JP3808335B2 - メモリモジュール - Google Patents
メモリモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP3808335B2 JP3808335B2 JP2001226566A JP2001226566A JP3808335B2 JP 3808335 B2 JP3808335 B2 JP 3808335B2 JP 2001226566 A JP2001226566 A JP 2001226566A JP 2001226566 A JP2001226566 A JP 2001226566A JP 3808335 B2 JP3808335 B2 JP 3808335B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory module
- wiring
- impedance
- group
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一の基板上に複数のメモリデバイスを搭載してなるメモリモジュールに関し、特に、レジスタ付メモリモジュール又はバッファ付メモリモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
レジスタ付メモリモジュールとは、基板上に複数のメモリデバイスに共通のコマンド/アドレス(C/A)レジスタを有するタイプのメモリモジュールである。ここで、C/Aレジスタは、メモリモジュールに送られてきたコマンド信号やアドレス信号をラッチし(一時的に格納し)、そのラッチした(一時的に格納した)コマンド信号やアドレス信号を対応するメモリデバイスに対して内部信号として出力する。
【0003】
一般に、パーソナルコンピュータ等に使用されるメモリモジュールの数は複数であり、しかも、各メモリモジュール上には複数のメモリデバイスが搭載されている。このため、それら全てのメモリデバイスに対してCPU又はチップセット(メモリコントローラ)からC/A信号を直接供給することとすると、C/A信号は大きな容量負荷を駆動しなければならないこととなる。そこで、これらの容量負荷を軽減させるため、各メモリモジュール毎にC/Aレジスタが設けられている。これにより、一つのメモリモジュール上に搭載されたメモリデバイスは、それと同じメモリモジュール上に搭載されたレジスタにより駆動されることとなり、一方、CPU又はチップセット側から見た場合におけるそのメモリモジュール上の負荷は該C/Aレジスタのみとなる。
【0004】
従来、C/Aレジスタと複数のメモリデバイスとを接続するバス(以下、「内部C/Aバス」という)のトポロジに関し、種々の提案がなされている。代表的なバストポロジとしては、一段階層を有するトポロジ(以下、本明細書において「シングルT−ブランチトポロジ」という。)と、二段階層を有するトポロジ(以下、本明細書において「デュアルT−ブランチトポロジ」という。)とが知られている。後者の例としては、http://www.chips.ibm.com/products/memoryにて示されるWebサイトにて入手可能な“DDR SDRAM Registerd DIMM Design Specification−Revision1.0”に開示されているものが挙げられる。デュアルT−ブランチトポロジは、デバイス搭載数が多い場合において、C/Aレジスタから各デバイスに対する信号伝搬上の遅延量の差を少なくできる点で、シングルT−ブランチトポロジと比較して有利である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
近年、メモリデバイスの分野においては、データ転送速度の向上が強く望まれており、それに伴って、コマンド信号/アドレス信号の周波数を高くする必要がある。
【0006】
高周波動作に対応するために、バス線を終端する技術も知られているが、この技術によると消費電力が大きくなるという欠点がある。
【0007】
本発明は、レジスタ付メモリモジュールにおいて、無終端のデュアルT−ブランチトポロジを採用し、高周波動作に対応することのできるように改良されたレジスタ付メモリモジュールを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の発明者は、上述した課題を解決すべく、現行の製品を高周波数で動作させるシミュレーションを行った。詳しくは、現行の製品は、67MHzで動作するC/Aレジスタ付メモリモジュールであり、これを150MHzで動作させるシミュレーションを行った。しかし、無終端では、C/Aレジスタの出力用トランジスタであるMOSトランジスタのサイズを様々に変化させても、良好な波形は得られなかった。一般に良好な波形を得るためには終端すれば良いことが知られているが、この技術によると、消費電力が大きくなるという他の問題が生じてしまうことから、終端抵抗を用いずに良好な波形を得る方法はないかと思考した。
【0009】
通常、この種のシミュレーションを開始する際には、トポロジの波形入力に相当するインピーダンス(例えば、レジスタ付メモリモジュールにおいては、C/Aレジスタの出力用トランジスタに相当する箇所のインピーダンスであり、内部C/Aバス入力端からC/Aレジスタを見た場合のC/Aレジスタの出力インピーダンス)を、抵抗素子に置換えて、波形調査等を行う。様々なトポロジーの調査を行うために、上述のような抵抗素子の配置によって出力インピーダンスを仮定しシミュレーションを行った結果、シングルT−ブランチトポロジではなくデュアルT−ブランチトポロジにおいて、無終端で、周波数を150MHzに上げても、良好な波形を得ることができた。
【0010】
その後さらに、より現実にそうように、抵抗素子で仮定していた出力インピーダンスをMOSトランジスタに置換えてシミュレーションを行ったが、良好な波形を得ることはできなかった。
【0011】
考察を重ねた結果、上述した問題の原因をトランジスタのオン抵抗が一定でない(トランジスタが線形領域で動作していない)ことにあると想定した。すなわち、上記問題は、内部C/Aバスの入力端からC/Aレジスタを見た場合における出力インピーダンスが一定でないことに起因するものと推定し、この出力インピーダンスを実質的に一定とした状態でバス駆動を行うこととすれば問題が解消できるものと考えた。その考察に基づき、出力インピーダンスが実質的に一定となるように、出力用MOSトランジスタの出力端にシリアルに抵抗を設けるようにして、再度シミュレーションを行った。しかし、良好な結果は得られなかった。
【0012】
更に考察を重ね、出力波形の傾き、すなわち立上り時間/立下り時間(以下、「tR/tF」と略す。)も良好な波形に寄与することを見出した。
【0013】
本発明の発明者は、更に、モジュール搭載デバイス数を変えながら、検証を続け、出力インピーダンスが該デバイス数に依存することを見出した。
【0014】
本発明は、上述した考察及びその結果に基づき、先に掲げた課題を解決するための具体的手段として、以下に示すメモリモジュールを提供する。
【0015】
すなわち、本発明によれば、第1のメモリモジュールとして、出力用トランジスタを有し且つ外部からのコマンド/アドレス信号に応じて内部信号を生成するコマンド/アドレスレジスタ手段と、第1及び第2の群にグループ化された複数のメモリデバイスと、前記コマンド/アドレスレジスタ手段と前記複数のメモリデバイスとを接続する配線と、前記コマンド/アドレスレジスタ手段及び前記複数のメモリデバイスが搭載された基板とを有するメモリモジュールであって、
前記配線は、前記コマンド/アドレスレジスタ手段から第1分岐点まで延設された第1配線部と、前記第1分岐点から第2分岐点まで延設された第2配線部と、前記第1分岐点から第3分岐点まで延設された第3配線部と、前記第2分岐点から派生し前記第1の群に属する前記メモリデバイスまで至る第4配線部と、前記第3分岐点から派生し前記第2の群に属する前記メモリデバイスまで至る第5配線部とを有する配線とを有しており、
前記コマンド/アドレスレジスタ手段は、
前記第1配線部との接続点から当該コマンド/アドレスレジスタ手段を見た場合における出力インピーダンスが前記内部信号の動作電圧範囲内において実質的に一定となるように、該出力インピーダンスの調整を行うためのインピーダンス調整手段を備え、
前記インピーダンス調整手段は、当該コマンド/アドレス手段が有するレジスタ出力端にシリアルに接続された抵抗で構成され、
前記出力インピーダンスは、前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数と、前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数によって、前記第1乃至第5の配線部の配線インピーダンスより小さい値で、16オームから36オームの範囲から選択され、
前記コマンド/アドレスレジスタ手段は、さらに
前記内部信号が所定の立上り時間/立下り時間を有するように、該内部信号の立上り時間/立下り時間を調整するための立上り時間/立下り時間調整手段を備え、
前記立上り時間/立下り時間調整手段は、前記レジスタ出力端に接続されたキャパシタで構成され、
前記所定の立上り時間/立下り時間は、0.9〜2.0nsである、
ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0016】
また、本発明によれば、第2のメモリモジュールとして、前記第1のメモリモジュールにおいて、前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数は8又は10のいずれかであり、前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数は8であり、前記第1乃至第5配線部の配線インピーダンスは実質的に50〜65オームの範囲に属しており、前記出力インピーダンスは、20オーム±20%である、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0017】
また、本発明によれば、第3のメモリモジュールとして、前記第1のメモリモジュールにおいて、前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数は4又は5のいずれかであり、前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数は4であり、前記第1乃至第5配線部の配線インピーダンスは50〜65オームの範囲に属しており、前記出力インピーダンスは、25オーム±20%である、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0018】
また、本発明によれば、第4のメモリモジュールとして、前記第1のメモリモジュールにおいて、前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数は2又は3のいずれかであり、前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数は2であり、前記第1乃至第5配線部の配線インピーダンスは50〜65オームの範囲に属しており、前記出力インピーダンスは、30オーム±20%である、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0019】
更に、本発明によれば、第5のメモリモジュールとして、前記第1のメモリモジュールにおいて、前記複数のメモリデバイス及び前記配線の双方とも終端されていない、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0020】
また、本発明によれば、第6のメモリモジュールとして、前記第1のメモリモジュールにおいて、前記コマンド/アドレスレジスタ手段は、前記インピーダンス調整手段として、前記出力トランジスタの出力端と前記レジスタ出力端の間にシリアルに設けられた抵抗を有するコマンド/アドレスレジスタからなる、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0021】
また、本発明によれば、第7のメモリモジュールとして、前記第1のメモリモジュールにおいて、
前記インピーダンス調整手段は、第1および第2の抵抗を備えており、
前記コマンド/アドレスレジスタ手段は、レジスタ出力端を有するコマンド/アドレスレジスタであって、前記出力用トランジスタ及び該出力用トランジスタの出力端と前記レジスタ出力端との間にシリアルに設けられた前記第1の抵抗を含むコマンド/アドレスレジスタと、前記レジスタ出力端にシリアルに接続された前記第2の抵抗とを備えている、
ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0022】
また、本発明によれば、第8のメモリモジュールとして、前記第7のメモリモジュールにおいて、前記第1の抵抗の抵抗値は、前記複数のメモリデバイスの数として想定可能な数を考慮した上で、最も低い値に設定されており、且つ、前記第2の抵抗の抵抗値は、前記出力インピーダンスの調整を実現するために前記第1の抵抗の抵抗値に加えられるべき値に設定されている、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0023】
また、本発明によれば、第9のメモリモジュールとして、前記第6のメモリモジュールにおいて、前記抵抗の抵抗値は、前記出力用トランジスタのオン抵抗よりも大きい、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0024】
また、本発明によれば、第10のメモリモジュールとして、前記第7のメモリモジュールにおいて、前記第1及び第2の抵抗素子の合成抵抗値は、前記出力用トランジスタのオン抵抗よりも大きい、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0025】
更に、本発明によれば、第11のメモリモジュールとして、前記第1のメモリモジュールにおいて、前記所定の立上り時間/立下り時間は、前記複数のメモリデバイスの数として想定可能な数によらず、一定である、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0026】
また、本発明によれば、第12のメモリモジュールとして、前記第1のメモリモジュールにおいて、前記内部信号の周波数は100MHz以上である、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0028】
また、本発明によれば、第13のメモリモジュールとして、前記第1のメモリモジュールであって、
前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数が前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数より所定数だけ大きく、且つ、全てのメモリデバイスが実質的に互いに等しい入力容量を有している、メモリモジュールにおいて、
夫々に前記入力容量に実質的に等しい容量を有する前記所定数のダミー容量であって、第2の群に属する前記メモリデバイスと共に、前記第5配線部に接続されたダミー容量を更に備えており、
前記第2分岐点から前記第1の群に属する前記メモリデバイス側を見た場合の合成インピーダンスと、前記第3の分岐点から前記第2の群に属する前記メモリデバイス及び前記ダミー容量を見た場合の合成インピーダンスとが互いに等しい、
ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0029】
また、本発明によれば、第14のメモリモジュールとして、前記第13のメモリモジュールにおいて、前記第2配線部と前記第3配線部とが互いに等しい配線インピーダンスを有し、且つ、前記第4配線部と前記第5配線部とが互いに等しい配線インピーダンスを有する、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0030】
また、本発明によれば、第15のメモリモジュールとして、前記第13のメモリモジュールにおいて、
前記第4配線部は、前記第2分岐点を通る第1の仮想的な線を境にして前記第1の群の前記メモリデバイスからなるノードを線対称に配置するようなローカル・トポロジーを形成しており、
前記第5配線部は、前記第3分岐点を通る第2の仮想的な線を境にして前記第2の群の前記メモリデバイスと前記所定数のダミー容量とからなるノードを線対称に配置するようなローカル・トポロジーを形成している
ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0031】
また、本発明によれば、第16のメモリモジュールとして、前記第1のメモリモジュールであって、
前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数が前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数より所定数だけ大きく、且つ、全てのメモリデバイスが実質的に互いに等しい入力容量を有している、メモリモジュールにおいて、
前記第1分岐点から前記第1の群に属する前記メモリデバイス側を見た場合における合成インピーダンスと、前記第1分岐点から前記第2の群に属する前記メモリデバイス側を見た場合における合成インピーダンスとが互いに等しくなるように、前記第2乃至第5配線部における配線長が調整されている
ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0035】
更に、本発明によれば、第17のモジュールとして、前記第1のメモリモジュールにおいて、前記コマンド/アドレスレジスタ手段に代えて、前記インピーダンス調整手段と前記立上り時間/立下り時間調整手段を備えるバッファ手段を有する、ことを特徴とするメモリモジュールが得られる。
【0036】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態によるメモリモジュールについて、図面を参照しながら、詳細に説明する。なお、以下に示すメモリモジュールは、200〜400MHzクラスの基準クロック周波数で動作するものであり、且つ、コマンド/アドレスレジスタは100〜200MHzクラスで動作するものであり、更に、メモリデバイスとしてDRAMデバイスを搭載したタイプのものであるが、他のメモリモジュールに対する適用可能性を排除する趣旨ではない。また、抵抗値等も代表値で記載されているが、量産性を考えて±20%程度のバラツキを含むものである。
【0037】
(第1の実施の形態)
図1に示されるように、本発明の第1の実施の形態によるメモリモジュール10は、基板20上に18個のDRAMデバイス301〜3018とC/Aレジスタ40を搭載してなるものである。DRAMデバイス301〜3018は、同じ特性を有するECC機能付のものであり、本実施の形態においては、2つの群にグループ化されている。第1の群は、DRAMデバイス301〜3010からなり、第2の群は、DRAMデバイス3011〜3018からなる。すなわち、第1の群に属するDRAMデバイスの数は、第2の群に属するDRAMデバイスの数より大きく、両者の差は2である。なお、かかるメモリモジュール10には、コマンド/アドレス信号線の他に、電源線、データ線が設けられているが、説明を明瞭なものとするため、以下においては、特にコマンド/アドレス信号線に着目して説明する。
【0038】
C/Aレジスタ40の出力端点P0とDRAMデバイス301〜3018とは配線L1a,L1b,L5a,L5b,L8a,L8b,L9及びビアホールViaにより接続され、本実施の形態によるデュアルT−ブランチトポロジを構成している。本実施の形態によるデュアルT−ブランチトポロジは、概略、第1配線部乃至第5配線部からなる。第1配線部は、配線L1a、L1b及びビアホールViaからなり、C/Aレジスタ40の出力端点P0から第1の分岐点P1まで延設されている。第2配線部は、配線L5a及びビアホールViaからなり、第1分岐点P1から第2分岐点P2まで延設されている。第3配線部は、配線L5b及びビアホールViaからなり、第1分岐点P1から第3分岐点P3まで延設されている。第4配線部は、第2分岐点P2から派生し、その派生した部分は夫々第1の群に属するDRAMデバイス301〜3010に至る。第5配線部は、第3分岐点P3から派生し、その派生した部分はそれぞれ第2の群に属するDRAMデバイス3011〜3018に至る。
【0039】
より具体的には、図示された例において配線L1a,L1b,L5a,L5b,L8a,L8b,L9は夫々1.0mm,15.0mm,40.0mm,40.0mm,12.0mm,12.0mm,1.0mmであり、配線インピーダンスは63オームである。また、本実施の形態におけるビアホールViaの概略等価図は、図2に示される。
【0040】
本実施の形態においては、2つのダミー容量50,51が第2の群に属するDRAMデバイス3011〜3018と同様に第5配線部に接続されている。このダミー容量50,51は、DRAMデバイスの入力容量と実質的に等しい容量値を有する、すなわち、DRAMデバイスの等価入力容量である。本実施の形態におけるDRAMデバイスの入力部の等価回路図は、図3に示される。図示されたDRAMデバイスの等価入力容量は2.0pFであり、従って、本実施の形態においては、ダミー容量50,51の値も2.0pFとされている。このようなダミー容量を設けたことから、本実施の形態においては、第2分岐点P2からDRAMデバイス301〜3010側を見た場合における合成インピーダンスと、第3分岐点P3からDRAMデバイス3011〜3018及びダミー容量50,51側を見た場合における合成インピーダンスとが互いに実質的に等しくなっている。すなわち、第2分岐点P2における入力インピーダンスと第3分岐点P3における入力インピーダンスとは互いに実質的に等しい。
【0041】
図1におけるビアホールの数、配線長及びその配置から明らかなように、本実施の形態におけるバストポロジは、第1分岐点P1を通る仮想直線(第1分岐点P1を通るように図示された配線L1a,L1bを延設してなる線)を挟んで線対称となっている。特に、配線L5a及びL5bは、互いに等しい配線長を有している。第4配線部は、第2分岐点P2を通る仮想直線(図示されたDRAMデバイス305,306間を通る線)を境界としてDRAMデバイス301〜3010からなるノードを線対称に配置するような第1のローカル・トポロジを形成しており、第5配線部は、第3分岐点P3を通る仮想直線(図示されたダミー容量50,51間を通る線)を境界としてDRAMデバイス3011〜3018及びダミー容量50,51からなるノードを線対称に配置するような第2のローカル・トポロジを形成している。第1のローカル・トポロジは、第2のローカルトポロジと等しく、従って、本実施の形態によるデュアルT−ブランチトポロジは、第1及び第2の群に関し、バランスのとれたものとなっている。
【0042】
図4を参照すると、本実施の形態によるC/Aレジスタ40は、CMOSインバータ41、CMOSインバータ41の出力端にシリアルに接続された抵抗値Rの抵抗42、及びCMOSインバータ41の出力端に一端を接続され他端を接地されたキャパシタ43とを備えている。本実施の形態によるCMOSインバータ41を構成するnMOSトランジスタ及びpMOSトランジスタは、夫々、線形領域におけるオン抵抗が5オームの特性を持つサイズを有している。なお、抵抗42の後段に描かれている8オームの抵抗、2.0pF及び0.1pFのキャパシタ、3.0nHのインダクタは、抵抗42からC/Aレジスタ40の出力端点P0までのパッケージ等の寄生インピーダンス等を示す等価回路である。また、単なるバッファではなくC/Aレジスタの場合、実際には、CMOSインバータ41の前段にフリップフロップ等の内部信号生成回路が設けられているが、本実施の形態においては説明の簡略化のため省略されている。
【0043】
本実施の形態において、抵抗42の抵抗値Rは、第1配線部L1aの入力端(即ち、本実施の形態においてはC/Aレジスタ40の出力端点P0)からC/Aレジスタ40側を見た場合におけるC/Aレジスタ40側の出力インピーダンスが動作電圧範囲内において一定となるようにして定められる。換言すれば、本実施の形態においては、第1配線部L1aの入力端(C/Aレジスタ40の出力端点P0)における電流−電圧特性が線形となるようにして、抵抗42の抵抗値Rが定められている。
【0044】
ここで、このC/Aレジスタ40側の出力インピーダンスと抵抗42の抵抗値Rとの関係について、図5及び図6を参照して説明する。なお、図5はC/Aレジスタ40の出力段を構成するCMOSインバータのうち、nMOSトランジスタに関するものであり、図6は同CMOSインバータのうち、pMOSトランジスタに関するものである。また、図5及び図6において、ID、VDとして示されるものは、これらnMOSトランジスタ及びpMOSトランジスタにおけるドレイン電流及びドレイン電圧であり、VD′として示されるものは、第1配線部L1aの入力側端点(本実施の形態においてはC/Aレジスタ40の出力端点P0であり、後述する第2及び第3の実施の形態においては点P4である:図5及び図6には第2及び第3の実施の形態に関するものも描かれている)における電圧である。
【0045】
一般に、MOSトランジスタのVD−ID特性は抵抗領域(線形領域)と飽和領域(ピンチオフ領域)とからなる。また、理想的には、飽和領域におけるドレイン電流IDはドレイン電圧VDによらず一定となる。すなわち、トランジスタのオン抵抗がドレイン電圧VDにより変化することとなる。例えば、図5及び図6に示されたID−VD特性においては、0〜±0.3V程度の範囲が線形領域であり、その後、ドレイン電圧VDの変化に対してドレイン電流IDが緩やかにしか変化しない領域が飽和領域である。なお、図示されたnMOS及びpMOSトランジスタのオン抵抗(線形領域におけるMOSトランジスタの動作時の抵抗値)は、5オームである。
【0046】
これに対して、本実施の形態における内部C/Aバスの動作電圧範囲、すなわち内部信号の振れ幅は、0〜1.8Vであり、図5及び図6からの明らかなように、nMOS及びpMOSのいずれのトランジスタ関しても線形領域のみでは対応できず、飽和領域にも及んでいる。
【0047】
前述の通り、本発明の発明者は、このオン抵抗の変化が高周波動作時における良好な波形が得られないことの原因と考え、上記のようにして選択された抵抗値の抵抗42を出力用トランジスタの出力端にシリアルに接続することとした。
【0048】
これにより、図5及び図6に示されるように、nMOS又はpMOSトランジスタのドレイン電圧VDのとりうる最大値又は最小値は、夫々、抵抗42により降圧又は昇圧された電位となり、その電圧範囲はnMOS又はトランジスタのID−VD特性上、線形領域に含まれることとなる。その一方、第1配線部L1a側から見た場合に擬似的なドレイン電圧と見える出力端点P0の電位VD′に関して言えば、内部C/Aバスの動作電圧範囲がID−VD′特性の線形領域内に含まれることとなる。即ち、第1配線部L1aの入力端点からC/Aレジスタ40を見た場合における出力インピーダンスが一定とみなせる範囲内に、動作電圧範囲が含まれている。
【0049】
より具体的には、抵抗42の抵抗値Rは、前述のバス・トポロジ、具体的には搭載DRAMデバイス数及び配線インピーダンス等により定められる。または、抵抗42の抵抗値Rは、C/Aレジスタ40の出力端点P0からDRAMデバイス301〜3018側を見た場合における入力インピーダンスとの関係から定められる。本実施の形態においては、搭載DRAMデバイス数が18個であること、配線インピーダンスが63オームであること、C/Aバストポロジが上述したデュアルT−ブランチトポロジであることから、シミュレーションにより最適インピーダンスは20オームと求められた。そこで、CMOSトランジスタの線形領域におけるオン抵抗が5オームであることを考慮して、R=15オームと定め、ID−VD′特性における線形領域にC/Aバスの動作電圧範囲が含まれるようにし、C/Aレジスタ40の出力端点P0における出力インピーダンスが20オームとなるように構成している。
【0050】
なお、この抵抗42は、C/Aレジスタ40に内蔵されているが、これをC/Aレジスタ40の出力端点P0と配線L1aとの間にシリアルに挿入しても良い。
【0051】
本実施の形態のC/Aレジスタ40において、キャパシタ43は、パルス信号のtR/tF調整のために設けられたtR/tF調整器である。CMOSインバータ41の出力段に設けられたキャパシタ43は、CMOSインバータ41の出力するパルスの波形を“なまらせる”役割を果たす。すなわち、キャパシタ42の存在により、CMOSインバータ41の出力する理想的な方形パルスは、波形変形され、点PSにおいて、所定のtR/tF(1ns)を有する台形パルスとなる。上記した抵抗42を設けることに加え、このようなtR/tF調整を行うことにより、より良好な波形が得られる。なお、このtR/tF調整については、後に詳細に説明する。
【0052】
以上説明した第1の実施の形態は、他の構成をそのままとして、ECC機能を有さないメモリモジュールに適用可能である。この場合、DRAMデバイスの搭載数は、16個となり、第1の群及び第2の群の各群に属するDRAMデバイス搭載数は互いに等しいものとなる。
【0053】
また、第1の実施の形態においては、配線インピーダンスを63オームとして説明してきたが、50〜65オームの範囲内にあれば、いかなる値を有していても良い。
【0054】
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態によるメモリモジュールは、搭載デバイス数を9個としたことに伴って、上述した第1の実施の形態を変形したものである。
【0055】
図7に示されるように、本発明の第2の実施の形態によるメモリモジュール11は、基板21上に9個のDRAMデバイス3021〜3029、C/Aレジスタ40、C/Aレジスタ40の出力端点P0に直列接続された抵抗値Rsの付加的な抵抗44を搭載してなるものである。DRAMデバイス3021〜3029は、同じ特性を有するECC機能付のものであり、本実施の形態においては、2つの群にグループ化されている。第1の群は、DRAMデバイス3021〜3025からなり、第2の群は、DRAMデバイス3026〜3029からなる。すなわち、第1の群に属するDRAMデバイスの数は、第2の群に属するDRAMデバイスの数より大きく、両者の差は1である。
【0056】
付加的な抵抗44の端点P4とDRAMデバイス3021〜3029とは配線L1,L5a,L5b,L8a,L8b,L9及びビアホールViaにより接続され、本実施の形態によるデュアルT−ブランチトポロジを構成している。本実施の形態によるデュアルT−ブランチトポロジは、概略、第1配線部乃至第5配線部からなる。第1配線部は、配線L1及びビアホールViaからなり、付加的な抵抗44の出力側端点P4から第1の分岐点P1まで延設されている。第2配線部は、配線L5a及びビアホールViaからなり、第1分岐点P1から第2分岐点P2まで延設されている。第3配線部は、配線L5b及びビアホールViaからなり、第1分岐点P1から第3分岐点P3まで延設されている。第4配線部は、第2分岐点P2から派生し、その派生した部分は夫々第1の群に属するDRAMデバイス3021〜3025に至る。第5配線部は、第3分岐点P3から派生し、その派生した部分はそれぞれ第2の群に属するDRAMデバイス3026〜3029に至る。
【0057】
より具体的には、図示された例において配線L1,L5a,L5b,L8a,L8b,L9は夫々15.0mm,40.0mm,40.0mm,12.0mm,12.0mm,1.0mmであり、配線インピーダンスは63オームである。なお、本実施の形態におけるビアホールVia、DRAMデバイス、及びC/Aレジスタは、第1の実施の形態におけるビアホールVia、DRAMデバイス、及びC/Aレジスタと同特性を有する(図2、図3及び図4参照)。
【0058】
本実施の形態においては、第1の群と第2の群との間のデバイス数の差を埋めるべく、等価入力容量2.0pFのダミー容量52が第2の群に属するDRAMデバイス3026〜3029と同様に第5配線部に接続されている。その結果、本実施の形態においては、第2分岐点P2からDRAMデバイス3021〜3025側を見た場合における合成インピーダンスと、第3分岐点P3からDRAMデバイス3026〜3029及びダミー容量52側を見た場合における合成インピーダンスとが互いに実質的に等しくなっている。
【0059】
図7におけるビアホールの数、配線長及びその配置から明らかなように、本実施の形態におけるバストポロジもまた、第1分岐点P1を通る仮想直線(第1分岐点P1を通るように図示された配線L1を延設してなる線)を挟んで線対称となっている。特に、配線L5a及びL5bは、互いに等しい配線長を有しており、第4及び第5配線部は、夫々、第2及び第3分岐点P2,P3を通る仮想直線を境界として、夫々に接続されたノードを線対称に配置するような第1及び第2のローカル・トポロジを形成している。第1のローカル・トポロジは、第2のローカルトポロジと等しく、従って、本実施の形態によるデュアルT−ブランチトポロジもまた、上述した第1の実施の形態と同様に、第1及び第2の群に関し、バランスのとれたものとなっている。
【0060】
上述のように、本実施の形態によるC/Aレジスタ40は、前述の第1の実施の形態によるC/Aレジスタと同じものである。すなわち、本実施の形態によるC/Aレジスタ40もまた、CMOSインバータ41、CMOSインバータ41の出力段にシリアルに接続された抵抗値Rの抵抗42、及びCMOSインバータ41の出力段に一端を接続され他端を接地されたキャパシタ43とを備えている。
【0061】
本実施の形態において、C/Aレジスタ40の出力端点P0にシリアルに接続された抵抗値Rsの付加的な抵抗44は、C/Aレジスタ40に内蔵された抵抗値Rの抵抗42と共に、点P4からC/Aレジスタ40側を見た場合における出力インピーダンスを定めるものであり、その決定の原理は、上述した第1の実施の形態と同じである(図5及び図6参照)。すなわち、抵抗42と抵抗44の合成抵抗の抵抗値(R+Rs)は、C/Aレジスタ40における出力用トランジスタと合わせ、所定のパルス振幅に関して、出力インピーダンスが一定となるようにして選択されている。換言すれば、本実施の形態においては、第1配線部L1の入力端(点P4)における電流−電圧特性が線形となるようにして、合成抵抗の抵抗値(R+Rs)が定められている。
【0062】
本実施の形態において、抵抗42と抵抗44の合成抵抗の抵抗値(R+Rs)は、第1の実施の形態における抵抗42の抵抗値Rの定め方と同様にして、定められる。また、抵抗値Rsは、前述の条件を満たすようにして選択された合成抵抗の抵抗値から、抵抗42の抵抗値Rを引いて得られる。本実施の形態においては、搭載DRAMデバイス数が9個であること、配線インピーダンスが63オームであること、C/Aバストポロジが上述したデュアルT−ブランチトポロジであることから、シミュレーションにより最適の出力インピーダンスは25オームと求められた。そこで、CMOSトランジスタの線形領域におけるオン抵抗が5オームであること、抵抗42の抵抗値が15オームであることを考慮して、Rs=5オームと定め、ID−VD′特性における線形領域にC/Aバスの動作電圧範囲が含まれるようにし(図5及び図6参照)、点P4からC/Aレジスタ40側を見た場合における出力インピーダンスが25オームとなるように構成している。なお、この抵抗44は、抵抗42と同様にC/Aレジスタ40に内蔵されていても良い。
【0063】
以上説明した第2の実施の形態は、他の構成をそのままとして、ECC機能を有さないメモリモジュールに適用可能である。この場合、DRAMデバイスの搭載数は、8個となり、第1の群及び第2の群の各群に属するDRAMデバイス搭載数は互いに等しいものとなる。
【0064】
また、第2の実施の形態においては、配線インピーダンスを63オームとして説明してきたが、50〜65オームの範囲内にあれば、いかなる値を有していても良い。
【0065】
(第3の実施の形態)
本発明の第3の実施の形態によるメモリモジュールは、搭載デバイス数を4個としたことに伴って、上述した第1の実施の形態を変形したものである。
【0066】
図8に示されるように、本発明の第3の実施の形態によるメモリモジュール12は、基板22上に4個のDRAMデバイス3031〜3034、C/Aレジスタ40、C/Aレジスタ40の出力端点P0に直列接続された抵抗値Rsの付加的な抵抗45を搭載してなるものである。DRAMデバイス3031〜3034は、同じ特性を有するものであり、本実施の形態においては、互いに等しい数のDRAMデバイスで構成されるようにして、2つの群にグループ化されている。
【0067】
付加的な抵抗45の端点P4とDRAMデバイス3031〜3034とは配線L1,L5a,L5b,L8a,L8b,L9及びビアホールViaにより接続され、本実施の形態によるデュアルT−ブランチトポロジを構成している。本実施の形態によるデュアルT−ブランチトポロジは、概略、第1配線部乃至第5配線部からなる。第1配線部は、配線L1及びビアホールViaからなり、付加的な抵抗45の出力側端点P4から第1の分岐点P1まで延設されている。第2配線部は、配線L5a及びビアホールViaからなり、第1分岐点P1から第2分岐点P2まで延設されている。第3配線部は、配線L5b及びビアホールViaからなり、第1分岐点P1から第3分岐点P3まで延設されている。第4配線部は、第2分岐点P2から2つに派生し、その派生した一方(配線L8a,L9及びビアホールVia)はDRAMデバイス3031に至り、他方(配線L8b,L9及びビアホールVia)はDRAMデバイス3032に至る。第5配線部は、第3分岐点P3から2つに派生し、その派生した一方(配線L8b,L9及びビアホールVia)はDRAMデバイス3033に至り、他方(配線L8a,L9及びビアホールVia)はDRAMデバイス3034に至る。
【0068】
より具体的には、図示された例において配線L1,L5a,L5b,L8a,L8b,L9は夫々15.0mm,40.0mm,40.0mm,12.0mm,12.0mm,1.0mmであり、配線インピーダンスは63オームである。なお、本実施の形態におけるビアホールVia、DRAMデバイス、及びC/Aレジスタは、第1の実施の形態におけるビアホールVia、DRAMデバイス、及びC/Aレジスタと同特性を有する(図2、図3及び図4参照)。
【0069】
図8におけるビアホールの数、配線長及びその配置から明らかなように、本実施の形態におけるバストポロジもまた、第1分岐点P1を通る仮想直線(第1分岐点P1を通るように図示された配線L1を延設してなる線)を挟んで線対称となっている。特に、配線L5a及びL5bは、互いに等しい配線長を有しており、第4及び第5配線部は、夫々、第2及び第3分岐点P2,P3を通る仮想直線を境界として、夫々に接続されたノードを線対称に配置するような第1及び第2のローカル・トポロジを形成している。第1のローカル・トポロジは、第2のローカルトポロジと等しく、従って、本実施の形態によるデュアルT−ブランチトポロジもまた、上述した第1の実施の形態と同様に、第1及び第2の群に関し、バランスのとれたものとなっている。
【0070】
上述のように、本実施の形態によるC/Aレジスタ40は、前述の第1の実施の形態によるC/Aレジスタと同じものである。すなわち、本実施の形態によるC/Aレジスタ40もまた、CMOSインバータ41、CMOSインバータ41の出力段にシリアルに接続された抵抗値Rの抵抗42、及びCMOSインバータ41の出力段に一端を接続され他端を接地されたキャパシタ43とを備えている。
【0071】
本実施の形態において、C/Aレジスタ40の出力端点P0にシリアルに接続された抵抗値Rsの付加的な抵抗45は、前述の第2の実施の形態と同様にして選択・決定される(図5及び図6参照)。特に、本実施の形態においては、搭載DRAMデバイス数が4個であること、配線インピーダンスが63オームであること、C/Aバストポロジが上述したデュアルT−ブランチトポロジであることから、シミュレーションにより最適の出力インピーダンスは30オームと求められた。そこで、CMOSトランジスタの線形領域におけるオン抵抗が5オームであること、抵抗42の抵抗値が15オームであることを考慮して、Rs=10オームと定め、ID−VD′特性における線形領域にC/Aバスの動作電圧範囲が含まれるようにし、点P4からC/Aレジスタ40側を見た場合における出力インピーダンスが30オームとなるように構成している。なお、この抵抗45は、抵抗42と同様にC/Aレジスタ40に内蔵されていても良い。また、以上説明した第3の実施の形態におけるメモリモジュールはECC機能を有さないものであったが、本実施の形態における概念は、ECC機能を有するメモリモジュールに対しても適用可能である。具体的には、他の構成はそのままとして、第1の群に属するDRAMデバイスの数を3とし、第2の群に属するDRAMデバイスの数を2とすることもできる。更に、上述した第3の実施の形態においては、配線インピーダンスを63オームとして説明してきたが、50〜65オームの範囲内にあれば、いかなる値を有していても良い。
【0072】
[tR/tF調整]
ここで、図9を用いてC/Aレジスタ40におけるtR/tF調整について言及する。図9は、搭載デバイス数毎に、tR/tFをどのくらいに調整すれば良好な波形が得られるかについて検証した結果を示す。図9においてRonとして示される抵抗値は、図1の点P0、図7及び図8における点P4からC/Aレジスタ40側を見た場合における出力インピーダンスである。図9から明らかなように、tR/tFが0.9ns、1.0ns、2.0nsの場合に、搭載デバイス数によらず、良好な波形が得られる。このような観点から、上述した実施の形態においては、tR/tFを1.0nsと設定した。実際には、製造範囲のバラツキがあると思われるので、tR/tFが0.9ns〜2.0nsの範囲にあれば搭載デバイス数によらず、良好な波形が得られる。
【0073】
(第4の実施の形態)
本発明の第4の実施の形態によるメモリモジュールは、上述した第1の実施の形態の変形であり、ダミー容量を用いずにバランス調整を行うこととした点を除き、第1の実施の形態によるメモリモジュールと同じである。具体的には、本実施の形態においては、第2配線部及び第4配線部と第3配線部及び第5配線部における配線長に差を設け、それによってインピーダンスバランス調整を行っている。
【0074】
より具体的には、図10に示された例において配線L1a,L1b,L5a,L5b,L7a,L7b,L8a,L8b,L9は夫々1.0mm,15.0mm,40.0mm,52.0mm,6.0mm,6.0mm,12.0mm,12.0mm,1.0mmである。すなわち、配線L5aとL5bとの間には、12.0mmの差があり、また、第2の分岐点P2からDRAMデバイス303,304,307,308に至る経路と第3の分岐点P3からDRAMデバイス3013,3014,3015,3016に至る経路とに着目すると、配線L8a及びL8bと配線L7a及びL7bとの間には、夫々、6.0mmの差がある。これにより、第1分岐点P1から第1群側を見た場合の入力インピーダンスと第1分岐点P1から第2群側を見た場合の入力インピーダンスとは実質的に等しくなるように調整される。
【0075】
なお、この第4の実施の形態におけるインピーダンス調整は、第1の実施の形態のみならず、第2及び第3の実施の形態にも適用することができる。
【0076】
上述した第1乃至第4の実施の形態によるメモリモジュールのシミュレーションを行ったところ、レジスタ内部の出力用トランジスタの出力端に搭載デバイス数等により抵抗値の選択された調整抵抗をシリアルに接続し、搭載デバイス数によって適切な出力インピーダンスを実現したこと、及びtR/tF調整を行うことで、終端抵抗を用いずに動作周波数を150MHzとした場合であっても良好な波形を得ることができた。なお、比較例としてシングルT−ブランチトポロジ(第2分岐点から派生した第1ローカル・トポロジのようなトポロジが第1分岐点から派生し、全てのDRAMデバイスに至っているようなトポロジ)の場合についても同様のシミュレーションを行ったが、良好な波形を得ることはできなかった。
【0077】
以上、種々の実施の形態を通じて本発明のメモリモジュールについて説明してきたが、本発明の概念は、これら実施の形態に制限されるものではない。例えば、第1乃至第3の実施の形態においては、C/Aレジスタに対して搭載メモリデバイス数に依存しない汎用性をもたせるために、最も搭載デバイス数の大きい18デバイスケースを基準としてC/Aレジスタに内蔵される抵抗42の抵抗値を定めて、更に、搭載デバイス数が少ない場合には、付加的に抵抗44又は45を外付としていたが、C/Aレジスタの汎用性を考慮せず、搭載デバイス数に応じた抵抗値を有する抵抗を各C/Aレジスタ内部に内蔵することとしても良い。また、全ての実施の形態において、抵抗42を外付にしても良い。更には、予め想定される搭載デバイス数の夫々に対応した複数の抵抗をC/Aレジスタ内部に内蔵しておき、そのC/Aレジスタを実際にモジュールに実装する際に、搭載デバイス数に応じて内蔵抵抗の選択をすることとしても良い。このように、本発明において、出力インピーダンス調整用の抵抗は第1の配線部L1a又はL1の入力端より手前(すなわち、モジュールの端子側)にあれば良く、この条件に従っている限り、従来のC/Aレジスタに対していずれの場所にインピーダンス調整用抵抗を挿入しても良い。この意味において、従来のC/Aレジスタに相当するものは本発明においてインピーダンス調整用抵抗をも含むものであり、本発明においてはC/Aレジスタに対してインピーダンス調整用の抵抗を含ませた概念としてC/Aレジスタ手段という用語を用いることとする。
【0078】
また、上述した実施の形態においては、単なるバッファではなく、C/Aレジスタを採用した例について説明してきたが、本発明が着目した点は、C/Aレジスタ内部における最終段であるバッファ部であることから、本発明の概念はレジスタード・メモリモジュールのみならず、バッファード・メモリモジュールにも適用可能である。
【0079】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、無終端のデュアルT−ブランチトポロジを採用したレジスタ付メモリモジュール又はバッファ付メモリモジュールにおいて、内部C/Aバスの入力端からC/Aレジスタ又はバッファ側を見た場合における出力インピーダンスを調整するインピーダンス調整手段と、C/Aレジスタ又はバッファから内部C/Aバスに出力される内部信号の波形を調整するためのtR/tF調整手段とを設けることとしたことから、高周波動作に対応することのできるレジスタ付メモリモジュール又はバッファ付メモリモジュールが得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態のよるメモリモジュールの概略構成を示す図である。
【図2】図1に示されるビアホール(Via)の概略的な等価回路図である。
【図3】図1に示されるDRAMデバイスの入力部の概略的な等価回路図である。
【図4】図1に示されるC/Aレジスタの概略構成を示す図である。
【図5】第1配線部の入力端からC/Aレジスタ側を見た場合におけるC/Aレジスタ側の出力インピーダンスについて説明するための図であり、特に、C/Aレジスタの出力段を構成するCMOSインバータのnMOSトランジスタがオンになっている場合の図である。
【図6】第1配線部の入力端からC/Aレジスタ側を見た場合におけるC/Aレジスタ側の出力インピーダンスについて説明するための図であり、特に、C/Aレジスタの出力段を構成するCMOSインバータのpMOSトランジスタがオンになっている場合の図である。
【図7】本発明の第2の実施の形態のよるメモリモジュールの概略構成を示す図である。
【図8】本発明の第3の実施の形態のよるメモリモジュールの概略構成を示す図である。
【図9】tR/tF調整と波形との関係を示す図である。
【図10】本発明の第4の実施の形態のよるメモリモジュールの概略構成を示す図である。
【符号の説明】
10,11,12,13 メモリモジュール
20,21,22,23 基板
301〜3018,3021〜3029,3031〜3034 DRAMデバイス
40 C/Aレジスタ
41 CMOSインバータ
42 抵抗
43 キャパシタ
44 抵抗
45 抵抗
50,51,52 ダミー容量
Claims (17)
- 出力用トランジスタを有し且つ外部からのコマンド/アドレス信号に応じて内部信号を生成するコマンド/アドレスレジスタ手段と、第1及び第2の群にグループ化された複数のメモリデバイスと、前記コマンド/アドレスレジスタ手段と前記複数のメモリデバイスとを接続する配線と、前記コマンド/アドレスレジスタ手段及び前記複数のメモリデバイスが搭載された基板とを有するメモリモジュールであって、
前記配線は、前記コマンド/アドレスレジスタ手段から第1分岐点まで延設された第1配線部と、前記第1分岐点から第2分岐点まで延設された第2配線部と、前記第1分岐点から第3分岐点まで延設された第3配線部と、前記第2分岐点から派生し前記第1の群に属する前記メモリデバイスまで至る第4配線部と、前記第3分岐点から派生し前記第2の群に属する前記メモリデバイスまで至る第5配線部とを有する配線とを有しており、
前記コマンド/アドレスレジスタ手段は、
前記第1配線部との接続点から当該コマンド/アドレスレジスタ手段を見た場合における出力インピーダンスが前記内部信号の動作電圧範囲内において実質的に一定となるように、該出力インピーダンスの調整を行うためのインピーダンス調整手段を備え、
前記インピーダンス調整手段は、当該コマンド/アドレス手段が有するレジスタ出力端にシリアルに接続された抵抗で構成され、
前記出力インピーダンスは、前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数と、前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数によって、前記第1乃至第5の配線部の配線インピーダンスより小さい値で、16オームから36オームの範囲より選択され、
前記コマンド/アドレスレジスタ手段は、さらに、
前記内部信号が所定の立上り時間/立下り時間を有するように、該内部信号の立上り時間/立下り時間を調整するための立上り時間/立下り時間調整手段を備え、
前記立上り時間/立下り時間調整手段は、前記レジスタ出力端に接続されたキャパシタで構成され、
前記所定の立上り時間/立下り時間は、0.9〜2.0nsである、
ことを特徴とするメモリモジュール。 - 請求項1記載のメモリモジュールにおいて、前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数は8又は10のいずれかであり、前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数は8であり、前記第1乃至第5配線部の配線インピーダンスは実質的に50〜65オームの範囲に属しており、前記出力インピーダンスは、20オーム±20%である、ことを特徴とするメモリモジュール。
- 請求項1記載のメモリモジュールにおいて、前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数は4又は5のいずれかであり、前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数は4であり、前記第1乃至第5配線部の配線インピーダンスは50〜65オームの範囲に属しており、前記出力インピーダンスは、25オーム±20%である、ことを特徴とするメモリモジュール。
- 請求項1記載のメモリモジュールにおいて、前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数は2又は3のいずれかであり、前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数は2であり、前記第1乃至第5配線部の配線インピーダンスは50〜65オームの範囲に属しており、前記出力インピーダンスは、30オーム±20%である、ことを特徴とするメモリモジュール。
- 請求項1記載のメモリモジュールにおいて、前記複数のメモリデバイス及び前記配線の双方とも終端されていない、ことを特徴とするメモリモジュール。
- 請求項1記載のメモリモジュールにおいて、前記コマンド/アドレスレジスタ手段は、前記インピーダンス調整手段として、前記出力トランジスタの出力端と前記レジスタ出力端の間にシリアルに設けられた抵抗を有するコマンド/アドレスレジスタからなる、ことを特徴とするメモリモジュール。
- 請求項1記載のメモリモジュールにおいて、
前記インピーダンス調整手段は、第1および第2の抵抗を備えており、
前記コマンド/アドレスレジスタ手段は、レジスタ出力端を有するコマンド/アドレスレジスタであって、前記出力用トランジスタ及び該出力用トランジスタの出力端と前記レジスタ出力端との間にシリアルに設けられた前記第1の抵抗を含むコマンド/アドレスレジスタと、前記レジスタ出力端にシリアルに接続された前記第2の抵抗とを備えている
ことを特徴とするメモリモジュール。 - 請求項7記載のメモリモジュールにおいて、前記第1の抵抗の抵抗値は、前記複数のメモリデバイスの数として想定可能な数を考慮した上で、最も低い値に設定されており、且つ、前記第2の抵抗の抵抗値は、前記出力インピーダンスの調整を実現するために前記第1の抵抗の抵抗値に加えられるべき値に設定されている、ことを特徴とするメモリモジュール。
- 請求項6記載のメモリモジュールにおいて、前記抵抗の抵抗値は、前記出力用トランジスタのオン抵抗よりも大きい、ことを特徴とするメモリモジュール。
- 請求項7記載のメモリモジュールにおいて、前記第1及び第2の抵抗素子の合成抵抗値は、前記出力用トランジスタのオン抵抗よりも大きい、ことを特徴とするメモリモジュール。
- 請求項1記載のメモリモジュールにおいて、前記所定の立上り時間/立下り時間は、前記複数のメモリデバイスの数として想定可能な数によらず、一定である、ことを特徴とするメモリモジュール。
- 請求項1記載のメモリモジュールにおいて、前記内部信号の周波数は100MHz以上である、ことを特徴とするメモリモジュール。
- 請求項1記載のメモリモジュールであって、
前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数が前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数より所定数だけ大きく、且つ、全てのメモリデバイスが実質的に互いに等しい入力容量を有している、メモリモジュールにおいて、
夫々に前記入力容量に実質的に等しい容量を有する前記所定数のダミー容量であって、第2の群に属する前記メモリデバイスと共に、前記第5配線部に接続されたダミー容量を更に備えており、
前記第2分岐点から前記第1の群に属する前記メモリデバイス側を見た場合の合成インピーダンスと、前記第3の分岐点から前記第2の群に属する前記メモリデバイス及び前記ダミー容量を見た場合の合成インピーダンスとが互いに等しい、
ことを特徴とするメモリモジュール。 - 請求項13記載のメモリモジュールにおいて、前記第2配線部と前記第3配線部とが互いに等しい配線インピーダンスを有し、且つ、前記第4配線部と前記第5配線部とが互いに等しい配線インピーダンスを有する、ことを特徴とするメモリモジュール。
- 請求項13記載のメモリモジュールにおいて、
前記第4配線部は、前記第2分岐点を通る第1の仮想的な線を境にして前記第1の群の前記メモリデバイスからなるノードを線対称に配置するようなローカル・トポロジーを形成しており、
前記第5配線部は、前記第3分岐点を通る第2の仮想的な線を境にして前記第2の群の前記メモリデバイスと前記所定数のダミー容量とからなるノードを線対称に配置するようなローカル・トポロジーを形成している
ことを特徴とするメモリモジュール。 - 請求項1記載のメモリモジュールであって、
前記第1の群に属する前記メモリデバイスの数が前記第2の群に属する前記メモリデバイスの数より所定数だけ大きく、且つ、全てのメモリデバイスが実質的に互いに等しい入力容量を有している、メモリモジュールにおいて、
前記第1分岐点から前記第1の群に属する前記メモリデバイス側を見た場合における合成インピーダンスと、前記第1分岐点から前記第2の群に属する前記メモリデバイス側を見た場合における合成インピーダンスとが互いに等しくなるように、前記第2乃至第5配線部における配線長が調整されている
ことを特徴とするメモリモジュール。 - 請求項1記載のメモリモジュールにおいて、前記コマンド/アドレスレジスタ手段に代えて、前記インピーダンス調整手段と前記立上り時間/立下り時間調整手段を備えるバッファ手段を有する、ことを特徴とするメモリモジュール。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001226566A JP3808335B2 (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | メモリモジュール |
KR10-2002-0043809A KR100465010B1 (ko) | 2001-07-26 | 2002-07-25 | 메모리 모듈 |
US10/205,040 US6661092B2 (en) | 2001-07-26 | 2002-07-25 | Memory module |
