KR20080096510A - 반도체 장치 제조시의 국지적 어닐링 - Google Patents

반도체 장치 제조시의 국지적 어닐링 Download PDF

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Abstract

기판을 제거하고 제 2의 기판을 적용하고, 적어도 하나 이상의 금속층을 전자기방사선 빔을 적용하여 어닐링하는 것을 특징으로 하는, 적어도 하나 이상의 금속층을 포함하는 반도체 장치를 기판상에 제조하는 방법.

Description

반도체 장치 제조시의 국지적 어닐링{LOCALIZED ANNEALING DURING SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION}
본 발명은 반도체 장치 제조시의 광학 어닐링에 관한 것으로, 특히, 하지만 여기에 국한되는 것은 아니지만, 반도체 장치 제조시 기판이 제거된 후 레이저나 램프에 의한 어닐링에 관한 것이다.
다수의 반도체 장치들은 기판 위에 많은 수로 제조된다. 제조시 장치들은 적어도 하나 이상의 금속층을 포함한다. 반도체 장치의 제조시 적용되는 대부분의 금속층은 적용된 후 어닐링(annealing) 된다. 어닐링은 보통 오븐이나 그와 같은 것 속에서 일정한 시간 동안 선결된 온도로 있는 것을 말한다. 흔히, 상기 온도는 비교적 높은 수치를 나타내는데, 예를 들어, n형 GaN(질화갈륨)에 대한 옴성 접촉 금속층(Ohmic contact metal)은 900 C 에서 어닐링 된다 [Z. Fan et al, 어플라이드 피직스 레터스(Applied Physics Letters), 제 68권, 페이지 1672, 1996]. 이러한 비교적 높은 온도의 열은 장치의 성능 저하를 유도할 수 있는 많은 문제점을 지닌다. 예를 들어, 고온에서는 장치의 성능을 저하시킬 수 있는 원자 확산(atomic diffusion)이 원치 않게 발생할 수 있다. 그러므로, 어닐링은 저온에서 시행되는 것이 보다 바람직하며, 가능한 실온에서 시행되는 것이 보다 더 바람직하다. 웨이 퍼 상의 서로 다른 물질들의 열 확장 계수의 차이로 인하여 (예를 들면, 기판, 에피택시 층, 금속, 유전체 기타 등등), 통상의 어닐링은 웨이퍼 전체에 열이 적용될 때 웨이퍼 상에 열 응력(thermal stress)을 발생시킨다. 상기 응력이 적절히 완충되지 못한다면, 웨이퍼 안에 크래킹(cracking)을 유발하고, 또는 웨이퍼에서 얇은 막이 벗겨 떨어지거나 웨이퍼 안에 결함을 남길 수 있다. 이러한 현상은 기판이 제거되고 에피택시 층이 새로운 기판 같은 역할을 하는 다른 기계적 지지대(mechanical support)와 결합하는 특정한 웨이퍼 제조 기술에서 더욱 두드러지게 나타난다.
첫 번째 실시 예에 따르면, 기판상에 제조되고 하나 이상의 금속층을 가지는 반도체 장치의 제조 공정에서, 상기 기판을 제거하고 제 2의 기판을 적용한 후, 상기 하나 이상의 금속층을 전자기방사선 빔을 적용하여 어닐링하는 단계가 실행된다.
두 번째 실시 예에 따르면, 기판상에 제조되고 하나 이상의 금속층을 포함하는 반도체 장치의 제조 공정에서, 상기 제조 공정은 상기 기판을 상기 반도체 장치로부터 제거하는 단계, 상기 하나 이상의 금속층 상에 제 2의 기판을 형성하는 단계, 그리고 상기 하나 이상의 금속층의 여러 장소에 전자기방사선을 적용하여 상기 하나 이상의 금속층을 어닐링하는 단계를 포함한다.
상기 두 실시 예 모두에서, 상기 제 2의 기판은 상기 반도체 장치에 상기 기판이 제거되기 전이나 후에도 적용될 수 있다. 상기 전자기방사선 빔은 레이저 빔, 적어도 하나의 램프에서의 빛, 또는 한 열(bank)의 램프들에서의 빛이 될 수 있다.
상기 제 2의 기판은 상기 반도체 장치의 제 2의 면에, 상기 기판이 상기 반도체 장치의 제 1의 면에서 제거되었고 상기 제 1의 면과 제 2의 면이 다를 때, 적용될 수 있다. 상기 제 1의 면은 상기 제 2의 면과 반대편에 위치할 수도 있다.
상기 하나 이상의 금속층의 두께와 그 금속의 종류에 따라 상기 레이저 빔의 적용 지속 시간은 결정된다. 상기 하나 이상의 금속층의 두께, 그 금속의 종류, 그리고 상기 반도체 장치의 재질에 따라 상기 레이저 빔의 진동 횟수 및 세기가 결정될 수 있다.
복수의 금속층이 존재할 경우, 상기 복수의 금속층은 순차적, 또는 동시에 어닐링 될 수 있다. 이 경우 각각의 금속층에 상기 레이저 빔이 순차적으로 적용될 수 있다.
상기 레이저 빔은 상기 하나 이상의 금속층에 직접적으로 적용될 수 있고, 또는 상기 반도체 장치를 통하여 상기 하나 이상의 금속층에 적용될 수 있다. 상기 레이저 빔은 상기 하나 이상의 금속층과 상기 반도체 장치의 경계면에 적용될 수도 있다.
상기 전자기방사선 빔은 상기 하나 이상의 금속층의 여러 부위에 적용될 수 있다.
상기 두 실시 예 모두에서. 상기 빔이 적용되는 부위들의 수와 간격은 상기 하나 이상의 금속층의 금속의 종류 및 그 두께에 따라 결정될 수 있다.
상기 전자기방사선 빔의 공급원과 상기 반도체 장치 사이에 덮개(mask)가 배치될 수도 있는데, 상기 덮개는 그것을 통과하는 하나 이상의 구멍을 가지고, 그 구멍은 상기 전기 방사선 빔의 통로를 제공한다. 상기 하나 이상의 구멍은 상기 하나 이상의 금속층과 실질적으로 동일한 크기와 형태를 갖는다.
본 발명이 보다 완전히 이해되고 쉽게 실시할 수 있도록, 여기에 제한되는 것은 아니며 바람직한 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 기술될 것이다.
도 1은 바람직한 방법을 실시한 반도체 장치의 바람직한 형태의 개략적인 수직 단면도이다;
도 2는 제 1의 기판을 제거한 후 도 1에 대응하는 도면이다.
도 3은 제 2의 기판을 형성 후, 도 1 및 도 2에 대응하는 도면이다.
도 4는 옴성 접촉층 형성 후의 도 1 내지 3에 대응하는 측면도이다.
도 5는 도 4에 대응하는 평면도이다.
도 6은 열처리 과정 동안에, 도 4 및 도 5의 반도체 장치들의 개략적인 평면도이다.
도 7은 도 6에 대응하는 측면도이다.
도 8은 도 7에 대응하는 부분 측면도이다.
도 9는 제 2의 실시 예의도 6에 대응하는 개략적인 측면도이다.
도면에서는 기판(3)이, 반도체 장치의 시작 부분에서의 에피텍시 층들(1)과 양자우물층 상에 위치함을 보여준다. 도 2에서 보이는 바와 같이, 상기 기판(1)은 상기 양자우물층(2)와 에피텍시 층(1)으로부터 이미 알려진 기술중 어떤 것에 의해 제거된다. 제 2의 기판(4), 예를 들어 구리는 상기 에피텍시 층(1) 상에 추가된다 (도 3). 도 4 및 5는 옴성 접촉 층(5)이 상기 에피텍시 층(1) 상에 형성됨을 나타낸다. 이 모든 것은 우리에 의해 사전 출원된 PCT/SG2003/00022, PCT/SG2003/000223, PCT/SG2005/00061, PCT/SG2005/00062, SG200506301-1 및 SG200506897-8 중 하나 또는 그 이상의 것과 연관성을 가질 수 있다. 그에 따라 위 사전 출원들의 내용은 본 출원에 모두 포함된다.
상기 제 2의 기판(4)는 상기 반도체 장치(20)의 제 1면(30)에서 상기 기판(3)이 제거되고, 상기 반도체 장치(20)의 제 2면(32) 상에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 제 1면(30) 과 제 2면(32)이 서로 다르다. 상기 제 1면과 제 2면(30, 32)은 서로 마주보도록 위치되는 것이 바람직하다. 상기 제 2의 기판(4)은 상기 기판(3)의 제거 전에 혹은 제거 후에 상기 제 2면 상에 형성되거나 적용될 수 있다.
도 6은 전자기방사선 빔(16)을 발생하기 위한 장치(14)를 나타낸다. 상기 장치(14)는 레이저, 적어도 하나 이상의 램프 또는 한 열(bank)의 램프들이 될 수 있다. 상기 기판(4)은 그 표면상에 제조되는 다수의 반도체 장치들(20)을 가진다. 도면상에는 12개의 반도체 장치들(20)만 보이지만, 사실상 적절한 장치의 수는 어떤 것이나 될 수 있다. 옴성 접촉층(5)이 형성된 후 (상기 기판(3)의 제거 후), 상기 에피텍시 층(1)과의 향상된 접착을 위해 어닐링 된다. 이는 상기 옴성 접촉층(5)과 에페텍시 층(1) 사이의 경계면에서의 융합의 한 형태로 인해 실행된다.
상기 장치(14)는 상기 빔(16)을 발생한다. 상기 빔(16)은 상기 장치(14)가 레이저 일 경우 레이저 빔이 되고, 적어도 하나 이상의 램프나 한 열의 램프들일 경우 필요한 진동 횟수를 갖는 빛이 된다. 상기 빔(16)은 상기 옴성 접촉층(5)의 노출된 표면에 집중된다. 상기 옴성 접촉층(5) 고유의 열 전도율 때문에, 상기 빔(16)은 상기 옴성 접촉층(5)의 표면에 전체적으로 적용되지 않아도 된다.
도면상 상기 빔(16)은 하나의 반도체 장치(20)에 적용되고 있다. 그렇지만 상기 빔(16)은 둘 혹은 그 이상의 반도체 장치, 최고 모든 반도체 장치들에 동시적으로 적용될 수 있다.
도 8에 나타난 바와 같이, 옴성 접촉 층(5)의 열 전도율은 열이 상기 옴성 접촉 층(5)의 바로 인접한 면적(22)에 국한됨을 의미하며 따라서 상기 에피텍시 층(1)의 전부가 가열되지 않는다. 이렇게 하여, 상기 에피텍시 층(1) 안의 열은 흩어지게 되고 그로 인해 상기 에피텍시 층(1)과 상기 제 2의 기판(4)의 경계면에 아무런 영향을 끼치지 않는다. 따라서, 상기 에피텍시 층(1)과 제 2의 기판(4)의 경계면의 온도는 상기 옴성 접촉층(5)과 상기 에피텍시 층(1)의 경계면의 온도보다 작게 나타난다.
상기 전자기방사선 빔(16)의 지속시간, 주파수, 방사력(radiation power) 및 방사력의 밀도는 상기 하나 이상의 금속층(5)의 금속의 종류, 그 두께 그리고 상기 반도체 장치의 재질에 의해 결정될 수 있다.
도 9는 제 2의 실시 예를 보여준다. 이는 상기 빔(16)이 레이저 빔일 경우 사용될 수 있고, 특히 상기 빔(16)이 빛일 경우에 사용되는 것이 바람직하다. 덮개(mask)(24)는 공급원(14)와 상기 반도체 장치(20) 사이에 위치한다. 상기 덮 개(24)는 하나 이상의 구멍(26)을 가지고, 상기 하나 이상의 구멍(26)은 어닐링 될 면적의 그것과, 이 경우엔 옴성 접촉층(5)과 실질적으로 동일한 크기와 형태를 갖는 것이 바람직하다. 이렇게 하여, 상기 구멍(26)을 통과하는 빛(28)은 단지 옴성 접촉층(5)만 접촉하고 상기 에피텍시 층(1)과는 접촉하지 않는다. 상기 덮개(24)에는 상기 옴성 접촉층(5)과 같은 수의 구멍(26)을 가질 수 있고, 그 간격과 위치 역시 옴성 접촉층(5)의 간격 및 위치와 같을 수 있다.
이는 보다 효율적으로 제조시간을 단축하고 웨이퍼의 교차오염 확률을 감소하고 생산율을 높일 수 있다. 또한 장치의 수리 및 국부적 어닐링을 가능케 한다.
본 발명은, 반도체 장치 제조에 있어 국부적인 광학 어닐링을 가능케 하고, 이 때, 본래의 웨이퍼 기판은 제거되고 반도체 층들은 새로운 기판으로 광학 어닐링의 전이나 후에 상관없이 이송된다. 이 경우, 레이저 어닐링 및 램프 어닐링 모두 사용 가능하다. 레이저 어닐링은 레이저 빔을 어닐링이 필요한 영역에 보냄으로 서 어닐링이 가능하다. 하나의 램프 또는 한 열의 램프들로부터 생성된 굵은 빛 빔, 또는 넓어진 폭의 레이저 빔 또한 웨이퍼의 전체 면적 또는 웨이퍼의 특정 층 (또는 기판) 을 통과하여 경계면에 도달하기 전 빔의 흡수가 방지될 수 있을 경우, 그 웨이퍼 안의 경계면에도 적용될 수 있다.
위 설명된 공정은 더욱 단단한 금속층, 예를 들면 상기 제 2의 기판(4)과 같은 금속층의 어닐링에도 적용될 수 있다. 이 경우, 상기 제 2의 기판(4)은 높은 열 전도율을 가지는 금속층으로 이루어져 있기 때문에, 상기 빔(16)은 상기 금속층(4)을 어닐링 하기 위해 상기 기판의 전면에 적용될 필요가 없고, 상기 기판의 여러 위치에 연속적으로 적용될 수 있다. 상기 빔이 적용되는 위치의 수 및 그 간격, 상기 빔(16)의 적용 지속 시간, 빔의 강도 및 주파수는 상기 금속층(4)의 금속의 종류 및 금속층의 두께에 의해 정해 질 수 있다. 상기 빔(16)의 연속적 적용 대신, 동시적 적용 또한 사용될 수 있다. 상기 빔(16)의 적용 순서는 상기 금속층(4)의 열의 흐름에 맞추는 것이 바람직하다. 만약 상기 빔(16)이 하나의 램프나 하나의 램프 열에 의한 것이라면, 상기 구멍(26)은 상기 금속층(4)의 크기, 모양, 간격 및 위치와 실질적으로 동일한 규격을 가지게 된다.
상기 빔(16)은 하나 이상의 상기 금속층(22)에 직접적으로 적용될 수 있거나, 또는 상기 반도체 장치(20)를 통하여 하나 이상의 상기 금속층(22)에 적용될 수 있다. 후자의 경우, 상기 빔(16)이 상기 하나 이상의 금속층(22)과 상기 반도체 장치(20)의 경계면에 적용되는 것이 바람직하다.
상기 하나 이상의 금속층(22)이 둘 이상의 층을 가질 경우, 각각의 층들은 연속적, 또는 동시적으로 어닐링 될 수 있다.
상기 빔(16)의 성질은 상기 옴성 또는 금속층(5)과 상기 에피텍시 층(1)에 의해 크게 좌우된다. 이는 상기 옴성 또는 금속층(5)의 두께도 포함한다. 레이저 빔(16)의 경우, 특히 레이저의 주파수 및 레이저의 상태는 위에 의해 결정된다. 상기 레이저 상태란, 레이저의 펄스 폭, 펄스 수, 펄스 주파수, 펄스 강도 및 밀도를 뜻한다.
비록 본 발명이 바람직한 실시 예를 참조하여 기술되었지만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않은 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
본 발명은 반도체 장치 제조시의 광학 어닐링에 적용될 수 있다.

Claims (34)

  1. 기판상에 제조되며 하나 이상의 금속층과 다수의 반도체 층들을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 기판을 제거하고, 상기 반도체 장치에 제 2의 기판을 적용하는 단계와;
    전자기방사선 빔을 적용하여 상기 하나 이상의 금속층을 어닐링 하는 단계를 포함하는 반도체 장치 제조 방법.
  2. 상기 제 1항에 있어서,
    상기 기판이 제거되기 전에 상기 제 2의 기판이 상기 반도체 장치에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  3. 상기 제 1항에 있어서,
    상기 기판이 제거된 후 상기 제 2의 기판이 상기 반도체 장치에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  4. 상기 제 1항에 있어서,
    상기 제 2의 기판이, 상기 반도체 장치의 제 1면에서 상기 기판이 제거된 후 상기 반도체 장치의 제1 면과 다른 상기 반도체 장치의 제 2면에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  5. 상기 제 4항에 있어서,
    상기 제 1면이 상기 제 2면과 마주보며 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  6. 상기 제 1항에 있어서,
    상기 전자기방사선 빔이 상기 하나 이상의 금속층의 여러 부위에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  7. 상기 제 6항에 있어서,
    상기 하나 이상의 금속층의 여러 부위의 수와 간격이 상기 하나 이상의 금속층의 금속의 종류와 그 층의 두께에 의해 결정됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  8. 상기 제 6항에 있어서,
    상기 레이저 빔이 상기 하나 이상의 금속층의 여러 부위에 순차적으로 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  9. 상기 제 1항에 있어서,
    덮개가 상기 전자기방사선 빔의 공급원과 상기 반도체 장치의 사이에 위치함 을 특징으로 하고, 상기 덮개가 하나 이상의 관통하는 구멍을 가지며 그 구멍이 상기 전자기방사선 빔의 통로를 제공함을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  10. 상기 제 9항에 있어서,
    상기 하나 이상의 구멍의 크기 및 모양이 상기 하나 이상의 금속층과 실질적으로 같음을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  11. 상기 제 1항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자기방사선 빔의 적용 지속 시간, 주파수, 방사력 및 방사력 밀도가 상기 하나 이상의 금속층의 금속의 종류, 그 층의 두께 및 상기 반도체 장치의 재질에 의해 결정됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  12. 상기 제 1항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 빔의 진동 횟수 및 그 강도는 상기 하나 이상의 금속층의 금속의 종류, 그 층의 두께 및 상기 반도체 장치의 재질에 의해 결정됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  13. 상기 제 1항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    다수의 금속층들이 존재하며, 상기 다수의 금속층들이 순차적 또는 동시적으로 어닐링 됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  14. 상기 제 1항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자기방사선 빔이 직접적으로 상기 하나 이상의 금속층에 적용되거나, 또는 상기 반도체 장치를 통하여 상기 하나 이상의 금속층에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  15. 상기 제 1항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자기방사선 빔이 상기 하나 이상의 금속층과 상기 반도체 장치의 경계면에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  16. 상기 제 1항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 금속층이 옴성 접촉층임을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  17. 상기 제 1항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자기방사선 빔이 레이저 빔, 하나의 램프로부터의 빛, 또는 한 열의 램프들로부터의 빛 중 하나임을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  18. 기판상에 제조되며 하나 이상의 금속층을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 기판을 제거하고, 제 2의 기판을 상기 반도체 장치에 적용하는 단계와;
    전자기방사선 빔을 적용하여 상기 하나 이상의 금속층을 어닐링하는 단계를 포함하는 반도체 장치 제조 방법.
  19. 상기 제 18항에 있어서,
    상기 제 2의 기판이 상기 기판이 제거되기 전 상기 반도체 장치에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  20. 상기 제 18항에 있어서,
    상기 제 2의 기판이 상기 기판이 제거된 후 상기 반도체 장치에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  21. 상기 제 18항에 있어서,
    기 제 2의 기판이, 상기 반도체 장치의 제 1면에서 상기 기판이 제거된 후 상기 반도체 장치의 제1 면과 다른 상기 반도체 장치의 제 2면에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  22. 상기 제 21항에 있어서, 상기 제 1면이 상기 제 2면과 마주보며 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  23. 상기 제 18항에 있어서,
    상기 전자기방사선 빔이 상기 하나 이상의 금속층의 여러 부위에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  24. 상기 제 23항에 있어서,
    상기 하나 이상의 금속층의 여러 부위의 수와 간격이 상기 하나 이상의 금속층의 금속의 종류와 그 층의 두께에 의해 결정됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  25. 상기 제 23항에 있어서,
    상기 레이저 빔이 상기 하나 이상의 금속층의 여러 부위에 순차적으로 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  26. 상기 제 18항에 있어서,
    덮개가 상기 전자기방사선 빔의 공급원과 상기 반도체 장치의 사이에 위치함을 특징으로 하고, 상기 덮개가 하나 이상의 관통하는 구멍을 가지며 그 구멍이 상기 전자기방사선 빔의 통로를 제공함을, 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  27. 상기 제 26항에 있어서,
    상기 하나 이상의 구멍의 크기 및 모양이 상기 하나 이상의 금속층의 것과 실질적으로 같음을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  28. 상기 제 18항 내지 27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자기방사선 빔의 적용 지속 시간, 주파수, 방사력 및 방사력 밀도가 상기 적어도 하나 이상의 금속층의 금속의 종류, 그 층의 두께 및 상기 반도체 장치의 재질에 의해 결정됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  29. 상기 제 18항 내지 27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 빔의 진동 횟수 및 그 강도는 상기 하나 이상의 금속층의 금속의 종류, 그 층의 두께 및 상기 반도체 장치의 재질에 의해 결정됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  30. 상기 제 18항 내지 27항 중 어느 한 항에 있어서,
    다수의 금속층들이 존재하며, 상기 다수의 금속층들이 순차적 또는 동시적으로 어닐링 됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  31. 상기 제 18항 내지 27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자기방사선 빔이 직접적으로 상기 하나 이상의 금속층에 적용되거나, 또는 상기 반도체 장치를 통하여 상기 하나 이상의 금속층에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  32. 상기 제 18항 내지 27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자기방사선 빔이 상기 하나 이상의 금속층과 상기 반도체 장치의 경계면에 적용됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  33. 상기 제 18항 내지 27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 금속층이 옴성 접촉층임을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  34. 상기 제 18항 내지 27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자기방사선 빔이 레이저 빔, 하나의 램프로부터의 빛, 또는 한 열의 램프들로부터의 빛 중 하나임을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
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