KR101499043B1 - 광 아웃커플링이 향상된 ｏｌｅｄ - Google Patents

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Abstract

OLED는 기판 또는 유기 구역의 굴절율보다 작은 굴절율을 갖는 재료 구역을 포함하여, 도파관 모드로 방출된 광이 공기로 방출되게 할 수 있다. 이러한 구역은 전극에 평행한 방향으로 OLED의 방출 구역에 인접하게 배치될 수 있다. 기판은 또한 도파관 모드 및/또는 유리 모드의 광을 공기 모드로 전환하는 것을 더 향상시키도록 비표준 형상이 부여될 수 있다. 그러한 디바이스의 최대 효율은 표준 OLED의 효율의 최대 2배 내지 3배일 수 있다. 그러한 투과성 또는 상부 발광 OLED의 제조 방법 역시 제공된다.

Description

광 아웃커플링이 향상된 ＯＬＥＤ{OLED WITH IMPROVED LIGHT OUTCOUPLING}
본 발명은 유기 발광 디바이스(Organic Light Emitting Device; OLED)에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 광 아웃커플링(light outcoupling)을 향상시키는 저굴절률 재료를 갖는 유기 발광 디바이스에 관한 것이다.
여러가지 이유로 유기 재료를 사용하는 광전 디바이스가 더욱 더 요망되고 있다. 그러한 광전 디바이스를 제조하는 데 사용되는 많은 재료는 비교적 고가이기 때문에, 유기 광전 디바이스는 무기 디바이스에 비해 비용상의 장점에 관한 가능성을 갖는다. 추가로, 가요성과 같은 유기 재료의 고유한 특성으로 인해 이러한 유기 재료는 가요성 기판 상의 제조와 같은 특정 어플리케이션에 매우 적합하게 된다. 유기 광전 디바이스의 예로는 유기 발광 디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기가 있다. OLED의 경우, 유기 재료는 종래의 재료에 비해 성능상의 장점을 가질 수 있다. 예컨대, 유기 발광층이 발광하는 파장은 일반적으로 적절한 도펀트를 이용하여 용이하게 조정될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "유기"라는 용어는 유기 광전 디바이스를 제조하는 데 사용될 수 있는 저분자 유기 재료뿐만 아니라 폴리머 재료를 포함한다. "저분자"는 폴리머가 아닌 임의의 유기 재료를 일컬으며, "저분자"는 실제적으로 매우 클 수 있다. 저분자는 어떠한 환경에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예컨대, 장쇄(長鎖) 알킬기를 치환기로 사용하는 것은 "저분자" 클래스로부터 분자를 제거하지 않는다. 저분자는, 예컨대 폴리머 백본 상의 펜던트 그룹(pendent group)으로서 또는 백본의 일부로서 폴리머에 포함될 수도 있다. 저분자는 코어 부분 상에 형성된 일련의 화학 쉘로 이루어진 덴드리머의 코어 부분으로서의 역할을 할 수도 있다. 덴드리머의 코어 부분은 형광성 또는 인광성 저분자 이미터(emitter)일 수 있다. 덴드리머는 "저분자"일 수 있으며, 현재 OLED 분야에서 사용되는 덴드리머 모두는 저분자인 것으로 생각된다. 일반적으로, 저분자는 단일 분자량을 갖는 명확한 화학식을 갖는 반면, 폴리머는 문자마다 변할 수 있는 분자량과 화학식을 갖는다. 본 명세서에서 사용되는 "유기"라는 용어는 하이드로카르빌(hydrocarbyl)과 이(異)원자 치환 하이드로카르빌 리간드(heteroatom-substituted hydrocarbyl ligand)의 금속 복합체를 포함한다.
OLED는 디바이스의 양단에 전압이 인가될 때 발광하는 유기 박말을 사용한다. OLED는 평판 디스플레이, 조명 및 역광 조명과 같은 어플리케이션에 사용하기 위한 더욱 더 주목 받는 기술이 되어 가고 있다. 몇몇 OLED 재료 및 구성이, 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 미국 특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 설명되어 있다.
OLED 디바이스는 일반적으로 전극 중 적어도 하나를 통해 발광하도록 되어 있으며(항시 그런 것은 아님), 유기 광전 디바이스에서는 하나 이상의 투명 전극이 유용할 수 있다. 예컨대, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO)과 같은 투명 전극 재료가 저부 전극으로 사용될 수 있다. 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 미국 특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에 개시되어 있는 바와 같은 투명 상부 전극도 사용될 수 있다. 저부 전극을 통해서만 발광하도록 되어 있는 장치의 경우, 상부 전극은 투명할 필요가 없으며, 전기 전도율이 높은 두꺼운 반사성 금속층으로 이루어질 수 있다. 이와 마찬가지로, 상부 전극을 통해서만 발광하도록 되어 있는 디바이스의 경우에는 저부 전극이 불투명 및/또는 반사성일 수 있다. 전극이 투명할 필요가 없는 경우, 보다 두꺼운 층을 사용하는 것은 보다 양호한 전도성을 제공할 수 있고, 반사성 전극을 사용하는 것은 투명 전극으로 다시 광을 반사시키는 것에 의해 다른 전극을 통해서 발광되는 광량을 증가시킬 수 있다. 2개의 전극 모두가 투명한 완전 투명 디바이스도 제조할 수 있다. 측면 발광 OLED도 제조할 수 있으며, 그러한 디바이스에서는 1개 또는 2개의 전극이 불투명이거나 반사성일 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "상부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어져 있는 것을 뜻하는 한편, "저부"는 기판에 가장 근접한 것을 뜻한다. 예컨대, 2개의 전극을 갖는 디바이스의 경우에 저부 전극은 기판에 가장 근접한 전극으로, 일반적으로 제조되는 제1 전극이다. 저부 전극은 2개의 면, 즉 기판에 가장 근접한 저면과, 기판에서 가장 멀리 떨어져 있는 상면을 갖는다. 제1 층이 제2 층 "위에 배치"되는 것으로 설명되는 경우, 제1 층이 기판으로부터 가장 멀리 떨어져 배치된다. 제1 층이 제2 층과 "물리적으로 접촉"하는 것으로 명기되어 있지 않은 한, 제1 층과 제2 층 사이에 다른 층이 있을 수 있다. 예컨대, 캐소드(cathode)는 그 사이에 다양 한 유기층이 있더라도 제2 층 "위에 배치"되는 것으로 설명될 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 "용액 처리 가능(solution processible)"은 용액이나 현택액 형태로 액체 매체에 용해되거나, 분산되거나, 수송되거나 및/또는 액체 매체로 증착 가능한 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용되고 일반적으로 당업자가 이해하는 제1 "최고 점유 분자 궤도 함수(Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO)" 또는 "최저 비점유 분자 궤도 함수(Lowest Unoccupied Molecular Orbital; LUMO)" 에너지 준위는 제1 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 근접할 경우에 제2 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위를 "초과"하며, 즉 제2 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 "높다". 이온화 전위(Ionization Potential; IP)가 진공 에너지 준위에 대해 음의 에너지로서 측정되기 때문에, 보다 높은 HOMO 에너지 준위는 절대값이 보다 작은 IP(덜 음성인 IP)에 대응한다. 이와 유사하게, 보다 높은 LUMO 에너지 준위는 절대값이 보다 작은 전자 친화도(Electron Affinity; EA)(덜 음성인 EA)에 대응한다. 종래의 에너지 준위 도표에서, 상부에서의 진공 에너지 준위에 있어서, 재료의 LUMO 에너지 준위는 동일한 재료의 HOMO 에너지 준위보다 높다. "보다 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "보다 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 그러한 에너지 준위 도표의 상부에 근접한 것으로 보인다.
OLED는 반사율이 기판의 반사율보다 작은 재료 구역 또는 유기 방출 재료를 포함할 수 있어, 도파관 모드로 발광된 광이 공기로 방출되게 한다. 이러한 구역은 전극과 평행한 방향으로 OLED의 발광 구역에 인접하게 배치될 수 있다. 기판은 도파관 모드 및/또는 유리 모드 광의 공기 모드로의 전환을 더욱 향상시키도록 비표준 형상으로 주어질 수도 있다. 그러한 디바이스의 아웃커플링 효율은 최대로 표준 OLED의 효율의 2배 내지 3배일 수 있다.
OLED는 기판 위에 제1 전극을 퇴적하고, 제1 전극 위에 굴절율이 1.0 내지 1.5인 저굴절율 재료 그리드를 퇴적하며, 유기 방출 재료가 그리드나 제1 전극과 직접 접촉하도록 그리드 위에 유기 방출 재료를 퇴적하고, 유기 방출 재료 위에 제2 전극을 퇴적하는 것에 의해 제조될 수 있다.
도 1은 각각의 전자 수송층, 정공 수송층 및 발광층뿐만 아니라 다른 층을 갖는 유기 발광 디바이스를 보여주는 도면이다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역전된 유기 발광 디바이스를 보여주는 도면이다.
도 3a는 굴절율이 낮은 투명 재료 구역을 갖는 유기 발광 디바이스를 보여주는 도면이다.
도 3b는 인접한 구역들 사이의 경계가 대략 수직인 디바이스의 부분을 보여주는 도면이다.
도 3c는 인접한 구역들 간의 경계가 울퉁불퉁한 디바이스의 부분을 보여주는 도면이다.
도 3d는 굴절율이 낮은 투명 재료 구역을 갖는 유기 발광 디바이스를 보여주는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 예시적인 저굴절율 구역의 구성의 평면도이다.
도 5a는 저굴절율 구역을 갖는 디바이스에 있어서의 공기 모드 및 유리 모드로 전환된 광량에 대해 시뮬레이팅된 값을 나타낸 도면이다.
도 5b는 굴절율이 1.03인 육각형 저굴절율 재료 그리드를 갖는 디바이스에 대해 시뮬레이팅된 발광을 나타낸 도면이다.
도 6a는 마이크로렌즈 시트를 갖는 디바이스를 보여주는 도면이다.
도 6b는 기판과 전극 사이에 저굴절율 박층이 배치된 디바이스를 보여주는 도면이다.
도 7은 소정 굴절율 범위의 육각형 저굴절율 재료 그리드를 갖는, 마이크로렌즈를 지닌 디바이스에 의해 방출되는 광의 비율을 나타낸 도면이다.
도 8은 종래의 OLED, 이상적인 마이크로렌즈를 갖는 OLED, 및 굴절율이 1.29인 육각형 저굴절율 재료 그리드와 이상적인 마이크로렌즈를 갖는 OLED의 경우에 발광되는 광의 비율을 나타낸 도면이다.
도 9는 종래의 OLED와, 굴절율이 1.2인 육각형 저굴절율 재료 그리드와 굴절율이 1.29인 테플론 AF 삽입층을 갖는 OLED에 의해 발광되는 광의 비율을 나타낸 도면이다.
도 10은 도 9과 동일하지만 굴절율이 1.29인 저굴절율 재료를 갖는 기판을 지닌 디바이스에 있어서의 발광을 보여주는 도면이다.
도 11은 저굴절율 층이 없는 유리 기판에서의 광의 각 분포를 보여주는 도면 이다.
도 12는 저굴절율 층이 있는 유리 기판에서의 광의 각 분포를 보여주는 도면이다.
도 13은 다양한 디바이스 구조에 있어서의 방출각에 따른 발광된 광의 비율을 나타낸 도면이다.
도 14는 전극 두께가 다양한 디바이스에서의 공기 모드와 유리 모드에서의 광의 비율을 나타낸 도면이다.
도 15는 폭이 다양한 저굴절율 구역을 갖는 디바이스에 있어서의 다양한 모드에서의 광의 비율을 나타낸 도면이다.
도 16은 4 ㎛ 내지 10 ㎛의 유기 구역을 갖는 디바이스에 있어서의 다양한 모드에서의 광의 비율을 나타낸 도면이다.
도 17은 다양한 굴절율과 기하학적 형상을 지닌 저굴절율 구역을 갖는 디바이스에 있어서의 다양한 모드에서의 광의 비율을 나타낸 도면이다.
도 18은 굴절율이 낮은 투명 재료 구역을 갖는 투명 또는 상부 방출 유기 발광 디바이스를 보여주는 도면이다.
도 19a 내지 도 19c는 LIG가 유기층에 삽입되는 투명 또는 상부 방출 OLED를 보여주는 도면이다.
도 20a 내지 도 20c는 직사각형 LIG를 지닌 투명 또는 상부 방출 OLED의 경우의 아웃커플링 효율의 증대에 대해 시뮬레이팅된 값을 보여주는 도면이다.
도 21은 마이크로렌즈 시트를 갖는 투명 또는 상부 방출 OLED를 보여주는 도면이다.
일반적으로, OLED는 애노드와 캐소드 사이에 배치되고 이들 애노드와 캐소드에 전기 접속되는 적어도 하나의 유기층을 포함한다. 전류가 인가될 때, 애노드는 유기층(들)에 정공을 주입하고, 캐소드는 유기층(들)에 전자를 주입한다. 주입된 정공과 전자는 각각 반대 극성으로 대전된 전극을 향해 이동한다. 전자와 정공이 동일한 분자 상에 편재될 때, 여기 에너지 상태를 갖는 편재 전자-정공 쌍(localized electron-hole pair)인 여기자(勵起子)가 형성된다. 광은 여기자가 광전자 방출 메커니즘을 통해 완화될 때 방출된다. 몇몇 경우에, 여기자는 엑시머(excimer) 또는 엑시플렉스(exciplex) 상에 편재될 수 있다. 열 이완(thermal relaxation)과 같은 비방사성 메커니즘 역시 일어날 수 있지만, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다.
도 1에는 유기 발광 디바이스(100)가 도시되어 있다. 도면은 실제 축척으로 도시할 필요는 없다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 방출층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155) 및 캐소드(160)를 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1 도전층(162)과 제2 도전층(164)을 갖는 복합 캐소드이다. 디바이스(100)는 전술한 층들을 순서대로 퇴적하는 것에 의해 제조될 수 있다.
기판(110)은 소망하는 구조적 특성을 제공하는 임의의 적절한 기판일 수 있다. 기판(110)은 가요성일 수도 있고 강성일 수도 있다. 기판은, 투명하거나, 반투명하거나, 또는 불투명할 수 있다. 플라스틱과 유리가 바람직한 강성 기판 재료의 예이다. 플라스틱과 금속 호일은 바람직한 가요성 기판 재료의 예이다. 기판(110)은 회로 제조를 용이하게 하기 위해 반도체 재료일 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 상부에, 후속항 기판 상에 퇴적되는 OLED를 제어할 수 있는 회로가 제조되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 다른 기판을 사용할 수도 있다. 기판(110)의 재료와 두께는 소망하는 구조적 그리고 광학적 특성을 얻도록 선택될 수 있다.
애노드(115)는 정공을 유기층에 수송하기에 충분한 전도성이 있는 임의의 적절한 애노드일 수 있다. 애노드(115) 재료는 약 4 eV보다 높은 일함수를 갖는다["고일함수 재료(high work function material)"]. 바람직한 애노드 재료로는 인듐 주석 산화물(ITO)와 인듐 아연 산화물(IZO), 알루미늄 아연 산화물(AlZnO)과 같은 전도성 금속 산화물과 금속이 있다. 애노드(115)[그리고 기판(110)]은 저부 방출 디바이스를 형성하기에 충분히 투명할 수 있다. 바람직한 투명 기판과 애노드 조합은 유리 또는 플라스틱(기판) 상에 퇴적되는 상용 ITO(애노드)이다. 가요성이 있는 투명 기판-애노드 조합이 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 미국 특허 제5,844,363호 및 제6,602,540 B2호에 개시되어 있다. 애노드(115)는 불투명 및/또는 반사성일 수 있다. 몇몇 상부 방출 디바이스의 경우에는 디바이스의 상부에서 발광하는 광량을 증가시키기 위해서 반사성 애노드(115)가 바람직할 수 있다. 애노드(115)의 재료와 두께는 소망하는 전도성 및 광학적 특성을 얻도록 선택될 수 있다. 애노드(115)가 투명인 경우, 특정 재료에 대한 두께 범위는 소망하는 전도성을 제공하기에 충분할만큼 두껍기는 하지만, 소망하는 정도의 투명성을 제공하기에 충분할만큼 얇을 수 있다. 다른 애노드 재료와 구조를 사용할 수 있다.
정공 수송층(125)은 정공을 수송할 수 있는 재료를 포함할 수 있다. 정공 수송층(130)은 진성(眞性)(비도핑)일 수도 있고, 도핑될 수도 있다. 도핑은 전도율을 증대시키는 데 사용될 수 있다. α-NPD와 TPD는 진성 정공 수성층의 예이다. p-도핑된 정공 수송층의 일례는 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 Forrest 등의 명의의 미국 특허 출원 공보 제2003-0230980호에 개시되어 있는 바와 같은 50 : 1의 몰비로 F4-TCNQ에 의해 도핑된 m-MTDATA이다. 다른 정공 수송층을 사용할 수도 있다.
방출층(135)은 전류가 애노드(115)와 캐소드(160) 사이를 통과할 때 발광 가능한 유기 재료를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 방출층(135)은 인광성 방출 재료를 포함하지만, 형광성 방출 재료를 이용할 수도 있다. 인광성 재료는 그러한 재료와 관련된 높은 발광 효율로 인해 바람직하다. 방출층(135)은 또한 전자, 정공 및/또는 여기자를 포획할 수 있는 방출 재료로 도핑되고, 전자 및/또는 정공을 수송할 수 있는 호스트 재료를 포함할 수 있기 때문에, 여기자는 광방출 기구를 통해 방출 재료로부터 완화된다. 방출층(135)은 수송 특성과 방출 특성을 조합한 단일 재료로 이루어질 수 있다. 방출 재료가 도펀트이든지 주요 구성물이든지간에, 방출층(135)은 방출 재료의 방출을 조정하는 도펀트와 같은 다른 재료를 포함할 수 있다. 방출층(135)은 조합되어 소망하는 광 스펙트럼을 방출할 수 있는 복수 개의 방출 재료를 포함할 수 있다. 인광성 방출 재료의 예로는 Ir(ppy)3가 있다. 형광성 방출 재료의 예로는 DCM와 DMQA가 있다. 호스트 재료의 예로는 Alq3, CBP 및 mCP가 있다. 방출 재료와 호스트 재료의 예가 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 Thompson 등의 명의의 미국 특허 제6,303,238호에 개시되어 있다. 방출 재료는 여러가지 방식으로 방출층(135)에 포함될 수 있다. 예컨대, 방출 저분자가 폴리머에 포함될 수 있다. 이것은 저분자를 별도의 고유한 분자종으로서 폴리머에 도핑하는 것이나, 코폴리머를 형성하도록 저분자를 폴리머 백본에 포함시키는 것이나, 저분자를 펜던트 그룹으로서 폴리머에 결합하는 것에 의해 달성될 수 있다. 다른 방출층 재료와 구조를 사용할 수도 있다. 예컨대, 저분자 방출 재료는 덴드리머 코어로서 존재할 수 있다.
전자 수송층(145)은 전자를 수송할 수 있는 재료를 포함할 수 있다. 전자 수송층(145)은 진성(비도핑)일 수도 있고 도핑될 수도 있다. 도핑은 전도율을 증대시키기 위해 사용될 수 있다. Alq3는 진성 전자 수송층의 예이다. n-도핑된 전자 수송층의 예로는 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 Forrest 등의 명의의 미국 특허 출원 공보 제2003-02309890호에 개시되어 있는 바와 같은, 1 : 1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이 있다. 다른 전자 수송층을 사용할 수도 있다.
캐소드(160)는 임의의 적절할 재료일 수도 있고 당업계에 공지되어 있는 재료들의 조합일 수도 있기 때문에, 캐소드(160)는 전자를 안내하고 전자를 디바이스(100)의 유기층에 주입할 수 있다. 캐소드는 투명하거나 불투명할 수 있고, 굴절성이 있을 수 있다. 금속 또는 금속 산화물이 적절한 캐소드 재료의 예이다. 캐소드(160)는 단일층일 수도 있고, 복합 구조를 가질 수도 있다. 도 1에는 얇은 금속층(162)과 두꺼운 전도성 금속 산화물층(164)을 갖는 복합 캐소드(160)가 도시되어 있다. 복합 캐소드에서, 두꺼운 전도성 금속 산화물층(164)을 위한 바람직한 재료로는 ITO, IZO 및 당업계에 공지되어 있는 다른 재료가 있다. 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 미국 특허 제5,703,436호, 제5,707,745호, 제6,548,956 B2호 및 제6,576,134 B2호에는 스퍼터 증착된 투명 전기 전도성 ITO층이 상부에 놓여 있는, Mg : Ag와 같은 얇은 금속층을 갖는 복합 캐소드를 포함하는 캐소드의 예가 개시되어 있다. 아래에 놓여 있는 유기층과 접촉하는 캐소드(160) 부분은 단일층 캐소드(160)이든지, 복합 캐소드의 얇은 금속층(162)이든지, 다른 어떤 부분이든지간에 일함수가 약 4 eV보다 낮은 금속("저일함수 재료")으로 형성되는 것이 바람직하다. 다른 캐소드 재료와 구조를 사용할 수 있다.
방출층을 빠져나가는 전하 운반자(전자 또는 정공) 및/또는 여기자의 개수를 저감하기 위해서 차단층을 사용할 수 있다. 전자 차단층(130)은 방출층(135)과 정공 수송층(125) 사이에 배치되어 전자가 정공 수송층(125) 방향으로 빠져나가는 것을 차단할 수 있다. 이와 마찬가지로, 정공 차단층(140)은 방출층(135)과 전자 수송층(145) 사이에 배치되어, 정공이 전자 수송층(145) 방향으로 방출층(135)을 빠져나가는 것을 차단할 수 있다. 차단층은 또한 여기자가 방출층 밖으로 확산되는 것을 차단하는 데 사용될 수 있다. 차단층 이론 및 용도는 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 Forrest 등의 명의의 미국 특허 출원 공보 제2003-02309890호에 설명되어 있다.
본 명세서에 사용되는 당업자가 이해하는 "차단층"이라는 용어는 이 층이 전하 운반자 및/또는 여기자를 반드시 완벽히 차단하는 것을 제안하는 것이 아니라, 디바이스를 통한 전하 운반자 및/또는 여기자의 수송을 상당량 방지하는 배리어를 제공하는 것을 뜻한다. 디바이스에 그러한 차단층이 존재함으로써 차단층이 결여된 유사한 디바이스에 비해 실질적으로 효율이 보다 높을 수 있다. 또한, 차단층은 소망하는 OLED 구역으로의 방출을 제한하는 데 사용될 수 있다.
일반적으로, 주입층은 전극 또는 유기층과 같은 하나의 층으로부터 인접한 유기층으로 전하 운반자를 주입하는 것을 향상시킬 수 있는 재료로 이루어진다. 주입층은 또한 전하 이송 기능을 수행할 수 있다. 디바이스(100)에서, 정공 주입층(120)은 애노드로부터 정공 수송층(125)으로의 정공의 주입을 향상시키는 임의의 층일 수 있다. CuPc는 ITO 애노드(115)와 다른 애노드로부터의 정공 주입층으로서 사용될 수 있는 재료의 일례이다. 디바이스(100)에서, 전자 주입층(150)은 전자 수송층(145)으로의 전자의 주입을 향상시키는 임의의 층일 수 있다. LiF/Al은 인접한 층으로부터 전자 수송층으로의 전자 주입층으로서 사용될 수 있는 재료의 일례이다. 다른 재료와 재료의 조합이 주입층을 위해 사용될 수 있다. 특정 디바이스의 구성에 따라, 주입층은 디바이스(100)에서, 도시한 부위와는 다른 부위에 배치될 수 있다. 주입층에 관한 더 많은 예가 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 Lu 등의 명의의 미국 특허 출원 번호 제09/931,948호에 제시되어 있다. 정공 주입층은 스핀 코팅 폴리머, 예컨대 PEDOT:PSS와 같은 용액 증착 재료를 포함할 수 도 있고, 기상 증착 저분자 재료, 예컨대 CuPc 또는 MTDATA일 수도 있다.
정공 주입층(HIL)은 정공을 애노드에서 정공 주입 재료로 효율적으로 주입하도록 애노드면을 평탄화하거나 습윤화할 수 있다. 정공 주입층은 또한 본명세서에 설명한 그 상대 이온화 전위(IP) 에너지에 의해 정해지는, 바람직하게는 HIL의 일측면상에 인접한 애노드층과 HIL의 타측면 상에 정공 수송층에 부합되는 HOMO(최고 점유 분자 궤도 함수) 에너지 준위를 갖는 전하 운반 성분을 포함할 수 있다. "전하 운반 성분"은 실제적으로 정공을 수송하는 HOMO 에너지 준위에 기여하는 재료이다. 이러한 성분은 HIL의 베이스 재료일 수도 있고, 도펀트일 수도 있다. 도핑된 HIL을 사용하는 것에 의해 도펀트는 HIL의 전기적 특성을 위해 선택되게 되고, 호스트는 습윤성, 가요성, 경도 등과 같은 형태학적 특성을 위해 선택되게 된다. HIL 재료에 대한 바람직한 특성은 정공이 애노드에서 HIL 재료로 효율적으로 주입될 수 있게 한다. 구체적으로, HIL의 전하 운반 성분은 IP가 애노드 재료의 IP보다는 크지만 약 0.7 eV 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 전하 운반 성분은 IP가 애노드의 IP보다는 크지만 약 0.5 eV 이하이다. 정공이 주입되는 임의의 층에는 유사한 고려 사항이 적용된다. HIL 재료는 이러한 HIL 재료가 종래의 정공 수송 재료의 정공 전도성보다 실질적으로 작은 정공 전도성을 가질 수 있다는 점에서 OLED의 정공 수송층에 통상적으로 사용되는 종래의 정공 수송 재료와 더욱 구분된다. 본 발명의 HIL의 두께는 애노드층의 표면을 평탄화하거나 습윤화하는 데 기여할만큼 충분히 두꺼울 수 있다. 예컨대, 10 nm 정도의 얇은 HIL 두께는 매우 평탄한 애노드 면을 위해 허용될 수 있다. 그러나, 애노드 면은 매우 거친 경 향이 있기 때문에, 어떤 경우에는 HIL에 대해서 최대 50 nm의 두께가 요망될 수 있다.
보호층은 후속하는 제조 공정 동안에 아래에 놓여 있는 층을 보호하는 데 사용될 수 있다. 예컨대, 금속 또는 금속 산화물 상부 전극을 제조하는 데 이용되는 공정은 유기층을 손상시킬 수 있고, 보호층이 그러한 손상을 저감하거나 제거하는 데 사용될 수 있다. 디바이스에서, 보호층(155)은 캐소드(160)를 제조하는 동안 아래에 놓여 있는 유기층에 대한 손상을 저감할 수 있다. 바람직하게는, 보호층은 디바이스(100)에서 전자를 수송하는 운반자 타입에 대해 높은 운반자 이동도를 갖기 때문에, 디바이스(100)의 작동 전압을 크게 증가시키지는 않는다. CuPc, BCP 및 다양한 금속 프탈로시아닌은 보호층에 사용 가능한 재료의 예이다. 다른 재료 또는 재료의 조합을 사용할 수 있다. 보호층(155)의 두께는 디바이스(100)의 작동 전압을 크게 증가시킬만큼 두껍지는 않으면서 유기 보호층(160)을 증착한 이후에 일어나는 제조 공정으로 인해 아래에 놓여 있는 층이 거의 손상되지 않거나 전혀 손상되지 않기에 충분한 두께인 것이 바람직하다. 보호층(155)은 전도율을 증가시키도록 도핑될 수 있다. 예컨대, CuPc 또는 BCP 보호층(160)은 Li로 도핑될 수 있다. 보호층에 관한 보다 상세한 설명은 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 Lu 등의 명의의 미국 특허 출원 번호 제09/931,948호에서 확인할 수 있다.
도 2에는 역전된 OLED가 도시되어 있다. 디바이스는 기판(210), 캐소드(215), 방출층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 가장 일반적인 OLED 구성에서는 캐소드가 애노드 위에 배치되지만, 디바이스(200)에서는 캐 소드(215)가 애노드 아래에 배치되기 때문에, 디바이스(200)는 "역전된" OLED라고 칭할 수 있다. 디바이스(100)에 관하여 설명한 것과 유사한 재료가 디바이스(200)의 대응하는 층에 사용될 수 있다. 도 2는 디바이스(100) 구조로부터 몇몇 층을 생략할 수 있는 방법의 일례를 제시한다.
도 1 및 도 2에 예시한 단순한 층상 구조는 비제한적인 예로서 주어진 것으로, 본 발명의 실시예는 매우 다양한 다른 구조로도 사용될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 설명한 특정 재료와 구조는 기본적으로 예시적인 것으로, 다른 재료와 구조를 사용할 수도 있다. 기능성 OLED는 설명한 다양한 층들을 상이한 방식으로 조합하는 것에 의해 얻을 수도 있고, 층들은 구성, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전체적으로 생략할 수도 있다. 명확히 설명하지 않은 다른 층들이 포함될 수도 있다. 명확히 설명한 재료 이외의 재료를 사용할 수 있다. 본 명세서에 제시된 많은 예에서는 다양한 층이 단일 재료를 포함하는 것으로 설명하고 있지만, 호스트와 도펀트의 혼합물, 또는 보다 일반적으로 혼합물과 같은 재료의 조합을 이용할 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 또한, 층은 다양한 하위층을 가질 수 있다. 본 명세서에서 다양한 층에 부여된 명칭은 엄격한 제한하려는 의도는 없다. 예컨대, 디바이스(200)에서 정공 수송층(225)은 정공을 수송하고 정공을 방출층(200)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로 설명될 수 있다. 일실시예에서, OLED는 "유기층"이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 것으로 설명될 수 있다. 이러한 유기층은 단일층으로 구성될 수도 있고, 에컨대 도 1 및 도 2에 관하여 설명한 바와 같은 상이한 유기 재료로 이루어진 복수 층을 더 포함할 수도 있다.
참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 Friend 등의 명의의 미국 특허 제5,247,190호에 개시되어 있는 것과 같은 폴리머 재료로 이루어진 OLED(PLED)와 같은, 명확히 설명하지 않은 구조와 재료 역시 사용될 수 있다. 다른 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는, 예컨대 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 Forrest 등의 명의의 미국 특허 제5,707,745호에 설명되어 있는 바와 같이 적층될 수 있다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 예시한 간단한 층상 구조로부터 벗어날 수 있다. 예컨대, 기판은 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 Forrest 등의 명의의 미국 특허 제6,091,195호에 설명되어 있는 바와 같은 메사 구조(mesa structure) 및/또는 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 Bulovic 등의 명의의 미국 특허 제5,834,893호에 설명되어 있는 바와 같인 핏 구조(pit structure)와 같은, 아웃커플링을 향상시키는 각진 굴절면을 포함할 수 있다.
달리 특정되어 있지 않은 경우, 다양한 실시예의 층들 중 임의의 층은 임의의 적절한 방법에 의해 퇴적될 수 있다, 유기층의 경우, 바람직한 방법은 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 미국 특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호에 설명되어 있는 바와 같은 열증착법(thermal evaporation) 및 잉크젯과, 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 Forrest 등의 명의의 미국 특허 제6,337,102호에 설명되어 있는 바와 같은 유기 기상 증착법(Organic Vapor Phase Deposition; OVPD), 그리고 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 미국 특허 출원 제10/233,470호에 설명되어 있는 바와 같은 유기 증기 제트 프린팅(Organic Vapor Jet Printing; OVJP)에 의한 퇴적법을 포함한다. 다른 적절한 퇴적 방법으로는 스핀 코팅법과 다른 용액 기반 방법이 있다. 용액 기반 방법(solution based process)은 질소 또는 불활성 대기에서 실시되는 것이 바람직하다. 다른 층의 경우, 바람직한 방법은 열증착법을 포함한다. 바람직한 패터닝 방법으로는 마스크를 통한 증착법과, 참고에 의해 전체가 본 명세서에 포함되는 미국 특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호에 설명되어 있는 바와 같은 저온 용접법, 그리고 잉크젯 및 OVJP와 같은 몇몇 퇴적법에 관련된 패터닝이 있다. 다른 방법을 사용할 수도 있다. 퇴적되는 재료는 이들 재료가 특정 퇴적법에 적절하게 되도록 개질될 수 있다. 예컨대, 저분자에 분기되거나 분기되지 않고 바람직하게는 적어도 3개의 탄소를 함유하는, 알킬기 및 아릴기와 같은 치환기를 사용하여, 용액 처리를 겪는 저분자의 능력을 향상시킬 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3개 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 구조를 갖는 재료는 대칭 구조를 갖는 재료보다 양호한 용액 처리성(solution processibility)을 갖는데, 그 이유는 비대칭 재료가 보다 작은 재결정화 경향을 가질 수 있기 때문이다. 덴드리머 치환기를 사용하여 용액 처리를 겪는 저분자의 능력을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따라 제조되는 디바이스는 평판 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 텔레비전, 광고 게시판, 내부 또는 외부 조명 및/또는 시그널링용 광원, 헤드업 디스플레이, 완전 투명 디스플레이, 가요성 디스플레이, 레이저 프린터, 전화, 휴대폰, 개인용 정보 단말기(Personal Digital Assistant; PDA), 랩탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로 디스플레이, 자동차, 대면적 벽, 극장 또는 경기장 스크린 또는 간판을 포함하는, 매우 다양한 소비자 제품에 포함될 수 있다. 수동 매트릭스 및 능동 매트릭스를 포함하는 다양한 제어 메커니즘을 사용하여 본 발명에 따라 제조된 디바이스를 제어할 수 있다. 많은 디바이스가 18 ℃ 내지 30 ℃, 보다 바람직하게는 실온(20 ℃ 내지 25 ℃)과 같은 사람에게 편안한 온도 범위에서 사용되도록 되어 있다.
본 명세서에서 설명하는 재료와 구조는 OLED 이외의 디바이스에서 어플리케이션을 가질 수 있다. 예컨대, 유기 태양 전지와 유기 광검출기와 같은 다른 광전자 디바이스가 상기 재료와 구조를 채용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 트랜지스터와 같은 유기 디바이스가 상기 재료와 구조를 채용할 수 있다.
여러 경우에, OLED 내에 있는 방출층에서 나오는 광의 많은 부분은 공기 인터페이스에서의 내부 굴절, 에지 방출, 방출층이나 다른층 내에서의 소산, 디바이스의 방출층이나 다른 층(즉, 수송층, 주입층 등) 내에서의 도파관 효과 및 다른 효과로 인해 디바이스를 빠져나가지 않는다. OLED에 의해 생성 및/또는 방출되는 광은 "공기 모드"(광이 디바이스의 조망면으로부터 방출됨)나 "도파관 모드"(도파관 효과로 인해 광이 디바이스 내에 포획됨)와 같은 다양한 모드인 것으로 설명할 수 있다. 내부에 광이 포획되는 층(들)에 관하여, "유기 모드"(광이 유기층 중 하나 이상의 유기층 내에 포획됨), "전극 모드"(전극 내에 포획됨), 및 "기판 모드"나 "유리 모드"(기판 내에 포획됨)와 같은 특정 모드를 설명할 수 있다. 통상적인 OLED에서, 방출층에 의해 생성되는 광의 최대 50 내지 60 %는 도파관 모드로 포획될 수 있으며, 따라서 디바이스를 빠져나가는 데 실패한다. 추가적으로, 통상적인 OLED에 있는 방출층에 의해 방출되는 광의 최대 20 내지 30 %는 유리 모드로 남아 있을 수 있다. 따라서, 통상적인 OLED의 아웃커플링 효율은 약 20 %로 낮을 수 있다.
OLED의 아웃커플링 효율을 향상시키기 위해서는, 굴절율이 낮은 투명 재료 구역은 OLED 전극 중 어느 하나 또는 2개 모두에 대해 평행한 방향으로 방출 재료를 포함하는 구역에 인접하게 배치될 수 있다. 이러한 구역은 방출 재료에 의해 방출되는 광이 유리 모드 또는 공기 모드로 진입하게 할 수 있기 때문에, 궁극적으로 디바이스를 빠져나가는 방출된 광의 비율이 증가할 수 있다.
상부 투명 방출 OLED의 외부 양자 효율은 조망 스펙트럼을 왜곡시키는 일 없이 이러한 디바이스에 저굴절율 구간을 삽입하는 것에 의해 2배 내지 3배 증가될 수 있는 것으로 생각된다. 투명 방출 OLED는 실질적으로 투명한 상부 및 저부 전극을 갖는 OLED를 일컫는 것으로 이해해야 한다. 상부 방출 OLED는 상부(투명) 전극을 통해서만 발광하도록 되어 있는 OLED를 일컫는 것으로 이해해야 한다.
도 3a에는 저굴절율 구역(310)을 갖는 예시적인 디바이스(300)의 개략적인 측면도가 도시되어 있다. 디바이스는 기판(304)과, 전극(301, 303), 그리고 하나 이상의 방출 재료(305) 구역과 투명 저굴절율 재료(310)를 갖는 층(302)을 포함한다. 도 3a에 도시한 디바이스는 본 명세서에서 설명한 다양한 다른 층과 구조를 포함할 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
저굴절율 재료는 기판의 굴절률보다 작은, 보다 바람직하게는 기판의 굴절률보다 0.15 내지 0.4만큼 작은 굴절율을 갖는 재료를 포함하는 것이 바람직한데, 그 이유는 이것이 공기 모드 및/또는 유리 모드로 전환되는 도파관 모드의 광량을 증가시킬 수 있기 때문이다. 저굴절율 재료는 1.0 내지 1.3, 보다 바람직하게는 1.0 내지 1.05의 굴절율을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 저굴절율 재료는 종종 디바이스에서 사용되는 유기 재료의 굴절율보다 낮은 굴절율을 가질 수 있는데, 그 이유는 OLED에서 사용되는 유기 재료가 통상적으로 약 1.5 내지 1.7의 굴절율을 갖기 때문이다. 테플론과, 에어로겔과, SiO2 및 TiO2로 이루어진 그레이디드 필름(graded film), 그리고 SiO2 나노로드(nanorod)와 같은 다양한 저굴절율 재료가 저굴절율 구역을 위해 사용될 수 있다. 실리카, 탄소, 알루미나 및 다른 에어로겔과 같은 다양한 에어로겔에 당업계에 공지되어 있다. 예컨대, 실리카 에어로겔은 이산화규소 졸겔을 형성하도록 실리콘 알콕사이드와 액체 알콜을 혼합하는 것에 의해서 제조할 수 있다. 그 다음에, 겔로부터 알콜을 분리하고, 당업계에 공지되어 있는 다양한 기술을 이용하여 알콜을 가스로 대체한다. 졸-겔 방법을 이용하여 준비된 에어로겔은 몇몇 구성에서 바람직할 수 있는데, 그 이유는 시작 용액의 비를 변경하는 것에 의해 굴절율을 제어할 수 있기 때문이다. 또한, 저굴절율 재료는 투명인 것이 바람직하다. 여기에서 사용되는 재료는, 저굴절율층과 구역에 대해 설명한 규모와 치수에 있어서, 전극과 대략 평행한 방향으로 저굴절율층과 구역을 통과하는 광에 대한 총 광학적 손실이 약 50 % 미만인 경우에 "투명성"이다. 저굴절율 재료는 비방출 재료일 수도 있다.
예로서, 도 3a에는 OLED에 있는 방출 재료에 의해 광이 방출될 때의 다양한 가능한 결과를 나타내는 예시적인 광선(320, 330, 340)이 도시되어 있다. 방출 재 료에 의해 생성된 어떠 광(330)은 디바이스를 바로 빠져나가지만, 도파관 모드로 생성된 광(320)은 방출층을 빠져나가는 것이 통상적으로 불가능할 것이다. 도 3a에 도시한 광선에 기초한 광학적 예에서, 그러한 광(320)은 전극의 법선에 대해 매우 큰 각도로 방출층 내에서 이동하는 것으로 모델링할 수 있으며, 결코 방출층 인터페이스에 입사되지 않을 것이다. 이와 마찬가지로, 도파관 모드의 광(340)은 방출층 인터페이스에 입사되어 매우 큰 각도로 전체적으로 내부 전반사되는 광선으로서 모델링할 수 있다. 그러한 광은 정상적으로 디바이스(300)의 상부나 저부에서 방출되는 것이 아니라, 측면에서 방출될 수 있다. 그러나, 방출 구역에 이웃하는 저굴절율 구역은 디바이스에 의해 정상적으로 방출되지 않거나 단지 디바이스의 측면에서만 방출되는 광이 디바이스의 조망면을 통해 빠져나가게 할 수 있다. 도 3a에 도시한 바와 같이, 저굴절율 구역에 진입하는 광은 굴절되어, 디바이스를 직접 빠져나가게 되거나(320) 전극에서 반사된 후에 디바이스를 빠져나가게 된다(340). 즉, 저굴절율 구역을 통과하는 광은 도파관 모드에서 공기 모드로 전환되어, 디바이스에서 방출되게 될 수 있다.
도 3a에는 저굴절율 구역(310)과 인접한 유기 구역(305) 사이의 경계가 전극과 기판에 대해 수직인 평평한 인터페이스인 것으로 도시되어 있지만, 항상 그렇지는 않을 수도 있다. 예컨대, 거친 경계 또는 기판에 대해 수직이 아닌 경계를 형성하는 저굴절율 구역 및/또는 유기 구역을 위한 다양한 퇴적 방법을 사용할 수 있다. 도 3b에는 저굴절율 구역(310)과 인접한 유기 구역(305) 사이의 경계가 전극(301, 303)에 대해 정확히 수직은 아닌 것인 디바이스의 일부의 예가 도시되어 있다. 특정 구성이 예시되어 있지만, 구역은 도시한 것과는 상이한 다양한 단면을 가질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 일반적으로, 인접한 구역들(305, 310) 사이의 경계는 디바이스의 전극에 대해 대략 수직이다. 본 명세서에서 사용되는, 2개의 인접한 구역 사이의 경계는 이 경계와 표면에 대해 수직인 면 사이의 각이 20°이하인 경우에 표면에 대해 "대략 수직"이다. 따라서, 도 3b에서 구역들(305, 310) 간의 경계는 예시한 각(350)이 20°이하일 때 전극(303)에 대해 대략 수직이다. 도 3c에 예시한 바와 같이 인접한 구역들 사이의 경계는 거칠 수도 있다. 그러한 구역에서, 구역은 최적합면(355)과 디바이스의 표면에 대해 수직인 면 사이의 각이 20°이하인 경우에 표면에 대해 "대략 수직"이다. 따라서, 도 3c에 도시한 구역들(305, 310) 간의 경계는 최적합면(355)과 전극(303)에 대해 수직인 면 사이의 각이 20°이하일 때 전극(303)에 대해 대략 수직이다. 본 명세서에서 설명하는 도면은 일반적으로 축척에 맞게 도시하지 않은 것으로 이해하겠지만, 특히 도 3b 및 도 3c에 예시한 특징은 예시를 위해 과장될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
저굴절율 구역(들)은 도 3d에 도시한 바와 같이 전극 및/또는 다른 층들 사이에서 부분적으로 연장될 수 있다. 예컨대, 저굴절율 재료(310)는 전극(301) 상에 퇴적될 수 있다. 저굴절율 재료는 앞서 설명한 다양한 패턴, 그리드 및 다른 구조로 퇴적될 수 있다. 다음에, 하나 이상의 유기 재료(305)가 전극(301)과 저굴절율 구역(310) 위에 증착되어 울퉁불퉁한 표면을 갖는 유기층을 형성할 수 있다. 전극(303) 또는 다른 층이 유기층(305) 상에 퇴적될 수 있기 때문에, 최종면 역시 울퉁불퉁하거나, 평탄한 표면을 형성하도록 전극(303)이나 다른 층이 퇴적될 수 있다. 평탄화층(360) 또는 다른 층 역시 평탄한 표면을 형성하도록 퇴적될 수 있다.
저굴절율 구역은 다양한 구성으로 디바이스 내에 배치될 수 있다. 저굴절율 재료는 그리드로 배치되는 것이 바람직할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "그리드"는 반복되는 재료의 패턴을 일컫는다. 도 4a 및 도 4b에는 디바이스 내에 사용하기 위한 저굴절율 재료와 구역의 예시적인 구성이 도시되어 있다. 도 4a에는 육각형 그리드로 구성된 저굴절율 재료(410)의 평면도가 도시되어 있다. 도 4b에는 직사각형 그리드로 구성된 저굴절율 재료(410)의 평면도가 도시되어 있다. 도 4a 및 도 4b에 도시한 구조는 OLED 내에서 전극 중 어느 하나 또는 모두에 대해 평행한 평면에 배치될 수 있다. 또한, 그러한 디바이스는 도 3a에 예시한 디바이스와 균등한 단면을 가질 수 있다. 방출 구역(420)은 본 명세서에서 설명한 방출 재료와, 전하 수송 및/또는 차단 재료, 그리고 다른 구조 및 층을 포함할 수 있다. 그리드의 각각의 반복부는 대략 동일한 치수를 갖는 것이 바람직할 수 있지만, 그리드의 각각의 반복부는 다양한 치수를 가질 수도 있다. 규칙적인 패턴, 즉 방출 재료 구역이 각기 동일한 치수를 갖는 저굴절율 구역으로 에워싸이는 패턴의 경우, 그리드는 폭(421)에 의해 특징지워질 수 있다. 예컨대, 규칙적인 직사각형 그리드는 위에서 봤을 때 정사각형인 방출 구역을 갖는다. 다양한 다른 패턴 및 구조뿐만 아니라 삼각형 또는 팔각형과 같은 다른 그리드 타입 역시 사용될 수 있다.
몇몇 경우에, 소망하는 최종 디바이스의 품질에 기초하여 그리드의 특정 형상을 선택할 수 있다. 예컨대, 도 5a는 소정 반사율 범위에 있어서 저굴절율 재료가 도 4a 및 도 4b에 도시한 그리드로 구성되는 디바이스에 경우에 공기 모드와 유 리 모드로 전환되는 광의 양에 대해 시뮬레이팅된 값을 보여준다. 유기 방출 구역의 폭이 약 5 ㎛이고, 저굴절율 구역의 폭이 약 0.8 ㎛이며, 상부 ITO 전극의 두께가 100 nm인 디바이스에 대해 데이터가 시뮬레이팅된다. 정사각형 그리드(수직선 무늬)와 육각형 그리드(검정색)를 갖는 디바이스에서 최종적으로 공기 모드로 전환되고, 정사각형 그리드(수평선 무늬)와 육각형 그리드(대각선 무늬)를 갖는 디바이스에서 최종적으로 유리 모드로 전환되는 광의 양이 제시되어 있다. 저굴절율 구역이 대략 1.7 내지 1.8의 굴절율을 갖는 것으로 모델링될 때의 레벨(510)은 종래의 OLED, 즉 저굴절율 구역이 없는 OLED의 레벨에 근접한다. 이것이 예상되는 이유는 통상적으로 OLED에 사용되는 유기 재료가 약 1.7 내지 1.8의 굴절율을 가질 수 있기 때문이다.
도 5b에는 굴절율이 1.03인 육각형 저굴절율 재료 그리드를 갖는 디바이스에 대해 시뮬레이팅된 방출이 제시되어 있다. 방출 구역의 폭은 5 ㎛이고, 저굴절 구역의 폭은 0.8 ㎛이며, 전극은 100 nm ITO층이다. 저굴절율 구역이 사용될 때(수평선 무늬), 디바이스의 아웃커플링 효율은 도시한 바와 같이 0.44까지 증가할 수 있다. 조망면(격자 무늬) 상에 이상적인 마이크로렌즈가 배치된 OLED는 일반적으로 아웃커플링 효율이 약 0.32이지만, 그러한 디바이스에 대한 측정값은 거의 약 0.26이다. 종래의 OLED(흰색)의 경우, 모델링된 디바이스의 아웃커플링 효율은 약 0.17이다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 저굴절율 구역의 굴절율은 증가하기 때문에 보다 많은 광이 유리 모드로 전환되고, 보다 작은 광이 공기 모드로 전환된다. 어떤 경 우에는, 기판-유리 인터페이스가 유기층 면과 평행하지 않도록 변경하고, 이에 따라 더 많은 광이 유리 모드에서 공기 모드로 전환되게 하는 것이 유용할 수 있다. 따라서, 저굴절율 구역은 유리 모드에서 공기 모드로의 전환을 증대시키는 구성에 의해 상승 효과를 가질 수 있다. 명확하게는, 저굴절율 구역은 유기 모드로부터의 광을 유리 모드로 전환할 수 있으며, 유리 모드의 광은 기판 구성 또는 성분으로 인해 공기 모드로 전환될 수 있다. 예컨대, 도 6a에 도시한 마이크로렌즈 시트(610)는 기판에 인접하게 배치될 수도 있고, 기판은 마이크로렌즈 또는 마이크로렌즈 시트를 포함할 수도 있다. 센티미터 크기의 반구형 유리 렌즈, 또는 기판-공기 인터페이스에 조면(粗面)을 갖는 기판과 같은 다른 구성을 사용할 수 있다. 기판은 또한 상이한 굴절율을 갖는 재료와 같은 상이한 재료를 포함할 수도 있다. 이것은 또한 공기 모드로 전환되는 유리 모드의 광의 양을 증가시킬 수 있다. 도 6b에 도시한 바와 같이, 에어로겔 또는 테플론과 같은 저굴절율 재료로 이루어진 박막(620) 또한 기판(304)과 전극(303) 사이에 배치될 수 있다. 이 박층은 더 많은 다른 유리 모드의 광을 전극 또는 유리 모드로 지향시킬 수 있으며, 광은 궁극적으로 저굴절율 구역에 진입하고, 유리 모드의 광이 될 것이다.
도 7 및 도 8에는 도 5b의 디바이스와 동일한 기본 구조를 갖는 디바이스에 의해 방출되는 광의 계산된 비율이 조망각에 따라 제시되어 있다. 도 7은 굴절율이 1.03(다이아몬드 무늬), 1.2(흰색), 및 1.29(검정색)인 육각형 저굴절율 재료 그리드를 갖는, 마이크로렌즈를 구비하는 디바이스에 의해 방출되는 광의 비율이 제시되어 있다. 예시한 바와 같이, 디바이스의 아웃커플링 효율은 0.60으로 높을 수 있다. 도 8에는 종래의 OLED(흰색), 이상적인 마이크로렌즈를 구비하는 OLED(다이아몬드 무늬), 및 이상적인 마이크로렌즈와 굴절율이 1.29인 육각형 저굴절율 재료 그리드를 구비하는 OLED(검정색)의 경우에 방출된 광의 비율이 제시되어 있다.
도 9 및 도 10에는 방출각에 따라 방출된 광의 계산된 비율이 제시되어 있다. 디바이스는 ITO 전극과 방출 재료 사이에 삽입된 저굴절율 재료로 이루어진 박층과 인접한 방출 재료 구역을 분리하는 저굴절율 구역뿐만 아니라 전술한 것과 동일한 구조를 갖는다. 도 9에는 종래의 OLED에 의해 방출된 광(흰색)과, 굴절율이 1.2인 육각형 저굴절율 재료 그리드와 굴절율이 1.29인 테플론 AF 삽입층을 갖는 OLED에 의해 방출된 광(다이아몬드 무늬)을 보여준다. 도 10은 도 9와 동일한 구조를 갖기는 하지만 굴절율이 1.29인 저굴절율 재료를 갖는 디바이스에 있어서의 방출을 보여준다. 도 9 및 도 10에 도시한 디바이스의 아웃커플링 효율은 0.32(굴절율이 1.29인 저굴절율 재료의 경우) 내지 0.34(굴절율이 1.2인 저굴절율 재료의 경우)일 수 있다.
저굴절율 재료로 이루어진 박층은 기판-공기 인터페이스에서 내부 전반사를 겪는 광의 양을 감소시키는 것에 의해 기판에서의 광의 각도 분포를 변경하는 역할을 할 수 있다. 도 11 및 도 12에는 저굴절율층이 없는 유리 기판과 굴절율이 1.29인 재료로 이루어진 저굴절율층을 갖는 유리 기판 각각에서의 광의 각도 분포를 보여준다. 종래의 OLED(1110, 1120)와, 굴절율이 1.03(1220), 1.02(1130, 1230) 및 1.3 (1130, 1230)인 저굴절율층을 갖는 OLED에 있어서의 각도 분포가 도 시되어 있다.
동일한 디바이스에서 도 6a에 도시한 마이크로렌즈 시트와 도 6b에 도시한 저굴절율층을 사용하는 것이 유용할 수 있다. 그러한 디바이스에 있어서의 아웃커플링 효율은 최대 0.59일 수 있다. 도 13은 다양한 디바이스 구성에 있어서 방출각에 따른 방출된 광의 비율을 보여준다. 종래의 OLED(흰색)와, 이상적인 마이크로렌즈를 구비하는 OLED(다이아몬드 무늬)와, 굴절율이 1.29인 저굴절율 구역, 저굴절율 박층 및 마이크로렌즈 시트를 구비하는 OLED(빗금 무늬), 그리고 마이크로렌즈 시트 및 굴절율이 1.29인 저굴절율 재료 구역을 갖는 저굴절율 구역을 구비하는 OLED(검정색)에 대한 값을 보여준다.
도 18에는 저굴절율 구역(1810)을 갖는 예시적인 디바이스(1800)가 도시되어 있다. 디바이스는 기판(1804), 전극(1801, 1803), 및 하나 이상의 방출 재료로 이루어진 구역(1805)과 저굴절율 재료로 이루어진 구역(1810)을 갖는 층(1802)을 포함한다. 도 18에 도시한 디바이스는 본 명세서에서 설명한 다양한 다른 층과 구조를 포함할 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
저굴절율 재료는 굴절율이 방출 재료의 굴절율보다 작은 재료를 포함하는 것이 바람직한데, 그 이유는 이것이 공기 모드 및/또는 유리 모드로 전환되는 도파관 모드의 광의 양을 증가시킬 수 있기 때문이다. 저굴절율 재료는 1.0 내지 3.0 보다 바람직하게는 1.0 내지 1.50의 굴절율을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 저굴절율 구역을 위해서 전술한 바와 같은 다양한 저굴절율 재료를 사용할 수 있다.
도 19a 내지 도 19c에는 저굴절율 그리드(LIG)가 유기층에 삽입된 예시적인 디바이스가 도시되어 있다. 그리드의 주기(저굴절율 구역 사이의 간격)는 방출된 광의 파장보다 크고 마이크로미터 정도일 수 있다. 이러한 주기성은 도파관 모드의 큰 비율의 광이 저굴절율 구역에 진입하게 하고, 저굴절율 구역은 광을 이 광이 디바이스를 수직으로 빠져나오는 기판을 향한 방향으로 재지향시키는 것으로 생각된다. 또한, LIG의 주기성(약 5 내지 20 ㎛)은 방출된 광의 파장보다 한자릿수 크기 때문에, 증대 효과는 파장과는 무관한 것으로 생각된다. 이것은, 넓은 스펙트럼을 특징으로 할 수 있는 백색 발광 TOLED에 있어서 유용할 수 있는데, 그 이유는 방출된 광의 발광 스펙트럼의 변형이 거의 없기 때문이다. LIG의 주기성은 또한 TOLED 픽셀(약 195 내지 380 ㎛)보다 한자릿수 넘게 작고, 따라서 LIG 패턴과 TOLED 픽셀 간의 정렬에 영향을 미치지 않는 것으로 생각된다.
게다가, 이러한 TOLED에 LIG를 삽입하는 것은 2007년 4월 16일 발간, Optics Express 제15권 제8호, Cui 등 저, "Optimization of Light Extraction from OLEDs"에서 보고된 것과 같은, 몇몇 디바이스에서 맞닥뜨리게 되는 그레이팅 효과(effects of grating)를 제거하는 것으로도 생각된다.
예로서, 도 18은 TOLED에 있는 방출 재료 의해 광이 방출될 때의 다양한 가능한 결과를 나타내는 예시적인 광선(1820, 1825, 1830, 1835)을 보여준다. 도파관 모드로 생성된 광(1830)은 방출층을 빠져나가는 것이 통상적으로 불가능할 것이다. 도 18에 도시한 광선을 기초로한 광학계의 예에서, 그러한 광(1830)은 전극의 법선에 대해 충분히 큰 각도로 방출층 내에서 이동하는 것으로 모뎅링할 수 있으며, 이 광은 결코 방출층 인터페이스에 입사되지 않을 것이다. 이와 마찬가지로, 도파관 모드의 광(1835)은 내부 전반사되도록 충분히 큰 각도(θ)로 방출층 인터페이스에 입사되는 광선으로 모델링될 수 있다. 그러한 광은 정상적으로 디바이스(1800)의 상부나 저부에서 방출되는 것이 아니라 측면에서 방출될 수 있다. 그러나, 방출 구역 옆에 있는 저굴절율 구역은 정상적으로 디바이스에 방출되지 않거나 디바이스의 측면에서 방출되어 디바이스의 조망면을 통해 빠져나가는 광을 허용할 수 있다. 도 18에 도시한 바와 같이, 저굴절 구역에 진입하는 광은 기판 법선을 향한 방향으로 반사되어, 직접 디바이스에서 빠져나가게 되거나(1830) 전극에서 반사된 후에 디바이스에서 빠져나가게 된다(1835). 즉, 저굴절율 구역을 통과하는 광은 도파관 모드에서 공기 모드로 전환될 수 있어, 디바이스로부터 방출되게 된다. 추가로, LIG는 투명 디바이스의 경우 디바이스의 상부(1820) 또는 저부(1825)에서 방출되는 것에 의해 직접 빠져나가는 광에 영향을 미치지 않는다.
저굴절율 재료(1810)가 전극(1801) 상에 퇴적될 수 있다. 저굴절율 재료는 본 명세서에서 설명한 다양한 패턴, 그리드 및 다른 구조로 퇴적될 수 있다. 그 후, 하나 이상의 유기 재료(1805)가 전극(1801)과 저굴절율 구역(1810) 위에 퇴적되어, 불균일한 표면을 갖는 유기층을 형성할 수 있다. 전극(1803) 또는 다른 층이 유기층(1805) 상에 퇴적될 수 있기 때문에, 최종 표면 또한 불균일하거나, 평탄환 표면을 형성하도록 전극(1803) 또는 다른 층이 퇴적될 수도 있다.
도 18에는 저굴절율 구역(1810)과 인접한 유기 구역(1805) 간의 경계가 전극과 기판에 대해 수직인 평평한 인터페이스인 것으로 도시되어 있지만, 이것이 항시 예컨대 도 3b 및 도 3c에 예시한 바와 같은 경우가 아닐 수도 있다.
도 19a 및 도 19c에는 유기층에 LIG가 삽입된 예시적인 TOLED 디바이스(1900)가 도시되어 있다. 디바이스는 유리 기판(1901), ITO 전극(1902), 캐소드(1904), 및 하나 이상의 유기층(1905)와 LIG(1910)로 이루어진 구역을 갖는 층(1903)을 포함한다. 도 19b에는 LIG(1910)가 전극(1902, 1904)과 평행한 평면에 배치된 직사각형 그리드로 구성된 디바이스(1900)가 도시되어 있다. 도 19a에는 디바이스(1900)의 평면도가 도시되어 있다. 도 19c에는 그러한 디바이스의 사시 단면도(측면도)가 도시되어 있다. 유기층(1905)은 본 명세서에서 설명한 방출 재료와, 전하 수송 및/또는 차단 재료, 그리고 다른 구조 및 층을 포함할 수 있다. LIG(1910)의 각각의 반복부는 대략 동일한 치수를 갖는 것이 바람직할 수 있지만, 다양한 치수를 가질 수도 있다. 예컨대, 규칙적인 직사각형 그리드는 위에서 봤을 때 정사각형인 방출 구역을 갖는다. 다양한 다른 패턴 및 구조뿐만 아니라 삼각형 또는 팔각형과 같은 다른 그리드 타입도 사용될 수 있다.
도 20a 내지 도 20c에는 굴절율이 1.03인 직사각형 저굴절율 재료 그리드를 갖는 디바이스에 대해서 시뮬레이팅된 방출이 도시되어 있다. 저굴절율 구역의 두께는 100 nm이고, 유기층은 100 nm이며, 저부 ITO 전극은 120 nm이다. 도 20c는 LIG의 두께가 유기층의 두께와 동일할 때 증가가 최적화되는 것을 보여준다. 증가비는 LIG의 두께가 감소할 수록 감소할 수 있다.
도 20a는 유기 구역의 폭(worg)이 감소될 때 모다 많은 도파관 모드의 광이 유기층과 ITO층에 흡수되기 전에 LIG에 진입하는 것에 의해 아웃커플링되기 때문에 증가비가 증가하는 것을 보여준다. 도 20a는 또한 LIG의 폭(wLIG)이 증가할 때 보다 많은 광이 유기층에 재진입하는 일 없이 도파관 모드로 방출될 수 있기 때문에 증가비가 증가하는 것을 보여준다.
실제적인 이유로, 그러한 시뮬레이팅된 방출에 있어서 유기층의 폭은 너무 작아서 유효 면적이 디바이스가 요구되는 휘도를 달성하기에 충분한 것을 보장할 수 없다. 도 20a 내지 도 20c에 있어서, LIG의 폭은 1 ㎛이고, 유기층은 6 ㎛로, 70 %가 넘는 유효 조명 영역을 제공한다. 도 20b는 LIG 굴절율이 감소함에 따라 상부 방출 LOLED의 아웃커플링 효율이 증가하는 것을 보여준다. LIG 굴절율이 증가할 때, 보다 많은 광이 유리 모드로 전환되고, 보다 적은 광이 공기 모드로 전환된다.
도 21에는 마이크로렌즈 시트(610e)가 기판에 인접 배치되어 있는, 즉 기판이 마이크로렌즈 또는 마이크로렌즈 시트를 포함할 수 있는 예시적인 디바이스가 도시되어 있다. 도 20b는 LIG를 갖는 상부 방출 OLED의 굴절율에 따른 시뮬레이팅된 광의 증가(흰색바)와, LIG와 마이크로렌즈를 갖는 상부 방출 OLED의 굴절율에 따른 시뮬레이팅된 광의 증가(빗금친 바)를 보여준다. 그러한 디바이스에 있어서의 아웃커플링 효율은 약 2 내지 3배만큼 증가될 수 있다.
최종적으로 공기 모드로 전환되고, 디바이스로부터 방출되는 광의 양은 전극 두께, 저굴절율 구역의 폭, 및/또는 방출 구역의 폭과 같은 디바이스의 다른 구조적 특징을 변경하는 것에 의해 더 영향을 받을 수 있다. 도 14 내지 도 17은 다양 한 디바이스의 파라메터에 있어서의 변화에 대해 시뮬레이팅된 결과가 도시되어 있다. 달리 지적하지 않는 한, 1D 주기적 그리드에서 저굴절 영역의 폭이 0.8 ㎛이고, 유기 방출 구역의 폭이 4 ㎛이며, ITO 전극의 두께가 100 nm이고, 저굴절율 재료의 굴절율이 1.03인 각각의 디바이스를 모델링하였다. 도 14는 두께 범위가 70 내지 150 nm인 ITO 두께에 따른 공기 모드(정사각형)와 유리 모드(원형)에서의 광의 비율을 보여준다. 도 15는 폭이 500 내지 1200 nm로 변하는 저굴절율 구역에 있어서의 각 모드에서의 광의 비율을 보여준다. 도 16은 4 ㎛ 내지 10 ㎛의 유기 구역에 있어서의 각 모드에서의 광의 비율을 보여준다. 도 17은 정사각형 그리드와 육각형 그리드에 있어서, 저굴절율 재료의 굴절율이 1 내지 1.75인 경우에 각 모드에서의 광의 비율을 보여준다. 이상적인 1D 주기적 그리드(1710), 정사각형 그리드(1720), 육각형 그리드(1730)에 있어서의 공기 모드와, 이상적 1D 주기적 그리드(1740), 정사각형 그리드(1750) 및 육각형 그리드(1760)에 있어서의 유리 모드에 대한 값이 제시되어 있다. 타원형 점선으로 나타낸 값은 종래의 OLED에 있어서의 값과 동일하다. 도 14 내지 도 17에 도시한 구조의 경우, 종래의 OLED는 통상적으로 공기 모드에서는 약 0.17의 광의 비율을 갖고 유리 모드에서는 0.26의 광의 비율을 갖는 것을 증명한다.
본 명세서에서 설명한 다양한 실시예는 단지 예로서, 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 예컨대, 본 명세서에서 설명한 많은 재료와 구조는 본 발명의 사상에서 벗어나는 일 없이 다른 재료와 구조로 대체될 수 있다. 본 발명이 작용하는 원인에 관한 다양한 이론은 제한의 의도가 없다 는 것을 이해해야 한다. 예컨대, 전하 수송에 관한 이론은 제한의 의도가 없다.
재료 정의
본 명세서에서 사용되는 약자는 다음과 같은 재료를 일컫는다.
CBP: 4,4'-N,N-디카르바졸-비페닐(4,4'-N,N-dicarbazole-biphenyl)
m-MTDATA: 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민[4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine]
Alq3: 8-트리스-하이드록시퀴놀린 알루미늄(8-tris-hydroxyquinoline aluminum)
Bphen: 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)
F4-TCNQ: 테트라플루오로-테트라시아노-퀴노디메탄(tetrafluoro-tetracyano-quinodimethane)
Ir(ppy)3: 트리스(2-페닐피리딘)-이리듐[tris(2-phenylpyridine)-iridium]
BCP: 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)
CuPc: 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine)
ITO: 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)
NPD: N,N'-디페닐-N-N'-디(l-나프틸)-벤지딘[N,N'-diphenyl-N-N'-di(l-naphthyl)-benzidine]
TPD: N,N'-디페닐-N-N'-디(3-톨리)-벤지딘[N,N'-diphenyl-N-N'-di(3-toly)- benzidine]
mCP: l,3-N,N-디카르바졸-벤젠[l,3-N,N-dicarbazole-benzene]
DCM: 4-(디시아노에틸렌)-6-(4-디메틸아미노스티릴-2-메틸)-4H-피란[4-(dicyanoethylene)-6-(4-dimethylaminostyryl-2-methyl)-4H-pyran]
DMQA: N,N'-디메틸퀴나크리돈(N,N'-dimethylquinacridone)
PEDOT:PSS: 폴리스티렌설포네이트에 의한 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)의 수성 분산[an aqueous dispersion of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) with polystyrenesulfonate(PSS)]
특정 예와 바람직한 실시예에 관하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이들 예와 실시예로 제한되는 것은 아니라는 점을 이해해야 한다. 따라서, 청구되는 바와 같은 본 발명은 당업자에게 명백한 바와 같이 본 명세서에 설명한 특정 예와 바람직한 실시예로부터의 변형을 포함한다.

Claims (23)

  1. 기판과,
    기판 위에 배치되는 제1 전극과,
    제1 전극 위에 배치되는 유기층으로서, 유기 방출 재료를 포함하는 제1 구역과, 유기층 내에 주기적으로 삽입되고, 유기 방출 재료의 굴절율보다 낮은 굴절율을 갖는 투명 저굴절율 재료를 포함하는 제2 구역을 포함하는 유기층, 그리고
    유기층 위에 배치되는 제2 전극
    을 포함하고, 상기 유기층 내에 주기적으로 삽입되는 투명 저굴절율 재료는 취출된 광의 발광 스펙트럼이 왜곡되는 일 없이 넓은 스펙트럼에 걸쳐 향상된 아웃커플링(outcoupling) 효율을 제공하며,
    상기 투명 저굴절율 재료는 제1 전극과 제2 전극에 평행한 평면에 배치되는 그리드를 형성하고, 상기 그리드는 방출된 광의 파장보다 한자릿수 큰 주기성을 갖도록 구성되며,
    상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나는 투명 전극인 것인 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 디바이스는 상부 방출 OLED인 것인 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 투명 저굴절율 재료는 1.0 내지 1.5의 굴절율을 갖는 것인 디바이스.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 마이크로렌즈 시트 표면의 볼록부가 기판의 반대 방향을 향하도록 기판 아래에 배치되는 마이크로렌즈 시트를 더 포함하는 디바이스.
  7. 제1항에 있어서, 상기 투명 저굴절율 재료는 에어로겔, 테플론, SiO2로 이루어진 그레이디드 필름(graded film), TiO2로 이루어진 그레이디드 필름, 및 SiO2 나노로드(nanorod)층으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 디바이스.
  8. 기판과,
    기판 위에 배치되는 제1 전극과,
    제1 전극 위에 배치되고, 유기 방출 재료를 포함하는 제1 구역과, 유기 방출 재료의 굴절율보다 낮은 굴절율을 갖는 저굴절율 재료를 포함하며, 제1 구역에 인접하게 배치되는 제2 구역을 포함하는 제1 층, 그리고
    제1 층 위에 배치되는 제2 전극
    을 포함하고, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나는 투명 전극이고,
    상기 저굴절율 재료는 제1 전극과 제2 전극에 평행한 평면에 배치되는 그리드를 형성하며, 상기 그리드는 광의 파장보다 큰 주기성을 갖도록 구성되고,
    상기 유기 방출 재료에 의해 도파관 모드로 방출되는 광은 제2 구역에 의해 투명 전극을 통해 디바이스를 빠져나갈 수 있는 방향으로 재지향되는 것인 디바이스.
  9. 제8항에 있어서, 상기 디바이스는 상부 방출 OLED인 것인 디바이스.
  10. 제9항에 있어서, 상기 저굴절율 재료는 1.0 내지 3.0의 굴절율을 갖는 것인 디바이스.
  11. 제10항에 있어서, 상기 저굴절율 재료는 1.0 내지 1.5의 굴절율을 갖는 것인 디바이스.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제8항에 있어서, 마이크로렌즈 시트 표면의 볼록부가 기판의 반대 방향을 향하도록 기판 아래에 배치되는 마이크로렌즈 시트를 더 포함하는 디바이스.
  15. 제8항에 있어서, 상기 저굴절율 재료는 에어로겔, 테플론, SiO2로 이루어진 그레이디드 필름, TiO2로 이루어진 그레이디드 필름, 및 SiO2 나노로드층으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 디바이스.
  16. 발광 디바이스를 제조하는 발광 디바이스의 제조 방법으로서,
    기판 위에 제1 전극을 퇴적하는 것,
    제1 전극 위에 굴절율이 1.0 내지 1.5인 저굴절율 재료로 이루어진 그리드를 퇴적하는 것,
    유기 방출 재료가 그리드 또는 제1 전극과 직접 접촉하도록 그리드 위에 유기 방출 재료를 퇴적하는 것, 및
    유기 방출 재료 위에 제2 전극을 퇴적하는 것
    을 포함하며, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나는 투명 전극이고,
    상기 저굴절율 재료는 제1 전극과 제2 전극에 평행한 평면에 배치되는 그리드를 형성하며, 상기 그리드는 광의 파장보다 큰 주기성을 갖도록 구성되고,
    상기 저굴절율 재료로 이루어진 그리드는 유기 방출 재료에 의해 도파관 모드로 방출된 광을 투명 전극을 통해 디바이스를 빠져나갈 수 있는 방향으로 재지향시키는 것인 발광 디바이스의 제조 방법.
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