JPH06124893A

JPH06124893A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH06124893A
Application number: JP27162092A
Authority: JP
Inventors: Jun Sakuma; 遵佐久間; Fumihiko Inoue; 文彦井上
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-10-09
Filing date: 1992-10-09
Publication date: 1994-05-06

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、膜形成又は加熱処理を行う処理室
と、処理室と連接して設けられているロードロック室と
を有する半導体装置の製造装置を用いてウエハの処理を
行う半導体装置の製造方法であって、膜形成又は加熱処
理を行った後、ウエハをアンロードし、冷却する方法を
含む半導体装置の製造方法に関し、ロードロック室内の
大気や処理室から導入されるパーティクルをパージしつ
つ、半導体基板や生成膜への結晶歪みの発生を防止して
半導体基板や半導体層の少数キャリアのライフタイムの
増加を図り、半導体基板や半導体層と生成膜との界面の
歪みを防止して表面準位密度の低減を図ることができる
半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】ロードロック室に不活性ガスを導入した後、不
活性ガスの導入を停止し、その後、バルブを開けてウエ
ハをロードロック室に搬出した後、ウエハを冷却し、そ
の後、再び不活性ガスを導入した後、ロードロック室か
らウエハを取り出すことを含み構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、更に詳しく言えば、膜形成又は加熱処理を行う処
理室と、処理室と連接して設けられているロードロック
室とを有する半導体装置の製造装置を用いてウエハの処
理を行う半導体装置の製造方法であって、膜形成又は加
熱処理を行った後、ウエハをアンロードし、冷却する方
法を含む半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】膜形成又は加熱処理を行う処理室と、処
理室と連接して設けられているロードロック室とを有す
る半導体装置の製造装置等を用いてウエハの処理を行う
半導体装置の製造方法において、膜形成又は加熱処理を
行った後、アンロードし、冷却する際、Ｎ₂ガス又はＡ
ｒガスを流して、アンロード室内をパージし、ウエハを
取り出すとき、ウエハに付着するパーティクルの発生を
防止することが要望されている。

【０００３】また、半導体基板への浅い拡散層の形成や
半導体装置の各層の薄膜化が進み、半導体基板と酸化膜
との界面等の表面準位密度の低下や半導体基板や各層の
結晶性の安定性が要望されている。

【０００４】図９（ａ）は、常圧雰囲気中での膜形成又
は加熱処理を行う処理室と、処理室と連接して設けられ
ているロードロック室とを有する半導体装置の製造装置
の構成図である。

【０００５】図中符号１は常圧雰囲気中での膜形成又は
加熱処理を行う処理室、２は処理室１と連接して設けら
れているロードロック室で、不活性ガスをロードロック
室２に導入するガス導入口３と不要な不活性ガスを排出
する排気口４とを有する。５は処理室１とロードロック
室２との間を開閉するバルブで、バルブ５を閉めること
により各室１，２内の圧力や雰囲気を独立に保持するこ
とができるようになっている。なお、６はウエハ保持具
で、バッチ処理するために複数枚のウエハ７が保持され
ている。

【０００６】次に、この半導体装置の製造装置を用いて
シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、その後ウエ
ハをアンロードし、冷却する方法について図８（ａ），
図９（ａ），（ｂ），図１０を参照しながら説明する。
図８（ａ）はアンロードのシーケンスについての説明図
で、上からウエハのアンロード，ロードロック室へのＮ
₂ガスの導入及びロードロック室内の圧力について示し
ている。また、図９（ａ），（ｂ），図１０は処理ウエ
ハをアンロードし、冷却する方法について説明する側面
図である。

【０００７】図９（ａ）は、ウエハ７のシリコン基板上
にシリコン酸化膜を形成した直後の状態を示し、処理室
１内に導入されていた酸素ガスが排出され、ウエハ７は
昇温されたままになっている。また、ロードロック室２
内の水分や酸素が含まれる大気や搬出されるウエハ７と
ともに処理室１から導入されるパーティクルをパージす
るため、ロードロック室２内へは不活性ガスとしてのＮ
₂ガスが導入され続けており、ロードロック室２内はＮ
₂ガスが充満し、常圧になっている。

