KR101762642B1 - 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 - Google Patents
유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101762642B1 KR101762642B1 KR1020140192272A KR20140192272A KR101762642B1 KR 101762642 B1 KR101762642 B1 KR 101762642B1 KR 1020140192272 A KR1020140192272 A KR 1020140192272A KR 20140192272 A KR20140192272 A KR 20140192272A KR 101762642 B1 KR101762642 B1 KR 101762642B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light scattering
- matrix layer
- scattering body
- light
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims abstract description 124
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 3
- 229920002100 high-refractive-index polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005457 optimization Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- -1 which is an anode Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
- G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 산란 효율을 극대화시킬 수 있는 적층 구조의 최적화를 통해, 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되어 있는 다수의 광 산란체; 상기 다수의 광 산란체를 덮는 형태로 상기 베이스 기판 상에 형성되는 매트릭스 층; 및 상기 매트릭스 층 상에 형성되고, 표면은 유기발광소자와 접하는 평탄화 층을 포함하되, 상기 광 산란체, 상기 커버 매트릭스 층 및 상기 평탄화 층 중 적어도 어느 하나는 굴절률이 다른것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
이를 위해, 본 발명은, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되어 있는 다수의 광 산란체; 상기 다수의 광 산란체를 덮는 형태로 상기 베이스 기판 상에 형성되는 매트릭스 층; 및 상기 매트릭스 층 상에 형성되고, 표면은 유기발광소자와 접하는 평탄화 층을 포함하되, 상기 광 산란체, 상기 커버 매트릭스 층 및 상기 평탄화 층 중 적어도 어느 하나는 굴절률이 다른것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
Description
본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 산란 효율을 극대화시킬 수 있는 적층 구조의 최적화를 통해, 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 발광장치는 크게 유기물을 이용하여 발광층을 형성하는 유기 발광장치와 무기물을 이용하여 발광층을 형성하는 무기 발광장치로 구분할 수 있다. 이중, 유기 발광장치를 이루는 유기발광소자는 전자주입전극(cathode)으로부터 주입된 전자와 정공주입전극(anode)으로부터 주입된 정공이 유기 발광층에서 결합하여 엑시톤(exiton)을 형성하고, 이 엑시톤이 에너지를 방출하면서 발광하는 자체 발광형 소자로서, 저전력 구동, 자체발광, 넓은 시야각, 높은 해상도와 천연색 실현, 빠른 응답 속도 등의 장점을 가지고 있다.
최근에는 이러한 유기발광소자를 휴대용 정보기기, 카메라, 시계, 사무용기기, 자동차 등의 정보 표시 창, 텔레비전, 디스플레이 또는 조명용 등에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
상술한 바와 같은 유기발광소자의 발광 효율을 향상시키기 위해서는 발광층을 구성하는 재료의 발광 효율을 높이거나 발광층에서 발광된 광의 광추출 효율을 향상시키는 방법이 있다.
이때, 광추출 효율은 유기발광소자를 구성하는 각 층들의 굴절률에 의해 좌우된다. 일반적인 유기발광소자의 경우, 발광층으로부터 방출되는 광이 임계각 이상으로 출사될 때, 애노드인 투명전극층과 같이 굴절률이 높은 층과 기판유리와 같이 굴절률이 낮은 층 사이의 계면에서 전반사를 일으키게 되어, 광추출 효율이 낮아지게 되고, 이로 인해, 유기발광소자의 전체적인 발광 효율이 감소되는 문제점이 있었다.
이를 구체적으로 설명하면, 유기발광소자는 발광량의 20%만 외부로 방출되고, 80% 정도의 빛은 기판유리와 애노드 및 정공 주입층, 전공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 유기 발광층의 굴절률 차이에 의한 도파관(wave guiding) 효과와 기판유리와 공기의 굴절률 차이에 의한 전반사 효과로 손실된다. 즉, 내부 유기 발광층의 굴절률은 1.7~1.8이고, 애노드로 일반적으로 사용되는 ITO의 굴절률은 약 1.9이다. 이때, 두 층의 두께는 대략 200~400㎚로 매우 얇고, 기판유리의 굴절률은 1.5이므로, 유기발광소자 내에는 평면 도파로가 자연스럽게 형성된다. 계산에 의하면, 상기 원인에 의한 내부 도파모드로 손실되는 빛의 비율이 약 45%에 이른다. 그리고 기판유리의 굴절률은 약 1.5이고, 외부 공기의 굴절률은 1.0이므로, 기판유리에서 외부로 빛이 빠져 나갈 때, 임계각 이상으로 입사되는 빛은 전반사를 일으켜 기판유리 내부에 고립되는데, 이렇게 고립된 빛의 비율은 약 35%에 이르기 때문에, 불과 발광량의 20% 정도만 외부로 방출된다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 광도파모드에 의해 소실되는 80%의 빛을 외부로 끌어내는 광추출층에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 여기서, 광추출층은 크게 내부 광추출층과 외부 광추출층으로 나뉜다. 이때, 외부 광추출층의 경우에는 다양한 형태의 마이크로 렌즈를 포함하는 필름을 기판 외부에 설치함으로써, 광추출 효과를 얻을 수 있는데, 마이크로 렌즈의 형태에 크게 구애 받지 않은 특성이 있다. 또한, 내부 광추출층은 광도파모드로 소실되는 빛을 직접적으로 추출함으로써, 외부 광추출층에 비해 효율증대 가능성이 훨씬 높은 장점이 있다. 하지만, 내부 광추출층은 수직에 가깝게 기판유리에 입사되는 빛에 대해서는 오히려 방해가 될 수 있다. 즉, 내부 광추출층은 외부 광추출층에 비해 우수한 광추출 효과를 구현하는 반면, 광 손실을 유발하는 요인이 되기도 한다. 또한, 내부 광추출층은 유기발광소자 제작 공정 중에 형성시켜야만 하고, 후속 공정에 영향을 받으며, 기술적으로도 형성이 쉽지 않은 문제점을 가지고 있다.
