CN109155371B - 基板 - Google Patents

基板 Download PDF

Info

Publication number
CN109155371B
CN109155371B CN201780013232.2A CN201780013232A CN109155371B CN 109155371 B CN109155371 B CN 109155371B CN 201780013232 A CN201780013232 A CN 201780013232A CN 109155371 B CN109155371 B CN 109155371B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
optically functional
electrode layer
functional layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780013232.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109155371A (zh
Inventor
金勇男
赵安部
李渊槿
朱文奎
金钟硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Priority claimed from PCT/KR2017/005353 external-priority patent/WO2017204533A1/ko
Publication of CN109155371A publication Critical patent/CN109155371A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109155371B publication Critical patent/CN109155371B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/111—Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133502—Antiglare, refractive index matching layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供了基板、有机电子器件及其用途。本申请的基板具有包括直接形成在光学功能层的凹凸表面上的电极层的结构，并且在形成有机电子器件时，可以确保优异的功能性例如光提取效率等，以及元件的长时间稳定驱动。

Description

基板
技术领域
相关申请的交叉引用
本申请要求基于2016年5月23日提交的韩国专利申请第10-2016-0062885号和2017年5月23日提交的韩国专利申请第10-2017-0063554号的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本申请涉及基板、有机电子器件、光源和照明装置。
背景技术
有机电子器件(OED)为例如包括至少一个能够运载电流的有机材料层的元件，如日本特许专利公开第H8-176293号中所公开的。作为一种有机电子器件，包括有机发光器件(OLED)、有机太阳能电池、有机光电导体(OPC)或有机晶体管等。
有机发光器件是典型的有机电子器件，通常依次包括基板、第一电极层、有机层和第二电极层。在被称为所谓的底部发射器件的结构中，第一电极层可以由透明电极层形成，并且第二电极层可以由反射电极层形成。此外，在被称为所谓的顶部发射器件的结构中，第一电极层由反射电极层形成，并且第二电极层也由透明电极层形成。由电极层注入的电子和空穴可以在存在于有机层中的发光层中复合以产生光。在底部发射器件中，光可以朝向基板发射，而在顶部发射器件中，光可以朝向第二电极层发射。
发明内容
技术问题
本申请提供了基板、有机电子器件、光源和照明装置。
技术方案
本申请的基板包括依次形成的支撑基础层、光学功能层和电极层。
在本申请的基板中，光学功能层可以是具有凹凸表面的层并且可以是包含散射颗粒的层。基板中的电极层可以直接形成在光学功能层的凹凸表面上。
图1为其中有机电子器件(104)形成在依次包括支撑基础材料(101)、光学功能层(102)和电极层(103)的基板上的情况的示例性图。
光学功能层可以在与支撑基础层相反的表面上具有凹凸表面，其中凹凸表面可以为平均粗糙度(Ra)为5nm或更大且10点平均粗糙度(Rz)为30nm或更大的凹凸表面。此时，电极层可以与凹凸表面接触直接形成在凹凸表面上。
在另一个实例中，凹凸表面的平均粗糙度(Ra)可以为约5.5nm或更大、6nm或更大、6.5nm或更大、7nm或更大、7.5nm或更大、8nm或更大、8.5nm或更大、9nm或更大或者9.5nm或更大。此外，在另一个实例中，10点平均粗糙度(Rz)可以为35nm或更大、40nm或更大、45nm或更大、50nm或更大、55nm或更大、60nm或更大、65nm或更大、70nm或更大或者75nm或更大。平均粗糙度(Ra)和10点平均粗糙度(Rz)的上限没有特别限制，并且可以考虑器件的驱动稳定性来进行调节。在一个实例中，平均粗糙度(Ra)可以为约20nm或更小、19nm或更小、18nm或更小、17nm或更小、16nm或更小、15nm或更小、14nm或更小、13nm或更小、12nm或更小、11nm或更小或者10nm或更小。此外，10点平均粗糙度(Rz)可以为约100nm或更小、95nm或更小、90nm或更小或者85nm或更小。
将凹凸表面的粗糙度控制在上述范围内的方式没有特别限制，并且可以通过例如光学功能层的厚度和/或相应层中包含的颗粒的颗粒直径来控制。
在现有技术中，还存在其中使用散射颗粒在电极层和支撑基础层之间形成光学功能层以提高有机电子器件的效率(例如，光提取效率)的实例。然而，当使用散射颗粒时，在表面上形成不规则部，并且当在凹凸表面上形成电极层时，元件被不稳定地驱动，因此首先在凹凸表面上形成所谓的平坦层然后在其上形成电极层。然而，本发明的发明人发现，通过适当地控制凹凸表面，并且如有必要，控制光学功能层的结构，可以在没有平坦层的情况下形成使光提取效率最大化同时使得能够稳定驱动的基板。
也就是说，在本申请的基板中，光学功能层和电极层形成为彼此接触，并且其间没有平坦表面。
在此，如公知的，平均粗糙度(Ra)是通过以下方程式A计算的值，并且10点平均粗糙度(Rz)是在凹凸轮廓上确定的5个最高点和5个最低点的平均粗糙度。
[方程式A]
Figure GDA0002424636570000031
在方程式A中，Ra是平均粗糙度，N是阵列在水平方向上的数据点的数目，以及Z是各数据点相对于参照平均平面的高度。
平均粗糙度(Ra)和10点平均粗糙度(Rz)可以使用为一般测量仪器的3D光学轮廓仪来测量。
应用于本申请的基板的支撑基础层的类型没有特别限制，并且可以使用已知的基础层。例如，作为支撑基础层，可以使用例如玻璃基底或聚合物膜等。在此，作为玻璃基底，可以使用钠钙玻璃基底、含钡/锶的玻璃基底、铅玻璃基底、铝硅酸盐玻璃基底、硼硅酸盐玻璃基底、钡硼硅酸盐玻璃基底或石英基底等。聚合物膜的实例可以例示为：PI(聚酰亚胺)膜、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)膜、PC(聚碳酸酯)膜、丙烯酸类树脂膜、PET(聚(对苯二甲酸乙二醇酯))膜、PES(聚(醚硫化物))膜、PEI(聚醚酰亚胺)膜、PPS(聚苯硫醚)膜、COC(环烯烃共聚物)膜、PEEK(聚醚醚酮)膜或PS(聚砜)膜等，但不限于此。
作为支撑基础层，可以使用透光基础层。在本说明书中，术语透光膜可以意指例如对可见光范围(在约400nm至700nm的波长范围内)的任一种光或者在整个可见光范围内的光的透射率为至少50％、至少60％、至少70％、至少80％或至少90％的膜。
如有必要，在支撑基础层等的表面上，可以使用反射材料例如铝形成反射层，并且支撑基础层还可以为其中存在驱动TFT的TFT(薄膜晶体管)支撑基础层。
支撑基础层的折射率可以为至少约1.4、至少约1.45、至少约1.5、至少约1.6、至少约1.7、至少约1.75或者至少约1.8。除非另外指明，否则本文中的术语折射率是对波长为约550nm的光测量的折射率。有机发光器件中的支撑基础层的折射率的范围可以有利于提高器件的光效率。支撑基础层的折射率的上限没有特别限制。例如，支撑基础层的折射率可以大概为约2.0或更小、约1.9或更小、约1.8或更小或者约1.7或更小。
支撑基础层的厚度没有特别限制，并且可以考虑期望的性能(例如，柔性、光提取效率或阻挡特性)在适当的范围内选择。例如，支撑基础层的厚度可以在约10μm至约125μm的范围内，或者在约20μm至约60μm的范围内。
光学功能层形成在支撑基础层上。作为光学功能层，还可以使用可以通过在支撑基础层上表现出至少一种光学功能而有助于元件例如有机电子器件的功能改善的任何种类的层。
这样的光学功能层具有如上所述的凹凸表面。
作为光学功能层的一个实例，可以例示光散射层。在本申请中，术语光散射层可以意指例如如下的所有种类的层：所述层形成为使得通过使入射到层上的光散射、折射或衍射，其可以消除或缓解层间界面处所捕获的入射光。光散射层的实施方案没有特别限制，只要光散射层实现为表现出上述功能即可。
光学功能层的雾度可以为约20％或更大。光学功能层的雾度可以为25％或更大、30％或更大、35％或更大、40％或更大、45％或更大、50％或更大或者55％或更大。雾度可以为例如约90％或更小、85％或更小、80％或更小、75％或更小、70％或更小或者65％或更小。
雾度可以为使用HM-150通过JIS K 7105方法评估的结果。
光学功能层(例如，光散射层)可以为包含散射颗粒的层，并且可以为包含例如基体材料和散射颗粒的层。在本说明书中，术语“散射颗粒”可以意指这样的颗粒：其具有与周围材料(例如，基体材料)的折射率不同的折射率，并且还具有适当的尺寸使得入射光可以被散射、折射或衍射。散射颗粒的折射率与周围材料(例如，基体材料)的折射率之差可以大于0.3或者为0.3或更大。折射率差可以为约0.35或更大、约0.4或更大、约0.5或更大、约0.55或更大、约0.6或更大、约0.65或更大、约0.7或更大、约0.75或更大、约0.8或更大或者约0.85或更大。折射率差的上限没有特别限制，但可以为例如约1.5或更小或者约1.3或更小。例如，散射颗粒的折射率可以大概为约1.0至3.5或者约1.0至3.0。散射颗粒的折射率可以为例如1.0或更大、1.5或更大或者2.0或更大，并且还可以为约3.5或更小、约3.0或更小或者约2.8或更小。散射颗粒的平均颗粒直径可以为例如50nm或更大、100nm或更大、150nm或更大或者200nm或更大。散射颗粒的平均颗粒直径可以为例如10,000nm或更小、9,000nm或更小、8,000nm或更小、7,000nm或更小、6,000nm或更小、5,000nm或更小、4,000nm或更小、3,000nm或更小、2,000nm或更小、1,000nm或更小、900nm或更小、800nm或更小、700nm或更小、600nm或更小、500nm或更小、400nm或更小或者300nm或更小。
散射颗粒的形状可以为例如球形、椭圆形、多面体形或无定形形状，但是形状没有特别限制。作为散射颗粒，可以例示这样的颗粒，其包含：有机材料，例如聚苯乙烯或其衍生物、丙烯酸类树脂或其衍生物、硅树脂或其衍生物、或者酚醛清漆树脂或其衍生物；或者无机材料，例如二氧化硅、氧化铝、氧化钛或氧化锆等。散射颗粒可以通过包含以上材料的仅一种材料，或者以上材料中的两种或更多种材料形成。
光学功能层中散射颗粒的比率没有特别限制，例如，可以在能够表现出上述雾度的范围内选择。
光散射层还可以包含保留散射颗粒的基体材料。基体材料可以使用折射率与另一相邻材料(例如支撑基础层)相似的材料或者折射率高于另一相邻材料的材料形成。
基体材料可以至少包含粘合剂。作为粘合剂，例如，可以使用折射率在1.4至1.65范围内的材料。在另一个实例中，粘合剂的折射率可以为约1.45或更大且1.6或更小或者1.55或更小。
作为粘合剂，例如，可以使用：聚酰亚胺，具有芴环的卡多树脂(caldo resin)，氨基甲酸酯，环氧化物，聚酯或(甲基)丙烯酸酯系列的可热固化或可光固化单体、低聚体或聚合物有机材料；或者无机材料，例如硅氧化物、硅氮化物、氮氧化硅或聚硅氧烷；或者有机-无机复合材料等。
基体材料可以包含聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亚胺作为粘合剂。在此，聚硅氧烷可以通过例如缩合硅烷化合物或硅氧烷低聚物等的缩聚形成，并且可以形成基于硅和氧的键(Si-O)的基体材料。聚硅氧烷可以仅基于硅氧烷键(Si-O)，或者也可以通过在形成基体材料的过程中控制缩合条件等部分地保留有机基团(例如烷基)或缩合官能团(例如烷氧基)。
作为聚酰胺酸或聚酰亚胺，例如，可以使用相对于波长为633nm的光折射率为约1.5或更大或者约1.6或更大的高折射聚酰胺酸或聚酰亚胺。这样的高折射聚酰胺酸或聚酰亚胺可以例如通过使用其中引入有除氟之外的卤素原子、硫原子或磷原子的单体等来制备。例如，可以使用通过具有能够与颗粒结合的位点(例如羧基)而能够改善颗粒的分散稳定性的聚酰胺酸。
如果期望，基体材料还可以与粘合剂一起包含高折射颗粒。术语“高折射颗粒”可以意指例如折射率为1.5或更大、2.0或更大、2.5或更大、2.6或更大或者2.7或更大的颗粒。高折射颗粒的折射率的上限可以例如在可以满足期望的折射率的范围内选择。例如，高折射颗粒的平均颗粒直径可以小于散射颗粒。高折射颗粒的平均颗粒直径可以大概为例如1nm至100nm、5nm至90nm、5nm至80nm、5nm至70nm、5nm至60nm、5nm至50nm或者5nm至40nm。作为高折射颗粒，可以例示氧化铝、硅铝酸盐、氧化钛或氧化锆等。作为高折射颗粒，例如，可以使用为折射率为2.5或更大的颗粒的金红石氧化钛。金红石型氧化钛具有比其他颗粒更高的折射率，因此即使在相对小的比率下也允许调节至期望的折射率。
基体材料中高折射颗粒的比率没有特别限制，并且例如可以选择使得基体材料可以表现出在下述范围内的折射率。在一个实例中，相对于100重量份的粘合剂，基体材料可以包含至少50重量份的高折射颗粒。相对于100重量份的粘合剂，高折射颗粒的比率可以为至少55重量份、至少60重量份、至少65重量份、至少70重量份、至少75重量份、至少80重量份、至少85重量份、至少90重量份、至少95重量份、至少100重量份、至少105重量份、至少110重量份、至少115重量份或者至少120重量份并且至多250重量份、至多240重量份、至多230重量份、至多220重量份、至多210重量份、至多200重量份、至多190重量份、至多180重量份、至多170重量份、至多160重量份、至多150重量份、至多140重量份或者至多130重量份。
由此形成的光学功能层中的基体材料的折射率(即排除散射颗粒的部分的折射率)可以在例如约1.5至1.75的范围内，在约1.55至1.75的范围内或者在约1.55至1.65的范围内，但不限于此。
上述光学功能层可以通过已知方法形成，例如，光学功能层可以如下来形成：通过湿涂覆法涂覆材料并施加热或照射光，或者使通过溶胶凝胶法固化材料，或者通过沉积方法例如CVD(化学气相沉积)或PVD(物理气相沉积)法，或者纳米压印法或微压花法等。
光学功能层的厚度没有特别限制，但通常可以为约150nm或更大。光学功能层的厚度可以为例如约2,000nm或更小、约1,500nm或更小、约1,000nm或更小或者约900nm或更小。
在一个实例中，光学功能层的雾度可以为60％或更大，同时厚度在150nm至300nm或者约150nm至250nm的范围内。在这种情况下，雾度可以为例如约90％或更小、85％或更小、80％或更小、75％或更小、70％或更小或者65％或更小。在这样的范围内的厚度和雾度可以减少由光学功能层引起的光吸收和水分吸收，从而使得能够稳定驱动并确保光提取效率。
在一个实例中，功能层可以为通过包括上层和下层而形成的多层结构。在此，上层和下层可以是使用相同的基体材料和散射颗粒形成的上层和下层，并且可以是使用其他基体材料和/或其他散射颗粒形成的上层和下层。
上层和下层可以根据相应层中包含的散射颗粒的比率来分类。也就是说，即使在使用相同的基体材料和散射颗粒形成的层的情况下，当散射颗粒的高比例层和低比例层共存于光学功能层中时，该层可以被认为是多层。
如在以下将描述的实例中，这样的多层结构可以通过使用例如包含相同的基体材料和散射颗粒但具有不同的散射颗粒比率的两种类型的材料形成。
在一个实例中，上层的每单位体积的散射颗粒数可以大于下层的每单位体积的散射颗粒数。
在这种情况下，下层的厚度(TL)与上层的厚度(TU)的比率(TL/TU)可以在1至10的范围内。在另一个实例中，该比率可以为至少1.5、至少2、或至少2.5，并且可以为至多9.5、至多9、至多8.5、至多8、至多7.5、至多7、至多6.5、至多6、至多5.5、至多5、至多4.5、至多4、至多3.5或者至多3。
在上述结构中，光学功能层的性能可以被最大化。
形成为与基板中的光学功能层的不规则部接触的电极层可以为例如通常用于所谓的OLED等中的空穴注入电极层或电子注入电极层。电极层可以是透明电极层或反射电极层。
空穴注入电极层可以使用例如具有相对高的功函数的材料形成，并且如有必要，可以使用透明材料或反射材料形成。例如，空穴注入电极层可以包含功函数为约4.0eV或更大的金属、合金、导电化合物或前述两者或更多者的混合物。这样的材料可以例示为：金属，例如金；氧化物材料，例如CuI、ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZTO(氧化锌锡)、掺杂有铝或铟的锌氧化物、镁铟氧化物、镍钨氧化物、ZnO、SnO2或In2O3；金属氮化物，例如氮化镓；金属硒化物，例如锌硒化物；金属硫化物，例如硫化锌等。透明空穴注入电极层还可以通过使用Au、Ag或Cu等的金属薄膜和高折射透明材料例如ZnS、TiO2或ITO等的层合体来形成。
空穴注入电极层可以通过任何方式形成，例如气相沉积、溅射、化学气相沉积或电化学方式。此外，如有必要，可以通过使用已知的光刻或荫罩等的过程对形成的电极层进行图案化。
电子注入电极层可以使用例如具有相对小的功函数的材料形成，例如，也可以使用用于形成空穴注入电极层的材料中的合适的透明或反射材料形成，但不限于此。电子注入电极层也可以使用例如气相沉积法或溅射法形成，并且如有必要，可以适当地进行图案化。
在一个实例中，可以使用氧化铟锡层(ITO层)作为电极层。
电极层的厚度可以大概为例如约50nm至200nm、70nm至180nm或者约70nm至150nm，或者电极层可以形成为具有大概为约70nm至100nm的厚度。
本申请还涉及有机电子器件。本申请的一个示例性有机电子器件可以包括：如上所述的用于有机电子元件的基板；和形成在基板的电极层上的包括有机层的元件区域。有机电子器件还可以包括形成在有机层上的电极层。在下文中，为了区分，形成在用于有机电子元件的基板上的电极层可以称为第一电极层，并且形成在有机层上的电极层可以称为第二电极层。
有机层可以至少包括发光层。例如，如果第一电极层透明地呈现并且第二电极层为反射电极层，则可以呈现底部发光器件，其中在有机层的发光层中产生的光通过光学功能层朝向支撑基础层发射。
在有机电子器件为有机发光器件的情况下，相应的器件可以具有：(1)空穴注入电极层/有机发光层/电子注入电极层的形式；(2)空穴注入电极层/空穴注入层/有机发光层/电子注入电极层的形式；(3)空穴注入电极层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极层的形式；(4)空穴注入电极层/空穴注入层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极层的形式；(5)空穴注入电极层/有机半导体层/有机发光层/电子注入电极层的形式；(6)空穴注入电极层/有机半导体层/电子阻挡层/有机发光层/电子注入电极层的形式；(7)空穴注入电极层/有机半导体层/有机发光层/粘合改善层/电子注入电极层的形式；(8)空穴注入电极层/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极层的形式；(9)空穴注入电极层/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层的形式；(10)空穴注入电极层/无机半导体层/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层的形式；(11)空穴注入电极层/有机半导体层/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层的形式；(12)空穴注入电极层/绝缘层/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层的形式，或者(13)空穴注入电极层/绝缘层/空穴注入层/空穴传输层/电子注入电极层的形式，并且在一些情况下，还可以具有包括这样的有机层的形式，所述有机层具有其中至少两个发光层通过中间电极层或具有电荷产生特性的电荷产生层(CGL)而在空穴注入电极层与电子注入电极层之间隔开的结构，但不限于此。
在本领域中，已知用于形成空穴注入电极层或电子注入电极层和有机层(例如，发光层、电子注入或传输层、空穴注入或传输层)的各种材料，及其形成方法，并且所有以上方法都可应用于制造有机电子器件。
有机电子器件还可以包括密封结构。密封结构可以为防止外来物质例如水分和氧被引入到有机电子器件的有机层中的保护结构。密封结构可以为例如罐，如玻璃罐或金属罐，或者可以为覆盖有机层的整个表面的膜。
本申请还涉及有机电子器件例如有机发光器件的用途。在一个实例中，本申请涉及用于包括有机电子器件的用于显示器的光源。在另一个实例中，本申请涉及包括有机电子器件的照明装置。用于显示器的光源可以例示为：液晶显示器(LCD)的背光；照明设备；各种传感器、打印机、复印机等的光源；汽车仪表光源；交通灯；显示灯；显示装置；片状发光体、显示器、装饰品的光源或各种灯等。
此外，当有机电子器件应用于显示器的光源、照明装置或其他应用时，构成用于显示器的光源或照明装置的其他部件及其构造方法没有特别限制，可以采用相应领域中已知的任何材料或方法，只要有机电子器件应用于其中即可。
有益效果
本申请提供了基板、有机电子器件及其用途。本申请的基板具有包括直接形成在光学功能层的凹凸表面上的电极层的结构，并且在形成有机电子器件时，可以确保优异的功能性例如光提取效率等，以及元件的长时间稳定驱动。
附图说明
图1为示例性基板的图。附图标记101表示支撑基础材料，附图标记102表示光学功能层，附图标记103表示电极层，以及附图标记104表示有机电子器件。
图2为在一个实例中产生的凹凸表面的照片。
具体实施方式
在下文中，将通过实施例和比较例的方式详细描述本申请，但本申请的范围不受以下实施例的限制。
1.平均粗糙度(Ra)和10点平均粗糙度(Rz)的测量
在实施例中，平均粗糙度(Ra)和10点平均粗糙度通过使用WSI(白光扫描干涉法，White-Light Scanning Interferometry)模式作为3D光学轮廓仪，并使用配备有He-Ne激光(633nm)的来自Nanosystem的Nano View E1000产品来测量，并使用轮廓仪提供的软件进行确定。
2.雾度的测量方法
在实施例和比较例中，雾度是使用HM-150的使用JIS K 7105方法评估的结果。
实施例1
组合物的制备
将作为粘合剂的折射率为约1.45至1.55的聚硅氧烷(PVMQ，苯基乙烯基甲基硅氧烷)与折射率为约2.0且平均颗粒直径为约7nm的氧化锆颗粒(高折射颗粒)(ZrO2)以约45:55(PVMQ:ZrO2)的重量比混合，以制备能够形成折射率为约1.6的层的涂覆组合物。随后，将作为散射颗粒的折射率为约2.5且平均颗粒直径为约250nm的金红石氧化钛(金红石TiO2)与混合物(PVMQ+ZrO2)以约90:10(混合物:散射颗粒)的重量比混合以制备第一组合物。
在将第一组合物涂覆在玻璃基底上至约200nm的最终厚度之后，测量根据已知方法通过缩合反应形成的光学功能层的雾度，并且结果确定为约45％。
此外，以与上述相同的方式制备组合物，但是将混合物与散射颗粒(金红石TiO2)的比率调节至94:6(混合物:散射颗粒)以制备第二组合物。
在将第二组合物涂覆在玻璃基底上至约500nm的最终厚度之后，测量根据已知方法通过缩合反应形成的光学功能层的雾度，并且结果确定为约25％。
基板和有机发光器件的制造
将如上制备的第二组合物涂覆在玻璃基底(折射率：约1.5)上以具有约500nm的最终厚度，然后进行缩合反应以形成包含聚硅氧烷、高折射颗粒(ZrO2)和散射颗粒(金红石TiO2)的底部光学功能层。
随后，将第一组合物涂覆在底部光学功能层上以具有约200nm的最终厚度，然后也进行缩合反应以形成包含聚硅氧烷、高折射颗粒(ZrO2)以及散射颗粒(金红石TiO2)的顶部光学功能层。
所测量的顶部和底部光学功能层作为整体的雾度为约60％，并且表面(顶部光学功能层表面)的平均粗糙度(Ra)为约9.61nm且10点平均粗糙度(Rz)为约78.93nm。图2是分别以10K、30K和40K的放大倍数测量的顶部光学功能层表面的显微照片。
随后，通过已知的沉积方法在顶部光学功能层的表面上直接形成ITO(氧化铟锡)导电层(折射率：约2.0)至约75nm的厚度以制造基板。
随后，在基板的ITO电极层上依次形成为用于形成已知白色OLED的材料的有机层的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层，再在其上形成为反射电极的铝电极层，以形成有机电子器件。
实施例2
组合物的制备
以与实施例1中组合物的制备中相同的方式形成组合物，但是将混合物(PVMQ+ZrO2)与散射颗粒(金红石TiO2)的重量比(混合物:散射颗粒)调节至约93:7以制备第一组合物。
在将第一组合物涂覆在玻璃基底上至约200nm的最终厚度后，测量根据已知方法通过缩合反应形成的光学功能层的雾度，并且结果确定为约35％。
此外，以与上述相同的方式制备组合物，但是将混合物与散射颗粒(金红石TiO2)的比率调节至97:3(混合物:散射颗粒)以制备第二组合物。
在将第二组合物涂覆在玻璃基底上至约500nm的最终厚度后，测量根据已知方法通过缩合反应形成的光学功能层的雾度，并且结果确定为约15％。
基板和有机发光器件的制造
将如上制备的第二组合物涂覆在玻璃基底(折射率：约1.5)上以具有约500nm的最终厚度，然后进行缩合反应以形成包含聚硅氧烷、高折射颗粒(ZrO2)和散射颗粒(金红石TiO2)的底部光学功能层。
随后，将第一组合物涂覆在底部光学功能层上以具有约200nm的最终厚度，然后也进行缩合反应以形成包含聚硅氧烷、高折射颗粒(ZrO2)以及散射颗粒(金红石TiO2)的顶部光学功能层。
所测量的顶部和底部光学功能层作为整体的雾度为约45％，并且表面(顶部光学功能层表面)的平均粗糙度(Ra)为约7.36nm且10点平均粗糙度(Rz)为约70.96nm。
随后，以与实施例1中相同的方式在顶部光学功能层的表面上直接形成ITO(氧化铟锡)电极层以制造基板。
随后，在基板的ITO电极层上依次形成为用于形成已知白色OLED的材料的有机层的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层，再在其上形成为反射电极的铝电极层，以形成有机电子器件。
实施例3
组合物的制备
以与实施例1中组合物的制备中相同的方式形成组合物，但是将混合物(PVMQ+ZrO2)与散射颗粒(金红石TiO2)的重量比(混合物:散射颗粒)调节至约80:20以制备第一组合物。
在将第一组合物涂覆在玻璃基底上至约200nm的最终厚度后，测量根据已知方法通过缩合反应形成的光学功能层的雾度，并且结果确定为约60％。
基板和有机发光器件的制造
将如上制备的第一组合物涂覆在玻璃基板(折射率：约1.5)上以具有约200nm的最终厚度，然后进行缩合反应以形成包含聚硅氧烷、高折射颗粒(ZrO2)和散射颗粒(金红石TiO2)的光学功能层。
所测量的光学功能层的雾度为约60％，并且表面(顶部光学功能层表面)的平均粗糙度(Ra)为约9.59nm且10点平均粗糙度(Rz)为约76.18nm。
随后，以与实施例1中相同的方式在顶部光学功能层的表面上直接形成ITO(氧化铟锡)电极层以制造基板。
随后，在基板的ITO电极层上依次形成为用于形成已知白色OLED的材料的有机层的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层，再在其上形成为反射电极的铝电极层，以形成有机电子器件。
实施例4
组合物的制备
将作为粘合剂的折射率为约1.45至1.55的聚硅氧烷(PVMQ，苯基乙烯基甲基硅氧烷)与折射率为约2.0且平均颗粒直径为约7nm的氧化锆颗粒(高折射颗粒)(ZrO2)以约45:55(PVMQ:ZrO2)的重量比混合，以制备能够形成折射率为约1.6的层的涂覆组合物。随后，将作为散射颗粒的折射率为约2.5且平均颗粒直径为约250nm的金红石氧化钛(金红石TiO2)与混合物(PVMQ+ZrO2)以约90:10(混合物:散射颗粒)的重量比混合以制备第一组合物。
在将第一组合物涂覆在玻璃基底上至约200nm的最终厚度后，测量根据已知方法通过缩合反应形成的光学功能层的雾度，并且结果确定为约45％。
此外，以与上述相同的方式制备第二组合物，不同之处在于没有向其施加散射颗粒。
在将第二组合物涂覆在玻璃基底上至约500nm的最终厚度后，测量根据已知方法通过缩合反应形成的光学功能层的雾度，并且结果确定为约0％。
基板和有机发光器件的制造
将如上制备的第二组合物涂覆在玻璃基底(折射率：约1.5)上以具有约500nm的最终厚度，然后进行缩合反应以形成包含聚硅氧烷和高折射颗粒(ZrO2)的底部光学功能层。
随后，将第一组合物涂覆在底部光学功能层上以具有约200nm的最终厚度，然后也进行缩合反应以形成包含聚硅氧烷、高折射颗粒(ZrO2)以及散射颗粒(金红石TiO2)的顶部光学功能层。
所测量的顶部和底部光学功能层作为整体的雾度为约47％，并且表面(顶部光学功能层表面)的平均粗糙度(Ra)为约7.46nm且10点平均粗糙度(Rz)为约66.58nm。
随后，以与实施例1中相同的方式在顶部光学功能层的表面上直接形成ITO(氧化铟锡)电极层以制造基板。
随后，在基板的ITO电极层上依次形成为用于形成已知白色OLED的材料的有机层的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层，再在其上形成为反射电极的铝电极层，以形成有机电子器件。
实施例5
组合物的制备
以与实施例1中组合物的制备中相同的方式形成组合物，但是将混合物(PVMQ+ZrO2)与散射颗粒(金红石TiO2)的重量比(混合物:散射颗粒)调节至约85:15以制备第一组合物。
在将第一组合物涂覆在玻璃基底上至约200nm的最终厚度后，测量根据已知方法通过缩合反应形成的光学功能层的雾度，并且结果确定为约50％。
此外，以与上述相同的方式制备组合物，但是将混合物与散射颗粒(金红石TiO2)的比率调节至97:3(混合物:散射颗粒)以制备第二组合物。
在将第二组合物涂覆在玻璃基底上至约500nm的最终厚度后，测量根据已知方法通过缩合反应形成的光学功能层的雾度，并且结果确定为约15％。
基板和有机发光器件的制造
将如上制备的第二组合物涂覆在玻璃基底(折射率：约1.5)上以具有约500nm的最终厚度，然后进行缩合反应以形成包含聚硅氧烷、高折射颗粒(ZrO2)和散射颗粒(金红石TiO2)的底部光学功能层。
随后，将第一组合物涂覆在底部光学功能层上以具有约200nm的最终厚度，然后也进行缩合反应以形成包含聚硅氧烷、高折射颗粒(ZrO2)以及散射颗粒(金红石TiO2)的顶部光学功能层。
所测量的顶部和底部光学功能层作为整体的雾度为约60％，并且表面(顶部光学功能层表面)的平均粗糙度(Ra)为约9.24nm且10点平均粗糙度(Rz)为约80.38nm。
随后，以与实施例1中相同的方式在顶部光学功能层的表面上直接形成ITO(氧化铟锡)电极层以制造基板。
随后，在基板的ITO电极层上依次形成为用于形成已知白色OLED的材料的有机层的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层，再在其上形成为反射电极的铝电极层，以形成有机电子器件。
比较例1
组合物的制备
将作为粘合剂的折射率为约1.45至1.55的聚硅氧烷(PVMQ，苯基乙烯基甲基硅氧烷)和折射率为约2.0且平均颗粒直径为约7nm的氧化锆颗粒(高折射颗粒)(ZrO2)以约45:55(PVMQ:ZrO2)的重量比混合，以制备能够形成折射率为约1.6的层的涂覆组合物(第一组合物)。
此外，将以与上述相同的方式制备的混合物(PVMQ+ZnO2)与散射颗粒(折射率为约2.5且平均颗粒直径为约250nm的金红石氧化钛(金红石TiO2))调节成约94:6(混合物:散射颗粒)的重量比以制备第二组合物。
在将第二组合物涂覆在玻璃基底上至约500nm的最终厚度后，测量根据已知方法通过缩合反应形成的光学功能层的雾度，并且结果确定为约25％。
基板和有机发光器件的制造
将如上制备的第二组合物涂覆在玻璃基底(折射率：约1.5)上以具有约500nm的最终厚度，然后进行缩合反应以形成包含聚硅氧烷、高折射颗粒(ZrO2)和散射颗粒(金红石TiO2)的底部光学功能层。
随后，将第一组合物涂覆在底部光学功能层上以具有约200nm的最终厚度，然后进行缩合反应以形成包含聚硅氧烷和高折射颗粒(ZrO2)的顶部光学功能层。
所测量的顶部和底部光学功能层作为整体的雾度为约25％，并且表面(顶部光学功能层表面)的平均粗糙度(Ra)为约2.08nm且10点平均粗糙度(Rz)为约27.52nm。
随后，通过已知的沉积方法在顶部光学功能层的表面上直接形成ITO(氧化铟锡)电极层(折射率：约2.0)至约75nm的厚度以制造基板。
随后，在基板的ITO电极层上依次形成为用于形成已知白色OLED的材料的有机层的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层，再在其上形成为反射电极的铝电极层，以形成有机电子器件。
比较例2
以与实施例3中相同的方式制造基板，但是在光学功能层上没有直接形成ITO电极层而是形成由已知材料制成的高折射平坦层(折射率为约1.72)，然后形成ITO电极层以制备基板，并且同样地生产了有机电子器件。
在3mA/cm2的条件下驱动以上实施例和比较例的有机电子器件的同时，测量各自的P.E(发光效率)(单位：lm/W)和Q.E.(量子效率)(单位：％)，并将结果汇总并描述在下表1中。
[表1]
Figure GDA0002424636570000161

Claims (16)

1.一种基板，包括支撑基础层；形成在所述支撑基础层上的光学功能层；以及形成在所述光学功能层上的电极层，
其中所述光学功能层的与所述支撑基础层相反的表面为平均粗糙度(Ra)为5nm至20nm且10点平均粗糙度(Rz)为30nm至100nm的凹凸表面，
所述光学功能层为包含散射颗粒和基体材料的层，其中所述基体材料包含粘合剂和高折射颗粒，以及
所述电极层形成为与所述光学功能层的所述凹凸表面接触。
2.根据权利要求1所述的基板，其中在所述光学功能层与所述电极层之间不存在平坦层。
3.根据权利要求1所述的基板，其中所述光学功能层为光散射层。
4.根据权利要求1所述的基板，其中所述光学功能层的雾度为20％或更大。
5.根据权利要求1所述的基板，其中所述光学功能层的厚度为150nm或更大。
6.根据权利要求1所述的基板，其中所述光学功能层的厚度在150nm至300nm的范围内且雾度为60％或更大。
7.根据权利要求1所述的基板，其中所述光学功能层形成为包括上层和下层。
8.根据权利要求7所述的基板，其中所述上层的每单位体积的散射颗粒数大于所述下层的每单位体积的散射颗粒数。
9.根据权利要求7所述的基板，其中所述下层的厚度(TL)与所述上层的厚度(TU)的比率(TL/TU)在1至10的范围内。
10.根据权利要求1所述的基板，其中所述基体材料对波长为550nm的光的折射率在1.5至1.75的范围内。
11.根据权利要求10所述的基板，其中所述基体材料包含对波长为550nm的光的折射率在1.4至1.65的范围内的所述粘合剂和对波长为550nm的光的折射率为至少1.5的所述高折射颗粒。
12.根据权利要求11所述的基板，其中相对于100重量份的所述粘合剂，所述基体材料包含50重量份或更多的高折射颗粒。
13.根据权利要求1所述的基板，其中所述电极层为氧化铟锡层。
14.一种有机电子器件，包括：根据权利要求1所述的基板；和存在于所述基板的所述电极层上的具有有机层的元件区域。
15.一种用于显示器的光源，包括根据权利要求14所述的有机电子器件。
16.一种照明装置，包括根据权利要求14所述的有机电子器件。
CN201780013232.2A 2016-05-23 2017-05-23 基板 Active CN109155371B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20160062885 2016-05-23
KR10-2016-0062885 2016-05-23
PCT/KR2017/005353 WO2017204533A1 (ko) 2016-05-23 2017-05-23 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109155371A CN109155371A (zh) 2019-01-04
CN109155371B true CN109155371B (zh) 2020-11-20

Family

ID=60922022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780013232.2A Active CN109155371B (zh) 2016-05-23 2017-05-23 基板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10615373B2 (zh)
JP (1) JP6638927B2 (zh)
KR (1) KR101919043B1 (zh)
CN (1) CN109155371B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108983529A (zh) * 2018-08-01 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1759637A (zh) * 2003-03-12 2006-04-12 三菱化学株式会社 电致发光元件
CN103207523A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 东洋油墨Sc控股株式会社 光散射层用树脂组合物、光散射层、及有机电致发光装置
CN105122491A (zh) * 2013-03-12 2015-12-02 Ppg工业俄亥俄公司 具光提取层的有机发光二极管

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2894257B2 (ja) 1994-10-24 1999-05-24 富士ゼロックス株式会社 新規電荷輸送性ポリマー、その製造法およびそれを用いた有機電子デバイス
JP2003045234A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Dainippon Printing Co Ltd 透明導電性フィルム
KR100999974B1 (ko) 2003-03-12 2010-12-13 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 일렉트로루미네센스 소자
WO2006022427A1 (en) 2004-08-27 2006-03-02 Fujifilm Corporation Anti-reflection film and polarizing plate and image display comprising same
JP5536977B2 (ja) * 2007-03-30 2014-07-02 パナソニック株式会社 面発光体
EP2178343B2 (en) 2007-07-27 2020-04-08 AGC Inc. Translucent substrate, method for manufacturing the translucent substrate and organic led element
JP6003021B2 (ja) 2010-08-09 2016-10-05 三菱化学株式会社 有機電界発光素子、有機ｅｌモジュール、有機ｅｌ表示装置、及び有機ｅｌ照明の製造方法
JP5938757B2 (ja) 2011-11-25 2016-06-22 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光素子基板とその製造方法、面発光素子、照明器具およびバックライト
US9224983B2 (en) * 2010-12-20 2015-12-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate for surface light emitting device and method of manufacturing the substrate, surface light emitting device, lighting apparatus, and backlight including the same
JP2014197530A (ja) 2013-03-06 2014-10-16 日本電気硝子株式会社 有機ｅｌ素子用ガラス基板及びその製造方法
US20160054485A1 (en) 2013-04-10 2016-02-25 Nitto Denko Corporation Light-diffusing element and method for manufacturing light-diffusing element
KR101642120B1 (ko) * 2014-12-24 2016-07-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
WO2016133825A1 (en) * 2015-02-19 2016-08-25 Osram Sylvania Inc. Led light source with diffuser

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1759637A (zh) * 2003-03-12 2006-04-12 三菱化学株式会社 电致发光元件
CN103207523A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 东洋油墨Sc控股株式会社 光散射层用树脂组合物、光散射层、及有机电致发光装置
CN105122491A (zh) * 2013-03-12 2015-12-02 Ppg工业俄亥俄公司 具光提取层的有机发光二极管

Also Published As

Publication number Publication date
JP6638927B2 (ja) 2020-02-05
KR20170132102A (ko) 2017-12-01
JP2019512834A (ja) 2019-05-16
CN109155371A (zh) 2019-01-04
US10615373B2 (en) 2020-04-07
US20190036083A1 (en) 2019-01-31
KR101919043B1 (ko) 2019-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2663085C2 (ru) Органический светоизлучающий диод со слоем модификации поверхности
JPWO2003026357A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板および有機エレクトロルミネッセンス素子
US20170018741A1 (en) Electroluminescent Device,Lighting Apparatus, and Method of Manufacturing Electroluminescent Device
CN102822253A (zh) 具有纳米结构化表面的复合材料多层结构
CN114223025A (zh) 可折叠显示器的柔性多层覆盖透镜堆叠
TW201427132A (zh) 複合漸變折射層結構及包括此結構之封裝結構
WO2016017734A1 (ja) 有機ｅｌ発光装置
EP3177110A1 (en) Organic el light-emitting device
CN109155371B (zh) 基板
CN107703568B (zh) 光反射膜及液晶显示装置用背光单元
JPWO2014208429A1 (ja) 光学積層体及び面光源装置
KR102034446B1 (ko) 유기전자소자용 기판
KR101557180B1 (ko) 광 특성이 우수한 전도성 필름
KR101823358B1 (ko) 투광성 기판의 제조방법 및 이를 통해 제조된 투광성 기판
CN109524569B (zh) 有机电致发光器件及其制作方法、显示面板及显示装置
TW201813151A (zh) 含有光萃取奈米結構之波導以及含有該波導之顯示元件
KR101371867B1 (ko) 광 특성이 우수한 투명 전도성 필름 및 이의 제조방법
TW201530805A (zh) 發光裝置
KR101573228B1 (ko) 반사필름 제조 방법
TWI856648B (zh) 可折疊顯示裝置之可撓性多層覆蓋透鏡堆疊
JP7406565B2 (ja) ホウケイ酸塩光取り出し領域
EP3472248A2 (en) Antireflection film and its use on a substrate
JP2018025740A (ja) 光反射フィルム及び液晶表示装置用バックライトユニット
WO2017204533A1 (ko) 기판
TWI575539B (zh) Conductive capacity with high translucent plate structure

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant