KR20100057101A - 반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 실시 형태와 비교예의 산화처리법을 이용해 실리콘기판에 산화막을 형성했을 때의 산화막의 두께 데이터의 비교도.
도 3은 본 실시 형태에 따른 기판처리장치로서의 종형 반도체장치의 구성을 나타내는 설명도.
도 4는 반도체소자의 각종 게이트를 설명하는 적층구조도.
도 5는 본 실시 형태에 있어서의 수소가 풍부한 조건에 의한 효과의 설명도.
도 6은 H2/O2 유량비를 변화시켜 H2와 O2를 노내에 공급했을 때의 노내의 압력변동을 나타내는 도면.
도 7은 노내압력을 변화시켜 실리콘기판에 산화막을 형성한 경우에, 등방성이 유지되는지를 판정한 결과를 나타내는 도면.
도 8은 H2/O2 유량비를 변화시켜 텅스텐, 실리콘을 처리한 경우에, 선택산화가 이루어지는지를 판정한 결과를 나타내는 도면.
4 : 처리실
7 : 산소공급라인(산소함유가스 공급라인)
8 : 수소공급라인(수소함유가스 공급라인)
12 a, 12 b : 매스플로우 컨트롤러 23 : 배기라인
24 : 제어수단
Claims (10)
- 기판을 처리실 내에 반입하는 공정과,
상기 처리실 내에 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 공급하여 상기 기판 표면을 산화 처리하는 공정과,
산화 처리 후의 상기 기판을 상기 처리실 내로부터 반출하는 공정을 포함하고,
상기 산화 처리 공정에서는, 상기 처리실 내의 압력을 대기압 미만의 압력으로 함과 동시에, 상기 처리실 내에 상기 수소 함유 가스를 선행하여 도입하고, 계속해서 상기 처리실 내로의 상기 수소 함유 가스의 도입을 유지한 상태에서 상기 처리실 내에 상기 산소 함유 가스를 도입하고, 상기 처리실 내에서, 상기 수소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스를 반응시킴으로써, 상기 처리실 내에 있어서 H2O와는 다른 반응종을 생성시켜, 상기 반응종에 의해 상기 산화 처리를 수행하는 반도체 장치의 제조 방법. - 기판을 처리실 내에 반입하는 공정과,
상기 처리실 내에 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 공급하여 상기 기판 표면을 산화 처리하는 공정과,
산화 처리 후의 상기 기판을 상기 처리실 내로부터 반출하는 공정을 포함하고,
상기 산화 처리 공정에서는, 상기 처리실 내의 압력을 대기압 미만의 압력으로 함과 동시에, 상기 처리실 내에 상기 수소 함유 가스를 선행하여 도입하고, 계속해서 상기 처리실 내로의 상기 수소 함유 가스의 도입을 유지한 상태에서 상기 처리실 내에 상기 산소 함유 가스를 도입하며, 그 때, 산소 함유 가승의 유량 A에 대한 수소 함유 가스의 유량 B의 유량비 B/A를 2 이상으로 하고, 상기 처리실 내에서, 상기 수소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스를 반응시킴으로써, 상기 처리실 내에 있어서 H2O와는 다른 반응종을 생성시켜, 상기 반응종에 의해 상기 산화 처리를 수행하는 반도체 장치의 제조 방법. - 기판을 처리실 내에 반입하는 공정과,
상기 처리실 내에 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 공급하여 상기 기판 표면을 산화 처리하는 공정과,
산화 처리 후의 상기 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 공정을 포함하고,
상기 산화 처리 공정에서는, 상기 처리실 내의 압력을 대기압 미만의 압력으로 함과 동시에, 산소 함유 가스의 유량 A에 대한 수소 함유 가스의 유량 B의 유량비 B/A를 2 이상으로 하고, 상기 처리실 내에서, 상기 수소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스를 반응시킴으로써, 상기 처리실 내에 있어서 H2O와는 다른 반응종을 생성시켜, 상기 반응종에 의해 상기 산화 처리를 수행하는 반도체 장치의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 표면에는 적어도 금속 원자를 포함하지 않고 실리콘 원자를 포함하는 층과, 금속 원자를 포함하는 층이 노출하고 있는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화 처리 공정에서는, 상기 처리실 내에 상기 수소 함유 가스를 선행하여 도입하고, 계속해서 상기 처리실 내로의 상기 수소 함유 가스의 도입을 유지한 상태에서 상기 처리실 내에 상기 산소 함유 가스를 도입하고, 그 후, 상기 처리실 내로의 상기 수소 함유 가스의 도입을 유지한 상태에서 상기 수소 함유 가스의 도입을 정지하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화 처리 공정에서는, 상기 처리실 내의 온도를 600℃ 이상으로 하고, 상기 처리실 내의 압력을 1333Pa 이하로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화 처리 공정에서는, 상기 처리실 내의 온도를 800~900℃로 하고, 상기 처리실 내의 압력을 13.3~1333Pa로 하며, 상기 유량비 B/A를 2~5로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 기판을 처리하는 처리실과,
상기 처리실 내에 산소 함유 가스를 공급하는 산소 함유 가스 공급 라인과,
상기 처리실 내에 수소 함유 가스를 공급하는 수소 함유 가스 공급 라인과,
상기 처리실 내를 배기하는 배기 라인과,
상기 배기 라인에 접속되고, 상기 처리실 내를 진공 배기하는 진공 펌프와,
기판을 상기 처리실 내에 수용한 상태에서, 상기 처리실 내의 압력을 대기압 미만의 압력으로 함과 동시에, 상기 처리실 내에 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 함유 가스를 공급하여 상기 기판 표면을 산화 처리하도록 하고, 그 때, 상기 처리실 내에 상기 수소 함유 가스를 선행하여 도입하고, 계속해서 상기 처리실 내로의 상기 수소 함유 가스의 도입을 유지한 상태에서 상기 처리실 내에 상기 산소 함유 가스를 도입하며, 상기 처리실 내에서, 상기 수소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스를 반응시킴으로써, 상기 처리실 내에 있어서 H20와는 다른 반응종을 생성시켜, 상기 반응종에 의해 상기 산화 처리를 수행하도록 제어하는 컨트롤러
