ES2564141T3 - Substrato de OLED difusor transparente y método para producir tal substrato - Google Patents
Substrato de OLED difusor transparente y método para producir tal substratoInfo
- Publication number
- ES2564141T3 ES2564141T3 ES13172085.6T ES13172085T ES2564141T3 ES 2564141 T3 ES2564141 T3 ES 2564141T3 ES 13172085 T ES13172085 T ES 13172085T ES 2564141 T3 ES2564141 T3 ES 2564141T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- index
- mineral
- refractive index
- mineral particles
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 129
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims abstract description 126
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims abstract description 126
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 32
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims description 20
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- -1 titanium alkoxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 2
- PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N lithium metasilicate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si]([O-])=O PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052912 lithium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 4
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- YTTFFPATQICAQN-UHFFFAOYSA-N 2-methoxypropan-1-ol Chemical compound COC(C)CO YTTFFPATQICAQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021488 crystalline silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 239000002320 enamel (paints) Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- NOTVAPJNGZMVSD-UHFFFAOYSA-N potassium monoxide Inorganic materials [K]O[K] NOTVAPJNGZMVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007962 solid dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/006—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
- C03C17/007—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character containing a dispersed phase, e.g. particles, fibres or flakes, in a continuous phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
- C03C3/066—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/16—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2205/00—Compositions applicable for the manufacture of vitreous enamels or glazes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
- C03C2217/43—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
- C03C2217/44—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the composition of the continuous phase
- C03C2217/45—Inorganic continuous phases
- C03C2217/452—Glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
- C03C2217/43—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
- C03C2217/46—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
- C03C2217/47—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase consisting of a specific material
- C03C2217/475—Inorganic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
Un substrato de OLED difusor transparente que comprende los siguientes elementos o capas sucesivas: (a) un substrato plano transparente hecho de vidrio mineral que tiene un índice de refracción n1 de entre 1,48 y 1,58, (b) una monocapa de partículas minerales unidas a un lado del substrato por medio de un aglomerante mineral de bajo índice que tiene un índice de refracción n2 de entre 1,45 y 1,61, y (c) una capa de alto índice hecha de un esmalte que tiene un índice de refracción n4 comprendido entre 1,82 y 2,10 que cubre la monocapa de partículas minerales, caracterizado por las partículas minerales que tiene un índice de refracción n3 comprendido entre n2+0,08 y n4-0,08 y que sobresalen del aglomerante mineral de bajo índice para que estén directamente en contacto con la capa de alto índice, formando por ello una primera interfase difusora (DI1) entre las partículas minerales y el aglomerante de bajo índice, y una segunda interfase difusora (DI2) entre las partículas minerales y la capa de alto índice.
Description
Substrato de OLED difusor transparente y método para producir tal substrato
La presente invención se refiere a un substrato difusor para diodos emisores de luz orgánicos (OLED) que tiene mejores rendimientos de extracción de luz, y a métodos para producir tal substrato.
5 Los OLEDs son elementos optoelectrónicos que comprenden una pila de capas orgánicas con colorantes fluorescentes o fosforescentes emparedada entre dos electrodos, uno de los cuales por lo menos es translúcido. Cuando se aplica un voltaje a los electrodos los electrones inyectados desde el cátodo y los agujeros inyectados desde el ánodo se combinan dentro de las capas orgánicas, lo que da como resultado la emisión de luz desde las capas fluorescentes/fosforescentes.
10 Es de conocimiento general que la extracción de luz de OLEDs convencionales es bastante pobre, siendo atrapada la mayor parte de la luz por reflexión interna total y absorción en las capas orgánicas de alto índice y en las capas conductoras transparentes (TCL). La reflexión interna total tiene lugar no solo en el límite entre las TLC de alto índice y el substrato de vidrio subyacente (índice de refracción de alrededor de 0,5) sino también en el límite entre el vidrio y el aire.
15 Según estimaciones, en OLEDs convencionales que no comprenden ninguna capa de extracción adicional alrededor de 50-60% de la luz emitida desde las capas orgánicas es atrapada en el límite TCL/vidrio, una fracción de 20·30% adicional es atrapada en la superficie vidrio/aire y solo alrededor del 20% sale del OLED al aire.
Se sabe reducir este atrapamiento de la luz insertando medios de dispersión de la luz – a menudo denominados capa de extracción interna – entre las TCL de alto índice y el substrato de vidrio de bajo índice. Las capas de
20 extracción interna más comúnmente usadas tienen un alto índice de refracción cercano al índice de las TCL y contienen una pluralidad de elementos difusores de luz tales como burbujas de aire o partículas de bajo índice dispersas en ellas.
También se sabe incrementar el desacoplamiento de la luz texturizando simplemente la interfase entre el vidrio y las capas de alto índice, es decir, las TCL y la pila orgánica de los OLED. Esto se puede obtener creando primero una
25 rugosidad apropiada en la superficie del substrato de vidrio y a continuación planarizando el perfil de rugosidad resultante con una capa de planarización de alto índice antes de revestir las TCL.
El documento JP 2005 353367 describe un substrato para un dispositivo de OLED en el que se incrustan partículas de óxido metálico en un aglomerante de bajo índice y se planarizan por medio de un material de alto índice. En el documento WO 2012/091415, una monocapa de partículas de dispersión inmersas en una material de alto índice se
30 incrustan en un aglomerante de bajo índice.
El solicitante ya ha proporcionado diferentes métodos para crear una apropiada rugosidad superficial sobre substratos de vidrio para OLEDs:
– El documento WO2011/089343 describe substratos de OLED que comprenden por lo menos una superficie
texturada planarizada con un revestimiento de vidrio de alto índice. Se describe que los substratos están 35 texturizados por tratamiento químico con ácido.
-La solicitud europea 12306179.8 presentada el 28 de septiembre de 2012 describe un método alternativo interesante para rugosificar uno o ambos lados del substrato de vidrio, que comprende rugosificación mecánica (esmerilado).
-Las solicitudes europeas 13168335 y 13168341 presentadas el 17 de mayo de 2013 describen métodos para unir
40 partículas minerales de bajo índice por medio de un aglomerante mineral de bajo índice al substrato de vidrio, creando por ello una superficie rugosa que se planariza a continuación con un esmalte de alto índice.
Se puede mostrar que, para que sea más efectiva, una interfase entre el substrato de bajo índice y las capas de alto índice de un OLED debe tener una rugosidad con pendientes bastante pronunciadas.
Es bien conocido que, según la ley de Snell, una alta diferencia entre los índices de refracción de los dos medios 45 implica un indeseablemente bajo ángulo crítico (c):
c =arcoseno (na/nb)
en la que na es el índice de refracción del medio de bajo índice y nb es el índice de refracción del medio de alto índice.
El ángulo crítico de la interfase entre una capa de planarización con un índice de refracción nb de 1,9 sobre un 50 substrato de vidrio que tiene un índice de refracción na de 1,5 es de alrededor de 52º.
La Figura 1 muestra que en un modelo 2D en el que la rugosidad de la superficie está formada por pirámides – la pendiente (α) mínima de las pirámides para estar seguros de un rayo de luz penetra desde el medio de alto índice en el medio de bajo índice en primera incidencia es α = /2-c. En otras palabras, cuando c es 52º, las pirámides deben tener una pendiente de por lo menos 38º.
Desgraciadamente ha resultado ser muy difícil o incluso imposible preparar substratos de vidrio con una rugosidad 5 superficial que tiene una pendiente media por encima de 20º por métodos de rugosificación convencionales, tales como ataque químico, arenado o esmerilado.
La figura 2a muestra una imagen de SEM y la distribución de pendientes de un substrato de vidrio atacado con ácido (Satinovo®) tal como se describe en el documento WO2011/089343; La Figura 2b muestra una imagen de SEM y la distribución de pendientes de un substrato obtenido por esmerilado tal como se describe en la solicitud EP nº
10 12306179.8; y la figura 2c muestra una imagen de SEM y la distribución de pendientes de un substrato de vidrio arenado primero y a continuación ligeramente atacado con ácido. En las tres muestras el valor de la mediana de la pendiente está muy por debajo de 20º y la relación de pendientes por encima de 38º es casi cero. Esto quiere decir que sólo muy pocos rayos de luz entran en la fase de vidrio de bajo índice en la primera incidencia.
Es por lo tanto deseable preparar substratos para OLEDs con interfaces que tienen o bien valores más grandes de
15 θc (es decir, superiores relaciones na/nb) o pendientes más pronunciadas, para permitir que penetre una mayor fracción de rayos de luz en el substrato de bajo índice en la primera incidencia.
La idea subyacente de la presente invención es incrementar el θc y disminuir las correspondientes requeridas pendientes mínimas, dividiendo la interfase en dos interfases. De hecho, es fácil calcular que si una capa adicional con índice de refracción intermedio (Nintermedio = 1,7) se pudiera insertar entre la capa de planarización de alto índice
20 (nb = 1,9) y el substrato de vidrio de bajo índice (na = 1,5), esto crearía dos interfaces con un ángulo θc crítico de alrededor de 63º y requeriría pendientes mínimas de sólo 27º en lugar de 38º.
En la presente invención el solicitante proporciona un modo muy simple de insertar una capa mineral que tiene un índice de refracción intermedio (de aquí en adelante denominada "capa intermedia") entre el substrato de bajo índice y la capa de planarización de alto índice.
25 La capa intermedia de la presente invención es una monocapa densamente empaquetada de partículas minerales que tienen un índice de refracción que es intermedio entre el de alto índice de la capa de planarización y el bajo índice del substrato, estando unida dicha monocapa de partículas al substrato de vidrio mediante un aglomerante mineral de bajo índice. Para asegurarse de que esta capa de partículas intermedia está en contacto tanto con la capa de planarización de alto índice como con la capa de bajo índice, el aglomerante mineral de bajo índice, por
30 supuesto, no debe cubrir las partículas y las partículas deben sobresalir del aglomerante mineral para estar en contacto con la capa de alto índice. La selección de las partículas minerales para formar la capa intermedia tiene la ventaja adicional de que no requiere ninguna etapa adicional de rugosificación porque las dos interfaces resultantes son, naturalmente difusoras, como se puede ver en la Figura 3.
En un primer aspecto, la presente invención por lo tanto se refiere a un substrato de OLED difusor transparente que 35 comprende los siguientes elementos o capas sucesiva:
- (a)
- un substrato plano transparente hecho de vidrio mineral que tiene un índice de refracción n1 de entre 1,48 y
1,58,
- (b)
- una monocapa de partículas minerales unida a un lado del substrato por medio de un aglomerante mineral de bajo índice que tiene un índice de refracción n2 de entre 1,45 y 1,61, y
40 (c) una capa de alto índice hecha de un esmalte que tiene un índice de refracción n4 comprendido entre 1,82 y 2,10 que cubre la monocapa de partículas minerales,
teniendo las partículas minerales un índice de refracción n3 comprendido entre n2+0,08 y n4-0.08, preferentemente entre n2+0,10 y n4-0,10, y que sobresale del aglomerante mineral de bajo índice para estar directamente en contacto con la capa de alto índice, formando por ello una primera interfase difusora (DI1) entre las partículas minerales y el
45 aglomerante de bajo índice, y una segunda interfase difusora (DI2) entre las partículas minerales y la capa de alto índice.
La presente invención también proporciona dos métodos para preparar un substrato difusor como se define anteriormente. Estos métodos tienen en común las etapas necesarias para formar la capa (c) de esmalte de alto índice, y difieren entre sí esencialmente en el modo de unir la monocapa (b) de partículas al substrato (a). Ambos
50 métodos se describirán con más detalle aquí a continuación.
En la presente solicitud, el índice de refracción del substrato, aglomerante mineral, capa de partículas y de planarización se entiende que se refiere al índice de refracción medido a 550 nm, a menos que se especifique lo contrario.
El substrato de vidrio mineral plano tiene generalmente un grosor de entre 0,1 y 5 mm, preferentemente de entre 0,3 y 1,6 mm. Su transmisión de la luz es ventajosamente tan alta como sea posible, preferentemente comprendida entre 88% y 93%.
El substrato de vidrio y el aglomerante mineral que se usa en la presente invención tienen aproximadamente el mismo índice de refracción, comprendido preferentemente entre 1,50 y 1,56 para el substrato de vidrio (n1), y entre 5 1,47 y 1,59 para el aglomerante mineral (n2). La diferencia de índice de refracción entre el aglomerante mineral y el substrato de vidrio preferentemente no es mayor de 0,05, preferentemente a lo sumo 0,03.
Por las razones explicadas anteriormente las partículas minerales sobresalen necesariamente del aglomerante mineral. No deben estar incrustadas substancialmente en él. El abultamiento de las partículas de la capa de aglomerante se puede conseguir seleccionando una cantidad apropiada de aglomerante mineral -suficientemente
10 baja como para no cubrir completamente las partículas – y asegurándose de que durante la etapa de unión de las partículas al substrato por medio del aglomerante mineral, la viscosidad del aglomerante líquido, ya sea sol o frita de vidrio fundida, es suficientemente baja para permitir que el aglomerante fluya entre las partículas y se extienda sobre el substrato de vidrio subyacente, dejando la parte superior de las partículas expuesta a la atmósfera.
Las partículas minerales usadas en la presente invención pueden ser partículas cristalinas, amorfas o
15 semicristalinas. Pueden tener una forma aleatoria con bordes más o menos agudos pero preferentemente son partículas bastante esféricas libres de bordes agudos.
En una realización preferida, las partículas minerales son partículas esféricas sólidas. Tales partículas esféricas se prefieren a las partículas de borde agudo con formas al azar porque se extienden fácilmente sobre la superficie del substrato facilitando por ello la formación de una delgada monocapa de partículas esféricas, en lugar de agregados
20 de gran tamaño. Las partículas de tipo esférico desprovistas de bordes agudos también se planarizan más fácilmente que las partículas de formas al azar. Se debe entender que la partículas esféricas huecas no están incluidas en la definición de las partículas minerales de la presente invención, debido a que el gas contenido en ellas tiene un índice de refracción no comprendido entre n2+0,08 y n4-0,08.
La expresión "partícula mineral", especialmente cuando se usa para describir el método de la presente invención,
25 incluye partículas funcionalizadas con grupos superficiales orgánicos, tales como grupos trialquilsililo. Dichos grupos superficiales orgánicos sufren descomposición térmica durante la etapa de horneado o fusión del aglomerante mineral o, a más tardar, durante la formación de la capa de esmalte de alto índice.
Las partículas minerales usadas en la presente invención, esféricas o no, tienen un diámetro esférico medio equivalente (medido por dispersión dinámica de la luz) de entre 0,3 µm y 10 µm, preferentemente de entre 0,5 µm y
30 8 µm, más preferentemente de entre 0,8 µm y 7 µm, siendo definido el diámetro esférico equivalente de las partículas irregularmente formadas como el diámetro de la esfera que tiene el mismo volumen que la partícula mineral.
El diámetro esférico medio equivalente sin embargo no es el único parámetro de tamaño a considerar para seleccionar las partículas minerales a usar en la presente invención. Ventajosamente, las partículas minerales están
35 esencialmente libres de partículas de gran tamaño, que sobresaldrían no solo del aglomerante mineral sino también de la capa de planarización de alto índice y conducirían entonces a la fuga de corriente en el OLED final. Las partículas minerales usadas en la presente invención consecuentemente están preferente y esencialmente desprovistas de partículas que tienen un diámetro esférico equivalente mayor de 15 µm, preferentemente mayor de 12 µm.
40 En una realización preferida de la presente invención, las partículas minerales tienen un índice de refracción (a 550 nm) comprendido entre 1,67 y 1,79, preferentemente entre 1,70 y 1,76, y se seleccionan, por ejemplo, de partículas hechas predominantemente, es decir, por lo menos el 90%, de alúmina (Al2O3).
Para conseguir una alta eficiencia de extracción de luz es importante formar una monocapa muy compacta de partículas minerales que tiene un índice de refracción intermedio. En la presente invención una monocapa de
45 partículas se define como una capa que tiene un grosor medio menor que el diámetro esférico equivalente promedio de las partículas minerales, siendo el grosor medio de la capa de partículas el volumen total de las partículas, dividido entre el área superficial de la zona revestida con partículas.
Una capa muy empaquetada significa que las partículas están muy cerca entre sí o en contacto unas con las otras y que hay muy poca área superficial de la región revestida no cubierta por las partículas. En la presente invención
50 preferentemente menos de 45%, más preferentemente menos de 30% y más preferentemente menos de 20% de la zona revestida no está cubierta por partículas minerales. En esta área de la superficie entre partículas, el aglomerante mineral de bajo índice está en contacto con la capa de planarización de alto índice y la interfase no se divide en dos interfaces.
Para obtener una monocapa muy empaquetada es importante seleccionar cuidadosamente la cantidad de partículas 55 minerales por área de la superficie. Esta cantidad está comprendida generalmente entre 2 g/m2 y 20 g/m2.
Para asegurarse de que en el producto final, las partículas minerales no están incrustadas en el aglomerante mineral de bajo índice y significativamente sobresalen del mismo, es necesario seleccionar cuidadosamente la cantidad de aglomerante mineral con respecto a la cantidad de partículas minerales. Si se usan cantidades demasiado altas de aglomerante mineral, las partículas minerales no estarán en contacto con la capa de planarización de alto índice. Por otra parte, en el caso de que la cantidad de aglomerante mineral sea demasiado baja con respecto a las partículas
5 minerales, la fuerza de unión del aglomerante mineral es demasiado débil y la capa mineral resultante será excesivamente frágil y se daña fácilmente cuando se maneja.
El solicitante encontró que la relación en volumen de las partículas minerales al aglomerante mineral ventajosamente debería estar comprendida entre 0,4 y 5, preferentemente entre 0,6 y 4 y más preferentemente entre 0,9 y 3,0. La relación en peso de las partículas minerales a la frita de vidrio o a la materia seca del sol está
10 comprendida entre 0,5 y 8, preferentemente entre 1 y 5.
El esmalte (c) de alto índice debe ser lo suficientemente grueso como para cubrir completamente y planarizar el perfil de rugosidad de la monocapa de partículas (b) minerales.
El grosor de la capa (c) de alto índice está comprendido ventajosamente entre 3 µm y 20 µm, preferentemente entre 4 µm y 15 µm y más preferentemente entre 5 µm y 12 µm. El grosor de la capa de alto índice se define aquí como la
15 distancia media entre las líneas medias (definido como en la norma ISO 4287, 3.1.8.1) del perfil de rugosidad de la monocapa de partículas que sobresalen del aglomerante mineral de bajo índice y el perfil de rugosidad de la capa final de alto índice.
La rugosidad de la superficie de la capa de alto índice final debe ser preferentemente tan baja como sea posible y el esmalte de alto índice tiene ventajosamente una desviación media aritmética Ra de menos de 3 nm, más
20 preferentemente menos de 2 nm y lo más preferentemente menos de 1 nm.
La capa de alto índice está preferente y esencialmente libre de elementos difusores dispersos en ella, especialmente libre de partículas sólidas difusoras dispersas en ella. De hecho tales partículas sólidas difusoras podrían indeseablemente sobresalir de la superficie de la capa de alto índice y provocar corrientes de fuga en el OLED final.
Como se explica anteriormente, insertando la capa intermedia entre el aglomerante mineral de bajo índice y la capa
25 de planarización de alto índice la interfase original no difusora se divide en dos interfaces difusoras que tienen cada una un perfil de rugosidad como se muestra en la Figura 3.
El perfil de rugosidad de la primera (DI1) y segunda (DI2) interface difusora tiene independientemente una desviación media aritmética Ra de entre 0,1 y 5 µmm, preferentemente de entre 0,2 y 4 µmm, más preferentemente de entre 0,3 y 3 µmm. La desviación aritmética media Ra se define en la norma ISO 4287. Se puede medir en el producto final
30 por microscopía electrónica de barrido (SEM) de secciones transversales de la muestra obteniendo un perfil usando análisis de imágenes, o antes de la planarización, bien por medidas de perfiles de la superficie o microscopía láser 3D para la primera interfase entre la capa de planarización y la capa de unión con las partículas.
En una realización preferida, el substrato de OLED difusor transparente de la presente invención comprende además una capa (d) conductora eléctrica transparente directamente en contacto con la capa (c) de esmalte de alto
35 índice. Tales capas conductoras transparentes que se pueden usar como ánodos para OLEDs son bien conocidas en la técnica anterior. El material más comúnmente usado es ITO (óxido de estaño e indio). La capa conductora transparente debe tener una transmisión de luz de por lo menos 80%, y un índice de refracción de entre 1,7 y 2,2. Su grosor total está típicamente comprendido entre 50 y 200 nm.
Como se menciona anteriormente, la presente invención también se refiere a dos métodos distintos para preparar el 40 substrato de OLED de la presente invención.
El primer método para preparar un substrato tal de OLED comprende las siguientes etapas sucesivas:
(1) Proporcionar un substrato plano transparente hecho de vidrio mineral que tiene un índice de refracción n1 de entre 1,48 y 1,58;
(2) Dispersar partículas minerales que tienen un índice de refracción n3 en un sol de por lo menos un precursor de 45 un aglomerante mineral que tiene un índice de refracción n2 de entre 1,45 y 1,61;
- (3)
- Aplicar la dispersión resultante sobre un lado del substrato en una cantidad para formar una monocapa de partículas minerales,
- (4)
- Secar y hornear la capa resultante por calentamiento, lo que como resultado una capa que comprende una
monocapa de partículas minerales unidas al substrato por medio de un aglomerante mineral que tiene un índice de 50 refracción n2 de entre 1,45 y 1,61,
- (5)
- Aplicar sobre la monocapa de partículas minerales una capa de frita de vidrio de alto índice que tiene un índice de refracción n4 de entre 1,82 y 2,10,
- (6)
- Secar y fundir dicha frita de vidrio para obtener una capa de esmalte de alto índice que tiene un índice de
refracción n4 comprendido entre 1,82 y 2,10 que cubre la monocapa de partículas minerales;
siendo seleccionadas las partículas minerales de modo que tengan un índice de refracción n3 comprendido entre n2+0,08 y n4-0.08.
Este primer método se denominará de aquí en adelante el "método de sol-gel".
5 Los substratos de vidrio planos proporcionados en la etapa (1) generalmente tienen un grosor de entre 0,1 y 5 mm, preferentemente de entre 0,3 y 1,6 mm.
En la etapa (2) las partículas minerales como se describe anteriormente se suspenden en un sol de por lo menos un precursor de un aglomerante mineral. Dicho precursor se selecciona preferentemente del grupo que consiste en silicato de sodio, silicato de potasio, silicato de litio, tetra-alcoxisilanos, preferentemente tetra-etoxisilanos, alcóxidos
10 de titanio, alcóxidos de aluminio, alcóxidos de circonio, o sus mezclas. Los alcóxidos de circonio y los alcóxidos de titanio se usan mezclados con otros precursores en cantidades suficientemente bajas como para no exceder del índice de refracción máximo (1,61) del aglomerante mineral final.
La suspensión resultante se aplica a continuación, en la etapa (3), sobre un lado del substrato plano, por métodos conocidos tales como, por ejemplo, revestimiento por inmersión, revestimiento con rodillo, revestimiento por
15 centrifugación, o revestimiento por ranura.
El disolvente de la fase de sol se evapora a continuación y la capa seca se somete a una etapa de horneado. El secado y horneado en la etapa (4) se lleva a cabo ventajosamente calentando a una temperatura de por lo menos 100ºC, preferentemente de 100ºC a 300ºC, más preferentemente de 110 a 200ºC. Cuando las partículas minerales usadas son partículas modificadas orgánicamente que llevan grupos superficiales orgánicos, tales como grupos
20 alquilsililo, el horneado se debe implementar a una temperatura suficientemente alta para efectuar la descomposición térmica de estos grupos superficiales.
En la etapa (5) se aplica a continuación una frita de vidrio de alto índice sobre la capa horneada que comprende las partículas minerales por cualquier método adecuado, tal como impresión por estarcido, revestimiento por pulverización, revestimiento con barra, revestimiento con rodillo, revestimiento por ranura y revestimiento por 25 centrifugación, de una suspensión acuosa u orgánica de dicha frita de vidrio. Una descripción de las apropiadas fritas de vidrio y métodos para revestirlas y hornearlas se puede encontrar, por ejemplo, en el documento EP 2 178
343.
La frita de vidrio se debe seleccionar para que tenga un punto de fusión comprendido entre 450ºC y 570ºC y debe conducir a un esmalte que tiene un índice de refracción de 1,8 a 2,1.
30 Las fritas de vidrio preferidas tienen la siguiente composición:
Bi2O3: 55-75% en peso
BaO: 0-20% en peso
ZnO: 0-20% en peso
Al2O3: 1-7% en peso
35 SiO2: 5-15% en peso
B2O3: 5-20% en peso
Na2O: 0,1-1% en peso
CeO2: 0-0,1% en peso
En una realización típica, las partículas de frita de vidrio (70-80% en peso) se mezclan con 20-30% en peso de un
40 vehículo orgánico (etilcelulosa y disolvente orgánico). La pasta de frita resultante se aplica a continuación sobre el substrato de vidrio revestido difusor por impresión por estarcido o revestimiento por ranura. La capa resultante se seca por calentamiento a una temperatura de 120-200ºC. El aglomerante orgánico (etilcelulosa) se quema a una temperatura de entre 350-440ºC, y la etapa de horneado que da como resultado el esmalte final se lleva a cabo a una temperatura de entre 510ºC y 610ºC, preferentemente entre 520ºC y 600ºC.
45 Se ha mostrado que los esmaltes resultantes tienen una rugosidad superficial con una desviación media aritmética Ra (ISO 4287) de menos de 3 nm cuando se mide por AFM en un área de 10 µm x 10 µm.
La cantidad de la frita de vidrio de alto índice revestida sobre la monocapa de partículas minerales está comprendida generalmente entre 20 y 200 g/m2, preferentemente entre 25 y 150 g/m2, más preferentemente entre 30 y 100 g/m2, y más preferentemente entre 35 y 70 g/m2.
La frita de vidrio de alto índice usada en la presente invención y el esmalte resultante de la misma preferentemente están sustancialmente desprovistos de partículas sólidas de dispersión, tales como partículas de SiO2 o TiO2 cristalino. Tales partículas se usan comúnmente como elementos de dispersión en capas de dispersión de alto índice pero generalmente requieren una capa de planarización adicional, lo que aumenta el grosor total del
5 revestimiento de alto índice.
El segundo método para preparar un substrato de OLED según la presente invención se denominará de aquí en adelante el "método de fusión". Difiere del "método de sol-gel" descrito anteriormente sólo por la forma de la unión de las partículas minerales al substrato de vidrio. Esta unión se consigue no gelificando un sol de precursores, sino mediante la fusión de una frita de vidrio.
10 El método de fusión de la presente invención comprende las siguientes etapas sucesivas:
- (1)
- Proporcionar un substrato plano transparente hecho de vidrio mineral que tiene un índice de refracción n1 de entre 1,48 y 1,58;
- (2)
- Aplicar sobre un lado de dicho substrato una frita de vidrio de bajo índice que tiene un índice de refracción de
entre 1,45 y 1,61 mezclada con partículas minerales que tienen un índice de refracción n3 y una temperatura de 15 transición vítrea (Tg) o una temperatura de fusión por lo menos 50ºC mayor que la Tg de la frita de vidrio;
(3) Calentar la capa de frita de vidrio resultante a una temperatura que permite la fusión de la frita de vidrio sin fusión de las partículas minerales, lo que da como resultado una capa que comprende una monocapa de partículas minerales unidas al substrato por medio de un aglomerante mineral que tiene un índice de refracción n2;
(4) Aplicar sobre la monocapa de partículas minerales una capa de una frita de vidrio de alto índice que tiene un 20 índice de refracción de entre 1,82 y 2,10;
(5) Secar y fundir dicha frita de vidrio de alto índice para obtener un esmalte de alto índice que tiene un índice de refracción n4 comprendido entre 1,82 y 2,10 que cubre la monocapa de partículas minerales,
siendo seleccionadas las partículas minerales de modo que tengan un índice de refracción n3 comprendido entre y n2+0,08 y n4-0,08.
25 Por lo que respecta al proceso de sol-gel, los substratos de vidrio planos proporcionadas en la etapa (1) tienen ventajosamente un grosor de entre 0,1 y 5 mm, preferentemente de entre 0,3 y 1,6 mm.
En la etapa (2) las partículas de frita de vidrio y las partículas minerales se mezclan y se suspenden en un vehículo orgánico convencional que comprende un disolvente orgánico y un polímero orgánico. La suspensión se aplica a continuación según técnicas conocidas tales como impresión por estarcido o revestimiento por ranura. Las partículas 30 minerales pueden ser amorfas, cristalinas o semi-cristalinas. No se deben fundir o ablandarse sustancialmente durante la etapa (4) de fusión subsecuente de la frita de vidrio. Por eso el punto de fusión de las partículas cristalinas
o la Tg de la fracción amorfa de las partículas debe ser significativamente mayor que la Tg de la frita de vidrio, es decir, por lo menos 50ºC, más preferentemente por lo menos 100ºC más alta que la Tg de la frita de vidrio.
Las fritas de vidrio de bajo índice que se pueden usar en la presente invención para unir las partículas minerales a 35 los substratos de vidrio son bien conocidas en la técnica.
Las fritas de vidrio de bajo índice preferidas tienen la siguiente composición:
SiO2: 10-40% en peso
Al2O3: 1-7% en peso
B2O3: 20-50% en peso
40 Na2O + K2O + Li2O: 5-30% en peso
ZnO: 3-35% en peso
En la etapa (3) del método de fusión, la frita y el substrato revestido de partículas se somete a horneado a una temperatura suficientemente alta para efectuar la fusión de la frita de vidrio. Para obtener la fusión completa de la frita de vidrio y una viscosidad suficientemente baja, generalmente es necesario calentar el substrato a una
45 temperatura por lo menos 100ºC más alta que la Tg de la frita de vidrio y mantener esta temperatura durante una duración de aproximadamente 2 a 30 minutos.
En una realización típica, la frita de vidrio y partículas minerales (70-80% en peso) se mezclan con 20-30% en peso de un vehículo orgánico (etilcelulosa y disolvente orgánico). La pasta resultante se aplica a continuación sobre el substrato de vidrio, por ejemplo, por impresión por estarcido o revestimiento por ranura. La capa resultante se seca 50 calentando a una temperatura de 120-200ºC. El aglomerante orgánico (etilcelulosa) se quema a una temperatura de
entre 350-440ºC, y la etapa de horneado que da como resultado el esmalte final se lleva a cabo a una temperatura de entre 510ºC y 610ºC, preferentemente entre 520ºC y 600ºC.
Las etapas (4) y (5) del "método de fusión" son idénticas a las etapas (5) y (6) del "método de sol-gel" descrito anteriormente.
5 Los substratos difusores planarizados con esmalte de alto índice son particularmente útiles como substratos para OLEDs de emisión inferior. Una capa conductora transparente tiene que ser aplicada en la parte superior del esmalte de alto índice antes de la aplicación de la pila de capas emisoras de luz orgánicas.
En una realización preferida, el método de la presente invención por lo tanto comprende adicionalmente una etapa adicional de revestimiento de esmalte de alto índice con una capa conductora transparente, preferentemente un
10 óxido conductor transparente tal como ITO. La formación de tal TCL se puede llevar a cabo según métodos convencionales, tales como pulverización catódica por magnetrón.
La Figura 3 es una vista en sección esquemática de un substrato de OLED según la presente invención. Las partículas 3 de alúmina esferoidales que tienen un índice de refracción n3 de 1,76 están unidas por medio de un aglomerante 2 de bajo índice que tienen un índice de refracción n2 de 1,54, sobre un substrato 1 de vidrio que tiene 15 un índice de refracción n1 de idéntico a n2. Las partículas 3 no están incrustadas en el aglomerante 2 y sus partes superiores que sobresalen del mismo están en contacto con la capa 4 de planarización de alto índice que tiene un índice de refracción n4 de 1,90. Cuando las partículas no son directamente adyacentes entre sí definen un espacio en el que la capa 4 de alto índice está directamente en contacto con el aglomerante 2 de bajo índice. La monocapa de partículas define dos interfaces difusoras: la primera interfase DI1 difusora en la que las partículas 3 están en
20 contacto con la capa 4 de planarización de alto índice y la segunda interfase Dl2 difusora en la que las partículas están en contacto con el aglomerante de bajo índice. Una capa 5 conductora transparente se reviste sobre la capa 4 de planarización de alto índice.
Ejemplo 1
Una frita de bajo índice (15 partes en peso) se mezcla con partículas de Al2O3 (20 partes en peso) que tienen un
25 diámetro equivalente medio de 6 µm. El polvo resultante se dispersa en 70 partes en peso de un medio orgánico usando un procedimiento de molienda de 3 rodillos.
La frita de bajo índice usada tiene la siguiente composición: 28,4% en peso de SiO2; 3,6% en peso de Al2O3; 39,5% en peso de B2O3; 15,9% en peso de óxidos alcalinos (Na2O, Li2O, K2O); 12,6% en peso de ZnO. Tiene un índice de refracción de 1,54 y una Tg de 484ºC.
30 La suspensión resultante se reviste por impresión por estarcido sobre un substrato de vidrio de sosa-cal (0,7 mm) con un peso total en seco de 13 g/m2 y a continuación se somete a secado a 150ºC. El revestimiento seco se hornea a 600ºC durante 20 minutos en un horno de IR.
El substrato resultante con la capa de partículas horneada se reviste a continuación por impresión por estarcido con una suspensión de una frita de alto índice (n = 1,90).
35 El revestimiento se seca a continuación a 150ºC y se hornea durante 10 minutos a 545ºC en un horno de IR.
Ejemplo 2
Se dispersan 20 g de polvo de alúmina que tiene un diámetro medio de 6 µm en 150 g de 2-metoxipropanol y se dispersan por ultrasonidos. A esta dispersión se le añaden 30 g de Xenios® Surface Perfection (Evonik GmbH). La dispersión resultante se aplica a continuación por revestimiento por inmersión sobre un substrato de vidrio limpio y
40 se seca durante alrededor de un minuto a 120ºC. A continuación se calienta el substrato revestido se seca a una velocidad de 5ºC/minuto hasta una temperatura de 500ºC y se hornea durante 5 minutos a esta temperatura.
La capa resultante se reviste a continuación por impresión por estarcido con una suspensión de frita de alto índice (n = 1,90). El revestimiento se seca a 150ºC y se somete a horneado durante 10 minutos a 545ºC en un horno de IR.
Claims (10)
-
imagen1 REIVINDICACIONES1. Un substrato de OLED difusor transparente que comprende los siguientes elementos o capas sucesivas:(a) un substrato plano transparente hecho de vidrio mineral que tiene un índice de refracción n1 de entre 1,48 y 1,58,(b) una monocapa de partículas minerales unidas a un lado del substrato por medio de un aglomerante mineral de 5 bajo índice que tiene un índice de refracción n2 de entre 1,45 y 1,61, y(c) una capa de alto índice hecha de un esmalte que tiene un índice de refracción n4 comprendido entre 1,82 y 2,10 que cubre la monocapa de partículas minerales,caracterizado porlas partículas minerales que tiene un índice de refracción n3 comprendido entre n2+0,08 y n4-0,08 y que sobresalen10 del aglomerante mineral de bajo índice para que estén directamente en contacto con la capa de alto índice, formando por ello una primera interfase difusora (DI1) entre las partículas minerales y el aglomerante de bajo índice, y una segunda interfase difusora (DI2) entre las partículas minerales y la capa de alto índice. - 2. El substrato según la reivindicación 1, en el que las partículas minerales tienen un diámetro esféricoequivalente promedio de entre 0,3 µm y 10 µm, preferentemente de entre 0,5 µm y 8 µm, más preferentemente de 15 entre 0,8 µm y 7 µm.
-
- 3.
- El substrato según la reivindicación 1 o 2, en el que n1 está comprendido entre 1,50 y 1,56 y n2 está comprendido entre 1,47 y 1,59.
-
- 4.
- El substrato según cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que las partículas minerales están esencialmente libres de partículas que tienen un diámetro esférico equivalente superior a 15 µm.
- 20 5. El substrato según cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que el índice de refracción de la capa de alto índice está comprendido entre 1,85 y 2,05, preferentemente entre 1,90 y 2,00.
- 6. El substrato según cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que el grosor de la capa de alto índice está comprendido entre 3 µm y 20 µm, preferentemente entre 4 µm y 15 µm y más preferentemente entre 5 µm y 12 µm.
- 25 7. El substrato según cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que las partículas minerales son partículas de alúmina.
- 8. El substrato según cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que el perfil de rugosidad de la primera y segunda interfase difusora tiene una desviación media aritmética Ra comprendida entre 0,1 y 5 µm, preferentemente de entre 0,2 y 4 µmm, más preferentemente de entre 0,3 y 3 µmm.
- 30 9. El substrato según cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que la relación en volumen de las partículas minerales al aglomerante mineral de bajo índice está comprendida entre 0,4 y 5, preferentemente entre 0,6 y 4 y más preferentemente entre 0,9 y 3.
- 10. El substrato según cualquiera de las reivindicaciones precedentes, que comprende adicionalmente una capa conductora eléctrica transparente sobre la capa de esmalte de alto índice.35 11. Un método para preparar un substrato de OLED difusor transparente difusor según cualquiera de las reivindicaciones precedentes, que comprende las siguientes etapas sucesivas:(1) Proporcionar un substrato plano transparente hecho de vidrio mineral que tiene un índice de refracción n1 de entre 1,48 y 1,58;(2) Dispersar partículas minerales que tienen un índice de refracción n3 en un sol de por lo menos un precursor de 40 un aglomerante mineral que tiene un índice de refracción n2 de entre 1,45 y 1,61;
- (3)
- Aplicar la dispersión resultante en un lado del substrato en una cantidad para formar una monocapa de partículas minerales,
- (4)
- Secar y hornear la capa resultante por calentamiento, lo que da como resultado una capa que comprende una
monocapa de partículas minerales unidas al substrato por medio de un aglomerante mineral que tiene un índice de 45 refracción n2,- (5)
- Aplicar sobre la monocapa de partículas minerales una capa de frita de vidrio de alto índice que tiene un índice de refracción n4 de entre 1,82 y 2,10,
- (6)
- Secar y fundir dicha frita de vidrio para obtener una capa de esmalte de alto índice que tiene un índice de
9imagen2 refracción n4 comprendido entre 1,82 y 2,10 que cubre la monocapa de partículas minerales;siendo seleccionadas las partículas minerales de modo que tengan un índice de refracción n3 comprendido entre n2+0,08 y n4-0,08. - 12. El método según la reivindicación 11, en el que el por lo menos un precursor de un aglomerante mineral se5 selecciona del grupo que consiste en silicato de sodio, potasio o litio, tetra-alcoxisilanos, alcóxidos de titanio, alcóxidos de aluminio, alcóxidos de circonio.
- 13. El método según la reivindicación 12, en el que el secado y horneado en la etapa (4) se lleva a cabo por calentamiento a una temperatura de por lo menos 100ºC, preferentemente de 100ºC a 300ºC, más preferentemente de 110 a 200ºC.10 14. Un método para preparar un substrato de OLED difusor transparente según cualquiera de las reivindicaciones 1-10, que comprende las siguientes etapas:
- (1)
- Proporcionar un substrato plano transparente hecho de vidrio mineral que tiene un índice de refracción n1 de entre 1,48 y 1,58;
- (2)
- Aplicar sobre un lado de dicho substrato una frita de vidrio de bajo índice que tiene un índice de refracción de
15 entre 1,45 y 1,61 mezclada con partículas minerales que tienen un índice de refracción n3 y una temperatura de transición vítrea (Tg) o una temperatura de fusión por lo menos 50ºC mayor que la Tg de la frita de vidrio;(3) Calentar la capa de frita de vidrio resultante a una temperatura que permite la fusión de la frita de vidrio sin fusión de las partículas minerales, lo que da como resultado una capa que comprende una monocapa de partículas minerales unidas al substrato por medio de un aglomerante mineral que tiene un índice de refracción n2;20 (4) Aplicar sobre la monocapa de partículas minerales una capa de una frita de vidrio de alto índice que tiene un índice de refracción entre 1,82 y 2,10;(5) Secar y fundir dicha frita de vidrio de alto índice para obtener un esmalte de alto índice que tiene un índice de refracción n4 comprendido entre 1,82 y 2,10 que cubre la monocapa de partículas minerales,siendo seleccionadas las partículas minerales de modo que tengan un índice de refracción n3 comprendido entre 25 n2+0,08 y n4-0,08. - 15. El método según cualquiera de las reivindicaciones 11 a 14, en el que la relación en peso de las partículas minerales a la frita de vidrio o a la materia seca del sol está comprendida entre 0,5 y 8, preferentemente entre 1 y 5.10
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP13172085.6A EP2814078B1 (en) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | Transparent diffusive oled substrate and method for producing such a substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ES2564141T3 true ES2564141T3 (es) | 2016-03-18 |
Family
ID=48607163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ES13172085.6T Active ES2564141T3 (es) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | Substrato de OLED difusor transparente y método para producir tal substrato |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9412958B2 (es) |
EP (1) | EP2814078B1 (es) |
JP (1) | JP6117995B2 (es) |
KR (1) | KR20160021109A (es) |
CN (1) | CN105393378B (es) |
ES (1) | ES2564141T3 (es) |
MY (1) | MY184794A (es) |
RU (1) | RU2654347C2 (es) |
TW (1) | TWI630116B (es) |
WO (1) | WO2014198938A1 (es) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2803644B1 (en) * | 2013-05-17 | 2018-08-08 | Saint-Gobain Glass France | Transparent diffusive oled substrate and method for producing such a substrate |
JP6573160B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2019-09-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子 |
EP3428739B1 (fr) | 2017-07-14 | 2020-06-24 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Ensemble d'affichage |
KR20190102615A (ko) | 2018-02-26 | 2019-09-04 | 고려대학교 산학협력단 | 고효율 광산란층의 제조방법 |
KR102144987B1 (ko) | 2018-08-13 | 2020-08-14 | 고려대학교 산학협력단 | 굴절률 조절이 가능한 나노입자, 이를 포함하는 광산란층, 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11156951A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-15 | Sony Corp | 球体配置の画像化方法、測定方法及び装置、並びに、平面型レンズの製造方法及び装置 |
JP3899011B2 (ja) * | 2001-10-25 | 2007-03-28 | 松下電工株式会社 | 面発光体 |
JP2007134339A (ja) * | 2001-10-25 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 面発光体 |
KR20120127515A (ko) * | 2004-05-26 | 2012-11-21 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 면발광체 |
JP4177788B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2008-11-05 | 株式会社東芝 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
WO2006132222A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 |
US7594839B2 (en) * | 2006-02-24 | 2009-09-29 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
US7851995B2 (en) * | 2006-05-05 | 2010-12-14 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved light output |
JP5536977B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2014-07-02 | パナソニック株式会社 | 面発光体 |
EP2178343B2 (en) | 2007-07-27 | 2020-04-08 | AGC Inc. | Translucent substrate, method for manufacturing the translucent substrate and organic led element |
WO2009028456A1 (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | 有機el発光素子 |
US8247959B2 (en) * | 2007-10-17 | 2012-08-21 | General Electric Company | Solid state illumination system with improved color quality |
JP2010074117A (ja) * | 2007-12-07 | 2010-04-02 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
US7957621B2 (en) * | 2008-12-17 | 2011-06-07 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
EP2390240A4 (en) * | 2009-01-26 | 2015-04-29 | Asahi Glass Co Ltd | METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICES, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICES, AND ELECTRONIC DEVICE |
CN102484220A (zh) * | 2009-07-06 | 2012-05-30 | 阿科玛股份有限公司 | 由透明的导电氧化物(tco)和防晕光底漆组成的oled基片 |
WO2011046190A1 (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 旭硝子株式会社 | 有機led素子、有機led素子の散乱層用のガラスフリット及び有機led素子の散乱層の製造方法 |
FR2955575B1 (fr) * | 2010-01-22 | 2012-02-24 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat. |
JP5578987B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2014-08-27 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 微粒子層転写材料、並びに有機電界発光素子及びその製造方法 |
KR20120024358A (ko) * | 2010-09-06 | 2012-03-14 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법 |
JP5887936B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2016-03-16 | 三菱レイヨン株式会社 | モールド、面発光体用光取り出し基板、面発光体、太陽電池用保護板および薄膜系太陽電池 |
JP5938757B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2016-06-22 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 発光素子基板とその製造方法、面発光素子、照明器具およびバックライト |
KR101114916B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2012-02-14 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법 |
CN102621607A (zh) * | 2011-04-02 | 2012-08-01 | 南京第壹有机光电有限公司 | 一种微纳米膜、其制备方法及使用该微纳米膜的器件 |
EP2712851B1 (en) | 2012-09-28 | 2015-09-09 | Saint-Gobain Glass France | Method of producing a transparent diffusive oled substrate |
EP2803644B1 (en) | 2013-05-17 | 2018-08-08 | Saint-Gobain Glass France | Transparent diffusive oled substrate and method for producing such a substrate |
EP2803645B1 (en) | 2013-05-17 | 2018-08-01 | Saint-Gobain Glass France | Transparent diffusive oled substrate and method for producing such a substrate |
-
2013
- 2013-06-14 EP EP13172085.6A patent/EP2814078B1/en not_active Not-in-force
- 2013-06-14 ES ES13172085.6T patent/ES2564141T3/es active Active
-
2014
- 2014-05-29 TW TW103118799A patent/TWI630116B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-06-13 US US14/897,781 patent/US9412958B2/en active Active
- 2014-06-13 MY MYPI2015704519A patent/MY184794A/en unknown
- 2014-06-13 WO PCT/EP2014/062452 patent/WO2014198938A1/en active Application Filing
- 2014-06-13 KR KR1020157034953A patent/KR20160021109A/ko active IP Right Grant
- 2014-06-13 CN CN201480033523.4A patent/CN105393378B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-13 JP JP2016518519A patent/JP6117995B2/ja active Active
- 2014-06-13 RU RU2016100768A patent/RU2654347C2/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MY184794A (en) | 2021-04-22 |
US9412958B2 (en) | 2016-08-09 |
JP2016526754A (ja) | 2016-09-05 |
EP2814078B1 (en) | 2016-02-10 |
RU2016100768A (ru) | 2017-07-20 |
CN105393378B (zh) | 2017-07-28 |
WO2014198938A1 (en) | 2014-12-18 |
RU2016100768A3 (es) | 2018-03-01 |
KR20160021109A (ko) | 2016-02-24 |
TW201511956A (zh) | 2015-04-01 |
US20160126481A1 (en) | 2016-05-05 |
CN105393378A (zh) | 2016-03-09 |
EP2814078A1 (en) | 2014-12-17 |
JP6117995B2 (ja) | 2017-04-19 |
TWI630116B (zh) | 2018-07-21 |
RU2654347C2 (ru) | 2018-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES2564141T3 (es) | Substrato de OLED difusor transparente y método para producir tal substrato | |
CN105359291B (zh) | 用于发光装置的层板及其制备方法 | |
ES2695052T3 (es) | Sustrato OLED difusor transparente y método para producir tal sustrato | |
US10379269B2 (en) | Transparent diffusive OLED substrate and method for producing such a substrate | |
ES2693105T3 (es) | Sustrato OLED difusivo transparente y método para producir semejante sustrato | |
JP2022501762A (ja) | 有機発光ダイオード用の高屈折率ナノ粒子を用いた光抽出構造 |