【０００８】この状態で、図９（ｂ）に示すように、バ
ルブ５を開けて、ウエハ保持具６を処理室１からロード
ロック室２内に移動させる。次いで、図１０に示すよう
に、バルブ５を閉めてウエハ７をロードロック室２内で
所定の時間保持し、ウエハ７を冷却する。このとき、Ｎ
₂ガスが導入され続けており、ウエハ７は強制的に冷却
される。

【０００９】その後、ウエハ７が冷却された後、ウエハ
７をロードロック室２から外に搬出する。なお、減圧雰
囲気中でウエハが処理された場合には、図８（ｂ）に示
すように、ウエハ７をロードロック室２内に搬出する前
にＮ₂ガスをロードロック室２内に導入してロードロッ
ク室２内の大気やパーティクルをパージする。続いて、
Ｎ ₂ガスの導入を停止してからロードロック室２を減圧
して処理室１の圧力と整合した後、バルブ５を開けてウ
エハ保持具６をロードロック室２内に移動し、その後、
バルブ５を閉めてＮ₂ガスを導入し、ロードロック室２
内をＮ₂ガスで満して常圧にする。この状態でウエハ７
を所定の時間保持し、ウエハ７を冷却する。このとき、
Ｎ₂ガスが導入され続けており、ウエハ７は強制的に冷
却される。その後、ウエハ７が冷却された後、ウエハ７
をロードロック室２から外に搬出する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
によると、パージのためのＮ₂ガスにより、ウエハ７は
強制的に冷却されているので、Ｎ₂ガス流の上流と下流
で冷却速度が異なったり、隣接するウエハ７の間隔の違
いにより冷却速度が異なったりして、ウエハ７内及びウ
エハ７間で冷却速度がばらついてしまう。このため、シ
リコン基板への結晶歪みが発生し、このため、少数キャ
リアのライフタイムが短くなったり、シリコン基板とシ
リコン酸化膜との界面に歪みが発生し、表面準位密度が
増加したりするという問題がある。

【００１１】また、半導体層上に絶縁膜を形成した場合
にも同様な問題がある。本発明はかかる従来例の問題点
に鑑み創作されたものであり、ロードロック室内の大気
や処理室から導入されるパーティクルをパージしつつ、
半導体基板や生成膜への結晶歪みの発生を防止して半導
体基板や半導体層の少数キャリアのライフタイムの増加
を図り、半導体基板や半導体層と生成膜との界面の歪み
を防止して表面準位密度の低減を図ることができる半導
体装置の製造方法の提供を目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題は、膜形成又は
加熱処理を行う処理室と、処理室と連接して設けられて
いるロードロック室と、前記処理室と前記ロードロック
室との間を開閉し、前記処理室とロードロック室との間
を閉じることにより前記処理室及びロードロック室の圧
力を独立に保持することができるバルブとを有する半導
体装置の製造装置を用いてウエハの膜形成又は加熱処理
を行う半導体装置の製造方法であって、前記ロードロッ
ク室に不活性ガスを導入した後、該不活性ガスの導入を
停止し、その後、前記バルブを開けて前記ウエハを前記
ロードロック室に搬出した後、前記ウエハを冷却し、そ
の後、再び不活性ガスを導入した後、前記ロードロック
室から前記ウエハを取り出すことを特徴とする半導体装
置の製造方法によって達成され、第２に、前記ウエハを
前記ロードロック室に取り出す前であって、前記ロード
ロック室に不活性ガスを導入する前に、前記ロードロッ
ク室を１回以上減圧することを特徴とする第１の発明に
記載の半導体装置の製造方法によって達成され、第３
に、膜形成又は加熱処理を行う処理室と、処理室と連接
して設けられているロードロック室と、前記処理室と前
記ロードロック室との間を開閉し、前記処理室とロード
ロック室との間を閉じることにより前記処理室及びロー
ドロック室の圧力を独立に保持することができるバルブ
とを有する半導体装置の製造装置を用いてウエハの膜形
成又は加熱処理を行う半導体装置の製造方法であって、
前記ロードロック室に不活性ガスを導入し、その後、該
不活性ガスの導入を停止した後、前記ロードロック室を
減圧し、その後、前記バルブを開けて前記ウエハを前記
ロードロック室に搬出した後、前記ウエハを冷却し、そ
の後、再び不活性ガスを導入して前記ロードロック室内
の圧力を常圧に戻した後、前記ロードロック室から前記
ウエハを取り出すことを特徴とする半導体装置の製造方
法によって達成され、第４に、前記ウエハを前記ロード
ロック室に取り出す前であって、前記ロードロック室に
不活性ガスを導入する前に、前記ロードロック室を１回
以上減圧することを特徴とする第３の発明に記載の半導
体装置の製造方法によって達成される。

【００１３】

【作用】本発明に係る半導体装置の製造方法によれ
ば、ロードロック室内への搬出時に不活性ガスを停止し
て停止したまま冷却し、又は減圧したまま冷却している
ので、ウエハは自然冷却される。このため、ウエハは徐
冷されるので、半導体基板や半導体層への結晶歪みの発
生を防止して少数キャリアのライフタイムの増加を図
り、半導体基板や半導体層と生成膜との界面の歪みを防
止して表面準位密度の低減を図ることができる。

【００１４】また、ウエハをロードロック室内へ搬出す
る前に、不活性ガスでパージし、又は減圧した後不活性
ガスによりパージしているので、残留する酸素や水分を
低減することができ、更に、従来のような不活性ガス流
によるウエハの冷却の不均一が生じない。従って、ウエ
ハの搬出後、冷却中に形成される酸化膜の生成を抑制す
るとともに、生成される酸化膜の膜厚はウエハ内及びウ
エハ間で均一になる。

【００１５】更に、ウエハをロードロック室内へ搬出す
る前に、ロードロック室に不活性ガスを流しているの
で、ロードロック室内の水分や酸素が含まれる大気の他
に残存するパーティクルをパージすることができる。ま
た、ウエハをロードロック室内へ搬出し、冷却した後
に、ロードロック室に不活性ガスを流すことにより、ロ
ードロック室内に搬出されるウエハとともに処理室から
導入されるパーティクルをパージすることができる。

【００１６】

【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。（１）第１の実施例図２（ａ）は、常圧雰囲気中で加熱処理によりシリコン
酸化膜の形成を行う処理室と、処理室と連接して設けら
れているロードロック室とを有する、第１の実施例の半
導体装置の製造方法に用いられる半導体装置の製造装置
の構成図である。

【００１７】図中符号１１は常圧雰囲気中で熱酸化によ
りウエハ１７のシリコン基板上にシリコン酸化膜の形成
を行う処理室で、処理室１１の周辺部にはウエハ加熱用
の不図示のヒータが設けられている。１２は処理室１１
と連接して設けられているロードロック室で、不活性ガ
スとしての窒素ガス（以下、Ｎ₂ガスと称する。）をロ
ードロック室１２に導入するガス導入口１３と不要な不
活性ガスを排出する排気口１４とを有する。１５は処理
室１１とロードロック室１２との間を開閉するバルブ
で、バルブ１５を閉めることにより処理室１１及びロー
ドロック室１２内の圧力や雰囲気を独立に保持すること
ができるようになっている。なお、１６はウエハ保持具
で、バッチ処理を行うため、ウエハ１７が複数枚保持さ
れている。

【００１８】次に、この半導体装置の製造装置を用いて
熱酸化によりウエハ１７のシリコン基板上にシリコン酸
化膜を形成し、その後このウエハ１７をアンロード及び
冷却する方法を含む、第１の実施例の半導体装置の製造
方法について図１（ａ），図２（ａ），（ｂ），図３を
参照しながら説明する。図１（ａ）はアンロードのシー
ケンスについての説明図で、上から、シリコン酸化膜の
形成されたウエハ１７を処理室１１からロードロック室
１２に移動するアンロードの時期，ロードロック室１２
へのＮ₂ガスの導入の時期及び対応するロードロック室
１２内の圧力について示している。また、図２（ａ），
（ｂ），図３はシリコン酸化膜の形成されたウエハ１７
をアンロード及び冷却する方法について説明する側面図
である。

【００１９】図２（ａ）は、熱酸化によりウエハ１７の
シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成した直後の状態
を示し、処理室１１内に導入されていた酸素ガスが排出
され、ウエハ１７は昇温されたままになっている。ま
た、ロードロック室１２内の水分や酸素が含まれる大気
や、搬出されるウエハ１７とともに処理室１１から導入
されて残存するパーティクルをパージするため、ロード
ロック室１２内には不活性ガスとしての流量２００ＳＬ
ＭのＮ₂ガスが導入され続けており、ロードロック室１
２内はＮ₂ガスが充満し、常圧になっている。

【００２０】この状態で、図２（ｂ）に示すように、ロ
ードロック室１２内へのＮ₂ガスの導入を停止した後、
バルブ１５を開けて、ウエハ保持具１６を処理室１１か
らロードロック室１２内に移動させる。

【００２１】次いで、図２（ｃ）に示すように、バルブ
１５を閉めてウエハ保持具１６をロードロック室１２内
で所定の時間保持し、ウエハ１７を冷却する。このと
き、Ｎ ₂ガスの導入が停止されており、ウエハ１７は自
然冷却される。

【００２２】その後、ウエハ１７が冷却された後、再び
ロードロック室１２内にＮ₂ガスを導入し、ウエハ保持
具１６をロードロック室１２から外に搬出する。上記の
ようにして作成されたウエハ１７のライフタイム及び冷
却中の余熱により形成されたシリコン酸化膜の膜厚につ
いて調査した。なお、比較のため、従来例の場合につい
ても同様な調査を行った。それらの結果について図４
（ａ），（ｂ）に示す。

【００２３】結果によれば、本発明の第１の実施例の場
合、ライフタイムについてはロードロック室１２内の酸
素濃度の多少にかかわらず、従来と比較して大幅に長く
なった。これは、ウエハ１７を冷却する際、Ｎ₂ガスの
導入を停止しているため、ウエハ１７の冷却が徐々に行
われるためだと考えられる。

【００２４】また、アンロード後の余熱によるシリコン
酸化膜の形成については、アンロード前にロードロック
室１２内にＮ₂を導入し、Ｎ₂ブローを行うことによ
り、アンロード中も常時Ｎ₂ブローを行っている場合と
同様に、大気中に搬出する場合と比較して余熱によるシ
リコン酸化膜の形成を抑制することができる。これは、
アンロード前のＮ₂ブローによりアンロード時にロード
ロック室１２内の水分や酸素が除去されているためだと
考えられる。

【００２５】以上のように、本発明の第１の実施例によ
れば、ロードロック室１２内への搬出時にＮ₂ガスを停
止しているので、ウエハ１７は自然冷却される。このた
め、ウエハ１７は徐冷されるので、シリコン基板への結
晶歪みの発生を防止して少数キャリアのライフタイムの
増加を図り、シリコン基板とシリコン酸化膜との界面の
歪みを防止して表面準位密度の低減を図ることができ
る。

【００２６】また、ロードロック室１２内への搬出前に
Ｎ₂ガスを導入し、搬出時にＮ₂ガスを停止しているの
で、ロードロック室１２内の残留水分や残留酸素を除去
するとともに、従来のようなＮ₂ガス流によるウエハ１
７の冷却の不均一が生じない。このため、ウエハ１７を
搬出した後、ウエハ１７温度が常温に下がるまでの冷却
中に余熱により形成されるシリコン酸化膜の形成を抑制
し、かつ余熱によりシリコン酸化膜が形成された場合で
もその膜厚はウエハ１７内及びウエハ１７間で均一にな
る。

【００２７】これにより、例えば、均一な膜厚のゲート
絶縁膜を形成することができ、かつゲート絶縁膜とシリ
コン基板との界面の表面準位密度を低減することがで
き、しかも伝達特性を向上することができるので、閾値
電圧が揃い、しかもドレイン電流が大きく、かつドレイ
ン電流値が揃った絶縁ゲート型電界効果トランジスタを
作成することができる。

【００２８】更に、ウエハ１７をロードロック室１２内
へ搬出する前に、ロードロック室１２にＮ₂ガスを流し
ているので、ロードロック室１２内の水分や酸素が含ま
れる大気や残存するパーティクルをパージすることがで
きる。更に、ウエハ１７をロードロック室１２内へ搬出
した後に、ロードロック室１２にＮ₂ガスを流している
ので、ロードロック室１２内に搬出されるウエハ１７と
ともに処理室１１から導入されるパーティクルをパージ
することができる。

【００２９】なお、第１の実施例では、熱酸化によりシ
リコン基板上にシリコン酸化膜を形成する場合について
本発明を適用しているが、常圧ＣＶＤ法により半導体層
上にシリコン酸化膜を形成する場合にも本発明を適用す
ることができる。

【００３０】また、不活性ガスとしてＮ₂ガスを用いて
いるが、アルゴンガス（Ａｒガス）その他の不活性ガス
を用いてもよい。（２）第２の実施例次に、上記の半導体装置の製造装置を用いてシリコン基
板に導電型不純物を導入し、その後、ウエハをアンロー
ド及び冷却する方法を含む、第２の実施例の半導体装置
の製造方法について図１（ｂ），図２（ａ），（ｂ），
図３を参照しながら説明する。図１（ｂ）はアンロード
のシーケンスについての説明図で、上から、導電型不純
物の導入されたウエハ１７を処理室１１からロードロッ
ク室１２に移動するアンロードの時期，ロードロック室
１２へのＮ₂ガスの導入の時期及び対応するロードロッ
ク室１２内の圧力について示している。また、図２
（ａ），（ｂ），図３は導電型不純物の導入されたウエ
ハ１７をアンロードし、冷却する方法について説明する
側面図である。

【００３１】第１の実施例と異なるところは、ウエハ１
７をアンロードする前に、ロードロック室１２を１回以
上減圧し、減圧後にＮ₂ブローを行っていることであ
る。これにより、第１の実施例のＮ₂ブローと同様に、
ロードロック室１２内の水分や酸素が含まれる大気や搬
出されるウエハ１７とともに処理室１１から導入される
パーティクルを除去することができる。

【００３２】図２（ａ）は、ＰＯＣｌ₃を用いたガス拡
散によりウエハ１７のシリコン基板にリンが導入された
直後の状態を示し、処理室１１内に導入されていたＰＯ
Ｃｌ ₃ガス等が排出され、ウエハ１７は昇温されたまま
になっている。また、ロードロック室１２内の水分や酸
素が含まれる大気や残存するパーティクルを除去するた
め、ロードロック室１２内を１回以上減圧し、続いて、
常圧に戻すため、不活性ガスとしてのＮ₂ガスが導入さ
れ、ロードロック室１２内に充満している。

【００３３】この状態で、図２（ｂ）に示すように、ロ
ードロック室１２内へのＮ₂ガスの導入を停止した後、
バルブ１５を開けて、ウエハ保持具１６を処理室１１か
らロードロック室１２内に移動させる。

【００３４】次いで、図２（ｃ）に示すように、バルブ
１５を閉めてウエハ保持具１６をロードロック室１２内
で所定の時間保持し、ウエハ１７を冷却する。このと
き、Ｎ ₂ガスの導入が停止されているため、ウエハ１７
は自然冷却される。

【００３５】その後、ウエハ１７が冷却された後、再び
Ｎ₂ガスを導入し、ウエハ保持具１６をロードロック室
１２から外に搬出する。以上のように、本発明の第２の
実施例によれば、ロードロック室１２内への搬出時にＮ
₂ガスを停止しているので、ウエハ１７は自然冷却され
る。このため、ウエハ１７は徐冷されるので、シリコン
基板への結晶歪みの発生を防止して少数キャリアのライ
フタイムの増加を図り、シリコン基板とシリコン酸化膜
との界面の歪みを防止して表面準位密度の低減を図るこ
とができる。

【００３６】これにより、例えば、少数キャリアのライ
フタイムが長く、表面準位密度の少ないベース領域層等
を形成することができるので、電流伝達特性が大きく、
かつ電流伝達特性値の揃ったバイポーラトランジスタを
作成することができる。

【００３７】（３）第３及び第４の実施例次に、上記の半導体装置の製造装置を用いてシリコン層
上に減圧ＣＶＤ法により層間絶縁膜としてのシリコン酸
化膜を形成し、その後、ウエハをアンロード及び冷却す
る方法について図５（ａ），図６（ａ），（ｂ），図７
を参照しながら説明する。図５（ａ）はアンロードのシ
ーケンスについての説明図で、上から、シリコン酸化膜
の形成されたウエハのアンロードの時期，ロードロック
室12ａへのＮ₂ガスの導入の時期及び対応するロードロ
ック室12ａ内の圧力について示している。また、図６
（ａ），（ｂ），図７は処理ウエハをアンロードし、冷
却する方法について説明する側面図である。

【００３８】図６（ａ）は、ＳｉＨ₄＋ＮＯガスを用い
た減圧ＣＶＤ法によりシリコン層上にシリコン酸化膜を
形成した直後の状態を示し、処理室11ａ内に導入されて
いたＳｉＨ₄＋ＮＯガスが排出され、ウエハ17ａは昇温
されたままになっている。また、ロードロック室12ａ内
の水分や酸素が含まれる大気や残存するパーティクルを
パージするため、ロードロック室12ａ内に不活性ガスと
してのＮ₂ガスが導入された後、ロードロック室12ａ内
へのＮ₂ガスの導入が停止され、ロードロック室12ａ内
が減圧されて、処理室11ａ内の圧力と等しくなってい
る。

【００３９】この状態で、図２（ｂ）に示すように、バ
ルブ15ａを開けて、ウエハ保持具16ａを処理室11ａから
ロードロック室12ａ内に移動させる。次いで、図２
（ｃ）に示すように、バルブ15ａを閉めてウエハをロー
ドロック室12ａ内で所定の時間保持し、ウエハ17ａを冷
却する。このとき、Ｎ₂ガスが導入されていないため、
ウエハ17ａは自然冷却される。

【００４０】その後、ウエハ17ａが冷却された後、ロー
ドロック室12ａ内に不活性ガスとしてのＮ₂ガスを導入
し、ロードロック室12ａ内を常圧に戻す。続いて、ウエ
ハ17ａをロードロック室12ａから外に搬出する。

【００４１】以上のように、本発明の第３の実施例によ
れば、ロードロック室１２内へのウエハの搬出前にＮ₂
ガスを導入してパージした後、Ｎ₂ガスの導入を停止
し、ウエハの搬出時にロードロック室内を減圧して冷却
しているので、ウエハは自然冷却される。このため、従
来のようなガス流による冷却の不均一が生ぜず、また、
ウエハは徐冷されるので、半導体基板への結晶歪みの発
生を防止して少数キャリアのライフタイムの増加を図
り、半導体基板と生成膜との界面の歪みを防止して表面
準位密度の低減を図ることができる。

【００４２】また、ウエハをロードロック室１２内へ搬
出する前に、ロードロック室１２にＮ₂ガスを流した
後、Ｎ₂ガスを停止し、ロードロック室１２内を減圧し
ているので、ロードロック室１２内の水分や酸素が含ま
れる大気及び残存するパーティクルをパージすることが
できる。更に、ウエハをロードロック室１２内へ搬出し
た後に、ロードロック室１２にＮ₂ガスを流しているの
で、ロードロック室１２内に搬出されるウエハとともに
処理室１１から導入されるパーティクルをパージするこ
とができる。

【００４３】なお、第３の実施例では、ウエハ17ａをロ
ードロック室12ａに取り出す前に、ロードロック室12ａ
にＮ₂ガスを導入してのみであるが、図５（ｂ）に示す
第４の実施例のように、ウエハ17ａをロードロック室12
ａに取り出す前であって、ロードロック室12ａにＮ₂ガ
スを導入する前に、ロードロック室12ａを１回以上減圧
することも可能である。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置の製造方法によれば、ロードロック室内へのウエ
ハの搬出時に不活性ガスを停止して停止したまま冷却
し、又は減圧したまま冷却しているので、ウエハは徐冷
され、このため、半導体基板や半導体層への結晶歪みの
発生を防止して少数キャリアのライフタイムの増加を図
り、半導体基板や半導体層と生成膜との界面の歪みを防
止して表面準位密度の低減を図ることができる。

【００４５】また、ウエハをロードロック室内へ搬出す
る前に、不活性ガスでパージし、又は減圧した後不活性
ガスによりパージしているので、残留する酸素や水分を
低減することができ、更に、従来のような不活性ガス流
によるウエハの冷却の不均一が生じない。従って、ウエ
ハの搬出後、冷却中に形成される酸化膜の生成を抑制す
るとともに、生成される酸化膜の膜厚はウエハ内及びウ
エハ間で均一になる。

【００４６】更に、ウエハをロードロック室内へ搬出す
る前に、ロードロック室に不活性ガスを流しているの
で、ロードロック室内の水分や酸素が含まれる大気の他
に残存するパーティクルをパージすることができる。ま
た、ウエハをロードロック室内へ搬出し、冷却した後
に、ロードロック室に不活性ガスを流すことにより、ロ
ードロック室内に搬出されるウエハとともに処理室から
導入されるパーティクルをパージすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１及び第２の実施例に係るウエハを
アンロードし、冷却する方法について説明するタイミン
グチャートである。

【図２】本発明の第１及び第２の実施例に係るウエハを
アンロードし、冷却する方法について説明する側面図
（その１）である。

【図３】本発明の第１及び第２の実施例に係るウエハを
アンロードし、冷却する方法について説明する側面図
（その２）である。

【図４】本発明の第１の実施例に係る方法により作成さ
れたウエハのライフタイム及びアンロード時の余熱によ
り形成されたシリコン酸化膜厚についての比較調査結果
についての説明図である。

【図５】本発明の第３及び第４の実施例に係るウエハを
アンロードし、冷却する方法について説明するタイミン
グチャートである。

【図６】本発明の第３の実施例に係るウエハをアンロー
ドし、冷却する方法について説明する側面図（その１）
である。

【図７】本発明の第３の実施例に係るウエハをアンロー
ドし、冷却する方法について説明する側面図（その２）
である。

【図８】従来例に係るウエハをアンロードし、冷却する
方法について説明するタイミングチャートである。

【図９】従来例に係るウエハをアンロードし、冷却する
方法について説明する側面図（その１）である。

【図１０】従来例に係るウエハをアンロードし、冷却す
る方法について説明する側面図（その２）である。

【符号の説明】

１１，11ａ処理室、１２，12ａロードロック室、１３，13ａガス導入口、１４，14ａ排気口、１５，15ａバルブ、１６，16ａウエハ保持具、１７，17ａウエハ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】膜形成又は加熱処理を行う処理室と、処
理室と連接して設けられているロードロック室と、前記
処理室と前記ロードロック室との間を開閉し、前記処理
室とロードロック室との間を閉じることにより前記処理
室及びロードロック室の圧力を独立に保持することがで
きるバルブとを有する半導体装置の製造装置を用いてウ
エハの膜形成又は加熱処理を行う半導体装置の製造方法
であって、前記ロードロック室に不活性ガスを導入した後、該不活
性ガスの導入を停止し、その後、前記バルブを開けて前
記ウエハを前記ロードロック室に搬出した後、前記ウエ
ハを冷却し、その後、再び不活性ガスを導入した後、前
記ロードロック室から前記ウエハを取り出すことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記ウエハを前記ロードロック室に取り
出す前であって、前記ロードロック室に不活性ガスを導
入する前に、前記ロードロック室を１回以上減圧するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】膜形成又は加熱処理を行う処理室と、処
理室と連接して設けられているロードロック室と、前記
処理室と前記ロードロック室との間を開閉し、前記処理
室とロードロック室との間を閉じることにより前記処理
室及びロードロック室の圧力を独立に保持することがで
きるバルブとを有する半導体装置の製造装置を用いてウ
エハの膜形成又は加熱処理を行う半導体装置の製造方法
であって、前記ロードロック室に不活性ガスを導入し、その後、該
不活性ガスの導入を停止した後、前記ロードロック室を
減圧し、その後、前記バルブを開けて前記ウエハを前記
ロードロック室に搬出した後、前記ウエハを冷却し、そ
の後、再び不活性ガスを導入して前記ロードロック室内
の圧力を常圧に戻した後、前記ロードロック室から前記
ウエハを取り出すことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項４】前記ウエハを前記ロードロック室に取り
出す前であって、前記ロードロック室に不活性ガスを導
入する前に、前記ロードロック室を１回以上減圧するこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。