를 포함하는 기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 처리실과,
상기 처리실 내에 산소 함유 가스를 공급하는 산소 함유 가스 공급 라인과,
상기 처리실 내에 수소 함유 가스를 공급하는 수소 함유 가스 공급 라인과,
상기 처리실 내를 배기하는 배기 라인과,
상기 배기 라인에 접속되고, 상기 처리실 내를 진공 배기하는 진공 펌프와,
기판을 상기 처리실 내에 수용한 상태에서, 상기 처리실 내의 압력을 대기압 미만의 압력으로 함과 동시에, 상기 처리실 내에 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 함유 가스를 공급하여 상기 기판 표면을 산화 처리하도록 하고, 그 때, 상기 처리실 내에 상기 수소 함유 가스를 선행하여 도입하며, 계속해서 상기 처리실 내로의 상기 수소 함유 가스의 도입을 유지한 상태에서 상기 처리실 내에 상기 산소 함유 가스를 도입하고, 산소 함유 가스의 유량 A에 대한 수소 함유 가스의 유량 B의 유량비 B/A를 2 이상으로 하고, 상기 처리실 내에서, 상기 수소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스를 반응시킴으로써, 상기 처리실 내에 있어서 H2O와는 다른 반응종을 생성시켜, 상기 반응종에 의해 상기 산화 처리를 수행하도록 제어하는 컨트롤러
를 포함하는 기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 처리실과,
상기 처리실 내에 산소 함유 가스를 공급하는 산소 함유 가스 공급 라인과,
상기 처리실 내에 수소 함유 가스를 공급하는 수소 함유 가스 공급 라인과,
상기 처리실 내를 배기하는 배기 라인과,
상기 배기 라인에 접속되고, 상기 처리실 내를 진공 배기하는 진공 펌프와,
기판을 상기 처리실 내에 수용한 상태에서, 상기 처리실 내의 압력을 대기압 미만의 압력으로 함과 동시에, 상기 처리실 내에 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 공급하여 상기 기판 표면을 산화 처리하도록 하고, 그 때, 산소 함유 가스의 유량 A에 대한 수소 함유 가스의 유량 B의 유량비 B/A를 2 이상으로 하고, 상기 처리실 내에서, 상기 수소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스를 반응시킴으로써, 상기 처리실 내에 있어서 H2O와는 다른 반응종을 생성시켜, 상기 반응종에 의해 상기 산화 처리를 수행하도록 제어하는 컨트롤러
를 포함하는 기판 처리 장치.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101509453B1 (ko) * | 2011-06-03 | 2015-04-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
WO2023113130A1 (ko) * | 2021-12-15 | 2023-06-22 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리방법 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3985899B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-10-03 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
JP4943047B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP2008186865A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP5575582B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2014-08-20 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
JP4611414B2 (ja) | 2007-12-26 | 2011-01-12 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
JP5383332B2 (ja) | 2008-08-06 | 2014-01-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5665289B2 (ja) | 2008-10-29 | 2015-02-04 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
US20110001179A1 (en) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
CN102939657B (zh) * | 2010-06-10 | 2016-08-10 | 应用材料公司 | 具有增强的离子化和rf功率耦合的低电阻率钨pvd |
US8993458B2 (en) * | 2012-02-13 | 2015-03-31 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for selective oxidation of a substrate |
JP6091932B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2017-03-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 炭化珪素の成膜装置および炭化珪素の成膜方法 |
US20140034632A1 (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Heng Pan | Apparatus and method for selective oxidation at lower temperature using remote plasma source |
JP6196106B2 (ja) * | 2013-09-13 | 2017-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸化膜の製造方法 |
JP6380063B2 (ja) * | 2014-12-08 | 2018-08-29 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、気相成長装置 |
JP6573578B2 (ja) | 2016-05-31 | 2019-09-11 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
WO2018055724A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP7345245B2 (ja) * | 2018-11-13 | 2023-09-15 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
TW202107528A (zh) * | 2019-04-30 | 2021-02-16 | 美商得昇科技股份有限公司 | 氫氣輔助的大氣自由基氧化 |
US20230215737A1 (en) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of annealing out silicon defectivity |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59132136A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2902012B2 (ja) * | 1989-10-27 | 1999-06-07 | 国際電気株式会社 | 低圧酸化装置 |
JP3541846B2 (ja) * | 1992-05-22 | 2004-07-14 | 松下電器産業株式会社 | 半導体製造装置 |
JP3207943B2 (ja) * | 1992-11-17 | 2001-09-10 | 忠弘 大見 | 低温酸化膜形成装置および低温酸化膜形成方法 |
JP3310386B2 (ja) * | 1993-05-25 | 2002-08-05 | 忠弘 大見 | 絶縁酸化膜の形成方法及び半導体装置 |
KR100310461B1 (ko) * | 1994-12-20 | 2001-12-15 | 박종섭 | 실리콘산화막의형성방법 |
JPH10335652A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH10340909A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3413174B2 (ja) * | 1997-07-11 | 2003-06-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | In−situ蒸気生成方法及び装置 |
JP3156680B2 (ja) * | 1998-10-13 | 2001-04-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2000211998A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-02 | Angstrom Technology Partnership | シリコンの酸化方法及びそれを用いた単結晶シリコン酸化膜の製造方法 |
NL1013667C2 (nl) * | 1999-11-25 | 2000-12-15 | Asm Int | Werkwijze en inrichting voor het vormen van een oxidelaag op wafers vervaardigd uit halfgeleidermateriaal. |
US20010037237A1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-01 | Fujitsu Limited | Sales promotion controlling system based on direct mail, server thereof , method thereof, and computer readable record medium thereof |
JP3436256B2 (ja) * | 2000-05-02 | 2003-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法及び酸化装置 |
JP2002110667A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2002176051A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
DE10119741B4 (de) * | 2001-04-23 | 2012-01-19 | Mattson Thermal Products Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Halbleitersubstraten |
JP2002353214A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002353210A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP2003086792A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置の作製法 |
TW200416772A (en) * | 2002-06-06 | 2004-09-01 | Asml Us Inc | System and method for hydrogen-rich selective oxidation |
US6916744B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for planarization of a material by growing a sacrificial film with customized thickness profile |
JP2003338623A (ja) * | 2003-04-18 | 2003-11-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2004172623A (ja) * | 2003-11-17 | 2004-06-17 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
KR100591762B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2006-06-22 | 삼성전자주식회사 | 증착 장치 및 증착 방법 |
JP4706260B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
US7906440B2 (en) * | 2005-02-01 | 2011-03-15 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device manufacturing method and plasma oxidation method |
-
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101509453B1 (ko) * | 2011-06-03 | 2015-04-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
WO2023113130A1 (ko) * | 2021-12-15 | 2023-06-22 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리방법 |
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