한편, 광 산란 현상을 이용한 광추출 기술에 많은 발전이 이루어져 왔다. 특히, 광 산란층을 기판과 투명전극 사이에 삽입하는 내부 광추출층 기술이 각광을 받아 왔다. 이 경우, 내부 광추출층의 광 효율 개선 성능은 기본적으로 광 산란층에 포함되어 있는 광 산란체의 산란 구조에 의한 산란 효율에 주로 의존하고 있으며, 현재, 이러한 산란 효율을 더욱더 높이기 위한 다양한 연구가 진행되고 있는 실정이다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 산란 효율을 극대화시킬 수 있는 적층 구조의 최적화를 통해, 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되어 있는 다수의 광 산란체; 상기 다수의 광 산란체를 덮는 형태로 상기 베이스 기판 상에 형성되는 커버 매트릭스 층; 및 상기 커버 매트릭스 층 상에 형성되고, 표면은 유기발광소자와 접하는 평탄화 층을 포함하되, 상기 광 산란체, 상기 커버 매트릭스 층 및 상기 평탄화 층 중 적어도 어느 하나는 굴절률이 다른 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판을 제공한다.
여기서, 상기 커버 매트릭스 층은 상기 광 산란체 및 상기 평탄화층과 굴절률이 다른 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 커버 매트릭스 층은 상기 광 산란체 및 상기 평탄화 층보다 굴절률이 상대적으로 높은 고굴절 매트릭스 층을 형성할 수 있다.
이때, 상기 커버 매트릭스 층은 금속산화물 또는 고굴절 폴리머로 이루어질 수 있다.
이 경우, 상기 커버 매트릭스 층은 SiO2, TiO2, ZrOx, ZnO 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 커버 매트릭스 층은 루타일(rutile) 결정상의 TiO2로 이루어질 수 있다.
그리고 상기 커버 매트릭스 층의 내부에는 부정형의 다수의 기공이 형성되어 있을 수 있다.
이때, 상기 기공의 크기는 50~900㎚일 수 있다.
또한, 상기 커버 매트릭스 층의 두께는 상기 광 산란체의 두께보다 얇을 수 있다.
이때, 상기 커버 매트릭스 층은 10~500㎚ 두께로 형성될 수 있다.
그리고 상기 광 산란체는 50㎚~1㎛ 직경으로 형성될 수 있다.
아울러, 상기 광 산란체와 상기 평탄화 층은 서로 굴절률이 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 서로 굴절률이 다른 물질로 이루어질 수도 있다.
또한, 상기 광 산란체와 상기 커버 매트릭스 층은 서로 굴절률이 동일한 물질로 이루어지고, 상기 커버 매트릭스 층과 상기 평탄화 층은 서로 굴절률이 다른 물질로 이루어질 수 있다.
그리고 상기 광 산란체와 상기 커버 매트릭스 층은 서로 굴절률이 다른 물질로 이루어지고, 상기 커버 매트릭스 층과 상기 평탄화 층은 서로 굴절률이 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
게다가, 상기 다수의 광 산란체, 상기 커버 매트릭스 층 및 상기 평탄화 층은 상기 베이스 기판과 상기 유기발광소자 사이에 형성되어 상기 유기발광소자의 내부 광추출층을 이룰 수 있다.
또한, 상기 다수의 광 산란체는 상기 커버 매트릭스 층 내부에서 40% 이상의 분포 밀도를 가질 수 있다.
이때, 상기 다수의 광 산란체는 입자 형태의 광 산란체, 기공 형태의 광 산란체 및 상기 입자 형태의 광 산란체들과 상기 기공 형태의 광 산란체들이 조합된 형태 중 어느 한 형태로 이루어질 수 있다.
이 경우, 상기 입자 형태의 광 산란체는 단일 굴절률 또는 다중 굴절률을 가질 수 있다.
