TW201526331A

TW201526331A - 具有光提取電極之有機發光二極體

Info

Publication number: TW201526331A
Application number: TW103138803A
Authority: TW
Inventors: Abhinav Bhandari; Harry Buhay
Original assignee: Ppg Ind Ohio Inc
Priority date: 2013-12-26
Filing date: 2014-11-07
Publication date: 2015-07-01
Also published as: US9627652B2; MY176206A; TWI575797B; RU2655461C2; RU2016130492A; US20150188089A1; KR20160090348A; WO2015099871A1; KR101917609B1

Abstract

一種有機發光二極體(10)包含一基板(20)、一第一電極(12)、一發射主動堆(14)及一第二電極(18)。該第一電極及該第二電極(12，18)之至少一者係具有一金屬層(28)之一光提取電極(26)。該金屬層(28)包含在該金屬層(28)上及/或其中之光散射特徵部(29)。該光提取特徵部(29)增加自該有機發光二極體(10)之光提取。

Description

具有光提取電極之有機發光二極體

【政府支援通知】

本發明係根據能源部授予之合同DE-EE-0003209利用政府支援進行。美國政府在本發明中可具有特定權益。

本發明大致係關於有機發光二極體(OLED)，且更特定言之係關於一種具有增強發光屬性之導電電極的有機發光二極體。

一種有機發光二極體(OLED)係一種具有響應於施加電流而發射電磁輻射(諸如可見光)之發射層的裝置。發射層位於兩個電極(陽極與陰極)之間。當電流在陽極與陰極之間行進時(即，通過發射層)，發射層發射電磁能量。OLED用於許多應用中，諸如電視螢幕、電腦監視器、行動電話、個人數位助理(PDA)、手錶、燈具及各種其他電子裝置。

OLED提供優於習知無機裝置的許多優點，諸如用於顯示器及白熾燈或緊湊型螢光燈(CLF)及其他照明應用中之液晶。例如，OLED在無需背光的情況下發揮作用。在低環境光中，諸如暗室中，OLED螢幕可實現比習知液晶顯示器更高之對比度。OLED亦比液晶顯示器更薄、更輕且更撓曲。與白熾燈或緊湊型螢光燈相比較，OLED需要較少能量來操作並且能夠提供成本節省。

然而，OLED裝置之一缺點在於未從OLED裝置發射由發射層產生的大量電磁能量。所產生之電磁能量之大部分歸因於電磁輻射在OLED裝置之各層之界面處之反射所造成的「光波導效應」而陷留在OLED裝置內。在典型的OLED照明裝置中，從發射層發射之約80%可見光歸因於此光波導效應而陷留在OLED裝置中。因此，由發射層產生之光之僅約 20%實際上被OLED裝置發射。

與習知OLED裝置相比，有利的是提供一種其中從OLED裝置發射由發射層生成之更多電磁輻射的OLED裝置。例如，有利的是提供一種方法來減少OLED裝置之至少一層中之光波導效應以增加OLED發射。亦有利的是提供一種製作具有減少之光波導效應之OLED裝置的方法，以促進自OLED裝置之增加的電磁發射。

將在以下編號條款中描述本發明之態樣：

條款1：一種有機發光二極體，其包括：基板；第一電極；發射主動堆；及第二電極。第一電極及第二電極之至少一者為包括金屬層之光提取電極。金屬層在金屬層上及/或中包括光散射特徵部。

條款2：如條款第1項之有機發光二極體，其中光散射特徵部選自由凸出物、樹突、裂紋、空隙、與金屬層不同密度之區，以及與金屬層不同化學成分之區組成組成之組。

條款3：如條款第1或2項之有機發光二極體，其中光散射特徵部包括凸出物。

條款4：如條款第1-3項任一項之有機發光二極體，其中光散射特徵部包括凸出物，該等凸出物具有5nm至100nm之範圍的高度，諸如10nm至80nm、諸如20nm至60nm、諸如30nm至60nm，諸如30nm至50nm。

條款5.如條款第1-4項任一項之有機發光二極體，其中光散射特徵部包括凸出物，且其中凸出物之至少一部分具有5nm之最小高度，諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸如30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如50nm。

條款6：如條款第1-5項任一項之有機發光二極體，其中光散射特徵部包括凸出物，且其中凸出物之至少一些具有100nm之最大高度，諸如90nm、諸如80nm、諸如70nm、諸如60nm、諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm。

條款7：如條款第1-6項任一項之有機發光二極體，其中光散射特徵部之至少一些為樹突狀。

條款8：如條款第7項之有機發光二極體，其中樹突狀光散射特徵部之至少一些具有10微米至50微米之範圍內的直徑，諸如10微米至40微米、諸如20微米至40微米、諸如30微米至40微米。

條款9：如條款第1-8項任一項之有機發光二極體，其中金屬層包括選自由鉑、銥、鋨、鈀、鋁、金、銅、銀及其混合物及/或合金組成之組之至少一個金屬。

條款10：如條款第1-9項任一項之有機發光二極體，其中金屬層包括金屬銀。

條款11：如條款第1-10項任一項之有機發光二極體，其中光提取電極為多層結構，該多層結構包括具有光散射特徵部之金屬層。

條款12：如條款第1-11項任一項之有機發光二極體，其中光提取電極為陽極。

條款13：如條款第1-12項任一項之有機發光二極體，其中第二電極是透明的。

條款14：如條款第1-13項任一項之有機發光二極體，其中第二電極比第一電極更接近基板。

條款15：如條款第1-14項任一項之有機發光二極體，其包括位於金屬層與基板之間的底層。

條款16：如條款第15項之有機發光二極體，其中底層包括選自由矽、鈦、鋁、鋯、磷、鉿、鈮、鋅、鉍、鉛、銦、錫及其合金及混合物組成之組的一或多個金屬氧化物材料。

條款17：如條款第15或16項之有機發光二極體，其中底層選自由均質層、梯度層及多層結構組成之組。

條款18：如條款第15-17項任一項之有機發光二極體，其中底層包括氧化鋅層及錫酸鋅層之至少一者。

條款19：如條款第15-18項任一項之有機發光二極體，其中底層包括在錫酸鋅層上方之氧化鋅層。

條款20：如條款第1-19項任一項之有機發光二極體，其包括在金屬層上方之基層。

條款21：如條款第20項之有機發光二極體，其中基層包括選自由鈦、矽、二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、鎳-鉻合金、鋯、鋁、矽鋁合金、含鈷鉻合金及其混合物組成之組的材料。

條款22：如條款第20或21項任一項之有機發光二極體，其中基層包括鈦。

條款23：如條款第1-22項任一項之有機發光二極體，其包含在金屬層上方之頂部層。

條款24：如條款第23項之有機發光二極體，其中頂部層包括選自由鋅、錫、鋯、鋁、矽、銦及其混合物之氧化物組成之組的至少一氧化物材料。

條款25：如條款第23或24項之有機發光二極體，其中頂部層包括錫酸鋅。

條款26：如條款第23或24項之有機發光二極體，其中頂部層包括二氧化矽及氧化鋁之混合物。

條款27：如條款第23或24項之有機發光二極體，其中頂部層包括選自由銦錫氧化物、鋁鋅氧化物及銦鋅氧化物組成之組之導電層。

條款28：如條款第1-27項任一項之有機發光二極體，其中第一電極為選自鋇、鈣及鎂組成之組的陰極。

條款29：如條款第1-28項任一項之有機發光二極體，其中第一電極係不透明及/或反射性的。

條款30：如條款第1-29項任一項之有機發光二極體，其中基板包括玻璃。

條款31：如條款第1-30項任一項之有機發光二極體，其中光提取電極具有1Ω/□至20Ω/□之範圍內的薄層電阻，諸如1Ω/□至15Ω/□、諸如1Ω/□至10Ω/□、諸如1Ω/□至8Ω/□、諸如2Ω/□至8Ω/□、諸如4Ω/□至8Ω/□。

條款32：如條款第1-31項任一項之有機發光二極體，其中光提取電極具有50%至97%之範圍內的可見光透射率，諸如70%至95%、諸如75%至95%、諸如80%至95%、諸如85%至95%、諸如88%至95%、諸如90%至95%。

條款33：如條款第1-32項任一項之有機發光二極體，其中光提取電極具有0.5%至10%的霧度，諸如1%至10%、諸如1%至8%。

條款34：如條款第1-33項任一項之有機發光二極體，其中光提取電極具有5nm至60nm之範圍內的均方根表面粗糙度，諸如25nm至60nm、諸如40nm至60nm、諸如50nm至60nm。

條款35：如條款第1-34項任一項之有機發光二極體，其中基板包括玻璃，其中第一電極為陰極，其中光提取電極為陽極，其中光散射特徵部包括自基板之第一表面延伸的凸出物，且其中凸出物之至少一些具有20nm至60nm之範圍內的高度。

條款36：如條款第1-35項任一項之有機發光二極體，其中基板包括玻璃，其中第一電極為陰極，其中第一電極係不透明及/或反射性的，其中光提取電極為陽極，其中陽極比第一電極更接近基板，其中金屬層包括金屬銀，其中光散射特徵部包括從基板之第一表面延伸的凸出物，且其中凸出物之至少一些具有20nm至60nm之範圍內的高度。

條款37：如條款第35或36項之有機發光二極體，其包含位於金屬層與基板之間的底層，其中底層包括在錫酸鋅層上方之氧化鋅層。

條款38：如條款第35-37項任一項之有機發光二極體，其包含在金屬層上方之基層，其中基層包括鈦。

條款39：如條款第35-38項任一項之有機發光二極體，其包含在金屬層上方之頂部層，其中頂部層選自由錫酸鋅、二氧化矽及氧化鋁之混合物、銦錫氧化物、鋁鋅氧化物及銦鋅氧化物組成之組。

條款40：一種製作有機發光二極體的方法，該方法包括：提供第一電極、發射主動堆，以及在基板上方之第二電極。第一電極及第二電極之至少一者為包括金屬層之光提取電極。金屬層包括在金屬層上及/或中之光散射特徵部。

條款41：如條款第40項之方法，其中光散射特徵部選自由凸出物、樹突、裂紋、空隙、與金屬層不同密度之區，以及與金屬層不同化學成分之區組成之組。

條款42：如條款第40或41項之方法，其中光散射特徵部包括凸出物。

條款43：如條款第40-42項任一項之方法，其中光散射特徵部包括凸出物，該等凸出物具有5nm至100nm之範圍內的高度，諸如10nm至80nm、諸如20nm至60nm、諸如30nm至60nm、諸如30nm至50nm。

條款44：如條款第40-43項任一項之方法，其中光散射特徵部包括凸出物，且其中凸出物之至少一些具有5nm之最低高度，諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸如30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如50nm。

條款45：如條款第40-44項任一項之方法，其中凸出物之至少一些具有100nm之最大高度，諸如90nm、諸如80nm、諸如70nm、諸如60nm、諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm。

條款46：如條款第40-45項任一項之方法，其中光散射特徵部之至少一些為樹突狀。

條款47：如條款第46項之方法，其中樹突狀光散射特徵部之至少一些具有10微米至50微米之範圍內的直徑，諸如10微米至40微米、諸如20微米至40微米、諸如30微米至40微米。

條款48：如條款第40-47項任一項之方法，其中光提取電極為陽極。

條款49：如條款第40-48項任一項之方法，其中光散射特徵部由選自由以下項之至少一程序提供：將金屬層暴露至氧；加熱金屬層；將金屬層暴露至雷射；將金屬層暴露至氧電漿處理；以及摻雜金屬層。

條款50：如條款第40-49項任一項之方法，其包含將金屬層暴露至氧達1分鐘至20分鐘之範圍內的時間段，諸如1分鐘至10分鐘、諸如1分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至4.5分鐘。

條款51：如條款第40-50項任一項之方法，包括將金屬層加熱至400℃至1000℃之範圍內的溫度，諸如500℃至900℃、諸如600℃ 至800℃、諸如700℃至800℃℃、諸如700℃至750℃。

條款52：如條款第40-51項任一項之方法，包括用選自由銅、鋁及鋅組成之組之摻雜物摻雜金屬層。

條款53：如條款第40-52項任一項之方法，其包括將第二電極定位成比第一電極更接近基板。

條款54：如條款第40-53項任一項之方法，其包含在金屬層與基板之間提供底層。

條款55：如條款第54項之方法，其中底層包括氧化鋅層及錫酸鋅層之至少一者。

條款56：如條款第40-55項任一項之方法，其包含在金屬層上方提供基層。

條款57：如條款第56項之方法，其中基層包含鈦。

條款58：如條款第40-57項任一項之方法，其包含在金屬層上方提供頂部層。

條款59：如條款第58項之方法，其中頂部層選自由錫酸鋅、二氧化矽及氧化鋁之混合物、銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鋅氧化物及其混合物組成之組。

條款60：如條款第40-59項任一項之方法，其中金屬層包括銀。

條款61：一種光提取電極，其包括：金屬層，其中金屬層在金屬層上及/或中包括光散射特徵部。

條款62：如條款第61項之光提取電極，其中光散射特徵部選自由凸出物、樹突、裂紋、空隙、與金屬層不同密度之區，以及與金屬層不同化學成分之區組成之組。

條款63：如條款第61或62項之光提取電極，其中光散射特徵部包括凸出物。

條款64：如條款第61-63項任一項之光提取電極，其中光散射特徵部包括凸出物，該等凸出物具有10nm至80nm之範圍內的高度，諸如20nm至60nm、諸如30nm至60nm、諸如30nm至50nm。

條款65：如條款第61-64項任一項之光提取電極，其中光散射特徵部包括凸出物，且其中該等凸出物之至少一些具有5nm之最低高度，諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸如30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如50nm。

條款66：如條款第61-65項任一項之光提取電極，其中光散射特徵部包括凸出物，且其中該等凸出物之至少一些具有100nm之最大高度，諸如90nm、諸如80nm、諸如70nm、諸如60nm、諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm。

條款67：如條款第61-66項任一項之光提取電極，其中光散射特徵部之至少一些為樹突狀。

條款68：如條款第67項之光提取電極，其中樹突狀光散射特徵部之至少一些具有10微米至50微米之範圍內的直徑，諸如10微米至40微米、諸如20微米至40微米、諸如30微米至40微米。

條款69：如條款第61-67項任一項之光提取電極，其中金屬層包括至選自由鉑、銥、鋨、鈀、鋁、金、銅、銀及其混合物及/或合金組成之組的至少一金屬。

條款70：如條款第61-69項任一項之光提取電極，其中金屬層包括金屬銀。

條款71：如條款第61-70項任一項之光提取電極，其中光提取電極為多層結構，該多層結構包括具有光散射特徵部之金屬層。

條款72：如條款第61-71項任一項之光提取電極，其包含包括一或多個金屬氧化物材料之底層，該一或多個金屬氧化物材料選自由矽、鈦、鋁、鋯、磷、鉿、鈮、鋅、鉍、鉛、銦、錫及其合金與混合物之氧化物組成之組。

條款73：如條款第72項之光提取電極，其中底層包括氧化鋅層及錫酸鋅層之至少一者。

條款74：如條款第72或73項之光提取電極，其中底層包括在錫酸鋅層上方之氧化鋅。

條款75：如條款第61-74項任一項之光提取電極，其包含在金屬層上方之基層，其中基層包括選自由鈦、矽、二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、鎳-鉻合金、鋯、鋁、矽鋁合金、含鈷鉻合金及其混合物組成之組。

條款76：如條款第75項之光提取電極，其中基層包括鈦。

條款77：如條款第61-76項任一項之光提取電極，其在金屬層上方包含頂部層。

條款78：如條款第77項之光提取電極，其中頂部層包括選自由鋅、錫、鋯、鋁、矽、銦及其混合物之氧化物之組的至少一氧化物材料。

條款79：如條款第77-78項任一項之光提取電極，其中頂部層包括錫酸鋅。

條款80：如條款第77或78項之光提取電極，其中頂部層包括二氧化矽及氧化鋁之混合物。

條款81：如條款第77或78項之光提取電極，其中頂部層包括選自由銦錫氧化物、鋁鋅氧化物及銦鋅氧化物組成之組的導電層。

條款82：一種如條款第1-39項任一項之有機發光二極體在顯示裝置尤其是選自由以下項組成之組之顯示裝置中的使用：電腦監視器、電腦螢幕、行動電話、電視螢幕、個人數位助理、手錶以及照明裝置。

條款83：一種如條款第61至81項任一項之光提取電極在OLED裝置中的使用。

條款84：一種如條款第61至81項任一項之光提取電極在在顯示裝置尤其是選自由以下項組成之組之顯示裝置中的使用：電腦監視器、電腦螢幕、行動電話、電視螢幕、個人數位助理、手錶以及照明裝置。

10‧‧‧OLED裝置

12‧‧‧第一電極//頂部電極

14‧‧‧主動堆

16‧‧‧發射層

18‧‧‧第二電極//底部電極

20‧‧‧基板

22‧‧‧基板之第一表面/頂部表面

24‧‧‧基板之第二表面/底部表面

26‧‧‧光提取電極

28‧‧‧金屬層

29‧‧‧光散射特徵部

30‧‧‧底層

32‧‧‧底層之第一層

34‧‧‧底層之第二層

圖1係說明併入本發明之光散射電極之本發明之OLED裝置的側視截面圖；圖2係併入額外選用層之圖1之OLED裝置的側視截面圖；圖3係加熱後(實例1之)樣品1c的顯微圖；圖4係圖3之樣品1c的三維原子力顯微圖(50微米乘50 微米)；圖5係三個月後圖3之樣品1c的顯微圖；圖6係圖5之樣品1c的二維原子力顯微圖(50微米乘50微米)；圖7係加熱後樣品7c(來自實例2)的顯微圖；圖8係圖7之樣品7c的二維原子力顯微圖(50微米乘50微米)；且圖9係圖7之樣品7c的三維原子力顯微圖(50微米乘50微米)。

如本文所用，空間或方向術語，諸如「左」、「右」、「內部」、「外部」、「上面」、「下面」及類似術語如其在附圖所示般涉及本發明。應理解，本發明可假定各種替代定向，且因此，此類術語不應被理解為有所限制。本說明書及申請專利範圍中所使用之所有數字應理解為在所有情況下由術語「約」修飾。本文揭示之所有範圍應理解為涵蓋開始範圍值及結束範圍值及其中之任何與所有子範圍。本文提出之範圍表示超過指定範圍之平均值。本文所引用之所有文件應視為全部內容「以引用之方式併入」。

術語「膜」指的是具有所希望或選擇之成分的塗層區。「層」包括一或多個「膜」。「塗層」或「堆」包括一或多個「層」。術語「有機材料」包含聚合物以及小分子有機材料，諸如用於製作有機光電子裝置之材料。術語「上方」意指「上」或「上面」。術語「聚合物」或「聚合」包含低聚物、均聚物、共聚物及三元共聚物。術語「可見光」意指波長範圍為380nm至780nm之電磁能量。術語「紅外輻射」意指波長範圍大於780nm至100,000nm之電磁能量。術語「紫外輻射」意指波長範圍為100nm至小於380nm之電磁能量。

為了以下討論的之目的，本發明將參考底部發射OLED裝置。然而，應理解，本發明不限於搭配使用底部發射OLED裝置，但是可以頂部發射OLED裝置且在亦以其他領域中之裝置實踐，例如，太陽能電池，諸如光伏打薄膜太陽能電池。

本發明包括本發明之任何組合之以下態樣、由該等態樣組成、或基本上由該等態樣組成。在本文之單獨圖式中本發明之各個態樣僅為說明性的。然而，應了解，此僅是為了便於說明與討論。在本發明之實踐中，一個圖式所示之本發明之一或多個態樣可組合一或多個其他圖式所示之本發明之一或多個態樣。

基本OLED裝置(OLED)10併入圖1所示之本發明之特徵部。OLED裝置10包含第一電極(例如，頂部電極)12、併入電致發光發射層16之主動堆14、第二電極(例如，底部電極)18及基板20。基板20具有第一表面22(例如，頂部表面)及第二表面24(例如，底部表面)。發射層16可包含電致發光發射有機材料。

為了以下討論之目的，將OLED 10描述為底部發光OLED。第一電極12將被視為「陰極」且第二電極18將視為「陽極」。然而，此僅是為了便於描述本發明，且不應被視為限制性。電極之位置可顛倒，諸如用於頂部發光OLED。熟悉此項技術者將了解習知OLED裝置之一般結構及操作，且因此不再贅述。

在本發明之實踐中且如下文所述，第一及第二電極12、18之至少一者為併入本發明之一或多個態樣之光提取電極26。光提取電極26可為併入一或多個光提取特徵部29之單一金屬層28，下文將更詳細描述。光提取電極26亦可為併入至少一個金屬層28及一或多個選用層之多層結構，下文將更詳細描述。

在以下討論中，將相對於第二電極18(例如陽極)描述光提取電極26。為了便於討論，光提取電極26(例如陽極)在本文將被稱為「電極」(或「陽極」)，而不管光提取電極26為單一金屬層28或為包含金屬層28以及存在用於除電子傳輸之外之功能之一或多個額外選用層的多層結構。OLED之第一及第二電極12、18之二者可為透明的或者一個電極可為透明的且另一個電極可為不透明的(例如，反射性的)。對於底部發射OLED，第二電極18(最接近基板20)較佳對所產生之電磁輻射為透明的。

如本文中使用，「透明」意指在一或多個希望波長下對電磁輻射至少50%之透射率(例如，在550奈米(nm)之波長下之可見光透射率)，諸如至少60%、諸如至少70%、諸如至少80%、諸如至少90%、諸如至少95%。如本文中使用，「不透明」意指在一或多個希望波長下對電磁輻射至多50%之透射率(諸如在550nm之波長下之可見光透射率)，諸如小於40%、諸如小於30%、諸如小於20%、諸如小於10%、諸如小於5%、諸如0%。如本文中使用，「反射性」意指主動堆14產生之電磁能量之至少一部分被電極反射。

用於陰極(例如在所示實例中之第一電極12)之適當材料實例包含金屬，諸如鋇、鈣及鎂。陰極通常具有低功函。對於其中光發射僅來自或主要來自裝置10之底部之OLED(通過裝置10之基板側)，第一電極12可為不透明及/或反射性的。例如，第一電極12可反射或至少部分反射主動堆14產生之光之至少一部分。第一電極12可反射至少20%，諸如至少30%、諸如至少40%、諸如至少50%、諸如至少60%、諸如至少70%、諸如至少80%、諸如至少90%之具有550nm波長的電磁能量。第一電極12可為具有高導電率之相對厚反射金屬層。或者，若希望從裝置10之頂部發出，則第一電極12可為透明的。

主動層14可包含任何習知發射層16。適於發射層16之材料實例包含小分子，諸如有機金屬螯合物(例如，Alq₃)、螢光及磷光染料、及共軛樹枝狀聚合物。適當材料之進一步實例包含三苯胺、二萘嵌苯、紅螢烯、喹吖啶。或者，可使用電致發光聚合材料。導電聚合物之實例包含聚(對亞苯基乙烯)及聚芴。亦可使用磷光材料。此種材料之實例包含聚合物，諸如聚(n-乙烯基哢唑)，其中添加諸如銥錯合物之有機金屬錯合物作為摻雜劑。

對於底部發射OLED，基板20較佳為透明的。基板20之適當材料實例包含玻璃，諸如習知鈉鈣矽酸鹽玻璃，諸如浮法玻璃。對於諸如燈具之應用，基板20在550奈米(nm)之參考波長及3.2mm之參考厚度下具有高可見光透射率。「高可見光透射率」意指至少85%的可見光透射率(在550nm之參考波長及3.2mm之參考厚度下)，諸如至少87%、諸如至少90%、諸如至少91%、諸如至少92%、諸如至少93%、諸如至少95%。

可用於本發明之玻璃的實例包含Starphire®、Solarphire®， Solarphire®PV，及CLEAR^TM玻璃，均購自賓夕法尼亞州匹茲堡市PPG Industries,Inc。

基板20可具有任何希望的厚度，諸如在0.5mm至10mm的範圍內，諸如1mm至10mm、諸如1mm至4mm、諸如2mm至3.2mm。

如圖1所示，光提取電極26可為或者可包含具有增加光提取電極26之霧度(即，光散射)之光散射特徵部29的金屬層28。

適於金屬層28之材料實例包含金屬鉑、銥、鋨、鈀、鋁、金、銅、銀及/或其混合物及/或合金。在較佳態樣中，金屬層28為金屬銀或者包括金屬銀。

光散射特徵部29位於金屬層28中且及/或金屬層28之表面上。光散射特徵部29係金屬層28的一部分或被併入金屬層28中。光散射特徵部29並非沈積在金屬層28上之單獨塗層或層的一部分。

光散射特徵部29之實例包含缺陷及/或樹突。「樹突」或「樹突狀」意指金屬層28中或上的分支、樹形特徵部。例如，樹突可為晶體或結晶塊體。「缺陷」意指金屬層28上及/或中散射電磁輻射之點/或區及/或區域。缺陷之實例包含自金屬層表面延伸之凸出物、金屬層28中及/或上形成之裂紋或空隙、金屬層28中及/或上之不同密度區，以及金屬層28上中及/或上之不同化學成分之區域。光散射特徵部29之存在使電磁能量散射且幫助減少上述波導效應。

例如，樹突可具有10微米至50微米之範圍內的直徑，諸如10微米至40微米、諸如20微米至40微米、諸如30微米至40微米。例如，樹突可具有30微米至35微米之範圍內的平均直徑。

例如，樹突及/或缺陷可包括從金屬層28之表面(例如上表面22)向上延伸的凸出物。例如，凸出物之至少一些可具有10nm至80nm的範圍內的高度(相對於金屬層28之表面)，諸如20nm至60nm、諸如30nm至60nm、諸如30nm至50nm。例如，凸出物之至少一些可具有30nm至50nm之高度。

例如，凸出物之至少一些可具有5nm之最小高度，諸如10nm、諸如15nm，諸如20nm、諸如25nm、諸如30nm、諸如35nm、諸如40、諸如50nm。

例如，凸出物之至少一些可具有100nm之最大高度，諸如90nm、諸如80nm、諸如70nm、諸如60nm、諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm。

圖2說明額外選用層，其一或多者可被併入光提取電極26中。此等額外選用層將描述為「電極」之部分，即使可存在一或多個選用層用於除電子傳輸之外之功能。

光提取電極26可併入位於金屬層28與基板20之頂部表面22之間之選用底層30。

底層30可為均質層、梯度層且/或可包含複數個層或膜。「均質層」意指其中材料隨機分佈在塗層各處之層。「梯度層」意指具有兩個或多個組分之層，其中該等組分之濃度隨著離基板之距離變化而連續變化(或階式)。

底層30可包含一或多個金屬氧化物材料。適於底層30之氧化物材料實例包含矽、鈦、鋁、鋯、磷、鉿、鈮、鋅、鉍、鉛、銦、錫、及其合金及混合物的氧化物。

例如，底層30可包括至少二氧化矽及二氧化鈦的混合物。例如，底層30可包括二氧化矽、二氧化鈦及磷氧化物的混合物。

底層30可具有10nm之最小厚度，諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸如30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如45nm、諸如50nm、諸如55nm、諸如60nm、諸如65nm、諸如70nm、諸如80nm、諸如90nm、如100nm、諸如110nm、諸如115nm。

底層30可具有120nm的最大厚度，諸如115nm、諸如110nm、諸如105nm、諸如100nm、諸如95nm、諸如90nm、諸如85nm、諸如80nm、諸如75nm、諸如70nm、諸如65nm、諸如60nm、諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm、諸如30nm、諸如25nm、諸如20nm。

在較佳態樣中，底層30具有10nm至120nm之範圍內的厚度，諸如30nm至80nm、較佳30nm至80nm、更佳30nm至70nm。

底層30可包含含鋅層，諸如併入鋅的氧化物。適當含鋅層之實例包含氧化鋅層、包括鋅及錫組合之層、鋅合金氧化物層、鋅-錫合金氧化物層、錫酸鋅層及Zn₂SnO₄。例如，含鋅層可包括氧化鋅層及錫酸鋅層之至少一者。

可從鋅標靶沈積包含一或多個其他材料之含鋅層以改良標靶之濺射特性，以便增加鋅標靶的導電率。例如，鋅標靶可包含少量(例如，至多10重量%、諸如至多5重量%)材料以改良濺射。在此情況下，所得鋅氧化物層將包含少量百分比之添加材料的氧化物，例如，至多10重量%的材料氧化物，例如，至多5重量%的材料氧化物。從鋅標靶沈積具有至多10重量%之額外材料以增強鋅標靶之濺射特性之層在本文中稱為「鋅氧化物層」，即使可存在將少量的添加材料(例如，材料氧化物)。

可被添加至鋅標靶以改良濺射之材料實例包含導電金屬。例如，所添加之材料可選自Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Bi、Ti、Co、Cr、Si及其組合。

在較佳態樣中，所添加之材料為錫。據信鋅標靶中之少量錫(例如，小於或等於10重量%，諸如小於或等於5重量%)會在主要鋅氧化物層中形成錫氧化物。如上文所討論，此一層將被稱為「鋅氧化物」層。

底層30可包含或可為錫酸鋅層。「錫酸鋅」意指以下分子式之成分：Zn_XSn_1-XO_2-X(分子式1)，其中「x」在大於0至小於1之範圍內變化。例如，「x」可大於0且可為大於0至小於1之間的任何分數或小數。錫酸鋅層具有占主要量之一或多個形式的分子式1。

在本發明之較佳態樣中，x=2/3。其中x=2/3之錫酸鋅層通常被稱為「Zn₂SnO₄」。

底層30可為多層結構，其具有沈積於基板12之頂部表面22之至少一部分上方之第一層32及沈積於第一層32上方之第二層34。例如，第一層32可為金屬合金氧化物膜且第二層34可為金屬氧化物或氧化物混合物層。例如，第一層32可為鋅/錫合金氧化物。「鋅/錫合金氧化物」意指真實的合金以及氧化物混合物兩者。一種適當的金屬合金氧化物材料為錫酸鋅。在較佳態樣中，錫酸鋅為Zn₂SnO₄。

第二層34可為金屬氧化物層，諸如鋅氧化物(如上文所述具有或不具有錫氧化物)。在較佳態樣中，第一層32為錫酸鋅層且第二層34為鋅氧化物層。在更佳態樣中，第一層32為Zn₂SnO₄且第二層34為鋅氧化物(至多10重量%錫氧化物，諸如至多5重量%錫氧化物)。

第一層32可具有5nm的最小厚度，諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸如30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如45nm、諸如50nm、諸如55nm。

第一層32可具有60nm的最大厚度，諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm、諸如35nm、諸如30nm、諸如25nm、諸如20nm、諸如15nm、諸如10nm。

在較佳態樣中，第一層32具有5nm至60nm之範圍內的厚度，諸如5nm至50nm、諸如7.5nm至35nm、諸如10nm至25nm、諸如15nm至25nm、諸如19.5nm至25nm、諸如20nm至25nm、諸如20nm至22nm。

第二層34可具有5nm的最小厚度，諸如8nm、如10nm、諸如12nm、諸如14nm、諸如16nm、諸如18nm。

第二層34可具有20nm的最大厚度，諸如18nm、諸如16nm、諸如14nm、諸如12nm、諸如10nm、諸如8nm、諸如6nm。

在較佳態樣中，第二層34具有5nm至20nm之範圍內的厚度、諸如7.5nm至20nm、諸如10nm至15nm、諸如10nm至11nm。

選用基層36可提供在金屬層28上方。基層38可為單一膜或多個膜層。基層38可包含在沈積程序期間可犧牲之捕氧材料，以控制濺射程序期間或隨後之加熱程序期間金屬層28之降解或氧化。用於基層38之材料實例包含鈦、矽、二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、鎳-鉻合金(諸如Inconel)、鋯、鋁、矽鋁合金、含鈷鉻合金(例如，Stellite®)及其混合物。

例如，基層36可為或可包括鈦。

基層36可具有0.5nm至5nm之範圍內的厚度，例如0.5nm至3nm、例如0.5nm至1nm、例如0.5至0.6nm。

選用頂部層38可被提供在基層36上方(若存在)或在金屬層28上方(若不存在基層36)。頂部層38可為保護層以為下伏層提供機械或化學耐久性。

頂部層38可包含一或多個金屬氧化物、矽氧化物、鋁氧化物、矽鋁酸鹽、氮化矽、碳化矽及矽碳氧化物。適於頂部層38之材料實例包含鋯、鋅、錫、鋁、矽及其混合物及/或合金的氧化物之一或多者。例如，頂部層38可包含鋅及錫。例如，頂部層38可為鋅氧化物及錫氧化物及/或鋅及錫之合金的混合物，諸如錫酸鋅)。

例如，頂部層38可為包括0重量%至100重量%氧化鋁及/或0重量%至100重量%二氧化矽及/或0重量%至100重量%氧化鋯的單一塗層。例如，頂部層38可包含二氧化矽及氧化鋁，具有例如1重量%至99重量%二氧化矽及99重量%至1重量%氧化鋁，諸如至少40重量%二氧化矽及60重量%或更少的氧化鋁、諸如至少70重量%二氧化矽及30重量%或更少的氧化鋁、諸如至少75重量%二氧化矽、諸如至少80重量%二氧化矽、諸如至少85重量%二氧化矽。在一個非限制性態樣中，頂部層38包括85重量%二氧化矽及15重量%氧化鋁。在另一非限制性態樣中，頂部層38包括40重量%二氧化矽及60重量%氧化鋁。在另一非限制性態樣，頂部層38包含二氧化矽及氧化鋁的混合物。

頂部層38可具有0.5nm的最小厚度，諸如0.6nm、諸如1nm、諸如2nm、諸如5nm、諸如10nm、諸如20nm、諸如30nm、諸如40nm、諸如50nm、諸如60nm、諸如70nm、諸如75nm、諸如100nm、諸如110nm、諸如120nm、諸如150nm、諸如200nm、諸如250nm、諸如300nm、諸如500nm、諸如700nm、諸如1,000nm、諸如2,000、諸如3,000nm。

頂部層38可具有5,000的最大厚度，諸如3,000nm、諸如2,000、諸如1,000nm、諸如500nm、諸如300nm、諸如200nm、諸如150nm、諸如100nm，諸如90nm、諸如80nm。

在較佳態樣中，頂部層38具有0.5nm至5,000nm之範圍內的厚度，諸如0.5nm至3,000nm、諸如0.5nm至2,000nm、諸如0.5nm至1,000nm、諸如1nm至500nm、諸如2nm至300nm、諸如5nm至300 nm、諸如50nm至200nm、諸如50nm至150nm、諸如50nm至120nm、諸如60nm至120nm、諸如70nm至120nm、諸如70nm至100nm、諸如70nm至80nm。

在本發明之替代態樣中，頂部層38包括具有至少40重量%二氧化矽的二氧化矽/氧化鋁混合物，諸如至少50重量%二氧化矽、諸如至少60重量%二氧化矽、諸如至少70重量%二氧化矽、諸如至少80重量%二氧化矽、諸如在80重量%至90重量%二氧化矽及10重量%至20重量%氧化鋁之範圍內、例如85重量%二氧化矽及15重量%氧化鋁。在此非限制性態樣中，頂部層38可具有大於0nm至2微米之範圍內的厚度，諸如0.5nm至500nm、諸如5nm至200nm、諸如10nm至100nm、諸如30nm至50nm、諸如35nm至40nm。在另一非限制性態樣中，頂部層38可具有大於0nm至1微米之範圍內的厚度，諸如0.5nm至10nm、諸如10nm至25nm、諸如10nm至15nm。

選用底層30、金屬層28、選用基層36及選用頂部層38可藉由任何習知方法沈積，諸如習知化學氣相沈積(CVD)及/或物理氣相沈積(PVD)方法。CVD程序之實例包含噴射熱解法。PVD程序之實例包含電子束蒸鍍及真空濺射(諸如磁控管濺射氣相沈積(MSVD))。亦可使用其他塗布方法，如溶膠-凝膠沈積。該等層可藉由相同或不同的方法沈積。

在選用態樣中，頂部層38可為導電層。適當導電材料之實例包含導電氧化物，諸如導電金屬氧化物。

導電氧化物之特定實例包含氧化銦錫(ITO)、氧化鋁鋅(AZO)或氧化銦鋅(IZO)。頂部層34之導電屬性可有利於減少OLED的驅動電壓10。

光提取電極26(或金屬層28)可具有1歐姆每平方(Ω/□)的最小薄層電阻，諸如2Ω/□、諸如4Ω/□、諸如5Ω/□、諸如5.5Ω/□、諸如6Ω/□、諸如6.5Ω/□、諸如7Ω/□、諸如8Ω/□、諸如9Ω/□、諸如10Ω/□、諸如12Ω/□、諸如13Ω/□、諸如15Ω/□、諸如17Ω/□、諸如18Ω/□、諸如20Ω/□、諸如25Ω/□、諸如30Ω/□、諸如32Ω/□、諸如34Ω/□、諸如36Ω/□、諸如40Ω/□、諸如50Ω/□、諸如55Ω/□、諸如60Ω/□。

光提取電極26(或金屬層28)可具有210Ω/□的最大薄層電阻，諸如200Ω/□、諸如175Ω/□、諸如150Ω/□、諸如125Ω/□、諸如100Ω/□、諸如75Ω/□、諸如50Ω/□、諸如30Ω/□、諸如20Ω/□、諸如15Ω/□、諸如13Ω/□、諸如10Ω/□、諸如8Ω/□。

在較佳態樣中，光提取電極26(或金屬層28)具有1Ω/□至20Ω/□之範圍內的薄層電阻，諸如1Ω/□至15Ω/□、諸如1Ω/□至10Ω/□、諸如1Ω/□至8Ω/□、諸如2Ω/□至8Ω/□、諸如4Ω/□至8Ω/□。

光提取電極26可具有50%的最小可見光透射率(在2mm厚度下)，諸如60%、諸如65%、諸如70%、諸如75%、諸如78%、諸如80%、諸如83%、諸如85%、諸如90%、諸如91%、諸如92%、諸如93%、諸如95%。

光提取電極26可具有99%的最大可見光透射率(在2mm的厚度下)，諸如97%、諸如96%、諸如95%、諸如93、諸如92%、諸如91%、諸如90%、諸如85%、諸如80%、諸如70%、諸如60%。

在較佳態樣中，光提取電極26具有50%至97%之範圍內的可見光透射率(在2mm的厚度下)，諸如70%至95%、諸如75%至95%、諸如80%至95%、諸如85%至95%、諸如88%至95%、諸如90%至95%。

光提取電極26可具有0.04%的最小霧度，諸如0.05%、諸如0.07%、諸如0.08%、諸如0.1%、諸如0.12%、諸如0.15%、諸如0.2%、諸如0.3%、諸如0.5%、諸如0.8%、諸如1%、諸如1.5%、諸如2%、諸如3%、諸如4%、如5%、諸如6%、諸如7%、諸如8%、諸如9%、諸如10%、諸如12%、諸如15%。

光提取電極26可具有20%的最大霧度，諸如15%、諸如12%、諸如10%、諸如9%、諸如8%、諸如7%、諸如6%、諸如5%、諸如4%、諸如3%、諸如2%、諸如1%。

在較佳態樣中，光提取電極26具有0.5%至10%之範圍內的霧度，諸如1%至10%、諸如1%至8%。

光提取電極26可具有5nm的最小均方根(RMS)表面粗糙度，諸如6nm、諸如8nm、諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如 25nm、諸如30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如45nm、諸如47nm、諸如50nm、諸如52nm、諸如54nm、諸如55nm。

光提取電極26可具有60nm的最大均方根表面粗糙度，諸如55nm、諸如54nm、諸如50nm、諸如47nm、諸如45nm、諸如40nm、諸如35nm、諸如25nm、諸如20nm、諸如15nm、如10nm。

在較佳態樣中，光提取電極26具有5nm至60nm之範圍內的均方根表面粗糙度，諸如25nm至60nm、諸如40nm至60nm、諸如50nm至60nm。

金屬層28的光散射部29可由若干種方法提供。

例如，在於基板20上形成金屬層28之後，金屬層28可暴露至氧。對於許多金屬，金屬與氧反應氧化以在金屬中或上形成缺陷。例如，此暴露至氧可在金屬層28上方形成選用頂部層38之程序期間發生或作為單個步驟。

例如，金屬層28可暴露至氧(諸如暴露至環境大氣)達1分鐘至20分鐘之範圍內的時間段，諸如1分鐘至10分鐘、諸如1分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至4.5分鐘。

在金屬層28中形成光散射特徵部29(例如，霧度引發缺陷)之另一示例性方法為後加熱。「後加熱」意指在沈積金屬層28之後加熱基板12及金屬層28。暴露或未暴露至氧之後加熱趨於氧化金屬層28之金屬以在金屬層中形成缺陷且/或增加金屬層28之霧度。

例如，金屬層28可被加熱至400℃至1000℃之範圍內的溫度，諸如500℃至900℃、諸如600℃至800℃、諸如700℃至800℃℃、諸如700至750℃。

金屬層28可加熱達1分鐘至20分鐘之範圍內的時間段，諸如1分鐘至10分鐘、諸如1分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至4.5分鐘。

加熱可在習知爐中或在輸送爐中進行。例如，輸送爐可具有2.5cm/min至51cm/min的輸送線速度，諸如5cm/min至38cm/min、諸如5cm/min至28cm/min、諸如5cm/min至20cm/min、諸如10cm/min至 20cm/min。

輸送爐可具有一或多個加熱室。例如，一或多個加熱室可具有400℃至1000℃之範圍內的溫度，諸如500℃至800℃、諸如500℃至700℃、諸如500℃至650℃、諸如525℃至625℃。加熱室可具有相同或不同的溫度。

引發光散射特徵部29之另一示例性方法為將金屬層28暴露至雷射光束以在金屬層28中形成缺陷。例如，此可在施加選用頂部層38之前進行。缺陷可為藉由雷射在金屬層28中及/或上形成之裂紋或空隙。缺陷亦可為藉由將雷射聚焦在金屬層28之表面上或內部中之位置的不同密度之區域。

引發此等光散射特徵部29之另一個示例性方法為藉由將金屬層28暴露至氧電漿處理。氧電漿造成金屬層28之表面上之凸部。

引發光散射特徵部29之又一示例性方法為藉由用生成缺陷或另外增加金屬層28之霧度的摻雜物摻雜金屬層28。此類摻雜物之實例包含銅、鋁及鋅。摻雜物可與金屬層28之金屬反應或與其組合或與其混合，以形成具有與金屬層28之剩餘者不同密度及/或不同成分的點或區。

應理解，上文所討論之選用層之所有者無需存在於OLED10中。可基於諸如成本、便於製造及OLED 10所希望之終端用途之此類考量視希望提供一或多個此等選用層。

現將特定參考圖1描述OLED裝置10之操作。

在操作期間，跨第一電極12與第二電極18施加電壓。電子流從陰極(例如，第一電極12)流至陽極(例如，第二電極18)，且因此，通過發射層16(及選用層，若存在)。此電流取決於發射層16之成分而造成發射層16發射所選波長或波長範圍之電磁輻射(諸如光)。由發射層16發射之光波行進進入第二電極18之金屬層28中。在習知OLED裝置中，進入第二電極18之大部分電磁輻射將因波導效應而陷留。然而，在本發明中，此電磁能量之至少一部分被光散射特徵部29散射。此散射造成光波更隨機地行進且干擾波導效應，得以增加經過金屬層28進入基板20且然後離開底部表面24之電磁能量的量。由金屬層28之光散射特徵部29造成之光散射效應會增加OLED裝置10之整體光提取。

以下實施例說明本發明的各個態樣。然而，應理解，本發明不限於此等特定態樣。

實施例

在以下實例中，基板為購自PPG Industries Ohio,Inc.且具有2毫米(mm)之厚度的清透玻璃。可見光透射率(T)值及霧度(Haze)值為百分值且使用購自美國BYK-Gardner之Haze-Gard Plus霧度計量測。使用具有5英寸之標靶寬度及60英寸每分鐘之線速度之習知Airco MSVD塗佈機施加塗層。「Zn90」意指具有90重量%鋅及10重量%錫之標靶。「Al60」意指具有60重量%鋁及40重量%矽之標靶。「SnZn」意指具有52.4重量%鋅及47.6重量%錫之標靶(以沈積Zn₂SnO₄層)。所有塗布機功率設定以千瓦(Kw)計。所有時間值以分鐘計。薄層電阻值以歐姆每正方形(Ω/□)計。「O/R」意指值超出量測範圍之外。「--」符號意指值未量測。「M」意指百萬歐姆。對於以下實例，以特定塗層塗佈之基板之複製以塗層號後之小寫字母標示。例如，樣品1a、1b、1c、1d等標示用塗層1塗佈之複製玻璃基板。諸如凸出物之高度、表面粗糙度及樹突直徑之物理特性由習知原子力顯微鏡(AFM)判定。

實例1

本實例說明具有含鋅氧化物(含10重量%錫氧化物)之底層/金屬銀導電層/60重量%氧化鋁及40重量%二氧化矽之頂部層(保護層)的光散射電極結構。

表1列示沈積期間之塗布機功率設定。基板在每個標靶下經受一遍。

在加熱之前(預加熱)量測所塗佈之基板之薄層電阻且接著在1300℉(704℃)下於盒式爐中加熱達表2所列示之時間。在加熱後，允許塗佈之基板冷卻至室溫且接著再次量測薄層電阻、透射率及霧度(後加熱)。所得值示於表2。

圖3展示金屬層中/上之缺陷之樣品1c(後加熱)的顯微圖。圖4係圖3之樣品1c的三維原子力顯微圖(50微米乘50微米)。如可見，金屬層具有從金屬層之表面向上延伸之缺陷(凸出物或點缺陷)。該等缺陷之至少一些具有50nm的高度。對於圖3及圖4所示之樣品1c，預加熱樣品具有0.64nm之均方根(RMS)表面粗糙度。後加熱之後，樣品在缺陷與包括該等缺陷之47.6nm之RMS表面粗糙度之間具有3.97之RMS粗糙度。在三個月後量測複製樣品1c。圖5係三個月後複製樣品1c的顯微圖。圖6係圖5之複製樣品1c之二維原子力顯微圖(50微米乘50微米)。複製樣品1c具有0.69nm之預加熱均方根(RMS)表面粗糙度及57.3nm的後加熱RMS表面粗糙度。三個月後，樣品1c具有80Ω/□的薄層電阻。

實例2

本實例說明具有含鋅氧化物(含10重量%錫氧化物)之底層/金屬銀導電層/含摻雜氧化銦(IZO)鋅之頂部層(導電層)的光散射電極結構。

表3列示沈積所列標靶期間之塗布機功率設定。用Zn90及Ag塗佈基板1遍且用IZO塗佈2遍。

在加熱之前(預加熱)量測所塗佈之基板之薄層電阻且接著在1300℉(704℃)下於盒式爐中加熱達表4所列示之時間。在加熱後，允許塗佈之基板冷卻至室溫且接著再次量測薄層電阻、透射率及霧度(後加熱)。所得值示於表4。

圖7係加熱後之樣品7c的顯微圖。圖8係圖7之樣品7c的二維原子力顯微圖(50微米乘50微米)。圖9係圖8之樣品7c的三維原子力顯微圖(50微米乘50微米)。缺陷係成形為具有分支之樹突。該等樹突具有從其中向上延伸之凸出物。凸出物之至少一些具有40nm之高度。樣品7c具有0.64nm之預加熱均方根(RMS)表面粗糙度。後加熱之後，樣品7c在缺陷與包括該等缺陷之6.92nm RMS表面粗糙度之間具有3.64 之RMS粗糙度。

實例3

本實例說明具有錫酸鋅(Zn₂SnO₄)之底層/金屬銀層/鈦基層/含錫酸鋅(Zn₂SnO₄)之頂部層的陽極結構。

表5列示沈積所列標靶期間之塗布機功率設定。用Ag及Ti塗佈基板1遍且用錫酸鋅塗佈4遍(用於底層及頂部層兩者)。

在加熱之前(預加熱)量測所塗佈之基板之薄層電阻且接著在1300℉(704℃)下於盒式爐中加熱達表6所列示之時間。在加熱後，允許塗佈之基板冷卻至室溫且接著再次量測薄層電阻、透射率及霧度(後加熱)。所得值示於表6中。

實例4

本實例說明使用帶式輸送器而非盒式爐用於樣品加熱。在具有五個加熱區的習知Lindberg熔爐中加熱所選塗層樣品之複製。區1具有1130℉(610℃)之溫度；區2具有1155℉(624℃)之溫度；區3具有1155℉(624℃)之溫度；區4具有1155℉(624℃)之溫度；且區5具有1000℉(538℃)之溫度。玻璃基板之預加熱值隨列示之塗層示於表7中。

接著在以表8所示之輸送線速度下在Lindberg熔爐中加熱所塗佈之玻璃基板之樣品。線速度以英寸每分鐘計(釐米每分鐘)。樣品之後加熱值亦適於表8中。

此項技術者將容易明白，可對本發明進行修改而不背離前述描述中揭示之概念。因此，本文詳細描述之特定態樣僅為說明性且不限於本發明之隨附申請專利範圍及其任何與所有等效物之全部寬度所給定之本發明之範疇。