JP4177788B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記発光部に積層形成され、周期的に配置された微粒子と前記微粒子の少なくとも一部を包埋する媒質とを備えた二次元回折格子としての微粒子層部とを具備し、
前記周期的に配置された微粒子は、前記微粒子層中においてドメイン構造を形成し、 前記微粒子層における媒質は、屈折率の異なる第1の粒子コート層および第2の粒子コート層を含み、前記第2の粒子コート層は前記第1の粒子コート層より屈折率が大きく、前記発光部側に設けられていることを特徴とする。
前記微粒子層部の上に、第1の電極と第2の電極との間に有機層が設けられた発光部を形成する工程を具備し、
前記微粒子層を形成する工程は、
第1の粒子コート層を形成する工程と、
前記第1の粒子コート層上に微粒子層を形成する工程と、
前記基板を加熱して前記第1の粒子コート層を流動性とし、前記微粒子層の隙間を濡れ上がる前記流動性の第1の粒子コート層の毛管現象により、前記微粒子を前記第1の粒子コート層中に埋め込む工程と、
前記第1の粒子コート層よりも屈折率の大きな第2の粒子コート層で、前記微粒子層の空隙を充填する工程とを備えることを特徴とする。
前記発光部の上に微粒子層部を形成する工程を具備し、
前記微粒子層部を形成する工程は、
第2の粒子コート層を形成する工程と、
前記基板を加熱して前記第2の粒子コート層を流動性とし、前記微粒子層の隙間を濡れ上がる前記流動性の第2の粒子コート層の毛管現象により、前記第2の粒子コート層上に微粒子層を形成する工程と、
前記微粒子を前記第2の粒子コート層中に埋め込む工程と、
前記第2の粒子コート層よりも屈折率の小さな第1の粒子コート層で、前記微粒子層の空隙を充填する工程とを備えることを特徴とする。
また、正孔輸送材料として、例えば、ビス(ジ(p−トリル)アミノフェニル)−1,1−シクロヘキサン、TPD、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(α−NPD)等のトリフェニルジアミン類や、スターバースト型分子等が挙げられる。
さらに、電子輸送材料として、例えば、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(Bu−PBD)、OXD−7等のオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、およびキノリノール系の金属錯体が挙げられる。
有機層7の厚さは、特に限定されることはないが、通常用いられるように、0.01μmから1μmの範囲であることが好ましい。
ここで用いた個数平均粒子径とは、無作為に抽出した100個の微粒子の直径を測定した平均値である。また、体積平均粒子径は、次のように算出される直径である。まず、微粒子を真球とみなして無作為に抽出し、100個の微粒子の直径から合計体積を算出する。小さい体積の微粒子から累積して、その累積体積が合計体積の50%となった微粒子の直径を、体積平均粒子径とする。
そのため、上記数式(2)を満たすような微粒子径を選択すれば、従来素子内部を導波していた光を基板垂直方向に回折することが可能となり、回折された光は外部に放射されるようになる。
まず、図5に示すように、基板1上に第1の粒子コート層3を形成する。第1の粒子コート層3を構成する材料は高分子を含有し、次の要件を満たすものであれば、特に限定されない。すなわち、(1)加熱により少なくとも1回は流動性を発現できること、(2)ガラス転移温度が、微粒子のガラス転移温度、融点、焼結温度のいずれよりも低いこと、および(3)粒子分散液および洗浄液によって溶解、剥離、表面荒れなどのダメージを受けないことである。
まず、シランカップリング剤を用いて、ガラス基板(屈折率:1.51)の表面に疎水化処理を施した。この上に、ポリ(α−メチルスチレン)(屈折率:1.48)溶液をスピンコート法によって塗布して、膜厚70nmの第1の粒子コート層を形成した。
第1および第2の粒子コート層の材質をいずれも粒径15nmの酸化チタン超微粒子を分散させたポリ−(α−メチルスチレン)とし、こうした粒子コート層中にシリカ微粒子を完全に埋没させた以外は前述の実施例1同様の手法により、比較例1のボトムエミッション型有機EL素子を作製した。
まず、シランカップリング剤を用いて、ガラス基板上(屈折率:1.51)の表面に疎水化処理を施した。この上に、ポリ(α−メチルスチレン)(屈折率:1.48)溶液をスピンコート法によって塗布して、膜厚160nmの第1の粒子コート層を形成した。
得られた素子に8Vの直流電圧を印加したところ、比較例に比べ1.1倍の輝度が得られた。
まず、ガラス基板上に、マグネシウム−銀合金を蒸着速度比10:1で真空蒸着法にて200nmの膜厚で共蒸着して、陰極を形成した。陰極上には、Alq3を真空蒸着法により80nm堆積して活性層を形成し、さらに、α−NPDを真空蒸着法にて50nm堆積して正孔輸送層を形成した。その上に、ITO(屈折率:1.90)をスパッタ法によって100nm成膜して、陽極を形成した。ITO上にパッシベーション膜として、窒化シリコン(屈折率:2.10)をプラズマCVD法により1000nm成膜した。
微粒子層部を形成しない以外は前述の実施例3と同様の手法により、比較例2の有機EL素子を作製した。
微粒子として内部空洞を有するポリスチレン粒子(粒径0.3μm)を用いた以外は、前述の実施例1と同様の手法により、本実施例のボトムエミッション型の有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に、8Vの直流電圧を印加したところ、比較例1の有機EL素子に比べて1.4倍の輝度が得られた。
5…微粒子層部; 6…第1の電極; 7…有機層; 8…第2の電極; 9…発光部
10…保護層。
Claims (5)
- 第1の電極および第2の電極で有機層を挟持してなる発光部と、
前記発光部に積層形成され、周期的に配置された微粒子と前記微粒子の少なくとも一部を包埋する媒質とを備えた二次元回折格子としての微粒子層部とを具備し、
前記周期的に配置された微粒子は、前記微粒子層中においてドメイン構造を形成し、
前記微粒子層における媒質は、屈折率の異なる第1の粒子コート層および第2の粒子コート層を含み、前記第2の粒子コート層は前記第1の粒子コート層より屈折率が大きく、前記発光部側に設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記第2の粒子コート層は、1〜300nmの粒径の超微粒子を含有することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 基板上に、微粒子層部を形成する工程、および
前記微粒子層部の上に、第1の電極と第2の電極との間に有機層が設けられた発光部を形成する工程を具備し、
前記微粒子層を形成する工程は、
第1の粒子コート層を形成する工程と、
前記第1の粒子コート層上に微粒子層を形成する工程と、
前記基板を加熱して前記第1の粒子コート層を流動性とし、前記微粒子層の隙間を濡れ上がる前記流動性の第1の粒子コート層の毛管現象により、前記微粒子を前記第1の粒子コート層中に埋め込む工程と、
前記第1の粒子コート層よりも屈折率の大きな第2の粒子コート層で、前記微粒子層の空隙を充填する工程とを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 基板上に、第1の電極と第2の電極との間に有機層が設けられた発光部を形成する工程、および
前記発光部の上に微粒子層部を形成する工程を具備し、
前記微粒子層部を形成する工程は、
第2の粒子コート層を形成する工程と、
前記第2の粒子コート層上に微粒子層を形成する工程と、
前記基板を加熱して前記第2の粒子コート層を流動性とし、前記微粒子層の隙間を濡れ上がる前記流動性の第2の粒子コート層の毛管現象により、前記微粒子を前記第2の粒子コート層中に埋め込む工程と、
前記第2の粒子コート層よりも屈折率の小さな第1の粒子コート層で、前記微粒子層の空隙を充填する工程とを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記周期的に配置された微粒子は、六方最密格子状、正方格子状、または蜂の巣格子状であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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EP1830421A3 (en) * | 2006-03-03 | 2012-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and sheet-like sealing material |
JP4909822B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2012-04-04 | 住友大阪セメント株式会社 | 高屈折率膜の製造方法、高屈折率膜、有機elディスプレイ |
US20090015142A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display devices |
JP5214284B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | 発光装置用光取り出し層、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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US7957621B2 (en) * | 2008-12-17 | 2011-06-07 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
JP5214477B2 (ja) * | 2009-01-20 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | 粒子配列構造体の製造方法、およびそれを利用する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法ならびにパターン形成方法 |
KR20120024358A (ko) * | 2010-09-06 | 2012-03-14 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법 |
KR101114352B1 (ko) * | 2010-10-07 | 2012-02-13 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법 |
KR101114916B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2012-02-14 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법 |
CN102544384B (zh) * | 2011-01-31 | 2014-07-09 | 南京第壹有机光电有限公司 | 一种高效发光的电致发光器件 |
JP2012204103A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子、表示装置および照明装置 |
KR101114917B1 (ko) * | 2011-03-29 | 2012-02-14 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법 |
EP2693510B1 (en) * | 2011-03-29 | 2018-12-05 | LG Display Co., Ltd. | Substrate for organic electrode device |
CN102621607A (zh) * | 2011-04-02 | 2012-08-01 | 南京第壹有机光电有限公司 | 一种微纳米膜、其制备方法及使用该微纳米膜的器件 |
US9054338B2 (en) * | 2011-09-30 | 2015-06-09 | General Electric Company | OLED devices comprising hollow objects |
KR101404159B1 (ko) * | 2012-02-14 | 2014-06-11 | 한국기계연구원 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
WO2014087462A1 (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | 株式会社日立製作所 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及びこれに用いる有機エレクトロルミネッセンス素子並びにこれらに用いる光取出しシート |
EP2814078B1 (en) | 2013-06-14 | 2016-02-10 | Saint-Gobain Glass France | Transparent diffusive oled substrate and method for producing such a substrate |
KR20150024189A (ko) * | 2013-08-26 | 2015-03-06 | 주식회사 엘지화학 | 플렉서블 기판의 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법 |
JP6201807B2 (ja) * | 2014-02-20 | 2017-09-27 | コニカミノルタ株式会社 | 有機発光素子の製造方法及び有機発光素子 |
KR101650541B1 (ko) * | 2014-09-23 | 2016-08-23 | 코닝정밀소재 주식회사 | 플렉서블 기판 및 그 제조방법 |
US11276841B2 (en) | 2014-09-25 | 2022-03-15 | Corning Precision Materials Co., Ltd. | Light extraction substrate for organic light emitting element and organic light emitting element comprising same |
KR101762642B1 (ko) * | 2014-09-25 | 2017-07-31 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
JP2017027872A (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
WO2017057023A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9018620B2 (en) | 2011-03-08 | 2015-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent light emitting device and method for manufacturing the same |
KR101570284B1 (ko) * | 2011-03-08 | 2015-11-18 | 가부시끼가이샤 도시바 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Also Published As
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