KR101632614B1 - 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 - Google Patents

유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101632614B1
KR101632614B1 KR1020140188383A KR20140188383A KR101632614B1 KR 101632614 B1 KR101632614 B1 KR 101632614B1 KR 1020140188383 A KR1020140188383 A KR 1020140188383A KR 20140188383 A KR20140188383 A KR 20140188383A KR 101632614 B1 KR101632614 B1 KR 101632614B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mixture
light emitting
organic light
scattering particles
metal oxide
Prior art date
Application number
KR1020140188383A
Other languages
English (en)
Inventor
이주영
김동현
김서현
Original Assignee
코닝정밀소재 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닝정밀소재 주식회사 filed Critical 코닝정밀소재 주식회사
Priority to KR1020140188383A priority Critical patent/KR101632614B1/ko
Priority to US15/539,864 priority patent/US10033012B2/en
Priority to PCT/KR2015/013902 priority patent/WO2016105027A1/ko
Priority to CN201580071172.0A priority patent/CN107112435B/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR101632614B1 publication Critical patent/KR101632614B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기발광소자로부터 방출되는 광에 대한 산란 유도가 가능한 균열을 매트릭스 층에 형성시킴으로써, 방출되는 광의 경로를 복잡화 혹은 다변화시킬 수 있고, 이를 통해, 유기발광소자의 광추출 효율을 보다 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 제1 금속산화물을 포함하는 졸겔용액과, 상기 제1 금속산화물과 굴절률이 다른 제2 금속산화물로 이루어진 다수의 산란입자를 혼합하여 혼합물을 제조하는 혼합물 제조단계; 상기 혼합물을 베이스 기판 상에 코팅하는 혼합물 코팅단계; 및 코팅된 상기 혼합물을 소성하여, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 금속산화물로 이루어지고 상기 산란입자가 내부에 분산되어 있는 매트릭스 층을 형성하는 혼합물 소성단계를 포함하되, 상기 혼합물 소성단계에서는 상기 베이스 기판과 상기 제1 금속산화물 간의 열팽창계수(CTE) 차이로 인해, 유기발광소자로부터 방출되는 광에 대한 산란 유도가 가능한 균열이 매트릭스 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.

Description

유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자{METHOD OF FABRICATING LIGHT EXTRACTION SUBSTRATE, LIGHT EXTRACTION SUBSTRATE FOR OLED AND OLED INCLUDING THE SAME}
본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기발광소자로부터 방출되는 광에 대한 산란 유도가 가능한 균열을 매트릭스 층에 형성시킴으로써, 방출되는 광의 경로를 더욱 복잡화 혹은 다변화시킬 수 있고, 이를 통해, 유기발광소자의 광추출 효율을 보다 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 발광장치는 크게 유기물을 이용하여 발광층을 형성하는 유기 발광장치와 무기물을 이용하여 발광층을 형성하는 무기 발광장치로 구분할 수 있다. 이중, 유기 발광장치를 이루는 유기발광소자는 전자주입전극(cathode)으로부터 주입된 전자와 정공주입전극(anode)으로부터 주입된 정공이 유기 발광층에서 결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 에너지를 방출하면서 발광하는 자체 발광형 소자로서, 저전력 구동, 자체발광, 넓은 시야각, 높은 해상도와 천연색 실현, 빠른 응답 속도 등의 장점을 가지고 있다.
최근에는 이러한 유기발광소자를 휴대용 정보기기, 카메라, 시계, 사무용기기, 자동차 등의 정보 표시 창, 텔레비전, 디스플레이 또는 조명용 등에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
상술한 바와 같은 유기발광소자의 발광 효율을 향상시키기 위해서는 발광층을 구성하는 재료의 발광 효율을 높이거나 발광층에서 발광된 광의 광추출 효율을 향상시키는 방법이 있다.
이때, 광추출 효율은 유기발광소자를 구성하는 각 층들의 굴절률에 의해 좌우된다. 일반적인 유기발광소자의 경우, 발광층으로부터 방출되는 광이 임계각 이상으로 출사될 때, 애노드인 투명전극층과 같이 굴절률이 높은 층과 기판유리와 같이 굴절률이 낮은 층 사이의 계면에서 전반사를 일으키게 되어, 광추출 효율이 낮아지게 되고, 이로 인해, 유기발광소자의 전체적인 발광 효율이 감소되는 문제점이 있었다.
이를 구체적으로 설명하면, 유기발광소자는 발광량의 20%만 외부로 방출되고, 80% 정도의 빛은 기판유리와 애노드 및 정공 주입층, 전공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 유기 발광층의 굴절률 차이에 의한 도파관(wave guiding) 효과와 기판유리와 공기의 굴절률 차이에 의한 전반사 효과로 손실된다. 즉, 내부 유기 발광층의 굴절률은 1.7~1.8이고, 애노드로 일반적으로 사용되는 ITO의 굴절률은 약 1.9이다. 이때, 두 층의 두께는 대략 200~400㎚로 매우 얇고, 기판유리의 굴절률은 1.5이므로, 유기발광소자 내에는 평면 도파로가 자연스럽게 형성된다. 계산에 의하면, 상기 원인에 의한 내부 도파모드로 손실되는 빛의 비율이 약 45%에 이른다. 그리고 기판유리의 굴절률은 약 1.5이고, 외부 공기의 굴절률은 1.0이므로, 기판유리에서 외부로 빛이 빠져 나갈 때, 임계각 이상으로 입사되는 빛은 전반사를 일으켜 기판유리 내부에 고립되는데, 이렇게 고립된 빛의 비율은 약 35%에 이르기 때문에, 불과 발광량의 20% 정도만 외부로 방출된다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 광도파모드에 의해 소실되는 80%의 빛을 외부로 끌어내는 광추출층에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 여기서, 광추출층은 크게 내부 광추출층과 외부 광추출층으로 나뉜다. 이때, 외부 광추출층의 경우에는 다양한 형태의 마이크로 렌즈를 포함하는 필름을 기판 외부에 설치함으로써, 광추출 효과를 얻을 수 있는데, 마이크로 렌즈의 형태에 크게 구애 받지 않은 특성이 있다. 또한, 내부 광추출층은 광도파모드로 소실되는 빛을 직접적으로 추출함으로써, 외부 광추출층에 비해 효율증대 가능성이 훨씬 높은 장점이 있다.
하지만, 내부 광추출층을 통해 광추출 효율이 증대되더라도 외부로 방출되는 발광량을 기준으로 보면, 그 효과가 여전히 미진하므로, 광추출 효율을 보다 향상시킬 수 있는 방법 혹은 기술에 대한 연구가 절실히 요구되고 있는 실정이다.
대한민국 등록특허공보 제1093259호(2011.12.06.)
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 유기발광소자로부터 방출되는 광에 대한 산란 유도가 가능한 균열을 매트릭스 층에 형성시킴으로써, 방출되는 광의 경로를 더욱 복잡화 혹은 다변화시킬 수 있고, 이를 통해, 유기발광소자의 광추출 효율을 보다 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 제1 금속산화물을 포함하는 졸겔용액과, 상기 제1 금속산화물과 굴절률이 다른 제2 금속산화물로 이루어진 다수의 산란입자를 혼합하여 혼합물을 제조하는 혼합물 제조단계; 상기 혼합물을 베이스 기판 상에 코팅하는 혼합물 코팅단계; 및 코팅된 상기 혼합물을 소성하여, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 금속산화물로 이루어지고 상기 산란입자가 내부에 분산되어 있는 매트릭스 층을 형성하는 혼합물 소성단계를 포함하되, 상기 혼합물 소성단계에서는 상기 베이스 기판과 상기 제1 금속산화물 간의 열팽창계수(CTE) 차이로 인해, 유기발광소자로부터 방출되는 광에 대한 산란 유도가 가능한 균열이 매트릭스 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 혼합물 제조단계에서는 상기 졸겔용액의 농도를 1.0M 이상으로 제어할 수 있다.
또한, 상기 혼합물 제조단계에서는 SiO2, TiO2, ZrO2, ZnO2 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상을 조합하여 상기 제1 금속산화물로 사용할 수 있다.
이때, 상기 혼합물 제조단계에서는 루타일(rutile) 결정상의 TiO2를 상기 제1 금속산화물로 사용할 수 있다.
이 경우, 상기 혼합물 소성단계 후 상기 매트릭스 층 내부에는 부정형의 다수의 기공이 형성되어 있을 수 있다.
이때, 상기 기공은 50~900㎚ 크기로 형성되어 있을 수 있다.
그리고 상기 혼합물 제조단계에서는 SiO2, TiO2, ZnO2 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상을 조합하여 상기 제2 금속산화물로 사용할 수 있다.
이때, 상기 혼합물 제조단계에서는 상기 산란입자로, 단일 굴절률 또는 다중 굴절률을 갖는 산란입자를 사용할 수 있다.
또한, 상기 혼합물 제조단계에서는 상기 다수의 산란입자로, 단일 굴절률을 갖는 산란입자와 다중 굴절률을 갖는 산란입자를 혼합하여 사용할 수 있다.
게다가, 상기 다중 굴절률을 갖는 산란입자로는 코어 및 상기 코어와 굴절률 차이를 가지며 상기 코어를 감싸는 쉘로 이루어진 산란입자를 사용할 수 있다.
이때, 상기 다중 굴절률을 갖는 산란입자로는 중공으로 이루어진 코어 및 상기 코어와 굴절률 차이를 가지며 상기 코어를 감싸는 쉘로 이루어진 산란입자를 사용할 수 있다.
또한, 상기 혼합물 코팅단계에서는 상기 혼합물을 적어도 상기 산란입자의 두께 또는 상기 다수의 산란입자가 뭉쳐져 이루는 응집체의 전체 두께 이상으로 코팅할 수 있다.
그리고 상기 소성단계에서는 상기 혼합물을 400~800℃로 소성할 수 있다.
게다가, 상기 베이스 기판으로는 플렉서블 기판을 사용할 수 있다.
이때, 상기 베이스 기판으로는 두께 1.5㎜ 이하의 박판 유리를 사용할 수 있다.
한편, 본 발명은, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성되고, 제1 금속산화물로 이루어진 매트릭스 층; 및 상기 매트릭스 층 내부에 분산되어 있고, 상기 제1 금속산화물과 굴절률이 다른 제2 금속산화물로 이루어진 다수의 산란입자를 포함하되, 상기 매트릭스 층에는 유기발광소자로부터 방출되는 광에 대한 산란 유도가 가능한 균열이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판을 제공한다.
여기서, 상기 매트릭스 층은 SiO2, TiO2, ZrO2, ZnO 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 산란입자는 SiO2, TiO2, ZnO2 및 SnO를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상을 조합으로 이루어질 수 있다.
그리고 상기 다수의 산란입자 중 일부 또는 전부는, 코어, 및 상기 코어와 굴절률 차이를 가지며 상기 코어를 감싸는 쉘 구조로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 코어는 중공으로 이루어질 수 있다.
게다가, 상기 균열은 상기 다수의 산란입자 사이 및 여러 개의 상기 산란입자가 뭉쳐진 응집체들 사이를 따라 형성될 수 있다.
또한, 상기 균열의 일부 또는 전부는 상기 매트릭스 층의 표면으로 상기 베이스 기판을 노출시킬 수 있다.
더불어, 본 발명은, 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 상에 적층되는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 적층되는 애노드 전극을 포함하고, 상기 애노드 전극 상에는 상기의 유기발광소자용 광추출 기판이 배치되되, 상기 매트릭스 층 및 상기 다수의 산란입자는 내부 광추출층을 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
여기서, 상기 유기발광소자는 상기 애노드 전극과 상기 광추출 기판 사이에 배치되는 평탄막을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 매트릭스 층 형성을 위한 소성 시 베이스 기판과, 매트릭스 층을 이루는 금속산화물 간의 열팽창계수(CTE) 차이로 인해, 유기발광소자로부터 방출되는 광에 대한 산란 유도가 가능한 균열이 매트릭스 층에 형성되도록, 매트릭스 층을 이루는 졸겔용액의 농도 및 매트릭스 층의 형성 두께를 제어함으로써, 매트릭스 층에 균열을 형성시킬 수 있고, 이를 통해, 유기발광소자로부터 방출되는 광의 경로를 더욱 복잡화 혹은 다변화시킬 수 있어, 결국, 균열이 없는 일반적인 경우보다 유기발광소자의 광추출 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 나타낸 공정 순서도.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 공정 순으로 나타낸 공정도.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 광추출 기판을 유기발광소자에 적용한 단면도.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 실시 예1에 따라 제조한 광추출 기판을 주사전자현미경으로 촬영한 평면, 평면 확대 및 단면 사진들.
도 11 및 도 12는 본 발명의 실시 예2에 따라 제조한 광추출 기판을 주사전자현미경으로 촬영한 사진들.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 비교 예1에 따른 제조한 광추출 기판을 주사전자현미경으로 촬영한 사진들
도 16은 루타일 결정상의 TiO2로 이루어진 매트릭스 층을 주사전자현미경으로 촬영한 사진.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법은 유기발광소자(도 5의 11)로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 경로 상에 배치되어, 유기발광소자(도 5의 11)로부터 발광된 빛을 외부로 방출시키는 통로 역할을 하는 한편, 유기발광소자(도 5의 11)의 광추출 효율을 향상시킴과 아울러, 유기발광소자(도 5의 11)를 외부 환경으로부터 보호하는 광추출 기판(도 5의 100)을 제조하는 방법이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 이러한 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법은 혼합물 제조단계(S1), 혼합물 코팅단계(S2) 및 혼합물 소성단계(S3)를 포함한다.
먼저, 혼합물 제조단계(S1)는 유기발광소자(도 5의 11)의 내부 광추출층으로 형성될 혼합물(도 2의 120)을 제조하는 단계이다. 혼합물 제조단계(S1)에서는 졸겔용액(도 2의 121)에 다수의 산란입자(도 2의 122)를 혼합하여 혼합물(도 2의 120)을 제조한다. 이때, 혼합물 제조단계(S1)에서는 제1 금속산화물을 포함하는 졸겔용액(도 2의 121)을 사용할 수 있는데, 제1 금속산화물로는 SiO2, TiO2, ZrO2, ZnO 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상을 조합한 금속산화물을 사용할 수 있다. 특히, 혼합물 제조단계(S1)에서는 제1 금속산화물로 루타일(rutile) 결정상의 TiO2를 사용할 수 있다. 제1 금속산화물로 루타일(rutile) 결정상의 TiO2를 사용하게 되면, 후속 공정으로 진행되는 소성과정에서, TiO2 내부에 부정형의 다수의 기공이 형성되는데, 이에 대해서는 하기에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
또한, 혼합물 제조단계(S1)에서는 제1 금속산화물과 굴절률이 다른 제2 금속산화물로 이루어진 산란입자(도 2의 122)를 사용할 수 있는데, 제2 금속산화물로는 SiO2, TiO2, ZnO 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상을 조합한 금속산화물을 사용할 수 있다. 이때, 혼합물 제조단계(S1)에서는 다중 굴절률을 갖는 산란입자(도 2의 122)를 사용할 수 있다. 예를 들어, 혼합물 제조단계(S1)에서는 서로 굴절률이 다른 코어(도 2의 123) 및 이를 감싸는 쉘(도 2의 124)로 이루어진 산란입자들을 졸겔용액(도 2의 121)에 혼합하는 다수의 산란입자(도 2의 122)로 사용할 수 있다. 이때, 혼합물 제조단계(S1)에서는 코어(도 2의 123)가 중공으로 이루어진 산란입자(도 2의 122)를 사용할 수 있다. 이와 같이, 코어-쉘 구조로 이루어진 산란입자(도 2의 122)를 사용하게 되면, 코어(도 2의 123)와 쉘(도 2의 124) 간의 굴절률 차이를 통해, 유기발광소자(도 5의 11)로부터 방출된 광을 외부로 추출하는 효율을 보다 향상시킬 수 있게 된다.
본 발명의 실시 예에 따른 혼합물 제조단계(S1)에서는 상기와 같이, 코어-쉘 구조로 이루어진 산란입자들을 졸겔용액(도 2의 121)에 혼합하는 다수의 산란입자(도 2의 122) 중 일부를 이루도록 사용할 수 있다. 즉, 혼합물 제조단계(S1)에서는 단일 굴절률을 갖는 산란입자들과 코어-쉘 구조로 이루어진 다중 굴절률을 갖는 산란입자들을 소정 비율로 섞어, 졸겔용액(도 2의 121)에 혼합하는 다수의 산란입자(도 2의 122)로 사용할 수 있다. 물론, 혼합물 제조단계(S1)에서는 단일 굴절률을 갖는 산란입자(도 2의 122)들 또는 다중 굴절률을 갖는 산란입자(도 2의 122)들만 사용할 수도 있다.
한편, 혼합물 제조단계(S1)에서는 후속 공정으로 진행되는 혼합물 소성단계(S3)에서 베이스 기판(도 2의 110)과 졸겔용액(도 2의 121)에 포함되어 있는 제1 금속산화물 간의 열팽창계수(CTE) 차이로 인해, 졸겔용액(도 2의 121)을 소성시켜 형성되는 매트릭스 층(도 4의 130)에 균열(crack)(도 4의 131)이 형성되도록 하기 위해, 졸겔용액(도 2의 121)의 농도를 1.0M 이상으로 제어하는 것이 요구된다.
다음으로, 도 2에 도시한 바와 같이, 혼합물 코팅단계(S2)는 혼합물 제조단계(S1)를 통해 제조한 혼합물(120)을 베이스 기판(110) 상에 코팅하는 단계이다. 이때, 혼합물 코팅단계(S2)에서는 후속 공정으로 진행되는 혼합물 소성단계(S3)에서 베이스 기판(110)과 졸겔용액(121)에 포함되어 있는 제1 금속산화물 간의 열팽창계수(CTE) 차이로 인해, 졸겔용액(121)을 소성시켜 형성되는 매트릭스 층(도 4의 130)에 균열(crack)(도 4의 131)이 형성되도록 하기 위해, 혼합물(120)을 적어도 산란입자(122)의 두께 이상으로 베이스 기판(110) 상에 코팅하는 것이 바람직하다. 여기서, 산란입자(122)의 두께는 예컨대, 여러 개의 산란입자(122)들이 뭉쳐져 2층을 이루는 경우, 2층을 이루는 응집체의 전체 두께를 포함한다.
즉, 매트릭스 층(도 4의 130)에 균열(crack)(도 4의 131)을 형성하기 위해서는 혼합물 제조단계(S1)에서의 졸겔용액(121) 농도 제어가 필요하고, 혼합물 코팅단계(S2)에서의 혼합물(120) 코팅 두께 제어가 필요하다.
한편, 혼합물(120)이 코팅되는 베이스 기판(110)은 본 발명의 실시 예에 따라 제조되는 광추출 기판(도 5의 100)이 유기발광소자(도 5의 11)에 적용되는 경우, 유기발광소자(도 5의 11)의 전방, 즉, 유기발광소자(도 5의 11)로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되어, 발광된 빛을 외부로 투과시킴과 아울러, 유기발광소자(도 5의 11)를 외부 환경으로부터 보호하는 봉지(encapsulation) 기판으로서의 역할을 한다. 이러한 베이스 기판(110)은 투명 기판으로, 광 투과율이 우수하고 기계적인 물성이 우수한 것이면 어느 것이든 제한되지 않는다. 예를 들어, 베이스 기판(110)으로는 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 고분자 계열의 물질이 사용될 수 있다. 또한, 베이스 기판(110)으로는 화학강화유리인 소다라임 유리(SiO2-CaO-Na2O) 또는 알루미노실리케이트계 유리(SiO2-Al2O3-Na2O)가 사용될 수 있다. 여기서, 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 광추출 기판(도 5의 100)을 채용하는 유기발광소자(도 5의 11)가 조명용인 경우, 베이스 기판(110)으로는 소다라임 유리가 사용될 수 있다. 이외에도 베이스 기판(110)으로는 금속산화물이나 금속질화물로 이루어진 기판이 사용될 수도 있다. 그리고 본 발명의 일 실시 예에서는 베이스 기판(110)으로 플렉서블(flexible) 기판이 사용될 수 있는데, 특히, 두께 1.5㎜ 이하의 박판 유리가 사용될 수 있다. 이때, 이러한 박판 유리는 퓨전(fusion) 공법 또는 플로팅(floating) 공법을 통해 제조될 수 있다.
다음으로, 도 3에 도시한 바와 같이, 혼합물 소성단계(S3)는 혼합물 코팅단계(S2)를 통해, 베이스 기판(110) 상에 코팅된 혼합물(120)을 소성하는 단계이다. 또한, 혼합물 소성단계(S3)는 이러한 혼합물(120)에 대한 소성을 통해, 제1 금속산화물로 이루어지고 다수의 산란입자(122)가 내부에 분산되어 있는 매트릭스 층(도 4의 130)을 베이스 기판(110) 상에 형성하는 단계이다.
본 발명의 실시 예에 따른 혼합물 소성단계(S3)에서는 혼합물(120)을 400~800℃로 소성한다. 상기의 온도로 혼합물(120)을 소성하면, 도 4에 도시한 바와 같이, 매트릭스 층(130)에 유기발광소자(도 5의 11)로부터 방출되는 광에 대한 산란 유도가 가능한, 즉, 유기발광소자(도 5의 11)로부터 방출되는 광의 경로를 더욱 복잡화 혹은 다변화시킬 수 있는 균열(crack)(131)이 형성된다. 이때, 매트릭스 층(130)에 형성되는 균열(131)은 매트릭스 층(130)의 표면으로부터 베이스 기판(110) 방향으로 형성된다. 이때, 균열(131)의 일부 또는 전부는 매트릭스 층(130)의 표면으로 베이스 기판(110)을 노출시킬 정도로 형성될 수도 있다. 또한, 균열(131)은 다수의 산란입자(122) 사이 및 여러 개의 산란입자(122)가 뭉쳐진 응집체들 사이를 따라 형성될 수 있다.
이와 같은 균열(131)은 혼합물 소성단계(S3)에서 혼합물(120)을 소성하는 과정에서, 베이스 기판(110)과 졸겔용액(121)에 포함되어 있는 제1 금속산화물 간의 열팽창계수(CTE) 차이로 인해 유도된다. 이때, 혼합물 제조단계(S1)에서의 졸겔용액(121) 농도 제어와 혼합물 코팅단계(S2)에서의 혼합물(120) 코팅 두께 제어가 열팽창계수(CTE) 차이로 인해 유도되는 균열(131)을 실질적으로 발생시키는 혹은 촉진시키는 요인으로 작용하게 된다. 즉, 혼합물 제조단계(S1)에서 졸겔용액(121)의 농도를 제어하고, 혼합물 코팅단계(S2)에서 혼합물(120)의 코팅 두께를 제어하면, 베이스 기판(110)과 졸겔용액(121)에 포함되어 있는 제1 금속산화물 간의 열팽창계수(CTE) 차이로 인해 매트릭스 층(130)에 형성되는 균열(131)의 정도를 제어할 수 있게 된다. 이는 또한, 매트릭스 층(130)의 헤이즈(haze)를 조절할 수 있음을 의미한다. 예를 들어, 필요에 따라, 졸겔용액(121)의 농도 및 혼합물(120)의 코팅 두께 조절을 통해, 매트릭스 층(130)의 헤이즈 값을 5~85% 정도의 범위로 변화시킬 수 있게 된다.
한편, 혼합물 제조단계(S1)에서, 소성 후 매트릭스 층(130)을 이루게 될 졸겔용액(121)의 제1 금속산화물로, 루타일(rutile) 결정상의 TiO2를 사용한 경우에는 도 16의 주사전자현미경 사진에서 보여지는 바와 같이, TiO2 내부에는 부정형의 다수의 기공이 형성된다. 이때, 기공은 50~900㎚ 크기로 형성될 수 있다. 이러한 기공은 산란입자(122)와 함께 복잡한 산란구조를 이뤄, 유기발광소자(도 5의 11)의 광추출 효율을 향상시키는 역할을 한다. 이때, 다수의 기공은 산란입자(122)와 비교할 때, 이와 동등하거나 그 이상의 광 산란 효과를 구현할 수 있다. 즉, 루타일 결정상의 TiO2로 이루어진 매트릭스 층(130) 내부에 부정형의 기공이 많이 형성될수록, 다시 말해, 매트릭스 층(130)에서 다수의 기공이 차지하는 면적이 넓을수록, 우수한 광추출 효율을 구현할 수 있다. 이와 같이, 매트릭스 층(130) 내부에 기공이 많이 형성되면, 값비싼 산란입자(122)의 사용 개수를 줄일 수 있게 되고, 이를 통해, 제조비용을 절감할 수 있게 된다.
이러한 혼합물 소성단계(S3)가 완료되면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판(100)이 제조된다.
도 5에 도시한 바와 같이, 이와 같이 제조된 광추출 기판(100)은 유기발광소자(11)로부터 발광된 광이 방출되는 유기발광소자(11)의 일면에 배치되어, 유기발광소자(11)의 광추출 효율을 향상시키는 역할을 하는 기능성 기판으로서의 역할을 하게 된다. 이때, 균열(131)이 형성되어 있는 매트릭스 층(130) 및 매트릭스 층(130) 내부에 분산되어 있는 다수의 산란입자(122)는 유기발광소자(11)의 내부 광추출층을 이루게 된다. 이러한 내부 광추출층은 균열(131), 매트릭스 층(130) 및 코어(123), 쉘(124) 구조의 입자를 포함하는 산란입자(122)로 인해 복잡한 광 산란구조와, 균열(131)과 매트릭스 층(130) 간의 굴절률 차이, 매트릭스 층(130)과 산란입자(122) 간의 굴절률 차이 및 코어(123)와 쉘(124) 간의 굴절률 차이를 통해, 유기발광소자(11)로부터 방출된 광을 외부로 추출하는 효율을 현저하게 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 구체적으로 도시하진 않았지만, 유기발광소자(11)는 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판(100) 및 유기발광소자(11)에 대한 인캡슐레이션을 위해, 이와 대향되게 위치되는 기판(미도시) 사이에 배치되는 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극의 적층 구조로 이루어진다. 이때, 애노드 전극은 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판(100)의 매트릭스 층(130)과 접하게 된다. 그런데, 본 발명의 실시 예에 따른 매트릭스 층(130)은 균열(131)로 인해, 애노드 전극과의 접합면의 평탄도가 낮을 수 있는데, 이 경우, 매트릭스 층(130)의 표면 형상이 애노드 전극에 전사될 수 있는데, 이렇게 되면, 유기발광소자(11)의 전기적 특성 저하될 수 있으므로, 이를 방지하기 위해, 매트릭스 층(130)과 애노드 전극 사이에는 평탄막이 형성될 수도 있다.
한편, 애노드 전극은 정공 주입이 잘 일어나도록 일함수(work function)가 큰 금속, 예컨대, Au, In, Sn 또는 ITO와 같은 금속 또는 금속산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 캐소드 전극은 전자 주입이 잘 일어나도록 일함수가 작은 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막으로 이루어질 수 있다. 그리고 유기 발광층은 애노드 전극 상에 차례로 적층되는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하여 형성될 수 있다.
이러한 구조에 따라, 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 순방향 전압이 인가되면, 캐소드 전극으로부터 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되고, 애노드 전극으로부터 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 된다. 그리고 발광층 내로 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 되는데, 이때, 방출되는 빛의 밝기는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 흐르는 전류량에 비례하게 된다.
이때, 유기발광소자(11)가 조명용 백색 유기발광소자로 이루어지는 경우, 예컨대, 발광층은 청색 영역의 광을 방출하는 고분자 발광층과 오렌지-적색 영역의 광을 방출하는 저분자 발광층의 적층 구조로 형성될 수 있고, 이 외에도 다양한 구조로 형성되어 백색 발광을 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에서, 유기 발광층은 텐덤(tandem) 구조를 이룰 수 있다. 즉, 유기 발광층은 복수 개로 구비될 수 있고, 각각의 유기 발광층은 연결층(interconnecting layer)(미도시)을 매개로 교번 배치될 수 있다.
실시 예1
1.5M TiO2 졸겔용액에 직경 200㎚의 SiO2 입자를 혼합한 후, 이 혼합물을 기판 상에 코팅하고, 이를 소성하였다. 도 6 내지 도 10은 소성된 혼합물에 대한 주사전자현미경 사진들로, 혼합물, 즉, SiO2 입자가 분산되어 있는 TiO2 매트릭스 층에 균열이 형성되어 있는 것을 육안으로 확인할 수 있다. 그 다음, 이를 유기발광소자의 광추출층으로 적용한 후, 광추출 효율을 측정한 결과, 광추출층이 없는 유기발광소자에 비해 약 1.7배 향상된 광추출 효율을 보이는 것으로 확인되었다.
실시 예2
1.5M TiO2 졸겔용액에 직경 400㎚의 SiO2 입자를 혼합한 후, 이 혼합물을 기판 상에 800㎚ 두께로 코팅하고, 이를 소성하였다. 도 11 및 도 12는 소성된 혼합물에 대한 주사전자현미경 사진들로, 혼합물, 즉, SiO2 입자가 분산되어 있는 TiO2 매트릭스 층에 작은 균열이 형성되어 있는 것을 육안으로 확인할 수 있다.
비교 예1
0.5M TiO2 졸겔용액에 직경 400㎚의 SiO2 입자를 혼합한 후, 이 혼합물을 기판 상에 코팅하고, 이를 소성하였다. 도 13 내지 도 15는 소성된 혼합물에 대한 주사전자현미경 사진들로, 혼합물, 즉, SiO2 입자가 분산되어 있는 TiO2 매트릭스 층에 균열이 형성되어 있지 않은 것을 육안으로 확인할 수 있다. 그 다음, 이를 유기발광소자의 광추출층으로 적용한 후, 광추출 효율을 측정한 결과, 광추출층이 없는 유기발광소자에 비해 약 1.5배 향상된 광추출 효율을 보이는 것으로 확인되었다.
비교 예1과 실시 예1의 광추출 효율을 비교해 보면, 비교 예1의 광추출 효율 향상 정도가 실시 예1의 광추출 효율 향상 정도보다 적은데, 이는 실시 예1에서의 균열이 실시 예1과 비교 예1 간의 광추출 효율 차이 만큼 실시 예1에서의 광추출 효율 향상에 기여하는 것으로 추론할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 유기발광소자용 광추출 기판 110: 베이스 기판
120: 혼합물 121: 졸겔용액
122: 산란입자 123: 코어
124: 쉘 130: 매트릭스 층
131: 균열 11: 유기발광소자

Claims (24)

  1. 제1 금속산화물을 포함하는 졸겔용액과, 상기 제1 금속산화물과 굴절률이 다른 제2 금속산화물로 이루어진 다수의 산란입자를 혼합하여 혼합물을 제조하는 혼합물 제조단계;
    상기 혼합물을 베이스 기판 상에 코팅하는 혼합물 코팅단계; 및
    코팅된 상기 혼합물을 소성하여, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 금속산화물로 이루어지고 상기 산란입자가 내부에 분산되어 있는 매트릭스 층을 형성하는 혼합물 소성단계;
    를 포함하되,
    상기 혼합물 소성단계에서는 상기 베이스 기판과 상기 제1 금속산화물 간의 열팽창계수(CTE) 차이로 인해, 유기발광소자로부터 방출되는 광에 대한 산란 유도가 가능한 균열이 매트릭스 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 혼합물 제조단계에서는 상기 졸겔용액의 농도를 1.0M 이상으로 제어하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 혼합물 제조단계에서는 SiO2, TiO2, ZrO2, ZnO 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상을 조합하여 상기 제1 금속산화물로 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 혼합물 제조단계에서는 루타일(rutile) 결정상의 TiO2를 상기 제1 금속산화물로 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 혼합물 소성단계 후 상기 매트릭스 층 내부에는 부정형의 다수의 기공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기공은 50~900㎚ 크기로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 혼합물 제조단계에서는 SiO2, TiO2, ZnO 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상을 조합하여 상기 제2 금속산화물로 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 혼합물 제조단계에서는 상기 산란입자로, 단일 굴절률 또는 다중 굴절률을 갖는 산란입자를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 혼합물 제조단계에서는 상기 다수의 산란입자로, 단일 굴절률을 갖는 산란입자와 다중 굴절률을 갖는 산란입자를 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 다중 굴절률을 갖는 산란입자로는 코어 및 상기 코어와 굴절률 차이를 가지며 상기 코어를 감싸는 쉘로 이루어진 산란입자를 사용하는 것을 특징으로 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 다중 굴절률을 갖는 산란입자로는 중공으로 이루어진 코어 및 상기 코어와 굴절률 차이를 가지며 상기 코어를 감싸는 쉘로 이루어진 산란입자를 사용하는 것을 특징으로 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 혼합물 코팅단계에서는 상기 혼합물을 적어도 상기 산란입자의 두께 또는 상기 다수의 산란입자가 뭉쳐져 이루는 응집체의 전체 두께 이상으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 소성단계에서는 상기 혼합물을 400~800℃로 소성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판으로는 플렉서블 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 베이스 기판으로는 두께 1.5㎜ 이하의 박판 유리를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
  16. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 형성되고, 제1 금속산화물로 이루어진 매트릭스 층; 및
    상기 매트릭스 층 내부에 분산되어 있고, 상기 제1 금속산화물과 굴절률이 다른 제2 금속산화물로 이루어진 다수의 산란입자;
    를 포함하되,
    상기 매트릭스 층에는 유기발광소자로부터 방출되는 광에 대한 산란 유도가 가능한 균열이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 매트릭스 층은 SiO2, TiO2, ZrO2, ZnO 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 산란입자는 SiO2, TiO2, ZnO 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상을 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 다수의 산란입자 중 일부 또는 전부는,
    코어, 및
    상기 코어와 굴절률 차이를 가지며 상기 코어를 감싸는 쉘 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 코어는 중공으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
  21. 제16항에 있어서,
    상기 균열은 상기 다수의 산란입자 사이 및 여러 개의 상기 산란입자가 뭉쳐진 응집체들 사이를 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
  22. 제16항에 있어서,
    상기 균열의 일부 또는 전부는 상기 매트릭스 층의 표면으로 상기 베이스 기판을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
  23. 캐소드 전극;
    상기 캐소드 전극 상에 적층되는 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 적층되는 애노드 전극;
    을 포함하고,
    상기 애노드 전극 상에는 제16항에 따른 유기발광소자용 광추출 기판이 배치되되,
    상기 매트릭스 층 및 상기 다수의 산란입자는 내부 광추출층을 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 애노드 전극과 상기 광추출 기판 사이에 배치되는 평탄막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
KR1020140188383A 2014-12-24 2014-12-24 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 KR101632614B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140188383A KR101632614B1 (ko) 2014-12-24 2014-12-24 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
US15/539,864 US10033012B2 (en) 2014-12-24 2015-12-18 Method for manufacturing light extraction substrate
PCT/KR2015/013902 WO2016105027A1 (ko) 2014-12-24 2015-12-18 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN201580071172.0A CN107112435B (zh) 2014-12-24 2015-12-18 制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底的有机发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140188383A KR101632614B1 (ko) 2014-12-24 2014-12-24 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101632614B1 true KR101632614B1 (ko) 2016-06-22

Family

ID=56150982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140188383A KR101632614B1 (ko) 2014-12-24 2014-12-24 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10033012B2 (ko)
KR (1) KR101632614B1 (ko)
CN (1) CN107112435B (ko)
WO (1) WO2016105027A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101674066B1 (ko) * 2014-12-24 2016-11-08 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자
US9893320B2 (en) * 2014-12-29 2018-02-13 Corning Precision Materials Co., Ltd. Method for manufacturing light extraction substrate for organic light emitting element, light extraction substrate for organic light emitting element, and organic light emitting element including same
US10367169B2 (en) * 2016-10-17 2019-07-30 Corning Incorporated Processes for making light extraction substrates for an organic light emitting diode using photo-thermal treatment
CN111755632B (zh) * 2020-07-30 2022-07-19 河南工程学院 一种柔性有机电致发光器件及其制备方法
CN111883667B (zh) * 2020-08-28 2022-06-10 电子科技大学 一种基于负热膨胀效应的柔性光电探测器及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101093259B1 (ko) 2009-07-02 2011-12-15 황선용 자성 나노 입자층 형성 방법 및 이를 이용한 나노 패턴 형성 방법
KR20120053318A (ko) * 2010-11-17 2012-05-25 한국기계연구원 유기발광 디스플레이 및 이의 제조 방법
JP2014022674A (ja) * 2012-07-23 2014-02-03 Toyota Industries Corp 熱電材料

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050191515A1 (en) * 2000-07-20 2005-09-01 Shipley Company, L.L.C. Very low thermal expansion composite
JP3988935B2 (ja) * 2002-11-25 2007-10-10 富士フイルム株式会社 網目状導電体及びその製造方法並びに用途
KR101316120B1 (ko) * 2006-12-28 2013-10-11 서울바이오시스 주식회사 양극 알루미늄산화를 이용한 산란 중심을 구비하는 발광 소자 제조방법 및 그 발광 소자
US8053789B2 (en) 2006-12-28 2011-11-08 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and fabrication method thereof
US8363201B2 (en) * 2007-01-18 2013-01-29 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University Flexible transparent electrodes via nanowires and sacrificial conductive layer
WO2008133285A1 (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Asahi Glass Company, Limited 膜付き基板、透明導電性膜付き基板および発光素子
TWI438906B (zh) * 2007-12-20 2014-05-21 Cima Nanotech Israel Ltd 具有利用奈米粒子形成的透明電極之光伏打裝置
JP5057398B2 (ja) 2008-08-05 2012-10-24 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP5056903B2 (ja) * 2010-06-03 2012-10-24 ウシオ電機株式会社 超高圧水銀ランプ及び該超高圧水銀ランプの製造方法
US20120058307A1 (en) * 2010-09-02 2012-03-08 Electronics And Telecommunications Research Institute Thin film and method for manufacturing the same
KR101114352B1 (ko) * 2010-10-07 2012-02-13 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법
KR101114917B1 (ko) * 2011-03-29 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법
CN103608944B (zh) 2011-03-29 2017-09-22 乐金显示有限公司 有机电子器件用基板
CN104039905B (zh) * 2012-01-10 2016-08-31 三菱化学株式会社 涂料用组合物、多孔质膜、光散射膜和有机电致发光元件
KR101654360B1 (ko) * 2012-06-22 2016-09-05 코닝정밀소재 주식회사 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법
KR101632546B1 (ko) * 2012-12-21 2016-06-21 코닝 인코포레이티드 개선된 총 피치 안정성을 갖는 유리
DE102013111267B4 (de) * 2013-10-11 2019-10-24 Schott Ag Kochfeld mit einem transparenten elektrischen Leiter und Verfahren zur Herstellung
US10352833B2 (en) * 2015-07-22 2019-07-16 The Florida International University Board Of Trustees Microextraction capsules and method of making

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101093259B1 (ko) 2009-07-02 2011-12-15 황선용 자성 나노 입자층 형성 방법 및 이를 이용한 나노 패턴 형성 방법
KR20120053318A (ko) * 2010-11-17 2012-05-25 한국기계연구원 유기발광 디스플레이 및 이의 제조 방법
JP2014022674A (ja) * 2012-07-23 2014-02-03 Toyota Industries Corp 熱電材料

Also Published As

Publication number Publication date
US10033012B2 (en) 2018-07-24
CN107112435B (zh) 2019-05-03
US20170346042A1 (en) 2017-11-30
CN107112435A (zh) 2017-08-29
WO2016105027A1 (ko) 2016-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101642120B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
JP5930081B2 (ja) 有機ｌｅｄ素子用の透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法
JP6220870B2 (ja) 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）素子用積層体、その製造方法、及びこれを備える有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）素子
KR101632614B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN107112434B (zh) 有机发光二极管
KR101579457B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
JP6760570B2 (ja) 有機発光装置用光取り出し基板及びこれを含む有機発光装置
KR101484089B1 (ko) 초박형 유기발광소자 제조방법
KR101762648B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101762642B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN106663745B (zh) 制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底及包括其的有机发光二极管
JP2014078508A (ja) 有機発光素子用の金属酸化物薄膜基板及びその製造方法
WO2015023112A1 (ko) 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101699275B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
WO2015009073A1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법
KR101999294B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101580596B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20150009734A (ko) 유기발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190325

Year of fee payment: 4