또한, 상기 다수의 광 산란체는 상기 입자 형태의 광 산란체를 포함하되, 상기 입자 형태의 광 산란체는 단일 굴절률을 갖는 광 산란체와 다중 굴절률을 갖는 광 산란체의 조합으로 이루어질 수 있다.
그리고 상기 다중 굴절률을 갖는 광 산란체는 코어 및 상기 코어와 굴절률 차이를 가지며 상기 코어를 감싸는 쉘로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 코어는 중공으로 이루어질 수 있다.
아울러, 상기 베이스 기판은 플렉서블 기판으로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 베이스 기판은 두께 1.5㎜ 이하의 박판 유리로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면, 광 산란체, 커버 매트릭스 층 및 평탄화 층 중 적어도 어느 하나의 층을 굴절률이 다른 층으로 구비하되, 특히, 다수의 광 산란체 및 평탄화 층과 굴절률이 다른 고굴절의 커버 매트릭스 층을 구비함과 아울러, 고굴절 커버 매트릭스 층의 형성 두께를 제어함으로써, 산란 효율을 극대화시킬 수 있는 적층 구조의 최적화를 이룰 수 있고, 이를 통해, 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판이 빛이 방출되는 일측에 적용된 유기발광소자를 나타낸 단면 모식도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판을 포함하는 유기발광소자에 대한 광학 해석 결과를 나타낸 그래프.
도 3은 광 산란체의 분포 밀도(P.D)가 다른 5종의 내부 광추출층에 대한 모델링 결과.
도 4는 광 산란체의 분포 밀도에 따른 광추출 효율을 나타낸 그래프로, 도 3의 모델링 결과와 실험 결과를 비교하여 나타낸 그래프.
도 5는 루타일 결정상의 TiO2로 이루어진 매트릭스 층을 주사전자현미경으로 촬영한 사진.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판을 포함하는 유기발광소자에 대한 광학 해석 결과를 나타낸 그래프.
도 3은 광 산란체의 분포 밀도(P.D)가 다른 5종의 내부 광추출층에 대한 모델링 결과.
도 4는 광 산란체의 분포 밀도에 따른 광추출 효율을 나타낸 그래프로, 도 3의 모델링 결과와 실험 결과를 비교하여 나타낸 그래프.
도 5는 루타일 결정상의 TiO2로 이루어진 매트릭스 층을 주사전자현미경으로 촬영한 사진.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판(100)은 유기발광소자(10)를 채용한 조명장치의 휘도 향상을 위해 유기발광소자(10)의 광추출 효율을 향상시키는 역할을 하는 기능성 기판으로, 유기발광소자(10)로부터 발광된 광이 외부로 방출되는 일측에 배치된다.
여기서, 유기발광소자(10)는 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판(100) 및 유기발광소자(10)에 대한 인캡슐레이션을 위해, 이와 대향되게 위치되는 기판(미도시) 사이에 배치되는 제1 전극(11), 유기 발광층(12) 및 제2 전극(13)의 적층 구조로 이루어진다. 이때, 제1 전극(11)은 유기발광소자(10)의 애노드(anode)로 작용하는 전극으로, 정공 주입이 잘 일어나도록 일함수(work function)가 큰 금속, 예컨대, Au, In, Sn 또는 ITO와 같은 금속 또는 금속산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 제2 전극(13)은 유기발광소자(10)의 캐소드(cathode)로 작용하는 전극으로, 전자 주입이 잘 일어나도록 일함수가 작은 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막으로 이루어질 수 있다. 그리고 구체적으로 도시하진 않았지만, 유기 발광층(12)은 애노드인 제1 전극(11) 상에 차례로 적층되는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하여 형성될 수 있다.
이러한 구조에 따라, 애노드인 제1 전극(11)과 캐소드인 제2 전극(13) 사이에 순방향 전압이 인가되면, 제2 전극(13)으로부터 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되고, 제1 전극(11)으로부터 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 된다. 그리고 발광층 내로 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 되는데, 이때, 방출되는 빛의 밝기는 애노드로 작용하는 제1 전극(11)과 캐소드로 작용하는 제2 전극(13) 사이에 흐르는 전류량에 비례하게 된다.
이때, 유기발광소자(10)가 조명용 백색 유기발광소자로 이루어지는 경우, 예컨대, 발광층은 청색 영역의 광을 방출하는 고분자 발광층과 오렌지-적색 영역의 광을 방출하는 저분자 발광층의 적층 구조로 형성될 수 있고, 이 외에도 다양한 구조로 형성되어 백색 발광을 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에서, 유기 발광층(12)은 텐덤(tandem) 구조를 이룰 수 있다. 즉, 유기 발광층(12)은 복수 개로 구비될 수 있고, 각각의 유기 발광층(12)은 연결층(interconnecting layer)(미도시)을 매개로 교번 배치될 수 있다.
이러한 유기발광소자(10)의 광추출 향상을 위해 적용되는 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판(100)은 베이스 기판(110), 다수의 광 산란체(120), 커버 매트릭스 층(130) 및 평탄화 층(140)을 포함하여 형성된다.
