JP6638927B2 - 基板 - Google Patents
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Description
関連出願との相互引用
本出願は２０１６．０５．２３付け韓国特許出願第１０−２０１６−００６２８８５号および２０１７．０５．２３付け韓国特許出願第１０−２０１７−００６３５５４号に基づいた優先権の利益を主張し、該当韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。
技術分野
本出願は、基板、有機電子装置、光源および照明機器に関する。
有機電子装置（ＯＥＤ；Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）は、例えば、日本特開平８−１７６２９３に開示された通り、電流を伝導できる有機材料層を一つ以上含む素子である。有機電子装置の種類には、有機発光素子（ＯＬＥＤ）、有機太陽電池、有機感光体（ＯＰＣ）または有機トランジスターなどが含まれる。
代表的な有機電子装置である有機発光素子は、通常基板、第１電極層、有機物層および第２電極層を順に含む。いわゆる下部発光型素子（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）と呼称される構造では、第１電極層が透明電極層で形成され、第２電極層が反射電極層で形成され得る。また、いわゆる上部発光型素子（ｔｏｐ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）と呼称される構造では、第１電極層が反射電極層で形成され、第２電極層が透明電極層で形成されたりもする。電極層によって注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）が有機物層に存在する発光層で再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）して光が生成され得る。光は下部発光型素子では基板側に、上部発光型素子では第２電極層側に放出され得る。
本出願は基板、有機電子装置、光源および照明機器を提供する。
本出願の基板は、順次形成された基材層、光学機能性層および電極層を含む。
本出願の基板において、前記光学機能性層は凹凸表面を有する層であり得、散乱粒子を含む層であり得る。前記基板において、電極層は光学機能性層の凹凸表面上に直接形成されていてもよい。
図１は、前記のような基板として、支持基材１０１、光学機能性層１０２、電極層１０３を順次含む基板上に有機電子素子１０４が形成されている場合の例示的な図面である。
前記光学機能性層は、前記支持基材層とは反対側の表面に前記凹凸表面を有し得、このとき前記凹凸表面は平均粗さ（Ｒａ）が５ｎｍ以上であり、１０点平均粗さ（Ｒｚ）が３０ｎｍ以上の凹凸表面であり得る。この時、前記電極層は前記凹凸表面と接した状態で前記凹凸表面上に直接形成されていてもよい。
前記において、凹凸表面の平均粗さ（Ｒａ）は他の例示において、約５．５ｎｍ以上、６ｎｍ以上、６．５ｎｍ以上、７ｎｍ以上、７．５ｎｍ以上、８ｎｍ以上、８．５ｎｍ以上、９ｎｍ以上または９．５ｎｍ以上であり得る。また、前記において、１０点平均粗さ（Ｒｚ）は他の例示において、３５ｎｍ以上、４０ｎｍ以上、４５ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、５５ｎｍ以上、６０ｎｍ以上、６５ｎｍ以上、７０ｎｍ以上または７５ｎｍ以上であり得る。前記平均粗さ（Ｒａ）と１０点平均粗さ（Ｒｚ）の上限は特に制限されず、素子の駆動安定性などを考慮して調節され得る。一例示において、前記平均粗さ（Ｒａ）は、約２０ｎｍ以下、１９ｎｍ以下、１８ｎｍ以下、１７ｎｍ以下、１６ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、１４ｎｍ以下、１３ｎｍ以下、１２ｎｍ以下、１１ｎｍ以下または１０ｎｍ以下であり得る。また、前記１０点平均粗さ（Ｒｚ）は、約１００ｎｍ以下、９５ｎｍ以下、９０ｎｍ以下または８５ｎｍ以下であり得る。
凹凸表面の粗さを前記範囲内に調節する方式は特に制限されず、例えば、光学機能性層の厚さおよび／または該当層に含まれる粒子の粒径を通じて調節することができる。
従来技術においても有機電子装置の効率、例えば、光抽出効率を改善するために、散乱粒子を使って光学機能性層を電極層と支持基材層の間に形成した例は存在する。しかし、散乱粒子を使うと表面に凹凸が形成され、その凹凸表面に電極層を形成すると素子が安定して駆動しないため、とりあえず前記凹凸表面にいわゆる平坦層を形成した後に電極層を形成していた。しかし、本発明者らは、前記凹凸表面を適切に制御し、必要な場合に光学機能性層の構造を制御することによって、平坦層がなくても安定した駆動が可能であり、かつ光抽出効率を最大化した基板を形成することができることを確認した。
すなわち、本出願の基板では、前記光学機能性層と電極層は互いに接して形成され、その間に平坦面は存在しない。
前記において、平均粗さ（Ｒａ）は公知の通り、下記の数式Ａで計算される値であり、１０点平均粗さ（Ｒｚ）は凹凸プロファイル上で確認される最高点５個と最低点５個の平均粗さである。
［数式Ａ］
数式Ａにおいて、Ｒａは平均粗さであり、Ｎは水平方向（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）アレイのデータポイント（ｄａｔａ ｐｏｉｎｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ａｒｒａｙ）の数であり、Ｚは基準面（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｍｅａｎ ｐｌａｎｅ）に対する各データポイントの高さである。
前記平均粗さ（Ｒａ）および１０点平均粗さ（Ｒｚ）は、一般の測定装備である３Ｄ光学プロファイラー（３Ｄ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｆｉｌｅｒ）を使って測定することができる。
