JP2006074031A - 回路モジュールシステムおよび方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】大容量化に伴う実装体積の増加を低減する実装技術を提供する。
【解決手段】フレキシブル回路が、主要面の一方または両方に沿って配置されたＩＣを用いて作られ、リジッド熱良導体基板のエッジのまわりで折り曲げられ、この結果基板の一方または両方の上にある集積回路の一つまたは二つの層を用いて前記基板の一方または両方の上にＩＣを配置する。基板に最も近いフレキシブル回路の面上にＩＣが、少なくとも部分的に、基板内にある窓やポケット又はカットアウエイ領域である所に配置される。モジュールプロファイルを減じるために基板材料を取り除いても良い。基板からの拡張部分は、熱モジュールの負荷を減少させ、動作中におけるモジュールの集積回路間の熱変化の減少を促進させる。
【選択図】図６

Description

この発明は、高密度回路モジュールの創作するためのシステムおよび方法に関する。
メモリの拡張は高密度回路モジュールがスペースを節約する利点を提供する多くの分野のひとつである。たとえば、周知のDIMM（Dual In-Line Memory）は、種々の形式で、メモリの拡張を提供するために長年使われてきた。典型的なDIMMはメモリデバイスと両面に実装した支援デジタルロジックを搭載した従来のPCB（Printed Circuit Booard）を含む。DIMMは、カードエッジコネクターにDIMMのコンタクトベアリング端子を挿入することによってホストコンピューターシステムにおいて典型的に搭載されている。典型的に、DIMMを使うシステムはそのようなデバイスのために制限されたプロファイルスペースを提供し、従来のDIMMをベースとした解決は適度な量のメモリの拡張のみを典型的に提供してきた。
バスの速度が増加するにつれて、チャネル当たりのデバイスが少なくなり、従来のDIMMをベースとした解決では確実にアドレスできなくなってくる。たとえば、チャネルあたりの288個のICあるいはデバイスは非緩衝DIMMを有するSDRAM-100バスプロトコルを使ってアドレスできる。DDR-200バスプロトコルを使うと、チャネル当たり約144個のデバイスがアドレスできる。DDR2-400バスプロトコルを使うと、チャネル当たりほんの72個のデバイスがアドレスできるだけである。この束縛によって、チャネル当たり288個のデバイスがアドレスできる緩衝C/Aとデータを持つ完全緩衝DIMM(FB-DIMM)が発展してきた。FB-DIMMを使うと、容量が増加するだけでなく、ピン数が以前に必要とされた約240ピンから約69信号ピンへ減少する。
FB-DIMM回路の解決は６チャネルとチャネル当たり８個のDIMMと１ギガバイトDRAMを使ったDIMM当たり２列を有する約192ギガバイトまでの実用的なマザーボードメモリ容量を提供することが期待されている。この解決はまた次世代技術に応用されるべきであり、重要な下方へのコンパチビリティを表すはずである。
DIMMまたは他の回路ボードの制限された容量を改善するための幾つかの既知の方法がある。ひとつの戦略において、たとえば、小さな回路ボード（ドーターカード）が余分の実装スペースを供給するためにDIMMに連結される。しかしながら、この付加的な連結はドーターカードの付加的な厚みがモジュールのプロファイルを増加させる一方、DIMMからドーターカードへ通るデータ信号に関して信号の完全さを損なう恐れがある。
マルチダイパッケージ（MDP）はDIMM容量を増やすために使うこともできる。この方法は、1個のデバイスパッケージにおいてマルチの半導体チップを含むことによってDIMM上のメモリデバイスの容量を増やす。しかしながら、マルチチップによって発生する付加的な熱は、典型的に最大動作速度で動作させるために付加的な冷却能力を必要とする。さらに、このMDP法は完全にプリテストされていないマルチチップを一緒にパッケージングすることから来る高い歩留まりの損失のためにコスト増加を引き起こす可能性がある。
積層パッケージはモジュール容量を増やすもうひとつの方法である。容量は、より大きな回路ボード上の搭載に関して高密度回路モジュールを作るためにパッケージされたICを積層することによって増加する。幾つかの技術において、フレキシブル配線がパッケージされたICを選択的に内部接続するために使われる。本発明の出願人であるスタテックグループL.P.は、スペース節約技術におけるCSP（chipscale packaged）デバイスを集積化することに関して多くのシステムを開発してきた。しかしながら、幾つかの積層化技術のコンポーネントの高さの増加は、たとえば、冷却エアーフローあるいはそのホストシステム上の回路ボードの周辺の最小スペースのようなシステムの必要性を変える可能性がある。
典型的には、従来の方法は熱管理の問題を引き起こす。たとえば、DRAMをパッケージした従来のFBGAがDIMM上に搭載される時、主要な熱経路はボールを通って多層のDIMMの芯に入る。
それゆえ、必要とされることは、より高い周波数で充分に動作し余り大きくなくしかもリーズナブルなコストで作成できる熱効率の良い信頼性のあるデザインにおいて高い容量の回路ボードの提供に関する方法と構造である。
モジュールを大容量化することによる熱の発生の増大と実装体積の増大とを減少させることが求められている。
フレキシブル回路が、主要面の一方または両方に沿って配置されたＩＣを用いて作られ、リジッド熱良導体基板のエッジのまわりで折り曲げられ、この結果基板の一方または両方の上にある集積回路の一つまたは二つの層を用いて前記基板の一方または両方の上にＩＣを配置する。基板に最も近いフレキシブル回路の面上にＩＣが、少なくとも部分的に、基板内にある窓やポケット又はカットアウエイ領域である所に配置される。モジュールプロファイルを減じるために基板材料を取り除いても良い。基板からの拡張部分を設けても良い。
本発明により、熱モジュールの負荷を減少させ、動作中におけるモジュールの集積回路間の熱変化の減少を促進することが期待できる。
本発明の概要は以下のようである。フレキシブル回路が、主要面の一方または両方に沿って配置された集積回路（IC）を用いて作られる。フレキシブル回路に沿って分配されたコンタクトがICへの連結を供給する。好ましくは、フレキシブル回路が、リジッド熱良導体基板のエッジのまわりで折り曲げられ、この結果基板の一面または両面上に一層または二層の集積回路を有して基板の一面または両面上にICを搭載する。しかしまた代替好適な実施形態において、基板に最も近いフレキシブル回路の面上にICが、少なくとも部分的に、基板内にある窓やポケット又はカットアウエイ領域である所に配置される。他の実施形態はフレキシブル回路の一面にだけ載せるだけでも良く、又はモジュールプロファイルを減じるために基板材料を取り除いても良い。好適な実施形態において、フレキシブル回路に沿って分配されたコンタクトは、一般的な目的やサーバーコンピューターのようなエッジコネクターソケットへの挿入のために形成される。好適な基板は熱良導体材料からなる。好適な実施形態において基板からの拡張部分は熱モジュールの負荷を減少させ、動作中におけるモジュールの集積回路間の熱変化の減少を促進することが期待される。
以下に好適な実施形態を詳細に述べる。
図1と２とは本発明の好適な実施形態を構成する際に使われる望ましいフレックス回路１２（「フレックス」、「フレックス回路」、「フレキシブル回路」）の相対する面８と９を示す。フレックス回路１２は望ましくは、さらに述べるように一つ又は二つ以上のフレキシブル基板の層によって支持された複数の導電体層から作られる。フレックス回路１２の全体はフレキシブルであっても良いし、あるいは、当業者が認識しているように、フレキシブル回路構造１２は必要とされる形状または曲げに対して順応するためにある領域においてフレキシブルになり、堅い平坦な搭載面を提供するために他の領域においては堅くなっても良い。好適なフレクス回路１２は、組立て中フレックス回路１２を基板に合わせる際に使うための開口部１７（又はタブ）を有している。
フレキシブル回路１２上のＩＣ１８は、この実施形態においては、ＣＳＰ（Chip-Scale Package）メモリデバイスである。この開示の目的のために、用語チップスケールすなわち“ＣＳＰ”は、パッケージ又はチップの主要表面に配置されるコンタクト（しばしば、たとえば「バンプ」又は「ボール」として具体化される）を通して一つ以上のチップに接続するアレイパッケージを用いてどんな機能を有する集積回路にも言及する。ＣＳＰは、たとえばＴＳＯＰのようなパッケージの周辺から出るリードを通してパッケージの内部で集積回路に接続するリードのあるデバイスには言及しない。
本発明の実施形態は、パッケージされた方式とパッケージされない方式だが用語ＣＳＰが使われる方式との両方において、（ＣＳＰに関しては上の定義を採用すべきであるが）リードのあるデバイス又はＣＳＰデバイス又は他のデバイスを用いて使用できる。この結果、ＣＳＰはリードのあるデバイスを排除するけれど、ＣＳＰへの言及は、多種類のアレイデバイス（メモリだけに限定されるべきでない）やフリップチップと同様にチップサイズのものもＢＧＡとマイクロＢＧＡのような他のサイズのものも含むと広く解釈されるべきである。当業者はこの開示を見た後に理解するように、本発明の幾つかの実施形態は、ＩＣ１８が例示の図において示される位置に配置されるそれぞれのＩＣの積層化を使っても発明することができる。
多数の集積回路チップは一つのＩＣ１８として示されているパッケージの中に含むことができる。この実施形態においてメモリＩＣはメモリの拡張ボードを提供するために使われているが、これに制限されず、いろいろな実施形態は、種々の集積回路とメモリを除いた又はメモリに加えて他の主機能に関して発明された他の部品を含んでも良い。そのようなバラエティには、、限定していないサンプルのリストとして、マイクロプロセッサーやＦＰＧＡやＲＦトランシーバーや他のコミュニケーション回路やデジタルロジック、あるいは高密度回路モジュールの能力から利益を得ることができる他の回路やシステムを含むことができる。一対のＩＣ１８の間に示される回路１９は、メモリバッファ又はコントローラー又は後で示されるようにアドバンスドメモリバッファ（ＡＭＢ）であっても良いし、あるいはマイクロプロセッサーやロジック又はコミュニケーションデバイスであっても良い。
図１は二列又は複数のＩＣR1とＩＣR2において配置されたＩＣ１８が搭載されている上面又は外の面８を示す。モジュール１０の例が組立てられる時にフレックス回路１２上へのＩＣ１８の搭載は直接的で有効な製造上の利益を提供するということを専門家は評価するであろう。他の実施形態は他の数列を有しても良いし、そのような列は一つだけでも良い。コンタクトアレイはＩＣへの内部接続のために導電性パッドを提供するためにＩＣ１８とＩＣ１９の下に配置される。見本のＩＣ１８がコンタクトアレイ１１Ａの所に搭載されるように、見本のコンタクトアレイ１１Ａが示されている。ＩＣ群１８の列ＩＣR1とＩＣR2との間に、フレックス回路１２は二列（ＣR1とＣR2）のモジュールコンタクト２０を持つ。フレックス回路１２は後の図で示されるように折り曲げられる時に、図１に示される面８はモジュール１０の外側になる。フレックス回路１２（図２）の反対の面９は内側になる。
図２はＩＣR3とＩＣR4として言及されているフレックス回路１２の面９上の別の２つの複数のＩＣ群１８を示す。ターミネーションレジスター、バイパスキャパシタやバイアスレジスターもまたフレックス１２の面８と９のそれぞれに搭載しても良い。そのようなディスクリート部品は描写を単純化するために図示されていない。フレックス回路１２はまたその周辺エッジに関係して描写されていて、そのうちの２つは典型的に長く（ＰＥlong1とＰＥlong2）、そのうちの２つは典型的に短い（ＰＥshort1とＰＥshort2）。他の実施形態として形状が長方形でないフレックス回路１２を使っても良いし正方形でも良いが、この場合には周辺端は等しい長さになるか製造上の特殊性に適合するために他の都合の良い形となる。
図１はモジュールコンタクト２０の列ＣR1とＣR2をＩＣ群１８へ接続する見本の導電線２１を示す。描写を単純化するために２〜３の線だけが示されている。線２１は、一つ以上の導電体層を有しているある実施形態においてフレックス１２の他の導電体層に移すビアに接続しても良い。ビア２３は、線２５の破線によって図示されているようにフレックス１２の別の導電体層上の回路１９から信号線２５を接続して示されている。好適な実施形態において、ビアはモジュールコンタクト２０へのフレックス１２（図２）の面９上のＩＣ群１８の接続の一部である。線２１と２５はフレックス１２のどちらかの面のＩＣ群の間で他の接続をしても良いし、ＩＣ群を相互接続するためにモジュールコンタクト２０の列を横切っても良い。同時に種々の線とビアが色々なＩＣ群に信号を運ぶために必要とされる相互接続を作る。本発明がモジュールコンタクト２０のただ一つの列だけを使っても実現しても良いし、他の実施形態においては、モジュールのただ一つの面上又はフレックス回路の一方の面又は両面の上でＩＣ群を有しているモジュールとして実現しても良い、ということを専門家は理解するだろう。
図３は本発明の好適な実施形態に従って発明されたモジュール１０の断面図である。モジュール１０は上面１８Tと底面１８Bを有するＣＳＰ群１８を用いて形成されている。基板１４は、フレックス回路１２が配置されている基板１４の終端として図３の描写において表れているエッジ１６Ａを持っている。基板１４は典型的に第一と第二の横の面Ｓ1とＳ2を持つ。フレックス１２は、描写されている実施形態においてエッジ１６Ａの近くに、共通のＤＩＭＭボードフォームファクターの基本形を提供する基板１４の周辺エッジ１６Ａの周りで包まれている。望ましくは、基板の周りでフレックス回路を包むことにより形成されたフレックス１２のポケットの一部分は被されていて、基板１４の両側で基板１４に取り付けられている。その部分は、たとえば、ＩＣ群１８の高さ、基板１４の厚さ、モジュールコンタクト２０の長さ、そしてエッジコネクターやコンピューターやモジュール１０が挿入するために適合される拡張ボードソケットのような因子に依存して長さが変化する。フレックス回路はＩＣ群１８との接続の領域へ移るスペースはコンフォーマルにあるいは熱伝導性の良いアンダーフィルで満たしても良いし、満たさないままでも良いし、あるいは、後で図７において示されるように、基板１４のフレックスな支持部分によって占有しても良い。粘着部３０は、好適な実施形態において、たとえばアルミニウムのような金属からなる適当に選択された熱伝導性の良い基板１４の使用によって提供される熱の放散特性を良くするために熱伝導性の良い材料である。
図示された４個のＩＣ１８のうち内側の２個は熱伝導性の良い接着材３０を用いて基板１４に付着している。接着材３０は、好適な実施形態において、適切に選択された熱伝導性の良い基板１４を使って提供される熱放散を高めるための熱伝導性の良い材料である。この実施形態ではフレックス基板１２に対し反対側も入れて4個のＩＣが付着されているが、これは限定されている分けではなく、もっと多くのＩＣがたとえば千鳥足やオフセット配置（これらの例は後で示される）のような他の配置で連結されても良い。さらに、ＩＣをパッケージしたＣＳＰだけが示されているが、他のＩＣ（パッケージでもパッケージされていないものでも）もＩＣ群１８として使うことができる。メモリＣＳＰが典型的なＩＣ１８であるが、他の機能を有するＩＣも使うことができる。
この実施形態において、フレックス回路１２はエッジコネクターやコンピューターや拡張ボードソケットに合うように工夫された方式で配置されたコンタクトモジュール２０を有していて、そのコネクターやソケットに対応するコンタクトに接続する。モジュールコンタクト２０はフレックス回路１２から突き出て示されているが、これに限定されている分けではなく、他の実施形態として同一高さのコンタクトを有していても良いし、フレックス１２の表面レベルより下にコンタクトを有していても良い。基板１４は、ソケットへ挿入するために必要とされる機械的な方式を提供するために工夫された方法においてフレックス回路１２の後ろからモジュールコンタクト２０を支持している。示された基板１４は均一の厚さを有しているが、これに限定されている分けではなく、他の実施形態として基板１４の厚さや表面は変化しても良い。そのような可能なバリエーションの限定のない例が後の図で示される。図示された実施形態における基板１４は、望ましくはたとえばアルミニウムや銅のような熱伝導性の良い金属材料から作られる。また基板１４は、たとえば熱伝導性の良いプラスチックや炭素ベース材料のような他の熱伝導性の良い材料でも良い。熱管理の問題がより小さい場合には、ＦＲ４（flame retardant type ４）エポキシ箔、ＰＴＦＥ（poly-tetra-fluoro-ethylene）のような材料を代替実施形態として使うことができる。別の実施形態において、熱良導体や接地面を提供する類似材料から工夫された基板１４を提供するために両側に銅の層を持つＦＲ４を使って多層技術の有利な特徴を組み合わせても良い。
図３に関して、図示されたモジュール１０は熱拡張部分１６Ｔを表す。それらが最良に配置された所に基板１４の終端に典型的に図示され好適に配置されているが、基板１４から離れて熱拡張部分１４が基板の両端の間の主要体の基板１４から分かれていても良い。基板１４は一つ以上の拡張部分を示しても良い。熱拡張部分１６Ｔは基板の中心軸から色々な方向へ分かれていても良いし、基板の主要体に関して垂直である必要もなく、またモジュール１０の両側に分かれている必要もない。後で説明するように、図３に示されるようなモジュール１０のモデルは、メモリ拡張の応用で普通に使われる周知のプレーナーモジュールと比較すると熱的な利点があると予想される。当業者がわかるように、熱拡張部分１６Ｔは基板１４に関して付加的な表面領域を提供し、この結果熱が流れ放出する領域が増加する。そのような熱流の最初の伝達手段は対流でエアーフローが典型的にモジュールの冷却を助けるが、熱拡張部分１６Ｔを有する基板１４の構造は熱がモジュール１０から流れるために色々な手段に対して熱伝導的に有効であると当業者は認識するであろう。
ここで示されているような回路モジュール１０を効率的に組立てる一つの有効な方法は以下のようである。好適なモジュール１０を組立てる望ましい方法において、フレックス回路１２が平坦に置かれ、両面が従来の回路モジュール組立て技術に従って組立てられる。フレックス回路１２は基板１４のエッジ１６Ａで折り曲げられる。次にフレックス１２を基板１４に対して合わせるためにツーリング穴１７を使用しても良い。フレックス１２は基板１４に被せるか他の方法で付着しても良い。さらに、ＩＣ１８の上面１８Ｔを機械的な完全性や熱伝導性を提供するために工夫された方法で基板１４に付着しても良い。
図４は見本のモジュール１０の終端１６Ａのまわりの領域の拡大図である。基板１４のエッジ１６Ａはエッジカードコネクターに挿入するために望ましいように丸くなっている。図では特に丸まった形状で示されているが、エッジ１６Ａは色々なコネクターやソケットに合うように工夫された他の形状を取っても良い。色々なエッジコネクターの方式や機能は技術的には周知である。図示された接着材３０とフレックス１２は厚さが変化しても良いし、図を単純化するために比例的には描写されていない。フレックス１２と接着材３０とを組立てる時に、モジュールコンタクト２０の間の厚みがつがいのコネクターの領域になる。
図５は本発明の好適な実施形態に従って発明されたモジュール組立て１０の模式図を示す。モジュール組立て１０は多種類のシステムで使われる従来のＤＩＭＭを置き換えても良いと当業者は認識するであろう。モジュール組立て１０は基板１４のエッジ１６Ａに関して包まれたフレックス回路１２を有している。ＩＣ群１８は先の図に関して記載された面に沿ってフレックス回路１２に搭載される。モジュールコンタクト２０はカードエッジコネクターやソケットに連結するためにモジュール組立て１０のエッジ２２の近くに存在する。オプションの拡張部分１６Ｔは図示されたモジュール１０の上部部分に沿って図５に示される。
図６は２つのモジュール１０を用いるシステム５を示し、本発明に従ってシステム５においてマルチモジュール１０の使用を図示している。
モジュール１０は回路ボード３３上でそれぞれ配置されたカードエッジコネクター３１に挿入して示されている。システム５はこの結果モジュール１０の熱的負荷を最小化した特徴を有してメモリ拡張を提供するように構成することができる。
図７は本発明の代替実施形態を示しており、基板１４はＩＣ接続領域への移行部分においてフレックス回路１２を支持するためのフレックス支持部１４ＦＳを含む。基板１４の上端１６Ｂは図７のモジュール上で示されていて、拡張部分１６Ｔを欠いている。
図８はクリップを持つ別の実施形態を示す。この実施形態において、クリップ８２は望ましくは金属や他の熱良導体材料から作られる。クリップ８２は基板１４の終端に合わせて工夫された突起８４を持つ。さらにクリップ８２と基板１４又はＩＣ１８とが付着される。
図９は基板１４の薄くなった部分を有する別の実施形態を示す。この実施形態において、基板１４は一つのエッジまたは他のコネクターに連結するために必要なモジュール組立て１０のエッジまたは周辺領域に関して支持を提供するように工夫されたエッジ１６Ａの方に第一の厚み１を有する。厚み１を有する基盤１４の上部は厚み２を有する部分９２である。モジュール組立て１０の全幅が狭くなるように部分９２は幅が狭くなっていて、エアーフロー冷却を増大させ使用環境におけるモジュール組立て１０のスペースを小さくしている。
図１０は別の好適な実施形態の断面図を示す。これはモジュール１０の上側から見た図である。基板１４はデバイス１９の下の部分１０２で選択的に薄くなっている。図示されたデバイス１９は基板上に搭載された露出したチップ１９Ｄを持っている。他の実施形態として、他の方法でパッケージされた又は搭載された集積回路又は典型的なＩＣ１８より高さが大きな他のデバイスを有していても良い。この実施形態においては、デバイス１９はフレックス１２に載っている他のＩＣ１８より高いか厚みが大きい。デバイス１９の下にある基板１４の薄くなった部分１０２は、フレックス１２が平坦なままになるように余分の高さを調節し、デバイス１９の上面が基板１４と熱的にコンタクトしている。基板１４を、これや他の類似実施形態のために、たとえばＣＮＣ（computer numerical controlled）マシーンを使って削ったり突き出させたりするような種々の方法を用いて製造することができる。これや類似の実施形態は、たとえば、デバイス１９がＦＢ-ＤＩＭＭアドバンスドメモリバッファ（ＡＭＢ）である時に、熱特性を良くするように使っても良い。デバイス１９は好ましくは熱良導体接着材を用いて基板１４に接着される。
図１１はＩＣ１８の付加的な層を有する本発明の別の実施形態を示す。フレックス回路１２がこの形態においては、たとえばフレックス１２の部分２４でビアを用いて相互接続した層でフレックスを分離して提供されている。さらに、二つのフレックス回路を使って、たとえばパッドコンタクトや相互フレックスコンタクトをパッドによって相互接続しても良い。
図１２は基板１４の反対側のエッジの周りで包まれたフレックス部分を持つ別の実施形態である。フレックス回路１２は基板１４の拡張部分１６Ｔの周りで包まれた連結部分１２Ｃを持つ。この実施形態を組立てるために望ましい方法において、図示されたＩＣ群１８がフレックス回路に最初に搭載される。ＩＣ１８Ａに関係したフレックス部分２６は基板に相対した位置に配置される。それからフレックス回路１２は基板１４のエッジ１６Ａの周りで初めて包まれる。適切な接着箔または他の技術を使ってフレックス１２とＩＣ１８Ａと１８Ｂを付着する。フレックス回路１２の連結部分１２Ｃは拡張部分１６Ｔの周りで包まれる。接着材を図示されたＩＣ１８のバック同士を連結するために使っても良い。箔や他の接着材やボンディング技術をフレックス部分でフレックス１２の二つの層をお互いに他の層に付着するために用いても良い。さらに、エッジ１６Ａの周りで包まれたフレックス回路１２の二つの層はパッド同士コンタクトや相互フレックスコンタクトによって相互接続しても良い。フレックス１２はエッジ１６Ａの周りで再び折り曲げられ、ＩＣ１８Ｃを定位置に置く。ＩＣ１８ＤはＩＣ１８Ｅとバック同士に置かれ付着される。
図１３は基板１４の反対のエッジの周りで包まれたフレックス部分を有する別の実施形態を示す。フレックス回路１２は基板１４の拡張部分１６Ｔの周りで包まれた連結部分１２Ｃを持つ。連結部分１２Ｃは望ましくは一つ以上の導電体層を持っていて、三つ又は四つ又はそれ以上の導電体層を有しても良い。そのような層は、たとえばレジスターＤＩＭＭよりも少ないＤＩＭＭ入力／出力信号を有するＦＢ-ＤＩＭＭのような応用に関して信号経路に有利であるが、たとえばＦＢ-ＤＩＭＭ ＡＭＢによって発生したＣ／Ａコピ−ＡとＣ／ＡコピーＢ（コマンド／アドレス）の信号のような、ＤＩＭＭ上のデバイス間で必要なもっと多くの相互接続線を有していても良い。二組のモジュールコンタクトが図示されているが、他の実施形態として一組だけでも良い。
図１４は本発明の別の代替実施形態の断面図を示す。フレックス回路１２は、フレックス回路１２の反対のエッジ１９２に接近したコンタクト２０を表す。フレックス回路１２の連結部分１２Ｃは基板１４の拡張部分１６Ｔの周りで包まれている。この実施形態を組立てるための望ましい方法において、図示されたＩＣ１８が最初にフレックス回路１２に搭載される。フレックス回路１２は基板１４の拡張部分の周りで折り曲げられツーリング穴を持つ基板１４に好適に合わせられる。フレックス回路１２の部分２４は基板１４に好適に貼り付けられる。
図１５は本発明の代替実施形態であり、ＩＣ１８がフレックス回路１２の片側だけに配置されている。
図１６は本発明の代替実施形態であり、フレックス回路の内側になる場所にＣＳＰを有していて、その結果フレックス回路と基板１４の間にＣＳＰが配置される。
図１７は本発明の代替実施形態であり、フレックス回路はコンタクト２０の反対側の基板１４の終端１６Ｂを越えている
図１８は本発明の好適な実施形態であり、多数の拡張部分１６Ｔとへこみ９２を持つ薄くされた基板１４を示す。
図１９と２０は本発明の代替実施形態を示し、基板１４の横の面Ｓ１とＳ２とそれぞれ関連したフレックス回路１２の部分２０２Ａと２０２Ｂとのあいだの選択的な相互接続を供給するためにコネクター２００を用いている。図示されたコネクター２００は、基板１４の空洞部２０４で相互接続している部品２００Ｂと２００Ａを有している。コネクター２００の一例として５０００２４／５００２７Ｍｏｌｅｘコネクターがあるが、本発明の実施形態においては色々異なったコネクターを使っても良い。図示されたコネクター２００は基板の空洞部２０４において配置され、フレックス回路１２の部分２０２Ａと２０２Ｂにそれぞれ対応する第一の部品２００Ａと第二の部品２００Ｂを典型的に持つであろう。
図２１は本発明の代替の好適な実施形態に従って発明されたフレックス回路のコンタクトベアリングの第一の面の見本を示す。当業者は理解するように、図２１の描写は発明の原理を明確に示すために単純化されている。より多くのＩＣ１８を有する実施形態が先に示されている。
図２２は図２１のフレックス回路１２の面９を示す。
図２３は図２１と２２で示された見本のフレックス回路で使うように形成された見本の基板を示す。フレックス回路１２はフレックス回路１２の面９に沿ってＩＣ１８を基板１４に沿って配列された窓２５０に配置するために図２３に示すように基板１４に関して折り曲げられる。この結果、列ＩＣＲ３とＩＣＲ４に沿ったＩＣ群は窓２５０の内側でバック同士に配置される。望ましくは、熱伝導性の良い接着材がＩＣ１８の上部面１８Ｔ上に使われ、幾つかのメカニカルな利点を提供すると同様に熱エネルギーの流れを促進する。これは、基板１４のそれぞれの面上のＩＣ群１８の間の単なる一つの相対的な配置に過ぎない。
図２４は図２３において示される破線Ａ−Ａに沿う断面図を示しており、フレックス回路１２は基板１４で結合している。搭載されたフレックス回路１２の第二の面９（この図においてはモジュール１０に関して内側となる）上のＩＣ１８は、列ＩＣＲ３のＩＣ群１８の上部面１８Tと近接するように窓２５０に配置されている。この結果、ＩＣ（図ではＣＳＰ）のこれらの第一と第二のグループがそれぞれ基板１４の第一と第二との横の面のカットアウエイ領域に配置されている。この場合において、基板１４のそれぞれの横の面上のカットアウエイ領域は窓２５０を作り出すために空間的に一致している。図はスケールは合わないが、部品と配置との間の相互関係を代表する結果、フレックス回路１２の内側の面９に沿ってＩＣ１８を窓２５０に合わせない場合よりもかなり小さいモジュール１０のプロファイル“Ｐ”になる。この場合におけるプロファイルＰは、近似的に、上部ＩＣ表面と下部ＩＣ表面との間の距離に、一個のＩＣ１８をもう一個のＩＣに付着する接着層３０に加えてフレックス回路の厚みの二倍をプラスしＢＧＡコンタクトの径の四倍をプラスした合計である。そのプロファイルの寸法は、ＢＧＡコンタクト６３が適切な導電体層に達するようにフレックス回路１２の表面の下か、典型的にフレックス回路１２の一部であるコンタクトの下かに配置されるかどうかに依存して変化する。
図２５はフレックス回路１２とカットアウエイ領域でパターン化された基板１４との間の関係を示す別の図である。図２５はＩＣ１８のボディを横切る線に沿って描かれている。図２５において、当業者が認識するように、モジュール１０を組立ててフレックス回路１２を基板１４と連結する時、列又はグループＩＣＲ３を含むＩＣ群１８はフレックス回路１２の第二の面９の列又はグループＩＣＲ４を含むＩＣ群１８に対してずれている。このずれは、ＩＣ群１８に関して基板に合わせる時にメカニカルな「ステップ」を提供する幾つかの構造上の利点を生じ、さらに基板１４と多数のＩＣ群１８との間のコンタクト領域を増加させる幾つかの熱的な利点を提供する。
図２６は、基板１４の窓２５０を通って一本のラインに沿って図示された搭載フレックス回路１２と連結される前に図２５において用いられる見本の基板１４を示す。図２６に図示されるように、カットアウエイ領域またはポケットが破線でその輪郭を描かれ、それぞれレファレンス２５０Ｂ３と２５０Ｂ４と同一視される。２５０Ｂ３として同一視されるそれらの領域は、この実施例においては、フレックス回路１２のＩＣＲ３からのＩＣ群１８が基板１４とフレックス回路１２を結合する時に配置される基板１４の一方の側にあるポケット、サイト又はカットアウエイ領域に対応する。レファレンス２５０Ｂ４として同一視されるそれらのポケット、サイト又はカットアウエイ領域は、ＩＣＲ４からのＩＣ群１８が配置されるサイトに対応する。代替実施形態において、基板１４の一つの面上に配置されたＩＣ１８の列は一つ以上でも良い。
ここでの目的のために、窓という用語は、パッケージされたＩＣ１８の幅や高さに対応する距離“Ｓ”だけ離れて基板１４を貫通する開口部に言及しても良いし、あるいは基板１４の二つの面のそれぞれのカットアウエイ領域が重なる所にある開口部に言及しても良い。
図２７は図２６において前に示された基板１４の平面図である。カットアウエイ領域２５０Ｂ３と２５０Ｂ４は重なっている所で、図示されているように、基板１４を貫通した窓がある。幾つかの実施形態において、カットアウエイ領域２５０Ｂ３と２５０Ｂ４は重なっていなくても良いし、他の実施形態においては、基板１４の一方の面上にのみポケット又はカットアウエイ領域があっても良い。レファレンス２５０Ｂ３と２５０Ｂ４（基板１４における窓と同様に）と同一視されるようなカットアウエイ領域は基板１４の材料に依存する種々の方法で形成することもできるし、文字通りに「カット」アウエイである必要はなく当業者によって理解されるように種々のモールディング、ミリングやカッティングプロセスによって形成することもできるということを当業者は認識するであろう。
図２８は下部ＩＣ１８1と上部ＩＣ１８2を示す好適な実施形態の一部の拡大図である。この実施形態において、フレックス回路１２の導電体層６６はＩＣ１８1と１８2上でモジュールコンタクト２０をＢＧＡコンタクト６３に接続する導電線を含む。たとえば、四個の導電体層を持つフレックス回路は基板１４の適切な形状の終端について必要な曲げを行うことができるということを被譲渡人は決定してきたが、必要な場所で、層の数はエッジ１６Ａ又は１６Ｂの周りでフレックス回路１２を曲げるそれらの実施形態において必要な曲率半径を達成する方法で決めても良い。後で示されるように、フレックス１２の適切な位置における穴やビアは必要な場所でフレックス１２における等角の曲げを作り出している。フレックス回路１２のどんな特殊な部分においても層の数は、使用されるフレックス回路技術と関連した特別な最小線幅を与えられる必要な接続密度を達成するように決めても良い。幾つかのフレックス回路１２は三つ又は四つ以上の層を有しても良い。そのような層は、たとえばレジスターＤＩＭＭより少ないＤＩＭＭインプット／アウトプット信号を持つがＤＩＭＭ上のデバイス間で必要なさらに多くの内部配線を有するＦＢ−ＤＩＭＭのような応用に関してルート信号に有利となる可能性がある。
この実施形態において、２個の図示されたＩＣ１８1と１８2との間にフレックス回路１２の三つの層が存在する。導電体層６４と６６は導電線を表し、その導電線はＩＣ同士を接続しさらに他のディスクリート部品と接続しても良い。望ましくは、導電体層は、たとえば銅やアロイ１１０のような金属である。見本のビア２３のようなビアは二つの導電体層６４と６６を接続し、導電体層６４とモジュールコンタクト２０の間の接続を可能にする。フレックス回路１２の三層の部分を有するこの好適な実施形態において、二つの導電体層６４と６６は、それらのうちの一つが接地面として用いられる実質的な領域を持つような方法で工夫しても良い。他の層は参照電圧面として実質的な領域を使っても良い。当業者が認識するように、複数の導電体層を使うことによって、利点を提供し、特に高周波で信号の完全性を落とす可能性のあるノイズやバウンス効果を減少させるように分配キャパシタンスを作り出す。もし二つ以上の導電体層を使うなら、付加的な導電体層は導電体層を分離する絶縁層を用いて付加することができる。
図２９は、本発明の好適な実施形態に従ったフレックス回路１２の分解図である。図示されたフレックス回路１２は四つの導電体層７０１−７０４と七つの絶縁層７０５−７１１を持つ。図示された幾つかの層は一つの好適な実施形態において単に使われたもので、他の幾つかの層と層の配列を使っても良い。一つの導電体層のフレックス回路１２でさえ幾つかの実施形態において用いても良いが、一つ以上の導電体層を持つフレックス回路は本発明のもっと複雑な実施形態に応用できることが分かる。
上部の導電体層７０１と他の導電体層は、好ましくはたとえば銅やアロイ１１０のような導電体金属から作られる。この実施形態において、導電体層７０１、７０２と７０４はフレックス回路１２を用いて種々の接続を作る信号線７１２を表す。これらの層はまたグランド、電力や参照電圧を表しても良い。
この実施形態において、内部導電体層７０２は第二の基板２１上に搭載した種々のデバイス同士を接続する線を表す。図示された導電体層のどんな一つの機能も他の導電体層と機能面で相互交換しても良い。内部導電体層７０３は接地面を表わし、プリレジスターアドレス信号に関してＶＤＤリターンを提供するように分岐することもできる。内部導電体層７０３はさらに他の面や線を表しても良い。この実施形態において、底の導電体層７０４でフラッド又は面は図示された線に加えてＶＲＥＦとグランドを提供する。
絶縁層７０５と７１１は、この実施形態において、たとえば隣接の導電体層の上に配置される絶縁ソルダーマスク層である。他の実施形態では、そのような密着した絶縁層を有しなくても良い。絶縁層７０６と７０８と７１０は望ましくはポリイミドから作られるフレキシブル絶縁基板層である。しかし、どんな適切なフレキシブル回路も本発明に使うことができ、図２９はフレックス回路１２として使うことができるもっと複雑なフレキシブル回路構造の一つの単に例にすぎないと理解すべきである。
図３０は、図３に示される実施形態において用いられる一つのフレックス回路１２の代わりに図３に前に示された実施形態と異なる発明に従ってモジュール１０の代替の好適実施形態を示す。図３０の実施形態は１２Ａと１２Ｂとして同一視される２つのフレックス回路を用いる。フレックス回路１２Ａと１２Ｂのそれぞれは面８と９のそれぞれの一つ又は両方にＩＣ１８を搭載する。フレックス回路１２Ａと１２Ｂの一方又は両方は、たとえばそれぞれの面の一方にたとえばバッファ、センサーやレジスター、ＡＭＢやＰＬＬのような付属回路１９を用いても良い。当業者は、発明の原理に従って発明されたモジュールは、たとえば（しかし限定されてはいない）メモリデバイス、ＡＳＩＣ、マイクロプロセッサー、ビデオ専用マイクロプロセッサー、ＲＦデバイス、他のロジックやＦＰＧＡを含む種々のＩＣを搭載しても良いと認識するであろう。当業者が認識するように、種々の実施形態がレジスターＤＩＭＭ、非レジスターＤＩＭＭ、ＳＯ−ＤＩＭＭ、ＳＩＭＭ、ビデオモジュール、ＡＭＢを有するＦＢ−ＤＩＭＭ、ＰＣＭＣＩＡモジュールとカード、そして他のモジュールを含むがこれらに限定されない種々の電気的またはトポロジー的に同一視されるモジュールを実行するように発明することもできる。本発明に従って発明されたモジュールに関して２〜３の適切な応用はサーバー、デスクトップコンピューター、ビデオカメラ、テレビやパーソナルコミュニケーションデバイスを含む。
当業者はその結果、本発明は、改良した熱性能を提供するために種々のモジュールの繰り返しを表すように応用でき、製造上の利点とプロファイルの最小化に高い価値があると認識するであろう。ビデオカード又はマイクロプロセッサーやコンピューターロジックを含む他の特殊なモジュールが本発明に従って発明される時に、一つ以上の図示された回路１９はマイクロプロセッサーとみなすことができる。
図３０に示された実施形態に関して、フレックス回路１２Ａと１２Ｂは、エッジコネクター又はソケット３１に適合し、コネクターにおいて対応するコンタクトに連結するように発明される方法で配置されたモジュールコンタクト２０を持つ。エッジコネクター又はソケット３１は、当業者が認識するように、典型的にコンピューター３３の一部である。
図３１は、当業者によって時々「プレーナー」と呼ばれる戦略でＩＣ１８Ｂを搭載した従来のＤＩＭＭモジュール１１を示す。後の表は、図３１に示されるような見本のモジュール１１と本発明の好適な実施形態に従いまた図３に従って発明された見本のモジュール１０との間の比較を提供する。表が示すように、同様の条件のもとで図３１に示されるようなモジュールに見出されるよりもモジュール１０（図３）におけるＩＣ同士の間からの熱変化が本質的に小さくなる。その次のデータが、この分野ではなじみのモデリング技術を使ってこの発明の現在の被譲渡人であるＳｔａｋｔｅｋグループによって得られた。
その次の表は図３２を参照して解釈されるべきである。図３２はモジュール１０の実施形態の模式図を示し、そこでは見本のモジュール１０の複数のＩＣの位置がこの開示した後の表を理解する際に助けるように配置されている。たとえば、図３２において特別の参照線によって示されたＩＣ１８はモジュールの面１の外側（レファレンス“０”）サイト４（レファレンス“ＳＴ４”）に配置されている。エアーフロー４０は図３２において示されまた後の表でも示される。図３２で示される位置またはサイトは、サフィックス“Ｂ”で下に示される表において評価されるモジュール１１において対応するサイトを示す。その表は、同じモデル化された条件のもとで見本モジュール１１（図３１によって例示される）と見本モジュール１０（図３によって例示される）との間の容易な比較を提供するために整理されている。表１Ａは見本のモジュール１０（図３によって例示される）のモデルから得られたデータに関係し、一方表１Ｂは、図３１によって例示されるモデルの見本モジュール１１から得られたデータに関係している。下のデータ表が関係するように、そのモデルは、従来のプレーナー戦略のもとでも、ＣＳＰ群１８を持つ図３（基板上での熱拡張部分を有する）に従って発明されたモジュール１０のモデルとＩＣ群１８Ｂを持つ図３１に従って発明されたモジュール１１のモデルとの間ですべての温度とＩＣ同士の温度変化にわたって驚異的で本質的な相違を示す。見本のモデル１１に関して予想した例示され解析されたモジュール１０におけるＩＣ同士からの減少した温度変化を含む熱条件において予想された改良の結果、熱良導体基板１４を有する図３に従って発明されたモジュールに関してタイミング動作とタイミングアイ余裕度において有益な効果を持つ熱的に誘起した非対称の変化を減少させるはずであるということを当業者は認識するであろう。熱拡張部分１６Ｔを持たないモデルは、熱性能においてそのような顕著な改良を示さないが、その密度と期待される耐久性の改良を示すはずである。しかし、たとえば、図１８、１９と３０において示されるような見本のモジュールは、さらに良好な熱性能の特性を示すことが期待できる。そのような改良はまた熱良導体材料やたとえば銅や合金のような金属的な材料を使っても期待できると当業者は認識するであろう。金属的な材料に加えて、基板１４は、たとえばカーボンベースの材料や熱良導体プラスチックのような他の熱良導体材料からも発明できる。
下の表１Ａはここで示されるようにモジュール１０に従って発明されたモデル化した実施形態から得られる熱データに関する。見本のモジュール１０は、ＩＣ１８として複数のマイクロンテクノロジ製ＤＤＲ２（１１Ｘ９）デバイスで搭載してモデル化された。この例において、二つのモジュール１０は面同士向かい合わせになり１０ｍｍモジュールピッチで動作しているとしてモデル化されている。基板１４はアルミニウムから構成され、図３によって例示されたトポロジーを示した。このモデルにおいて、ＩＣ群１８の１列はＩＣ当たり０．３８ワットで使用し、他の列はＩＣ当たり０．０５ワットで使用した。エアーフロー４０は３５℃で２m/sec.で流れた。
Figure 2006074031
 下の表１Ｂは、表１Ａにおいてモデル化したものと同じ条件で使用する図３１に従って発明された見本のモデルモジュール１１における熱データに関する。
Figure 2006074031
 図３３は本発明の別の実施形態に従ったモジュール１０を示す。この実施形態において、モジュール１０はフレックス回路１２の内側の面９に沿って搭載された熱センサー１９１を用いて提供される。図３３において、たとえフレックス１２の面８を示していたとしても、センサー１９１の位置は、その位置が図３３に提供されるモジュール１０の外観に関して理解されるように示されている。熱センサー１９１は基板１４の熱測定を可能にするように工夫された方法で基板１４に熱的に結合される。このような配置は、たとえば銅、ニッケル、アルミニウム、カーボンベース材料や熱良導体プララスチックから作られるような熱良導体基板１４を有する実施形態において有効に使われる。フレックス回路１２の内側の面９に沿ったＩＣ１８も基板１４に熱的に結合されるときに、基板１４の温度はＩＣ１８の温度と適合する傾向にある。
幾つかの実施形態において、熱センサー１９１はバッファ（たとえばＡＭＢのような）やレジスターに組み込んでも良い。たとえば、幾つかのＦＢ−ＤＩＭＭシステムは組み込み熱センサーを有する一つ以上のＡＭＢを使っても良い。そのようなモジュールでは、ＡＭＢの一つはフレックス回路１２の内側の面９に沿って搭載し基板１４に熱的に結合しても良い。そのようなＡＭＢから得られる熱表示は、外側の面８に沿って搭載されたＡＭＢから得られる熱表示よりもモジュールＩＣのもっと正確な指示値としてホストシステムによって使用できる。
一つのモジュール上に例示の一つ以上のＤＩＭＭを有するように配置された実施形態において、フレックス回路１２の内側の面９に沿って搭載された熱センサーは外側の面８に沿って搭載された例示した一つ以上のＤＩＭＭを使うために表示を提供しても良い。たとえば、一つのモジュールは、基板１４に隣接して配置された２個と基板１４から離れたフレックス回路の外側の面に沿って配置された２個の例示した四個のＤＩＭＭを有しても良い。このようなモジュールは、どちらかの面上の一つの基板１４に熱的に結合した２個の熱センサー１９１を持っても良い。各々の熱センサーは基板１４のそれぞれの面で例示した二個のＤＩＭＭに関して表示を提供しても良い。代わりに、一個の熱センサーが例示のすべての四個のＤＩＭＭに関して表示を提供することもできる。
図３４は本発明の別の実施形態の断面図を示す。熱センサー１９１と図示されたＩＣ群１８の一個は基板１４に熱良導体接着材３０を用いて熱的に結合している。典型的に、他のＩＣ１８は熱センサー１９１に加えてフレックス回路１２に搭載されるだろう。この実施形態において、ＩＣ１８と熱センサー１９１は図示されたフレックス回路１２上に同じような厚さ又は高さを有する。他の実施形態としてＩＣ１８よりも高さが大きいかあるいは小さいものを有する熱センサーを使うこともできる。そのような高さの相違は、たとえば一片の銅や他の金属のような熱良導体のスペーサーによって調整しても良い。高さの相違はまた熱良導体接着材の量（基板１４に熱結合する際にＩＣ群１８と熱センサー１９１の両方を配置するように工夫された量）によって調節することもできる。図３４における矢印２０２は図示されたＩＣ１８から出て基板１４に入る熱流を示す。矢印２０５はＩＣ１８1からＩＣ１８2への熱エネルギーの流れを示す。フレックス回路１２によってお互いに相対し分離したＩＣ１８1とＩＣ１８2の配置は、ＯＮ状態にあるＩＣ１８1とＩＣ１８2からなる組の一つから静止又はＯＦＦ状態にある組の一つへの流れを促進する傾向にある。
図３５は本発明の別の実施形態に従っだフレックス回路１２の内側の面９の正面図である。熱センサー１９１はフレックス回路１２の内側の面に沿って搭載され、その後でフレックス回路１２が基板に隣接して図示された面に配置するために基板１４のエッジの周りで包まれる。この実施形態では一つのフレックス回路だけが使われているが、他の実施形態では、図３０に示されるように、二つ以上のフレックス回路もモジュールを形成するために基板１４を用いて結合しても良い。そのような実施形態においては、一つ以上の熱センサー１９１が各々のフレックス回路に搭載もできるし、あるいは一つの熱センサーでも、基板１４に熱的に結合することによって基板１４の両方の面に沿って回路の熱状態を適切に測定できる。
図３６は、本発明の一実施形態に従ったセンサー信号を示すブロック図である。基板１４を代表するブロック１４が示される。矢印２０２と２０４はＩＣ群２２０３から基板１４への熱流と基板１４から熱センサー１９１への熱流を示す。ＩＣ群２２０３は好ましくはＩＣ群のグループ又は列であるが、他の又は一個のＩＣでも良い。上に説明したように、ＩＣ群２２０３は基板１４に直接にあるいは間接的に結合することもできる。たとえば、ＩＣ群２２０３は、基板１４に熱的に付着した表面を持っても良いし、フレキシブル回路と他のＩＣ群を通して結合しても良い。ＩＣ群２２０３又は熱センサー１９１は基板１４の出力部分に配置しても良い。
熱センサー１９１は温度信号を電気信号へ変化するための変換器を含む。この結果センサーはモジュールの熱条件に関係した信号を提供する。熱センサー変換器は従来良く知られている。そのような多くの変換器は測定温度に比例したアナログ電圧または電流を作る。アナログ信号は好ましくは、熱センサー１９１の出力でデジタル熱信号２２０２に変換される。他の配列を使っても良い。たとえば、信号２２０２は、モジュール１０の他の場所やモジュール１０の外側の回路でプロセスした変換されたアナログ信号でも良いし、あるいはデジタル出力を有するセンサーも使うこともできる。
図示された熱信号２２０２は例示の四個のＤＩＭＭ２２０３に関してモニター回路２２０４に連結して示されている。この実施形態において、たとえばＦＢ−ＤＩＭＭ回路やレジスターＤＩＭＭ回路のような四個の例示のＤＩＭＭ回路が片面モジュール１０においてフレックス回路に搭載される。図示された一つの熱センサーはすべての四個の図示された例示を制御しモニターして熱測定を提供する。他の実施形態において、信号２２０２は、代わりに又は加えて、熱モニター信号の受け取りとプロセスのためにシステムモニター又は他の制御回路に連結しても良い。そのような回路は、モジュール１０の一部でも良いし、あるいはモジュール１０がインストールされたシステムの一部として配置しても良い。
この明細書を評価した後に、一つ以上の熱センサー１９１がモジュール１０における回路の熱状態をモニターするために配置することもできるということを当業者は認識するだろう。たとえば、熱センサー１９１はＩＣ群の二つの列（基板１４の各面に熱的に搭載した）に関して熱測定信号２２０２を供給してもよい。そのような実施形態は、たとえば一つの位置から別の位置へ又は一つのＩＣ列から別のＩＣ列へ熱条件が変化するシステムにおいて有効に使われる。ＦＢ−ＤＩＭＭ回路を使うシステムにおいて、システムメモリコントローラーに接近した例示のＤＩＭＭは典型的に、例示のＤＩＭＭをシステムメモリコントローラーから遠くへ離してするよりも、それらのＡＭＢを通してより大きな信号を有する。もしそのような例示のＤＩＭＭがモジュール１０上に一緒に存在するなら、各々の例示のＤＩＭＭと関係した又は基板１４のどちらかの面に沿った回路に関係した別々の熱測定を提供する際にも有効に制御できる。
図３７は本発明に従ったモジュール１０の別の好適な実施形態を示す。図３７は、熱コンジット２２を通してシャーシまたは箱に熱的に連結される図３において前に示されたモジュールに類似のモジュール１０を示す。シャーシ又は箱２４はモジュール１０からの熱エネルギーに関する熱シンクとして機能する。熱コンジット２２は基板１４とシャーシ２４の間で熱的な連結に関与する。熱コンジット２２はモジュール１０とシャーシ又は箱２４の間で熱エネルギーを流れさせるどんな材料でも良い。好ましくは、熱コンジット２２は圧縮に対して追従しやすく弾力性のある材料からなる。これは、モジュール１０上で物理的な力によるダメッジを与える可能性を減じる一方、モジュール１０とシャーシ２４の間の熱的なパスの信頼性を増大させる。示されるように熱コンジット２２は、少なくとも部分的には、基板１４とシャーシ部品２４の間にある。
図３７においては熱コンジット２２はスプリングであるが、当業者がこの開示の応用に関して認識するように、熱コンジット２２は、どんな種類の熱良導体材料でも良いし、熱コンジット２２は柔軟である必要もない。幾つかの実施形態において、本発明のシステムはモジュール１０の基板１４とシャーシ２４との間に中間の熱コンジットなしでコンタクトしても良い。しかし当業者は、熱コンジット２２として柔軟な媒介物要素のための選択を認識するであろう。適切な熱コンジット材料の幾つかの例は、スプリング、電磁的放射ガスケット、バーグクイスト社や熱良導体材料の他のサプライヤーの熱良導体材料を含む。
好適な方式において、モジュール１０の基板１４とそのオプションだが好適な拡張部分１６Ｔは、たとえば銅、アルミニウムや合金や、カーボンベースの材料や熱良導体プラスチックのような熱良導体材料からなる。基板１４に関して金属的な材料の使用は、熱管理の利点と同様に強度を高めるという付加的な利点を有する。熱拡張部分１６Ｔは好ましくは（しかし基板１４と接触する部分である必要はないが、あっても良い）結果としてどちらかの場合において基板１４の一部とみなされるということを当業者は認識するだろう。前の断面図において示されるように、少なくとＩＣ群の幾つかは基板１４と直接に熱伝達があり、この結果基板１４に直接に熱エネルギーを流すことができる。モジュール１０の他の搭載ＩＣはフレックス１２（当業者が認識するように、基板１４に熱伝導を増大するように構成された）へ熱エネルギーを流すことができる。
図３８は本発明に従って発明されたシステム５の断面図である。図示されたシステム５はモジュール１０とシャーシ部品２４を含み、、モジュール１０の基板１４からの熱エネルギーはモジュール１０の基板１４と（図示された実施形態において）基板１４とシャーシ部品または箱２４との間で熱的結合に関与する熱コンジット２２を通してシャ−シ部品２４に流される。シャーシ部品２４は典型的にコンピューターシステムの一部になるし、たとえば一般用のＰＣのようなコンピューターシステムのより大きなシャーシ又は箱のたな又は拡張でも良い。別の例として、それはサーバーやより大きなコンピューターのシャーシ又は箱の一部でも良いし、たとえばノートブックコンピューターやモバイル分野のコンピューターや特殊な応用のコンピュータープラットフォームのようなより小さなコンピューターの応用におけるシャーシ構造に連結する金属的な拡張、シートやブラケットでも良い。
図３８の断面図はモジュール１０の基板１４の面Ｓ１とＳ２のどちらかの面上の図示された実施形態において配置されるモジュール１０のＩＣ１８を通して得られる。図示されたシステム５において、モジュール１０はボード３３に搭載されているエッジコネクター３１に挿入して示されている。エッジコネクター３１は当業者には良く知られていて、示されるように、コンピューターのマザーボードのようなボード３３上に典型的に用いられる。当業者は認識するように、エッジコネクター３１を通してモジュール１０とボード３３との間の固有ではあるがマイナーな熱エネルギー流が存在するが、そのようなエッジコネクター３１を通る熱エネルギー流は本応用において注目される熱的な連結ではないということを使用者も認識するはずである。
基板１４は熱拡張部分１６Ｔを通って熱コンジット２２で接触する。熱コンジット２２はこの図においてはガスケットのような材料であり、シャーシ部品２４の下側２４Ｌに沿って配置される。図３８に示される特殊な熱コンジット２２のガスケット材料は一例として、たとえば電磁的な放射ガスケット材料でも良い。
少なくとも幾つかのＩＣ１８の上面１８Ｔは、モジュール１０の基板１４にＩＣを搭載したフレックス回路１２を付着するために、図３８において用いられる。好ましくは、熱接着剤や接着材はそのような付着に使われる。基板１４は１６Ａとして示された第一の周辺エッジと熱拡張部分１６Ｔとして図３８において示される第二の終端とを有していて、当業者は熱拡張部分は種々の形状において発明できるということを認識するであろう。代わりに、基板１４は第二のエッジが何の拡張部分を持たなくても良いし、特徴のある形状を持っていても良い。
基板１４の熱良導体材料はモジュールのＣＳＰ群から熱エネルギーの排出を促進する。フレックス回路１２は、ＩＣ群１８と１９からの熱伝導に加えてヒートスプレッダーやヒートシンクとして使用するように特に工夫しても良い。別の実施形態において、マルチ技術から有利な特徴を結合することにより、本発明の原理を利用するように工夫された基板１４を提供するために両方の面上に銅の層を持つＦＲ４を使うこともできる。他の実施形態はモジュール１０において結合しても良いし、本発明の利点をさらに利用するが従来の連結方法を用いるために、基板に金属的な材料を有するＦＲ４のような従来の構成材料を用いても良い。
図３９は二次的な基板２１Ａと２１Ｂを有するモジュール１０の代替実施形態を用いるシステム５を示す。そのような二次的な基板は、この図ではＩＣ群１８が搭載されていて、従来の他の材料を使っても良いがＰＣＢ材料から構成されても良い。たとえば、二次的な基板２１は集積化されたリジッドフレックス構造の堅い部分によって提供することもできる。このフレックス構造は、ＩＣ群１８とＩＣ群１９とレジスターやＰＬＬやたとえばフレッキシブル部分とのような他の回路（これは、一次基板１４について移し、たとえばフレックスエッジコネクター２０へ伸ばす）とのための搭載領域を提供する。図示された実施形態において、二次的な基板２１Ａと２１Ｂは、（当業者によって理解されるように）フレックスや層連結や従来の回路ボード基板のようなコンタクト２０に連結されるコネクター２３に接続される。図３９のシステム５のモジュール１０はより大きなシャーシボディ２４Ｂの拡張棚として示されたシャーシ部品２４の下側２４Ｌに沿って熱コンジット２２で熱的連結して示される。
図４０は、本発明に従ってシステム５におけるマルチモジュール１０の使用を図示するために２つのモジュール１０を用いたシステム５の実施形態を示す。
システム５において、モジュール１０の熱拡張部分１６Ｔは、より大きなシャーシボディの拡張となりうるシャーシ部品の下側２４Ｌに沿って熱コンジット２２と熱的に結合する。熱コンジット２２は、好適なモジュールにおいて、たとえば電磁的な放射ガスケット材料でも良いし、あるいは代わりに、モジュール１０はモジュールが使われるシャーシの一部と直接に接触しても良い。
図４１はより少ないＩＣ１８を用いるモジュール１０を含むシステム５の別の実施形態を示す。図示されたモジュール１０において、基板１４はＦＲ４から作られるが、銅のコアを有していて、シャーシ又は箱２４に熱エネルギーを分岐するために熱拡張部分１６Ｔと協同する銅の層２６とコア２８を含む。このような図は、モジュールに関して多種類の構成コンビネーションが本発明を有効にするように使うことができるということを当業者が理解するのを助けるために提供される。
図４２はカードエッジコネクターに挿入されたモジュール１０を用いる熱管理システム５の別の実施形態の断面図を示す。モジュール１０はＩＣ１９を用い変形部、輪郭または窪み１５を持ち、窪み１５は、ＩＣ１９（モジュール１０の図示された実施形態において、たとえばＦＢ−ＤＩＭＭにおけるたとえばＡＭＢやグラフィックモジュールにおけるグラフィックエンジンのようなたとえばバッファのような高さのあるプロファイルを持つデバイスであっても良い）の調節部であるスペース１５Ｓを作り出す。基板１４は均一な厚さである必要はなく基板の線に沿って変化する厚みを持つ基板の例が示されてきた。図４２のモジュール１０の基板１４は熱拡張部分１６Ｔを通して熱コンジット２２と接触していて、熱コンジット２２がシャーシ又は箱部品２４と接続して示される。
幾つかの実施形態によって提供された大きな容量が一つのモジュール上のマルチＤＩＭＭ回路を提供するために用いることができる。たとえば、ＩＣ１８とＡＭＢとして接続されたマルチ回路１９を含む構成デバイスは一つのモジュール１０上に二個の完全バッファＤＩＭＭを作るように結合できる。
図４３は片面モジュール１０上に一つ以上のＦＢ−ＤＩＭＭを表すように発明されたモジュールの平面図である。回路１９はＡＭＢとして図示される。単一ＦＢ−ＤＩＭＭとして図示されたモジュール１０は本発明の原理を使ってうまく構成されるということを当業者は理解するだろう。
図４４は第一と第二の領域Ｆ１とＦ２を持つフレックス回路１２の面８を示す。領域Ｆ１とＦ２の各々は、レファレンス１１Ａによって示されたようなＣＳＰ群に関して少なくとも一つの搭載コンタクトアレイを持つ。アレイ１１のようなコンタクトアレイはＩＣ群１８と回路１９の下に配置される。見本のコンタクトアレイ１１Ａは、図示されるようにコンタクトアレイ１１Ａで搭載するように見本のＩＣ１８として示される。
フレックス回路１２の面８の領域Ｆ１は第一の複数のＣＳＰ群ＩＣR1と第二の複数のＣＳＰ群ＩＣR2が搭載されて示されていて、一方フレックス回路１２の面８の第二の領域Ｆ２は第一の複数のＣＳＰ群ＩＣR1と第二の複数のＣＳＰ群ＩＣR2が搭載され示されている。同一視される複数のCSP群は、図示された配列で配置される時に、典型的に「列」として描写されていると当業者は認識するであろう。領域F1の列ＩＣR2と領域F２の列ＩＣR2との間で、この実施形態において、フレックス回路１２はモジュールコンタクト２０の二列（ＣR1とＣR2）に割り当てられた複数のモジュールコンタクトを表す。フレックス回路１２が後で示されるように折り曲げられる時に、図４４において示された面８はモジュール１０の外側に存在する。フレックス回路１２の反対の面９はモジュール１０の幾つかの図示された配列において内側にあり、この結果面９は面８よりもフレックス回路１２が配置される基板１４に接近している。示されるように、他の実施形態は、本発明の実施形態を作り出すために結合した複数のＣＳＰの他の多くの列と結合とを有しても良い。
図４５は図４４で示されるフレックス回路の他の面を描写するフレックス回路１２の面９を示す。フレックス回路１２の面９は多数のＣＳＰ１８が搭載されるように示される。面１９は、領域Ｆ１とＦ２（それぞれＣＳＰ群に関して少なくとも一つの搭載コンタクトアレイサイトを含む）を含み、この図示された場合では、多数のコンタクトアレイを含む。領域Ｆ１とＦ２のそれぞれは、図示された好適な実施形態において、ＩＣR1とＩＣR2として図３に示された二つの複数のICを含む。この結果、フレックス回路１２のそれぞれの面は、好適な実施形態において、二つの領域Ｆ１とＦ２（それぞれの領域はＣＳＰ群ＩＣR1とＩＣR2の２つの複数または列を含む）を有している。後の図４６において、領域Ｆ１とＦ２は、ＩＣ群１８が図４４と４５に図示された組織的な同一視に従って同一視される時、完成したモジュール１０において基板１４の異なった面上に配置されるということが認識されるだろう。しかし、図４４と４５に図示されたＩＣ群１８のグループ化は本発明によって述べられてないが、本発明を理解する際に助けるための見本の組織的な戦略として単に提供される。バッファ１９に加えて、ターミネーションレジスター、バイアスキャパシタやバイアスレジスターのような種々のディスクリート部品がフレックス回路１２の面８上に示される。
図４４は、モジュールコンタクト２０をＩＣ群１８へ連結する見本の導電線２１を示す。一般的な実施形態にはたくさんのそのような線があると当業者は理解するだろう。線２１は、一つの導電体層よりも多く有しているある実施形態においてフレックス回路１２の他の導電体層に移すビアに接続しても良い。好適な実施形態において、ビアはフレックス１２の面９上のＩＣ群１８をモジュールコンタクト２０に接続する。ビアの例がレファレンス２３として示される。線２１はフレックス１２のどちらかの面上のＩＣ間で他の連結を作っても良いし、ＩＣ同士を相互接続するためにモジュールコンタクト２０の列を横断しても良い。種々の線とビアは一緒に種々のＩＣとバッファ回路との間でデータを運び信号を制御するために必要な相互配線を作る。
図４６は本発明の好適な実施形態に従って発明されたモジュール１０の断面図である。モジュール１０は最上面１８Tと最低面１８Bを有してIC１８が搭載される。基板または支持構造１４は、図４６で終端として表れている第一と第二の周辺エッジ１６Ａと１６Ｂを有している。基板または支持構造１４は典型的に第一と第二の横の面Ｓ1とＳ2を持つ。フレックス１２は基板１４の周辺エッジ１６Ａの周りで包まれている。
マルチのＦＢ−ＤＩＭＭ回路を使う典型的なＦＢ−ＤＩＭＭシステムにおいて、ひとつのＦＢ−ＤＩＭＭ回路から別のＦＢ−ＤＩＭＭ回路へつながるそれぞれのＡＭＢが、Ｄ１、Ｄ２とＤ３として図４７に図示されるシステムにおいて表されるように三つのインピーダンスの不連続として理解できるものによって分離される。図４７は二つのモジュール１０Ｆと１０Ｓを含み、またこの二つのモジュールの間に連結部の表示を含む。不連続部Ｄ１は第一のモジュール１０Ｆに関係したコネクターソケットの結合によって有効にされるインピーダンスの不連続部を表す。不連続部Ｄ２は第一のモジュール１０Ｆのコネクターソケットと第二のモジュール１０Ｓのコネクターソケットとの間の連結によって有効にされたインピーダンス摂動を表し、一方不連続部Ｄ３は第二のモジュール１０Ｓと関係したコネクターソケットの連結によって有効にされた不連続部を表す。ＡＭＢは特にサーバーメモリに関して新しいバッファ技術であり、典型的に、リード／ライトのデータやコマンドや内部シリアル機能やデータバスインターフェースや非シリアルのデコーダーロジック機能やクロック機能に関してパススルーロジックを含む幾つかの特徴を含む。ＡＭＢの機能は、ＦＢ−ＤＩＭＭモジュールの特徴を区別する主役である。この明細書を理解すると、本発明の実施形態によってなされたＦＢ−ＤＩＭＭ回路においてＩＣ群１８とＡＭＢ１９との間の連結を行う方法を当業者は理解するだろう。また本発明は、ＦＢ−ＤＩＭＭシステムのより大きな実行を妨げることができるインピーダンスの不連続を減じると同様に容量面で利点を提供する、ということも認識するであろう。さらに、本発明の種々の原理はモジュール上の一つ以上のＦＢ−ＤＩＭＭ回路を認識するために使うことができるということを当業者は認識するだろう。
図４７によって表されるシステムに対して、図４８は、第一のモジュール１０Ｆの第一のＦＢ−ＤＩＭＭ“ＦＢ１”の第一のＡＭＢと、同じ第一のモジュール１０Ｆの第二のＦＢ−ＤＩＭＭ“ＦＢ２”の第二のＡＭＢとの間の連結によって有効にされた一つのインピーダンス摂動ＤＸの模式図である。
図４９は二つのＦＢ−ＤＩＭＭ回路を表すモジュール１０を作るためにスタック（積層）を使って発明されたモジュール１０に関して外形を模式化した本発明の別の実施例を示す。Ｓｔａｋｔｅｋグループによって所有された図示されたスタック４０のようなスタックを使うと高い容量を持つモジュールを作ることができる。スタック４０は本発明で使うことができる幾つかのスタックデザインのまさに一つである。見本のスタック40はマンドレル４２とスタックフレックス回路４４（これは、Ｓｔａｋｔｅｋグループによって所有のU.S.Pat.App.No.10/453,398,出願 June 6,2003,現在はUS Pat. No. 6,914,324 B2,発行 July 5, 2005で開示されている）を使って発明され、またスタック４０とＡＭＢ１９は基板１４について配置されたフレックス回路１２上に搭載される。
図５０は本発明の実施形態においてスタックを使った別の実施形態の外形である。このような実施形態はそのコンタクト２０でＦＢ−ＤＩＭＭを表す。
図５１は本発明の別の実施形態を示す。図示されたモジュール１０は少なくとも一つのＡＭＢとＩＣ群１８（好適な方式において又図示されたようにＣＳＰである）のような関連した回路と相対的に低いプロファイルを持つモジュール１０上に少なくとも一つのＦＢ−ＤＩＭＭ回路か例示を作るために必要なサポート回路を有する。示されたものに加えて第二のＡＭＢはモジュール１０のどちらかの面に配置することができるが、第二のＡＭＢは好ましくは図示されたＡＭＢ１９の所より基板１４の横の面Ｓ２に接近して配置されるが、好ましくはフレックス回路１２の面８上に配置されるだろう、ということが理解されるべきである。この実施形態において、コンタクト２０はフレックス回路１２の面８に沿っていて、フレックス回路１２のエッジＥに隣接している。ＦＢ−ＤＩＭＭ回路や例示（すなわちＣＳＰ群とＡＭＢ）を構成する主要回路は一つの列ファイルに配置しても良いし、あるいは基板１４の両方の面に配置しても良い。それらは、前の図を参照して前に説明されたようにフレックス回路１２の第一と第二との面の第一と第二との搭載領域に配置しても良い。コンタクト２０は、その応用のメカニカルコンタクトインターフェースの特殊性に依存してモジュール１０の一方または両方の面に表れても良いということを当業者は認識するであろう。
図５２は、本発明の別の実施形態に従ってモジュールを構成する際に使われるフレックス回路１２の第一の面８を示す。フレックス回路１２上のＩＣ群１８は、この実施形態において、小さなスケールのＣＳＰメモリデバイスである。ＩＣ群１８の間に図示された回路１９はメモリバッファや、たとえばＡＭＢのようなコントローラーでも良いが、この実施形態ではレジスターＤＩＭＭに関してメモリコントローラー又はレジスターである。この実施形態は好ましくは、ここでは図示されていないが、反対の面９上にさらにＩＣ１８を有するだろう。フレックス回路１２は、この実施形態において、図２９を参照して前に説明したように四つの導電体層とマルチフレキシブル基板層から作られる。
この実施形態において、フレックス回路１２は穴１３を有して提供され、それは、四つの曲線部２５（図５３）に関して望ましい曲率半径を達成するためにフレックス回路１２を曲げるためにより大きなフレキシビリティを持つように発明される。穴１３（“ｈｏｌｅｓ”、“ｖｏｉｄｓ”、“ｐａｒｔｉａｌ ｖｏｉｄｓ”）は好ましくはフレックス回路１２を完全に貫通するが、他の実施形態においては、フレックス回路１２の一つ以上の導電体層によって表すことができる部分的な穴またはボイドだけでも良いし、あるいは、フレックス回路１２のフレキシブル基板層が一つ以上でも良いし、それらの双方でも良い。そのような部分的ボイドは、コンタクト２０に、また領域Ｆ１と領域Ｆ２において図示されたＩＣ間でうまく連結できるように充分な導電体材料を提供する一方で、フレキシビリティを持つように発明しても良い。この実施形態において穴１３は、線２１がフレックス１３の導電体層のレベルでそれらの間でパスできるように配置される。幾つかの好適な実施形態は面８を部分的にカバーする絶縁ソルダーマスク層を持つ一方で、線２１は単純化のために面８に沿って配置される。当業者は認識するように、配線はフレックス回路の内部にある異なった層でも良い。
この実施形態において、フレックス回路１２は穴１５を有してさらに提供される。穴１５はフレックス回路１２を曲げるためのフレキシビリティが、たとえば基板１４のエッジ１６Ａと１６Ｂの周りで望ましい曲率半径を達成させるように発明される。穴１５はフレックス回路１２の種々の導電体層と非導電体層とにおいてボイド又は部分ボイドとして表しても良い。フレックス回路１２のこの実施形態はまた、フレックス回路１２の面１８に沿ってパッド５１を搭載して提供される。そのようなパッド５１は、たとえば面実装レジスター５２のような部品の搭載に用いられる。
図５３は本発明の実施形態に従ったモジュール１０の見取り図である。曲線部２５に沿って穴１３が図示される。さらに、穴１５の部分がモジュール１０の下のエッジに沿って存在する。穴１３は曲線部２５の全体に沿って存在するようにある大きさを有しても良い。穴１５は基板１４のエッジの周りで完全な曲げを実現するようにサイズ化しても良い。穴１３と１５はそれらのそれぞれの曲線部の長さよりも大きいスパンを有しても良いし、小さいスパンを有しても良い。たとえば、穴１３と１５は、それらが、モディファイされていないフレックス回路１２を用いた可能な半径よりも小さい望ましい曲率半径を持つ曲げ部分において、フレックス回路１２に関して調整された曲率半径を提供するようにサイズ化されても良い。
フレキシブル回路の図示されたトポロジーと配列は、高い容量と薄いプロファイルの回路モジュールを作るために有効に使うことができる。たとえば、ＤＩＭＭは与えられたＤＩＭＭの高さに関して二倍のデバイス実装表面領域を有して構成しても良い。そのような二倍化はメモリデバイスの数を二倍にするし、従来のＤＩＭＭ上には合わない大きなデバイスの搭載を可能にする。
たとえば、一つの好適な実施形態は、５１２Ｍビット部品を使って３０ｍｍサイズの４ＧバイトレジスターＤＩＭＭを提供する。別の実施形態は、１Ｇビット部品を使って５０ｍｍ８ＧバイトレジスターＤＩＭＭを提供する。別の実施形態は５１２Ｍビット部品を使って２ＧバイトのＳＯ−ＤＩＭＭを提供する。ＤＩＭＭモジュールは、前にここで説明したように、ＤＩＭＭまたはＦＢ−ＤＩＭＭ回路の多数の例示を有して提供しても良い。また、ＤＩＭＭ回路の普通の一つの例示を持つＤＩＭＭは、使われるデバイスが典型的な工業標準のＤＩＭＭモジュールによって提供される表面領域において適合しないほどの大きい場所で提供することもできる。そのような高い容量の能力とフレキシビリティは、マザーボードのＤＩＭＭソケット又はスロットの制限された数を持つコンピューターシステムに関して高い容量のメモリを提供するために有利に使うこともできる。
図５４は、たとえばＡＭＢのような大きな高さのデバイスを使う一方で薄いデバイスを提供するために発明された見本のモジュール１０を示す。図５４は、本発明の好適な実施形態を示し、ＩＣ群１８を有して搭載されたモジュール１０示し、フレックス回路１２においてＩＣ開口部３５から出る固有のヒートシンク３３を有するＡＭＢ回路１９を示し、さらに次の図においても示される。
図５５はフレックス回路１２の面９を示す。図示されたフレックス回路１２の領域Ｆ１とＦ２は、ＩＣ群１８の一つの列がそれぞれに搭載される。領域Ｆ２はフレックス回路１２を通してＩＣ開口部３５を表す。開口部３５は、フレックス回路１２を貫通するために、たとえばＡＭＢ回路１９のような選択されたＩＣを有するに充分なサイズの開口部である。一つ以上のＩＣ開口部３５は多数の高いプロファイルのデバイスがそれぞれの開口部を貫通できるようにフレックス回路１２において発明することもできるということを当業者は認識するであろう。
図５６は本発明の別の好適な実施形態を示し、回路１９の繰り返しを通して得られるモジュール１０の断面図を示す。図５６は回路１９が現れる開口部３５を有するフレックス回路１２を持つモジュール１０を示す。フレックス回路１２は基板１４の周りで折り曲げられ、ＩＣ１９は、図示された実施形態においては、モジュール１０の内側の面であるフレックス回路１２の面９の領域Ｆ１上に実装され、フレックス回路１２のＩＣ開口部３５から一部が出現するように基板１２の窓２５０を貫通する。図示された回路１９は、熱の放射部品またはヒートシンク３３を表し、たとえばＡＭＢやバッファやロジックデバイスを示すように構成されても良い。回路１９はフレックス回路１２のＩＣ開口部３５から出現する必要はないということ、また熱エネルギーが回路１９から容易に解放されるように回路１９と充分に一致してフレックス回路１２のＩＣ開口部３５を配置することから利点が単に生ずるだけであるということを当業者は理解するだろう。しかし、多くの実施形態において、回路１９は開口部３５から少なくとも一部が出現するだろう。他の実施形態として、たとえば片面モジュール上にＦＢ−ＤＩＭＭの二つの例示を配置するために、また二つのＡＭＢ（基板におけるそれぞれの窓を通してどちらかを見ることができ、あるいはフレックス回路の開口部３５から、少なくとも一部が実際に出現する）と一致するように二つのＩＣ開口部３５を表すフレックス回路を使うために、本発明に従って構成しても良い。
図５６に示すように、回路１９はレファレンス“ＰT”によって示されるプロファイルを有し、一方モジュール１０は“ＰＭ”によって参照されたプロファイルを持ち、ＩＣ１８はそれぞれレファレンス“Ｐ18”によって示されるプロファイルを持ち、基板１４は“Ｐs”のプロファイルを持つ。示されるように、モジュール１０のプロファイルＰMは、ここで開示された技術を使用せずに期待されるよりもＩＣ１８と回路１９に関してそのプロファイルによって小さくなる。たとえば、図５６において示される実施形態において、ＰＭは、回路１９が基板１４の窓２５０の内部にフレックス回路１２の開口部３５を通して配置されるので、ＩＣ１８のプロファイルＰ18の４倍にＰTをプラスしたよりも小さい。
この実施形態において、この構成は基板１４のＳ１面上の領域Ｆ１のＩＣ１８と基板１４のＳ２面上の領域Ｆ２のＩＣ１８を配置するが、一方回路１９のより高いプロファイル又は高さは、レファレンスＰTによって代表されるが、モジュール１０のプロファイル又は高さPMの内部に実質的にはいり、この結果、たとえば前の図５１に示される高いプロファイルのモジュール１０のようなフレックス回路１２の面８上に実装された回路１９を有して示されてきたものよりも、モジュール１０のプロファイルは低くなる。
図５７は本発明の代替実施形態を示し、フレックス回路１２の面８上のＩＣ群１８と基板１４の窓２５０を貫通する回路１９とを搭載したモジュール１０を示す。図５７に示される実施形態は、たとえば、拡張ボードに関して許されるスペースが最小で典型的に一方の面だけの従来ボードがそのアプリケーションにより割り当てられたスペースに従っている場所でのＰＣＩアプリケーションにおいて使うこともできる。本発明の原理は、それゆえＰＣＩ用の窮屈なアプリケーションにおいてより大きな容量のものを使うこともできる。
本発明は詳細に説明してきたけれど、種々の特殊な方式を取りまた変化や置換や代替を反映した多くの実施形態が本発明の思想と範囲から逸脱せずに作成できるということは当業者にとって明らかであろう。この結果多くの説明された実施形態は、例証であり、クレームの範囲を限定しない。
以上を要約する。フレキシブル回路はその主要な面の一つまたは両方に沿って配置されたＩＣを有して形成される。前記フレキシブル回路に沿って分配されたコンタクトは前記ＩＣへ接続する。好ましくは、前記フレキシブル回路はリジッド熱良導体基板のエッジの周りに配置され、この結果前記基板の一方または両方の上にある集積回路の一つまたは二つの層を用いて前記基板の一方または両方の上にＩＣを配置する。しかしまた代替の好適な実施例において、前記基板に最も近いフレキシブル回路の面上のＩＣは、少なくとも部分的に、前記基板の窓、ポケットまたはカットアウエイ領域である所に配置される。他の実施例は前記フレキシブル回路の一つの面を作成するだけでも良いし、あるいはモジュールプロファイルを減じるために基板材料を取り除いても良い。好適な実施例において、前記フレキシブル回路に沿って分配されたコンタクトは一般的な目的で使われるものやサーバーコンピューターのようなエッジコネクターソケットに挿入するために形成される。好適な実施形態における前記基板からの拡張部分は、熱モジュールの搭載を減少させるとともに使用中における前記モジュールのＩＣ間の熱変化の減少を促進させることが期待できる。
図１は本発明の好適な実施形態に従って一つのモジュールにおける使用に関し発明されたフレックス回路の一つの面を示す。 図２は図１のフレックス回路の第二の面を示す。 図３は本発明の好適な実施形態に従って発明された一モジュールの断面図を示す。 図４は好適な実施形態において基板のエッジの領域の拡大図である。 図５は本発明の好適な実施形態に従って発明されたモジュールの一つの面を示す模式図である。 図６は本発明に基づいて使用できる一対のモジュールを示す。 図７は本発明に基づいた代替の実施形態を示す。 図８はクリップを有する本発明の別の実施形態を示す。 図９は基板の薄くされた部分を有する別の実施形態を示す。 図１０は本発明の別の実施形態の断面図である。 図１１はＩＣの付加的な層を有する代替実施形態を示す。 図１２はフレックス回路が基板の反対のエッジの周りで包まれた別の代替実施形態を示す。 図１３は基板の反対のエッジの周りで包まれたフレックス回路を有する別の実施形態を示す。 図１４はフレックス回路が基板上を横断する別の実施形態を示す。。 図１５はフレックス回路の外面上にＣＳＰ群を有する別の代替の実施形態を示す。 図１６はフレックス回路と基板の間に実装されたＣＳＰ群を有する本発明の別の実施形態を示す。 図１７は別の代替実施形態を示す。 図１８は多数の熱放射拡張部分を有する本発明の好適な実施形態である。 図１９はコネクターが基板の相対する横の面上でフレックス回路の一部分の間で選択的に内部配線を容易にする本発明の代替実施形態を示す。 図２０は図１９においてマークされた「Ａ」の詳細を示す。 図２１は本発明に従ってモジュールにおいて用いられるフレックス回路の面を示す。 図２２は本発明に従ってモジュールにおいて用いられるフレックス回路の面を示す。 図２３は代替実施形態において用いられる基板の図である。 図２４は図２３において示される基板を使う実施形態の断面図である。 図２５は別の実施形態の断面図である。 図２６は図２５において示されたモジュールにおいて用いられる基板の断面図である。 図２７は本発明に従ったモジュールにおいて使用できる別の基板の正面図である。 図２８代替実施形態の一部の断面図である。 図２９は本発明に従った好適な実施形態において用いられるフレックス回路の分解断面図である。 図３０は別の好適な実施形態である。 図３１は「プレーナー」戦略に従って発明された従来技術のモジュールの面を示す。 図３２はここの表におけるモデル化されたデータを理解する際に使うための実施形態の模式図である。 図３３本発明の好適な実施形態に従って発明されたモジュールの計画図を示す。 図３４はある熱フローを示す好適な実施形態に従ったモジュールの拡大区分図をしめす。 図３５は代替実施形態において用いられるフレックス回路を示す。 図３６は実施形態における代表的なセンサー信号のフローを示す。 図３７は本発明に従って発明された熱管理システムの実施形態を示す。 図３８は本発明に従った熱管理システムの別の説明図である。 図３９は本発明に従ったモジュール熱管理システムの別の実施形態を示す。 図４０は本発明に従って発明され、本発明の熱管理システムの実施形態において用いられる二つのモジュールを示す。 図４１は本発明の熱管理システムの実施形態において用いられる代替実施形態を示す。 図４２は本発明に従った別の代替実施形態を示す。 図４３は本発明の別の実施形態の計画図を示す。 図４４はＦＢ−ＤＩＭＭ回路の多数の例を表現するために発明されたモジュールにおいて用いられる搭載されたフレックス回路の面を示す。 図４４において示されたフレックス回路の別の面を示す。 図４６は基板のそれぞれの面上に四列のＩＣを持つ代替実施形態の断面図である。 図４７は二つの従来のＦＢ−ＤＩＭＭの間のインピーダンスの不連続性を示す模式図である。 図４８は一つ以上のＡＭＢを有する実施形態においてあるインピーダンスの特徴を示す模式図である。 図４９はスタックとＡＭＢを用いたＦＢ−ＤＩＭＭの部分に関して示す。 図５０は本発明に従ったＦＢ−ＤＩＭＭ実施形態の別の形状を示す。 図５１は本発明の別のＦＢ−ＤＩＭＭの実施形態である。 図５２は本発明の実施形態において用いられるフレックス回路の一つの面を示す。 図５３は本発明に従って発明される好適なモジュールの別の図である。 図５４は本発明に従った低プロファイルのＦＢ−ＤＩＭＭの計画図である。 図５５は低プロファイルのＦＢ−ＤＩＭＭタイプの実施形態において用いられるフレックス回路を示す。 図５６は本発明に従ったモジュールの断面図である。 図５７は本発明に従った別のモジュールの断面図である。

Claims (141)

  1. （ａ）二つの相対する横の面と一つのエッジとを有するリジッド基板と、
    （ｂ）前記リジッド基板の前記エッジの周りで包まれたフレックス回路であって、前記フレックス回路は第一の面と第二の面とを有していて、前記フレックス回路の一部分は前記リジッド基板の相対する横の面のうちの少なくとも一つの面に付着しており、前記フレックス回路は回路ボードソケットに連結するための複数のコンタクトを持っていて、前記複数のコンタクトは前記フレックス回路の外側の面上でリジッド基板のエッジの近くに配置されていることを特徴とするフレックス回路と、
    （ｃ）前記第一の面と第二の面とのうちの少なくとも一つの面に実装された複数のメモリＣＳＰと、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  2. 前記複数のメモリＣＳＰの各々は上面を持ち、前記複数のメモリＣＳＰの各々の上面はリジッド基板に付着していることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路モジュール。
  3. 前記フレックス回路の第一の面と第二の面とのうちの少なくとも一つの面に実装された複数のメモリＣＳＰは、リジッド基板の相対する横の面のうちの一つの面上のカットアウエイ領域に配置されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路モジュール。
  4. 前記リジッド基板の相対する横の面の各々の上に複数のカットアウエイ領域が存在し、前記リジッド基板の二つの相対する横の面のうちの一つの面上の複数のカットアウエイ領域の幾つかが前記リジッド基板の二つの相対する横の面の他方の面上の複数のカットアウエイ領域の幾つかに対してずれていることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の回路モジュール。
  5. ＡＭＢを含むとともに、前記リジッド基板は前記ＡＭＢが配置されるカットアウエイ領域又は窓を有していることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第４項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  6. 前記リジッド基板は熱良導体材料であることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第５項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  7. 前記リジッド基板はアルミニウムからなることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第６項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  8. 熱拡張部分は前記リジッド基板のエッジと反対側のリジッド基板によって表されることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第７項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  9. 前記リジッド基板の少なくとも一つのアライメント手段と協同して動作する前記フレックス回路の少なくとも一つのアライメント手段をさらに含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路モジュール。
  10. 前記フレックス回路の第一の面と第二の面とのうちの少なくとも一つの面に実装されるＡＭＢを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路モジュール。
  11. 前記フレックス回路は一つ以上の導電体層からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路モジュール。
  12. 前記フレックス回路は導電体層からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項から１０項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  13. 第一と第二との横の面と一つの周辺エッジとを有する熱良導体基板と、
    複数のＣＳＰが実装された前記第一の面と第二の面とのうちの少なくとも一つの面に第一の面と第二の面とを有するフレックス回路であって、前記第一の面はエッジコネクタースロットに連結するためのエッジコネクターコンタクトを有していて、前記第一の面のエッジコネクターコンタクトを前記複数のＣＳＰが配置される所よりも基板の周辺エッジの近くに配置するために、また前記フレックス回路の第一の面に配置される所よりも前記フレックス回路の第二の面を前記基板の横の面の近くに配置するために、前記フレックス回路は前記熱良導体表面の前記周辺エッジの周りで包まれていることを特徴とするフレックス回路と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール
  14. 熱良導体基板は周辺エッジと反対側に熱拡張部分を有することを特徴とする特許請求の範囲第１３項記載の回路モジュール。
  15. 前記フレックス回路の第一の面と第二の面とのうちの少なくとも一つの面に実装されるＡＭＢをさらに含むことを特徴とする特許請求の範囲第１３項又は第１４項記載の回路モジュール。
  16. 前記第一と第二との横の面の間の前記熱良導体の厚さが前記熱良導体基板の縦に沿った少なくとも二つの場所において変化することを特徴とする特許請求の範囲第１３項から第１５項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  17. エッジコネクターソケットに連結するための拡張ボードコンタクトを有するとともに、さらに第一の面と第二の面とを有していて、第二の面に沿ってＣＳＰの第一のグループと第二のグループとが実装されていることを特徴とするフレックス回路と
    第一の横の面と第二の横の面とエッジとを有している基板であって、前記第一の横の面は一つ以上のカットアウエイ領域を持っていることを特徴とし、また前記第二の横の面は一つ以上のカットアウエイ領域を持っていることを特徴とし、さらに前記フレックス回路は、前記基板の第一の横の面の一つ以上のカットアウエイ領域においてＣＳＰの第一のグループの個々のものの位置を定めるために、および前記基板の第二の横の面の一つ以上のカットアウエイ領域においてＣＳＰの第二のグループの個々のものの位置を定めるために前記基板について配置されていることを特徴とする基板と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  18. 前記基板の第一の横の面の一つ以上のカットアウエイ領域が、前記基板の第二の横の面の一つ以上のカットアウエイ領域のそれぞれのものと空間的に一致していることを特徴とする特許請求の範囲第１７項記載の回路モジュール。
  19. 前記基板の第一の横の面の一つ以上のカットアウエイ領域が、前記基板の第二の横の面の一つ以上のカットアウエイ領域のそれぞれのものと部分的に空間的に一致していることを特徴とする特許請求の範囲第１７項記載の回路モジュール。
  20. 第一の主要な面と第二の主要な面とを有するフレキシブル回路であって、前記フレキシブル回路は前記第一の主要な面上に面実装アレイの少なくとも一つ以上の列と前記第二の面上に面実装アレイの二つ以上の列とを有することを特徴とし、また前記フレキシブル回路は第二の主要な面上の面実装アレイの二つ以上の列のうちの選択された二つの間で正確な曲げ部を有することを特徴とし、また前記第二の主要な面は正確な曲げ部に対し内側に面していることを特徴とし、さらに前記フレキシブル回路は終端エッジを有していてエッジコネクターコンタクトが前記終端エッジに近い方に配置されていることを特徴とするフレキシブル回路と、
    第二の主要な面の面実装アレイの二つ以上の列のうちの少なくとも一つに搭載している複数のＣＳＰと、
    部分的に前記の正確な曲げ部の内側にある支持基板であって、前記支持基板はエッジと第一の面と第二の面とを有していることを特徴とし、また前記第一の面は内部に配置するための複数のカットアウエイ領域または窓を有し、さらに前記フレキシブル回路の前記第二の主要な面の面実装アレイの二つ以上の列のうちの少なくとも一つに搭載する複数のＣＳＰの個々のＣＳＰを有していることを特徴とする支持基板と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  21. 構成するＣＳＰ間で熱変化を減少するための回路モジュールであって、
    （ａ）第一および第二の横の面とエッジと少なくとも一つの熱拡張部分とを持つ熱良導体リジッド基板と、
    （ｂ）複数のＣＳＰ群を搭載し、またエッジコネクターソケットと適合する複数のコンタクトとを有し、さらに熱良導体リジッド基板のエッジの周りで包まれているフレックス回路と
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  22. 前記フレックス回路によって分離した第一のＣＳＰと第二のＣＳＰとからなる少なくとも一組のＣＳＰ群が存在し、前記第一のＣＳＰがＯＮ状態にある時に、前記第一のＣＳＰから第二のＣＳＰへの熱エネルギーの移動を促進させるためにお互いが相対して配置されていることを特徴とする特許請求の範囲第２１項記載の回路モジュール。
  23. 複数のＣＳＰ群がメモリ回路ＣＳＰ群からなることを特徴とする特許請求の範囲第２１項記載の回路モジュール。
  24. 少なくとも一つのＦＢＤＩＭＭとして構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第２１項から２３項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  25. 少なくとも一つのレジスターＤＩＭＭ回路として構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第２１項から２３項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  26. ビデオカードとして構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第２１項から２３項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  27. コミュニケーションカードとして構成された特許請求の範囲第２１項から２３項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  28. マイクロプロセッサーをさらに含むことを特徴とする特許請求の範囲第２１項から２３項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  29. 熱良導体リジッド基板がアルミニウムからなることを特徴とする特許請求の範囲第２１項から２３項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  30. 熱良導体リジッド基板が銅からなることを特徴とする特許請求の範囲第２１項から２３項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  31. センサーをさらに含むことを特徴とする特許請求の範囲第２１項から２３項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  32. 前記センサーが、前記回路モジュールの熱的条件に関係した信号を提供する熱センサーであることを特徴とする特許請求の範囲第３１項記載の回路モジュール。
  33. 前記センサーが、回路モジュールの容量に関係した信号を提供することを特徴とする特許請求の範囲第３１項記載の回路モジュール。
  34. エッジコネクターソケットに挿入されることを特徴とする特許請求の範囲第２１項から２３項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  35. 前記エッジコネクターソケットがコンピューターの一部であることを特徴とする特許請求の範囲第３４項記載の回路モジュール。
  36. 構成するＣＳＰ群の間の熱変化を減少させるための回路モジュールであって、
    （ａ）第一と第二との横の面と少なくとも一つの熱拡張部分とエッジとを有する熱良導体リジッド基板と、
    （ｂ）複数のＣＳＰ群で搭載し、エッジコネクターに挿入するための複数のコンタクトを有する第一のフレックス回路と複数のＣＳＰ群で搭載された第二のフレックス回路とを含むフレックス回路であって、前記第一と第二とのフレックス回路は、少なくとも部分的に、それぞれ熱良導体基板の第一と第二との横の面上で支持されていることを特徴とするフレックス回路と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  37. 第一と第二とのフレックス回路の各々が第一と第二との面を有していて、それらの各々がＣＳＰを有して搭載されていることを特徴とする特許請求の範囲第３６項記載の回路モジュール。
  38. ＯＮ状態にある第一と第二とのＣＳＰ群の一つから無活動状態にある第一と第二とのＣＳＰ群の一つへの熱エネルギーの伝達を促進するために、第一のフレックス回路によって分離され、またお互いに相対して配置された第一のＣＳＰと第二のＣＳＰとからなる少なくとも一組のＣＳＰ群が存在することを特徴とする特許請求の範囲第３６項記載の回路モジュール。
  39. ＯＮ状態にある第一と第二とのＣＳＰ群の一つから無活動状態にある第一と第二とのＣＳＰ群の一つへの熱エネルギーの伝達を促進するために、第二のフレックス回路によって分離され、またお互いに相対して配置された第一のＣＳＰと第二のＣＳＰとからなる少なくとも一組のＣＳＰ群が存在することを特徴とする特許請求の範囲第３６項記載の回路モジュール。
  40. さらにＡＭＢを含み、前記回路はＦＢ−ＤＩＭＭとして構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第３６項から３９項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  41. レジスターＤＩＭＭとして構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第３６項から３９項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  42. さらにマイクロプロセッサーを含むことを特徴とする特許請求の範囲第３６項から３９項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  43. 熱良導体基板がアルミニウムからなることを特徴とする特許請求の範囲第３６項から３９項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  44. 熱良導体基板が銅からなることを特徴とする特許請求の範囲第３６項から３９項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  45. さらにセンサーを含むことを特徴とする特許請求の範囲第３６項から４３項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  46. 前記センサーは、前記モジュールの熱条件に関係した信号を提供することを特徴とする特許請求の範囲第４５項記載の回路モジュール。
  47. 前記センサーは、回路モジュールの容量に関係した信号を発生することを特徴とする特許請求の範囲第４５項記載の回路モジュール。
  48. 回路モジュールから熱エネルギーを取り出すためのシステムであって、
    複数のＣＳＰ群と、前記複数のＣＳＰ群に接続したエッジコネクターコンタクトと、熱良導体材料からなる基板とを有する回路モジュールと、
    回路モジュールが挿入されるエッジコネクターと、
    前記システムにおいてコンピューターシステムのシャーシ部品に熱的に連結されている熱良導体材料からなる前記基板と、
    を含むことを特徴とするシステム。
  49. 少なくとも部分的に、シャーシ部品と熱良導体材料からなる前記基板との間に配置された熱コンジットをさらに含むことを特徴とする特許請求の範囲第４８項記載のシステム。
  50. 熱良導体材料からなる前記基板は、シャーシ部品に対して熱的に連結される熱拡張部分を有することを特徴とする特許請求の範囲第４８項または４９項記載のシステム。
  51. 前記回路モジュールはＦＢ−ＤＩＭＭまたはレジスターＤＩＭＭとして構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第５０項記載のシステム。
  52. 前記回路モジュールはグラフィックモジュールまたはＳＯＤＩＭＭとして構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第５０項記載のシステム。
  53. 前記熱良導体基板がアルミニウムからなることを特徴とする特許請求の範囲第４８項から第５２項のいずれか一項に記載のシステム。
  54. 前記熱良導体基板が銅からなることを特徴とする特許請求の範囲第４８項から第５２項のいずれか一項に記載のシステム。
  55. 前記熱コンジットは柔軟な熱良導体材料からなることを特徴とする特許請求の範囲第４９項記載のシステム。
  56. 前記柔軟な熱良導体材料は電磁性のガスケット材料からなることを特徴とする特許請求の範囲第４９項記載のシステム。
  57. 柔軟な熱良導体材料はスプリングからなることを特徴とする特許請求の範囲第４９項記載のシステム。
  58. 前記回路モジュールは複数のＣＳＰ群を有して搭載されたフレックス回路をさらに含むとともに、前記フレックス回路は、前記基板の第一の面上に前記複数のＣＳＰ群の第一の部分と前記基板の第二の面上に前記複数のＣＳＰ群の第二の部分とを配置するために熱良導体からなる基板のエッジの周りで包まれていることを特徴とする特許請求の範囲第４８項から第５５項のいずれか一項に記載のシステム。
  59. 前記回路モジュールはＦＢ−ＤＩＭＭとして構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第５８項記載のシステム。
  60. 前記回路モジュールはレジスターＤＩＭＭとして構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第５８項記載のシステム。
  61. 前記回路モジュールはグラフィック回路モジュールとして構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第５８項記載のシステム。
  62. 前記回路モジュールはコミュニケーションモジュールとして形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第５８項記載のシステム。
  63. 前記回路モジュールはさらにマイクロプロセッサーを含むことを特徴とする特許請求の範囲第５８項記載のシステム。
  64. 熱良導体基板からなると共に、二つの相対する横の面とエッジと熱拡張部分とを持つ基板および、
    前記リジッド基板のエッジの周りで包まれたフレックス回路であって、前記フレックス回路は第一の面と第二の面とを持ち、前記フレックス回路はエッジコネクターに接続するための複数のコンタクトを持ち、前記複数のコンタクトは前記フレックス回路の第一の面上で前記リジッド基板のエッジの近くに配置されていることを特徴とするフレックス回路、
    を含む回路モジュールと、
    前記フレックス回路の第一と第二との面のうちの少なくとも一つに沿って実装された複数のＣＳＰ群と、
    前記回路モジュールが挿入されるエッジコネクターと、
    コンピューターシステムのシャーシ部品であって、前記シャーシ部品は熱拡張部分を通して基板へ熱的に連結していることを特徴とするシャーシ部品と、
    を含むことを特徴とする熱管理システム。
  65. 前記回路モジュールは少なくとも一つのＦＢ−ＤＩＭＭの例示として構成されるメモリモジュールであることを特徴とする特許請求の範囲第６４項記載の熱管理システム。
  66. 前記回路モジュールは少なくとも一つのレジスターＤＩＭＭの例示として構成されるメモリモジュールであることを特徴とする特許請求の範囲第６４項記載の熱管理システム。
  67. 前記回路モジュールは複数のＣＳＰ群とグラフィックプロセッサーとを含むグラフィックモジュールであることを特徴とする特許請求の範囲第６４項記載の熱管理システム。
  68. 前記フレックス回路の第一と第二との面の両方に沿って実装された複数のＣＳＰ群が存在することを特徴とする特許請求の範囲第６４項記載の熱管理システム。
  69. 前記基板がアルミニウムからなることを特徴とする特許請求の範囲第６４項から第６８項のいずれか一項に記載の熱管理システム。
  70. 熱エネルギーをコンピューターシステムの回路モジュールからシャーシ部品へ移すためのシステムであって、
    熱良導体材料からなる基板を含む回路モジュールであって、前記基板は相対する横の面を有することを特徴とする回路モジュールと、
    複数のＣＳＰ群が配置されたフレックス回路であって、前記フレックス回路は前記基板について、また前記相対する前記基板の横の面に沿って配置されていることを特徴とするフレックス回路と、
    前記回路モジュールの基板と熱的に接触しているシャーシ部品と、
    を含むことを特徴とするシステム。
  71. 第一の面と第二の面とエッジコネクターに連結するための第一の面に沿った複数のコンタクトとを持つフレックス回路と、
    前記フレックス回路上に実装された複数のＣＳＰ群と第一のＡＭＢとを含む第一のＦＢ−ＤＩＭＭおよび、前記フレックス回路上に実装された複数のＣＳＰ群と第二のＡＭＢとを含む第二のＦＢ−ＤＩＭＭと、
    第一と第二との相対する横の面を有するリジッド基板であって、前記フレックス回路は、前記フレックス回路の第二の面が配置されるよりも前記フレックス回路の第一の面を前記基板から離して配置するように前記リジッド基板について配置されていることを特徴とするリジッド基板と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  72. 前記コンピューターにおいてエッジコネクターに挿入されることを特徴とする特許請求の範囲第７１項記載の回路モジュール。
  73. 前記コンピューターがサーバーコンピューターであることを特徴とする特許請求の範囲第７１項記載の回路モジュール。
  74. 前記リジッド基板が、前記フレックス回路上に前記複数のＣＳＰ群の選択されたものを配置したカットアウエイ領域を提供するようにパターン化されていることを特徴とする特許請求の範囲第７１項記載の回路モジュール。
  75. 前記リジッド基板は、前記第一または第二のＡＭＢのうちの一つが配置される少なくとも一つのカットアウエイ領域または窓を提供するようにパターン化されていることを特徴とする特許請求の範囲第７１項記載の回路モジュール。
  76. 第一の面と第二の面と一組の拡張ボードコンタクトとを持つ第一のフレックス回路であって、前記第一と第二の面とは各々第一の領域と第二の領域とを持ち、前記第一と第二との面のそれぞれの前記第一と第二との領域の各々はＣＳＰ群のための少なくとも一つの実装アレイサイトを持つことを特徴とする第一のフレックス回路と、
    第一の面と第二の面とを持つ第二のフレックス回路であって、前記第一と第二の面とは各々第一の領域と第二の領域とを持ち、前記第一と第二との面のそれぞれの前記第一と第二との領域の各々はＣＳＰ群のための少なくとも一つの実装サイトを持つことを特徴とする第二のフレックス回路と、
    前記第二のフレックス回路の第一の面に沿って実装されるとともに、前記第二のフレックス回路の第二の面に沿って実装された第一の複数のＣＳＰ群および第一のＡＭＢと、
    前記第一と第二との横の面を有するリジッド基板であって、前記第一のフレックス回路は前記リジッド基板の第一の横の面に沿って配置され、前記第二のフレックス回路は前記リジッド基板の第二の横の面に沿って配置されていることを特徴とするリジッド基板と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  77. 第一の面と第二の面と前記第一の面に沿った横の複数の拡張ボードコンタクトとを持つフレックス回路と、
    前記横の複数の拡張ボードコンタクトによってＣＳＰメモリデバイスの第二の列から分離しているＣＳＰメモリデバイスの第一の列を有して前記フレックス回路の第一の面に沿って配置されたＣＳＰメモリデバイスの第一と第二との列と、
    ＣＳＰメモリデバイスの前記第一の列を有して配置されている前記第一のＡＭＢおよびＣＳＰメモリデバイスの前記第二の列を有して配置されている前記第二のＡＭＢとを持つ第一と第二とのＡＭＢと、
    フレックス回路が付着している基板と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  78. 前記第一と第二との複数のＣＳＰメモリデバイスはスタックからなることを特徴とする特許請求の範囲第７７項記載の回路モジュール。
  79. エッジと第一の面と第二の面と前記フレックス回路の前記エッジに近接した第一の面に沿った一組のコンタクトとを持つフレックス回路であって、前記フレックス回路は第一の複数のメモリＣＳＰ群と第一のＡＭＢとを含む第一のＦＢ−ＤＩＭＭ回路および第二の複数のメモリＣＳＰ群と第二のＡＭＢとを含む第二のＦＢ−ＤＩＭＭ回路とを有して搭載されていることを特徴とするフレックス回路と、
    終端を持つ基板であって、前記基板について前記フレックス回路は前記基板の終端に近接して前記フレックス回路の前記の一組のコンタクトが配置されていることを特徴とする基板と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  80. 前記フレックス回路の第一の面はＣＳＰ群のための第一と第二との実装領域を有し、前記フレックス回路の第二の面はＣＳＰ群のための第一と第二との実装領域を有し、前記第一のＦＢ−ＤＩＭＭの回路の前記第一の複数のメモリＣＳＰ群と第一のＡＭＢとは前記フレックス回路の第一の面の第一の実装領域と前記フレックス回路の第二の面の第一の領域とに沿って配置され、一方前記第二のＦＢ−ＤＩＭＭ回路の前記第二の複数のメモリＣＳＰ群と前記第二のＡＭＢとは前記フレックス回路の第一の面の第二の実装領域と前記フレックス回路の第二の面の第二の実装領域とに沿って配置されていることを特徴とする特許請求の範囲第７９項記載の回路モジュール。
  81. 前記第一のＦＢ−ＤＩＭＭ回路の第一の複数のメモリＣＳＰ群と第一のＡＭＢとは、前記フレックス回路の第一の面の第一の実装領域に沿って一つの横の列ファイルにおいて、および前記フレックス回路の第二の面の第一の実装領域に沿って一つの横の列ファイルにおいて配置され、一方前記第二のＦＢ−ＤＩＭＭ回路の第二の複数のメモリＣＳＰ群と第二のＡＭＢとは前記フレックス回路の第一の面の第二の実装領域に沿って一つの列ファイルにおいて、および前記フレックス回路の第二の面の第二の実装領域に沿って一つの列ファイルにおいて配置されることを特徴とする特許請求の範囲第８０項記載の回路モジュール。
  82. 前記フレックス回路の第一の面はＣＳＰ群のための第一と第二との実装領域を有し、前記フレックス回路の第二の面はＣＳＰ群のための第一と第二との実装領域を有し、前記第一のＦＢ−ＤＩＭＭ回路の第一の複数のメモリＣＳＰ群と第一のＡＭＢとは前記フレックス回路の第一の面の第一の実装領域および前記フレックス回路の第二の面の第二の領域に沿って配置され、一方前記第二のＦＢ−ＤＩＭＭ回路の第二の複数のメモリＣＳＰ群と第二のＡＭＢとは前記フレックス回路の第一の面の第二の実装領域および前記フレックス回路の第二の面の第一の実装領域に沿って配置されることを特徴とする特許請求の範囲第７９項記載の回路モジュール
  83. 前記第一のＦＢ−ＤＩＭＭ回路の第一の複数のメモリＣＳＰ群と第一のＡＭＢとは前記フレックス回路の第一の面の第一の実装領域に沿って一つの横の列ファイルにおいて、および前記フレックス回路の第二の面の第二の実装領域に沿って一つの横の列ファイルにおいて配置され、一方前記第二のＦＢ−ＤＩＭＭ回路の第二の複数のメモリＣＳＰ群と第二のＡＭＢとは前記フレックス回路の第一の面の第二の実装領域に沿って一つの列ファイルにおいて、および前記フレックス回路の第二の面の第一の実装領域に沿って一つの列ファイルにおいて配置されることを特徴とする特許請求の範囲第８２項記載の回路モジュール
  84. 信号線を含む第一の導電体層と、信号線を含む第二の導電体層と、接地面を含む第三の導電体層と、信号線を含む第四の導電体層と、第一の面と第二の面と前記第一の面に沿った拡張ボードコンタクトの列と、を持つフレックス回路と、
    前記拡張ボードコンタクトの列によってＣＳＰメモリデバイスの第二の列から分離されているＣＳＰメモリデバイスの第一の列を有して前記フレックス回路の第一の面に沿って配置されたＣＳＰメモリデバイスの第一および第二の列と、
    第一および第二の横の面とフレックス回路が配置されるエッジとを持つ基板と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  85. さらにＡＭＢを含み、回路モジュールがＦＢ−ＤＩＭＭとして構成されることを特徴とする特許請求の範囲第８１項記載の回路モジュール。
  86. 前記第一と第二との複数のＣＳＰメモリデバイスはスタックからなることを特徴とする特許請求の範囲第８４項または第８５項記載の回路モジュール。
  87. 前記フレックス回路は少なくとも一つの曲げ部を有していて、前記曲げ部に沿って前記フレックス回路において少なくとも一列のボイドを有していることを特徴とする特許請求の範囲第８４項、第８５項または第８６項記載の回路モジュール。
  88. 前記ボイドの列は前記フレックス回路を通った穴の列であることを特徴とする特許請求の範囲第８７項記載の回路モジュール。
  89. 前記ボイドの列は、前記フレックス回路のすべての層よりも少ない層におけるボイドを含むことを特徴とする特許請求の範囲第８７項記載の回路モジュール。
  90. 第一の面、第二の面、および前記フレックス回路を貫通するＩＣ開口部と回路ボードソケットに連結するための第一の面に沿った複数のコンタクトとを持つフレックス回路と、
    前記フレックス回路の第二の面上に実装した第一のタイプの少なくとも一個のＣＳＰと、
    第一および第二の相対する横の面と前記リジッド基板を貫通する窓とを持つリジッド基板であって、前記フレックス回路は第一のタイプの少なくとも一個のＣＳＰを前記リジッド基板を貫通する前期窓に配置するために前記リジッド基板について配置されていることを特徴とするリジッド基板と
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  91. 前記リジッド基板は熱良導体材料からなり、少なくとも一つの熱膨張部分を有することを特徴とする特許請求の範囲第９０項記載の回路モジュール。
  92. 第一のタイプの前記の少なくとも一個のＣＳＰは、前記フレックス回路を貫通する前記ＩＣ窓から出ることを特徴とする特許請求の範囲第９０項または第９１項記載の回路モジュール。
  93. 第二のタイプの複数のＣＳＰ群は前記フレックス回路の第二の面に沿って配置されることを特徴とする特許請求範囲第９０項または第９１項記載の回路モジュール。
  94. 前記第二のタイプの複数のＣＳＰ群はメモリＣＳＰ群からなることを特徴とする特許請求範囲第９２項記載の回路モジュール。
  95. スタックからなる前記第二のタイプの複数のＣＳＰであることを特徴とする特許請求範囲第９４項記載の回路モジュール。
  96. 第二のタイプの複数のＣＳＰは前記フレックス回路の第一の面に沿って配置されることを特徴とする特許請求の範囲第９０項または第９１項記載の回路モジュール。
  97. 前記第二のタイプの複数のＣＳＰはメモリ回路からなることを特徴とする特許請求の範囲第９６項記載の回路モジュール。
  98. 前記第二のタイプの複数のＣＳＰはスタックからなることを特徴とする特許請求の範囲第９７項記載の回路モジュール。
  99. 前記フレックス回路の複数のコンタクトを通して回路ボードソケットに連結していることを特徴とする特許請求の範囲第９０項または９１項記載の回路モジュール。
  100. 前記フレックス回路の第二の面は第一の領域と第二の領域を有し、また前記第一のタイプの少なくとも一個のＣＳＰは前記第二の面の第一の領域上に実装され、さらに第二のタイプの複数のＣＳＰ群は前記第二の面の第二の領域上に実装されていることを特徴とする特許請求の範囲第９０項または９１項記載の回路モジュール。
  101. 前記第一のタイプの少なくとも一個のＣＳＰはＡＭＢであることを特徴とする特許請求の範囲第９０項または９１項記載の回路モジュール。
  102. 前記フレックス回路の第一の面は第二のタイプの複数のＣＳＰ群を有して搭載されることを特徴とする特許請求の範囲第９０項または９１項記載の回路モジュール。
  103. 前記第二のタイプの複数のＣＳＰはメモリ回路であることを特徴とする特許請求の範囲第９９項から第１０１項のいずれか一項に記載の回路モジュール。
  104. 前記第二のタイプの複数のＣＳＰ群はスタックで配置されたメモリ回路であることを特徴とする特許請求の範囲第１０２項記載の回路モジュール。
  105. 前記基板は、第二のタイプの複数のＣＳＰ群が配置されるカットアウエイ領域を提供するようにパターン化された第二のタイプの複数のＣＳＰ群をさらに含むことを特徴とする特許請求の範囲第９０項または第９１項記載の回路モジュール。
  106. 第二のタイプの第一の複数のＣＳＰ群をさらに含み、前記第二のタイプの第一の複数のＣＳＰ群と前記第一のタイプの少なくとも一個のＣＳＰ群とは第一のＦＢ−ＤＩＭＭ例示を含むことを特徴とする特許請求の範囲第９０項または第９１項記載の回路モジュール。
  107. 第二のタイプの第二の複数のＣＳＰ群をさらに含むとともに、第一のタイプの少なくとも一個のＣＳＰは二つのＡＭＢを含み、前記第二のタイプの第二の複数のＣＳＰ群と２つのＡＭＢを含む前記第一のタイプの少なくとも一個のＣＳＰとは第二のＦＢ−ＤＩＭＭ例示を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１０６項記載の回路モジュール。
  108. 第一の面、第二の面、前記フレックス回路を貫通するＩＣ開口部、および回路ボードソケットに挿入するための一組のコンタクトとを持つフレックス回路であって、前記第一の面は第一のタイプの複数のＣＳＰ群を有して搭載されていて、前記第二の面は第二のタイプのＣＳＰを有して搭載されていることを特徴とするフレックス回路と、
    第一と第二との横の面、エッジ、および前記リジッド基板を貫通する窓とを持つリジッド基板であって、前記フレックス回路は、前記モジュールの外側に前記第一のタイプの複数のＣＳＰと前記第二のタイプのＣＳＰとを前記リジッド基板の窓に配置するために前記リジッド基板のエッジの周りで包まれていることを特徴とするリジッド基板と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  109. 前記リジッド基板は熱良導体材料からなり、少なくとも一つの熱膨張部分を持つことを特徴とする特許請求の範囲第１０８項記載の回路モジュール。
  110. 前記第二のタイプのＣＳＰは前記フレックス回路のＩＣ開口部から部分的に出ることを特徴とする特許請求の範囲第１０８項または第１０９項記載の回路モジュール。
  111. 前記第一のタイプの複数のＣＳＰはメモリ回路であることを特徴とする特許請求の範囲第１０８項または第１０９項記載の回路モジュール。
  112. 前記第一のタイプの複数のＣＳＰはスタックで配置されたメモリ回路であることを特徴とする特許請求の範囲第１１１項記載の回路モジュール。
  113. 回路ボードへ挿入するためのコンタクトの組は前記フレックス回路の周辺エッジに隣接して配置されることを特徴とする特許請求の範囲第１０８項または第１０９項記載の回路モジュール。
  114. 前記フレックス回路の第一の面は第一と第二との領域を持ち、それぞれの領域が第一のタイプの複数のＣＳＰ群を有して搭載されていて、前記フレックス回路の第二の面は第一と第二との領域を持ち、前記第二の面の第一の領域は前記第二のタイプのＣＳＰを有して搭載され、前記第二の面の第二の領域は前記第一のタイプの複数のＣＳＰ群を有して搭載され、前記フレックス回路は、前記リジッド基板の第一の面に第一と第二との面の第一の領域と、前記リジッド基板の第二の面に第一と第二との面の第二の領域とを配置するために前記リジッド基板について配置されることを特徴とする特許請求の範囲第１０８項又は第１０９項記載のモジュール。
  115. 回路ボードソケットに挿入するためのコンタクトの組は、前記フレックス回路の第一の面の第一と第二との領域の間に配置されることを特徴とする特許請求の範囲第１１４項記載のモジュール。
  116. 回路ボードソケットに挿入するためのコンタクトの組は、前記フレックス回路の周辺エッジに隣接して配置されることを特徴とする特許請求の範囲第１１４項記載のモジュール。
  117. 第一の面、第二の面、ＩＣ開口部および前記モジュールを回路ボードコネクターに接続するための一組のコンタクトとを有するフレックス回路であって、前記フレックス回路はメモリＣＳＰ群を有して前記第一の面上に、および選択されたタイプの少なくとも一個のＩＣを有して前記第二の面上に搭載されていることを特徴とするフレックス回路と、
    第一の面、第二の面、前記基板を貫通する窓およびエッジを持つ基板であって、前記フレックス回路は、前記フレックス回路の第二の面よりも前記基板から離れて前記フレックス回路の第一の面を配置し、前記支持基板の窓に前記選択したタイプの少なくとも一つのＩＣを配置するために前記エッジの周りで包まれていることを特徴とする基板と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  118. 前記基板は熱良導体材料からなり、少なくとも一つの熱拡張部分を有することを特徴とする特許請求の範囲第１１７項記載の回路モジュール。
  119. 前記選択したタイプのＩＣは支持基板の窓を通して配置され、前記フレックス回路のＩＣ開口部から一部が現れることを特徴とする特許請求の範囲第１１７項または１１８項記載の回路モジュール。
  120. 前記コンタクトの組は前記フレックス回路の周辺エッジに隣接していることを特徴とする特許請求の範囲第１１７項または第１１８項記載の回路モジュール。
  121. 前記コンタクトの組は前記フレックス回路の第一の面上に搭載されたメモリＣＳＰ群の第一の列とメモリＣＳＰ群の第二の列との間に配置されることを特徴とする特許請求の範囲第１１７項または第１１８項記載の回路モジュール。
  122. 回路ボードコネクターに挿入されるされることを特徴とする特許請求の範囲第１１７項または第１１８項記載の回路モジュール。
  123. 第一の面、第二の面、周辺エッジおよび一組の回路ボードコンタクトを持つフレックス回路であって、前記フレックス回路は第一のタイプの複数のＣＳＰ群を有して前記第一の面上に搭載され、第二のタイプの少なくとも一個のＣＳＰを有して前記第二の面上に搭載されていることを特徴とするフレックス回路と、
    第一と第二との面とエッジと窓とを持つ基板であって、前記第二のタイプの少なくとも一つのＣＳＰは、前記基板の第一の面上に前記第一のタイプの複数のＣＳＰ群を配置し、前記第二のタイプの少なくとも一個のＣＳＰを前記基板の窓を通って前記基板の第二の面から出現させるために前記窓を通して挿入されることを特徴とする基板と、
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  124. 前記基板は熱良導体材料からなり、少なくとも一つの熱拡張部分を有することを特徴とする特許請求の範囲第１２３項記載の回路モジュール。
  125. 前記第一のタイプの複数のＣＳＰ群はメモリＣＳＰ群であり、前記第二のタイプの少なくとも一個のＣＳＰはバッファ回路であることを特徴とする特許請求の範囲第１２３項または第１２４項記載の回路モジュール。
  126. 前記第二のタイプの少なくとも一個のＣＳＰはロジック回路であることを特徴とする特許請求の範囲第１２３項または第１２４項記載の回路モジュール。
  127. 前記一組の回路ボードコネクターコンタクトは前記フレックス回路の周辺エッジに隣接していることを特徴とする特許請求の範囲第１２３項または第１２４項記載の回路モジュール。
  128. バッファ回路である前記第二のタイプの少なくとも一個のＣＳＰはＡＭＢであることを特徴とする特許請求の範囲第１２７項記載の回路モジュール。
  129. 第一と第二との面および第一と第二との長い周辺エッジおよび第一と第二との短い周辺エッジを前記第一の面に沿ったコンタクトに適合した一組のエッジコネクターを有して提供する工程であって、第一と第二との複数のＣＳＰ群が、前記フレックス回路の第一の面に実装され、前記モジュールコンタクトの組が配置されるよりも前記フレックス回路の第一の長い周辺エッジの近くに第一の複数のＣＳＰ群を配置するために、および前記モジュールコンタクトの組が配置されるよりも前記フレックス回路の第二の長い周辺エッジの近くに第二の複数のＣＳＰ群を配置するために、コンタクトに適合するエッジコネクターの組について横に配置されることを特徴とする工程と、
    第一と第二との横の面と第一の長い周辺エッジと第二の長い周辺エッジを持つ熱良導体リジッド基板を提供する工程と
    前記フレックス回路の第一の面が配置されるよりも前記基板の第一と第二との横の面に接近して前記フレックス回路の第二の面を配置するために、また前記熱良導体基板の第二の長い周辺エッジよりも前記基板の第一の長い周辺エッジの近くに前記モジュールコンタクトの組を配置するために、および前記第二の複数のＣＳＰ群が配置されるよりも前記熱良導体基板の第一の横の面に接近して前記第一の複数のＣＳＰ群を配置するために、前記フレックス回路を熱良導体基板の周りで包む工程と、
    を含むことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
  130. 特許請求の範囲第１２９項に記載の回路モジュールを提供する工程と前記モジュールを拡張スロットに挿入する工程とを含むことを特徴とするコンピューターシステムに関してメモリ容量の増加を提供するための方法。
  131. 第一の面と第二の面とを持つフレックス回路を提供する工程であって、前記第一の面はＣＳＰ群を実装するための複数のパッドと拡張ボードスロットに挿入するための複数のコンタクトとを持ち、前記第二の面はＣＳＰ群を実装するための複数のパッドを持つことを特徴とするフレックス回路を提供する工程と、
    前記フレックス回路の第一の面上に複数のＣＳＰ群を実装する工程と、
    前記フレックス回路の第二の面上に複数のＣＳＰ群を実装する工程と、
    前記フレックス回路の第一または第二の面の少なくとも一つの上にＡＭＢを実装する工程と、
    第一と第二との主要面とエッジと熱拡張部分とを持つ熱良導体リジッド基板を提供する工程と、
    外側に面した第一の面を有して、前記リジッド基板の周りで前記フレックス基板を包む工程であって、この結果前記複数のコンタクトが前記熱良導体リジッド基板のエッジに隣接して配置されることを特徴とする工程と、
    を含むことを特徴とする回路モジュールの組み立て方法。
  132. 前記複数のＣＳＰ群の選択されたものに熱放射クリップを付着する工程をさらに含むことを特徴とする特許請求の範囲第１３１項記載の方法。
  133. 使用環境に接続するための拡張ボードスロットに前記複数のコンタクトを少なくとも部分的に挿入する工程をさらに含むことを特徴とする特許請求の範囲第１３１項記載の方法。
  134. 前記熱良導体リジッド基板は第一の部分と第二の部分とを持ち、前記第一の部分は前記第二の部分よりも薄いことを特徴とする特許請求の範囲第１３１項記載の方法。
  135. 前記熱良導体リジッド基板は金属からなることを特徴とする特許請求の範囲第１３１項記載の方法。
  136. 前記熱良導体リジッド基板はアルミニウムからなることを特徴とする特許請求の範囲第１３１項記載の方法。
  137. 前記熱良導体リジッド基板はＦＲ４と金属性の層とからなることを特徴とする特許請求の範囲第１３１項記載の方法。
  138. 第一の主要面と第二の主要面とを持つフレキシブル回路であって、第一の主要面に沿って、複数のコネクターコンタクトが配置されている間に第一の面の第一と第二との一組のコンタクトサイトアレイを表す前記フレックス回路であって、前記フレックス回路の第二の主要面は、前記第一の面の第一と第二との一組のコンタクトサイトアレイに対応するが前記第一の面の第一と第二の一組のコンタクトサイトアレイから横にオフセットになっている第二の面の第一と第二との一組のコンタクトサイトアレイを表し、また前記第一の面と第二の面との第一と第二との一組のコンタクトサイトアレイの各々は少なくとも二つの面実装アレイを含み、さらに前記フレックス回路は、前記の第一の面の第一と第二との一組のコンタクトサイトアレイの各々の少なくとも二つの面実装アレイと前記複数のコネクターコンタクトの選択されたものとの間の接続を提供することを特徴とするフレックス回路と、
    前記第一の面の第一と第二との一組のコンタクトサイトアレイの各々の二つの面実装アレイを搭載する複数のＣＳＰ群と、
    を含むことを特徴とする搭載フレキシブル回路。
  139. 第二の複数のＣＳＰ群は前記第二の面の第一と第二との一組のコンタクトサイトアレイの各々の少なくとも二つの面実装アレイを搭載していることを特徴とする特許請求の範囲第１３８項記載の搭載フレックス回路。
  140. 第一と第二との横の面とキャビティとを持つ基板と、
    第一と第二との部分を持つフレックス回路であって、前記第一の部分は前記基板の第一の横の面に隣接していて、前記第二の部分は前記基板の第二の横の面に隣接していて、前記フレックス回路はエッジカードコネクターコンタクトを持つことを特徴とするフレックス回路と、
    選択的に結合できる第一と第二との部分を持つコネクターであって、前記コネクターの第一の部分は前記フレックス回路の第一の部分に対応し、前記コネクターの第二の部分は前記フレックス回路の第二の部分に対応し、前記フレックス回路の第一と第二との部分は前記コネクターの第一と第二との部分を通して前記基板のキャビティにおいて電気的に結合していることを特徴とするコネクターと
    を含むことを特徴とする回路モジュール。
  141. 上面と底面を持つ各々の複数のメモリＣＳＰ群であって、前記ＣＳＰ群のコンタクトは底面に沿って存在していることを特徴とする複数のメモリＣＳＰ群と、
    ＡＭＢと前記複数のメモリＣＳＰ群とに付着したフレックス回路と、
    エッジと熱拡張部分を持つ熱良導体基板メンバーであって、前記拡張部分は前記エッジの反対側に配置されていることを特徴とする熱良導体基板メンバーと、
    前記フレックス回路を付着した前記複数のメモリＣＳＰ群のうちの選択された第一と第二とのＣＳＰであって、その結果前記の選択された第一のＣＳＰのＣＳＰコンタクトは、前記フレックス回路の少なくとも一部によって選択された第二のＣＳＰのＣＳＰコンタクトから分離されていることを特徴とする選択された第一と第二とのＣＳＰと、
    を含むことを特徴とする、ＡＭＢと共に使用するメモリＣＳＰ群から熱エネルギーの引き出しを促進するための回路モジュール。
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