베이스 기판(110)은 이의 일면에 형성되는 다수의 광 산란체(120), 커버 매트릭스 층(130) 및 평탄화 층(140)을 지지하는 기판이다. 또한, 베이스 기판(110)은 유기발광소자(10)의 전방, 즉, 유기발광소자(10)로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되어, 발광된 빛을 외부로 투과시킴과 아울러, 유기발광소자(10)를 외부 환경으로부터 보호하는 봉지(encapsulation) 기판으로서의 역할을 한다.
이러한 베이스 기판(110)은 투명 기판으로, 광 투과율이 우수하고 기계적인 물성이 우수한 것이면 어느 것이든 제한되지 않는다. 예를 들어, 베이스 기판(110)으로는 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 고분자 계열의 물질이 사용될 수 있다. 또한, 베이스 기판(110)으로는 화학강화유리인 소다라임 유리(SiO2-CaO-Na2O) 또는 알루미노실리케이트계 유리(SiO2-Al2O3-Na2O)가 사용될 수 있다. 여기서, 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판(100)을 채용한 유기발광소자(10)가 조명용인 경우, 베이스 기판(110)으로는 소다라임 유리가 사용될 수 있다. 이외에도 베이스 기판(110)으로는 금속산화물이나 금속질화물로 이루어진 기판이 사용될 수도 있다. 그리고 본 발명의 실시 예에서는 베이스 기판(110)으로 플렉서블(flexible) 기판이 사용될 수 있는데, 특히, 두께 1.5㎜ 이하의 박판 유리가 사용될 수 있다. 이때, 이러한 박판 유리는 퓨전(fusion) 공법 또는 플로팅(floating) 공법을 통해 제조될 수 있다.
다수의 광 산란체(120)는 베이스 기판(110) 상에 배치된다. 이때, 다수의 광 산란체(120)는 입자 형태의 광 산란체로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 다수의 광 산란체(120)가 입자 형태의 광 산란체로 이루어진 경우, 다수의 광 산란체(120)는 예컨대, 졸-겔(sol-gel)법을 통해 커버 매트릭스 층(130)을 이루는 물질에 혼합된 후, 이와 함께 베이스 기판(110) 상에 도포됨으로써, 베이스 기판(110) 상에 배열 혹은 형성될 수 있다. 또한, 다수의 광 산란체(120)는 커버 매트릭스 층(130) 형성과는 별개의 공정을 통해, 커버 매트릭스 층(130)보다 먼저, 베이스 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시 예에 따른 다수의 광 산란체(120)는 기공 형태의 광 산란체로도 이루어질 수 있다. 이와 같이, 다수의 광 산란체(120)가 기공 형태의 광 산란체로 이루어진 경우, 다수의 광 산란체(120)는 예컨대, 열가소성 고분자 입자가 혼합된 커버 매트릭스 층(130)을 이루는 물질을 커버 매트릭스 층(130)으로 만들기 위한 소성 과정에서, 열가소성 고분자 입자의 기화로 인해 열가소성 고분자 입자가 차지했던 자리에 형성될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 다수의 광 산란체(120)는 입자 형태의 광 산란체로 이루어지거나 기공 형태의 광 산란체로 이루어질 수 있고, 나아가, 입자 형태의 광 산란체들과 기공 형태의 광 산란체들이 소정 비율로 조합된 형태로도 이루어질 수 있다.
상기와 같이 다양한 형태로 이루어지는 다수의 광 산란체(120)는 최종적으로는 커버 매트릭스 층(130) 내부에 분산되어 있는 구조를 이루게 된다.
이때, 본 발명의 실시 예에서, 광 산란체(120), 보다 상세하게, 입자 형태로 이루어진 광 산란체(120)는 커버 매트릭스 층(130)과 굴절률이 동일한 물질로 이루어지거나 굴절률이 다른 물질로도 이루어질 수 있다. 특히, 입자 형태로 이루어진 광 산란체(120)는 커버 매트릭스 층(130)보다 굴절률이 상대적으로 낮은 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 광 산란체(120)는 커버 매트릭스 층(130)을 이루는 물질에 따라, SiO2, TiO2, Al2O3 등과 같은 금속 산화물 중 커버 매트릭스 층(130)보다 굴절률이 낮은 어느 하나의 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에서, 광 산란체(120)는 구형의 나노 입자로 이루어질 수 있는데, 직경이 50㎚~1㎛인 나노 입자로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 베이스 기판(110) 상에 배치되고, 커버 매트릭스 층(120)의 내부에 분산되어 있는 구조를 이루는 다수의 광 산란체(120)는 커버 매트릭스 층(130) 및 평탄화 층(140)과 함께 유기발광소자(10)의 내부 광추출층을 이루게 된다. 즉, 다수의 광 산란체(120)는 커버 매트릭스 층(130)보다 굴절률이 상대적으로 낮은 물질로 이루어져, 커버 매트릭스 층(130)과 굴절률 차이를 이룸과 아울러, 유기발광소자(10)로부터 발광된 광의 경로를 다변화시켜, 유기발광소자(100의 광추출 효율을 향상시키는 역할을 한다. 이때, 광 산란체(120)와 커버 매트릭스 층(130)이 서로 굴절률이 동일한 물질로 이루어지는 경우에는 평탄화 층(140)이 이들과 굴절률이 다른 물질로 이루어져, 굴절률 차이를 이루게 된다.
이러한 광 산란체(120)는 커버 매트릭스 층(130) 내부에서 분포되어 있는 영역이 넓을수록 광추출 효율 또한 증가시키는 특성을 갖는다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 광 산란체(120)는 커버 매트릭스 층(130) 내부에서 40% 이상의 분포 밀도(packing density)를 갖는다.
한편, 입자 형태로 이루어진 광 산란체(120)는 다중 굴절률을 갖는 형태로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 입자 형태로 이루어진 광 산란체(120)는 서로 굴절률이 다른 코어-쉘 구조로 이루어질 수 있다. 이때, 코어는 중공으로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 광 산란체(120)가 코어-쉘 구조로 이루어지면, 코어와 쉘 간의 굴절률 차이를 통해, 유기발광소자(10)로부터 방출된 광을 외부로 추출하는 효율을 보다 향상시킬 수 있게 된다.
다수의 광 산란체(120)가 입자 형태의 광 산란체들만으로 이루어진 것으로 가정할 때, 커버 매트릭스 층(130) 내부에 분산되어 있는 다수의 광 산란체(120)는 전체가 코어-쉘 구조를 이루는 입자들로 이루어지거나, 전체가 단일 굴절률을 갖는 입자들로 이루어질 수 있다. 또한, 다수의 광 산란체(120)는 코어-쉘 구조와 같은 다중 굴절률을 갖는 입자들과 단일 굴절률을 갖는 입자들이 혼합된 형태로도 이루어질 수 있다.
커버 매트릭스 층(130)은 다수의 광 산란체(120)를 베이스 기판(110) 상에 고정하는 층이다. 이를 위해, 커버 매트릭스 층(130)은 베이스 기판(110) 상에 배치되어 있는 다수의 광 산란체(120)를 덮는 형태로 베이스 기판(110) 상에 형성된다.
이때, 커버 매트릭스 층(130)은 굴절률 차이를 통한 유기발광소자(10)의 광추출 효율 향상을 위해, 광 산란체(120) 및 평탄화 층(140) 중 적어도 어느 하나의 층과 굴절률이 다른 물질로 이루어진다. 특히, 본 발명의 실시 예에 따른 커버 매트릭스 층(130)은 광 산란체(120) 및 평탄화 층(140)보다 굴절률이 상대적으로 높은 고굴절(high-refractive index; HRI) 매트릭스 층을 형성한다. 이러한 커버 매트릭스 층(130)은 SiO2, TiO2, ZrOx, ZnO 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어지거나 고굴절 폴리머(polymer)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 광 산란체(120)가 SiO2 입자로 이루어진 경우, 커버 매트릭스 층(130)은 굴절률 2.3의 TiO2로 이루어질 수 있다.
여기서, 도 5의 주사전자현미경 사진에서 보여지는 바와 같이, 커버 매트릭스 층(130)이 루타일(rutile) 결정상의 TiO2로 이루어진 경우, 커버 매트릭스 층(130) 형성을 위해 TiO2를 소성 과정에서, TiO2 내부에는 부정형의 다수의 기공이 대략 50~900㎚ 크기로 형성된다. 이러한 기공은 광 산란체(120)와 함께 복잡한 산란구조를 이뤄, 유기발광소자(10)의 광추출 효율을 향상시키는 역할을 한다. 이때, 다수의 기공은 광 산란체(120)와 비교할 때, 이와 동등하거나 그 이상의 광 산란 효과를 구현할 수 있다. 즉, 루타일 결정상의 TiO2로 이루어진 커버 매트릭스 층(130) 내부에 부정형의 기공이 많이 형성될수록, 다시 말해, 커버 매트릭스 층(130)에서 다수의 기공이 차지하는 면적이 넓을수록, 우수한 광추출 효율을 구현할 수 있다. 이와 같이, 커버 매트릭스 층(130) 내부에 기공이 많이 형성되면, 값비싼 광 산란체(120)의 사용 개수를 줄일 수 있게 되고, 이를 통해, 제조비용을 절감할 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 실시 예에서, 커버 매트릭스 층(130)은 상기와 같이, 광 산란체(120) 및 평탄화 층(140)보다 굴절률이 상대적으로 높은 고굴절(high-refractive index; HRI) 매트릭스 층으로 이루어짐과 아울러, 광 산란체(120)의 두께, 즉, 이의 직경보다 얇은 두께로 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에서, 커버 매트릭스 층(130)은 10~500㎚ 두께로 형성될 수 있다. 도시한 바와 같이, 이와 같은 두께로 커버 매트릭스 층(130)이 형성되면, 커버 매트릭스 층(130)의 표면에는 다수의 광 산란체(120)에 의해 볼록 렌즈 형상의 렌즈 어레이가 형성되는데, 이러한 렌즈 어레이는 광 산란체(120)와 마찬가지로, 유기발광소자(10)로부터 발광된 광의 경로를 다변화시켜, 유기발광소자(10)의 광추출 효율을 향상시키는 역할을 한다. 즉, 본 발명의 실시 예에서는 다수의 광 산란체(120)와 커버 매트릭스 층(130) 간의 상기와 같은 결합 관계를 통해 구현되는 최적화된 적층 구조를 통해, 유기발광소자(10)로부터 방출되는 광의 산란 효율을 극대화시킬 수 있고, 이는, 결국, 유기발광소자(10)의 광추출 효율 향상으로 이어지게 된다.
평탄화 층(140)은 커버 매트릭스 층(130) 상에 형성된다. 이러한 평탄화 층(140)은 커버 매트릭스 층(130) 및 이의 내부에 분산되어 있는 다수의 광 산란체(120)와 함께 유기발광소자(10)의 내부 광추출층(Internal Light Extraction Layer; ILEL)을 이루게 된다. 이때, 커버 매트릭스 층(130) 상에 형성되는 평탄화 층(140)의 표면은 유기발광소자(10), 구체적으로는 유기발광소자(10)의 애노드로 작용하는 유기발광소자(10)의 제1 전극(11)과 접하게 된다. 이와 같이, 평탄화 층(140)의 표면이 유기발광소자(10)의 애노드로 작용하는 투명전극인 제1 전극(11)과 접함에 따라, 유기발광소자(10)의 전기적 특성 저하를 방지하기 위해, 평탄화 층(140)의 표면은 고 평탄면으로 이루어져야 한다. 여기서, 커버 매트릭스 층(130) 상에 평탄화 층(140)을 형성하는 경우, 다수의 광 산란체(120)로 인해 커버 매트릭스 층(130)의 표면에 형성된 렌즈 어레이 구조로 인해, 평탄화 층(140)의 표면에도 굴곡이 형성될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 평탄화 층(140)은 렌즈 어레이에 영향을 받지 않을 만큼 충분한 두께를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에서, 평탄화 층(140)은 50㎚~수 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예에서는 유기발광소자(10)의 광추출 효율을 극대화시키기 위해, 평탄화 층(140)은 커버 매트릭스 층(130)과 굴절률이 동일한 물질로 이루어지거나 커버 매트릭스 층(130)과는 굴절률이 다른 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 평탄화 층(140)이 커버 매트릭스 층(130)과 굴절률이 다른 물질로 이루어지는 경우, 평탄화 층(140)은 SiO2, TiO2와 같은 금속 산화물이나 고굴절 폴리머 중 선택되는 물질로 이루어질 수 있는데, 이때의 선택 기준은 커버 매트릭스 층(130)을 이루는 물질보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 한정된다. 이 경우, 평탄화 층(140)은 광 산란체(120)와 굴절률이 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 하지만, 평탄화 층(140)은 커버 매트릭스 층(130)과 굴절률 차이를 갖도록, 커버 매트릭스 층(130)보다 굴절률이 상대적으로 낮은 물질로만 이루어지면 되므로, 본 발명의 실시 예에서, 평탄화 층(140)을 이루는 물질을, 광 산란체(120)를 이루는 물질과 동일한 물질로 특별히 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 평탄화 층(140)과 광 산란체(120)는 커버 매트릭스 층(130)보다 굴절률이 상대적으로 낮은 물질로 이루어지는 가운데, 평탄화 층(140)과 광 산란체(120) 간의 굴절률은 서로 다를 수 있다. 즉, 평탄화 층(140)은 광 산란체(120)와 굴절률이 다른 물질로도 이루어질 수 있다.
즉, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판(100)은 광 산란체(120), 커버 매트릭스 층(130) 및 평탄화 층(140) 중 적어도 어느 하나의 층을 굴절률이 다른 층으로 구비한다.
이와 같이, 유기발광소자(10)로부터 발광된 빛이 방출되는 경로에 서로 굴절률이 상이한, 즉, 저굴절/고굴절 또는 고굴절/저굴절 또는 저굴절/고굴절/저굴절 적층 구조의 내부 광추출층을 구비하면, 굴절률 차이를 통해 유기발광소자(10)의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 이때, 이러한 내부 광추출층의 적층 구조는 다수의 광 산란체(120) 및 커버 매트릭스 층(130)의 렌즈 어레이 구조를 통해 구현되는 광 산란 효율 향상을 통한 유기발광소자(10)의 광추출 효율 향상 효과를 배가시키는 역할을 한다.