本出願の前記基板に適用される支持基材層の種類は特に制限されず、公知の基材層を使うことができる。支持基材層としては例えば、ガラス基板や、高分子フィルムなどを使うことができる。前記において、ガラス基板としては、ソーダ石灰ガラス基板、バリウム／ストロンチウム含有ガラス基板、鉛ガラス基板、アルミノケイ酸ガラス基板、硼珪酸ガラス基板、バリウム硼珪酸ガラス基板または石英基板などを使うことができる。前記高分子フィルムの例としては、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）フィルム、ＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルム、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）フィルム、アクリル樹脂フィルム、ＰＥＴ（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｔｌｅ））フィルム、ＰＥＳ（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｅｒ ｓｕｌｆｉｄｅ））フィルム、ＰＥＩ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）フィルム、ＰＰＳ（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｓｕｌｆｉｄｅ）フィルム、ＣＯＣ（ｃｙｃｌｉｃ ｏｌｅｆｉｎ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）フィルム、ＰＥＥＫ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ）フィルムまたはＰＳ（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）フィルムなどが例示されるが、これに制限されるものではない。
支持基材層としては透光性基材層を使うことができる。本明細書で用語透光性フィルムは、例えば、可視光領域（約４００ｎｍ〜７００ｎｍ波長範囲内）のうちいずれか一つの光または全可視光領域の光に対する透過率が５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上または９０％以上であるフィルムを意味し得る。
必要な場合、支持基材層の表面などにはアルミニウムなどの反射性物質を使って反射層が形成されていてもよく、前記支持基材層は、駆動用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が存在するＴＦＴ支持基材層であってもよい。
支持基材層は、屈折率が、約１．４以上、約１．４５以上、約１．５以上、約１．６以上、約１．７以上、約１．７５以上または約１．８以上であり得る。本明細書で用語屈折率は、特に規定しない限り、約５５０ｎｍ波長の光に対して測定した屈折率である。有機発光装置において、支持基材層の前記屈折率の範囲は装置の光効率を高めるのに有利であり得る。支持基材層の屈折率の上限は特に制限されない。例えば、支持基材層の屈折率は、約２．０以下、約１．９以下、約１．８以下または約１．７以下程度であり得る。
支持基材層の厚さは特に制限されず、目的とする性能、例えば、可撓性や光抽出効率またはバリアー性を考慮して適正範囲で選択され得る。例えば、支持基材層の厚さは、約１０μｍ〜約１２５μｍの範囲内または約２０μｍ〜約６０μｍの範囲内であり得る。
前記支持基材層上には光学機能性層が形成される。光学機能性層としては、支持基材層上で少なくとも一つの光学的機能を発揮することによって、有機電子装置などのような素子の機能の向上に寄与できるすべての種類の層を使うことができる。
このような光学機能性層は、前述したような凹凸表面を有する。
光学機能性層の一つの例としては、光散乱層が挙げられる。本出願で用語光散乱層は、例えば、前記層に入射する光を散乱、屈折または回折させることによって、入射する光が層間界面でトラップされることを解消するか緩和させ得るように形成されるすべての種類の層を意味し得る。光散乱層は前記のような機能を示すように具現される限り、光散乱層の具現形態は特に制限されない。
光学機能性層は、ヘイズが約２０％以上であり得る。光学機能性層のヘイズは、２５％以上、３０％以上、３５％以上、４０％以上、４５％以上、５０％以上または５５％以上であり得る。前記ヘイズは例えば、約９０％以下、８５％以下、８０％以下、７５％以下、７０％以下または６５％以下であり得る。
前記ヘイズは、ＨＭ−１５０を利用してＪＩＳ Ｋ ７１０５方式で評価した結果であり得る。
前記光学機能性層、例えば、光散乱層は、散乱粒子を含む層であり、例えば、マトリックス物質および散乱粒子を含む層であり得る。本明細書で用語「散乱粒子」は、例えば、マトリックス物質などのような周囲物質とは異なる屈折率を有し、また、適切な大きさを有して入射する光を散乱、屈折または回折させ得る粒子を意味し得る。散乱粒子の屈折率は、周囲物質、例えば、前記マトリックス物質との屈折率の差が０．３を超過するかまたは０．３以上であり得る。前記屈折率の差は他の例示において、約０．３５以上、約０．４以上、約０．５以上、約０．５５以上、約０．６以上、約０．６５以上、約０．７以上、約０．７５以上、約０．８以上または約０．８５以上であり得る。前記屈折率の差の上限は特に制限されないが、例えば、約１．５以下または約１．３以下程度であり得る。例えば、散乱粒子は、１．０〜３．５または１．０〜３．０程度の屈折率を有することができる。散乱粒子の屈折率は、例えば、１．０以上、１．５以上または２．０以上であり得、また、約３．５以下、約３．０以下または約２．８以下であり得る。散乱粒子は、例えば、平均粒径が５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、１５０ｎｍ以上または２００ｎｍ以上であり得る。前記散乱粒子の平均粒径は、例えば、１０，０００ｎｍ以下、９，０００ｎｍ以下、８，０００ｎｍ以下、７，０００ｎｍ以下、６，０００ｎｍ以下、５，０００ｎｍ以下、４，０００ｎｍ以下、３，０００ｎｍ以下、２，０００ｎｍ以下、１，０００ｎｍ以下、９００ｎｍ以下、８００ｎｍ以下、７００ｎｍ以下、６００ｎｍ以下、５００ｎｍ以下、４００ｎｍ以下または３００ｎｍ以下であり得る。
散乱粒子は、球形、楕円形、多面体または無定形のような形状を有し得るが、前記形態は特に制限されるものではない。散乱粒子としては、例えば、ポリスチレンまたはその誘導体、アクリル樹脂またはその誘導体、シリコン樹脂またはその誘導体、またはノボラック樹脂またはその誘導体などのような有機材料、またはシリカ、アルミナ、酸化チタンまたは酸化ジルコニウムのような無機材料を含む粒子などが例示され得る。散乱粒子は、前記材料のうちいずれか一つの材料のみを含むか、前記のうち２種以上の材料を含んで形成され得る。
散乱粒子の光学機能成層内での比率は特に制限されず、例えば、前述したヘイズを示すことができる範囲で選択され得る。
光散乱層は、散乱粒子を維持するマトリックス物質をさらに含むことができる。マトリックス物質としては、例えば、支持基材層などのような隣接する他の素材と類似の水準の屈折率を有する素材またはそれより高い屈折率を有する素材を使って形成することができる。
マトリックス物質は、少なくともバインダーを含むことができる。バインダーとしては例えば、屈折率が１．４〜１．６５の範囲内の物質を使うことができる。バインダーの屈折率は他の例示において、約１．４５以上であり得、１．６以下または１．５５以下であり得る。
バインダーとしては、例えば、ポリイミド、フルオレン環を有するカルド系樹脂（ｃａｌｄｏ ｒｅｓｉｎ）、ウレタン、エポキシド、ポリエステルまたは（メタ）アクリレート系列の熱または光硬化性の単量体性、オリゴマー性または高分子性の有機材料や酸化ケイ素、窒化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）、オキシ窒化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）またはポリシロキサンなどの無機材料または有無機複合材料などを使うことができる。
マトリックス物質は、前記バインダーとして、ポリシロキサン、ポリアミック酸またはポリイミドを含むことができる。前記において、ポリシロキサンは、例えば、縮合性シラン化合物またはシロキサンオリゴマーなどを縮合重合させて形成することができ、前記を通じてケイ素と酸素の結合（Ｓｉ−Ｏ）に基づいたマトリックス物質を形成することができる。マトリックス物質の形成過程で縮合条件などを調節してポリシロキサンがシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）のみに基づくようにするか、あるいはアルキル基などのような有機基やアルコキシ基などのような縮合性官能基などが一部残存するようにすることも可能である。
ポリアミック酸またはポリイミドとしては、例えば、６３３ｎｍ波長の光に対する屈折率が、約１．５以上または約１．６以上である高屈折のポリアミック酸またはポリイミドを使うことができる。このような高屈折のポリアミック酸またはポリイミドは、例えば、フッ素以外のハロゲン原子、硫黄原子またはリン原子などが導入された単量体を使って製造することができる。例えば、カルボキシ基などのように粒子と結合できる部位が存在して粒子の分散安定性を向上させ得るポリアミック酸を使うことができる。
マトリックス物質は、必要な場合、前記バインダーとともに高屈折粒子をさらに含むことができる。用語「高屈折粒子」とは、例えば、屈折率が１．５以上、２．０以上２．５以上、２．６以上または２．７以上である粒子を意味し得る。高屈折粒子の屈折率の上限は、例えば、目的とする屈折率を満足させ得る範囲で選択され得る。高屈折粒子は、例えば、前記散乱性粒子よりは小さい平均粒径を有することができる。高屈折粒子は、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍ、５ｎｍ〜９０ｎｍ、５ｎｍ〜８０ｎｍ、５ｎｍ〜７０ｎｍ、５ｎｍ〜６０ｎｍ、５ｎｍ〜５０ｎｍまたは５ｎｍ〜４０ｎｍ程度の平均粒径を有することができる。高屈折粒子としては、アルミナ、アルミノシリケート、酸化チタンまたは酸化ジルコニウムなどが例示され得る．高屈折粒子としては、例えば、屈折率が２．５以上である粒子であって、ルチル型酸化チタンを使うことができる。ルチル型酸化チタンはその他の粒子に比べて高い屈折率を有し、したがって相対的に少ない比率でも目的とする屈折率への調節が可能であり得る。
マトリックス物質内で前記高屈折粒子の比率は特に制限されず、例えば、後述する範囲の屈折率をマトリックス物質が示すことができるように選択され得る。一例示において、マトリックス物質は、前記バインダー１００重量部対比５０重量部以上の高屈折粒子を含むことができる。高屈折粒子の比率は、バインダー１００重量部対比約５５重量部以上、６０重量部以上、６５重量部以上、７０重量部以上、７５重量部以上、８０重量部以上、８５重量部以上、９０重量部以上、９５重量部以上、１００重量部以上、１０５重量部以上、１１０重量部以上、１１５重量部以上または１２０重量部以上であり得、２５０重量部以下、２４０重量部以下、２３０重量部以下、２２０重量部以下、２１０重量部以下、２００重量部以下、１９０重量部以下、１８０重量部以下、１７０重量部以下、１６０重量部以下、１５０重量部以下、１４０重量部以下または１３０重量部以下であり得る。
前記のように形成される光学機能性層において、マトリックス物質の屈折率、すなわち散乱粒子を除いた部分の屈折率は、例えば、約１．５〜１．７５の範囲内、約１．５５〜１．７５の範囲内または約１．５５〜１．６５の範囲内であり得るが、これに制限されるものではない。
前記のような光学機能性層は、公知の方式で形成することができ、例えば、湿式コーティング（ｗｅｔ ｃｏａｔｉｎｇ）方式で材料をコーティングし、熱の印加または光の照射などの方式や、ゾルゲル方式で材料を硬化させる方式や、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式などのような蒸着方式またはナノインプリンティングまたはマイクロエンボシング方式等を通じて形成することができる。
前記光学機能性層の厚さは特に制限されないが、通常約１５０ｎｍ以上であり得る。光学機能性層の厚さは例えば、約２，０００ｎｍ以下、約１、５００ｎｍ以下、約１，０００ｎｍ以下または約９００ｎｍ以下であり得る。
一つの例示において光学機能性層は、厚さが１５０ｎｍ〜３００ｎｍまたは約１５０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲内であり、かつヘイズが６０％以上であり得る。このような場合にヘイズは、例えば、約９０％以下、８５％以下、８０％以下、７５％以下、７０％以下または６５％以下であり得る。このような範囲の厚さおよびヘイズは、光学機能性層による光の吸収および吸湿を減少させて、安定した駆動を可能にし、かつ光抽出効率を確保できるようにすることができる。
一例示において、機能性層は上部層と下部層を含んで形成されている多層構造であり得る。前記において、上部層と下部層は、同一マトリックス物質および散乱粒子を使って形成した上部層と下部層であり得、異なるマトリックス物質および／または他の散乱粒子を使って形成した上部層と下部層であり得る。
前記上部層と下部層は、該当層内に含まれている散乱粒子の比率によって分類され得る。すなわち、同じマトリックス物質と散乱粒子を使って形成した層の場合にも、光学機能性層内で散乱粒子の比率が高い層と低い層が並存する場合、該当層は多層のものと見なされ得る。
このような多層構造は、例えば、後述する実施例でのように、同じマトリックス物質と散乱粒子を含むものの、散乱粒子の比率が異なる２種の材料を使って形成することができる。
一例示において、前記上部層の単位体積当たりの散乱粒子の個数が前記下部層の単位体積当たりの散乱粒子の個数対比大きくてもよい。
このような場合に、前記上部層の厚さ（ＴＵ）対比下部層の厚さ（ＴＬ）の比率（ＴＬ／ＴＵ）は、１〜１０の範囲内にあり得る。前記比率は他の例示において、１．５以上、２以上または２．５以上であり得、９．５以下、９以下、８．５以下、８以下、７．５以下、７以下、６．５以下、６以下、５．５以下、５以下、４．５以下、４以下、３．５以下または３以下であり得る
前記のような構造で光学機能性層の性能を最大化することができる。
基板で前記光学機能性層の凹凸と接して形成される電極層は、例えば、いわゆるＯＬＥＤなどで汎用される正孔注入性または電子注入性の電極層であり得る。前記電極層は透明電極層であるか、反射電極層であり得る。
正孔注入性である電極層は、例えば、相対的に高い仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を有する材料を使って形成することができ、必要な場合に透明または反射材料を使って形成することができる。例えば、正孔注入性電極層は、仕事関数が約４．０ｅＶ以上の金属、合金、電気伝導性化合物または前記のうち２種以上の混合物を含むことができる。このような材料としては、金などの金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺＴＯ（Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウムまたはインジウムがドープされた亜鉛オキシド、マグネシウムインジウムオキシド、ニッケルタングステンオキシド、ＺｎＯ、ＳｎＯ２またはＩｎ２Ｏ３等の酸化物材料や、ガリウムナイトライド のような金属ナイトライド 、亜鉛セレニドなどのような金属セレニド、亜鉛スルフィドのような金属スルフィドなどが例示され得る。透明な正孔注入性電極層は、また、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどの金属薄膜とＺｎＳ、ＴｉＯ２またはＩＴＯなどのような高屈折の透明物質の積層体などを使っても形成することができる。
正孔注入性電極層は、蒸着、スパッタリング、化学蒸着または電気化学的手段などの任意の手段で形成され得る。また、必要に応じて形成された電極層は、公知のフォトリソグラフィやシャドーマスクなどを使った工程を通じてパターン化されてもよい。
電子注入性電極層は、例えば、相対的に小さい仕事関数を有する材料を使って形成することができ、例えば、前記正孔注入性電極層の形成のために使われる素材のうち適切の透明または反射素材を使って形成することができるが、これに制限されるものではない。電子注入性電極層も、例えば、蒸着法またはスパッタリング法などを使って形成することができ、必要な場合に適切にパターニングされ得る。
一例示において、前記電極層としてはインジウムスズ酸化物層（ＩＴＯ層）が使われ得る。
電極層の厚さは、例えば、約５０ｎｍ〜２００ｎｍ、７０ｎｍ〜１８０ｎｍまたは約７０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度または約７０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚さを有するように形成され得る。
本出願はまた、有機電子装置に関する。本出願の例示的な有機電子装置は、前述した有機電子素子用基板；および前記基板の電極層上に形成されている有機物層を含む素子領域を含むことができる。
有機電子装置は、前記有機物層上に形成されている電極層をさらに含むことができる。以下では区別のために有機電子素子用基板上に形成されている電極層を第１電極層と呼称し、前記有機物層上に形成されている電極層を第２電極層と呼称する。
前記有機物層は少なくとも発光層を含むことができる。例えば、第１電極層を透明に具現し、第２電極層を反射性電極層にすれば、有機物層の発光層から発生した光が光学機能性層を経て支持基材側に放射される下部発光型素子を具現することができる。
前記有機電子装置が有機発光素子である場合、該当装置は順次形成された、（１）正孔注入電極層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（２）正孔注入電極層／正孔注入層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（３）正孔注入電極層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態；（４）正孔注入電極層／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態；（５）正孔注入電極層／有機半導体層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（６）正孔注入電極層／有機半導体層／電子障壁層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（７）正孔注入電極層／有機半導体層／有機発光層／付着改善層／電子注入電極層の形態；（８）正孔注入電極層／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態；（９）正孔注入電極層／絶縁層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態；（１０）正孔注入電極層／無機半導体層／絶縁層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態；（１１）正孔注入電極層／有機半導体層／絶縁層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態；（１２）正孔注入電極層／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態または（１３）正孔注入電極層／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態を有することができ、場合によっては、正孔注入電極層と電子注入電極層の間に少なくとも２個の発光層が電荷発生特性を有する中間電極層または電荷発生層（ＣＧＬ：Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）によって分割されている構造の有機物層を含む形態を有することもできるが、これに制限されるものではない。
この分野では、正孔または電子注入電極層と有機物層、例えば、発光層、電子注入または輸送層、正孔注入または輸送層を形成するための多様な素材およびその形成方法が公知されており、前記有機電子装置の製造には前記のような方式をすべて適用できる。
有機電子装置は、封止構造をさらに含むことができる。前記封止構造は、有機電子装置の有機物層に水分や酸素などのような外来物質が流入しないようにする保護構造であり得る。封止構造は、例えば、ガラス缶または金属缶などのような缶であるか、前記有機物層の全面を覆っているフィルムであり得る。
本出願はまた、前記有機電子装置、例えば、有機発光装置の用途に関する。一つの例示において、本出願は前記有機電子装置を含むディスプレイ用光源に関する。他の一つの例示において、本出願は前記有機電子装置を含む照明機器に関する。前記ディスプレイ用光源としては、液晶表示装置（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のバックライト、照明、各種センサ、プリンター、コピー機などの光源、車両用計器の光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾または各種ライトなどを例示することができる。
また、前記有機電子装置が前記ディスプレイ用光源や照明装置またはその他の用途に適用される場合、前記ディスプレイ用光源や照明装置を構成する他の部品やその構成方式は特に制限されず、前記有機電子装置が適用される限り、該当分野に公知の任意の材料や方式がすべて採用され得る。
本出願では基板、有機電子装置およびその用途を提供する。本出願の基板は、光学機能性層の凹凸表面上に直接形成された電極層を含む構造を有し、有機電子装置を形成した時に素子の長期に亘る安定した駆動と共に優秀な機能性、例えば、光抽出効率などを確保できるようにする。
以下、実施例および比較例を通じて本出願を具体的に説明するが、本出願の範囲は下記の実施例によって制限されるものではない。
１．平均粗さ（Ｒａ）および１０点平均粗さ（Ｒｚ）の測定
実施例において、平均粗さ（Ｒａ）と１０点平均粗さは、３Ｄ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｆｉｌｅｒとして、ＷＳＩ（Ｗｈｉｔｅ−Ｌｉｇｈｔ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｙ）モードを使用し、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（６３３ｎｍ）が装着された（株）ナノシステム社のＮａｎｏ Ｖｉｅｗ Ｅ１０００製品を使って測定し、前記Ｐｒｏｆｉｌｅｒとともに提供されたソフトウェアを使って確認した。
２．ヘイズの測定方法
実施例および比較例でヘイズは、ＨＭ−１５０を利用してＪＩＳ Ｋ ７１０５方式で評価した結果である。
実施例および比較例でヘイズは、ＨＭ−１５０を利用してＪＩＳ Ｋ ７１０５方式で評価した結果である。
実施例１．
組成物の調製
バインダーとして、屈折率が約１．４５〜１．５５程度であるポリシロキサン（ＰＶＭＱ、ｐｈｅｎｙｌ ｖｉｎｙｌ ｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）と屈折率が約２．０程度であり、平均粒径が約７ｎｍ程度であるジルコニア粒子（高屈折粒子）（ＺｒＯ２）を約４５：５５の重量比率（ＰＶＭＱ：ＺｒＯ２）で混合して屈折率が約１．６程度である層を形成できるコーティング組成物を製造した。引き続き前記混合物（ＰＶＭＱ＋ＺｒＯ２）に散乱粒子として、屈折率が約２．５程度であり、平均粒径が約２５０ｎｍ程度であるルチル型酸化チタン（ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を約９０：１０の重量比率（混合物：散乱粒子）で混合して第１組成物を製造した。
バインダーとして、屈折率が約１．４５〜１．５５程度であるポリシロキサン（ＰＶＭＱ、ｐｈｅｎｙｌ ｖｉｎｙｌ ｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）と屈折率が約２．０程度であり、平均粒径が約７ｎｍ程度であるジルコニア粒子（高屈折粒子）（ＺｒＯ２）を約４５：５５の重量比率（ＰＶＭＱ：ＺｒＯ２）で混合して屈折率が約１．６程度である層を形成できるコーティング組成物を製造した。引き続き前記混合物（ＰＶＭＱ＋ＺｒＯ２）に散乱粒子として、屈折率が約２．５程度であり、平均粒径が約２５０ｎｍ程度であるルチル型酸化チタン（ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を約９０：１０の重量比率（混合物：散乱粒子）で混合して第１組成物を製造した。
前記第１組成物をガラス基板上に最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティングした後、公知の方式による縮合反応を経て形成した光学機能性層に対してヘイズを測定した結果、約４５％程度であると確認された。
また、前記と同じ方式で組成物を調製するものの、散乱粒子（ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）と混合物の比率を９４：６（混合物：散乱粒子）程度に調節して第２組成物を製造した。
前記第２組成物をガラス基板上に最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティングした後、公知の方式による縮合反応を経て形成した光学機能性層に対してヘイズを測定した結果、約２５％程度であると確認された。
基板および有機発光素子の製造
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第２組成物を最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む下部光学機能性層を形成した。
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第２組成物を最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む下部光学機能性層を形成した。
引き続き、前記下部光学機能性層上に前記第１組成物を最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティングした後縮合反応させて、同様にポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む上部光学機能性層を形成した。
前記上部および下部光学機能性層の全体に対して測定したヘイズは約６０％程度であり、その表面（上部光学機能性層の表面）の平均粗さ（Ｒａ）は、約９．６１ｎｍであり、１０点平均粗さ（Ｒｚ）は約７８．９３ｎｍであった。図２は、前記上部光学機能性層の表面に対してそれぞれ、１０Ｋ、３０Ｋおよび４０Ｋの倍率で測定した顕微鏡写真である。
引き続き、前記上部光学機能性層の表面に公知の蒸着方式で直接ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）導電層（屈折率：約２．０）を約７５ｎｍ程度の厚さで形成して基板を製造した。
引き続き、前記基板のＩＴＯ電極層上に公知の白色ＯＬＥＤの形成に使われる素材で有機物層である正孔注入層、正孔伝達層、有機発光層、電子伝達層および電子注入層を順次形成し、さらにその上部に反射電極であるアルミニウム電極層を形成して有機電子素子を製造した。
実施例２．
組成物の調製
実施例１での組成物調製方式と同じ方式で組成物を形成するものの、混合物（ＰＶＭＱ＋ＺｒＯ２）と散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）の重量比率（混合物：散乱粒子）を約９３：７に調節して第１組成物を製造した。
実施例１での組成物調製方式と同じ方式で組成物を形成するものの、混合物（ＰＶＭＱ＋ＺｒＯ２）と散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）の重量比率（混合物：散乱粒子）を約９３：７に調節して第１組成物を製造した。
前記第１組成物をガラス基板上に最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティングした後、公知の方式による縮合反応を経て形成した光学機能性層に対してヘイズを測定した結果、約３５％程度であると確認された。
また、前記と同じ方式で組成物を調製するものの、散乱粒子（ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）と混合物の比率を９７：３（混合物：散乱粒子）程度に調節して第２組成物を製造した。
前記第２組成物をガラス基板上に最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティングした後、公知の方式による縮合反応を経て形成した光学機能性層に対してヘイズを測定した結果、約１５％程度であると確認された。
基板および有機発光素子の製造
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第２組成物を最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む下部光学機能性層を形成した。
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第２組成物を最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む下部光学機能性層を形成した。
引き続き、前記下部光学機能性層上に前記第１組成物を最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティングした後縮合反応させて、同様にポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む上部光学機能性層を形成した。
前記上部および下部光学機能性層の全体に対して測定したヘイズは約４５％程度であり、その表面（上部光学機能性層の表面）の平均粗さ（Ｒａ）は、約７．３６ｎｍであり、１０点平均粗さ（Ｒｚ）は約７０．９６ｎｍであった。
引き続き、前記上部光学機能性層の表面に実施例１と同一に直接ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）電極層を形成して基板を製造した。
引き続き、前記基板のＩＴＯ電極層上に公知の白色ＯＬＥＤの形成に使われる素材で有機物層である正孔注入層、正孔伝達層、有機発光層、電子伝達層および電子注入層を順次形成し、さらにその上部に反射電極であるアルミニウム電極層を形成して有機電子素子を製造した。
実施例３．
組成物の調製
実施例１での組成物調製方式と同じ方式で組成物を形成するものの、混合物（ＰＶＭＱ＋ＺｒＯ２）と散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）の重量比率（混合物：散乱粒子）を約８０：２０に調節して第１組成物を製造した。
実施例１での組成物調製方式と同じ方式で組成物を形成するものの、混合物（ＰＶＭＱ＋ＺｒＯ２）と散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）の重量比率（混合物：散乱粒子）を約８０：２０に調節して第１組成物を製造した。
前記第１組成物をガラス基板上に最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティングした後、公知の方式による縮合反応を経て形成した光学機能性層に対してヘイズを測定した結果、約６０％程度であると確認された。
基板および有機発光素子の製造
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第１組成物を最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む光学機能性層を形成した。
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第１組成物を最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む光学機能性層を形成した。
前記光学機能性層に対して測定したヘイズは約６０％程度であり、その表面（上部光学機能性層の表面）の平均粗さ（Ｒａ）は、約９．５９ｎｍであり、１０点平均粗さ（Ｒｚ）は約７６．１８ｎｍであった。
引き続き、前記上部光学機能性層の表面に実施例１と同一に直接ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）電極層を形成して基板を製造した。
引き続き、前記基板のＩＴＯ電極層上に公知の白色ＯＬＥＤの形成に使われる素材で有機物層である正孔注入層、正孔伝達層、有機発光層、電子伝達層および電子注入層を順次形成し、さらにその上部に反射電極であるアルミニウム電極層を形成して有機電子素子を製造した。
実施例４．
組成物の調製
バインダーとして、屈折率が約１．４５〜１．５５程度であるポリシロキサン（ＰＶＭＱ、ｐｈｅｎｙｌ ｖｉｎｙｌ ｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）と屈折率が約２．０程度であり、平均粒径が約７ｎｍ程度であるジルコニア粒子（高屈折粒子）（ＺｒＯ２）を約４５：５５の重量比率（ＰＶＭＱ：ＺｒＯ２）で混合して屈折率が約１．６程度である層を形成できるコーティング組成物を製造した。引き続き、前記混合物（ＰＶＭＱ＋ＺｒＯ２）に散乱粒子として、屈折率が約２．５程度であり、平均粒径が約２５０ｎｍ程度であるルチル型酸化チタン（ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を約９０：１０の重量比率（混合物：散乱粒子）で混合して第１組成物を製造した。
バインダーとして、屈折率が約１．４５〜１．５５程度であるポリシロキサン（ＰＶＭＱ、ｐｈｅｎｙｌ ｖｉｎｙｌ ｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）と屈折率が約２．０程度であり、平均粒径が約７ｎｍ程度であるジルコニア粒子（高屈折粒子）（ＺｒＯ２）を約４５：５５の重量比率（ＰＶＭＱ：ＺｒＯ２）で混合して屈折率が約１．６程度である層を形成できるコーティング組成物を製造した。引き続き、前記混合物（ＰＶＭＱ＋ＺｒＯ２）に散乱粒子として、屈折率が約２．５程度であり、平均粒径が約２５０ｎｍ程度であるルチル型酸化チタン（ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を約９０：１０の重量比率（混合物：散乱粒子）で混合して第１組成物を製造した。
前記第１組成物をガラス基板上に最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティングした後、公知の方式による縮合反応を経て形成した光学機能性層に対してヘイズを測定した結果、約４５％程度であると確認された。
また、散乱粒子を適用しないことを除いては前記と同一に第２組成物を製造した。
前記第２組成物をガラス基板上に最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティングした後、公知の方式による縮合反応を経て形成した光学機能性層に対してヘイズを測定した結果、約０％程度であると確認された。
基板および有機発光素子の製造
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第２組成物を最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサンおよび高屈折粒子（ＺｒＯ２）を含む下部光学機能性層を形成した。
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第２組成物を最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサンおよび高屈折粒子（ＺｒＯ２）を含む下部光学機能性層を形成した。
引き続き、前記下部光学機能性層上に前記第１組成物を最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティングした後縮合反応させて、同様にポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む上部光学機能性層を形成した。
前記上部および下部光学機能性層の全体に対して測定したヘイズは約４７％程度であり、その表面（上部光学機能性層の表面）の平均粗さ（Ｒａ）は、約７．４６ｎｍであり、１０点平均粗さ（Ｒｚ）は約６６．５８ｎｍであった。
引き続き、前記上部光学機能性層の表面に実施例１と同一に直接ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）電極層を形成して基板を製造した。
引き続き、前記基板のＩＴＯ電極層上に公知の白色ＯＬＥＤの形成に使われる素材で有機物層である正孔注入層、正孔伝達層、有機発光層、電子伝達層および電子注入層を順次形成し、さらにその上部に反射電極であるアルミニウム電極層を形成して有機電子素子を製造した。
実施例５
組成物の調製
実施例１での組成物調製方式と同じ方式で組成物を形成するものの、混合物（ＰＶＭＱ＋ＺｒＯ２）と散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）の重量比率（混合物：散乱粒子）を約８５：１５に調節して第１組成物を製造した。
実施例１での組成物調製方式と同じ方式で組成物を形成するものの、混合物（ＰＶＭＱ＋ＺｒＯ２）と散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）の重量比率（混合物：散乱粒子）を約８５：１５に調節して第１組成物を製造した。
前記第１組成物をガラス基板上に最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティングした後、公知の方式による縮合反応を経て形成した光学機能性層に対してヘイズを測定した結果、約５０％程度であると確認された。
また、前記と同じ方式で組成物を調製するものの、散乱粒子（ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）と混合物の比率を９７：３（混合物：散乱粒子）程度に調節して第２組成物を製造した。
前記第２組成物をガラス基板上に最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティングした後、公知の方式による縮合反応を経て形成した光学機能性層に対してヘイズを測定した結果、約１５％程度であると確認された。
基板および有機発光素子の製造
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第２組成物を最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む下部光学機能性層を形成した。
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第２組成物を最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む下部光学機能性層を形成した。
引き続き、前記下部光学機能性層上に前記第１組成物を最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティングした後縮合反応させて、同様にポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む上部光学機能性層を形成した。
前記上部および下部光学機能性層の全体に対して測定したヘイズは約６０％程度であり、その表面（上部光学機能性層の表面）の平均粗さ（Ｒａ）は、約９．２４ｎｍであり、１０点平均粗さ（Ｒｚ）は約８０．３８ｎｍであった。
引き続き、前記上部光学機能性層の表面に実施例１と同一に直接ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）電極層を形成して基板を製造した。
引き続き、前記基板のＩＴＯ電極層上に公知の白色ＯＬＥＤの形成に使われる素材で有機物層である正孔注入層、正孔伝達層、有機発光層、電子伝達層および電子注入層を順次形成し、さらにその上部に反射電極であるアルミニウム電極層を形成して有機電子素子を製造した。
比較例１．
組成物の調製
バインダーとして、屈折率が約１．４５〜１．５５程度であるポリシロキサン（ＰＶＭＱ、ｐｈｅｎｙｌ ｖｉｎｙｌ ｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）と屈折率が約２．０程度であり、平均粒径が約７ｎｍ程度であるジルコニア粒子（高屈折粒子）（ＺｒＯ２）を約４５：５５の重量比率（ＰＶＭＱ：ＺｒＯ２）で混合して屈折率が約１．６程度である層を形成できるコーティング組成物（第１組成物）を製造した。
バインダーとして、屈折率が約１．４５〜１．５５程度であるポリシロキサン（ＰＶＭＱ、ｐｈｅｎｙｌ ｖｉｎｙｌ ｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）と屈折率が約２．０程度であり、平均粒径が約７ｎｍ程度であるジルコニア粒子（高屈折粒子）（ＺｒＯ２）を約４５：５５の重量比率（ＰＶＭＱ：ＺｒＯ２）で混合して屈折率が約１．６程度である層を形成できるコーティング組成物（第１組成物）を製造した。
また、前記と同じ方式で製造された混合物（ＰＶＭＱ＋ＺｒＯ２）と散乱粒子（屈折率が約２．５程度であり、平均粒径が約２５０ｎｍ程度であるルチル型酸化チタン（ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２））を約９４：６の重量比率（混合物：散乱粒子）程度に調節して第２組成物を製造した。
前記第２組成物をガラス基板上に最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティングした後、公知の方式による縮合反応を経て形成した光学機能性層に対してヘイズを測定した結果、約２５％程度であると確認された。
基板および有機発光素子の製造
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第２組成物を最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む下部光学機能性層を形成した。
ガラス基板（屈折率：約１．５）上に前記製造された第２組成物を最終厚が約５００ｎｍ程度となるようにコーティング後縮合反応させて、ポリシロキサン、高屈折粒子（ＺｒＯ２）および散乱粒子（Ｒｕｔｉｌｅ ＴｉＯ２）を含む下部光学機能性層を形成した。
引き続き、前記下部光学機能性層上に前記第１組成物を最終厚が約２００ｎｍ程度となるようにコーティングした後縮合反応させて、ポリシロキサンおよび高屈折粒子（ＺｒＯ２）を含む上部光学機能性層を形成した。
前記上部および下部光学機能性層の全体に対して測定したヘイズは約２５％程度であり、その表面（上部光学機能性層の表面）の平均粗さ（Ｒａ）は、約２．０８ｎｍであり、１０点平均粗さ（Ｒｚ）は約２７．５２ｎｍであった。
引き続き、前記上部光学機能性層の表面に公知の蒸着方式で直接ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）電極層（屈折率：約２．０）を約７５ｎｍ程度の厚さで形成して基板を製造した。
引き続き、前記基板のＩＴＯ電極層上に公知の白色ＯＬＥＤの形成に使われる素材で有機物層である正孔注入層、正孔伝達層、有機発光層、電子伝達層および電子注入層を順次形成し、さらにその上部に反射電極であるアルミニウム電極層を形成して有機電子素子を製造した。
比較例２．
実施例３と同一方式で基板を製造するものの、光学機能性層上に直接ＩＴＯ電極層を形成せず、公知の素材で製造された高屈折平坦層（屈折率約１．７２）を形成した後にＩＴＯ電極層を形成して基板を製造し、同一に有機電子素子を製造した。
前記実施例および比較例の有機電子素子を３ｍＡ／ｃｍ２の条件で駆動させながら、Ｐ．Ｅ．（Ｌｕｍｉｎｏｕｓ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）（単位：ｌｍ／Ｗ）およびＱ．Ｅ．（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）（単位：％）をそれぞれ測定し、その結果を下記の表１に整理して記載した。
Claims (16)
- 支持基材層；前記支持基材層上に形成されている光学機能性層；および前記光学機能性層上に形成されている電極層を含み、
前記光学機能性層の前記支持基材層と反対側の表面は、平均粗さ（Ｒａ）が５ｎｍ以上であり、１０点平均粗さ（Ｒｚ）が３０ｎｍ以上の凹凸表面であり、
前記光学機能性層は、散乱粒子を含む層であり、
前記電極層は前記光学機能性層の凹凸表面と接して形成され、
光学機能性層は、５５０ｎｍ波長の光に対する屈折率が１．５〜１．７５の範囲内にあるマトリックス物質をさらに含む、基板。 - 支持基材層；前記支持基材層上に形成されている光学機能性層；および前記光学機能性層上に形成されている電極層を含み、
前記光学機能性層の前記支持基材層と反対側の表面は、平均粗さ（Ｒａ）が５ｎｍ以上であり、１０点平均粗さ（Ｒｚ）が３０ｎｍ以上の凹凸表面であり、
前記光学機能性層は、散乱粒子を含む層であり、
前記電極層は前記光学機能性層の凹凸表面と接して形成され、
光学機能性層は、厚さが１５０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であり、ヘイズが６０％以上である、基板。 - 光学機能性層と電極層の間には平坦層が存在しない、請求項１または２に記載の基板。
- 光学機能性層は、光散乱層である、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板。
- 光学機能性層は、ヘイズが２０％以上である、請求項１、並びに請求項１に従属する場合における請求項３および４のいずれか一項に記載の基板。
- 光学機能性層の厚さが１５０ｎｍ以上である、請求項１および請求項１に従属する場合における請求項３から５のいずれか一項に記載の基板。
- 光学機能性層は、上部層と下部層を含んで形成されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の基板。
- 上部層の単位体積当たりの散乱粒子の個数が下部層の単位体積当たりの散乱粒子の個数対比大きい、請求項７に記載の基板。
- 上部層の厚さ（ＴＵ）対比下部層の厚さ（ＴＬ）の比率（ＴＬ／ＴＵ）が１〜１０の範囲内にある、請求項７に記載の基板。
- 光学機能性層は、５５０ｎｍ波長の光に対する屈折率が１．５〜１．７５の範囲内にあるマトリックス物質をさらに含む、請求項２に記載の基板。
- マトリックス物質は、５５０ｎｍ波長の光に対する屈折率が１．４〜１．６５の範囲内にあるバインダーおよび５５０ｎｍ波長の光に対する屈折率が１．５以上である高屈折粒子を含む、請求項１または１０に記載の基板。
- マトリックス物質は、バインダー１００重量部対比５０重量部以上の高屈折粒子を含む、請求項１１に記載の基板。
- 電極層は、インジウムスズ酸化物層である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の基板。
- 請求項１から１３のいずれか一項に記載された基板；および前記基板の電極層上に存在する有機物層を有する素子領域を含む、有機電子素子。
- 請求項１４に記載の有機電子素子を含む、ディスプレイ用光源。
- 請求項１４に記載の有機電子素子を含む、照明機器。
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