるいはモレキュラビーム
エピタクシ（ＭＢＥ＞法等により５ｒＴｉ０３、Ａｌ２
Ｏ３あるいはＭｇＯ等の基板上に薄膜として形成する方
法がある。
作成方法は種々存在し、例えばラバープレス法等によっ
てバルクとして製造したり、エレクトロンビーム（ＥＢ
）蒸着法、スパッタリング法あるいはモレキュラビーム
エピタクシ（ＭＢＥ＞法等により５ｒＴｉ０３、Ａｌ２
Ｏ３あるいはＭｇＯ等の基板上に薄膜として形成する方
法がある。
しかし、酸化物超伝導材料は製造後空気中に放置してお
くと時間の経過とともに超伝導特性が低下し、安定した
超１云導特性が得られないという欠点がある。これは、
酸化物超伝導材料が水分の影響を受は易く、空気中の湿
気により超伝導特性が低下することに起因する。
くと時間の経過とともに超伝導特性が低下し、安定した
超１云導特性が得られないという欠点がある。これは、
酸化物超伝導材料が水分の影響を受は易く、空気中の湿
気により超伝導特性が低下することに起因する。
上述の欠点を解決するため、酸化物超伝導材料に疎水性
を有するフッ素系樹脂膜を保護膜として形成することが
行われている。しかし、酸化物超伝導材料と保護膜であ
るフッ素系樹脂膜との付着力が不充分であったり、ある
いは、付着力を向上させるための高温処理により超伝導
特性が低下することとなり、使用に耐え得るものではな
かっな。
を有するフッ素系樹脂膜を保護膜として形成することが
行われている。しかし、酸化物超伝導材料と保護膜であ
るフッ素系樹脂膜との付着力が不充分であったり、ある
いは、付着力を向上させるための高温処理により超伝導
特性が低下することとなり、使用に耐え得るものではな
かっな。
そこで、本発明は超伝導材料にフッ素系樹脂の保護膜を
充分な付着力をもって形成して超伝導特性の安定化を図
ることを目的とするものである。
充分な付着力をもって形成して超伝導特性の安定化を図
ることを目的とするものである。
本発明は、超伝導材料の表面にイオンエネルギーが１〜
１０ＫｅＶである不活性ガスの低エネルギーイオンビー
ムを照射するとともに不活性ガスのイオンビームをフッ
素系樹脂のターゲットに照射してスパッタリングし、超
伝導材料表面にフッ素系樹脂の薄膜を形成し、またはフ
ッ素系樹脂を蒸発させてイオンエネルギーが１〜１０Ｋ
ｅＶである低エネルギーイオンビームとして超伝導材料
の表面に照射してフッ素系樹脂の薄膜を形成するように
構成した。
１０ＫｅＶである不活性ガスの低エネルギーイオンビー
ムを照射するとともに不活性ガスのイオンビームをフッ
素系樹脂のターゲットに照射してスパッタリングし、超
伝導材料表面にフッ素系樹脂の薄膜を形成し、またはフ
ッ素系樹脂を蒸発させてイオンエネルギーが１〜１０Ｋ
ｅＶである低エネルギーイオンビームとして超伝導材料
の表面に照射してフッ素系樹脂の薄膜を形成するように
構成した。
超伝導材料の表面にフッ素系樹脂の薄膜を形成すると同
時にイオンエネルギーが１〜１０ＫｅＶである不活性ガ
スの低エネルギーイオンビームを照射し、あるいは、フ
ッ素系樹脂の蒸気自体をイオンエネルギーが１〜１０Ｋ
ｅＶである低エネルギーイオンビームにし、このイオン
ビームを超伝導材料の表面に照射することにより、該超
伝導材料の表面にフッ素系樹脂の保護膜を形成する。
時にイオンエネルギーが１〜１０ＫｅＶである不活性ガ
スの低エネルギーイオンビームを照射し、あるいは、フ
ッ素系樹脂の蒸気自体をイオンエネルギーが１〜１０Ｋ
ｅＶである低エネルギーイオンビームにし、このイオン
ビームを超伝導材料の表面に照射することにより、該超
伝導材料の表面にフッ素系樹脂の保護膜を形成する。
このように形成されたフッ素系樹脂の保護膜は、前記不
活性ガスの低エネルギーイオンビームあるいは、フッ素
系樹脂の蒸気の低エネルギーイオンビームの照射によっ
て超伝導材料とフッ素系樹脂との間の結合エネルギーが
増加するため、超伝導材料との付着力が格段に向上し、
超伝導材料を雰囲気中の水分から有効に保護するもので
ある。さらに超伝導材料は、その超伝導特性を低下せし
めるような高温状態に置かれないため、初期の優れた。
活性ガスの低エネルギーイオンビームあるいは、フッ素
系樹脂の蒸気の低エネルギーイオンビームの照射によっ
て超伝導材料とフッ素系樹脂との間の結合エネルギーが
増加するため、超伝導材料との付着力が格段に向上し、
超伝導材料を雰囲気中の水分から有効に保護するもので
ある。さらに超伝導材料は、その超伝導特性を低下せし
めるような高温状態に置かれないため、初期の優れた。
超伝導特性をそのまま発揮することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
。
第１図は基板上に形成された超伝導材料にデュアルイオ
ンビームスパッタリングによりフッ素系樹脂の保護膜を
形成する装置の概略図である。
ンビームスパッタリングによりフッ素系樹脂の保護膜を
形成する装置の概略図である。
第１図において、デュアルイオンビームスパッタリング
装置１は、真空室２と、前記真空室２内に向けて不活性
ガスの低エネルギーイオンビームを照射するためのプラ
ズマ発生装置３．４と、前記真空室２内に設置されたフ
ッ素系樹脂ターゲット５および超伝導材料６とを有する
。
装置１は、真空室２と、前記真空室２内に向けて不活性
ガスの低エネルギーイオンビームを照射するためのプラ
ズマ発生装置３．４と、前記真空室２内に設置されたフ
ッ素系樹脂ターゲット５および超伝導材料６とを有する
。
前記真空室２は通常１Ｏ−４Ｔｏｒｒ程度の真空状態に
維持される。
維持される。
前記プラズマ発生装置は、供給されたＡ ｒ 。
Ｎｅ等の不活性ガスＧ１をＡｒ＋イオン、Ｎｅ”イオン
等の不活性ガスイオンのイオンビームＢ１として前記フ
ッ素系樹脂ターゲット５に照射する。
等の不活性ガスイオンのイオンビームＢ１として前記フ
ッ素系樹脂ターゲット５に照射する。
この場合の前記不活性ガスＧ１の流量は５〜４０３ＣＣ
Ｍ程度、前記不活性ガスイオンのビームＢ１のイオンエ
ネルギーは数十〜数百ｅＶ程度である。
Ｍ程度、前記不活性ガスイオンのビームＢ１のイオンエ
ネルギーは数十〜数百ｅＶ程度である。
前記フッ素系樹脂ターゲット５は前記不活性ガスイオン
のビームＢ１によってスパッタされ、スパッタされたフ
ッ素系樹脂分子Ｆは前記超伝導材料６の表面に付着して
薄膜を形成する。前記フッ素系樹脂ターゲット５として
は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチ
レン−へ、キサフルオロプロピレン共重合体、テトラフ
ルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル
共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプ
ロピレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル共重合
体、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、ポリ
クロロトリフルオロエチレン、エチレン−クロロトリフ
ルオロエチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデンおよび
ポリフッ化ビニル等の疎水性を有するフッ素系樹脂材料
でよい。
のビームＢ１によってスパッタされ、スパッタされたフ
ッ素系樹脂分子Ｆは前記超伝導材料６の表面に付着して
薄膜を形成する。前記フッ素系樹脂ターゲット５として
は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチ
レン−へ、キサフルオロプロピレン共重合体、テトラフ
ルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル
共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプ
ロピレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル共重合
体、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、ポリ
クロロトリフルオロエチレン、エチレン−クロロトリフ
ルオロエチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデンおよび
ポリフッ化ビニル等の疎水性を有するフッ素系樹脂材料
でよい。
一方、前記プラズマ発生装置４は、供給されなＡｒ、Ｎ
ｅ等の不活性ガスＧ２をＡｒ＋イオン、Ｎｅ＋イオン等
の不活性ガスイオンのイオンビームＢ２として前記超伝
導材料６の表面に照射する。
ｅ等の不活性ガスＧ２をＡｒ＋イオン、Ｎｅ＋イオン等
の不活性ガスイオンのイオンビームＢ２として前記超伝
導材料６の表面に照射する。
この場合の前記不活性ガスＧ２の流量は５〜４０３ＣＣ
Ｍ程度、前記不活性ガスイオンのイオンビームＢ２のイ
オンエネルギーは１〜１０ＫｅＶである。この不活性ガ
スイオンのイオンビームＢ２の照射により、前記超伝導
材料６をその超伝導特性を低下させるような高温にする
ことなく前記超伝導材料６の表面に達した前記フッ素系
樹脂分子Ｆを高エネルギー化することができる。なお前
記不活性ガスイオンのイオンエネルギーが１０ＫｅＶを
超えると前記フッ素糸樹脂分子Ｆ中のフッ素原子が前記
超伝導材料６中に打ち込まれ、フッ素系樹脂の均一な薄
膜の形成が困難となる。またＩＫｅＶ未満では本発明の
効果が奏されない。
Ｍ程度、前記不活性ガスイオンのイオンビームＢ２のイ
オンエネルギーは１〜１０ＫｅＶである。この不活性ガ
スイオンのイオンビームＢ２の照射により、前記超伝導
材料６をその超伝導特性を低下させるような高温にする
ことなく前記超伝導材料６の表面に達した前記フッ素系
樹脂分子Ｆを高エネルギー化することができる。なお前
記不活性ガスイオンのイオンエネルギーが１０ＫｅＶを
超えると前記フッ素糸樹脂分子Ｆ中のフッ素原子が前記
超伝導材料６中に打ち込まれ、フッ素系樹脂の均一な薄
膜の形成が困難となる。またＩＫｅＶ未満では本発明の
効果が奏されない。
なお、上記のイオンエネルギーでのフッ素系樹脂の保護
膜の成膜速度は１〜１０ ｎｍ／ｎｉｎ程度である。
膜の成膜速度は１〜１０ ｎｍ／ｎｉｎ程度である。
前記超伝導材料６は通常、室温〜４００°Ｃ未満の温度
に維持される。これは前記超伝導材料６の温度が４００
℃以上になると一般に超伝導特性が低下するためである
。なお、本発明が適用される超伝導材ｆ１６には特に制
限はなく、いずれの超伝導材料であってもよい、また、
超伝導材料６は公知の基板（例えば５ｒＴ１０ 、Ａ、
１ｉ２０３゜ＭｇＯ等）上に成形されていてよい。
に維持される。これは前記超伝導材料６の温度が４００
℃以上になると一般に超伝導特性が低下するためである
。なお、本発明が適用される超伝導材ｆ１６には特に制
限はなく、いずれの超伝導材料であってもよい、また、
超伝導材料６は公知の基板（例えば５ｒＴ１０ 、Ａ、
１ｉ２０３゜ＭｇＯ等）上に成形されていてよい。
このように前記超伝導材料６の表面にイオンエネルギー
が１〜１０ＫｅＶの低エネルギーイオンビームである不
活性ガスイオンのイオンビームＢ２を照射しながら、不
活性ガスイオンのイオンビームＢ１によってスパッタさ
れたフッ素系樹脂分子Ｆによる薄膜を形成するため、形
成されたフッ素系樹脂の薄膜と前記超伝導材＄１６との
結合エネルギーが高くなり、保護膜としてのフッ素系樹
脂の薄膜の付着力は格段に向上する。
が１〜１０ＫｅＶの低エネルギーイオンビームである不
活性ガスイオンのイオンビームＢ２を照射しながら、不
活性ガスイオンのイオンビームＢ１によってスパッタさ
れたフッ素系樹脂分子Ｆによる薄膜を形成するため、形
成されたフッ素系樹脂の薄膜と前記超伝導材＄１６との
結合エネルギーが高くなり、保護膜としてのフッ素系樹
脂の薄膜の付着力は格段に向上する。
また、第１図に示される実施例では、フッ素系樹脂ター
ゲット５に不活性ガスイオンのイオンビームＢ１を照射
する、いわゆるイオンビームスパッタを用いているが、
電子ビームをフッ素系樹脂ターゲットに照射してフッ素
系樹脂を超伝導材料の表面に蒸着する、いわゆる電子ビ
ーム蒸着等の方法を用いてもよい、電子ビーム蒸着を用
いる場合も、第１図に示されるように、不活性ガスの低
エネルギーのイオンビームＢ２を超伝導材料の表面に照
射することが必要である。
ゲット５に不活性ガスイオンのイオンビームＢ１を照射
する、いわゆるイオンビームスパッタを用いているが、
電子ビームをフッ素系樹脂ターゲットに照射してフッ素
系樹脂を超伝導材料の表面に蒸着する、いわゆる電子ビ
ーム蒸着等の方法を用いてもよい、電子ビーム蒸着を用
いる場合も、第１図に示されるように、不活性ガスの低
エネルギーのイオンビームＢ２を超伝導材料の表面に照
射することが必要である。
第２図は基板上に形成された超伝導材料にイオンプレー
ティグによりフッ素系樹脂の保護膜を形成する装置の概
略図である。
ティグによりフッ素系樹脂の保護膜を形成する装置の概
略図である。
第２図においてイオングレーティング装置１１は、真空
室１２と、この真空室１２内に設置されたルツボ１３と
、このルツボ１３内に配置された蒸着物質１４と、前記
真空室１２内に設置された超伝導材料１５とを有する。
室１２と、この真空室１２内に設置されたルツボ１３と
、このルツボ１３内に配置された蒸着物質１４と、前記
真空室１２内に設置された超伝導材料１５とを有する。
前記真空室１２は、通常、Ａｒ等の不活性ガスＧ３を導
入して１０ 〜１０−”Ｔ’ｏ ｒ ｒ程度の真空状態
に維持される。
入して１０ 〜１０−”Ｔ’ｏ ｒ ｒ程度の真空状態
に維持される。
前記ルツボ１３はヒータ（図示せず）により加熱され、
前記蒸着物質１４を蒸発せしめる。
前記蒸着物質１４を蒸発せしめる。
前記蒸着物質１４はフッ素系樹脂であり、第１図に示さ
れたフッ素系樹脂ターゲット５と同様のフッ素系樹脂材
料を用いることができる。そして、蒸発した蒸発物質１
４は前記ルツボ１３と前記超伝導材料１５との間に形成
されたプラズマ中を通過する際にイオン化され、正イオ
ンのビームＢ３となって前記超伝導材料１５に達して薄
膜が形成される。この場合のイオンビームＢ３はイオン
エネルギーが１〜１０ＫｅＶの低エネルギーのイオンビ
ームであることが必要である。イオンビームＢ３のイオ
ンエネルギーが１０ＫｅＶを超えると、イオンが前記超
伝導材料１５中に打ち込まれ、フッ素系樹脂の均一な薄
膜の形成が困難となり、ＩＫｅＶ未満では本発明の効果
が奏されない。
れたフッ素系樹脂ターゲット５と同様のフッ素系樹脂材
料を用いることができる。そして、蒸発した蒸発物質１
４は前記ルツボ１３と前記超伝導材料１５との間に形成
されたプラズマ中を通過する際にイオン化され、正イオ
ンのビームＢ３となって前記超伝導材料１５に達して薄
膜が形成される。この場合のイオンビームＢ３はイオン
エネルギーが１〜１０ＫｅＶの低エネルギーのイオンビ
ームであることが必要である。イオンビームＢ３のイオ
ンエネルギーが１０ＫｅＶを超えると、イオンが前記超
伝導材料１５中に打ち込まれ、フッ素系樹脂の均一な薄
膜の形成が困難となり、ＩＫｅＶ未満では本発明の効果
が奏されない。
このように、フッ素系樹脂の蒸気をイオンエネルギーか
１〜１０ＫｅＶの低エネルギーのイオンビームＢ３にし
て前記超伝導材１４１５に照射してフッ素系樹脂の薄膜
を形成することにより、前記超伝導材料を、その超伝導
特性を低下させるような高温にすることなく形成された
フッ素系樹脂の薄膜と前記超伝導材料１５との結合エネ
ルギーを高くすることができる。したがって、保護膜と
してのフッ素系樹脂の薄膜の付着力は格段に向上する。
１〜１０ＫｅＶの低エネルギーのイオンビームＢ３にし
て前記超伝導材１４１５に照射してフッ素系樹脂の薄膜
を形成することにより、前記超伝導材料を、その超伝導
特性を低下させるような高温にすることなく形成された
フッ素系樹脂の薄膜と前記超伝導材料１５との結合エネ
ルギーを高くすることができる。したがって、保護膜と
してのフッ素系樹脂の薄膜の付着力は格段に向上する。
本発明によれば、超伝導材料の表面に不活性ガスの低エ
ネルギーイオンビームを照射しながらフッ素系樹脂の薄
膜を形成し、あるいは、フッ素系樹脂の蒸気自体を低エ
ネルギーのイオンビームにして超伝導材料の表面にフッ
素系樹脂の薄膜を形成するので、超伝導材料と形成され
たフッ素系樹脂の薄膜との間の結合エネルギーが増加し
、付着力の格段に向上した保護膜の形成が可能となり、
超伝導特性の安定化を図ることができる。
ネルギーイオンビームを照射しながらフッ素系樹脂の薄
膜を形成し、あるいは、フッ素系樹脂の蒸気自体を低エ
ネルギーのイオンビームにして超伝導材料の表面にフッ
素系樹脂の薄膜を形成するので、超伝導材料と形成され
たフッ素系樹脂の薄膜との間の結合エネルギーが増加し
、付着力の格段に向上した保護膜の形成が可能となり、
超伝導特性の安定化を図ることができる。
第１図は、デュアルイオンビームスパッタリングにより
保護膜を形成する装置の概略図、第２図は、イオンブレ
ーティングにより保護膜を形成する装置の概略図。 ３．４・・・プラズマ発生装置、 ５・・・フッ素樹脂ターゲット、 ６．１５・・・超伝導材料、 １４・・・蒸着物質、 Ｇｌ、Ｇ２．Ｇ３・・・不活性ガス、 Ｂｌ、Ｂ２．Ｂ３・・・イオンビーム、Ｆ・・・フッ素
系樹脂分子。 第 １ 図
保護膜を形成する装置の概略図、第２図は、イオンブレ
ーティングにより保護膜を形成する装置の概略図。 ３．４・・・プラズマ発生装置、 ５・・・フッ素樹脂ターゲット、 ６．１５・・・超伝導材料、 １４・・・蒸着物質、 Ｇｌ、Ｇ２．Ｇ３・・・不活性ガス、 Ｂｌ、Ｂ２．Ｂ３・・・イオンビーム、Ｆ・・・フッ素
系樹脂分子。 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、超伝導材料の表面にフッ素系樹脂の保護膜を形成す
る方法において、 超伝導材料の表面にイオンエネルギーが１〜１０ＫｅＶ
である不活性ガスの低エネルギーイオンビームを照射す
るとともに不活性ガスのイオンビームをフッ素系樹脂の
ターゲットに照射してスパッタリングし、超伝導材料表
面にフッ素系樹脂の薄膜を形成することを特徴とする超
伝導材料の保護膜形成方法。 ２、超伝導材料の表面にフッ素系樹脂の保護膜を形成す
る方法において、 フッ素系樹脂を蒸発させてイオンエネルギーが１〜１０
ＫｅＶである低エネルギーイオンビームとして超伝導材
料の表面に照射してフッ素系樹脂の薄膜を形成すること
を特徴とする超伝導材料の保護膜形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110890A JPH01282175A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 超伝導材料の保護膜形成方法 |
| EP89107642A EP0341501A3 (en) | 1988-05-07 | 1989-04-27 | Methods of forming passivation films on superconductors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110890A JPH01282175A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 超伝導材料の保護膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01282175A true JPH01282175A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14547282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63110890A Pending JPH01282175A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 超伝導材料の保護膜形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0341501A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01282175A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01126206A (ja) * | 1987-07-27 | 1989-05-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜 |
| KR100389525B1 (ko) * | 1994-06-03 | 2003-08-19 | 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니 | 고온 초전도체 막을 위한 불소중합체 보호층 및 그의 광-성형 방법 |
| JP2006321668A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Nippon Steel Corp | 酸化物超電導バルク体及びその製造方法 |
| JP2014065961A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Micro Engineering Inc | 機能性膜及びその成膜装置、成膜方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0426000A3 (en) * | 1989-10-30 | 1991-09-04 | Santa Barbara Research Center | Non-aqueous process for delineating patterns on high temperature superconductor films |
| WO1991008449A1 (de) * | 1989-12-04 | 1991-06-13 | Institut Für Physik Der Universität Basel Experimentelle Physik Der Kondensierten Materie | Füllstandsdetektor für kryogene flüssigkeiten |
| CA3036478C (en) * | 2016-09-13 | 2021-09-07 | Google Llc | Buffer layer to prevent etching by photoresist developer |
| CN114214597A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-03-22 | 国网天津市电力公司电力科学研究院 | 一种超疏水纳米结构有机薄膜的定向生长调控方法 |
-
1988
- 1988-05-07 JP JP63110890A patent/JPH01282175A/ja active Pending
-
1989
- 1989-04-27 EP EP89107642A patent/EP0341501A3/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01126206A (ja) * | 1987-07-27 | 1989-05-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜 |
| KR100389525B1 (ko) * | 1994-06-03 | 2003-08-19 | 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니 | 고온 초전도체 막을 위한 불소중합체 보호층 및 그의 광-성형 방법 |
| JP2006321668A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Nippon Steel Corp | 酸化物超電導バルク体及びその製造方法 |
| JP4673668B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2011-04-20 | 新日本製鐵株式会社 | 酸化物超電導バルク体及びその製造方法 |
| JP2014065961A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Micro Engineering Inc | 機能性膜及びその成膜装置、成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0341501A2 (en) | 1989-11-15 |
| EP0341501A3 (en) | 1990-03-14 |
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