도 2는 상기와 같은 구조로 이루어지는 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판이 유기발광소자에 적용된 경우, 유기발광소자에 대한 파장별 광학 해석 결과를 나타낸 그래프이다. 이때, 광 산란체로는 직경 200㎚의 SiO2 입자가 사용되었고, 고굴절 커버 매트릭스 층으로는 굴절률 2.3의 TiO2가 사용되었으며, 평탄화 층을 이루는 물질로는 광 산란체와 동일한 SiO2가 사용되었다. 도 2의 그래프를 보면, 유기발광소자의 효율이 커버 매트릭스 층의 두께(tHRI)에 따라 변화되는 것을 확인할 수 있고, 특히, 커버 매트릭스 층의 두께가 광 산란체의 직경 200㎚보다 얇은 경우, 유기발광소자의 효율이 최대가 됨을 확인할 수 있다. 이때, 그래프의 노란색 선, 빨간색 선, 파랑색 선은 파장별로 매트릭스 층의 두께(tHRI)에 따른 유기발광소자의 광추출 효율 변화를 나타낸 것으로, 파장별로 최적의 효율을 나타내는 커버 매트릭스 층의 두께(tHRI)를 선택할 수 있음을 보여준다.
또한, 도 3 및 도 4는 커버 매트릭스 층 내부에 분포되어 있는 광 산란체의 분포 밀도에 따른 광추출 효율의 상관관계를 알아보기 위해, 광 산란체의 분포 밀도가 다른 5종의 내부 광추출층에 대한 모델링 및 실험 결과를 나타낸 그래프이다. 먼저, 도 3을 보면, 광 산란체의 분포 밀도가 증가할수록 헤이즈값 또한 증가하는 것으로 확인되었다. 하지만, 광 산란체의 분포 밀도가 50%를 넘게 되면, 헤이즈값은 다시 감소되는 것으로 확인되었다. 그리고 도 4를 보면, 모델링 및 실험 결과 모두, 광 산란체의 분포 밀도가 증가할수록 광추출 효율 또한 증가하는 것으로 확인되었다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 광추출 기판 110: 베이스 기판
120: 광 산란체 130: 커버 매트릭스 층
140: 평탄화 층 10: 유기발광소자
11: 제1 전극 12: 유기 발광층
13: 제2 전극
120: 광 산란체 130: 커버 매트릭스 층
140: 평탄화 층 10: 유기발광소자
11: 제1 전극 12: 유기 발광층
13: 제2 전극
Claims (25)
- 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되어 있는 다수의 광 산란체;
상기 다수의 광 산란체를 덮는 형태로 상기 베이스 기판 상에 형성되는 커버 매트릭스 층; 및
상기 커버 매트릭스 층 상에 형성되고, 표면은 유기발광소자와 접하는 평탄화 층;
을 포함하되,
상기 광 산란체, 상기 커버 매트릭스 층 및 상기 평탄화 층 중 적어도 어느 하나는 굴절률이 다르고,
상기 커버 매트릭스 층의 내부에는 부정형의 다수의 기공이 형성되어 있으며,
상기 커버 매트릭스 층의 두께는 상기 광 산란체의 두께보다 얇고,
상기 다수의 광 산란체는 상기 커버 매트릭스 층 내부에서 40% 이상의 분포 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 커버 매트릭스 층은 상기 광 산란체 및 상기 평탄화층과 굴절률이 다른 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제2항에 있어서,
상기 커버 매트릭스 층은 상기 광 산란체 및 상기 평탄화 층보다 굴절률이 상대적으로 높은 고굴절 매트릭스 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제3항에 있어서,
상기 커버 매트릭스 층은 금속산화물 또는 고굴절 폴리머로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제4항에 있어서,
상기 커버 매트릭스 층은 SiO2, TiO2, ZrOx, ZnO 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제5항에 있어서,
상기 커버 매트릭스 층은 루타일(rutile) 결정상의 TiO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 기공의 크기는 50~900㎚인 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 커버 매트릭스 층은 10~500㎚ 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 광 산란체는 50㎚~1㎛ 직경으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 광 산란체와 상기 평탄화 층은 서로 굴절률이 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 광 산란체와 상기 평탄화 층은 서로 굴절률이 다른 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 광 산란체와 상기 커버 매트릭스 층은 서로 굴절률이 동일한 물질로 이루어지고, 상기 커버 매트릭스 층과 상기 평탄화 층은 서로 굴절률이 다른 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 광 산란체와 상기 커버 매트릭스 층은 서로 굴절률이 다른 물질로 이루어지고, 상기 커버 매트릭스 층과 상기 평탄화 층은 서로 굴절률이 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 다수의 광 산란체, 상기 커버 매트릭스 층 및 상기 평탄화 층은 상기 베이스 기판과 상기 유기발광소자 사이에 형성되어 상기 유기발광소자의 내부 광추출층을 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 다수의 광 산란체는 입자 형태의 광 산란체, 기공 형태의 광 산란체 및 상기 입자 형태의 광 산란체들과 상기 기공 형태의 광 산란체들이 조합된 형태 중 어느 한 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제18항에 있어서,
상기 입자 형태의 광 산란체는 단일 굴절률 또는 다중 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제19항에 있어서,
상기 다수의 광 산란체는 상기 입자 형태의 광 산란체를 포함하되,
상기 입자 형태의 광 산란체는 단일 굴절률을 갖는 광 산란체와 다중 굴절률을 갖는 광 산란체의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제20항에 있어서,
상기 다중 굴절률을 갖는 광 산란체는 코어 및 상기 코어와 굴절률 차이를 가지며 상기 코어를 감싸는 쉘로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제21항에 있어서,
상기 코어는 중공으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 베이스 기판은 플렉서블 기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제23항에 있어서,
상기 베이스 기판은 두께 1.5㎜ 이하의 박판 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극 상에 적층되는 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 적층되는 애노드 전극;
을 포함하고,
상기 애노드 전극 상에는 제1항에 따른 유기발광소자용 광추출 기판이 배치되되,
상기 애노드 전극에는 상기 평탄화 층이 접하며,
상기 평탄화 층, 상기 다수의 광 산란체 및 상기 커버 매트릭스 층은 내부 광추출층을 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP15845488.4A EP3200254B1 (en) | 2014-09-25 | 2015-09-18 | Light extraction substrate for organic light emitting element and organic light emitting element comprising same |
| PCT/KR2015/009802 WO2016047970A2 (ko) | 2014-09-25 | 2015-09-18 | 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| CN201580051733.0A CN106716670B (zh) | 2014-09-25 | 2015-09-18 | 用于有机发光元件的光提取基底及包括其的有机发光元件 |
| US15/514,301 US11276841B2 (en) | 2014-09-25 | 2015-09-18 | Light extraction substrate for organic light emitting element and organic light emitting element comprising same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20140128197 | 2014-09-25 | ||
| KR1020140128197 | 2014-09-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160036454A KR20160036454A (ko) | 2016-04-04 |
| KR101762642B1 true KR101762642B1 (ko) | 2017-07-31 |
Family
ID=55799764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140192272A KR101762642B1 (ko) | 2014-09-25 | 2014-12-29 | 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP3200254B1 (ko) |
| KR (1) | KR101762642B1 (ko) |
| CN (1) | CN106716670B (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021527852A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-14 | コーニング インコーポレイテッド | 近赤外線で硬化された内部光取り出し層 |
| CN110311051A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-10-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111769203A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-10-13 | 南京邮电大学 | 一种聚合物平坦化处理的TiO2散射薄膜材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4177788B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2008-11-05 | 株式会社東芝 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| EP2026122B1 (en) * | 2006-06-02 | 2010-01-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Display element |
| KR20120024358A (ko) * | 2010-09-06 | 2012-03-14 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법 |
| KR102193808B1 (ko) * | 2012-01-10 | 2020-12-22 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 코팅용 조성물, 다공질막, 광 산란막 및 유기 전계 발광 소자 |
| KR20130108026A (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 |
| JP5956673B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-07-27 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機電子素子用基板、有機電子装置、基板の製造方法及び照明 |
| KR20140046728A (ko) * | 2012-10-11 | 2014-04-21 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 금속산화물 박막 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| KR101765183B1 (ko) * | 2013-02-27 | 2017-08-07 | 삼성전자주식회사 | 발광장치용 광추출층 및 그 형성방법 |
-
2014
- 2014-12-29 KR KR1020140192272A patent/KR101762642B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-09-18 CN CN201580051733.0A patent/CN106716670B/zh active Active
- 2015-09-18 EP EP15845488.4A patent/EP3200254B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3200254B1 (en) | 2023-06-07 |
| EP3200254A4 (en) | 2018-06-06 |
| KR20160036454A (ko) | 2016-04-04 |
| EP3200254C0 (en) | 2023-06-07 |
| CN106716670A (zh) | 2017-05-24 |
| EP3200254A2 (en) | 2017-08-02 |
| CN106716670B (zh) | 2019-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI403209B (zh) | 具有改良光輸出之電致發光裝置 | |
| KR101642120B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR101674066B1 (ko) | 유기발광소자 | |
| JP2005190931A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子とこれを用いた面光源および表示装置 | |
| KR101866243B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR101632614B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR101579457B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR101762642B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| US11276841B2 (en) | Light extraction substrate for organic light emitting element and organic light emitting element comprising same | |
| KR101484089B1 (ko) | 초박형 유기발광소자 제조방법 | |
| US9893320B2 (en) | Method for manufacturing light extraction substrate for organic light emitting element, light extraction substrate for organic light emitting element, and organic light emitting element including same | |
| US20170256745A1 (en) | Method for manufacturing light extraction substrate for organic light-emitting diode, light extraction substrate for organic light-emitting diode, and organic light-emitting diode including same | |
| KR101488660B1 (ko) | 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR101608335B1 (ko) | 유기발광소자 | |
| KR101699275B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR20150009734A (ko) | 유기발광소자 | |
| KR101999294B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR101580596B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| JP2019079725A (ja) | 有機ｅｌ素子、ならびに、当該有機ｅｌ素子を含む照明装置、面状光源、および表示装置 | |
| KR20150009277A (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |