KR20090128487A - 면발광체 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 투광성기재(1)와 투광성기재(1)의 표면에 형성된 광산란층(2)과, 광산란층(2)의 표면에 형성되고, 빛 또는 전기에너지에 의해 발광하는 유기 또는 무기의 발광체(3)를 구비한 면발광체에 있어서, 빛을 외부로 방출하는 효율을 높게 한다. 광산란층(2)은 바인더(4) 및 2종류의 충전재(5, 6)를 포함하고, 바인더(4)의 굴절률을 "Nb", 2종류의 충전재(5, 6) 중 한쪽의 굴절률을 "Nf1", 다른 쪽의 굴절률을 "Nf2"로 했을 때, Nf2>Nb> Nf1의 관계를 만족한다. 광산란층(2)은 2종류의 충전재(5, 6)를 포함하고 있기 때문에, 광산란층(2)에서 투광성기재(1)로 출사(出射)할 때의 임계각에 산란이 생기고, 투광성기재(1)로의 빛의 입사(入射)율이 높아지고, 빛을 외부로 방출하는 효율이 커진다.
투광성기재, 광산란층, 발광체, 바인더, 충전재
Description
본 발명은, 각종 디스플레이, 표시소자, 액정용 백라이트, 조명용 광원 등에 이용되는 면발광체에 관한 것이다.
각종 디스플레이, 표시소자, 백라이트, 조명 등의 광원으로 이용되는 빛이나 전기에너지에 의해 발광하는 면발광체는, 고휘도(輝度), 고효율, 박형(薄型), 경량이라는 수많은 뛰어난 특징을 갖는다. 이러한 면발광체 중에서도, 음양의 각 전극으로부터의 전기에너지에 의해 유기재료를 발광시키는 유기전기루미네선스소자(electroluminescence, 유기이엘소자)는, 몇볼트 정도의 저전압으로 고휘도의 면발광이 가능하다는 것, 발광물질의 선택에 의해 임의의 색조로 발광이 가능하다는 등의 이유로 실용화을 위한 연구개발이 활발하게 이루어지고 있다.
이 유기이엘소자(organic EL device)는 도 3A에 나타낸 바와 같이, 투광성기판(1)의 표면에 형성된 투명전극층(7)과, 그 투명전극층(7)의 표면에 형성된 유기이엘재료로 이루어진 발광층(8)과, 발광층(8)의 표면에 형성된 대향전극(9) 등으로 구성된다. 그리고, 투명전극층(7)과 대향전극(9) 사이에 전압을 인가하는 것에 의해 발광층(8)에서 발광한 빛은 투명전극층(7) 및 투광성기판(1)을 투과하여 방출된다.
여기서, 유기이엘소자와 같이 박막으로 이루어진 발광소자의 경우, 발광체가 박막인 발광층(8)에서의 출사각(出射角)은, 발광층(8)의 굴절률과, 발광한 빛이 출사할 때 통과하는 매질, 즉 투명전극층(7)이나 투광성기판(1)의 굴절률에 의해 결정된다. 빛의 출사각이 임계각 이상인 경우, 빛은 계면에서 전반사되고, 발광층(8) 등의 내부에 가둬지고, 도파광(guide wave)으로 잃게 된다. 고전광학적인 스넬(Snell)의 법칙에 의한 계산으로는, 발광층(8)의 굴절률을 "n"으로 했을 때 발생한 빛이 외부로 방출되는 방출효율(
)은,
≒ 1/(2n2)로 근사하다. 예를 들면, 발광층(8)의 굴절률이 1.7이라고 하면, 
≒17%정도가 되고, 80%이상의 빛은 도파광으로 유기이엘소자의 측면방향의 손실광으로 잃게 되어, 유기발광소자에서의 빛의 방출효율은 상당히 낮아진다.
또한, 발광물질에 형광재료를 이용한 유기이엘소자인 경우, 각 전극(7, 9)에서 주입된 전하의 재결합에 의해 생성된 여기자(勵起子, exciton) 중에, 발광에 관여하는 것은 일중항 여기자(singlet exciton)뿐이고, 그 생성확률은 1/4이다. 즉, 그 점만 고려하더라도, 효율은 5%정도로 꽤 낮은 것이 되어버린다. 이것에 대하여, 최근 발광층 자체의 발광효율을 올리는 방법으로, 삼중항 여기자의 인광으로부터도 발광을 얻을 수 있는 발광재료의 개발도 진행되고 있고, 비약적으로 양자(量子)효율이 향상가능한 가능성도 보이고 있다.
그러나, 이렇게 양자효율이 향상한다 하더라도, 빛의 방출효율이 낮으면, 그것에 편승하는 형태로 유기이엘소자의 발광효율을 저하시켜버리는 것이 된다. 다시 말하면, 방출효율이 개선되면, 상승효과로 비약적으로 발광효율을 향상할 수 있는 가능성이 있다.
투광성기판(1)의 표면에 투명전극층(7)을 통해서 발광층(8)을 적층하여 형성되는 유기이엘소자인 경우, 상기와 같이 약 80%에 미치는 손실광은, (1) 투광성기판(1)과 공기와 계면에서의 전반사, (2) 투명전극층(7)과 투광성기판(1)의 계면에의 전반사에 의한 것이 큰 것으로 되어 있다. 즉, 고굴절의 매질에서 저굴절의 매질로 빛이 입사하는 경우, 전반사의 개념에 의해 임계각 이상의 입사각을 갖는 빛은, 그 계면에서 전반사되어 그 내부에 가둬진다. (1)의 투광성기판(1)과 공기의 계면에서의 전반사와 (2)의 투명전극층(7)과 투광성기판(1)의 계면에서의 전반사의 비율을, 각각 입체각을 고려하여 계산하면, 전자가 약 35%, 후자가 약 45%가 된다.
따라서, 현재 빛 방출효율을 개선하는 수단으로서, (1) 투광성기판(1)과 공기의 계면의 개질, (2) 투명전극층(7)과 투광성기판(1)의 계면의 개질, 2개의 수단이 고안되어 있다. 전자에 관해서는, 투광성기판(1)의 표면에 산란층이나 렌즈구조를 설치하는 것으로 방출효율을 향상시키는 방법(예를 들면, 특허 제2931211호 공보 참조)이나, 회절격자 등을 형성하는 방법(예를 들면, 특개 평10-321371호 공보 참조) 등이 제안되고 있다.
후자에 관해서는, 도 3B에 나타낸 바와 같이 투명전극층(7)과 투광성기판(1)의 사이에 광산란층(2)을 형성하고, 광산란층(2)의 빛을 산란시킨다. 그것에 의해, 투명전극층(7)과 투광성기판(1)의 계면에 생기는 전반사의 비율이 저감되고, 빛의 방출효율이 높아진다. 광산란부(2)는 투광성기판(1)의 투명전극층(7) 측표면에 미 세한 요철을 설치하거나, 입자를 함유하는 코팅수지층을 투광성기판(1)의 투명전극층(7) 측표면에 설치하거나 하여 형성되지만, 모두 표면이 요철이 된다. 그렇기 때문에, 도 3B에 나타낸 바와 같이, 광산란층(2)의 표면에 완화층(31)을 형성하고, 요철을 평평하게 하여 평활하게 하고, 완화층(31)의 평활한 표면에 얇은 두께의 ㅁ막인 투명전극층(7)을 형성한다(예를 들면, 특개 2003-216061호 공보1, 특개 2006-286616호 공보 등 참조).
그러나, 상기와 같은 광산란층(2)과 투명전극층(7)의 사이에 완화층(31)을 형성하면, 투명전극층(7)과 완화층(31)의 계면에서 빛이 전반사하고, 그 전반사에 의해서 빛의 방사효율이 저하하기 때문에, 더더욱 방사효율의 향상이 기대된다.
본 발명은, 상기의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 투명전극층과 완화층과의 계면에서 빛이 전반사하는 것을 억제하고, 빛의 방사효율을 향상시키는 것이 가능한 면발광체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명인 면발광체의 한 형태는, 투광성기재와 상기 투광성기재의 표면에 형성된 광산란층과, 상기 광산란층의 표면에 형성되고, 빛 또는 전기에너지에 의해 발광하는 유기 또는 무기의 발광체층을 구비한 면발광체이고, 상기 광산란층은 바인더 및 2종류의 충전재를 포함하고, 상기 바인더의 굴절률을 "Nb", 상기 2종류의 충전재 중 한쪽의 굴절률을 "Nf1", 다른 쪽의 굴절률을 "Nf2"로 한 경우에, Nf2>Nb> Nf1의 관계를 만족하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 구성에 의하면, 투광성기판과 발광층 사이에 형서된 광산란층이 상기 굴절률의 관계를 만족하는 바인더 및 2종류의 충전재를 포함하도록 형성되어 있기 때문에, 빛의 산란효과가 증폭되고, 발광체층(박막)에서 발광한 빛이 광산란층에서 투광성기재로 출사할 때의 임계각에 산란이 발생하고, 투광성기재로의 빛의 입사효율이 높아지고, 빛을 외부로 방출하는 효율이 더욱 커진다.
도 1A는 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 면발광체의 구성을 나타내는 단면도이고, 도 1B는 그 투광성기재의 표면에 형성된 광산란층을 나타내는 단면도이다.
도 2A는 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 면발광체의 구성을 나타내는 단면도이고, 도 2B는 그 완화층을 나타내는 단면도이다.
도 3A는 종래 면발광체의 구성을 나타내는 단면도이고, 도 3B는 또 다른 종래 면발광체의 구성을 나타내는 단면도이다.
(제 1 실시형태)
본 발명의 제 1 실시형태에 관한 면발광체에 대하여 도 1A 및 도 1B를 참조하여 설명한다. 도 1A는 제 1 실시형태에 관한 면발광체의 구성을 나타내고, 도 1B는 그 투광성기재(1)의 표면에 형성한 광산란층(2)을 나타낸다.
발광체(3)로는, 빛 또는 전기에너지에 의해 발광하는 유기 또는 무기를 이용하는 것이 가능하다. 도 1A에 나타낸 발광체(3)는 전기에너지에 의해 여기(勵起)되어 발광하는 것, 예를 들면 유기이엘소자이다. 발광체(3)는 광산란층(2) 위에 형성 된 투명전극층(양극, 7), 발광층(8), 대향전극(음극, 9) 및 필요에 따라 설치되는 홀운송층(10), 전자운송층(11) 등으로 구성된다. 발광층(8)에서 발광한 빛은 투명전극층(7)을 통과하고, 또한, 도 1B에 화살표로 나타낸 바와 같이 광산란층(2) 및 투광성기재(1)를 투과하여 외부로 방출된다.
투광성기재(1)로는 공지의 투명기판을 사용하는 것이 가능하고, 예를 들면, 소다유리나 무알카리유리 등의 단단한 기판, 폴리카보네이트나 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 등의 부드러운 기판 등을 사용하는 것이 가능하다. 투광성기재(1)의 굴절률은 일반적으로 1.46 ~ 1.6의 범위이다.
광산란층(2)은 바인더(4)에 2종류의 충전재(5, 6)를 함유시켜 형성된다. 그 광산란층(2)은 투광성기재(1)의 표면 위에 형성된 피막이고, 충전재(5, 6) 및 바인더 형성재료를 배합하여 조제된 액상코팅재 조성물을 투광성기재(1)의 표면에 도포하고, 투광성기재(1)의 표면에 형성된 도막을 건조시키는 것에 의해 형성된다. 여기서 말하는 건조라는 것은, 도막에서 액체성분(또는 휘발성 성분)을 제거하여 고체의 피막을 남기는 것을 의미하는 것이고, 건조할 때는 필요에 따라 가열하여도 좋다. 또한, 건조하여 피막을 얻은 후, 피막을 가열하여 열처리하도록 하여도 좋다. 더욱이, 건조시 가열을 계속하는 것에 의해, 피막의 열처리를 실시하도록 하여도 좋다. 도막의 형성방법으로는 스핀코트(spin coat), 스프레이코트(spraying coat), 딥코트(dipping coat), 인쇄코트(printing coat) 등을 이용하는 것이 가능한데, 이러한 방법들에 한정되는 것은 아니다.
이와 같이 형성된 광산란층(2)에는 바인더형성재료에서 생성된 바인더(4) 안 에 충전재(5, 6)가 분산되어 있고, 이들이 서로 다른 상(相)을 형성한다. 바인더(4)는 그 안에 충전재(5, 6)를 분산상태로 구속하여 보호유지한다. 이 바인더(4)는 피막상태로 도포된 액상코팅재 조성물이 건조되는 것에 의해, 바인더 형성재료로 형성된다. 이 건조를 할 때에 바인더 형성재료는 화학적으로 변화하여도 좋고, 혹은 변화하지 않아도 좋다. 바인더 형성재료는 코팅재 조성물 안에 용해 및/또는 분산되어 있는 상태에서, 건조되는 것에 의해, 전체가 막상태의 고체로 전환된다.
코팅재 조성물은 투광성기재(1)에 도포될 수 있도록 액체상태로 된다. 그렇기 때문에 코팅재 조성물은 통상, 액체용매 및/또는 분산매(예를 들면, 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올(isopropyl alcohol) 등의 알코올, 톨루엔(toluene), 자일렌(xylene), 메틸에틸케톤(methyl ethyl ketone) 등의 유기용제 등)를 포함한다. 또한, 코팅재 조성물은, 필요에 따라 다른 성분을 포함하여도 좋다. 이와 같은 다른 성분으로, 아크릴계 폴리머로 대표되는 평활도막형성을 위한 레벨링제(leveling agent), 에틸렌글리콜(ethylen glycol), 에틸렌글리콜모노부틸에테르(ethylene glycol monobutyl ether), 초산에틸렌글리콜모노에틸에테르(acetic ethylene glycol monoethyl ether) 등의 에틸렌글리콜유도체, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 디에틸렌글리콜유도체 등으로 대표되는 막두께 컨트롤을 위한 증점제, 고비점용제, 및 투광성기재(1)와의 밀착성을 부여하기 위한 실란커플링제(silan coupling agent) 등을 예시하는 것이 가능하다.
상기와 같이 바인더(4)에 2종류의 충전재(5, 6)를 함유시켜 형성된 광산란층(2)에 있어서, 바인더(4)의 굴절률을 "Nb", 2종류 충전재(5, 6)의 한쪽의 굴절률 을 "Nf1", 다른 쪽의 굴절률을 "Nf2"로 하면 Nf2>Nb>Nf1의 관계를 만족하도록 바인더(4) 및 2종류의 충전재(5, 6)가 선택된다. 바인더(4) 및 2종류 충전재(5, 6)의 굴절률이 이와 같은 관계를 만족하면, 이들 굴절률의 차에 의해, 광산란층(2) 빛의 산란효과가 증폭된다. 이 광산란층(2)을 면발광체의 투명전극층(7)과 투광성기재(1)의 계면에 형성하는 것에 의해, 투명전극층(7)과 투광성기재(1)의 계면에서의 임계각에 산란이 발생하고, 유기발광층(8)에서 발광한 빛 중 투명전극층(7)에서 투광성기재(1)로 입사하는 비율이 증가하고 그 결과, 빛의 방출효율이 높아진다.
충전재(5. 6)의 재료로는, 에어로젤(aerogel) 미립자, 중공실리카 미립자, 폴리머제중공 미립자, 유기폴리머 미립자, 금속산화물 미립자 등을 예시하는 것이 가능하다. 또한, 충전재(5, 6)의 입자는 분산서을 향상시키기 위해서 계면활성재처리나 박막코팅처리 등, 굴절률을 현저하게 변화시키지 않는 정도의 표면피복처리가 이루어지는 것이 적합하다.
충전재(5, 6)의 굴절률 Nf1, Nf2는 일반적으로 1.2 ~ 2.5의 범위인데, 2종류의 충전재(5, 6)중, 한쪽의 충전재는 굴절률 "Nf1"이 1.4 이하인 것이 바람직하다. 굴절률 "Nf2"의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로 1.2 정도이다. 이와 같이, 한쪽 충전재의 굴절률 "Nf1"을 1.4 이하로 하는 것에 의해, 광산란층(2)의 굴절률이 대폭으로 저하한다. 그 결과, 광산란성이 높으면서, 굴절률이 낮은 광산란층(2)을 형성하는 것이 가능하다.
또한, 2종류의 충전재(5, 6)의 굴절률 Nf1과 Nf2의 차이가 0.5 이상인 것이 가능하다. 2종류의 충전재(5, 6)의 굴절률 Nf1과 Nf2에 0.5 이상의 굴절률 차이를 설치하는 것에 의해, 광산란층(2)의 광산란 강도가 증가하고, 결과적으로, 빛의 방출효율이 더욱 향상한다. 2종류의 충전재(5, 6)의 굴절률 Nf1과 Nf2의 굴절률 차이의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로 1.3정도 이하인 것이 바람직하다.
또한, 충전재(5, 6)의 평균입자지름은 5 ~ 200㎚의 범위에 있는 것이 바람직하다. 이것은 200㎚를 넘게 충전재(5, 6)의 평균입자지름을 크게 하면, 충전재(5, 6)를 함유하여 형성되는 광산란층(2)의 표면 거칠기가 커지고, 그 위에 형성되는 투명전극층(7), 발광층(8) 및 대향전극(9) 등 면발광체를 구성하는 각층의 신뢰성이 저하할 가능성이 있기 때문이다. 역으로, 충전재(5, 6)의 평균입자지름이 너무 작아지면, 광산란의 효과가 불충분해지기 때문에, 충전재(5, 6)의 평균입자 지름은 5㎚ 이상인 것이 적합하다. 이때, 광산란층(2)의 표면 거칠기가 커진 경우(예를 들면, Ra=20㎚이상)는 광산란층(2)의 표면에 완화층(평탄화층, 도 3B 참조)을 설치하여도 좋다. 완화층의 재료나 형성방법은 거칠기(Ra)가 20㎚ 이하로 되는 것이면 좋고, 특별히 한정되는 것은 아니다.
2종류의 충전재(5, 6)는 평균입자지름이 다른 것이 적합하고, 이 경우, 한쪽 충전재의 평균입자지름은 다른 쪽 충전재의 평균입자지름의 2배 이상인 것이 바람직하다. 이와 같이 2종류의 충전재(5,6) 중, 한쪽 충전재(5)의 평균입자지름을 다른 쪽 충전재(6)의 평균입자지름의 2배 이상으로 하는 것에 의해, 평균입자지름이 큰 충전재(5) 사이에 평균입자지름이 작은 충전재(6)가 들어간 상태로, 바인더(4)에 충전재(5, 6)가 분산된다. 그 결과, 바인더(4) 안에서의 충전재(5, 6)의 분산성이 향상하고, 충전재(5, 6)가 균일하게 분산된 광산란층(2)의 형성이 가능하게 된다. 2종류의 충전재(5, 6) 평균입자지름의 차이의 상한이 특별히 한정되는 것은 아니지만, 양자의 평균입자지름의 차이가 15 ~ 50㎚의 범위가 되도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 충전재(5, 6)의 입자지름이나 평균입자지름은 후술하는 바와 같이 레이저 회절원리를 이용한 입도분포 측정장치를 이용하여 측정한 수치이다.
한편, 바인더(4)의 재료로는 유기폴리머, 금속산화물, 실리카다공질체 등을 예시하는 것이 가능하다. 이들 재료 중에서, 충전재(5, 6)의 굴절률과 상기 관계를 만족하는 굴절률의 재료를 선택하면 좋다. 바인더(4)의 굴절률 "Nb"는 일반적으로 1.45 ~ 1.60의 범위이다.
바인더(4)와 충전재(5, 6)의 상기 재료의 조합 중에서도, 충전재(5, 6)는 에어로젤 미립자, 중공실리카 미립자 및 폴리머제중공 미립자에서 선택된 적어도 1종, 바인더(4)는 유기폴리머 및 금속산화물에서 선택된 적어도 1종류인 것이 적합하다.
광산란층(2)의 막두께가 특별히 한정되는 것은 아니지만, 일반적으로 100 ~ 2000㎚의 범위가 적합하다. 또는 바인더(4)에 대한 충전재(5, 6)의 함유비율도 특별히 한정되는 것은 아니지만, 일반적으로 바인더(4)에 대하여 충전재(5, 6)가 10:90 ~ 70:30의 질량비율이 되도록 설정하는 것이 적합하다. 더욱이, 2종류의 충 전재(5, 6)의 비율도 특별히 한정되는 것은 아니지만, 작은 굴절률 Nf1이 큰 굴절률 Nf2를 1:9 ~ 9:1의 질량비율로 배합하는 것이 적합하다. 또한, 바인더(4) 안에 함유하는 충전재는 상기와 같은 2종류의 충전재(5, 6)에 한정하는 것이 아니라, 제 3의 충전재 등을 함유하여도 좋다. 이 경우도, 적어도 2종류의 충전재(5, 6)는 바인더(4)와 상기와 같은 관계를 갖는 것이 필요하다.
광산란층(2)의 굴절률은 일반적으로 1.30 ~ 1.70의 범위인데, 투광성기재(1)의 굴절률과 같거나 그것보다 작게 되도록 설정하는 것이 적합하다. 광산란층(2)의 굴절률을 투광성기재(1)의 굴절률과 동일하거나, 그것보다 작게 하는 것에 의해, 광산란층(2)에서 투광성기재(1)로 입사되는 빛이 전반사되는 비율을 저감하는 것이 가능하고, 빛을 외부로 방출하는 효율을 보다 크게 하는 것이 가능하다.
또한, 광산란층(2)은 헤이즈(haze) 값(확산투과율/전투과율)×100)이 2 ~ 50의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 광산란층(2)의 헤이즈 값을 이 범위로 설정하는 것에 의해, 예를 들면 투명유기 면발광체에 있어서, 외관을 손상하는 일 없이 빛 방출효율의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다. 또한, 광산란층(2)의 헤이즈 값이 높은 경우, 빛 방출효율이 향상하더라도 백색화되고, 면발광체의 외관을 손상할 가능성이 있다.
다음으로, 도 1A에 나타낸 면발광체에 대하여 설명한다. 앞에서 서술한 바와 같이, 광산란층(2) 위에 형성되는 발광체(3)는 유기이엘소자이고, 공지의 유기이엘소자구조를 갖고 있으면 좋고, 예를 들면, 다중발광현상(multiphotoemission)소자 로 불리는 애노드(anode)와 캐소드(cathode) 전극사이에, 예를 들면 투명전극 등의 전하발생층을 통해서 막두께 방향으로 직렬로 복수의 유기 발광층(8)을 설치하여 발광휘도를 높이도록 한 이엘소자 구조이어도 좋다.
유기이엘소자를 구성하는 전극(7 및 9) 중, 적어도 한쪽의 전극에는 광투과성의 투명전극층(7)이 이용된다. 또한, 필요에 따라 양쪽의 전극(7 및 9)에 광투과성의 전극을 이용해도 좋다. 광투과성의 전극 재료로는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 한 임의의 것을 이용하는 것이 가능하고, 인디움 석산화물(ITO), 인디움 아연산화물(IZO), 석산화물, Au 등의 금속 극박막, 도전성고분자, 도전성의 유기재료, 도펀트(dopant, 도너(donor) 또는 억셉터(accepter)) 함유유기층, 도전체와 도전성유기재료(고분자포함)의 혼합물, 또는 이들 적층체 등을 예로 들 수 있다. 이들 투명전극은 통상 스퍼터법(sputtering method)이나 이온플레이팅법(ion platin g method) 등의 기상성장법(vapor phase epitaxial method)을 이용하여 형성된다.
광산란층(2)의 표면에 투명전극층(7)을 형성하는데 있어서, 도포형의 투명도전층에서 투명전극층(7)을 형성하는 것이 적합하다. 광산란층(2)의 표면이 거칠고, 수백 ㎚배열의 요철이 형성되어 있는 경우, 광산란층(2의 표면에 직접, 기상성장법으로 투명전극층(7)을 형성하면, 요철을 따라 그대로 막이 성장하고, 표면에 요철을 갖는 투명전극층(7)이 형성되고, 소자의 신뢰성이 저하한다. 그리고, 광산란층(2)의 표면에 페이스트상태의 전극재료를 도포하는 도포법으로 투명도전층을 형성하면, 재료의 유동성에 의해, 수백 ㎚배열의 요철이 완화되고, 표면이 평활한 투명전극층(7)을 형성하는 것이 가능하다. 이 경우, 도포형의 투명 도전층만으로는 도전성의 특성이 좋지 않기 때문에, 도포형의 투명도전층을 하지층으로 광산란층(2)의 표면에 설치한 후, 그 위에 기상성장법에 의한 투명도전층을 적층하여, 2층구성으로 투명전극층(7)을 형성하는 것이 적합하다.
유기이엘소자의 유기발광층(8)을 구성하는 유기재료로는 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 파이렌(pyrene), 테트라센(tetracene), 코로넨(coronene), 페릴렌(perylene), 프탈로페릴렌(phthaloperylene), 나프탈로페릴렌(naphthaloperylene,), 디페닐부타디엔(diphenyl butadiene), 테트라페닐부타디엔(tetra phenyle butadiene), 쿠머린(coumalin), 옥사디아졸(oxadiazole), 비스벤조옥사조일(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 씨클로펜타디엔(cyclopentadiene), 퀴놀린금속착체(quinoline metal complex), 트리스(8-하이드록시퀴놀리네이트)알루미늄착체(tris(8-hydroxyquinolinate) alumium complex), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리네이트)알루미늄착체(tris(4-methyl-8-quinolinate) aluminum complex), 트리스(5-페닐-8-퀴놀리네이트)알루미늄착체(tris(5-phenyl-8-quinolinate) aluminum complex), 아미노퀴놀린금속착체(aminoquinoline metal complex), 벤조퀴놀린금속착체(benzoquinolien metal complex), 트리-(p-타페닐-4-일)아민(tri-(p-pterphenyl-4-yl)amine), 파이란(pyran), 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene) 및 이들 유도체, 또는 1-아릴-2, 5-디(2-티에닐)피롤(5-di(2-thienyl) pyrrole) 유도체, 디스트릴벤젠(distyryl benzene) 유도체, 스티릴-아릴렌(styryl-arylene) 유도체, 스티릴아민(styryl-amine) 유도체 및 이들 발광성 화합물로 이루어진 기(基)를 분자의 일부로 갖는 화합물 또는 고분자 등을 예로 들 수 있다. 또한, 상기 화합물로 대표되는 형광색소 유래의 화합물 뿐만아니라, 모든 인광(燐光) 발광재료 예를 들면, Ir착체, Os착체, Pt착체, 유로퓸착체 등의 발광재료 또는 그들 분자 내에 갖는 화합물 혹은 고분자를 이용하는 것이 가능하다. 이들 재료는 필요에 따라 적절하게 선택하여 이용하는 것이 가능하다.
또한, 유기발광층(8)과 투명전극층(7) 및 대향전극(9)의 사이에, 이들 투명전극층(7) 및 대향전극(9)에서의 캐리어 주입성을 향상시키기 위한 홀운송층(10), 전자운송층(11), 완충(buffer)층, 또는 전극제막시의 데미지를 저감하기 위한 층을 형성하여도 좋다. 이들 층으로서, 예를 들면 알카리금속 도프(dope) 유기층, 동프탈로시아닌층(copper phthalocyanine layer), 억셉터도프(acceptor doped) 유기층 등을 형성하는 것이 가능하다.
일반적으로, 유기이엘소자는 수분이나 산소에 의한 외부요인에 의해 열화하기 때문에, 장기적인 수명을 확보하기 위해서, 밀봉하여 봉지(封止)하는 것이 적합하다. 특히, 광산란층(2)의 막두께는 다른 층의 막두께에 비하여 두껍기 때문에, 광산란층(2)의 단부에서 수분이나 산소가 침입하기 쉽다. 그래서, 면발광체를 봉지하는 경우, 봉지된 부분 내측에 광산란층(2)을 형성하는 것이 적합하다. 그것에 의해, 광산란층(2)의 단부에서 수분이나 산소의 침입을 막는 것이 가능하다. 또한, 큰면적에서 면발광체를 발광시키는 경우, 투명전극층(7)에 있어서 전압 강하의 영향에 의해, 전기를 공급하는 부근과 발광면의 중심에서 휘도가 다른 경우가 있다. 그렇기 때문에, 투명전극층(7)의 위 또는 아래에 보조전극을 형성하여도 좋다. 보 조전극의 재료로는 공지되어 있는 것을 사용하는 것이 가능하다.
또한, 도 1A의 발광체(3)로서, 전기에너지에 의해 발광하는 유기발광체인 유기이엘소자를 예시했는데, 이것에 한정되는 것이 아니라, 전기에너지에 의해 발광하는 무기이엘소자나, 빛에너지에 의해 발광하는 유기 또는 무기의 형광체로 발광체를 형성하도록 하여도 좋다.
실시예
다음으로, 본 실시형태에 관한 면발광장치를 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 또한, 중량평균분자량은 GPC(분자량측정장치, gel permeation chromatography)에 의해 측정기로는 Tosoh Corproation 제품 "HLC-87120"을 이용하여, 표준 폴리스티렌으로 검량선을 작성하고, 그 환산 값으로 측정했다.
(실시예 1)
테트라엑톡시실란(tetraethoxysilane) 86.8질량부에 이소프로필알코올 803.5 질량부를 첨가하고, 또한 
-메타프록시프로필트리메톡시실란(
-methacryloxypropyltrymethoxysilane) 34.7질량부 및 0.1N-초산 75질량부를 첨가하고, 분산기(dispersion mill)를 이용하여 잘 혼합하는 것으로 용액을 얻었다. 얻어진 용액을 40℃ 항온조(thermostatic oven) 안에서 2시간 교반하고, 중량평균분자량이 1050인 바인더 형성재료로 실리콘레진 5질량% 용액을 얻었다.
다음으로, 이 실리콘레진 용액에 중공실리카 미립자(평균입자지름 60㎚, 외각(外殼)두께 10㎚)의 IPA 분산졸(고형분 : 20질량%, 분산매 : 이소프로필알코올, Catalysts and Chemicals Ltd. 제품)을 이소프로필알코올에서 5질랑%가 되도록 희 석한 졸을, 중공실리카 미립자/실리콘레진(축합화합물환산, condensatin chemical compound conversion)의 고형분 질량기준으로 35/30이 되도록 첨가하여, 중공실리카 미립자 함유 실리콘레진 용액을 얻었다. 또한, 이 용액에 티타니아입자의 표면을 실리카로 피복한 실리카티타니아 복합미립자(평균미립자지름 10 ~ 20㎚)의 메틸에틸케톤(methyl ethyl ketone) 분산졸(고형분 : 20질량%, Catalysts and Chemicals Ltd. 제품)을 이소프로필알코올에서 5질량%가 되도록 희석한 졸을 중공실리카 미립자/실시카티타니아 복합미립자/실리콘레진(축합화합물환산)의 고형분 질량기준으로 35/35/30이 되도록 희석하여, 최종적으로 코팅재 조성물을 얻었다.
또한, 상기 "축합화합물환산(condensation chemical compound conversion)"이라는 것은, 테트라알콕시실란(tetraalkoxysilane)의 경우는 존재하는 Si가 SiO2인 것의 질량, 트리알콕시실란(trialkoxysilane)의 경우는 SiO1 .5인 것의 질량이다.
여기서, 상기 바인더 형성재료의 실리콘레진의 굴절률 "Nd"는 1.40, 중공실리카 미립자의 굴절률 "Nf1"은 1.25, 실리카티타니아 미립자의 굴절률 "Nf2"는 1.85이고, Nf2>Nb>Nf1의 관계를 만족하는 것이었다.
또한, 이들 굴절률은 다음과 같이 측정하였다. 바인더 형성재료는 상기 액상코팅재 조성물을 투광성기판의 표면에 코팅하고, 건조시켜 박막화한 후, 엘립소메터(ellipsometer)로 박막의 굴절률을 측정하였다. 중공실리카 미립자 및 실리카티타니아 미립자의 각 굴절률은, 액침법(immersion method)을 이용하여 측정했다. 구체적으로는, 미립자를 여러 종류의 굴절률액으로 분산시켜 헤이즈메터(hazemeter) 를 이용하여, 그 여러 종류의 분산액의 헤이즈를 측정하고, 헤이즈가 0이 될 때의 굴절률액의 굴절률을, 미립자의 굴절률로 하였다. 또한, 헤이즈 값은 JIS-K-7136에 근거하여, 헤이즈메터(Nippon Denshoku Industrial Co., Ltd. 제품, 300A)를 이용하여 측정하였다. 중공실리카 미립자 및 실리카티타니아 미립자의 평균입자지름은, 상기와 같이 각각 10 ~ 20㎚이고, 이들 입자지름은 레이저 회절원리를 이용한 입도분포 측정장치(Hiroba, Ltd. 제품)를 이용하여 측정하였다.
다음으로, 투광성기재(1)로서 무알카리유리판(Corning Incorporated 제품, "No. 1737", 굴절률 1.51)을 이용하고, 스핀코팅에 의해 상기 코팅재 조성물을 투광성기재(1)의 표면에 1000rpm의 조전에서 도포하고, 도포한 코팅재 조성물을 건조시켜 피막을 제작하고, 또한 피막을 200℃에서 30분간 소성하여 열처리하는 것에 의해, 두께 약 500㎚의 광산란층(2)을 형성하였다. 이와 같이 하여 얻어진 광산란층(2)의 굴절률은 1.45이고, 투광성기재(1)의 굴절률보다 작은 것이었다. 또한, 광산란층(2)의 헤이즈 값은 3.0이었다.
다음으로, ITO(Indium Tin Oxide)타겟(Tosho Company 제품)을 이용하여, 상기와 같이 형성한 광산란층(2) 위에 스퍼터를 행하고, 두께 120㎚, 시트저항 15Ω/□의 투명전극층(7)을 양극으로 형성하였다. 이 투명전극층(7)을 아세톤, 순수(純水), 이소프로필아코올에서 15분간 초음파세정을 한 후, 건조시키고, 또한 UV-O3처리를 15분간 행하였다.
다음으로, 광산란층(2) 및 투명전극층(7)가 형성된 투광성기재(1)를 진공증착장치로 셋팅하고, 홀운송층(10)으로서, N, N'-디페닐-N, N'-비스(1-나프틸)-1, 1'-비페닐-4, 4'-디아민(NPB)(eRay Company 제품)을 투명전극층(7) 위에 40㎚의 막두께로 형성하였다.
다음으로, 홀운송층(10) 위에 유기발광층(8)겸 전자운송층으로서, 알루미늄-트리스(8-하이드록시퀴놀린)(Alq)(eRay Company 제품)를 60㎚의 막두께로 형성하였다. 또한, 그 위에 전자주입층(또는 전자운송층, 11)으로서, LiF(Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd. 제품)을 1㎚의 막두께로 형성하였다. 마지막으로, 전자주입층(11) 위에 Al(Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd. 제품)를 80㎚의 막두께로 진공증착하고, 음극으로서 대향전극(9)을 형성하고, 발광체(3)로서 유기이엘소자를 형성하였다.
그 후, 상기 각층이 형성된 투광성기재(1)를, 대기에 폭로하는 일 없이, 이슬점 -80℃이하의 드라이질소 분위기(dry nitrogen atmosphere)의 글로브박스(glove box)로 반송했다. 한편, 유리제의 봉지캡에 흡수제(Dynic Corporation 제품)를 붙임과 동시에, 봉지캡의 외주부에 자외선 경화수지성의 씰제를 도포한 것을 미리 준비하였다. 그리고, 글로브박스 내에서 유기이엘소자를 둘러싸도록 봉지캡을 투광성기재에 씰제로 밀봉하고, 자외선을 조사하여 씰제를 경화시키는 것에 의해, 유기이엘소자(발광체, 3)를 봉지캡으로 봉지하고, 면발광체를 얻었다.
(실시예 2)
광산란층(2)의 굴절률이 투광성기재(1)의 굴절률보다 작아지도록, 상기 실시예 1에서 얻은 실리콘레진 용액에, 중공실리카 미립자/실리카티타니아 복합미립자/실리콘레진(축합화합물환산)을 고형분 질량기준으로 60/10/30이 되도록 첨가하여 코팅재 조성물을 조제하고, 그 코팅제 조성물을 이용하여 실시예 1와 같은 식으로 광산란층(2)을 형성하였다. 광산란층(2)의 굴절률은 1.39이고, 투광성기재(1)의 굴절률 1.51보다 작은 것이었다. 그리고, 광산란층(2) 위에 실시예 1과 같은 식으로 하여 유기이엘소자(발광체, 3)를 형성하고, 면발광체를 얻었다.
(실시예3)
광산란층(2)의 굴절률이 투광성기재(1)의 굴절률보다 커지도록, 상기 실시예 1에서 얻은 실리콘레진 용액에 중공실리카 미립자/실리카티타니아 복합미립자/실리콘레진(축합화합물환산)을 고형분 질량기준으로 60/10/30이 되도록 첨가하여 코팅재 조성물을 제조하고, 이 코팅재 조성물을 이용하여 실시예 1와 같은 식으로 하여 광산란층(2)을 형성하였다. 광산란층(2)의 굴절률은 1.63이고, 투광성기재(1)의 굴절률 1.51보다 큰 것이었다. 그리고, 광산란층(2) 위에 실시예 1와 같은 식으로 하여 유기이엘소자(발광체, 3)를 형성하고, 면발광체를 얻었다.
(실시예 4)
실시예 1과 같은 식으로 하여 광산란층(2)을 형성하였다. 이어서, 광산란층(2) 위에 열분해형 투명도전(導電) ITO페이스트(Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 제품)를 스크린 인쇄법으로 인쇄코팅하고, 120℃에서 20분간 건조한 후에, 350℃에서 1시간 가열처리를 행하고, 투명전극층(7)을 양극으로 형성하였다. 그 후는, 실시예 1과 같은 식으로 하여, 유기이엘소자(발광체, 3)를 형성하고, 면 발광체를 얻었다.
(비교예 1)
광산란층(2)을 형성하지 않고, 무알카리유리의 표면에, 실시예 1과 같은 식으로하여 유기이엘소자(발광체, 3)를 형성하고, 면발광체를 얻었다.
(비교예 2)
실시예 1에서 얻은 실리콘레진 용액에 중공실리카 미립자 졸을, 중공실리카 미립자/실리콘레진(축합화합물환산)의 고형분 질량기준으로 70/30이 되도록 첨가하여(실리카티타니아 미립자는 무첨가), 코팅재 조성물을 조제하였다. 이 코팅재 조성물을 이용하여, 실시예 1와 같은 식으로 하여 광산란층(2)을 형성하고, 또한, 실시예 1과 같은 식으로 하여 유기이엘소자(발광체, 3)를 형성하고, 면발광체를 얻었다.
상기와 같이 하여 얻어진 실시예 1 ~ 4 및 비교예 1 ~ 2의 면발광체에 대하여 특성평가를 행하였다. 특성평가는 DC전원(Keithley Instruments Inc.제품)을 이용하고, 유기이엘소자(3)의 내부에 흐르는 전류를 10mA/㎠로 고정하고, 휘도계(Topcon Corporation 제품)를 이용하여 행하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 전류 - 전압특성은 각 예에 있어서 큰 차이를 발견할 수 없었다.
[표 1]
| 전압(V) | 휘도(cd/㎡) | 전류효과(cd/A) | |
| 실시예 1 | 4.43 | 476 | 4.76 |
| 실시예 2 | 4.40 | 490 | 4.90 |
| 실시예 3 | 4.42 | 400 | 4.00 |
| 실시예 4 | 4.49 | 450 | 4.50 |
| 비교예 1 | 4.38 | 330 | 3.30 |
| 비교예 2 | 4.39 | 340 | 3.40 |
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 각 실시예 1 ~ 4는 각 비교예 1 ~ 2보다 휘도가 높고, 빛의 방출효율이 높은 것이 확인되었다.
(실시예 5)
테트라엑톡시실란(tetraethoxysilane) 86.8질량부에 이소프로필알코올 803.5 질량부를 첨가하고, 또한 
-메타크록시프로필트리메톡시실란(
-methacryloxypropyltrymethoxysilane) 34.7질량부 및 0.1N-초산 75질량부를 첨가하고, 분산기를 이용하여 잘 혼합하여 용액을 얻었다. 얻어진 용액을 40℃ 항온조(thermostatic oven) 안에서 2시간 교반하고, 중량평균분자량이 1050인 바인더 형성재료로 실리콘레진 5질량% 용액을 얻었다.
다음으로, 이 실리콘레진 용액에 중공실리카 미립자(평균입자지름 60㎚, 외각(外殼)두께 10㎚)의 IPA 분산졸(고형분 : 20질량%, 분산매 : 이소프로필알코올, Catalysts and Chemicals Ltd. 제품)을 이소프로필알코올로 5질랑%가 되도록 희석한 졸과, 티타니아 미립자(평균입립자 지름 10㎚)의 메틸에틸케톤분산졸(고형분 : 20질량%, Catalysts and Chemicals Ltd. 제품)을 이소프로필알코올로 5질량%가 되도록 희석한 졸을, 중공실리카 미립자/티타니아 미립자/실리콘레진(축합화합물환산)의 고형분 질량기준으로 63/7/30이 되도록 첨가하여, 코팅재 조성물을 얻었다.
여기서, 상기 바인더 형성재료의 실리콘레진의 굴절률 "Nd"는 1.48, 중공실리카 미립자의 굴절률 "Nf1"은 1.25, 티타니아 미립자의 굴절률은 "Nf2"는 2.00이고, Nf2> Nb> Nf1의 관계를 만족하는 것이었다.
다음으로, 투광성기재(1)로서 무알카리유리판(Corning Incorporated 제품, "No. 1737", 굴절률 1.51)을 이용하고, 스핀코팅에 의해 상기 코팅재 조성물을 투 광성기재(1)의 표면에 1000rpm의 조건에서 도포하고, 건조시켜 피막을 제작하고, 피막을 200℃에서 30분간 소성하여 열처리하는 것에 의해, 두께 약 1000㎚의 광산란층(2)을 형성하였다. 광산란층(2)의 굴절률은 1.38이고, 투광성기재(1)의 굴절률보다 작은 것이었다. 또한, 광산란층(2)의 헤이즈 값은 2.0이었다.
다음으로, 광산란층(2) 위에 트리스(8-하이드로퀴놀린)알루미늄(Dojindo Laboratories 제품 "Alq3")을 100㎚의 두께로 제막하고, 발광층(8)으로 형광체의 박막을 형성하고, 면발광체를 얻었다.
(실시예 6)
실시예 5에서 얻은 실리콘레진 용액에 중공실리카 미립자/티타니아 미립자/실리콘레진(축합화합물환산)을 고형분 질량기준으로 49/21/30이 되도록 첨가하여 코팅재 조성물을 조제하고, 이 코팅재 조성물을 이용하여 실시예 5와 같은 식으로 하여, 광산란층(2)을 형성하였다. 그리고, 광산란층(2)위에 실시예 2와 같은 식으로 하여 형광체의 박막을 형성하고, 면발광체를 얻었다.
(실시예 7)
실시예 5에서 얻은 실리콘레진 용액에 중공실리카 미립자/티타니아 미립자/실리콘레진(축합화합물환산)을 고형분 질량기준으로 42/28/30이 되도록 첨가하여 코팅재 조성물을 조제하고, 이 코팅재 조성물을 이용하여 실시예 5와 같은 식으로 하여 광산란층(2)을 형성하였다. 그리고, 광산란층(2) 위에 실시예 5와 같은 식으로 하여 형광체의 박막을 형성하고, 면발광체를 얻었다.
(비교예 3)
광산란층(2)을 형성하지 않고, 무알카리유리의 투광성기재(1) 표면에 직접, 형광체의 박막을 형성하도록 한 것 이외에는, 실시예 5와 같은 식으로 하여 면발광체를 얻었다.
(비교예 4)
실시예 1에서 얻은 실리콘레진 용액에 중공실리카 미립자 졸을, 중공실리카 미립자/실리콘레진(축합화합물환산)의 고형분 질량기준으로 70/30이 되도록 첨가하여(티타니아 미립자는 무첨가), 코팅재 조성물을 조제하였다., 이 코팅재 조성물을 이용하여 실시예 5와 같은 식으로 하여 광산란층(2)을 형성하였다. 그리고, 실시예 5와 같은 식으로 하여 형광체의 박막을 형성하고, 면발광체를 얻었다.
상기와 같이 하여 얻어진 실시예 5 ~ 7 및 비교예 3 ~ 4의 면발광체에 대하여 형광체의 박막에 20W의 자외선 형광등을 조사(照射)하고, 투광성기재(1)의 표면에 휘도를 휘도계(Topcon Corporation 제품)를 이용하여 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 발광스펙트럼에는 어떠한 경우에도 큰 차이를 발견할 수 없었다.
[표 2]
| 휘도(cd/㎡) | |
| 실시예 5 | 8.2 |
| 실시예 6 | 13.3 |
| 실시예 7 | 10.3 |
| 비교예 3 | 3.9 |
| 비교예 4 | 7.4 |
표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 각 실시예 5 ~ 7은, 각 비교예 3 ~ 4보다 휘도가 높고, 빛의 방출효율이 높은 것이 확인되었다.
(제 2 실시형태)
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 면발광체에 대하여, 도 2A 및 도 2B를 참조하면서 설명한다. 도 2A는 광산란층(2)의 투광성기재(1)와 반대측의 표면에 발광체(3)가 형성된 면발광체의 구성을 나타내고, 도 2B는 광산란층(2) 위에 형성된 완화층(31)의 구성을 나타낸다. 제 2 실시형태에서는 광산란층(2)과 투명전극층(7) 사이에 완화층(31)이 형성되어있다.
투광성기판(1)의 재료로는, 빛을 투과시키는 것이라면 특별히 제한되지 않고 것이 가능하고, 예를 들면 소다유리나 무알카리유리 등의 단단한 투명유리판, 폴리카보네이트나 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 등의 부드러운 투명플라스틱판 등을 이용하는 것이 가능하다.
이 투명성기판(1)의 표면에 설치한 광산란층(2)은 빛을 산란시키는 구조를 갖는 것이면 좋고, 상기 제 1 실시형태와 같이 입자를 함유하는 바인더를 투광성 기판(1)의 표면에 코팅하여 형성된 것이 적합하지만, 투광성기판(1)의 표면에 수지코팅층을 패터닝(patterning)하여 형성된 것, 분사기(sandblasting) 등으로 투광성기판(1)의 표면을 처리하는 것에 의해, 투광성기판(1)의 표면에 형성된 미세한 요철을 갖는 층이어도 좋다. 빛을 산란시키는 구조는, 등방(等方)적인 산란, 또는 지향성을 갖는 산란이어도 좋고, 방출하고 싶은 빛이나 각도에 따라 적절하게 선택하면 좋다.
광산란층(2)에 입자를 함유하는 바인더를 코팅하는 경우, 그 입자로는, 투 명입자가 이용되고, TiO2, SiO2, ZrO2, Al2O3, Ta2O3, ZnO2, Sb2O3, ZrSiO4, 제올라이트 또는 이들의 다공성물질이나 이들을 주성분으로 한 무기입자, 또는 아크릴수지, 스틸렌수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트수지, 실리콘수지 등의 유기입자를 예로 드는 것이 가능하다. 이 입자의 입자지름은, 유효한 Mie산란을 시키기 때문에 100㎚ ~ 20㎛의 범위가 적합하다.
바인더로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리메틸메탈크릴에이트(polymethyl methacrylate), 폴리스틸렌, 폴리에스테르설폰(polyester sulfone), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리카보네이트수지, 폴리우레탄, 아크릴수지, 폴리아크릴니트릴(poly acryl nitril), 폴리비닐아세탈(poly vinyl acetal), 폴리아미드(polyamide), 폴리이미드(polyimide), 디아크릴프탈레이트(diacrylicphthalate)수지, 셀룰로오즈계수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴(polyvinyliden chloride), 폴리초산비닐, 그 밖의 열가소성수지나, 이들 수지를 구성하는 단량체의 2종 이상의 공중합체를 들 수 있다. 또한, 바인더로서 폴리실록산(polysiloxane)으로 이루어진 실리카 다공질체를 이용하는 것도 가능하다. 이 폴리실록산은, 테트라에톡실란(tetraethoxysilane) 등의 알콕시실란(alkoxysilane) 또는 그 부분 가수분해물을 축중합하여 얻어진다.
바인더의 굴절률과 광산란체인 입자의 굴절률의 차는 통상 0.01 ~ 2의 범위가 적합하고, 이 굴절률 차가 너무 작으면 유효한 Mie산란을 얻는 것이 곤란해지고, 굴절률이 너무 크면 후방산란이 증대하고, 빛 방출률을 충분히 얻을 수 없게 될 우려가 있다.
입자를 바인더에 배합하여 얻어진 코팅재료를 투광성기판(1)의 표면에 코팅하는 방법으로는, 스핀코팅, 딥코팅(dip coating), 다이코팅(die coating), 캐스팅(casting), 스프레이 코팅, 그라비아 코팅(gravure coating) 등을 예로 들 수 있다. 이 광산란층(2)의 막두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 0.1 ~ 20㎛ 정도의 범위가 적합하다.
또한, 상기 제 1 실시형태의 경우와 같은 식으로, 굴절률이 다른 2종류의 미립자를 이용하고, 광산란층(2)을 형성하는 것이 적합하다. 더욱이, 이와 같은 2종류의 미립자를 함유하는 광산란층(2)을 투광성기판(1)의 표면에 형성한 후에, 그 위에 상기 Mie산란용의 입자지름을 함유하는 광산란층(2)을 형성하도록 하여도 좋다.
상기 어떠한 방법으로 광산란층(2)을 형성하여도, 광산란층(2)의 표면은 요철을 갖는 거친 면이 된다. 예를 들면, 입자를 함유하는 코팅재료로 광산란층(2)을 형성하는 경우, 광산란층(2)의 표면에 노출하는 입자에 의해 요철이 생긴다. 그렇기 때문에, 광산란층(2)의 표면에 직접, 투명전극층(7)을 형성하면, 투명전극층(7)은 막두께가 얇기 때문에, 요철 형상을 따라 그대로 형성된다. 그 결과, 전기특성에 문제가 생기거나, 또는 합선이 발생할 우려가 있다. 그래서, 광산란층(2)의 투광성기재(1)와 반대측의 표면에 완화층(31)을 형성하고, 광산란층(2)의 표면에 요철을 그 완화층(31)으로 메우기 때문에, 완화층(31)의 평활한 표면 위에 투명전극층(7)을 형성한다.
이 완화층(31)은 수지 코팅층에서 형성하는 것이 가능하다. 코팅수지의 재료로는, 광투과성을 갖는 것이면 좋고, 특별히 한정되는 것은 아니다. 폴리에스테르, 폴리에테르, 폴리에틸케톤, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리이미드아미드, 에폭시, 폴리우레탄, 폴리우레탄아크릴레이트, 폴리카보네이트 등을 예로 드는 것이 가능하다. 그중에서도, 폴리이미드, 폴리이미드아미드, 에폭시, 폴리우레탄 등의 열경화성수지를 이용하는 것이 적합하다.
코팅수지를 광산란층(2)의 표면에 코팅한 후, 가열하여 경화시키는 것에 의해, 완화층(31)이 형성된다. 완화층(31)의 막두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 1 ~ 20㎛정도의 범위가 적합하다.
이 완화층(31)을 형성하는 수지의 굴절률은, 투명전극층(7)과 완화층(31)과의 계면에서 전반사를 저감하고, 보다 많은 빛을 광산란층(2)으로 이끌기 때문에, 투명전극층(7)의 굴절률보다 높거나 또는, 투명전극층(7)의 굴절률보다 낮은 경우에도 그 굴절률의 차가 작은 것이 바람직하다. 또한, 광산란층(2)을 코팅에 의해 형성하는 경우, 완화층(31)을 형성하는 수지의 굴절률ㅇ은, 광산란층(2)의 굴절률보다도 낮거나 또는 광산란층(2)의 굴절률보다 높은 경우에도 그 굴절률 차가 작은 것이 바람직하다.
이상적으로는, 완화층(31)의 층내 굴절률이, 투명전극층(7) 측에서 광산란층(2) 측으로 서서히 높아지거나, 작아지도록 경사지게 하여, 투명전극층(7)과의 계면에는 완화층(31)의 굴절률이 투명전극층(7)의 굴절률과 거의 같아지고, 광산란층(2)과의 계면에서는 완화층(31)의 굴절률이 광산란층(2)의 굴절률과 거의 같아지 도록 하는 것이 적합하다. 이 경우에는, 완화층(31)과 투명전극층(7)이나 광산란층(2)과의 사이에 굴절률이 다른 광학적인 계면이 없어지고, 계면에서의 전반사 손실을 없애는 것이 가능하다.
상기와 같이 광산란층(2)의 표면에 완화층(31)을 설치한 후, 완화층(31)의 광산란층(2)과 반대측의 표면에 투명전극층(7)을 형성한다. 투명전극층(7)의 재료로는, 본 발명의 효과에 방해가 되지 않는 한도에서 임의의 것을 이용하는 것이 가능하고, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 주석산화물, Au 등의 금속의 극박막, 도전성고분자, 도전성의 유기재료, 도펀트(dopant, 도너 또는 억셉터)함유유기층, 도전체와 도전성유기재료(고분자포함)의 혼합물, 또는 이들 적층체 등을 예로 드는 것이 가능하다. 이들 투면전극층(7)은 통상, 스퍼터법(sputtering mehtod)이나 이온플레팅법(ion plating method) 등의 기상성장법(vapor phase epitaxial method)을 이용하여 형성된다. 투명전극층(7)의 막두께가 특별히 한정되는 것은 아니지만, 50 ~ 300㎚정도가 적합하다.
투명전극층(7)을 형성할 때에, 전극재료를 아닐(anneal)하기 위해서 가열처리를 행한다. 가열처리는, 완화층(31)을 형성하는 수지를 경화시키기위한 가열온도인 경화온도를 넘는 높은 온도에서 행한다. 완화층(31)을 형성하는 수지의 경화온도보다 높은 온도에서 가열처리를 행하면, 완화층(31)에 보이드(voids, 기포, 6)의 발생을 볼 수 있다. 보이드(32)가 발생하는 메커니즘은 반드시 명확한 것은 아니지만, 다음의 것을 생각할 수 있다. 즉, 완화층(31)을 형성하는 수지가 경화온도 보다 높은 온도에서 가열되는 것에 의해, 이 완화층(31)의 수지는 더욱 경화하여 수축하는데, 완화층(31)이 투명전극층(7)과 밀착하고 있는 부분은 수축이 제한되기 때문에, 다른 부분에 대하여 늘어난 상태가 되고, 완화층(31)을 형성하는 수지에 공극(air gap)으로 보이드(32)가 생성되는 것이라고 생각된다.
따라서, 도 2B에 나타낸 바와 같이, 보이드(32)는 완화층(31)의 투명전극층(7)과의 계면 부근에 많이 생성되지만, 완화층(31)의 내부에도 보이드(32)는 생성되어 있다. 가열처리의 조건은, 완화층(31)을 형성하는 수지의 경화온도보다 높은 온도이면 좋고, 특별히 한정되는 것은 아니다. 완화층(31)을 형성하는 수지의 경화온도를 T℃라고 하면, T℃+5℃~T℃+100℃의 범위에서 가열온도를 설정하는 것이 적합하고, 또한 가열시간은 10분간 ~ 2시간 정도가 적합하다.
생성되는 보이드(32)의 크기는 완화층(31)을 형성하는 수지의 선정이나 가열처리의 조건의 선정에 따라 조정하는 것이 가능하고, 보이드(32)의 직경이 5 ~ 300㎚의 범위인 것이 적합하다. 보이드(32)의 직경이 5㎚ 미만이면, 빛을 산란시키는 효과가 적고, 또한 보이드(32)의 직경이 300㎚를 넘으면, 완화층(31)과 투명전극층(7)과의 계면의 밀착성이 불충분하게 되어, 장치의 신뢰성이 손상될 우려가 있다.
다음으로, 투명전극층(7)을 완화층(31)의 표면에 설치한 후, 투명전극층(7)의 완화층(31)과 반대측의 표면에 발광층(8)을 형성한다. 더욱이, 발광층(8)의 투명전극층(7)과 반대측의 표면에 대향전극(9)을 설치하는 것에 의해, 유기이엘소자로 이루어진 도 2A에 나타낸 바와 같은 면발광체가 형성된다. 대향전극(9)의 재료로는 Al 등을 이용하는 것이 가능하지만, Al과 다른 전극재료를 조합하여 적층구조 등으로 있어도 좋다. 이와 같은 전극재료의 조합으로는, 알카리금속과 Al과의 적층체, 알카리금속과 은과의 적층체, 알카리금속의 할로겐화물과 Al과의 적층체, 알카리금속의 산화물과 Al과의 적층체, 알카리토류금속이나 희토류금속과 Al과의 적층체, 이들 금속종류와 다른 금속과의 합금 등을 예로 들 수 있다. 보다 구체적으로는 예를 들면, 나트륨, 나트륨-칼륨합금, 리튬, 마그네슘 등과 Al과의 적층체, 마그네슘-은 혼합물, 마그네슘-인듐 혼합물, 알루미늄-리튬 합금, LiF/Al혼합물/적층체, Al/Al2O3 혼합물 등을 예로 드는 것이 가능하다.
또한, 제 1 실시형태의 경우와 같은 식으로, 발광층(8)과 투명전극층(7) 및 대향전극(9)의 사이에, 홀운송층, 전자운송층, 버퍼(buffer)층, 또는 전극제막 시의 데미지를 저감하기 위한 층을 형성하여도 좋다.
상기와 같이 형성된 면발광체에 있어서, 투명전극층(7)과 대향전극(9)과의 사이에 전압을 인가하는 것에 의해 발광층(8)에서 발광한 빛은 투명전극층(7)에서 완화층(31) 및 광산란층(2)을 투과하고, 더욱이 투광성기판(1)을 투과하여 방출된다. 이때, 완화층(31)에는 투명전극층(7)과의 계면에 보이드(32)가 형성되어 있고, 투명전극층(7)과 완화층(31)의 계면에 광산란층 구조가 형성되어 있기 때문에, 투명전극층(7)에서 완화층(31)으로 입사하는 빛은 계면에서 산란되고, 투명전극층(7)과 완화층(31)의 계면에서 빛의 전반사를 억제하는 것이 가능하다. 또한, 완화층(31)에서 광산란층(2)으로 입사하는 빛은 광산란층(2)에서 산란되기 때문에, 광산란층(2)과 투광성기판(1)과의 계면에서 빛의 전반사를 억제하는 것이 가능하다. 더욱이, 완화층(31)의 내부에도 보이드(32)가 형성되어 있기 때문에, 빛은 완화층(31)의 내부에서도 산란되고, 광산란층(2)에서 투광성기판(1)으로의 입사효율이 높아진다. 이와 같이 각 계면에서의 전반사를 억제하는 것에 의해, 투명전극층(7)에서 완화층(31), 광산란층(2), 투광성기판(1)으로 빛을 효율 좋게 투과시켜, 투광성기판(1)에서 방출하는 것이 가능하고, 발광층(8)에서 발광한 빛의 방출효율이 향상한다.
또한, 완화층(31)의 표면에 투명전극층(7)을 형성한 후, 가열처리를 행하는 것에 의해서, 투명전극층(7)과 완화층(31)의 계면에 투명전극층(7)의 재료와 완화층(31)을 형성하는 수지가 혼합된 중간층을 형성하여도 좋다. 중간층은, 투명전극층(7)의 재료와 완화층(31)을 형성하는 수지가 혼합된 것이기 때문에, 중간층의 굴절률은 투명전극층(7) 측에서 완화층(31) 측으로, 투명전극층(7)의 굴절률에서 완화층(31)의 굴절률로 서서히 변화하고, 경사진 것이 된다. 따라서, 투명전극층(7)과 완화층(31) 사이에 중간층을 형성하는 것에 의해, 투명전극층(7)과 완화층(31) 사이에 굴절률이 다른 광학적인 계면이 없어지고, 계면에서 전반사 손실을 없애는 것이 가능하다. 물론, 이 가열처리에 의해, 중간층과 투명전극층(7)과의 계면부근, 중간층과 완화층(31)와의 계면부근, 중간층 내부에 보이드(32)가 생성된다.
다음으로, 제 2 실시형태에 관한 면발광체를 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 또한, 중량평균분자량은, GPC(gel permeation chromatography)에 의해 측정기로 Tosho Corp.제품 "HLC-8120"을 이용하고, 표준 폴리스틸렌으로 검색선을 작성하고, 그 환산 값으로 측정하였다.
(실시예 8)
테트라엑톡시실란(tetraethoxysilane) 86.8질량부에 이소프로필알코올 803.5질량부를 첨가하고, 또한, 
-메타크록시프로필트리메톡옥시실란(methacryloxypropyltrymethoxysilane) 34.7질량부 및 0.1N-초산 75질량부를 첨가하고, 분산기을 이용하여 잘 혼합하여 용액을 얻었다. 얻어진 용액을 40℃ 항온조(thermostatic oven) 안에서 2시간 교반하고, 중량평균분자량이 1050인 실리콘레진 5질량% 용액을 얻었다. 다음으로, 이 실리콘레진 용액에 메틸실리콘입자(GE Toshiba Silicones Co., Ltd. 제품 "Tosperal 120" : 평균입자지름 2㎛)를, 메틸실리콘입자/실리콘레진(축합화합물환산)의 고형분 질량기준으로 80/20이 되도록 첨가하여 호모지나이저(homogenizer)로 분산시키는 것에 의해, 메틸실리콘입자 분산실시콘레진 용액을 얻었다. 또한, 상기 "축합화합물환산"이라는 것은 테트라알콕시실란(tetraalkoxysilane)의 경우는, 존재하는 Si가 SiO2인 질량이다.
다음으로, 투광성기판(1)으로 무알카리유리판(Corning Incorporated 제품, "No. 1737")을 이용하고, 메틸실리콘입자 분산실시콘레진 용액을 투광성기판의 표면에 스핀코팅하여 1000rpm의 조건에서 도포·건조하고, 이 도포·건조를 6회 반복한 후에, 200℃에서 30분간 소성하여 열처리하는 것에 의해, 두께 약 5㎛의 광산란층(2)을 형성하였다. 광산란층(2)이 형성된 투광성기판(1)의 광학물성을 헤이즈메터(Nippon Denshoku Industrial Co., Ltd.제품 "NDH-2000")로 측정했을 때, 헤이즈 값은 95.4, 전광선 투과율은 73.4%였다.
다음으로, 광산란층(2)의 표면에 스핀코팅법으로, 이미드(imide)계 수지 코팅재(OPTMATE Corporation 제품 "HRI1783", nD=1.78, 농도 18질량%)를 2000rpm의 조건에서 도포하고, 건조시켜, 200℃에서 30분간 가열하여 경화시키는 것에 의해, 두께 약 4㎛의 완화층(31)을 형성하였다.
다음으로, ITO타겟(Tosoh company 제품)을 이용하여, 완화층(31)의 표면에 스퍼터를 하는 것에 의해, 완화층(31) 위에 120㎚의 막두께로 ITO막을 형성하였다. 다음으로, ITO막이 형성된 투광성기판(1)을 Ar 분위기하, 300℃에서 1시간, 가열처리하는 것에 의해, ITO막을 아닐(aneal)하여, 시트저항 18Ω/□의 투광전극층(7)을 형성하였다. 이때, 전자현미경으로 완화층(31)을 관찰했을 때, 투명전극층(7)의 계면을 따라, 직경 5 ~ 100㎚의 보이드(32)가 약 20%면적의 분포밀도로 형성되어 있는 것이 확인되었다. 또한, 투명전극층(7)과의 계면에 형성된 보이드(32)보다 분포밀도는 작지만, 완화층(31)의 내부에도 보이드(32)가 형성되어 있는 것이 확인되었다.
다음으로, 투명전극층(7)이 형성된 투광성기판(1)을 아세톤, 순수(純水), 이소프로필알코올에서 15분간 초음파 세정을 한 후, 건조시켜, UV-O3처리를 15분간 행하였다. 그 후, 이 투광성기판(1)을 진공증착장치에 셋팅하고, 홀운송층으로 N, N'-디페닐-N, N'-비스(1-나프틸)-1, 1'-비페닐-4, 4'-디아민(NPB, eRay Company 제품)을 투명전극층(7) 위에 40㎚의 막두께로 형성하고, 그 위에 전자운송층겸 발광층(8)으로, 알루미늄-트리스(8-하이드로퀴놀린) (Alq, eRay Company 제품)을 600㎚ 의 막두께로 형성하고, 그 위에 전자주입층으로, LiF(Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd. 제품)를 1㎚의 막두께로 형성하였다. 마지막으로, 전자주입층(11) 위에 Al(Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd. 제품)를 80㎚의 막두께로 진공증착하고, 음극으로서 대향전극(9)을 형성하였다.
그 후, 상기 각층이 형성된 투광성기판(1)을, 대기에 폭로하는 일 없이, 이슬점 -80℃이하의 드라이질소 분위기의 글로브박스로 반송했다. 한편, 유리제의 봉지캡에 흡수제(Dynic Corporation 제품)를 붙임과 동시에, 봉지캡의 외주부에 자외선 경화수지성의 씰제를 도포한 것을 미리 준비하였다. 그리고, 글로브박스 내에서 각층을 둘러싸도록 봉지캡을 투광성기판(1)에 씰제로 밀봉하고, 자외선을 조사하여 씰제를 경화시키는 것에 의해, 각층을 봉지캡으로 봉지하고, 도 2A에 나타낸 바와 같은 층구성의 유기이엘소자로 이루어진 면발광체를 얻었다.
(실시예 9)
테트라엑톡시실란(tetraethoxysilane) 86.8질량부에 이소프로필알코올 803.5질량부를 첨가하고, 또한, 
-메타크록시프로필트리메톡옥시실란(methacryloxypropyltrymethoxysilane) 34.7질량부 및 0.1N-초산 75질량부를 첨가하고, 분산기를 이용하여 잘 혼합하여 용액을 얻었다. 얻어진 용액을 40℃ 항온조(thermostatic oven) 안에서 2시간 교반하고, 중량평균분자량이 1050인 실리콘레진 5질량% 용액을 얻었다. 다음으로, 이 실리콘레진 용액에 중공실리카 미립자(평균입자지름 60㎚, 외각(外殼)두께 10㎚)의 IPA 분산졸(고형분 : 20질량%, 분산매 : 이소프로필알코올, Catalysts and Chemicals Ltd. 제품)을 이소프로필알코올로 5질 랑%가 되도록 희석한 졸을, 중공실리카 미립자/실리콘레진(축합화합물환산)의 고형분 질량기준으로 35/30이 되도록 첨가하여, 중공실리카 미립자 함유 실리콘레진 용액을 얻었다. 또한, 이 용액에 티타니아입자의 표면을 실리카로 피복한 실리카티타니아 복합미립자(평균입자지름 10 ~ 20㎚)의 메틸에틸케톤분산졸(고형분 : 20질량%, Catalysts and Chemicals Ltd. 제품)을 이소프로필알코올로 5질랑%가 되도록 희석한 졸을, 중공실리카 미립자/실리카티타니나 복합미립자/실리콘레진(축합화합물환산)의 고형분 질량기준으로 35/35/30이 되도록 첨가하여, 최종적으로 코팅재 조성물을 얻었다.
여기서, 상기 바인더 형성재료의 실리콘레진의 굴절률 "Nd"는 1.40, 중공실리카 미립자의 굴절률 "Nf1"은 1.25, 티타니아 미립자의 굴절률은 "Nf2"는 1.85이고, Nf2>Nb>Nf1의 관계를 만족하는 것이었다.
다음으로, 투광성기판(1)은 무알카리유리판(Corning Incorporated 제품, "No. 1737", 굴절률 1.51)을 이용하고, 스핀코팅하여 상기 코팅재 조성물을 투광성기판(1)의 표면에 1000rpm의 조건에서 도포하고, 건조시켜 피막을 제작하고, 200℃에서 30분간 소성하여 열처리하는 것에 의해, 두께 약 500㎚의 광산란층(2)을 형성하였다. 광산란층(2)의 굴절률은 1.45이고, 투광성기판(1)의 굴절률보다 작은 것이었다. 또한, 광산란층(2)의 헤이즈 값은 3.0이고, 전광선 투과율은 85.7%였다.
이와 같이 두께 약 500㎚의 광산란층(2)을 형성한 후, 실시예 8과 같은 식으로 하여 메틸실리콘입자 분산실리콘레진 용액을 그 위에 도포하고, 건조시켜, 소성 하고, 두께 약 5㎛의 광산란층(2)을 형성하고, 실시예 8과 같은 식으로 완화층(31), 투명전극층(7), 발광층(8), 대향전극(9)을 형성함과 동시에, 봉지캡으로 봉지하는 것으로, 유기이엘소자로 이루어진 면발광체를 얻었다.
(비교예 5)
투광성기판(1)의 표면에 직접 ITO막을 스퍼터링하고, 300℃에서 1시간 가열처리를 하여 아닐(anneal)을 한 투명전극층(7)을 형성하였다. 그리고, 그 위에 실시예 8과 같은 식으로 발광층(8), 대향전극(9)을 형성함과 동시에, 봉지캡으로 봉지하는 것에 의해, 유기이엘소자로 이루어진 면발광체를 얻었다.
(비교예 6)
실시예 8에서, ITO막을 스퍼터링 한 후에, 200℃에서 1시간 가열처리를 하여 아닐(anneal)을 한 투명전극층(7)을 형성하였다. 그 밖에는 실시예 8과 같은 식으로하여, 유기이엘소자로 이루어진 면발광체를 얻었다. 여기에서, 투명전극층(7)의 시트저항은 실시예 8과 같았지만, 가열처리의 온도가 낮기 때문에 전자현미경으로 완화층(31)을 관찰했을 때, 완화층(31)에 보이드의 발생은 볼 수 없었다.
상기와 같이 하여 실시예 8 ~ 9 및 비교예 5 ~ 6에서 얻어진 유기이엘소자로 이루어진 면발광체의 특성을 DC전류(Keithley Instruments Inc. 제품)를 이용하고, 소자 내부에 흐르는 전류를 10mA/㎠로 고정하고, 휘도계(Topcon Corporation 제품)를 이용하여 평가하였다. 이때, 정면휘도를 전류효율(cd/A)과 함께, 10°마다의 각도방위에서 -180°~ +180°의 범위에서 측정하고, 전광속(전력효율 lm/W)을 산출하였다. 그 결과는, 비교예 5의 경우를 1로 한 상대 수치로, 표 3에 나타낸다. 또한, 전류-전압 특성은, 실시예 8 ~ 9 및 비교예 5 ~ 6에 있어서 큰 차이는 볼 수 없었다. 또한, 발광스펙트럼에서도 큰 차이는 볼 수 없었다.
[표 3]
| 전류효율(cd/A) | 전력효율(1m/W) | |
| 실시예 8 | 1.8 | 1.8 |
| 실시예 9 | 1.8 | 2.0 |
| 비교예 5 | 1 | 1 |
| 비교예 6 | 1.4 | 1.4 |
표 3에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예 8 ~ 9는, 비교예 5는 물론, 비교예 6에 대해서도 빛의 방출효율이 향상한 것이 확인되었다.
Claims (12)
- 투광성기재와, 상기 투광성기재의 표면에 형성된 광산란층과 상기 광산란층의 표면에 형성되고, 빛 또는 전기에너지에 의해 발광하는 유기 또는 무기의 발광체층을 구비한 면발광체이고, 상기 광산란층은 바인더 및 2종류의 충전재를 포함하고, 상기 바인더의 굴절률을 "Nb", 상기 2종류의 충전재 중 한쪽의 굴절률을 "Nf1", 다른 쪽의 굴절률을 "Nf2"로 했을 때, Nf2>Nb> Nf1의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 면발광체.
- 제 1항에 있어서, 상기 광산란층의 굴절률이 상기 투광성기재의 굴절률 이하인 것을 특징으로 하는 면발광체.
- 제 1항에 있어서, 상기 광산란층의 헤이즈 값((확산투과율/전투과율)×100)이 2 ~ 50의 범위인 것을 특징으로 하는 명발광체.
- 제 1항에 있어서, 상기 2종류의 충전재의 굴절률을 "Nf1"과 "Nf2"의 차이 |Nf2-Nf1|가, 0.5이상인 것을 특징으로 하는 면발광체
- 제 1항에 있어서, 상기 2종류의 충전재의 평균입자지름이 각각 5 ~ 200㎚의 범위인 것을 특징으로 하는 면발광체.
- 제 1항에 있어서, 상기 2종류의 충전재에서 한쪽 충전재의 평균입자지름과 다른 쪽 충전재의 평균입자지름은 2배 이상의 차가 있는 것을 특징으로 하는 면발광체.
- 제 1항에 있어서, 상기 2종류의 충전재 중 한쪽 충전재의 굴절률 "Nf1"이, 1.40이하인 것을 특징으로 하는 면발광체.
- 제 1항에 있어서, 상기 발광체층은 전기에너지에 의해 여기(勵起)되어 발광하는 것이고, 상기 광산란층의 표면에 도포법에 의해 투명전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 면발광체.
- 제 1항에 있어서, 상기 광산란층과 상기 발광체층 사이에, 상기 광산란층의 표면 거칠기를 평평하게 하기 위해서 완화층과 투명전극층이 이 순서대로 형성되고, 적어도 상기 완화층과 상기 투명전극층의 계면 또는 그 부근에 빛을 산란시키는 광산란구조를 형성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 면발광체.
- 제 9항에 있어서, 상기 광산란구조는 상기 완화층과 상기 투명전극층의 계면 또는 그 부근에 형성되는 보이드(voids)인 것을 특징으로 하는 면발광체.
- 제 10항에 있어서, 상기 보이드는 상기 완화층의 층 내부에도 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 면발광체.
- 제 10항에 있어서, 상기 보이드는 직경이 5 ~ 300㎚인 것을 특징으로 하는 면발광체.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013009150A2 (ko) | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 엘티씨 (주) | 높은 광추출 성능을 갖는 무기미립자 산란막 |
| WO2013141677A1 (ko) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 |
| WO2014084012A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | シャープ株式会社 | 散乱体基板 |
| KR20170074936A (ko) * | 2014-10-24 | 2017-06-30 | 코닝 인코포레이티드 | 향상된 도파 모드 커플링을 사용하는, 광 추출이 개선된 oled |
Families Citing this family (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5065776B2 (ja) * | 2007-06-22 | 2012-11-07 | パナソニック株式会社 | 面発光体 |
| JP5139781B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2013-02-06 | シャープ株式会社 | 機能性フィルム及び表示装置 |
| JP2009244382A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Sharp Corp | 機能性フィルム及び表示装置 |
| TWI365999B (en) * | 2008-07-31 | 2012-06-11 | Benq Materials Corp | Antiglare film and method of forming the same |
| JP5321010B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2013-10-23 | 住友大阪セメント株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| JP5572305B2 (ja) | 2008-12-12 | 2014-08-13 | 株式会社日立製作所 | 発光素子，発光素子を用いた発光装置、及び発光素子に使用される透明基板 |
| US7957621B2 (en) * | 2008-12-17 | 2011-06-07 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
| JP2010157424A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機ｅｌ発光装置 |
| JP2010157421A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機ｅｌ発光装置 |
| JP5179392B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-04-10 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ発光装置 |
| JP5255532B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-08-07 | 富士フイルム株式会社 | Ｅｌ素子、導電膜形成用感光材料および導電膜 |
| JP2010256458A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 光取出し部材用微粒子分散物、コーティング組成物、光取出し部材、及び有機電界発光表示装置 |
| JP2011128357A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Canon Inc | 画像表示装置 |
| TW201123961A (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-01 | Au Optronics Corp | Organic light emitting diode (OLED) display device |
| WO2011126097A1 (ja) * | 2010-04-08 | 2011-10-13 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および有機ｌｅｄ素子の製造方法 |
| US8427747B2 (en) * | 2010-04-22 | 2013-04-23 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction films laminated onto glass substrates |
| EP2383817A1 (en) * | 2010-04-29 | 2011-11-02 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
| ITMI20101250A1 (it) * | 2010-07-07 | 2012-01-08 | Getters Spa | Miglioramenti per fosfori |
| JP5438728B2 (ja) * | 2010-08-02 | 2014-03-12 | レンゴー株式会社 | 銀イオンを含有するフォトルミネッセント材料 |
| JP5610623B2 (ja) * | 2010-09-21 | 2014-10-22 | 日東電工株式会社 | 有機ｅｌデバイス |
| US9224983B2 (en) * | 2010-12-20 | 2015-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate for surface light emitting device and method of manufacturing the substrate, surface light emitting device, lighting apparatus, and backlight including the same |
| JP5827578B2 (ja) | 2011-02-14 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光学素子の作製方法 |
| JP5735819B2 (ja) | 2011-02-22 | 2015-06-17 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP5998124B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-09-28 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および透光性基板の製造方法 |
| TWI577523B (zh) * | 2011-06-17 | 2017-04-11 | 三菱麗陽股份有限公司 | 表面具有凹凸結構的模具、光學物品、其製造方法、面發光體用透明基材及面發光體 |
| DE102011110018A1 (de) | 2011-08-11 | 2013-02-14 | Aaa Water Technologies Ag | Absorptionskältemaschine |
| TWI481091B (zh) * | 2011-08-22 | 2015-04-11 | Au Optronics Corp | 有機發光二極體結構與光學膜的製作及使用方法 |
| DE102011113314A1 (de) | 2011-09-14 | 2013-03-14 | Aaa Water Technologies Ag | Rektifikationsanlage |
| US9054338B2 (en) * | 2011-09-30 | 2015-06-09 | General Electric Company | OLED devices comprising hollow objects |
| KR20130111156A (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 |
| KR102130063B1 (ko) | 2012-04-05 | 2020-08-06 | 코닝 인코포레이티드 | 디스플레이 요소를 제공하기 위한 방법 및 장치 |
| JP6155566B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2017-07-05 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子用の積層基板、透明電極付き積層基板、及び有機ｌｅｄ素子 |
| WO2014006987A1 (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | シャープ株式会社 | 蛍光材料、蛍光塗料、蛍光体基板、電子機器およびｌｅｄパッケージ |
| EP2882007A4 (en) * | 2012-07-31 | 2016-03-16 | Lg Chemical Ltd | SUBSTRATE FOR ORGANIC ELECTRONIC DEVICE |
| EP2882006B1 (en) * | 2012-07-31 | 2021-05-19 | LG Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic device |
| DE102012109258B4 (de) * | 2012-09-28 | 2020-02-06 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
| EP2904652B1 (en) * | 2012-10-01 | 2020-07-15 | Corning Incorporated | Oled comprising light extraction substructures and display devices incorporating the same |
| CN202948938U (zh) * | 2012-11-30 | 2013-05-22 | 法国圣戈班玻璃公司 | 光学组件及光伏器件 |
| WO2014104059A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 昭和電工株式会社 | 有機発光素子、積層基板および有機発光素子の製造方法 |
| CN104009168A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| WO2014181515A1 (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| ES2564141T3 (es) * | 2013-06-14 | 2016-03-18 | Saint-Gobain Glass France | Substrato de OLED difusor transparente y método para producir tal substrato |
| KR102122359B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2020-06-12 | 삼성전자주식회사 | 발광장치 제조방법 |
| TW201523926A (zh) * | 2013-12-12 | 2015-06-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 白光led封裝結構 |
| FR3015116B1 (fr) * | 2013-12-17 | 2016-01-01 | Saint Gobain | Support extracteur de lumiere et dispositif oled l'incorporant. |
| CN103682160B (zh) * | 2013-12-30 | 2017-05-03 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN106105389B (zh) * | 2014-03-14 | 2018-08-10 | 凸版印刷株式会社 | El元件、el元件用基板、照明装置、显示器装置及液晶显示器装置 |
| JP6573160B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2019-09-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光素子 |
| KR20170132257A (ko) * | 2015-03-31 | 2017-12-01 | 코닝 인코포레이티드 | 광 산란 표면을 포함하는 도파관 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR102377173B1 (ko) * | 2015-08-25 | 2022-03-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 |
| US11294106B2 (en) * | 2016-02-10 | 2022-04-05 | 3M Innovative Properties Company | Unitary optical film assembly |
| TWI577050B (zh) | 2016-03-29 | 2017-04-01 | 華碩電腦股份有限公司 | 具紋路的發光結構 |
| JP6638927B2 (ja) * | 2016-05-23 | 2020-02-05 | エルジー・ケム・リミテッド | 基板 |
| TWI688128B (zh) * | 2016-10-06 | 2020-03-11 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體晶片級封裝結構及直下式背光模組 |
| KR102274462B1 (ko) * | 2017-07-11 | 2021-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
| KR102326303B1 (ko) * | 2017-07-11 | 2021-11-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 |
| JPWO2019058512A1 (ja) * | 2017-09-22 | 2020-10-15 | オリンパス株式会社 | 観察システム |
| CN108470847A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件及其制作方法、显示装置 |
| CN110429198B (zh) * | 2018-09-28 | 2022-05-06 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 光提取材料、光提取层及其制备方法和应用 |
| WO2020185544A1 (en) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | Mevion Medical Systems, Inc. | Delivery of radiation by column and generating a treatment plan therefor |
| US20240141183A1 (en) * | 2021-03-11 | 2024-05-02 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Coating agent manufacturing kit, coating agent, and method for producing electronic substrate and electronic component module |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2931211B2 (ja) | 1994-09-13 | 1999-08-09 | 出光興産株式会社 | 有機ｅｌ装置 |
| JPH10321371A (ja) | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Asahi Glass Co Ltd | 新規有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及びその応用 |
| KR100338140B1 (ko) * | 1998-09-25 | 2002-05-24 | 이마이 기요스케 | 전계 방사형 전자원 |
| US6502943B2 (en) * | 2000-07-19 | 2003-01-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Antiglare and antireflection film, polarizer, and image display device |
| TW589913B (en) | 2001-01-18 | 2004-06-01 | Ind Tech Res Inst | Organic light-emitting device |
| JP3899011B2 (ja) * | 2001-10-25 | 2007-03-28 | 松下電工株式会社 | 面発光体 |
| EP1445095B1 (en) * | 2001-10-25 | 2012-12-26 | Panasonic Corporation | Composite thin film holding substrate, transparent conductive film holding substrate, and panel light emitting body |
| KR100497292B1 (ko) * | 2001-10-29 | 2005-06-28 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 전계방사형 전자원 및 그 구동방법 |
| JP2003216062A (ja) | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Sharp Corp | 表示装置 |
| JP2005190931A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Nitto Denko Corp | エレクトロルミネッセンス素子とこれを用いた面光源および表示装置 |
| KR20050066970A (ko) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 전자발광 장치, 이를 사용하는 면광원 및 디스플레이 |
| JP4406572B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2010-01-27 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 発光素子及びその表示装置 |
| EP1734792B1 (en) * | 2004-03-26 | 2011-11-02 | Rohm Co., Ltd. | Organic light emitting element |
| JP4564773B2 (ja) | 2004-04-07 | 2010-10-20 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 発光素子及びその表示装置 |
| US7834528B2 (en) * | 2004-05-26 | 2010-11-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Planar luminous body with improved light-extraction efficiency |
| EP1759428B1 (en) * | 2004-06-14 | 2016-05-18 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Led with improved light emission profile |
| WO2006095612A1 (ja) | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス用樹脂フィルム基板および有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
| JP5066814B2 (ja) | 2005-03-11 | 2012-11-07 | 三菱化学株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| WO2006095632A1 (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| JP2006294491A (ja) | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007095188A patent/JP5536977B2/ja active Active
-
2008
- 2008-03-31 WO PCT/JP2008/056308 patent/WO2008123492A1/ja active Application Filing
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- 2008-03-31 US US12/593,666 patent/US8283845B2/en active Active
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013009150A2 (ko) | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 엘티씨 (주) | 높은 광추출 성능을 갖는 무기미립자 산란막 |
| WO2013009150A3 (ko) * | 2011-07-14 | 2013-05-02 | 엘티씨 (주) | 높은 광추출 성능을 갖는 무기미립자 산란막 |
| KR101503704B1 (ko) * | 2011-07-14 | 2015-03-20 | 엘티씨 (주) | 높은 광추출 성능을 갖는 무기미립자 산란막 |
| WO2013141677A1 (ko) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 |
| WO2013141678A1 (ko) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 |
| WO2013141676A1 (ko) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 |
| US9530979B2 (en) | 2012-03-23 | 2016-12-27 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for organic electronic device |
| US9698366B2 (en) | 2012-03-23 | 2017-07-04 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for organic electronic device |
| US9716242B2 (en) | 2012-03-23 | 2017-07-25 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for organic electronic device |
| WO2014084012A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | シャープ株式会社 | 散乱体基板 |
| KR20170074936A (ko) * | 2014-10-24 | 2017-06-30 | 코닝 인코포레이티드 | 향상된 도파 모드 커플링을 사용하는, 광 추출이 개선된 oled |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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