KR20080009317A

KR20080009317A - 대용량 박막형 모듈 시스템 및 방법

Info

Publication number: KR20080009317A
Application number: KR1020077028508A
Authority: KR
Inventors: 제임스 더글라스 주니어 웨를리; 제임스 윌더; 폴 굿윈; 마크 울프
Original assignee: 스탁텍 그룹 엘.피.
Priority date: 2005-05-06
Filing date: 2006-02-28
Publication date: 2008-01-28
Also published as: US7443023B2; US20090052124A1; WO2006121486A2; JP2008541424A; US7626259B2; US20090046431A1; WO2006121486A3; US7459784B2; US20080094803A1; US7737549B2; US20060091529A1

Abstract

가요성 회로에는 하나 또는 두 주면(major side)을 따라 배치된 집적회로가 실장된다. 가요성 회로를 따라 분배된 접점은 모듈과 어플리케이션 사이의 연결을 제공한다. 회로-실장된 가요성 회로는 열 전도성 물질로 바람직하게 고안된 경질 기판의 에지 가까이에 배치되고, 플렉스(flex) 회로를 기판 근처에 가져오면 AMB와 같은 더 높은 열 에너지 소자에 근접하게 배치된 높은 열 전도성 코어 또는 영역을 포함한다. 다른 변형은 IC로부터의 열을 추가로 회피하기 위해 모듈의 반대면의 개별 IC를 고정하는 열-전도성 클립을 포함한다. 기판 몸체 또는 기판 코어로부터의 바람직한 연장은 모듈의 집적 회로 사이의 감소된 열 편차(variation)를 촉진한다.

Description

대용량 박막형 모듈 시스템 및 방법{HIGH CAPACITY THIN MODULE SYSTEM AND METHOD}

본 발명은 고밀도 회로 모듈을 생성하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 열 부하(thermal loading)의 집중을 감소시키기 위한 특징들을 갖는 모듈을 생성하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.

메모리 확장은 고밀도 회로 모듈 솔루션이 공간-절약이라는 장점을 제공하는 많은 분야 중 하나이다. 예를 들어, 공지된 DIMM(Dual In-line Memory Module)은 메모리 확장을 제공하기 위해서 다양한 형태로 수년간 사용되었다. 전형적인 DIMM은 메모리 소자와 양면에 장착된 지원 디지털 논리 소자를 구비한 종래 PCB(인쇄 회로 기판)를 포함한다. DIMM은 통상적으로 DIMM의 접촉-베어링을 카드 에지 커넥터 안에 삽입함으로써 호스트 컴퓨터에 장착된다. 통상적으로 DIMM을 사용하는 시스템은, 적당한 양의 메모리 확장만을 통상적으로 제공하는 종래 DIMM-기반의 솔루션과 상기 소자들을 위한 제한된 프로파일 공간을 제공한다.

버스 속도가 증가함에 따라서, 채널당 더 적은 소자들이 DIMM-기반의 솔루션과 신뢰할 수 있게 어드레스 될 수 있다. 예를 들어, 채널당 288개의 IC 또는 소자는 버퍼링되지 않은 DIMM과 함께 SDRAM-100 버스 프로토콜을 사용하여 어드레스 될 수 있다. DDR-200 버스 프로토콜을 사용하여, 채널당 약 144개의 소자가 어드레스 될 수 있다. DDR2-400 버스 프로토콜로, 채널당 단지 72개의 소자가 어드레스 될 수 있다. 이러한 제한은 채널당 288개의 소자가 어드레스 될 수 있는 버퍼링된 C/A 및 데이터를 구비한 FB-DIMM(fully-buffered DIMM)의 개발을 유도하였다. 이러한 버퍼링 기능은 AMB(Advanced Memory Buffer)라고 통상적으로 칭해지는 것에 의해 제공된다. FB-DIMM으로 인하여, 용량이 증가되었을 뿐만 아니라, 핀 개수도 과거에 필요하였던 약 240개의 핀에서 약 69개의 신호 핀으로 감소하였다.

FB-DIMM 회로 솔루션은, 6개의 채널, 채널당 8개의 DIMM, 및 1GB DRAM을 사용하는 DIMM당 2개의 랭크(rank)를 이용하여 약 192GB까지의 실제 마더보드 메모리 용량을 제공하도록 기대된다. 또한 이 솔루션은 차세대 기술에 적용될 수 있어야만 하고, 중요한 하향 호환성을 나타내어야만 한다.

DIMM 또는 다른 회로 기판의 제한된 용량을 증가시키기 위한 몇 가지 공지된 방법이 있다. 한 가지 방법으로는, 예를 들어, 작은 회로 기판(도터 카드(daughter card))은 여분의 장착 공간을 제공하기 위해서 DIMM에 연결된다. 그러나 추가 연결은 DIMM으로부터 도터 카드로 전달되는 데이터 신호에 대해서 하자있는 신호 무결성(signal integrity)을 야기하고, 동시에 도터 카드의 추가 두께가 모듈의 프로파일을 증가시킨다.

또한 MDP(다수의 다이(die) 패키지)는 DIMM 용량을 증가시키는데 사용될 수 있다. 이 구조는 단일 소자 패키지 안에 다수의 반도체 다이를 포함시킴으로써 DIMM 상에 메모리 소자의 용량을 증가시킨다. 그러나 다수의 다이에 의해 생성된 열은 통상적으로 최대 동작 속도로 동작하기 위해서는 추가 냉각 용량을 필요로 한다. 더구나 MDP 구조는 완전히 사전 테스트되지 않은 다수의 다이를 함께 패키징함으로써 발생되는 증가된 수율 손실로 인해 증가된 비용을 나타낼 수 있다.

적층형 패키지(stacked package)도 모듈 용량을 증기시키는 또 다른 방법이다. 큰 회로 기판에 장착하기 위한 고밀도 회로 모듈을 생성하기 위해서 패키지형 집적 회로를 적층함으로써 용량이 증가된다. 일부 기술에서는, 가요성 도선이 패키지형 집적 회로를 선택적으로 상호연결하는데 사용된다. Staktek Group L.P.는 공간 절약 토폴로지 내에 CSP(칩크기로 패키징된) 소자들을 집합시키기 위한 다수의 시스템을 개발하였다. 그러나 일부 적층 기술의 증가된 부품 높이는, 예를 들어 호스트 시스템 상의 회로 기판 둘레에 요구되는 냉각 기류 또는 최소 이격과 같은, 시스템 요구조건을 변경한다.

통상적으로 개선된 메모리 모듈 성능 또는 확대된 용량을 위해 공지된 방법들은 열 관리 문제를 발생시킨다. 예를 들면, 종래 패키지형 DRAM이 DIMM에 장착되면, 주된 열 경로는 패키지의 볼을 통과하여 다층 DIMM의 코어 안으로 향하며, 이는 희망하는 열 특성에 미치지 못한다. 특히, AMB(advanced memory buffer)가 FB-DIMM에 사용될 때, 상당한 양의 열이 생성된다. 결과적으로 통상적인 FB-DIMM 내의 DIMM 회로 모듈의 이미 한계에 다다른 열 발산 속성은, AMB에 의해 국부적으로 생성된 열에 의해 악화된다.

따라서 필요로 하는 것은, 높은 주파수에서도 잘 동작하고, 너무 크지 않으면서도, 상용이면서 쉽게 다룰 수 있는 물질로 합리적인 가격에 제조될 수 있는, 열효율이 좋고 신뢰할 수 있는 설계로 대용량 회로 기판을 제공하기 위한 방법과 구조이다.

가요성 회로에는 하나 또는 두 주면(major side)을 따라 배치된 집적 회로(IC)가 실장(populate) 된다. 가요성 회로를 따라 분배된 접점은 모듈과 어플리케이션 환경 사이의 연결을 제공한다. 실장된 가요성 회로는 경질 기판 에지 근처에 배치되어, 기판의 하나 또는 두 면 상에 집적 회로의 하나 또는 두 층을 구비한 기판의 하나 또는 두 면 상에 집적 회로를 위치시킨다. 기판 형태는, 열 전도성 물질로 고안되고, 플렉스(flex) 회로를 기판 근처에 가져오면 더 높은 열 에너지 IC 소자에 근접하게 배치된 높은 열 전도성 열 싱크(thermal sink) 또는 영역을 포함하는 것이 바람직하다. 이는 뜨거운 IC와 열 싱크 사이에 열 전도하도록 한다.

본 발명은, 예를 들어 가용성 회로에 장착된 FB-DIMM 회로에 사용된 AMB와 같은, 뜨거운 회로로부터 열 에너지를 분산시키는데 특히 유용하다. 다른 모듈 변형은 IC로부터 열을 추가로 회피하기 위해 모듈 반대면의 개별 IC를 열적으로 접촉하는 열-전도성 클립을 포함할 수 있다. 또 다른 변형에서는, 열 싱크를 사용하지 않고, 플렉스 회로의 내면에 장착된 고 발열 소자가 열 전도성 물질로 만들어진 기판과 열 접촉하여 배치된다. 바람직한 실시예에서는, 기판 몸체 또는 기판 코어로부터의 확장이 모듈의 집적 회로 사이의 감소된 열 편차(variation)를 촉진하고, 동시에 모듈로부터의 열 에너지의 방열을 위해 확대된 표면을 제공한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 고안된 모듈을 도시한다. 일부 잘라낸 영역은 내부 구성을 상세히 노출한다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 고안된 모듈의 평면도이다.

도 3은 도 1의 "A"라고 표시된 영역의 확대도이다.

도 4A는 본 발명의 대안적인 바람직한 실시예에 사용된 기판을 도시하며, 여기서 열 싱크는 기판과 통합된다.

도 4B는 본 발명의 다른 대안적인 실시예에 사용된 기판을 도시하며, 여기서 기판의 영역은 오목부(indentation)를 제공하도록 변형된다.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 고안된 모듈의 횡단면도이다.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 사용된 플렉스 회로의 일면을 도시한다.

도 7은 도6에 도시된 플렉스 회로의 타면을 도시한다.

도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 고안된 모듈의 예시적인 단부를 도시한다.

도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에서 CSP를 통과하는 선을 따라 선택된 횡단면도이다.

도 10은 본 발명의 대안적인 실시예에 따라서 고안된 모듈의 평면도이다.

도 11은 도 10에 도시된 모듈의 횡단면도이다.

도 12는 본 발명의 바람직한 실시예에 사용된 플렉스 회로의 횡단면도이다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 고안된 모듈(10)을 도시한다. 도 1의 도시는 IC(18)가 실장된 플렉스 회로(12)가 둘레에 배치된 기판(14)을 구비한 모듈(10)을 도시하며, 이는 바람직한 실시예에서 CSP 패키지 내의 메모리 소자이다. 플렉스 회로(12)는 모듈(10)의 내부 바람직한 특징들을 도시하기 위해서 영역 "A"가 일부 잘라내져 있다. 영역 "A"는 뒤의 도 3에서 더 크게 확대되어 도시된다.

영역 A 내에 열 싱크(14TS)가 보이고, 열 싱크(14TS)의 잘려진 부분 너머에 회로(19)의 일부가 도시되며, 이 회로는 바람직한 실시예에서 FB-DIMM 회로 내에 사용되는 공지된 AMB(advanced memory buffer)이다. AMB 회로(19)는 AMB 다이(19D) 및 콘택(19C)을 포함한다. 바람직한 실시예에 따른 모듈은 통상적으로, 예를 들어 메모리 CSP와 같은, 제 1 타입의 복수의 CSP를 나타낼 것이고, 예를 들어 마이크로프로세서, 그래픽 프로세서 또는 버퍼, 또는 보다 구체적으로는 AMB와 같은, 제 2 타입의 적어도 하나의 CSP를 구비할 것이다.

열 싱크(14TS)는, 이러한 바람직한 실시예에서는, 예를 들어 구리 또는 구리 합금과 같은 높은 열 전도성을 가진 금속 물질로 만들어져 포함되고, 이러한 바람직한 실시예에서는, 예를 들어 열 전도성 접착제 또는 열 전도성 개스킷 물질을 통해서 또는 직접 AMB 다이(19D)와 바람직하게 열 접촉하고, 이보다 실질적으로 더 넓은 구리면(copper field)인 중앙부(14TC)를 구비한다. 회로(19)의 일부와의 열 접촉은 회로(19)와의 열 접촉으로 생각되어져야 한다.

이러한 바람직한 실시예에서, 열 싱크(14TS)의 중앙부(14TC)는 열 싱 크(14TS)의 주변부 위로 융기되며, 모듈(10)에 대한 낮은 프로파일의 실현에 도움을 주기 위해서, 예를 들어 AMB 다이(19D)와 같은 AMB 회로(19)의 적어도 일부가 도입될 수 있는 오목부를 이의 다른 면에 추가적으로 제공한다. 그러나 오목부는 본 발명을 실행하는데 필요한 것은 아니다. 바람직한 도시된 실시예에서, 열 싱크(14TS)는 기판(14)을 관통한 윈도우(25) 위에 배치된다. 플렉스 회로(12)의 "내부"에 장착된 AMB 회로(19)는 기판(14)의 "후면"으로부터 적어도 부분적으로 윈도우(250) 안으로 배치되어, 열 싱크(14TS)와의 열 접촉을 달성하고, AMB 회로(19)의 열 에너지 부하를 감소시키기 위한 전선관(conduit)을 제공한다.

열 싱크(14TS)가 윈도우(250)의 전체를 덮을 필요는 없다. 다른 실시예에서, 예를 들어 열 싱크(14TS)는 단지 윈도우(250)를 가로지를 수도 있고, 또는 열 싱크(14TS)는 윈도우(250)의 개구 위 또는 이를 가로지르는 대신에 윈도우(250) 내에 배치될 수도 있다. 열 싱크(14TS)는 통상적으로 기판(14)과 떨어진 금속 조각이지만, 본 명세서를 이해한 후, 당업자는, 대안적인 경우에, 열 싱크(14TS)가 기판(14)과 통합될 수 있으며, 또는 기판(14)의 특정 부분이 본원의 교시에 따라서 열 싱크(14TS)가 되도록 구성될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 예를 들면, 기판(14)은 알루미늄으로 구성될 수 있고, 또한 기판(14)의 열 싱크 영역(14TS)은 구리로 구성될 수 있지만, 그래도 기판(14)과 열 싱크(14TS)는 단일 조각일 수 있다. 통합 열 싱크-기판 실시예의 변형에 있어서, 열 싱크는 윈도우 없이 기판에 부착될 수 있어 기판(14)의 오직 한 면에만 바람직하게 접근할 수 있다. 제조 비용은 이러한 구성에 대해 불리하게 작용할 것이지만, 본 발명의 원리는 이러한 구성을 포 함한다. 결과적으로 기판(14) 내의 윈도우는 본 발명의 일부 실시예를 실행하는데 요구되지 않는다. 그러므로 열 싱크(14TS)는, 기판(14) 및 열 싱크를 구성하고 기판 물질보다 더 큰 열 전도성을 나타내는 물질과 통합되거나 또는 이에 부착된 영역 또는 엘리먼트라고 생각되어야 한다. 예시를 계속하면, 기판(14)은 알루미늄이지만 열 싱크(14TS)는 구리로 구성될 수 있다.

도 4A에서, 도시된 기판(14)은 통합 열 싱크(14TS)를 구비하는 것으로 도시된다. 기판과는 대조적으로 열 싱크(14TS)에 사용된 상이한 물질은 도 4A의 상이한 빗금으로 표시되어 있으며, 일반적으로 기판(14)과 열 싱크(14TS) 사이에 상이한 열 전도성 특성을 나타낸다. 예를 들어, 이 도시에서 열 싱크(14TS)는 구리일 수 있고, 예를 들어, 기판(14)의 메인 몸체는 알루미늄으로 구성될 수도 있으며, 이는 단지 일 예시를 제시한 것이다. 다른 예시는 플라스틱 몸체의 기판(14)과 구리 기반의 열 싱크(14TS)일 수 있다. 또한 플렉스 지지부(14TS)도 도 4A에서 도시되며, 통상적으로 기판(14)의 벌크와 동일한 물질로 구성된다.

모듈(10)과 함께 열 싱크를 사용하는 장점에도 불구하고, 다른 근본적 이유들 중 비용 때문에, 일부는 상기 특징이 없다는 점을 제외하고 열 싱크를 구비한 것들과 유사한 모듈을 구성하고자 할 수도 있다. 이러한 경우에, 도 4B는 본 발명의 다른 대안적인 실시예에서 사용되는 기판을 도시하며, 여기서 기판의 영역은 오목부를 제공하도록 변형되어 있지만, 열 싱크(14TS)가 사용되지는 않는다. 따라서 도 4B에서 도시된 것과 같은 기판을 사용하는 실시예들은 열 싱크를 구비하지 않을 것이지만, 회로(19)에 의해 생성되는 열을 소산시키기 위해 기판(14)과 회로(19) 사이의 열 접촉에 의지할 것이며, 회로(19)는 도 7에서 다음에 도시되는 것과 같이 플렉스 회로(12)의 내면(9)에 장착된다. 당업자는 오목부(14IN)가 요구되지 않는다는 것에 주의해야 할 것이다.

결과적으로 도 4B에서 도시된 것과 같고 열 싱크(14TS)를 나타내지 않는 기판을 사용한 예시적인 실시예는, 14TS라고 라벨링된 구조가 기판(14)으로부터 이격되지 않을 것이고, 기판(14)의 일부일 것이며, 동일한 물질로 구성될 것이라는 점을 제외하고는 도 5에서 도시도니 실시예와 매우 많이 유사해 보일 것이다. 또한 기판(14)에 개구가 필요하지 않을 것이므로 윈도우(250)도 존재하지 않을 것이다. 회로(19)는 열 싱크(14TS)보다는 기판(14)과 열 접촉하여 있을 것이다.

기판(14) 내의 윈도우(250)가 사용되는 경우에, 열 싱크(14TS)의 적어도 일부는 기판(14)의 "타면"으로부터 윈도우(250)을 통과해 접근가능해야만 한다. AMB 회로(19) 또는 기타 고 발열 회로(19) 및, 특히 AMB 다이(19D)는 윈도우(250) 내에 또는 가로질러 또는 위에 배치될 것이며, 바람직하게는 열 싱크(14TS)의 오목부 안으로 도입되어 열 싱크(14TS)와, 보다 바람직하게는 열 싱크(14TS)의 중앙 코어(14TC) - 여기서 중앙 코어는 열 싱크(14TS) 내에 선택적으로 포함됨 - 와, 직접 접촉으로 또는 열 접착제 또는 아교를 통해서, 열 접촉하여 배치될 것이다. 다른 실시예들은 다른 고 발열 회로들이 모듈(10) 내에서 사용되는 추가 윈도우를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들은, 본원에 참조로 통합되는 미국 특허 출원 제11/005,992호에 상세히 개시된 것과 같이, 기판(14) 내에 잘려진 영역 안으로 일부의 또는 전부의 IC(18)를 삽입할 수 있다.

바람직한 실시예에서, 열 싱크(14TS)는 기판(14)의 일면 상의 윈도우(250)(도 5에서 나중에 추가로 도시될 것임)를 덮으며, 이 때 AMB 회로(19)는 열 싱크(14TS)와 AMB 회로(19), 특히 AMB 다이(19D) 사이에, 직접 또는 열-전도성 접착제 또는 아교를 매개로 하여, 접촉을 실현시키기 위해 적어도 부분적으로 윈도우(250) 안에 배치된다.

도 2는 도 1에서 도시된 것과 같이 영역 "A"의 잘려짐 없이 외면적으로 나타낸 양태로 모듈(10)을 도시한다. 도시된 것과 같이, 모듈은 외장을 따라 CSP(18)의 어레이를 나타낼 것이다. 실제적으로 바람직한 모듈(10)의 면밀한 조사는, 플렉스 회로(12)의 내면(9)을 따라 실장되었던 CSP가 이제는 모듈(10)의 내부 부분 상에 기판에 근접하게 배치됨을 나타낼 것이다.

도 3은 도 1의 "A"로 표시된 영역에 대한 모듈(10)의 확대된 도시이다. AMB 회로(19)는 기판(14)을 통과한 윈도우(25)을 통해 도시된다. 바람직하게, AMB 회로(19)는 모듈(10)에 대해 플렉스 회로(12)의 내면(9)이 될 곳에 장착되고, 따라서 도 3에서 도시된 사시도에 대해서 "후방"으로부터 윈도우(250) 안으로 삽입된다. 당업자는, 특히 도 3을 참조로 하여, 플렉스 회로(12)의 일부는 열 싱크(14TS)를 노출하기 위해서 제거되었다는 것을 인식할 것이다.

도 4는 기판(14)의 통합된 부분으로써 중앙 영역(14TC)을 구비한 열 싱크(14TS)를 포함한 예시적이고 대안적인 기판(14)을 횡단면도로 도시한다. 이러한 실시예에 대해 앞에서 설명된 것과 같이, 기판(14)에 윈도우(250)가 필요하지는 않지만, 구성 복잡도는 기판(14)의 윈도우의 사용에 의해 최소화될 것이다.

도시된 것과 같이, 열 싱크(14TS)의 중앙 영역(14TC)은 예를 들어 AMB 회로(19)와 같은 더 높은 프로파일 소자에 공간을 제공하기 위해서 오목부 영역(14IN)을 나타내도록 구성된다. 오목부(14IN)는 열 싱크(14TS)가 기판(14)과 통합된 실시예뿐만 아니라 열 싱크(14TS)가 기판(14)의 윈도우를 통해 접근 가능한 실시예 모두에서, 필요로 하는 것은 아니지만, 바람직한 특징이다. 결과적으로 오목부(14IN)가 있는 경우, 예를 들어 AMB 다이(19D)와 같은 AMB 회로(19)의 적어도 일부는 모듈(10)이 조립될 때 오목부(14IN) 내에 도입되는 것이 바람직할 것이다. 기판(14)은 바람직한 모듈(10)에 열 장점을 제공하는 선택적인 연장부(16T)를 추가로 나타낸다. 연장부16T)는 열 싱크(14TS)가 기판(14)에 통합되던지 아니면 기판(14)의 윈도우(250)을 통해 접근 가능하도록 만들어지는지 바람직하다. 연장부(16T)는 다양한 구성으로 고안될 수 있으며, 기판(14)의 주축(main axis)로부터 양 방향 측부로 연장할 필요는 없다. 예를 들면, 연장부(16T)는 기판으로부터 오직 한 방향으로 연장할 수 있으며, 기판(14)의 주 몸체로부터 일직선으로 수직일 필요는 없다.

바람직하게 기판(14)는 열 전도성 물질로 구성된다. 기판(14)과 같은 구성에 쉽게 조작될 수 있는 알루미늄을 포함한 금속 물질이 바람직한 선택이다. FR4와 같은 물질이 사용될 수 있지만, 열 전도성인 다른 비금속 물질이 FR4보다 바람직하다. 예를 들어, 탄소 기반 물질 및 일정한 플라스특은 열 에너지를 쉽게 전도하는 것으로 알려져 있으며, 금속 물질의 대안으로써 이러한 물질이 금속 물질이 이용될 수 없거나 원하지 않는 본 발명에 따른 바람직한 실시예에서 이익이 되도록 사용될 수 있다. 플렉스 지지부(14FS)는 기판(14)의 단부(16A) 근처에 배치되는 것으로 도시된다. 플렉스 지지부(14FS)는 플렉스 회로(12)가 단부(16A) 둘레에 배치될 때 플렉스 회로(12)에 물리적 지지를 제공한다. 플렉스 지지부(14FS)는 기판(14)과 통합될 수도 있고, 또는 기판(14)으로부터 떨어진 조각일 수 있다.

도 5는 도 2의 투시선(B-B)을 따라 얻어진 예시적인 모듈(10)의 횡단면도이다. 도 5는 윈도우(250)를 구비한 기판(14)을 도시하며, 열 싱크(14TS)는 윈도우를 통해 접근 가능하다. 기판(14)은 S₁ 및 S₂로 식별되는 제 1 및 제 2 측면을 구비한다. 플렉스(12)는 기판(14)의 주변 에지(16A) 둘레를 감싼다. 도7에서 다음에 추가적으로 도시되겠지만, AMB 회로(19)는 플렉스 회로(12)의 내면(9)에 장착된다. 플렉스 회로(12)가 기판(14) 둘레에 배치될 때, AMB 회로(19)는 기판(14)의 열 싱크(14TS)와의 열 접촉을 실현하기위해 윈도우(250) 안으로 추가적으로 연장하여 AMB 다이(19D)를 구비한 윈도우(250) 안으로 적어도 부분적으로 도입된다. 이러한 열 접촉은 열-전도성 접착제(30)을 통해 이루어지지만, 대안적인 실시예에서는, 다른 바람직한 구성이 AMB 회로(19)와 열 싱크(14TS) 사이에 열 접촉을 실현하기 위해서 AMB 다이(19D)를 열 싱크(14TS)와 직접 물리적으로 접촉하도록 배치할 것이다. 다른 열 도전성 강화 물질도 예를 들어 열 그리스(grease) 또는 열 개스킷과 같은 열 접착제(30)의 위치에 또는 이에 부가하여 사용될 수 있다.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 모듈을 구성하는데 사용되는 플렉스 회로(12)("플렉스", "플렉스 회로", "가요성 회로")의 제 1 면(8)을 도시한다. 플렉 스 회로(12)는 다음의 도 12를 참조로 추가적으로 개시되는 것과 같이 하나 이상의 가요성 기판 층에 의해 지지되는 하나 이상의 전도층으로 만들어지는 것이 바람직하다. 플렉스 회로의 구성은 본 기술분야에 공지되어 있다. 플렉스 회로(12)의 전체는 가요성일 수 있으며, 또는 본 기술 분야의 당업자가 인식할 것과 같이, 가요성 회로 구조(12)는, 필요한 모양 또는 벤드에는 순응성을 주기 위해 일정 영역이 가요적이도록 만들어질 수 있고, 단단하고 평평한 장착 표면을 제공하기 위해 다른 영역이 단단하도록 만들어질 수 있다. 바람직한 플렉스 회로(12)는 조립 동안 기판(14)에 플렉스 회로(12)를 정렬하는데 사용되기 위한 개구(17)를 구비한다.

가요성 회로(12) 상의 IC(18)는 이 실시예에서 작은 크기의 칩크기로 패키징된 메모리 소지이다. 본 개시 목적을 위해 칩크기 또는 "CSP"라는 용어는, 패키지 또는 다이의 주 표면에 걸쳐 분포된 콘택(종종 예를 들어 "범프(bump)" 또는 "볼"로 구체화됨)을 통해 하나 이상의 다이와의 연결을 제공하는 어레이 패키지를 구비한 임의의 기능을 갖는 집적 회로를 칭할 것이다. CSP는 예를 들어 TSOP와 같은 패키지 외연의 적어도 일면으로부터 나타나는 리드(lead)를 통해서 패키지 내의 집적 회로와의 연결을 제공하는 리드 소자(leaded device)를 언급하지는 않는다.

본 발명의 실시예들은 패키지 및 언패키지 형태 모두에서 리드 또는 CSP소자 또는 다른 소자와 사용도리 수 있지만, 여기서 CSP라는 용어가 사용되는 경우에는 CSP에 대한 앞의 정의가 채택되어야만 한다. 결과적으로 CSP가 리드 소자를 배제할지라도, CSP에 대한 참조는 매우 다양한 어레이 소자를 포함하도록 넓게 구성되며, (메모리로만 제한되는 것도 아니고), 예를 들어 BGA 및 마이크로 BGA뿐만 아니 라 플립-칩과 같은 다이-크기 또는 다른 크기이든지 포함하도록 넓게 구성된다. 본 개시를 이해한 후 당업자가 이해하게 될 것과 같이, 본 발명의 일부 실시예는 IC(18)이 예시적인 도면들에서 개시된 곳에 각각 배치된 IC의 적층을 사용하도록 고안될 수 있다.

다수의 지적 회로 다이가 단일 IC(18)로 도시된 패키지 안에 포함될 수 있다. 이 실시예에서 메모리 IC가 메모리 확장 보드 또는 모듈을 제공하는데 사용되지만, 다양한 실시예들은 다양한 집적 회로 및 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 이러한 다양함에는 제한하지 않는 예시들의 리스트로서 마이크로프로세서, FPGA's, RF 송수신 회로, 디지털 로직, 또는 고밀도 회로 보드 또는 모듈 용량으로부터 이익이 될 수 있는 다른 회로 또는 시스템을 포함할 수 있다. 일부 바람직한 실시예에서, 회로(19)는 AMB일 것이지만, 본 발명의 원리는 예를 들어 회로 모듈 내에서 사용되는 마이크로프로세서 또는 그래픽 프로세서와 같은 다양한 열 생성 장치와 함께 사용될 수 있다.

도 6의 도시는 콘택(20)의 각각의 면 상에 IC(18)의 한 필드를 갖는 IC(18)의 제 1 및 제 2 필드를 구비하는 것으로 플렉스 회로(12)를 도시한다. 당업자는 콘택(20)이 어플리케이션에 기계적 접촉 인터페이스 특색에 따라서 모듈(10)의 하나 또는 양 면에 나타날 수 있다는 것을 인식할 것이다.

또한 플렉스 회로(12)는 이의 주변 에지에 의해 지시될 수 있으며, 에지 중 2개는 통상적으로 길고(PE_long1 및 PE_long2) 다른 두개는 통상적으로 짧지만(PE_short1 및 PE_short2), 플렉스 회로(12)는 정사각형을 포함하여 다양한 모양으로 표현될 수 있다. 어레이(11A)와 같은 콘택 어레이는 IC(18)와 AMB 회로(19) 아래에 배치되고, 어레이 콘택(11C)로 구성된다. 예시적인 콘택 어레이(11A)는 도시된 것과 같인 예시적인 IC(18)가 콘택 어레이(11A)에 장칙된 것으로 도시된다. IC 다수에 상응하는 콘택 어레이(11A)는 콘택 어레이 세트로 생각될 수 있다.

제 1 복수의 IC(18)은 플렉스 회로(12)의 면(8) 상에 도시되고, IC_R1으로 식별되며, 제 2 복수의 CSP는 IC_R2로 식별된다. 당업자는 식별된 복수의 CSP가 도시된 구성으로 배치되면 "랭크"라고 통상적으로 기재된다는 것을 인식할 것이다. 랭크(IC_R1 및 IC_R2) 사이에, 플렉스 회로(12)는, 본 실시예에서, 모듈 콘택(20)의 두 행(C_R1 및 C_R2) 안에 할당된 다수의 모듈 콘택을 지탱한다. 플렉스 회로(12)가 예를 들어 도 5에서 앞서 도시된 것과 같이 기판(14)에 대해 접히면, 도 6에 도시된 면(8)은 모듈(10)의 외면에 표시되고, 도 2에 상응하는 시야로 도시될 것이다. 플렉스 회로(12)의 반대면(9)은 모듈(10)의 몇 가지 도시된 구성에서 내면에 위치하며, 따라서 면(9)은 면(8)보다 플렉스 회로(12)가 둘레에 배치되는 기판에(14)에 더 근접할 것이다. 다른 실시예들은 다른 개수의 랭크와 본 발명의 모듈을 생성하기 위해 연결된 다수의 CSP 조합을 구비할 수 있다.

도 6은 모듈 콘택(20)의 행(C_R2)을 IC(18)에 연결하는 예시적인 도전성 트레이스(21)를 도시한다. 당업자는 통상적인 실시예에서는 이러한 트레이스가 많다는 것을 이해할 것이다. 또한 트레이스(21)는, 특정 실시예에서 하나 이상의 전도층을 구비한 플렉스(12)의 다른 전도층으로 통과할 수 있는 비아들과 연결할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 비아는 플렉스(12)의 면(9) 상의 IC(18)을 모듈 콘택(20)과 연결시킨다. 예시적인 비아는 도면 번호(23)로 도시된다. 트레이스(21)는 플렉스(12)의 양 면 상의 IC들 사이의 다른 연결을 만들 수도 있으며, IC를 상호연결하기 위해 모듈 콘택(20)의 행을 가로지를 수 있다. 다양한 트레이스와 비아는 함께 데이터 전달 및 다양한 IC와 버퍼 회로 사이의 신호를 제어하는데 필요한 상호연결을 만든다. 당업자는 본 발명이 모듈 콘택(20)의 오직 한 열로 구현될 수도 있고, 또한 다른 실시예에서 플렉스 회로(12)의 오직 한 면 상에 IC를 지탱하는 모듈로서 구현될 수도 있다는 것을 이해할 것이다.

도 7은 도 6에 도시된 플렉스 회로의 타면을 도시하며 플렉스 회로(12)의 면(9)을 도시한다. 플렉스 회로(12)의 면(9)은 다수의 CSP(18) 및 AMB 회로(19)로 포퓰레이트 된 것으로 도시된다. 면(9)은 필드(F1 및 F2)를 포함하며, 각각의 필드는 적어도 하나의 CSP를 위한 장착 콘택 어레이 지점을 포함하며, 도시된 경우에는, 다수의 콘택 어레이를 포함한다. 각각의 필드(F1 및 F2)는, 도시된 바람직한 실시예에서, 앞서 도 6에서 IC_R1 및 IC_R2로 식별된 두 개의 복수의 IC를 포함한다.

종단 저항, 바이패스 커패시터, 및 바이어스 저항과 같은 다양한 독립 컴포넌트들은 플렉스의 양 면(8 및 9) 상이 장착될 수 있다. 이러한 독립 컴포넌트들은 도면을 간략화 하기 위해서 도시되지 않는다. 또한 다른 실시예들은 플렉스 회 로의 각각의 필드 내에 또는 플렉스 회로의 면 상에 더 적거나 더 많은 개수의 랭크 또는 복수의 IC를 구비할 수도 있다.

도 8은 예시적인 모듈(10)의 단부 또는 에지(16A) 근처의 영역을 확대한 도시이다. 라운드형 구성이 도시되었지만, 에지(16A)는 다양한 커넥터 또는 소켓에 맞도록 고안된 다른 모양일 수도 있다. 다양한 에지 카드 커넥터의 형태와 기능은 본 기술분야에 알려져 있다. 많은 바람직한 실시예들에서, 플렉스(12)는 기판(14)의 에지(16A) 둘레를 싸고, 라미네이트 되거나 또는 접착제(30)로 기판(14)과 접착적으로 연결될 수도 있다. 도시된 접착제(30)와 플렉스(12)의 두께는 변할 수 있으며, 도면을 간략화하기 위해서 크기로 그려진 것은 아니다. 플렉스(12)와 접착제(30)가 조립될 때, 모듈 콘택(20) 사이에 측정된 두께가 메이팅 커넥터(mating connector)를 위해 구체화된 범위 내에 속하도록 도시된 기판(14)은 두께를 갖는다. 일부 다른 실시예에서, 플렉스 회로(12)는 단부(16A) 둘레를 싼 하나 대신에 두 개의 플렉스 회로(12A 및 12B)로 구현될 수 있다. 예를 들면, 플렉스 회로(12A)는 모듈(10)의 일면에 배치될 수 있는 반면, 다른 플렉스 회로(12B)는 모듈(10)의 타면에 배치될 수 있다. 접착제(30)는 플렉스 회로(12)를 기판(14)에 부착하는데 사용되며, 콘택(20)은 모듈(10)의 각 면에 배치된다. 다른 실시예에서, 콘택(20)은 모듈(10)의 양 면에 배치될 필요는 없으며, 구성에 있어서 오직 한 면에만 나타날 수 있다.

도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 고안된 모듈(10)의 횡단면도이다. 횡단면은 횡단면에서 보이는 소자가 IC(18)이도록 회로(19)에서 제거된 지점 에서 모듈(10)을 통과하여 얻어진다.

도 10은 모듈(10)의 열 관리에 도움을 주고자 복수의 열 또는 방열 클립(100)을 사용하는 본 발명의 대안적인 실시예의 평면도이다. 이러한 클립이 오직 두개만 도시되어 있지만, 임의의 개수의 이러한 클립이 사용될 수 있다는 것을 인식해야 한다. 클립(100)은 열 전도성 물질로 구성되는 것이 바람직하며, 이는 IC(18) 또는 회로(19)와 열 접촉하여 있으며, 여기서 회로(19)는 모듈(10)의 외장부에 배치된다. 바람직하게 단일 클립(100)은 모듈(10)의 각 면에 하나씩 있는 두 개의 CSP와 열 접촉하고 있다. 클립(100)과 IC(18 또는 19) 사이의 열 접촉은 열 그리스(102)로 실현되거나 이로 강화되며, 바람직하게 클립(100)은 열 전달을 위해 적절한 표면을 나타내는 구성으로 고안된다.

도 11은 적어도 하나의 열 또는 방열 클립(100)에 적절한 예시적인 모듈(10)의 횡단면도이다. 도시된 것과 같이, 클립(100)은 IC(18)와 열 접촉하고 있다. 이러한 열 접촉은 열 그리스(102)로 강화된다. 열 그리스는 선택적이지만 바람직하다는 것에 주의해야 한다. 도시된 클립(100)은 모듈(10)로부터의 열 분산을 추가적으로 향상시키기 위해서 연장부(16T) 위를 통과하며, 이와 접촉하고 있다.

도 12는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플렉스 회로(12) 횡단면의 확대도이다. 도시된 플렉스 회로(12)는 4개의 전도층(1201-1204)및 7개의 절연층(1205-1211)을 구비한다. 개시된 층의 개수는 단지 바람직한 실시예에서 사용된 것이며, 다른 개수의 층과 다른 배열의 층도 사용될 수 있다. 심지어 하나의 전도층 플렉스 회로(12)도 일부 실시예에서 사용될 수 있지만, 하나 이상의 전도층을 구비한 플렉스 회로가 본 발명의 더 복잡한 실시예에 더욱 적합하다는 것이 증명된다.

상부 전도층(1201)및 다른 전도층은 예를 들어 구리 또는 합금(110)과 같은 전도성 물질로 만들어지는 것이 바람직하다. 이러한 배열에서, 전도층(1201, 1202, 및 1204)은 플렉스 회로(12)의 사용에 의해 다양한 연결을 만드는 신호 트레이서(1212)를 나타낸다. 또한 이러한 층들은 그라운드, 전원, 또는 기준 전압을 위한 도전성 평면을 나타낸다.

이러한 실시예에서, 내부 전도성 층(1202)은 다양한 IC와 연결되고 이들 사이에 있는 트레이스를 나타낸다. 임의의 하나의 도시된 전도층의 기능은 다른 전도층과 기능에 있어서 교환될 수 있다. 내부 전도층(1203)은 그라운드 평면을 나타내며, 이는 사전-등록(pre-register) 어드레스 신호에 VDD 리턴(return)을 제공하기 위해서 분리될 수 있다. 내부 전도층(1203)은 다른 평면 및 트레이스를 추가적으로 나타낼 수도 있다. 이러한 실시예에서, 하부 도전층(1204)의 플로드(flood) 또는 평면은 도시된 트레이스 외에 VREF 및 그라운드를 제공한다.

절연층(1205 및 1211)은 이 실시예에서 절연체 땜납 마스크층이며, 이는 예를 들어 인접한 전도층 위에 증착될 수 있다. 다른 실시예들은 이러한 부착성 절연체 층을 구비하지 않을 수 있다. 절연층(1206, 1208, 및 1210)은 폴리미드로 만들어진 가요성 절연체 기판층인 것이 바람직하다. 그러나 임의의 적절한 가요성 회로도 본 발명에서 사용될 수 있으며, 도 12의 도시는 단지 플렉스 회로(12)로 사용될 수 있는 더욱 복잡한 가요성 회로 구조물의 예시적인 하나라는 것을 이해해야 한다.

본 발명은, 더 적은 소켓을 사용하면서 강화된 메모리 용량을 제공하도록 머더보드 확장 슬롯에 배치됨으로써, 예를 들어 서버와 노트북 컴퓨터와 같은 컴퓨터 내에서와 같은 다양한 환경 및 어플리케이션에서 이익이 되도록 사용될 수 있다. 두개의 높은 랭크 실시예 또는 단일 랭크 높은 실시예 모두는, 본 명세서를 이해한 후에 당업자가 인식할 것과 같은 그러한 장점들로 사용될 수 있다.

본원에서 개시되고 도시된 것과 같은 회로 모듈(10)을 효과적으로 조립하기 위한 한 가지 유익한 방법은 다음과 같다. 바람직한 모듈 어셈블리(10)을 조립하는 바람직한 방법에 있어서, 플렉스 회로(12)는 본 기술분야에 공지된 회로 기판 조립 기술에 따라서 포퓰레이트 된 평평한 양 면에 배치된다. 그리고 플렉스 회로(12)는 기판(14)의 단부(16A) 주위로 접힌다. 플렉스(12)는 기판(14)에 라미네이트 될 수 있으며, 또는 그렇지 않고 이에 부착될 수 있다.

본 발명이 상세히 기술되었지만, 다양한 특정 형태를 취하고 변화, 대체 및 변경을 반영하는 많은 실시예들이 본 발명의 사상과 범위에서 벗어남 없이 만들어질 수 있다는 것은 본 기술분야의 당업자에게 명백할 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 청구범위의 범위를 제한함 없이 도시한다.

Claims

(a) 두 대향 측면, 에지, 및 열 싱크(thermal sink)를 구비한 경질 기판 - 상기 열 싱크는 상기 기판의 상기 두 대향 측면 중 적어도 하나에 접근할 수 있음 - ; 및

(b) 제 1 면 및 제 2 면을 구비한 플렉스 회로 - 상기 플렉스 회로의 상기 제 1 면은 회로 기판 소켓과 연결하기에 적합한 복수의 콘택을 구비하고, 상기 플렉스 회로의 상기 제 1 및 제 2 면들 중 적어도 하나에는 복수의 메모리 CSP가 실장(populate)되는 동시에 상기 플렉스 회로의 상기 제 2 주면에는 AMB가 실장되며, 상기 플렉스 회로는 상기 경질 기판의 상기 에지 둘레에 배치되어 상기 AMB를 상기 열 싱크와 열 접촉하여 배치함 -

를 포함하는, 회로 모듈.
제1항에 있어서,

상기 경질 기판은 열 전도성 물질로 구성되는, 회로 모듈.
제1항 또는 제 2항에 있어서,

상기 기판은 적어도 하나의 연장부(extension)를 나타내는, 회로 모듈.
제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 경질 기판은 알루미늄으로 구성되는, 회로 모듈.
제1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 열 싱크의 적어도 일부는 오목부를 제공하며, 상기 AMB의 일부는 적어도 부분적으로 상기 오목부 안으로 도입되는, 회로 모듈.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 열 접촉은 열 전도성 접착제를 통해 실현되는, 회로 모듈.
제1항에 있어서,

상기 플렉스 회로의 상기 제 1 및 제 2 면들에는 복수의 메모리 CSP가 실장되는, 회로 모듈.
제1항에 있어서,

상기 경질 기판은 플렉스 지지부를 더 포함하는, 회로 모듈.
제1항에 있어서,

상기 열 싱크는 구리로 구성되는, 회로 모듈.
제1항에 있어서,

상기 열 싱크는 열 전도성인 비-금속 물질로 구성되는, 회로 모듈.
제1항 또는 제3항에 있어서,

상기 경질 기판은 윈도우를 나타내며, 상기 열 싱크는 상기 윈도우를 통해 접근할 수 있는, 회로 모듈.
제1항에 있어서,

상기 열 싱크는 상기 경질 기판의 윈도우를 가로지르는, 회로 모듈.
제1항에 있어서,

상기 열 싱크는 상기 경질 기판의 윈도우를 덮는, 회로 모듈.
(a) 두 대향 측면 및 에지를 구비한 경질 기판 - 상기 경질 기판은 상기 기판을 관통하는 윈도우를 구비함 - ;

(b) 열 싱크 - 상기 열 싱크의 적어도 일부는 상기 윈도우 내에서 접근할 수 있음 - ; 및

(c) 제 1 면 및 제 2 면을 구비한 플렉스 회로 - 상기 플렉스 회로의 상기 제 1 면은 회로 기판 소켓과 연결하기에 적합한 복수의 콘택을 구비하고, 상기 플렉스 회로의 상기 제 1 및 제 2 면들 중 적어도 하나에는 제 1 타입의 복수의 CSP가 실장되는 동시에, 상기 플렉스 회로의 상기 제 2 주면에는 제 2 타입의 적어도 하나의 CSP가 실장되며, 상기 플렉스 회로는 상기 경질 기판의 상기 에지 둘레에 배치되어 상기 제 2 타입의 적어도 하나의 CSP를 상기 열 싱크와 열 접촉하여 배치함 -

를 포함하는, 회로 모듈.
제14항에 있어서,

상기 경질 기판은 열 전도성 물질로 구성되는, 회로 모듈.
제14항에 있어서,

상기 열 싱크는 오목부로 구성되며, 상기 제 2 타입의 적어도 하나의 CSP의 일부는 적어도 부분적으로 상기 오목부 안으로 도입되는, 회로 모듈.
제14항에 있어서,

상기 기판은 플렉스 지지부를 나타내는, 회로 모듈.
제14항에 있어서,

상기 경질 기판은 금속성인 열 전도성 물질로 구성되는, 회로 모듈.
제14항에 있어서,

상기 기판은 알루미늄으로 구성되는, 회로 모듈.
제14항에 있어서,

상기 열 싱크는 구리로 구성되는, 회로 모듈.
제14항에 있어서,

조립하는 동안 상기 플렉스 회로를 상기 기판과 정렬하는데 사용하는 적어도 하나의 정렬 홀(alignment hole)을 상기 플렉스 회로 내에 더 포함하는, 회로 모듈.
제14항에 있어서,

상기 플렉스 회로는 하나 이상의 전도층(conductive layer)으로 구성되는, 회로 모듈.
제14항에 있어서,

상기 플렉스 회로는 4개의 전도층으로 구성되는, 회로 모듈.
회로 모듈로서,

(a) 두 대향 측면 및 에지를 구비한 경질 기판;

(b) 제 1 면 및 제 2 면을 구비한 플렉스 회로 - 상기 플렉스 회로의 상기 제 1 면은 회로 기판 소켓과 연결하기에 적합한 복수의 콘택을 구비하고, 상기 플 렉스 회로의 상기 제 1 및 제 2 면들 중 적어도 하나에는 제 1 타입의 복수의 CSP가 실장되는 동시에 상기 플렉스 회로의 상기 제 2 주면에는 제 2 타입의 적어도 하나의 CSP가 실장되며, 상기 플렉스 회로는 상기 경질 기판의 상기 에지 둘레에 배치되어 상기 제 2 타입의 적어도 하나의 CSP를 상기 열 싱크와 열 접촉하여 배치함 - ; 및

(c) 상기 회로 모듈의 일면에 배치된 상기 제 1 타입의 복수의 CSP들 중 제 1 CSP와 열 접촉하고, 상기 회로 모듈의 타면에 배치된 상기 제 1 타입의 복수의 CSP들 중 제 2 CSP와 열 접촉하는, 적어도 하나의 열 클립(thermal clip) 세트

를 포함하는, 회로 모듈.
제24항에 있어서,

상기 경질 기판은 적어도 하나의 연장부를 나타내는, 회로 모듈.
제24항 또는 제25항에 있어서,

상기 열 클립과 상기 복수의 CSP들 중 상기 제 1 및 제 2 CSP들 사이의 상기 열 접촉은 열 그리스(grease)에 의해 강화되거나 실현되는, 회로 모듈.
제24항 또는 제25항에 있어서,

열 싱크를 더 포함하고, 상기 열 싱크와 상기 제 2 타입의 적어도 하나의 CSP 사이에 열 접촉이 존재하는, 회로 모듈.
제24항 또는 제25항에 있어서,

상기 경질 기판은 윈도우를 나타내고, 열 싱크는 상기 윈도우를 통해 접근되어, 상기 열 싱크와 상기 제 2 타입의 적어도 하나의 CSP 사이에 열 접촉을 실현하는, 회로 모듈.
제24항 또는 제25항에 있어서,

상기 경질 기판은 열 전도성인, 회로 모듈.
제27항 또는 제28항에 있어서,

상기 경질 기판은 알루미늄으로 구성되고, 상기 열 싱크는 구리를 포함하는, 회로 모듈.
제30항에 있어서,

상기 기판은 플렉스 지지부를 더 포함하는, 회로 모듈.
제24항에 있어서,

상기 플렉스 회로는 하나 이상의 전도층을 포함하는, 회로 모듈.
(a) 두 대향 측면 및 에지를 구비한 경질 기판 - 상기 경질 기판은 통합된 열 싱크 영역을 구비함 - ; 및

(b) 제 1 면 및 제 2 면을 구비한 플렉스 회로 - 상기 플렉스 회로의 상기 제 1 면은 회로 기판 소켓과 연결하기에 적합한 복수의 콘택을 구비하고, 상기 플렉스 회로의 상기 제 1 및 제 2 면들 중 적어도 하나에는 제 1 타입의 복수의 CSP가 실장되는 동시에 상기 플렉스 회로의 상기 제 2 주면에는 제 2 타입의 적어도 하나의 CSP가 실장되며, 상기 플렉스 회로는 상기 경질 기판의 상기 에지 둘레에 배치되어 상기 제 2 타입의 상기 적어도 하나의 CSP를 상기 열 싱크 영역과 열 접촉하여 배치함 -

를 포함하는, 회로 모듈.
제33항에 있어서,

상기 경질 기판은 열 전도성 물질로 구성되는, 회로 모듈.
제33항에 있어서,

상기 경질 기판은 알루미늄으로 구성되고, 상기 경질 기판의 상기 열 싱크 영역은 구리로 구성되는, 회로 모듈.
제33항에 있어서,

상기 플렉스 기판은 하나 이상의 전도층으로 구성되는, 회로 모듈.