KR20080098040A - 플래시 메모리에서 에러를 정정하기 위한 방법 및 시스템 - Google Patents

플래시 메모리에서 에러를 정정하기 위한 방법 및 시스템 Download PDF

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Abstract

고상 비휘발성 메모리 유닛이 제공된다. 이러한 메모리 유닛은 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 데이터를 저장하도록 된 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 포함한다. 메모리 유닛은 또한 입력 및 출력을 갖는 아날로그 디지털 변환기를 포함한다. 아날로그 디지털 변환기의 입력은 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이로부터 데이터를 수신한다. 아날로그 디지털 변환기의 출력은 제 1 수의 디지털 레벨들 보다 큰 제 2 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 디지털 신호를 출력한다.
멀티 레벨, 고상 메모리, 아날로그 디지털 변환기, 디지털 레벨

Description

플래시 메모리에서 에러를 정정하기 위한 방법 및 시스템{METHOD AND SYSTEM FOR ERROR CORRECTION IN FLASH MEMORY}
관련 출원
본 출원은 35 U.S.C §119(e) 하에서 하기의 미국 가 출원들의 이득을 청구하는 바, 이들 모두는 함께 양도되었으며, 그 전체 내용들이 본원의 참조로서 인용된다;
2006년 1월 20일 출원되었으며 그 명칭이 "플래시 메모리-에러 정정 코드 이슈(Flash Memory-Error Correction Issues)"인 가 출원 60/760,622호;
2006년 1월 25일 출원되었으며 그 명칭이 "코딩 및 신호 처리를 통한 플래시 메모리의 저장 용량의 증가(Increase Storage Capacity of Flash Memory through Coding and Signal Processing)"인 가 출원 60/761,888호; 및
2008년 2월 8일 출원되었으며 그 명칭이 "코딩 및 신호 처리를 통한 플래시 메모리의 저장 용량의 증가(Increase Storage Capacity of Flash Memory through Coding and Signal Processing)"인 가 출원 60/771,621호.
본 출원은 또한, 2006년 11월 8일 출원되었으며 그 명칭이 "코딩 및 신호 처리를 갖는 플래시 메모리(Flash Memory with Coding and Signal Processing)인 동시 출원된 미국 특허 출원 11/598,178호와 관련되는바, 이는 함께 양도 되었으며, 그 전체 개시 내용이 본원의 참조로서 인용된다.
본 발명은 일반적으로 집적 회로에 관한 것이다. 보다 특정하게는, 본 발명은 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리들(multi-level solid state non-volatile memories)에서 에러 정정을 수행하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.
플래시 EEPROM 메모리들과 같은 고상 비휘발성 메모리들은 다양한 전자 응용들에서 이용된다. 플래시 메모리들은 컴팩플래시(CF), 멀티미디어카드(MMC) 및 시큐어 디지털(SD)과 같은 많은 메모리 카드 포맷들에서 이용된다. 이러한 카드들이 이용되는 전자 시스템들은 개인용 및 노트북 컴퓨터들, 포켓용(hand-held) 컴퓨팅 디바이스들, 카메라들, MP3 오디오 플레이어들 등을 포함한다. 플래시 EEPROM 메모리들은 또한 많은 호스트 시스템들에서 대용량 저장 장치(bulk mass stoarge)로서 이용된다.
통상의 고상 메모리들은, 2개의 서로 다른 값들(0 또는 1)중 하나를 취할 수 있는 일련의 이진 디지트들 또는 "비트들"로서 정보를 저장한다. 비트들은 함께 그룹화되어, 보다 큰 수들을 나타낸다.
대부분의 고상 비휘발성 디바이스들과 마찬가지로, 플래시 EEPROM은 결함 및 고장이 나기 쉽다. 에러들은, 프로그램, 소거 및 판독 동작들을 포함하는 메모리 디바이스의 정상 동작들로부터의 스트레스 및 주위 조건들의 결과로서 메모리 상태들의 임계 레벨의 점진적인 시프트를 포함하는 몇 개의 요인들로부터 비롯된다. 동작 동안의 에러들을 막기 위해, 플래시 메모리 디바이스에서는 에러 정정 코 드(ECC) 기술들이 이용된다. 전형적으로, 제어기는 프로그램 동작들 동안 데이터 섹터들의 끝에 부가되는 리던던트 비트들(패리티 비트들)을 발생시킨다. 예를 들어, 512 바이트 데이터 섹터는 부가된 ECC 데이터의 16 바이트를 가짐으로써, 528 바이트 페이지를 야기한다. 판독 동작들 동안, ECC 데이터의 16 바이트에 포함된 리던던트 데이터는 플래시 메모리로부터 판독되는 데이터 내의 에러를 검출하여 정정하는 데에 이용된다.
통상의 메모리에 있어서, 최대 저장 밀도는 단일의 집적 회로 칩 상에 집적될 수 있는 저장 엘리먼트들의 수 및 개별적인 저장 엘리먼트들의 사이즈에 의해 결정된다. 전형적으로, 메모리 밀도의 증가는 메모리 셀들을 제조하는 데에 이용되는 프로세스 지오미트리의 선폭을 감소시킴으로써 제공되었다.
고상 비휘발성 메모리 밀도를 증가시키는 데에 이용되는 다른 기술은 메모리 셀 당 1개 이상의 비트를 저장하는 것이며, 이는 멀티 레벨 메모리 셀이라 불린다. 소정의 메모리 셀(즉, 이진 셀) 내에 전하가 저장되었는 지를 감지하는 것이 아니라, 멀티 레벨 메모리들은 용량성 저장 셀 내에 저장된 전항의 양을 감지하는 센스 증폭기(sense amplifier)를 이용한다. 정보를 2진수 보다 큰 유닛들, 예를 들어 4-레벨(2비트/셀), 8-레벨(3비트/셀), 16-레벨(4비트/셀)로 양자화하고, 이러한 멀티 레벨 유닛들을 저장함으로써, 메모리 밀도를 증가시킬 수 있다. 예로서, 셀을 프로그램하여 4개의 개별적인 임계 레벨들을 생성함으로써, 4개의 별개의 판독 레벨들을 야기한다. 셀당 4개의 레벨 신호가 이용가능하게 되면, 2개의 데이터 비트들이 각각의 고상 비휘발성 메모리 셀로 엔코드될 수 있게 된다. 멀티 레벨 메모리들은 메모리 셀들의 수를 증가시키지 않으면서 보다 높은 밀도의 메모리들의 제조를 가능하게 하는데, 그 이유는 각 메모리 셀이 단일 비트 이상을 저장할 수 있기 때문이다. 단지 예로서, 셀당 2비트를 저장할 수 있는 메모리 셀에 대해서는, 3개의 프로그램 상태 및 소거 상태가 있을 수 있다. 도 1은 4-레벨 양자화를 갖는 고상 비휘발성 메모리 셀에 대한 전압의 함수로서의 확률 분포 함수(PDF)를 개략적으로 나타낸다. 도 1에 도시한 메모리 셀에서는, 4개의 프로그램 상태가 이용된다. 도시된 바와 같이, 어떠한 고상 비휘발성 메모리들에 있어서, 프로그래밍 특성의 PDF는 보다 낮은 전압 레벨들에서 보다 넓은 분포를 갖는다.
하지만, 셀 내에서의 양자화 레벨들의 수를 증가시키게 되면, 인접하는 레벨들 간의 전압 차이가 감소하게 된다. 멀티 레벨 엔코딩 시스템들에 있어서, 이러한 감소는 종종 감소된 신호 거리(reduced signal distance)(감소된 Dmin)라 지칭된다. 감소된 신호 거리는 기록(프로그램) 및 판독 동작 모두에서 비휘발성 메모리의 성능에 영향을 미칠 수 있다. 프로그래밍 동안, 단순히 셀을 완전히 충전시키거나 또는 완전히 방전시키는 것 보다, 다수의 개별적인 전하 유닛들을 용량성 셀로 전달하는 것디 더 어렵다. 따라서, 소정의 셀로 전달되는 전하의 양의 불확실성은 레벨 시프트를 야기함으로써, 틀린 레벨이 셀에 저장되는 "프로그램 디스터브(program disturb)"를 야기한다. 판독 동안, "판독 디스터브"는 하나의 신호 레벨의 분포가 인접하는 신호 레벨의 분포와 오버랩될 때에 발생한다. 신호 거리가 감소하기 때문에, 셀에 저장된 개별적인 값들의 수의 증가는 이진 저장 셀과 비교하여 셀의 노이 즈 마진을 감소시키며, 이에 의해 저장 셀은 잘못된 판독을 하게 되는 경향이 있다. 판독 디스터브는 로우 레벨 신호들에 대해 더 일반적인데, 이들은 도 1에 나타낸 바와 같이 보다 큰 노이즈 분포에 의해 특징화된다.
멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리의 인접하는 셀들 간의 전압 분리(즉, 거리)의 감소는 통상의 고상 비휘발성 메모리 셀들과 비교하여 에러의 수를 증가시킨다. 따라서, 멀티 레벨을 갖는 고상 비휘발성 메모리를 동작시키기 위한 개선된 방법들 및 기술들을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 고상 비휘발성 메모리 유닛이 제공된다. 이러한 메모리 유닛은 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 데이터를 저장하도록 된 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 포함한다. 메모리 유닛은 또한 아날로그 디지털 변환기를 포함한다. 아날로그 디지털 변환기는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이로부터 데이터를 수신한다. 아날로그 디지털 변환기는 또한 제 1 수의 디지털 레벨들 보다 큰 제 2 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 디지털 신호를 출력한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법이 제공된다. 이 방법은 제 1 데이터를 엔코드하는 단계 및 엔코드된 제 1 데이터를 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이 내에 저장하는 단계를 포함한다. 저장되는 엔코드된 제 1 데이터는 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화된다. 상기 방법은 또한 메모리 어레이로부터 제 1 엔코드된 데이터를 검색하는 단계와, 그리고 검색된 데이터를 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이와 관련된 디지털 레벨들의 수 보다 큰 다수의 디지털 레벨들로 디지털화하는 단계를 포함한다.
본 발명의 대안적인 실시예에 따르면, 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기가 제공된다. 이러한 제어기는 일련의 데이터 비트들을 수신하여 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 제공하도록 된 제 1 엔코더를 포함한다. 제어기는 또한, 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이에 저장하기 위해, 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 일련의 데이터 심볼들로 변환하는 맵퍼를 포함한다. 제어기는 또한, 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이로부터 일련의 전압 신호들을 수신하고, 제 1 수의 디지털 레벨들 보다 큰 제 2 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 일련의 출력 데이터 심볼들을 발생시키는 제 1 디코더를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기를 동작시키는 방법이 제공된다. 이 방법은 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 제공하기 위해 제 1 일련의 데이터 비트들을 엔코드하는 단계 및 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 일련의 데이터 심볼들로 변환하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 일련의 데이터 심볼들을 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이에 저장하는 단계 및 일련의 데이터 심볼들을 검색하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 제 1 수의 디지털 레벨 보다 큰 제 2 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 일련의 출력 데이터 심볼들을 제공하기 위해, 일련의 데이터 심볼들을 디코드하는 단계를 포함한다.
본 발명의 특정의 실시예에 따르면, 고상 비휘발성 메모리 유닛이 제공된다. 이 메모리 유닛은 제 1 데이터를 엔코드하는 수단 및 엔코드된 제 1 데이터를 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이에 저장하는 수단을 포함한다. 저장되는 엔코드된 제 1 데이터는 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화된다. 메모리 유닛은 또한 메모리 어레이로부터 제 1 엔코드된 데이터를 검색하는 수단 및 검색된 데이터를 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이와 관련된 디지털 레벨들의 수 보다 큰 다수의 디지털 레벨들로 디지털화하는 수단을 포함한다.
본 발명의 다른 특정의 실시예에 따르면, 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기가 제공된다. 이 제어기는 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 제공하기 위해, 제 1 일련의 데이터 비트들을 엔코드하는 수단과; 그리고 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 일련의 데이터 심볼들로 변환하는 수단을 포함한다. 제어기는 또한 일련의 데이터 심볼들을 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이에 저장하는 수단 및 일련의 데이터 심볼들을 검색하는 수단을 포함한다. 제어기는 또한 제 1 수의 디지털 레벨 보다 큰 제 2 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 일련의 출력 데이터 심볼들을 제공하기 위해, 일련의 데이터 심볼들을 디코드하는 수단을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예들은, 예를 들어 디지털 신호 처리기(DSP)에 의해, 코드로 구현될 수 있다. 이러한 하나의 실시예는 제 1 데이터를 엔코드하는 코드 및 엔코드된 제 1 데이터를 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이에 저장하는 코드를 포함한다. 저장되는 엔코드된 제 1 데이터는 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화된다. 이러한 실시예는 또한 메모리 어레이로부터 제 1 엔코드된 데이터를 검색하는 코드 및 검색된 데이터를 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이와 관련된 디지털 레벨들의 수 보다 큰 다수의 디지털 레벨들로 디지털화하는 코드를 포함한다.
예를 들어 DSP에 의해, 코드로 구현되는 다른 실시예에서는, 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 제어하기 위한 코드가 제공된다. 이 실시예는 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 제공하기 위해 제 1 일련의 데이터 비트들을 엔코드하기 위한 코드 및 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 일련의 데이터 심볼들로 변환하기 위한 코드를 포함한다. 이 실시예는 또한 일련의 데이터 심볼들을 상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이에 저장하기 위한 코드 및 일련의 데이터 심볼들을 검색하기 위한 코드를 포함한다. 이 실시예는 또한 제 1 수의 디지털 레벨들 보다 큰 제 2 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 일련의 출력 데이터 심볼들을 제공하기 위해 일련의 데이터 심볼들을 디코딩하기 위한 코드를 더 포함한다.
통상의 기술들에 비하여 본 발명은 많은 장점들을 달성할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 저장 밀도가 증가된 고상 비휘발성 메모리 시스템들을 제공한다. 또한, 일부 실시예들은 고상 비휘발성 메모리들로부터 읽혀지는 데이터의 신뢰성을 개선시킨다. 실시예에 따라, 이러한 장점들중 하나 이상 뿐 아니라 다른 장점들도 달성될 수 있다. 이러한 장점들 및 다른 장점들은 본 명세서 전체를 통해, 특히 첨부 도면과 관련하여 하기에서 보다 상세히 설명될 것이다.
도 1은 4-레벨 양자화를 갖는 고상 비휘발성 메모리 셀에 대한 전압의 함수로서의 확률 분포 함수(PDF)를 개략적으로 나타낸다.
도 2A는 코딩되지 않은 일 비트 PAM 방식(scheme)에 대한 콘스텔레이션(constellation) 다이어그램이다.
도 2B는 1/2의 평균 전력을 갖는 PAM 방식을 이용하여 변조되는 2비트 데이터에 대한 콘스텔레이션 다이어그램이다.
도 2C는 고상 비휘발성 메모리 셀에서 이용하기 위한 ±1/2의 피크 한계를 갖는 PAM 방식을 이용하여 변조되는 2비트 데이터에 대한 콘스텔레이션 다이어그램이다.
도 3A는 본 발명의 일 실시예에 따른 에러 정정 코드를 갖는 예시적인 고상 비휘발성 메모리 유닛의 단순화된 블록도이다.
도 3B는 본 발명의 일 실시예에 따른 아날로그 디지털 변환기를 통합하는 고상 비휘발성 메모리 유닛의 단순화된 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 에러 정정을 갖는 고상 비휘발성 메모리 유닛의 단순화된 블록도이다.
도 5는 통상의 코딩되지 않은 시스템과 비교하여, 본 발명의 하나의 예시적인 실시예에 따른 메모리 유닛의 워드 에러 레이트(word error rate, WER)를 보여준다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 예시적인 레이트의 1/2 칸벌루션 엔코더 의 다양한 블록들을 보여준다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 2-D 세트 분할(set partitioning)을 보여준다.
도 8은 통상의 TCM 엔코더의 단순화된 블록도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반복적 코드(iterative code)와 세트 분할의 결합 예를 도시한다.
도 10A는 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 엔코더 및 외부 엔코더를 포함하는 2-레벨 엔코딩을 개략적으로 나타낸다.
도 10B는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 2-레벨 엔코딩의 단순화된 블록도이다.
도 11A-11C는 본 발명의 일 실시예에 따른, 다수의 예시적인 섹터들 및 코드워드(codeword) 사이즈를 나타낸다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 예시적인 3-웨이(way) 인터리브된 셀을 도시한다.
도 13A는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 인터리빙 기술의 단순화된 개략도이다.
도 13B는 본 발명의 예시적인 실시예에 다른 인터리빙 기술의 단순화된 개략도이다.
도 14A-14H는 본 발명이 구현될 수 있는 다양한 디바이스들을 보여준다.
도 2A는 코딩되지 않은 일 비트 PAM(펄스 진폭 변조) 방식에 대한 콘스텔레이션 다이어그램이며, 이러한 PAM 방식에 따라, 정보는 0(-1V) 또는 1(+1V)로서 저장된다. 도 2B는 평균 파워(average power)가 1인 PAM 방식을 이용하여 변조되는 2비트 데이터에 대한 콘스텔레이션 다이어그램이다. 2 비트에 의해 정의되는 4개의 상태들, 즉 상태(00, 01, 10 및 11)은 4개의 가능한 레벨들, 예를 들어
Figure 112008059405500-PCT00001
,
Figure 112008059405500-PCT00002
,
Figure 112008059405500-PCT00003
및
Figure 112008059405500-PCT00004
중 하나에 맵핑(mapping)된다. 이러한 전압들이 주어지면, 1/2 코드 레이트를 갖는 2-포인트 PAM (2-PAM) 및 4-포인트 PAM (4-PAM) 모두는 1 비트/셀 스텍트럼 효율을 제공하며, 균등한 전력에 의해 특징화된다. 도 2B에 도시된 변조 방식에 있어서, 그레이(Gray) 맵핑을 갖는 4-상태 코드는 4-상태 자연 맵핑(natural mapping)에 비해 비트 에러 레이트를 감소시킨다.
고상 비휘발성 메모리 디바이스들에 있어서, 플로팅 게이트에 인가되는 최대 전압은 멀티 레벨 심볼들의 맵핑에 이용가능한 최대 전압을 제한한다. 이러한 전압 제한은 적용되는 변조 및 엔코딩 방식의 콘스텔레이션 값들에 대한 피크 제한을 야기한다. 따라서, 고상 비휘발성 메모리 디바이스에 있어서, 콘스텔레이션 포인트들은 이러한 제한을 고려해야 한다. 고상 비휘발성 메모리 유닛의 최대 전압 제한 특성은, 부가적인 전력 증가가 이용가능한 다른 채널들과 대조적이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 이러한 제약들에도 불구하고 동작가능하도록 설계된 멀티 레벨 비휘발성 고상 메모리들에 대해 변조 및 엔코딩 방식들을 이용한다.
도 2C는 고상 비휘발성 메모리 셀에서 이용하기 위하여 ±1로 제한된 피크 값을 갖는 PAM 방식을 이용하여 변조되는 2-비트 데이터에 대한 콘스텔레이션 다이어그램이다. 심볼(00)은 -1V의 신호 진폭에 맵핑되고, 심볼(10)은 +1V의 신호 진폭에 맵핑되는 바, 본 예에서, 이들은 소정의 고상 비휘발성 메모리 셀에 의해 저장되는 최대 전압들에 해당한다. 비휘발성 고상 메모리 셀들을 가로질러 최대의 허용가능한 전압을 고려하여 스케일링된 전력을 인가하게 되면, 자유 거리의 제곱(squared free distance)가 5/9의 팩터 만큼 감소하게 되어, 코딩되지 않은 2-PAM 시스템에 대해 0dB의 코딩 이득을 야기하게 된다.
레벨들의 수가 증가함에 따라 신호 대 잡음비(SNR)는 감소한다. 하지만, SNR 감소의 기울기는 이러한 2개의 시스템들에 대해 같지 않다. 도 2B 및 2C를 참조하여, SNR은 콘스텔레이션 맵에 있어서 가장 가까운 이웃들 간의 최소 거리와 관련된다. 결과적으로, 고상 비휘발성 메모리 디바이스들에 있어서의 전압 제약은 유용한 최소 거리 및 SNR을 감소시킨다. 따라서, 소정 수의 레벨들에 대해, 메모리 시스템들은 일반적으로 기존의 다른 시스템들과 비교하여 더 낮은 SNR을 갖는다. 이러한 차이점들의 결과로서, 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 엔코딩 및 변조 기술들은 고상의 비휘발성 메모리들의 환경(즉, 주위) 특성에 적합하게 된다.
같은 에너지 콘스텔레이션들을 가정하면, 코딩되지 않은 시스템에 대해, 에러 확률(Puncoded)은 하기의 식에 의해 상한이 정해진다:
Figure 112008059405500-PCT00005
여기서, Amin은 가장 가까운 이웃들의 수이고, d2 min은 콘스텔레이션에서의 2개의 포인트들 간의 최소 거리의 제곱이며, 그리고 Q(x)는 컴플리멘터리 에러 함수(co-error function)이다.
코드화된 시스템들에 대해서는 다음과 같다:
Figure 112008059405500-PCT00006
여기서, dfree는 최소 거리이다.
점근적인 코딩 이득(asymptotic coding gain)은 다음에 의해 정의된다:
Figure 112008059405500-PCT00007
일반적으로, 코드화된 시스템에 있어서, 최소 거리 dfree는 코드화되지 않은 시스템과 비교하여 증가됨으로써, 1 보다 큰 점진적인 코딩 이득을 가져온다. 하지만, 가장 가까운 이웃들의 수 역시 증가하게 되어, 실제 코딩 이득은 얼마간 감소하게 된다.
도 3A는 본 발명의 일 실시예에 따른 ECC를 갖는 예시적인 고상 비휘발성 메모리 유닛(300)의 단순화된 블록도이다. 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리(314)의 멀티 레벨 메모리 셀들 내에 기록될 사용자 데이터는 리던던트 심볼들을 부가하기 위해 엔코더(310)에 의해 엔코드되는 ECC이다. 엔코드된 데이터는 채널 엔코딩을 위해 변조기(312)에 전달된다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 다수의 엔코딩 및 변조 기술들중 임의의 하나가 이용될 수 있다.
멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리(314)는 변조기(312)로부터 엔코드 및 변조된 데이터를 수신한다. 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리(314)는 플래시 EEPROM 등이 될 수 있다. 일반적으로, 멀티 레벨 플래시 메모리는 하나 이상의 플래시 메모리 셀 어레이들과, 판독 및 기록(프로그램) 회로를 포함한다. 멀티 레벨 플래시 메모리에 부가하여, 본 발명의 범위 내에 포함되는 다른 타입들의 고상 비휘발성 메모리 기술들이 있다. 플래시 메모리들과 같은 플로팅 게이트 메모리 셀들은 본원에서 단지 예로서 설명된다. 본 명세서를 통해 설명되는 본 발명의 실시예들은, 적절한 변경을 가하여, 플로팅 게이트 기술 이외의 다른 메모리 기술들에도 적용될 수 있다. 당업자라면 많은 변형들, 수정들 및 대안들을 인식할 것이다.
멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리(314)로부터 데이터가 읽혀진 다음, 복조기(31) 및 디코더(18)에 전달된다. 본 발명의 실시예들에서의 복조기는, 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리(314)에 저장된 데이터와 관련된 소프트 정보(soft information)를 추출하도록 된 신호 처리 논리를 포함한다. 통상의 이진 비휘발성 메모리 유닛들에서는, 임계값 검출기(threshold detector)를 이용하여, 특정 셀과 관련된 전압 값이 소정의 임계값 보다 작은지 또는 큰지를 결정한다. 이러한 임계값 기반의 시도는 또한 멀티 레벨 메모리 유닛들에서도 이용되는 바, 여기서 임계값 검출 회로는 단지 더 많은 수의 임계값들을 이용한다. 비록 일부 멀티 레벨 메모리 유닛들이, 프로세스 또는 다른 변형을 추적한 다음 그에 따라 임계값들을 조 정하는 회로를 포함하기는 하지만, 이러한 유닛들은 멀티 레벨 유닛 내의 레벨들의 수와 같은 다수의 가능한 값들로부터의 하나의 값을 출력한다. 따라서, 예를 들어 통상의 4-레벨 비휘발성 메모리에 대해, 센스 증폭기는 4개의 레벨들중 하나를 나타내는 데이터 신호를 생성할 것이다.
통상의 멀티 레벨 메모리 시스템들과 대조적으로, 본 발명의 실시예들은 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리(314)에 의해 제공되는 레벨들의 수 보다 큰 다수의 가능한 값들을 갖는 출력을 생성하는 복조기를 이용한다. 이러한 정보는 종종 소프트 정보라 불리는데, 그 이유는 이러한 출력은 멀티 레벨 메모리 내에 저장된 값 외에 정보를 포함하기 때문이다. 단지 예로서, 복조기(316)의 일부로서 제공되거나 또는 복조기(316)와 관련하여 작동하는 아날로그 디지털 (A/D) 변환기는, 예를 들어 4-레벨 메모리와 통신하도록 배치된 센스 증폭기에 의해 검출되는 값들에 응답하여, 예를 들어 32개의 가능한 값들을 갖는 출력 신호를 제공한다. 본 발명의 실시예들은 32개의 레벨들을 갖는 출력 신호를 이용하는 것에 한정되지 않는데, 그 이유는 예를 들어 8개, 16개 또는 그 이상의 레벨들을 갖는 다른 출력 신호들도 본 발명의 범위 내에 포함되기 때문이다. 일부 응용들에서, 소프트 정보는 처리를 위해 소프트 입력 디코더(미도시)에 전달된다. 본 발명에 따르면, 복조기(316)에 의해 제공되는 소프트 정보는 신호 처리 동작들 동안 이용되어, 고상 비휘발성 메모리(314)로부터 데이터가 읽혀지는 신뢰성을 개선시킨다.
본 발명의 실시예들에서, 엔코더(310), 변조기(312), 복조기(316) 및 디코더(318)는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리(314)과 통신하는 제어기의 구성요소 들이다. 메모리 디바이스들은 전형적으로 카드 상에 장착되는 하나 이상의 메모리 칩들을 포함한다. 메모리 칩들 각각은 메모리 셀들의 어레이 뿐 아니라, 프로그램, 판독 및 소거와 같은 동작들을 수행하는 집적 회로들을 포함한다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 이러한 동작들을 수행하는 제어기 회로는 메모리 칩(들)이 또한 배치되는 집적 회로들(IC) 내에 배치되거나 또는 배치되지 않을 수 있다. 여기에서 제공되는 제어기들은 엔코딩/디코딩 및 변조/복조 프로세스들을 수행하는 것에 한정되지 않으며, 웨어 레벨링(wear leveling) 및 인터페이싱 프로세서들과 같은 다른 기능들을 또한 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 시스템 설계자들로 하여금 기존의 고상 비휘발성 메모리들의 메모리 밀도를 증가시키게 할 수 있다. 본 명세서를 통해 보다 충분하게 설명되는 바와 같이, 통상의 유닛들과 비교하여, 판독 및 기록 에러들의 증가된 레벨들은 여기에서 제공되는 기술들 및 방법들을 이용하여 정정된다. 따라서, 비록 부가적인 레벨들을 도입함으로써, 예를 들어 8-레벨 응용들에 대해, 예를 들어 4-레벨 메모리 시스템을 이용하도록 시도하는 것이, 소정의 성능 척도(measure) 하에서 수락가능한 것 보다, 판독 동작들 동안 보다 많은 수의 에러들을 발생시키기는 하지만, 여기에서 설명되는 기술들은 복조 프로세스 동안 이러한 에러들을 정정하고, 8-레벨 응용에서, 이를 테면 4-레벨 메모리 시스템의 이용을 가능하게 하는 데에 이용될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 메모리 어레이들, 센스 증폭기들 등을 포함하여, 일부 동일한 구성요소들을 여전히 이용하면서, 기존의 고상 비휘발성 메모리 시스템들의 메모리 밀도가 증가될 수 있다.
도 3B는 본 발명의 일 실시예에 따른, A/D 변환기를 통합하는 고상 비휘발성 메모리 유닛(350)의 단순화된 블록도이다. 도 3B에 도시된 바와 같이, 엔코더(360) 및 변조기(362)는 엔코드 및 변조된 데이터를 멀티 레벨 비휘발성 고상 메모리(364)에 제공한다. A/D 변환기(366)는 멀티 레벨 비휘발성 고상 메모리(364)로부터 신호들을 수신한다. A/D 변환기(366)에 의해 출력되는 디지털 신호들은 멀티 레벨 비휘발성 고상 메모리(364)와 관련된 레벨들의 수 보다 (더 많은 레벨들에 의해 특징화되는) 더 높은 해상도(resolution)를 갖는다. 단지 예로서, 특정의 실시예에서, 멀티 레벨 비휘발성 고상 메모리(364)는, 예를 들어 4-레벨 메모리이며, 이에 의해 각 셀에서 2 비트에 대한 저장소를 제공한다. 판독 동안 동안, A/D 변환기(366)는 메모리(364)의 하나 이상의 셀들과 관련된 아날로그 신호를, 특정의 응용에 따라, 예를 들어 8, 16, 32 또는 64 레벨들중 하나로 변환한다. 다른 실시예들에서는, 4 레벨 보다 큰 다른 수의 레벨들이 이용된다. 복조기(368) 내에 상주하는 신호 처리 알고리즘들은 A/D 변환기(366)의 출력을 이용하여, 셀이 그 셀 내에 저장된 4 레벨들중 하나와 관련된 데이터를 포함하는 가능성을 결정한다. 당업자라면 많은 변형들, 수정들 및 대안들을 인식할 것이다.
통상의 고상 메모리들에 있어서, ECC 기술들은 메모리로부터 데이터가 읽혀질 때 그 데이터 내의 에러들을 검출하여 정정하는 데에 이용된다. 이러한 ECC 기술들은 단지 센스 증폭기에 의해 생성된 이진 또는 멀티 레벨 디지털 데이터에 대해서만 동작한다. 한편, 본 발명에 따르면, 복조기(316)에 의해 생성되고 이용되는 소프트 정보는 이진 또는 멀티 레벨 디지털 데이터 만을 포함하는 것이 아니라, 부 가적인 정보도 포함한다. 전형적으로, 소프트 정보는, 일단 데이터가 멀티 레벨 시스템 내의 레벨들의 수와 같은 임계 기반의 디지털 값들로 감소되면 일반적으로 적용할 수 없는 신호 처리 기술들을 수행하는 데에 유용한 분포들에 의해 표현된다.
본 발명의 실시예들을 이용하게 되면, 코딩되지 않은 시스템들과 비교하여, 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 시스템들에 대해 양의 코딩 이득(positive coding gain)이 달성된다. 표 1은, 코드의 상태들의 수의 함수로서의, 코딩되지 않은 1 비트/셀 비휘발성 메모리에 대하여 칸벌루션 코딩된 2 비트/셀 멀티 레벨 비휘발성 메모리부터의 예시적인 코딩 이득을 도시한다. 제 1 로우 엔트리에 나타낸 바와 같이, (도 2A-2C에 의해 도시된) 4-상태 시스템에 대해, 코딩되지 않은 시스템과 비교하여 코딩 이득은 0dB이다. 하지만, 상태들의 수가 증가할 수록, 코딩되지 않은 시스템과 비교하여 코딩 이득은 양이 된다.
상태들의 수 코딩 이득(dB)
4 0
8 0.46
16 0.87
32 1.50
표 2는, 코드의 상태들의 수의 함수로서의, 코딩되지 않은 2 비트/셀 멀티 레벨 비휘발성 메모리에 대하여 칸벌루션 코딩된 3 비트/셀 멀티 레벨 비휘발성 메모리부터의 예시적인 코딩 이득을 도시한다. 4개 또는 그 이상의 상태들을 갖는 1 비트/셀 멀티 레벨 비휘발성 메모리에 대해 나타낸 바와 같이, 4개 또는 그 이상의 상태들을 갖는 시스템들에 대해, 코딩되지 않는 시스템과 비교하여 코딩 이득은 양이 된다.
상태들의 수 코딩 이득(dB)
4 2.18
8 2.64
16 3.05
32 3.78
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른, 에러 정정을 갖는 고상의 비휘발성 메모리 유닛의 단순화된 블록도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 외부 엔코더(1410)는 엔코드된 데이터를 내부 엔코더(1412)에 제공된다. 예로서, 외부 엔코더(1410)는 리드-솔로몬 엔코더가 될 수 있고, 내부 엔코더는 저 밀도 패리티-체크(low-density parity-check, LDPC) 엔코더가 될 수 있다. 이러한 엔코딩 기술들은 단지 예들로서 이용된 것으로서, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 당업자라면 많은 변형들, 수정들 및 대안들을 인식할 것이다. 변조기(414)는 내부 엔코더(1412)로부터 엔코드된 데이터를 수신한 다음, 그 데이터를 프로그램 동작 동안 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리(1416)에 저장하기 전에 변조한다. 판독 동작 동안, 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리(1416)에 저장된 데이터가 검색되어, 복조기(1418), 내부 디코더(1420) 및 외부 디코더(1422)에 제공된다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 순방향 에러 수정(Forward Error Correction, FEC) 코드를 포함한 임의수의 에러 정정 코드(ECC)를 이용하여, 전송되는 데이터에 조직화된 리던던시(structured redundancy)를 부가함으로써 전력-제한된 그리고/또는 대역폭-제한된 채널들의 비트 에러 레이트(BER) 성능을 개선한다. 예를 들어, 블록 코드들을 이용하여, 부가적인 버스트 노이즈(burst noise)(랜덤 멀티 비트 에러들)에 의해 채널들에 대한 데이터 블록을 엔코드할 수 있다. 본 발명은 엔코딩 및 저장 이전에 사용자 데이터를 처리하지 않는 시스메틱 엔코더(systematic encoder)들 뿐 아니라, 비 시스메틱 엔코더(non-systematic encoder)들 모두에 적용될 수 있다.
예를 들어 해밍 코드, BCH 코드, 리드-멀러 코드 및 어레이 코드와 같은 이진 코드들 및 리드-솔로몬(RS) 코드와 같은 비 이진 코드들을 포함하는 많은 수의 서로 다른 선형 블록 코드들중 임의의 코드가 이용될 수 있다. 블록 사이즈의 선택은 이용되는 코드 및 SNR에 달려있다. 예를 들어, 전압 레벨들이 셀 마다 4에서 8까지 증가하고, 각각의 3개의 셀들이 함께 그룹화되어 9-비트 심볼을 형성한다고 가정하자. GF(29)에 기초하여, (511,451) 리드-솔로몬 코드가 적용되면, 코드워드 길이는 511*9=4599 비트가 되고, 코드 레이트는 451/511~=0.883이 된다. 따라서, 코딩된 시스템에 대한 저장 용량은 3*451/511~=2.6비트/셀이 되는 바, 이는 코딩되지 않은 4-레벨 시스템에 비하여 32%의 용량 증가를 나타낸다. 이러한 코드화된 시스템의 워드 에러 레이트(WER)는 도 5에서 4-레벨 코드화되지 않은 시스템과 비교된다. WER<10-8에서, RS 코드화된 시스템은 코드화되지 않는 시스템 보다 성능이 낫다는 것을 알 수 있다. 따라서, 상기 RS 코드를 이용하여, 보다 나은 신뢰성 및 보다 높은 용량이 달성된다.
본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 예를 들어, 노이즈가 심볼 간에 독립적일 때에는, 칸벌루션 코드들을 이용하여 데이터를 엔코드한다. 이러한 칸벌루션 코드들은 코드화된 데이터에 상관(correlation)을 도입시키며, 이에 따라 디코더에서 최소 거리를 증가시킨다. 칸벌루션 코드들은 가우션 노이즈의 영향을 받는 고상 비휘발성 메모리들 내에 저장되거나 또는 이들로부터 판독되는 직렬 전송 데이터(serially-transmitted data)에 적용된다. 칸벌루션 코드들은 전진 코드들(progressive codes)이다. 임의의 시간 포인트에서, 칸벌루션 엔코더의 출력은 과거 및 현재 입력 값들 모두에 의존한다. 따라서, 일반적으로, 칸벌루션 코드들은 데이터 값들의 정렬된 열(ordered progression)에 걸쳐있는 에러들을 정정하는 것과 관련된다. 이에 따라, 이러한 코드들은 정렬된 전진 스트림(progressive stream)(즉, 데이터 스트림)의 형태로 데이터를 저장하고 판독하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리들에서 이용될 수 있다.
디코더는 하드 결정 입력들(hard decision inputs) 또는 멀티 레벨 양자화된 입력들을 수신한다. 소프트 입력들은 검출기에서 보다 적은 에러들을 야기하는 것으로 알려져있다. 도 6은 예시적인 레이트의 1/2 칸벌루션 엔코더(600)의 다양한 블록들을 보여준다. 모듈로-2 가산기(modulo-2 adder)(620)에 의해 생성되는 출력(C2)은 시프트 레지스터들(602, 606) 및 입력(U)에 의해 정의된다. 예를 들어 전압 레벨들이 4부터 8까지 증가되는 경우, 3*3/4=2.25 비트/셀을 얻기 위해 레이트 3/4 칸벌루션 코드를 인가하게 되면, 저장 용량의 10% 증가를 가져온다. 코드화되지 않은 4-레벨 시스템과 동일한 에러 레이트를 달성하기 위해서는, 칸벌루션 코드의 자유 거리가 (7/3)2=5.44 보다 커야 한다. 6개의 메모리 유닛들을 갖는 3/4 칸벌루션 엔코더는 26=64 상태들을 갖는 비터비 디코더(Viterbi decoder)를 요구한다.
트렐리스 코드화된 변조(trellis coded modulation, TCM)는 높은 코드 레이트, 높은 코딩 이득 및 낮은 디코딩 복잡성을 달성하기 위해, 칸벌루션 코드와 세트 분할을 결합한다. 콘스텔레이션 포인트들의 세트는 보다 작은 서브셋(subset)으로 분할될 수 있는 바, 여기서 각 서브셋 내의 포인트들은 최초의 콘스텔레이션에서 보다 더 분리된다. 도 7은 2-D 세트 분할의 예를 나타내는 바, 여기서 점들 "
Figure 112008059405500-PCT00008
"은 하나의 서브셋을 나타내고, 십자 기호 "x"는 나머지 서브셋을 나타낸다. 최초의 콘스텔레이션 포인트들 간의 최소 거리가 d이면, 각 서브셋의 포인트들 간의 최소 거리는
Figure 112008059405500-PCT00009
이다. 플래시 메모리 시스템들의 판독 경로 채널들과 같은 AWGN(additive white Gaussian Noise) 채널들을 갖는 시스템들에서, 시스템의 성능을 지배하는 파라미터는 칸벌루션 코드의 자유 해밍 거리(free Hamming distance)가 아니라, 전송되는 신호 시퀀스들 간의 자유 유클리디안 거리(free Euclidean distance)이다. 따라서, TCM 설계의 최적화는 해밍 거리가 아니라 유클리디안 거리에 기초한다.
도 8은 TCM(800)의 예를 도시한다. 입력 비트들은 2개의 그룹들, 즉 서브셋들을 선택하기 위해 레이트 k1/(k1+1) 엔코더(802)를 통과하는 k1 비트들을 갖는 제 1 그룹; 및 각 서브셋 내에서, 콘스텔레이션 맵퍼(constellation mapper)(804)를 이용하여, 콘스텔레이션 포인트들을 선택하는 k-k1 비트들을 갖는 제 2 그룹으로 분리된다. 하기에서는, 2비트/셀에서 2.5비트/셀로의 예시적인 용량 증가에 대해 설명한다. 8개의 전압 레벨들이 있고, 2개의 인접하는 셀들 각각이 결합되어 64 QAM 콘스텔레이션을 형성한다고 가정하자. 64 QAM은 4개의 코우세트(coset)로 분할된다. 각 코우세트 내의 임의의 2개의 포인트들 간의 거리는 8*d0 이다. 코우세트를 선택하는 데에 레이트 3/4 칸벌루션 코드가 이용되고, 임의의 소정의 코우세트 내의 포인트를 선택하는 데에 2개의 코드화되지 않은 비트들이 이용된다고 가정하자. 이에 따라, 전체적인 코드 레이트는 5/6이 되어, 2.5 비트/셀을 야기한다. 전체적인 코딩 이득은 0.43dB 이다. 따라서, 이러한 TCM 코드화된 시스템은, 저장 용량을 25% 증가시키면서, 코드화되지 않은 4 레벨 시스템 보다 나은 성능을 갖는다.
랜덤 구성에 기초하는 어떠한 코드들은 반복적 검출 방법(iterative detection method)에 의해 효율적으로 디코드될 수 있다. 이러한 코드들은 터보 코드들, 즉 직렬 연결된 칸벌루션 코드들, 또는 병렬 연결된 칸벌루션 코드들, 저 밀도 패리티-체크(LDPC) 코드들, 터보 제품 코드(Turbo Product code), 및 이들의 변형들을 포함한다.
TCM의 코딩 이득은 2개의 영역들, 즉 각 서브셋 내의 콘스텔레이션 포인트들 간의 거리를 증가시키기 위한 세트 분할, 및 서로 다른 서브셋들 간에 높은 유클리디안 거리를 달성하기 위한 칸벌루션 코드로부터 비롯되는 바, 여기서 후자는 다른 높은 이득 코드들이 칸벌루션 코드에 대해 대체되는 경우에도 달성될 수 있다. 도 9는 반복적 코드(iterative code)와 세트 분할을 결합하는 예를 나타낸다. 16-PAM 시스템이 4개의 서브셋으로 분할된다고 가정하자. 그러면, 각 서브셋 내의 포인트들 간의 최소 거리는 4d0가 되며, 이에 따라 코딩되지 않은 시스템과 비교하여 12dB의 이득을 제공한다. 하지만, 서로 다른 서브셋들 간에는, 최소 거리가 d0에서 유지된다. 서브셋의 선택은 LDPC 엔코더(902)에 의해 공급되는 LDPC 코드화된 비트들에 의존하기 때문에, 12dB의 이득을 갖는 LDPC 코드가 이용되는 경우, 전체 시스템은 12dB의 개략적인 이득을 갖게 된다. 일반적으로, 전체 시스템 이득은 반복 코딩 이득과 세트 분할 이득의 최소치이다. 도 9에 나타낸 LDPC 엔코더(902)는 반복적 코드 블럭 사이즈에 의해 정의되는 전체 코드워드에 대해 동작할 것이 요구된다. 반복적 코드들에 부가하여, 서브셋 선택에 대해 입력의 일부를 코드화하기 위해, RS 코드 및 BCH 코드를 포함하는 다른 높은 이득 코드들이 이용될 수 있다.
일부 실시예들에 따르면, 코딩 이득을 더욱 개선하기 위하여, 멀티 레벨 코딩이 이용될 수 있다. 도 10A는 내부 엔코더 및 외부 엔코더를 포함하는 2-레벨 엔코딩을 도시한다. 하나의 예시적인 실시예에서, 외부 코드 엔코더(1002)는 RS 엔코더가 될 수 있고, 내부 코드 엔코더(1004)는 TCM 엔코더가 될 수 있다. TCM 디코더(1006)에 의해 야기되는 버스티 에러(bursty error)들은 RS 디코더(1008)에 의해 정정된다.
다른 예시적인 실시예에서, 내부 엔코더(1004)는 LDPC 코드들 또는 터보 코드들과 같은 반복적 코드들을 수행하고, 외부 엔코더(1002)는 RS 코드를 수행한다. 반복적 코드들은 이진 코드들 또는 심볼 기반의 코드들이 될 수 있다. 각 심볼은 다수의 비트들을 포함할 수 있다. 반복적 코드들은 소프트 입력 소프트 출력(soft-input soft-output)(SISO) 디코더를 이용하여 디코드될 수 있고, RS 코드들은 SISO 또는 하드 결정 디코더(hard-decision decoder)를 이용하여 디코드될 수 있다. 외부 RS 디코더(1008)는 내부 디코더(1006)와 반복하여 소프트 정보를 교환할 수 있다. 이러한 반복은 소프트 정보의 품질을 개선함으로써, 각 반복 이후 비트 에러들의 수를 감소시킨다.
여기에서 제공되는 다양한 실시예들의 설명은 단지 예로서 제공되는 것으로서, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 다양한 다른 코딩 기술들, 인터리빙 기술들, 변조 기술들, 복조 기술들, 디코딩 기술들, 맵핑 기술들 등이 본 발명의 범위 내에 포함된다.
도 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 프로그램된 셀들의 PDF는 셀의 임계 전압에 따라 다르다. 4개의 레벨들이 균일하게 이격되는 경우, 2V 내지 4V 범위의 임계 전압에 의해 정의되는 PDF를 갖는 셀들에 해당하는 레벨은, 자신의 보다 넓은 폭으로 인해 다른 레벨들 보다 에러 경향이 더 크다. 이에 따라, 일부 실시예들에서는, 강제적인 코딩(constrained coding)을 이용하여, 특정의 패턴들을 억제시키거나, 또는 이들의 주파수를 감소시킨다. 예를 들어, 2V 내지 4V 범위의 임계 전압에 의해 정의되는 PDF를 갖는 셀들에 해당하는 데이터의 주파수를 낮추게 되면, 전체 에러 확률을 떨어뜨린다.
일부 실시예들에서, 코드워드 사이즈는 섹터 사이즈와 정렬된다. 예를 들어, 섹터 사이즈가, 예를 들어 256 kbits이면, 내부 코드 및 외부 코드는 하나의 외부 코드워드가 256 kbits가 되도록 구성될 수 있다. 또한, 섹터 사이즈에 대해 보다 작거나 또는 보다 큰 코드워드 사이즈도 이용될 수 있다. 도 11A에서, 섹터 사이즈는 코드워드 사이즈와 같은 것으로 나타나있다. 보다 작은 코드워드 사이즈의 경우, 각 섹터는 도 11B에 나타낸 바와 같이 복수개의 코드워드들을 포함한다. 보다 큰 코드워드 사이즈의 경우, 각 코드워드는 도 11C에 나타낸 바와 같이 복수개의 섹터들을 포함한다. 일반적으로, 코드워드 사이즈가 커질수록, 코딩 이득이 커지고, 디코딩 지연이 길어지며, 그리고 디코더 복잡성이 더 커지게 된다.
코드워드들은 저장되기 전에 인터리브될 수 있다. 도 12는 예시적인 3-웨이 인터리브된 셀을 보여주는 바, 여기서 셀들(1202)은 코드워드 1을 형성하고, 셀들(1204)을 코드워드 2를 형성하며, 그리고 셀들(1206)을 코드워드 3을 형성한다. 결함이 단지 3개의 셀들에만 이른다면, 각 코드워드 내에 단지 1개의 심볼 에러 만을 야기하게 되는데, 이는 3개의 심볼 에러들의 버스트 보다 정정하기가 더 쉽다.
본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 설명한 바와 같이, 데이터의 코딩은 다수의 비휘발성의 고상 반도체 메모리들에 걸쳐서 적용될 수 있으며, 이러한 메모리들은 서로의 상부에 물리적으로 스택(stack)된다. 예를 들어, 8개의 비휘발성의 고상 반도체 메모리들이 서로 스택된다면, GF(28) 기반의 RS 코드가 이러한 메모리들에 걸쳐서 적용될 수 있으며, 여기서 RS 코드 심볼의 각 비트는 이러한 메모리들중 하나로부터 비롯된다. 이러한 메모리들을 통한 코딩은, 이러한 메모리들중 하나가 큰 결함들을 갖는 경우 에러 복구를 개선시킨다.
도 13A는 본 발명의 예시적인 실시예에 따라 제공되는 인터리빙 기술의 단순화된 개략도이다. 도 13A에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 TCM 엔코더와 같은 내부 엔코더는 데이터의 로우(row)들 상에서 이용되고, 예를 들어 RS 엔코더와 같은 외부 엔코더는 데이터의 블록 칼럼(column)들 상에서 이용된다. 이러한 예시적인 실시예는, 예를 들어 고상 비휘발성 메모리들에서 이용될 수 있는바, 여기서 데이터는 메모리 셀들 내에 직사각형 포맷, 즉 블록들로 기록된다. 상당한 길이의 멀티 비트 에러가 내부 TCM 코드 상에 존재하는 상황들에서, 본 발명의 실시예들에 따르면, 복수개의 독립적인 외부 RS 코드들이 멀티비트 에러에 의해 부패(corrupt)된 데이터를 처리한다. 이에 따라, 개별적인 RS 코드에 영향을 주는 에러들의 수가 제한된다. 도 13A를 참조하여, 특정의 구현에 있어서의 칼럼들의 수는, 부분적으로, 최대 에러 버스트 길이에 의해 결정된다. 로우들의 수는, 부분적으로, 블록 코드워드 마다의 섹터들의 수에 의해 결정된다.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 칼럼들의 수는 특정의 응용에 따라 미리 결정된다. 예를 들어, (인터리빙 깊이와 관련된) 칼럼들의 수가 최대 에러 버스트 길이 보다 큰 경우, 칼럼들 상에서 동작하는 외부 엔코더는 특정의 심볼 에러 레이트에 의해 특징화되는 메모리리스 채널(memoryless channel)과 유사하다. 따라서, 발생하는 에러 버스트들은 다른 외부 엔코더 코드들에 영향을 준다. 심볼 에러 레이트는 전형적으로 TCM 시뮬레이션들을 독립적으로 이용함으로써 결정되며, 에러 확률은 독립적인 모델링(modeling)에 의해 추정될 수 있다. 예를 들어 RS 엔코더와 같은 외부 엔코더의 오버헤드 비율은 블록 코드워드의 로우 치수를 증가시킴으로써 감소될 수 있다. 대안적으로, 오버헤드 비율을 일정하게 유지하면서, RS 코드의 로우 치수를 증가시킴으로써, 칼럼당 더 높은 정정 파워를 가능하게 한다.
도 13B는 도 13A에 도시한 인터리브된 시스템에 대한 SNR의 함수로서의 SER의 플롯이다. 도 13B에 제시된 데이터를 계산하기 위해, 블록 코드워드당 10개의 칼럼들 및 10개의 섹터들이 이용되었다. 다른 실시예들은 특정의 응용에 따라 블록 코드워드당 가변수의 칼럼들 및 섹터들을 이용한다. 비교를 위해, 코드화되지 않은 2 비트/셀 4-PAM 시스템에 대한 SER이 도시된다. 외부 엔코더(본 예에서는, RS 엔코더)의 강도(strength)가 정정 파워들의 범위에 따라 달라지는 구현들에 대한 SER 값들이 나타나있다(tRS는 각각 12, 14 및 16이다). 외부 엔코딩의 강도 또는 정정 파워가 증가함에 따라, 코드화된 시스템이 코드화되지 않은 시스템과 같은 레벨로 떨어지는 SNR은 감소한다. 도 13B를 참조하여, 이러한 교차점(cross-over point)은, 각각의 tRS=12, 14 및 16에 대해, 약 22.4dB, 22.2dB 및 22.0dB에 있다.
특정의 예시적인 실시예에서, 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리들은, 예를 들어 2.5 비트/셀을 포함한다. 이러한 실시예들에서, 2개의 인접하는 8-레벨 셀들(3 비트/셀)은 64-QAM 변조 심볼을 형성한다. 이러한 64-QAM 변조 심볼의 6개의 비트들 중에서, 5개의 비트들은 데이터에 대해 이용되고, 1개의 비트는 엔코딩에 이용된다. 따라서, 이러한 예시적인 실시예들에서, 코드 레이트는 5/6 이고, 상태 마다의 브랜치들의 수는 4 이다. 이러한 시스템은, 5개의 데이터 비트들이 2개의 인접하는 셀들 간에 저장될 때 2.5 비트/셀을 제공한다. 이러한 예시적인 실시예들에서, 코드화되지 않은 4-PAM 시스템과 비교하여, 코딩 이득은, 예를 들어 16개의 상태들에 대해 0.423dB이 될 수 있다. 주목할 사항으로서, 계산 결과 내에 멀티플리시티(multiplicity)들이 포함되면, 이러한 계산 결과는 변조될 것이다. 예를 들어, 약 0.2dB의 손실은 멀티플리시티를 두배로 함으로써 기대된다. 당업자라면 많은 변형들, 수정들 및 대안들을 인식할 것이다.
다른 특정의 예시적인 실시예에서는, 예를 들어 3.5 비트/셀을 갖는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리들이 제공된다. 이러한 실시예들에서, 2개의 인접하는 16-레벨 셀들(4 비트/셀)은 256-QAM 변조 심볼을 형성한다. 이러한 256-QAM 변조 심볼의 8개의 비트들 중에서, 7개의 비트들은 데이터에 대해 이용되고, 1개의 비트는 엔코딩에 이용된다. 따라서, 이러한 예시적인 실시예들에서, 코드 레이트는 7/8 이고, 상태 마다의 브랜치들의 수는 4 이다. 이러한 시스템은, 7개의 데이터 비트들이 2개의 인접하는 셀들 간에 저장될 때 3.5 비트/셀을 제공한다. 코드화되지 않은 8-PAM 시스템과 비교하여, 코딩 이득은, 예를 들어 8개의 상태들에 대해서는 0.527dB 그리고 16개의 상태들에 대해서는 1.317dB이 될 수 있다. 주목할 사항으로서, 계산 결과 내에 멀티플리시티들이 포함되면, 이러한 계산 결과는 변조될 것이다. 예를 들어, 약 0.2dB의 손실은 멀티플리시티를 두배로 함으로써 기대된다. 당업자라면 많은 변형들, 수정들 및 대안들을 인식할 것이다.
도 14A 내지 도 14H는 본 발명의 예시적인 다양한 구현들을 나타낸다. 도 14A를 참조하여, 본 발명은 하드 디스크 드라이브(1400)에서 구현될 수 있다. 본 발명은, 일반적으로 도 14A에서 1402로 나타낸 신호 처리 그리고/또는 제어 회로중 어느 하나 또는 양쪽 모두를 구현할 수 있다. 어떠한 구현들에 있어서, HDD(1400) 내의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1402) 그리고/또는 기타 회로(미도시)는 데이터를 처리하고, 코딩 그리고/또는 암호화를 행하고, 계산을 행하고, 그리고/또는 자기 저장 매체(1406)에 출력되고 그리고/또는 이로부터 수신되는 데이터의 포맷을 정한다.
HDD(1400)는 1개 이상의 유선 또는 무선 통신 링크(1408)를 통해 컴퓨터 등의 호스트 장치(미도시), 개인 휴대 단말, 셀 방식 전화, 미디어 또는 MP3 플레이어 등의 이동 컴퓨팅 장치, 그리고/또는 기타 장치들과 통신할 수 있다. HDD(1400)는 판독 전용 메모리(ROM), 플래시 메모리 등의 낮은 레이턴시 비휘발성 메모리, 랜덤 액세스 메모리(RAM) 등의 메모리(1409) 그리고/또는 기타 적절한 전자 데이터 저장 장치에 연결될 수 있다.
도 14B를 참조하여, 본 발명은 디지털 다용도 디스크(digital versatile disc, DVD) 드라이브(1410)에서 구현될 수 있다. 본 발명은, DVD 드라이브(1410)의 대량 데이터 저장 장치(1418) 그리고/또는 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1412)중 어느 하나 또는 둘 모두를 구현할 수 있다. DVD(1410) 내의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1412) 그리고/또는 기타 회로(미도시)는 데이터를 처리하고, 코딩 그리고/또는 암호화를 행하고, 계산을 행하고, 그리고/또는 광학 저장 매체(1416)로부터 읽혀지고 그리고/또는 이에 기록되는 데이터의 포맷을 정한다. 어떠한 구현들에 있어서, DVD(1410) 내의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1412) 그리고/또는 기타 회로(미도시)는 엔코딩 그리고/또는 디코딩과 같은 다른 기능들, 그리고/또는 DVD 드라이브와 관련된 임의의 다른 신호 처리 기능들을 행할 수 있다.
DVD 드라이브(1410)는 1개 이상의 유선 또는 무선 통신 링크(1417)를 통해 컴퓨터, 텔레비젼 또는 기타 장치 등의 출력 장치(미도시)와 통신할 수 있다. DVD(1410)는 비휘발적인 방식으로 데이터를 저장하는 대량 데이터 저장 장치(1418)와 통신할 수 있다. 대량 데이터 저장 장치(1418)는 도 14A에 나타낸 것과 같은 하드 디스크 드라이브(HDD)를 포함할 수 있다. HDD는 약 1.8" 보다 작은 직경을 갖는 1개 이상의 플래터(platter)를 포함하는 미니(mini) HDD가 될 수 있다. DVD(1410)는 플래시 메모리 등의 낮은 레이턴시의 비휘발성 메모리, RAM, ROM 등의 메모리(1419) 그리고/또는 기타 적절한 전자 데이터 저장 장치에 연결될 수 있다.
도 14C를 참조하여, 본 발명은 고선명 텔레비젼(HDTV)(1420)에서 구현될 수 있다. 본 발명은, HDTV(1420)의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1422), WLAN 인터페이스 그리고/또는 대량 데이터 저장 장치중 어느 하나 또는 모두를 구현할 수 있다. HDTV(1420)는 유선 또는 무선 포맷중 어느 하나로 HDTV 입력 신호들을 수신한 다음, 디스플레이(1426)에 대해 HDTV 출력 신호들을 발생시킨다. 어떠한 구현들에 있어서, HDTV(1420)의 신호 처리 회로 그리고/또는 제어 회로(1422) 그리고/또는 기타 회로(미도시)는 데이터를 처리하고, 코딩 그리고/또는 암호화를 행하고, 계산을 행하고, 데이터의 포맷을 정하고, 그리고/또는 요구되는 임의의 다른 타입의 HDTV 처리를 행한다.
HDTV(1420)는 광학 그리고/또는 자기 저장 장치 등의, 비휘발적인 방식으로 데이터를 저장하는 대량 데이터 저장 장치(1427)와 통신할 수 있다. 적어도 1개의 HDD는 도 14A에 나타낸 구성을 가질 수 있고, 그리고/또는 적어도 1개의 DVD는 도 14B에 나타낸 구성을 가질 수 있다. HDD는 약 1.8" 보다 작은 직경을 갖는 1개 이상의 플래터를 포함하는 미니 HDD가 될 수 있다. HDTV(1420)는 플래시 메모리 등의 낮은 레이턴시의 비휘발성 메모리, RAM, ROM 등의 메모리(1428) 그리고/또는 기타 적절한 전자 데이터 저장 장치에 연결될 수 있다. 또한, HDTV(1420)는 WLAN 네트워크 인터페이스(1429)를 통해 WLAN과의 접속을 지원할 수 있다.
도 14D를 참조하여, 본 발명은 차량(1030)의 제어 시스템, WLAN 인터페이스, 그리고/또는 대량 데이터 저장 장치에서 구현될 수 있다. 어떠한 구현들에 있어서, 본 발명은, 온도 센서, 압력 센서, 회전 센서, 기류 센서 그리고/또는 기타 임의의 적절한 센서 등의 1개 이상의 센서들로부터 입력들을 수신하고, 그리고/또는 엔진 동작 파라미터들, 전송 동작 파라미터들 그리고/또는 기타 제어 신호들 등의 1개 이상의 출력 제어 신호들을 발생시키는 파워트레인 제어 시스템(powertrain control system)(1432)을 구현한다.
또한, 본 발명은 차량(1430)의 기타 제어 시스템(1440)에서도 구현될 수 있다. 제어 시스템(1440) 역시 입력 센서들(1442)로부터 신호들을 수신하고 그리고/또는 1개 이상의 출력 장치(1444)에 제어 신호들을 출력할 수 있다. 어떠한 구현들에 있어서, 제어 시스템(1440)은 앤티록 브레이크 시스템(ABS), 네비게이션 시스템, 텔레매틱스 시스템(telematics system), 차량 텔레매틱스 시스템, 차선 이탈 경보 시스템(lane departure warning system), 적응형 크루이즈 제어 시스템, 그리고 스테레오, DVD, 컴팩 디스크 시스템 등의 차량 엔터테인먼트 시스템의 일부가 될 수 있다. 다른 구현들도 고려된다.
파워트레인 제어 시스템(1432)은 비휘발적인 방식으로 데이터를 저장하는 대량 데이터 저장 장치(1446)와 통신할 수 있다. 대량 데이터 저장 장치(1446)는, 예를 들어 하드 디스크 드라이브(HDD) 그리고/또는 DVD 등의 광학 그리고/또는 자기 저장 장치들을 포함할 수 있다. 적어도 1개의 HDD는 도 14A에 나타낸 구성을 가질 수 있고, 그리고/또는 적어도 1개의 DVD는 도 14B에 나타낸 구성을 가질 수 있다. HDD는 약 1.8" 보다 작은 직경을 갖는 1개 이상의 플래터를 포함하는 미니 HDD가 될 수 있다. 파워트레인 제어 시스템(1432)은 플래시 메모리 등의 낮은 레이턴시의 비휘발성 메모리, RAM, ROM 등의 메모리(1447) 그리고/또는 기타 적절한 전자 데이터 저장 장치에 연결될 수 있다. 파워트레인 제어 시스템(1432)은 또한 WLAN 네트워크 인터페이스(1448)를 통해 WLAN과의 접속을 지원할 수 있다. 제어 시스템(1440)은 또한 대량 데이터 저장 장치, 메모리 그리고/또는 WLAN 인터페이스(이들 모두 미도시)를 포함할 수 있다.
도 14E를 참조하여, 본 발명은 셀룰러 안테나(1451)를 포함할 수 있는 셀룰러 폰(1450)에서 구현될 수 있다. 본 발명은 셀룰러 폰(1450)의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1452), WLAN 인터페이스, 그리고/또는 대량 데이터 저장 장치중 어느 하나 또는 모두를 구현할 수 있다. 어떠한 구현들에 있어서, 셀룰러 폰(1450)은 마이크로폰(1456), 스피커 그리고/또는 오디오 출력 잭 등의 오디오 출력(1458), 디스플레이(1460), 그리고/또는 키패드, 포인팅 장치, 음성 작동(voice actuation) 등의 입력 장치(1462) 그리고/또는 기타 입력 장치를 포함한다. 셀룰러 폰(1450)의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1452) 그리고/또는 기타 회로(미도시)는 데이터를 처리하고, 코딩 그리고/또는 암호화를 행하고, 계산을 행하고, 데이터의 포맷을 정하고, 그리고/또는 기타 셀룰러 폰 기능들을 행할 수 있다.
셀룰러 폰(1450)은, 예를 들어 HDD 그리고/또는 DVD와 같은 광학 그리고/또는 자기 저장 장치들 등의, 비휘발적인 방식으로 데이터를 저장하는 대량 데이터 저장 장치(1464)와 통신할 수 있다. 적어도 1개의 HDD가 도 14A에 나타낸 구성을 가질 수 있고, 그리고/또는 적어도 1개의 DVD가 도 14B에 나타낸 구성을 가질 수 있다. HDD는 약 1.8" 보다 작은 직경을 갖는 1개 이상의 플래터를 포함하는 미니 HDD가 될 수 있다. 셀룰러 폰(1450)은 플래시 메모리 등의 낮은 레이턴시의 비휘발성 메모리, RAM, ROM 등의 메모리(1466) 그리고/또는 기타 적절한 전자 데이터 저장 장치에 연결될 수 있다. 셀룰러 폰(1450)은 또한 WLAN 네트워크 인터페이스(468)를 통해 WLAN과의 접속을 지원할 수 있다.
도 14F를 참조하여, 본 발명은 셋톱박스(1480)에서 구현될 수 있다. 본 발명은 셋톱박스(1480)의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1484), WLAN 인터페이스, 그리고/또는 대량 데이터 저장 장치(1490)중 어느 하나 또는 모두를 구현할 수 있다. 셋톱박스(1480)는 광대역 소스 등의 소스로부터 신호들을 수신하고, 텔레비젼 그리고/또는 모니터 그리고/또는 기타 비디오 그리고/또는 오디오 출력 장치들 등의 디스플레이(1488)에 적절한 표준 그리고/또는 고선명 오디오/비디오 신호들을 출력한다. 셋톱박스(1480)의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1484) 그리고/또는 기타 회로(미도시)는 데이터를 처리하고, 코딩 그리고/또는 암호화를 행하고, 계산을 행하고, 데이터의 포맷을 정하고, 그리고/또는 임의의 다른 셋톱박스 기능을 행할 수 있다.
셋톱박스(1480)는 비휘발적인 방식으로 데이터를 저장하는 대량 데이터 저장 장치(1490)와 통신할 수 있다. 대량 데이터 저장 장치(1490)는, 예를 들어 하드 디스크 드라이브(HDD) 그리고/또는 DVD와 같은 광학 그리고/또는 자기 저장 장치들을 포함할 수 있다. 적어도 1개의 HDD가 도 14A에 나타낸 구성을 가질 수 있고, 그리고/또는 적어도 1개의 DVD가 도 14B에 나타낸 구성을 가질 수 있다. HDD는 약 1.8" 보다 작은 직경을 갖는 1개 이상의 플래터를 포함하는 미니 HDD가 될 수 있다. 셋톱박스(1480)는 플래시 메모리 등의 낮은 레이턴시의 비휘발성 메모리, RAM, ROM 등의 메모리(1494) 그리고/또는 기타 적절한 전자 데이터 저장 장치에 연결될 수 있다. 셋톱박스(1480)는 또한 WLAN 네트워크 인터페이스(1496)를 통해 WLAN과의 접속을 지원할 수 있다.
도 14G를 참조하여, 본 발명은 미디어 플레이어(1472)에서 구현될 수 있다. 본 발명은 미디어 플레이어(1472)의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1471), WLAN 인터페이스, 그리고/또는 대량 데이터 저장 장치중 어느 하나 또는 모두를 구현할 수 있다. 어떠한 구현들에 있어서, 미디어 플레이어(1472)는 디스플레이(1476) 그리고/또는 키패드, 터치패드 등의 사용자 입력(1477)을 포함한다. 어떠한 구현들에 있어서, 미디어 플레이어(1472)는, 전형적으로 디스플레이(1476) 그리고/또는 사용자 입력(1477)을 통해 메뉴들, 드롭 다운 메뉴들, 아이콘들 그리고/또는 포인트 앤 클릭 인터페이스(point and click interface)를 이용하는 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)를 이용할 수 있다. 미디어 플레이어(1472)는 스피커 그리고/또는 오디오 출력 잭 등의 오디오 출력(1475)을 더 포함한다. 미디어 플레이어(1472)의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1471) 그리고/또는 기타 회로(미도시)는 데이터를 처리하고, 코딩 그리고/또는 암호화를 행하고, 계산을 행하고, 데이터의 포맷을 정하고, 그리고/또는 임의의 다른 미디어 플레이어 기능을 행할 수 있다.
미디어 플레이어(1472)는 압축된 오디오 그리고/또는 비디오 콘텐츠 등의 데이터를 비휘발적인 방식으로 저장하는 대량 데이터 저장 장치(1470)와 통신할 수 있다. 어떠한 구현들에 있어서, 압축된 오디오 파일들은 MP3 포맷 또는 다른 적절한 압축된 오디오 그리고/또는 비디오 포맷들을 따르는 파일들을 포함한다. 대량 데이터 저장 장치는, 예를 들어 하드 디스크 드라이브(HDD) 그리고/또는 DVD와 같은 광학 그리고/또는 자기 저장 장치들을 포함할 수 있다. 적어도 1개의 HDD가 도 14A에 나타낸 구성을 가질 수 있고, 그리고/또는 적어도 1개의 DVD가 도 14B에 나타낸 구성을 가질 수 있다. HDD는 약 1.8" 보다 작은 직경을 갖는 1개 이상의 플래터를 포함하는 미니 HDD가 될 수 있다. 미디어 플레이어(1472)는 플래시 메모리 등의 낮은 레이턴시의 비휘발성 메모리, RAM, ROM 등의 메모리(1473) 그리고/또는 기타 적절한 전자 데이터 저장 장치에 연결될 수 있다. 미디어 플레이어(1472)는 또한 WLAN 네트워크 인터페이스(1474)를 통해 WLAN과의 접속을 지원할 수 있다.
도 14H를 참조하여, 본 발명은 안테나(1439)를 포함할 수 있는 VoIP(Voice over Internet Protocol) 전화(1483)에서 구현될 수 있다. 본 발명은 VoIP 폰(1483)의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1482), 무선 인터페이스, 그리고/또는 대량 데이터 저장 장치중 어느 하나 또는 모두를 구현할 수 있다. 어떠한 구현들에서, VoIP 폰(1483)은, 부분적으로, 마이크로폰(1487), 스피커 그리고/또는 오디오 출력 잭 등의 오디오 출력(1489), 디스플레이 모니터(1491), 그리고/또는 키패드, 포인팅 장치, 음성 작동 등의 입력 장치(1492) 그리고/또는 기타 입력 장치들, 그리고 와이어리스 피델리티(Wireless Fidelity)(Wi-Fi) 통신 모듈(1486)을 포함한다. VoIP 폰(1483)의 신호 처리 그리고/또는 제어 회로(1482) 그리고/또는 기타 회로(미도시)는 데이터를 처리하고, 코딩 그리고/또는 암호화를 행하고, 계산을 행하고, 데이터의 포맷을 정하고, 그리고/또는 기타 VoIP 폰의 기능들을 행할 수 있다.
VoIP 폰(1483)은, 예를 들어 하드 디스크 드라이브(HDD) 그리고/또는 DVD와 같은 광학 그리고/또는 자기 저장 장치들 등의, 비휘발적인 방식으로 데이터를 저장하는 대량 데이터 저장 장치(1402)와 통신할 수 있다. 적어도 1개의 HDD가 도 14A에 나타낸 구성을 가질 수 있고, 그리고/또는 적어도 1개의 DVD가 도 14B에 나타낸 구성을 가질 수 있다. HDD는 약 1.8" 보다 작은 직경을 갖는 1개 이상의 플래터를 포함하는 미니 HDD가 될 수 있다. VoIP 폰(1483)은 플래시 메모리 등의 낮은 레이턴시의 비휘발성 메모리, RAM, ROM 등의 메모리(1485) 그리고/또는 기타 적절한 전자 데이터 저장 장치에 연결될 수 있다. VoIP 폰(1483)은 Wi-Fi 통신 모듈(1486)을 통해 VoIP 네트워크(미도시)와 통신 링크를 설정하도록 구성된다. 상기 설명된 것들 외의 다른 구현들이 또한 고려될 수 있다.
본 발명의 상기 실시예들은 예시적인 것으로서, 제한적인 것이 아니다. 다양한 대안들 및 등가물들이 가능하다. 본 발명은 이용되는 비교기, 카운터, 펄스폭 변조기, 드라이버, 또는 필터의 타입에 의해 제한되지 않는다. 본 발명은 기준 충전 및 방전 전류를 설정하는 데에 이용되는 증폭기의 타입에 의해 제한되지 않는다. 본 발명은 오실레이터의 타입에 의해 제한되지 않는다. 본 발명은 본 발표물(disclosure)이 배치되는 집적 회로의 타입에 의해 제한되지 않는다. 본 발명은 본 발표물을 제조하는 데에 이용될 수 있는 임의의 특정 타입의 공정 기술, 예를 들어, CMOS, 바이폴라, 또는 BICOMS로 제한되지 않는다. 본 발표물에 비추어 볼 때 다른 부가, 삭감 또는 변경이 명백하며, 이는 첨부된 청구항의 범위 내에 있는 것으로 의도된다.

Claims (44)

  1. 고상 비휘발성 메모리 유닛으로서,
    제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 데이터를 저장하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이와; 그리고
    상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이로부터 데이터를 수신하고, 상기 제 1 수의 디지털 레벨들 보다 큰 제 2 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 디지털 신호를 출력하는 아날로그 디지털 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이는 플래시 EEPROM 어레이인 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 고상 비휘발성 메모리 유닛은 집적 회로 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  4. 제 1 항에 있어서,
    엔코드된 데이터를 제공하는 제 1 엔코더와; 그리고
    상기 고상 비휘발성 메모리 어레이로부터 검색된 데이터를 디코드하는 제 1 디코더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 엔코더와 통신하는 제 2 엔코더와; 그리고
    상기 제 1 디코더와 통신하는 제 2 디코더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 엔코더는 제 1 ECC 기술을 수행하고, 상기 제 2 엔코더는 제 2 ECC 기술을 수행하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 ECC 기술은 상기 제 2 ECC 기술과 다른 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 엔코더는 리드-솔로몬 엔코더인 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 엔코드된 데이터를 변조하는 변조기와; 그리고
    상기 고상 비휘발성 메모리 어레이로부터 검색된 변조된 데이터를 복조하는 복조기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 엔코더와 상기 변조기는 모두 트렐리스-코드화된 변조기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 엔코더는 이진 엔코더인 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 엔코더는 칸벌루션 엔코더인 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  13. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 엔코더는 반복적 엔코더(iterative encoder)인 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛.
  14. 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법으로서,
    멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이 내에 제 1 데이터를 저장하는 단계와, 여기서 상기 저장되는 제 1 데이터는 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되며;
    상기 메모리 어레이로부터 상기 저장된 제 1 데이터를 검색하는 단계와; 그리고
    상기 검색된 데이터를 상기 제 1 수의 디지털 레벨들 보다 큰 제 2 수의 디지털 레벨들로 디지털화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이는 플래시 EEPROM 어레이인 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 고상 비휘발성 메모리 유닛은 집적 회로 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 데이터를 엔코드하는 단계와; 그리고
    상기 검색된 데이터를 디코드하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 데이터를 발생시키기 위해, 제 2 데이터를 엔코드하는 단계와; 그리고
    상기 제 2 데이터를 발생시키기 위해, 상기 디코드된 검색된 데이터를 디코드하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 데이터의 엔코딩은 제 1 ECC 기술에 따라 수행되고, 상기 제 2 데이터의 엔코딩은 제 2 ECC 기술에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 ECC 기술은 상기 제 2 ECC 기술과 다른 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 2 데이터를 엔코드하는 단계는 리드-솔로몬 엔코딩 기술을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 엔코드된 제 1 데이터를 변조하는 단계와;
    상기 변조된 제 1 데이터를 상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이에 저장하는 단계와;
    상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이로부터 상기 변조된 제 1 데이터를 검색하는 단계와; 그리고
    상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이로부터 검색된 상기 제 1 데이터를 복조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 엔코드 단계와 변조 단계는 모두 트렐리스-코드화된 변조를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  24. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 데이터를 엔코드하는 단계는 이진 엔코딩 기술에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  25. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 데이터를 엔코드하는 단계는 칸벌루션 엔코딩 기술에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  26. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 데이터를 엔코드하는 단계는 반복적 엔코딩 기술에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 고상 비휘발성 메모리 유닛을 동작시키는 방법.
  27. 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기로서,
    일련의 데이터 비트들을 수신하여, 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 제공하는 제 1 엔코더와;
    상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이에 저장하기 위해, 상기 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 일련의 데이터 심볼들로 변환하는 맵퍼와; 그리고
    상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이로부터 일련의 전압 신호들을 수신하고, 상기 제 1 수의 디지털 레벨들 보다 큰 제 2 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 일련의 출력 데이터 심볼들을 발생시키는 제 1 디코더를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 제 1 엔코더와 통신하는 제 2 엔코더와; 그리고
    상기 제 1 디코더와 통신하는 제 2 디코더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 제 1 엔코더는 제 1 ECC 기술을 수행하고, 상기 제 2 엔코더는 제 2 ECC 기술을 수행하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 제 1 ECC 기술은 상기 제 2 ECC 기술과 다른 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기.
  31. 제 27 항에 있어서,
    상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이는 하나 이상의 플래시 EEPROM 어레이들을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모 리 어레이를 위한 제어기.
  32. 제 27 항에 있어서,
    상기 제 1 디코더는 소프트 정보 디코더를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기.
  33. 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기를 동작시키는 방법으로서,
    일련의 엔코드된 데이터 비트들을 제공하기 위해, 제 1 일련의 데이터 비트들을 엔코드하는 단계와;
    상기 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 일련의 데이터 심볼들로 변환하는 단계와;
    상기 일련의 데이터 심볼들을 상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이에 저장하는 단계와;
    상기 일련의 데이터 심볼들을 검색하는 단계와; 그리고
    상기 제 1 수의 디지털 레벨 보다 큰 제 2 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 일련의 출력 데이터 심볼들을 제공하기 위해, 상기 검색된 일련의 데이터 심볼들을 디코드하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기를 동작시키는 방법.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 제 1 일련의 데이터 비트들을 발생시키기 위해, 제 2 일련의 데이터 비트들을 엔코드하는 단계와; 그리고
    상기 일련의 출력 데이터 심볼들을 디코드하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기를 동작시키는 방법.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 제 1 일련의 데이터 비트들의 엔코딩은 제 1 ECC 기술에 따라 수행되고, 상기 제 2 일련의 데이터 비트들의 엔코딩은 제 2 ECC 기술에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기를 동작시키는 방법.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 제 1 ECC 기술은 상기 제 2 ECC 기술과 다른 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기를 동작시키는 방법.
  37. 제 33 항에 있어서,
    상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이는 하나 이상의 플래시 EEPROM 어레이들을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모 리 어레이를 위한 제어기를 동작시키는 방법.
  38. 제 33 항에 있어서,
    상기 데이터 심볼들과 관련된 소프트 정보를 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기를 동작시키는 방법.
  39. 제 1 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기로서,
    일련의 엔코드된 데이터 비트들을 제공하기 위해, 제 1 일련의 데이터 비트들을 엔코드하는 수단과;
    상기 일련의 엔코드된 데이터 비트들을 일련의 데이터 심볼들로 변환하는 수단과;
    상기 일련의 데이터 심볼들을 상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이에 저장하는 수단과;
    상기 일련의 데이터 심볼들을 검색하는 수단과; 그리고
    상기 제 1 수의 디지털 레벨 보다 큰 제 2 수의 디지털 레벨들에 의해 특징화되는 일련의 출력 데이터 심볼들을 제공하기 위해, 상기 검색된 일련의 데이터 심볼들을 디코드하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 제 1 일련의 데이터 비트들을 발생시키기 위해, 제 2 일련의 데이터 비트들을 엔코드하는 수단과; 그리고
    상기 일련의 출력 데이터 심볼들을 디코드하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 제 1 일련의 데이터 비트들의 엔코딩은 제 1 ECC 기술에 따라 수행되고, 상기 제 2 일련의 데이터 비트들의 엔코딩은 제 2 ECC 기술에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기.
  42. 제 41 항에 있어서,
    상기 제 1 ECC 기술은 상기 제 2 ECC 기술과 다른 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기.
  43. 제 39 항에 있어서,
    상기 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이는 하나 이상의 플래시 EEPROM 어레이들을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기.
  44. 제 39 항에 있어서,
    상기 데이터 심볼들과 관련된 소프트 정보를 처리하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨의 고상 비휘발성 메모리 어레이를 위한 제어기.
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