TW091116683A TW578041B (en) | 2001-07-26 | 2002-07-25 | Memory module |
DE10233865.5A DE10233865B4 (de) | 2001-07-26 | 2002-07-25 | Speichermodul |
CNB021270295A CN1260737C (zh) | 2001-07-26 | 2002-07-26 | 存储模块 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001226566A JP3808335B2 (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | メモリモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003045172A JP2003045172A (ja) | 2003-02-14 |
JP3808335B2 true JP3808335B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=19059359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001226566A Expired - Lifetime JP3808335B2 (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | メモリモジュール |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6661092B2 (ja) |
JP (1) | JP3808335B2 (ja) |
KR (1) | KR100465010B1 (ja) |
CN (1) | CN1260737C (ja) |
DE (1) | DE10233865B4 (ja) |
TW (1) | TW578041B (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7656678B2 (en) | 2001-10-26 | 2010-02-02 | Entorian Technologies, Lp | Stacked module systems |
JP2005086662A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
US7106610B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-09-12 | Intel Corporation | High speed memory interface |
KR100574951B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 개선된 레지스터 배치 구조를 가지는 메모리 모듈 |
US7423885B2 (en) | 2004-09-03 | 2008-09-09 | Entorian Technologies, Lp | Die module system |
US7760513B2 (en) | 2004-09-03 | 2010-07-20 | Entorian Technologies Lp | Modified core for circuit module system and method |
US7443023B2 (en) | 2004-09-03 | 2008-10-28 | Entorian Technologies, Lp | High capacity thin module system |
US20070183228A1 (en) * | 2005-10-27 | 2007-08-09 | Washburn Robert D | Control signal interface circuit for computer memory modules |
US20070126462A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Intel Corporation | Enabling multiple memory modules for high-speed memory interfaces |
KR100659159B1 (ko) | 2005-12-07 | 2006-12-19 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈 |
US20070189049A1 (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-16 | Srdjan Djordjevic | Semiconductor memory module |
US8089006B2 (en) * | 2006-06-12 | 2012-01-03 | International Business Machines Corporation | High performance resonant element |
JP5696301B2 (ja) | 2007-09-28 | 2015-04-08 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | アドレス線配線構造及びこれを有するプリント配線基板 |
US10236032B2 (en) * | 2008-09-18 | 2019-03-19 | Novachips Canada Inc. | Mass data storage system with non-volatile memory modules |
US20100327902A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Uniram Technology, Inc. | Power saving termination circuits for dram modules |
US8213206B2 (en) * | 2010-01-15 | 2012-07-03 | Mediatek Inc. | Electronic apparatus |
JP5669175B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2015-02-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子機器 |
US8704808B2 (en) * | 2011-06-15 | 2014-04-22 | Himax Technologies Limited | Liquid crystal display device |
JP6091239B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2017-03-08 | キヤノン株式会社 | プリント回路板、プリント配線板および電子機器 |
US9728526B2 (en) | 2013-05-29 | 2017-08-08 | Sandisk Technologies Llc | Packaging of high performance system topology for NAND memory systems |
US9703702B2 (en) * | 2013-12-23 | 2017-07-11 | Sandisk Technologies Llc | Addressing auto address assignment and auto-routing in NAND memory network |
US9980366B2 (en) | 2015-01-12 | 2018-05-22 | Qualcomm Incorporated | High speed signal routing topology for better signal quality |
US9910482B2 (en) * | 2015-09-24 | 2018-03-06 | Qualcomm Incorporated | Memory interface with adjustable voltage and termination and methods of use |
CN111162814B (zh) * | 2018-11-07 | 2021-01-19 | 比亚迪股份有限公司 | 阻抗调节器、射频电路及电子设备 |
CN109490615A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-03-19 | 中国航空工业集团公司西安飞机设计研究所 | 一种对机载设备电流的监控方法及电流采集装置 |
KR20230000483A (ko) * | 2021-06-24 | 2023-01-03 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치, 및 인쇄 회로 기판을 포함하는 전자 장치 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5432429A (en) * | 1990-10-23 | 1995-07-11 | Benchmarq Microelectronics, Inc. | System for charging/monitoring batteries for a microprocessor based system |
US6377028B1 (en) * | 1990-10-23 | 2002-04-23 | Texas Instruments Incorporated | System for charging monitoring batteries for a microprocessor based method |
US5955889A (en) * | 1994-05-20 | 1999-09-21 | Fujitsu Limited | Electronic circuit apparatus for transmitting signals through a bus and semiconductor device for generating a predetermined stable voltage |
JPH07321828A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-08 | Fujitsu Ltd | 電子装置 |
US5726596A (en) * | 1996-03-01 | 1998-03-10 | Hewlett-Packard Company | High-performance, low-skew clocking scheme for single-phase, high-frequency global VLSI processor |
US6125419A (en) * | 1996-06-13 | 2000-09-26 | Hitachi, Ltd. | Bus system, printed circuit board, signal transmission line, series circuit and memory module |
JP3712476B2 (ja) | 1996-10-02 | 2005-11-02 | 富士通株式会社 | 信号伝送システム及び半導体装置 |
US6166576A (en) * | 1998-09-02 | 2000-12-26 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling timing of digital components |
JP4569912B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2010-10-27 | エルピーダメモリ株式会社 | メモリシステム |
-
2001
- 2001-07-26 JP JP2001226566A patent/JP3808335B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-07-25 DE DE10233865.5A patent/DE10233865B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-25 US US10/205,040 patent/US6661092B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-25 TW TW091116683A patent/TW578041B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-07-25 KR KR10-2002-0043809A patent/KR100465010B1/ko active IP Right Grant
- 2002-07-26 CN CNB021270295A patent/CN1260737C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10233865B4 (de) | 2019-06-06 |
CN1400609A (zh) | 2003-03-05 |
JP2003045172A (ja) | 2003-02-14 |
US6661092B2 (en) | 2003-12-09 |
DE10233865A1 (de) | 2003-03-20 |
KR20030010528A (ko) | 2003-02-05 |
TW578041B (en) | 2004-03-01 |
US20030037216A1 (en) | 2003-02-20 |
CN1260737C (zh) | 2006-06-21 |
KR100465010B1 (ko) | 2005-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3808335B2 (ja) | メモリモジュール | |
JP4657640B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3993473B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US6873533B2 (en) | Unbuffered memory system | |
JP2004215137A (ja) | 半導体集積回路装置および半導体集積回路 | |
US7260000B2 (en) | Control signal interface circuit for computer memory modules | |
TWI684992B (zh) | 終端電阻電路及其控制方法 | |
JP2006121377A (ja) | 入力回路及び半導体装置 | |
US8174907B2 (en) | Semiconductor device having data input/output unit connected to bus line | |
JP4768580B2 (ja) | 電源ノイズ抑制装置 | |
JP2002373940A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US8436640B1 (en) | Area optimized output impedance controlled driver | |
JP2011014629A (ja) | 半導体装置 | |
US7312637B2 (en) | Enhanced timing margin memory interface | |
US8853822B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4143615B2 (ja) | オンダイターミネーション回路 | |
US8953406B2 (en) | Semiconductor module includes semiconductor chip initialized by reset signal | |
US7557638B2 (en) | Circuit for suppressing voltage jitter and method thereof | |
US20060285417A1 (en) | Transformer coupled clock interface circuit for memory modules | |
US20100164605A1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP3540190B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20070183228A1 (en) | Control signal interface circuit for computer memory modules | |
JP2002026265A (ja) | 半導体集積回路およびその配置設計方法 | |
JPH06152355A (ja) | 回路基板 | |
JPH0982092A (ja) | バスラインのローディング補償回路を具備する半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050921 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051121 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060217 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3808335 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526 Year of fee payment: 7 |
|
SG99 | Written request for registration of restore |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316G99 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526 Year of fee payment: 7 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526 Year of fee payment: 7 |
|
SG99 | Written request for registration of restore |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316G99 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140526 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |