DE102005038254A1 - Schaltungsmodulsystem und -Verfahren - Google Patents

Schaltungsmodulsystem und -Verfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102005038254A1
DE102005038254A1 DE102005038254A DE102005038254A DE102005038254A1 DE 102005038254 A1 DE102005038254 A1 DE 102005038254A1 DE 102005038254 A DE102005038254 A DE 102005038254A DE 102005038254 A DE102005038254 A DE 102005038254A DE 102005038254 A1 DE102005038254 A1 DE 102005038254A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
substrate
csps
flex circuit
circuit module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102005038254A
Other languages
English (en)
Inventor
Paul Austin Goodwin
James W. Austin Cady
James Douglas Austin Wehrly jun.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Entorian Technologies Inc
Original Assignee
Entorian Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US10/934,027 external-priority patent/US20060050492A1/en
Priority claimed from US11/007,551 external-priority patent/US7511968B2/en
Priority claimed from US11/058,979 external-priority patent/US7468893B2/en
Priority claimed from US11/068,688 external-priority patent/US7324352B2/en
Priority claimed from US11/123,721 external-priority patent/US20060053345A1/en
Priority claimed from US11/125,018 external-priority patent/US7606049B2/en
Priority claimed from US11/193,954 external-priority patent/US20060049513A1/en
Application filed by Entorian Technologies Inc filed Critical Entorian Technologies Inc
Publication of DE102005038254A1 publication Critical patent/DE102005038254A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/04—Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/147—Structural association of two or more printed circuits at least one of the printed circuits being bent or folded, e.g. by using a flexible printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/118—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits specially for flexible printed circuits, e.g. using folded portions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/05—Flexible printed circuits [FPCs]
    • H05K2201/056—Folded around rigid support or component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/1056—Metal over component, i.e. metal plate over component mounted on or embedded in PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2018—Presence of a frame in a printed circuit or printed circuit assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1572—Processing both sides of a PCB by the same process; Providing a similar arrangement of components on both sides; Making interlayer connections from two sides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

Eine flexible Schaltung ist mit integrierten Schaltungen (ICs) bevölkert, die entlang einer ihrer Hauptseiten oder entlang beiden angeordnet sind. Kontakte, die entlang der flexiblen Schaltung verteilt sind, sorgen für Verbindung mit den ICs. Vorzugsweise ist die flexible Schaltung um einen Rand eines starren, wärmeleitfähigen Substrats herum angeordnet, so dass die integrierten Schaltungen an einer Seite oder beiden Seiten des Substrats angeordnet sind, mit einer Schicht oder zwei Schichten aus integrierten Schaltungen an einer Seite oder beiden Seiten des Substrats. Bei alternativen, jedoch ebenfalls bevorzugten Ausführungsformen sind die ICs an der Seite der flexiblen Schaltung am nächsten am Substrat zumindest teilweise dort angeordnet, wo Fenster, Taschen oder weggeschnittene Bereiche in dem Substrat vorhanden sind. Andere Ausführungsformen können nur eine Seite der flexiblen Schaltung bevölkern oder können Substratmaterial entfernen, um das Modulprofil zu verkleinern. Bei bevorzugten Ausführungsformen sind die Kontakte, die entlang der flexiblen Schaltung angeordnet sind, zum Einführen in einen Stiftsockel ausgebildet, beispielsweise einen derartigen, wie er sich bei Allzweck- und Server-Computern befindet. Bevorzugte Substrate bestehen aus wärmeleitfähigem Material. Bei Erweiterungen von dem Substrat bei bevorzugten Ausführungsformen lässt sich erwarten, dass die Wärmebelastung von Modulen verringert wird und verringerte thermische Variationen zwischen den ...

Description

  • Gebiet:
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Systeme und Verfahren zur Erzeugung von Schaltungsmodulen mit hoher Dichte.
  • Hintergrund:
  • Speichererweiterung stellt eines der zahlreichen Gebiete dar, bei welchen Schaltungsmodullösungen mit hoher Dichte für Raum sparende Vorteile sorgen. So wird beispielsweise seit Jahren das wohlbekannte DIMM (Dual In-Line Memory Module) eingesetzt, in verschiedenen Formen, zur Bereitstellung einer Speichererweiterung. Ein typisches DIMM weist eine herkömmliche PCB (Leiterplatte) mit Speicherbauelementen und unterstützender Digitallogik auf, angebracht auf beiden Seiten. Das DIMM wird typischerweise dadurch in dem Host-Computersystem angebracht, dass ein Kontakte tragender Rand des DIMM in einen Kartenstiftsockel eingeführt wird. Typischerweise stellen Systeme, welche DIMMs einsetzen, einen begrenzten Raum im Profil für derartige Bauelemente zur Verfügung, und haben herkömmliche Lösungen auf DIMM-Grundlage typischerweise nur für ein mäßiges Ausmaß an Speichererweiterung gesorgt.
  • Mit zunehmenden Busgeschwindigkeiten können weniger Bauelemente pro Kanal verlässlich mit einer herkömmlichen Lösung auf DIMM-Grundlage adressiert werden. So können beispielsweise 288 ICs oder Bauelemente pro Kanal unter Verwendung des Busprotokolls SDRAM-100 mit einem ungepufferten DIMM adressiert werden. Bei Einsatz des Busprotokolls DDR-200 können annähernd 144 Bauelemente pro Kanal adressiert werden. Bei dem Busprotokoll DDR2-400 können nur 72 Bauelemente pro Kanal adressiert werden. Diese Einschränkung hat zur Entwicklung des vollständig gepufferten DIMM (FB-DIMM) geführt, mit gepufferten C/A und Daten, bei welchem 288 Bauelemente pro Kanal adressiert werden können. Bei dem FB-DIMM hat nicht nur die Kapazität zugenommen, sondern ist auch die Pin-Anzahl auf annähernd 69 Signal-Pins gegenüber den vorher erforderlichen, annähernd 240 Pins abgesunken.
  • Von der FB-DIMM-Schaltungslösung wird erwartet, dass sie in der Praxis Motherboard-Speicherkapazitäten von bis zu etwa 192 Gigabytes mit sechs Kanälen und acht DIMMs pro Kanal und zwei Rängen pro DIMM unter Verwendung von DRAMs von 1 Gigabyte zur Verfügung stellt. Diese Lösung sollte auch an Technologien der nächsten Generation anpassbar sein, und sollte eine signifikante Abwärts-Kompatibilität aufweisen.
  • Es gibt verschiedene bekannte Verfahren, um die begrenzte Kapazität eines DIMM oder einer anderen Leiterplatte zu erhöhen. Bei einer Vorgehensweise werden beispielsweise kleine Leiterplatten (Tochterkarten) an das DIMM angeschlossen, um für zusätzlichen Montageraum zu sorgen. Die zusätzlichen Anschlüsse können allerdings eine beeinträchtigte Signalintegrität bei den Datensignalen hervorrufen, die von dem DIMM zur Tochterkarte gelangen, während die zusätzliche Dicke der Tochterkarte(n) das Profil des Moduls vergrößert.
  • Mehrfach-Chip-Gehäuse (MDP) können auch zur Erhöhung der Kapazität des DIMM verwendet werden. Diese Vorgehensweise erhöht die Kapazität der Speicherbauelemente auf dem DIMM, durch Vorsehen mehrerer Halbleiter-Chips in einem einzelnen Bauelementengehäuse. Die zusätzliche Wärme, die durch die mehreren Chips hervorgerufen wird, macht jedoch typischerweise zusätzliche Kühlkapazität erforderlich, für den Betrieb bei maximaler Betriebsgeschwindigkeit. Weiterhin können bei dem MDP-Schema erhöhte Kosten auftreten, infolge höherer Ausbeuteverluste infolge mehrerer Chips in einem Gehäuse, die nicht vollständig vorgetestet sind.
  • Gestapelte Gehäuse sind eine noch andere Vorgehensweise zur Erhöhung der Modulkapazität. Die Kapazität wird dadurch erhöht, dass in Gehäusen vorgesehene integrierte Schaltungen gestapelt werden, um ein Schaltungsmodul mit hoher Dichte zum Anbringen auf der größeren Leiterplatte zu erzeugen. Bei einigen Vorgehensweisen werden flexible Leiter dadurch eingesetzt, selektiv integrierte Schaltungen in Gehäusen gegenseitig zu verbinden. Staktek Group L.P., die Inhaberin der vorliegenden Erfindung, hat zahlreiche Systeme zum Vereinigen von CSP-Bauelementen (Gehäuse im Chip-Maßstab) in Raum sparenden Topologien entwickelt. Die zunehmende Bauteilhöhe einiger Stapelverfahren kann allerdings die Systemanforderungen ändern, beispielsweise den erforderlichen Kühlluftschluss, oder den minimalen Abstand um eine Leiterplatte herum in ihrem Host-System.
  • Typischerweise führen die bekannten Verfahren zu Wärmehandhabungsproblemen. Wenn beispielsweise ein herkömmlicher DRAM mit FBGA-Gehäuse auf einem DIMM angebracht wird, verläuft der hauptsächliche Wärmeweg durch die Kugeln in den Kern eines Mehrschicht-DIMM.
    •
  • Was daher erforderlich ist, sind Verfahren und Konstruktionen zur Bereitstellung von Leiterplatten hoher Kapazität in ther misch effizienten, verlässlichen Konstruktionen, die gut bei höheren Frequenzen arbeiten, jedoch nicht so groß sind, und dennoch bei vernünftigem Kostenaufwand hergestellt werden können.
  • Inhaltsangabe:
  • Eine flexible Schaltung ist mit integrierten Schaltungen (ICs) bestückt, die entlang einer oder beider ihrer Hauptseiten angeordnet sind. Kontakte, die entlang der flexiblen Schaltung verteilt sind, sorgen für Verbindung mit den ICs. Vorzugsweise ist die flexible Schaltung an einem Rand eines starren, wärmeleitfähigen Substrats angeordnet, wodurch die integrierte Schaltung auf einer oder beiden Seiten eines Substrats angeordnet wird, mit einer Schicht oder zwei Schichten aus integrierten Schaltungen auf einer oder beiden Seiten des Substrats. Bei alternativen, jedoch ebenfalls bevorzugten Ausführungsformen sind die ICs an einer Seite der flexiblen Schaltung, die am nächsten am Substrat steht, zumindest teilweise dort angeordnet, wo Fenster, Taschen oder ausgenommene Bereiche in dem Substrat vorhanden sind. Andere Ausführungsformen können nur eine Seite der flexiblen Schaltung bevölkern, oder können Substratmaterial entfernen, um das Modulprofil zu verkleinern. Bei bevorzugten Ausführungsformen sind die entlang der flexiblen Schaltung verteilten Kontakte dazu ausgebildet, in einen Stiftsockel eingeführt zu werden, beispielsweise solche, wie sie sich bei Allzweck- und Server-Computern finden. Bevorzugte Substrate bestehen aus wärmeleitfähigem Material. Von Erweiterungen vom Substrat bei bevorzugten Ausführungsformen kann erwartet werden, dass die Wärmebelastung von Modulen verringert wird, und verringerte Wärmeänderungen unter den integrierten Schaltungen des Moduls im Betrieb gefördert werden.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen:
  • 1 zeigt eine Seite einer Flex-Schaltung, die dazu gedacht ist, in einem Modul eingesetzt zu werden, gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 zeigt eine zweite Seite der Flex-Schaltung von 1.
  • 3 zeigt eine Querschnittsansicht eines Moduls, das gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entwickelt wurde.
  • 4 ist eine vergrößerte Ansicht des bereits um einen Substratrand herum bei einer bevorzugten Ausführungsform.
  • 5 ist eine Aufsicht auf eine Seite eines Moduls, das gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entwickelt wurde.
  • 6 zeigt ein Paar von Modulen, wie es gemäß der Erfindung eingesetzt werden kann.
  • 7 zeigt eine alternative Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 8 zeigt eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die einen Clip aufweist.
  • 9 zeigt eine andere Ausführungsform, die einen verdünnten Abschnitt eines Substrats aufweist.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 11 zeigt eine alternative, bevorzugte Ausführungsform, die zusätzliche Schichten aus ICs aufweist.
  • 12 zeigt eine andere, alternative Ausführungsform, bei welcher eine Flex-Schaltung um entgegen gesetzte Ränder eines Substrats herum geschlungen ist.
  • 13 zeigt eine andere Ausführungsform, bei welcher eine Flex-Schaltung um entgegen gesetzte Ränder eines Substrats herum geschlungen ist.
  • 14 zeigt eine andere, alternative Ausführungsform, bei welcher eine Flex-Schaltung ein Substrat überquert.
  • 15 zeigt eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche CSPs an der äußeren Seite einer Flex-Schaltung aufweist.
  • 16 zeigt eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche CSPs aufweist, die zwischen einer Flex-Schaltung und einem Substrat angebracht sind.
  • 17 eine andere, alternative Ausführungsform.
  • 18 ist eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit mehreren Wärmeabstrahlerweiterungen.
  • 19 zeigt eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei welcher ein Verbinder selektive Verbin dungsfähigkeit zwischen Teilen der Flex-Schaltung auf entgegen gesetzten Querseiten des Substrats zur Verfügung stellt.
  • 20 zeigt Einzelheiten aus dem mit "A" in 19 markierten Bereich.
  • 21 und 22 zeigen Seiten einer Flex-Schaltung, die in einem Modul gemäß der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird.
  • 23 ist eine Ansicht eines Substrats, das bei einer alternativen Ausführungsform eingesetzt wird.
  • 24 ist eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform, welche das in 23 gezeigte Substrat einsetzt.
  • 25 ist eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform.
  • 26 ist eine Querschnittsansicht eines Substrats, das bei dem in 25 gezeigten Modul verwendet wird.
  • 27 ist eine Vorderansicht eines anderen Substrats, das bei einem Modul gemäß der Erfindung einsetzbar ist.
  • 28 ist eine Querschnittsansicht eines Teils einer alternativen Ausführungsform.
  • 29 ist ein Querschnitt in Explosionsdarstellung einer Flex-Schaltung, die bei einer bevorzugten Ausführungsform gemäß der Erfindung eingesetzt wird.
  • 30 zeigt eine andere, bevorzugte Ausführungsform.
  • 31 zeigt Seiten eines Moduls nach dem Stand der Technik, das entsprechend der "planaren" Strategie entwickelt wurde.
  • 32 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform zum Einsatz beim Verstehen modellierter Daten in hier vorgesehenen Tabellen.
  • 33 ist eine Aufsicht auf ein Modul, das gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung entwickelt wurde.
  • 34 erläutert einen vergrößerten Schnitt eines Moduls gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, zur Erläuterung bestimmter Wärmeflüsse.
  • 35 zeigt eine Flex-Schaltung, die bei einer alternativen Ausführungsform verwendet wird.
  • 36 zeigt repräsentative Sensorsignalflüsse bei einer Ausführungsform.
  • 37 zeigt eine Ausführungsform eines Wärme-Managementsystems, das gemäß der Erfindung entwickelt wurde.
  • 38 ist eine andere Darstellung eines Wärme-Managementsystems gemäß der Erfindung.
  • 39 zeigt eine andere Ausführungsform eines Modul-Wärme-Managementsystems gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 40 zeigt zwei Module, die gemäß der vorliegenden Erfindung entwickelt wurden, und bei einer Ausführungsform des Wärme-Managementsystems gemäß der Erfindung verwendet werden.
  • 41 zeigt eine alternative Ausführungsform, die bei einer Ausführungsform des Wärme-Managementsystems gemäß der Erfindung eingesetzt wird.
  • 42 zeigt eine andere Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 43 zeigt eine Aufsicht auf eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 44 zeigt eine Seite einer bevölkerten Flex-Schaltung, die in einem Modul eingesetzt wird, das zum Ausdrücken mehrerer Fälle einer FB-DIMM-Schaltung entwickelt wurde.
  • 45 zeigt eine andere Seite der in 44 gezeigten Flex-Schaltung.
  • 46 ist eine Querschnittsansicht einer alternativen Ausführungsform, welche vier Ränge von ICs auf jeder Seite des Substrats aufweist.
  • 47 ist eine schematische Darstellung von Impedanz-Diskontinuitäten zwischen zwei herkömmlichen FB-DIMMs.
  • 48 ist eine schematische Darstellung bestimmter Impedanzmerkmale bei einer Ausführungsform, bei welcher mehr als ein AMB vorgesehen ist.
  • 49 zeigt einen Teil eines FH-DIMM-Moduls, welcher Stapel (stacks) und AMBs verwendet.
  • 50 zeigt eine andere Konfiguration einer FB-DIMM-Ausführungsform gemäß der Erfindung.
  • 51 ist eine weitere FB-DIMM-Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 52 zeigt eine Seite einer Flex-Schaltung, die bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 53 ist eine weitere Darstellung eines bevorzugten Moduls, das gemäß der vorliegenden Erfindung entwickelt wurde.
  • 54 ist eine Aufsicht auf eine Ausführungsform mit niedrigem Profil des FB-DIMM-Typs gemäß der Erfindung.
  • 55 zeigt eine Flex-Schaltung, die in einer Ausführungsform mit niedrigem Profil des FB-DIMM-Typs verwendet wird.
  • 56 ist eine Querschnittsansicht eines Moduls gemäß der Erfindung.
  • 57 ist eine Querschnittsansicht eines anderen Moduls gemäß der Erfindung.
    •
  • Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen:
  • Die 1 und 2 zeigen entgegen gesetzte Seiten 8 und 9 einer bevorzugten Flex-Schaltung 12 ("Flex", "Flex-Schaltung", "flexible Schaltung", "flexible Schaltungen"), die zum Rufbau einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird. Die Flex-Schaltung 12 besteht vorzugsweise aus mehreren leitfähigen Schichten, die durch eine oder mehrere flexible Substratschichten gehaltert werden, wie dies nachstehend erläutert wird. Es kann die gesamte Flex-Schaltung 12 flexibel sein oder, wie Fachleute erkennen werden, es kann die Anordnung der flexiblen Schaltung 12 in bestimmten Bereichen flexibel ausgebildet sein, um Anpassbarkeit an erforderliche Formen oder Biegungen zu ermöglichen, und starr in anderen Bereichen sein, um starre und ebene Montageoberflächen zur Verfügung zu stellen. Die bevorzugte Flex-Schaltung 12 weist Öffnungen 17 (oder Zungen) zur Verwendung zum Ausrichten der Flex-Schaltung 12 zu einem Substrat während des Zusammenbaus auf.
  • ICs 18 auf der flexiblen Schaltung 12 sind, bei dieser Ausführungsform, Speicherbauelemente mit Gehäusen im Chip-Maßstab. Zum Zweck der vorliegenden Beschreibung soll der Begriff "im Chip-Maßstab" oder "CSP" integrierte Schaltungen jeglicher Funktion bezeichnen, mit einem Array-Gehäuse, das Verbindung zur einem oder mehreren Chip-Durchgangskontakten zur Verfügung stellt (häufig verwirklicht als "Höcker" oder "Kugeln" bei diesem Beispiel), die über eine Hauptoberfläche des Gehäuses oder Chips verteilt sind. CSP betrifft nicht Bauelemente mit Anschlüssen, die Verbindung zu einer integrierten Schaltung innerhalb des Gehäuses durch Leitungen zur Verfügung stellen, die von dem Umfang des Gehäuses ausgehen, beispielsweise ein TSOP.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können bei Bauelementen mit Anschlüssen oder CSP-Bauelementen, oder bei anderen Bauelementen eingesetzt werden, sowohl in Form mit und ohne Gehäuse, aber wenn der Begriff CSP verwendet wird, sollte die voranstehende Definition von CSP verwendet werden. Obwohl CSP Bauelemente mit Anschlüssen ausschließt, sollen Bezugnahmen auf CSP breit verstanden werden, so dass sie das weite Feld von Array-Bauelementen umfassen (und nicht nur auf Speicher allein beschränkt sind), unabhängig davon, ob es sich um Chip-Größe oder eine andere Größe handelt, beispiels weise BGA und Mikro-BGA, sowie Flip-Chip. Wie Fachleute nach Verständnis der vorliegenden Beschreibung verstehen werden, können einige Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung so ausgelegt sein, dass sie Stapel von ICs einsetzen, die jeweils dort angeordnet sind, wo ein IC 18 in den beispielhaften Figuren dargestellt ist.
  • Mehrfache integrierte Schaltungs-Chips können in einem Gehäuse enthalten sein, das als einzelner IC 18 dargestellt ist. Zwar werden bei der vorliegenden Ausführungsform Speicher-ICs dazu eingesetzt, eine Speichererweiterungsplatte zur Verfügung zu stellen, jedoch ist dies nicht einschränkend, und können verschiedene Ausführungsformen verschiedene integrierte Schaltungen und andere Bauelemente enthalten, die für andere Primärfunktionen entwickelt wurden, über Speicher hinaus oder zusätzlich dazu. Derartige Varietäten können Mikroprozessoren umfassen, FPGAs, RF-Transceiver oder andere Kommunikationsschaltungen, Digitallogik, als Liste nicht einschränkender Beispiele, oder andere Schaltungen oder Systeme, die von der Fähigkeit des Schaltungsmoduls mit hoher Dichte profitieren können. Die Schaltung 19, die zwischen zwei ICs 18 dargestellt ist, kann ein Speicherpuffer oder eine Steuerung sein, oder ein fortgeschrittener Speicherpuffer (AMB), oder kann als Mikroprozessor, Logik- oder Kommunikationsbauelement angesehen werden.
  • 1 zeigt eine obere oder äußere Seite 8 einer Flex-Schaltung 12, auf welcher ICs 18 angebracht sind, die in zwei Reihen oder Mannigfaltigkeiten ICR1 und ICR2 angeordnet sind. Fachleuten wissen, dass die Anbringung von ICs 18 auf der Flex-Schaltung 9 sofortige und effiziente Herstellungsvorteile zur Verfügung stellt, wenn Beispiele für das Modul 10 zusammengebaut werden. Andere Ausführungsformen können andere Anzahlen an Reihen aufweisen, oder es kann nur eine derartige Reihe vorgesehen sein. Kontakt-Arrays sind unterhalb den ICs 18 und der Schaltung angeordnet, um Leitungswege zur Verbindung mit den ICs zur Verfügung zu stellen. Es ist ein beispielhafter Kontakt-Array 11A dargestellt, sowie ein beispielhafter IC 18, der wie dargestellt am Kontakt-Array 11A angebracht werden soll. Zwischen den beiden Reihen ICR1 und ICR2 von ICs 18 weist die Flex-Schaltung 12 zwei Reihen (CR1 und CR2) von Modulkontakten 20 auf. Wenn die Flex-Schaltung 12 zusammengeklappt ist, wie in späteren Figuren gezeigt, befindet sich die in 1 gezeigte Seite 8 an der Außenseite des Moduls 10. Die entgegen gesetzte Seite 9 der Flex-Schaltung 12 (2) liegt an der Innenseite.
  • 2 zeigt andere zwei Mannigfaltigkeiten von ICs 18 an der Seite 9 der Flex-Schaltung 12, bezeichnet mit ICR3 und ICR4. Verschiedene diskrete Bauelemente, beispielsweise Abschlusswiderstände, Bypass-Kondensatoren, und Vorspannungswiderstände können ebenfalls an jeder der Seiten 8 und 9 der Flex 12 angebracht sein. Derartige diskrete Bauelemente sind nicht dargestellt, um die Zeichnung zu vereinfachen. Die Flex-Schaltung 12 kann auch unter Bezugnahme auf ihre Umfangsränder beschrieben werden, von denen zwei typischerweise lang sind (PElong1 Und PElong2) und denen zwei typischerweise kürzer sind (PEshort1) und PEshort2). Andere Ausführungsformen können Flex-Schaltungen einsetzen, die keine Rechteckform aufweisen, und quadratisch sein können, wobei in diesem Fall die Umfangsränder gleiche Abmessungen hätten, oder eine andere Form aufweisen können, zur Anpassung an spezielle Einzelheiten der Herstellung.
  • 1 zeigt Beispiele für Leiterbahnen 21, die zwei Reihen CR1 und CR2 von Modulkontakten 20 mit ICs 18 verbinden. Es sind nur einige wenige beispielhafte Bahnen dargestellt, um die Zeichnung zu vereinfachen. Die Bahnen 21 können noch eine Verbindung zu Durchgangsverbindungen herstellen, die in andere leitfähige Schichten der Flex 12 übergehen, bei bestimmten Ausführungsformen, die mehr als eine leitfähige Schicht aufweisen. Eine Durchgangsverbindung 23 ist dargestellt, die eine Signalbahn 25 von der Schaltung 19 auf einer anderen leitfähigen Schicht der Flex 12 verbindet, wie dies durch die gestrichelte Linie der Bahn 25 dargestellt ist. Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind Durchgangsverbindungen Teil des Anschlusses von ICs 18 auf der Seite 9 der Flex 12 (2) an Modulkontakte 20. Die Bahnen 21 und 25 können andere Verbindungen zwischen den ICs auf jeder Seite der Flex 12 herstellen, und können die Reihen der Modulkontakte 20 überqueren, um ICs miteinander zu verbinden. Zusammen bilden die verschiedenen Bahnen und Durchgangsverbindungen die gegenseitigen Verbindungen, die für den Transport von Signalen zu den verschiedenen ICs benötigt werden. Fachleute wissen, dass die vorliegende Erfindung mit nur einer einzigen Reihe von Modulkontakten 20 implementiert werden kann, und in anderen Ausführungsformen als ein Modul implementiert werden kann, das ICs nur auf einer Seite des Moduls trägt, oder auf einer oder beiden Seiten der Flex-Schaltung.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht eines Moduls 10, das gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entwickelt wurde. Das Modul 10 ist mit CSPs 18 bevölkert, welche obere Oberflächen 18T und untere Oberflächen 18B aufweisen. Das Substrat 14 weist einen Rand 16A auf, der in der Darstellung von 3 als ein Ende des Substrats 14 erscheint, um welches die Flex-Schaltung 12 herum angeordnet ist. Das Substrat 14 weist typischerweise eine erste und eine zweite Querseite S1 bzw. S2 auf. Die Flex 12 ist um den Um fangsrand 16A des Substrats 14 herum geschlungen, welcher in der Nähe des Randes 16A bei der dargestellten Ausführungsform die grundlegende Form eines gemeinsamen DIMM-Plattenformfaktors zur Verfügung stellt. Vorzugsweise ist zumindest ein Abschnitt der Tasche der Flex 12, die durch Herumschlingen der Flex-Schaltung um das Substrat ausgebildet wird, an das Substrat 14 an beiden Seiten des Substrats 14 anlaminiert oder dort auf andere Weise befestigt. Die Länge dieses Abschnitts kann variieren, abhängig von derartigen Faktoren wie beispielsweise der Höhe der ICs 18, der Dicke des Substrats 14, der Länge der Modulkontakte 20, und der Größe und der Konstruktion des Stiftsockels oder des Computer- oder Erweiterungsplattensockels, an welchen das Modul 10 so angepasst ist, dass es dort eingeführt werden kann. Der Raum, in welchem die Flex-Schaltung in dem Bereich ihres Anschlusses mit ICs 18 übergeht, kann mit einer winkeltreuen oder wärmeleitfähigen Unterfüllung gefüllt sein, kann ungefüllt bleiben, oder kann, wie in der später gezeigten 7, von einem Flex-Halterungsteil des Substrats 14 eingenommen sein. Kleber 30 ist bei einer bevorzugten Ausführungsform ein wärmeleitfähiges Material, um die Wärmedissipationseigenschaften zu nutzen, die unter Verwendung eines geeignet gewählten, wärmeleitfähigen Substrats 14 bereitgestellt werden können, das beispielsweise aus einem Metall, wie beispielsweise Aluminium, besteht.
  • Das innere Paar der vier dargestellten ICs 18 ist vorzugsweise am Substrat 14 durch einen wärmeleitfähigen Kleber 30 angebracht. Der Kleber 30 ist bei einer bevorzugten Ausführungsform ein wärmeleitfähiges Material, um die Wärmedissipationseigenschaften zu nutzen, die unter Verwendung eines geeignet ausgewählten, wärmeleitfähigen Substrats 14 bereitgestellt werden können. Zwar sind bei dieser Ausführungsform die vier dargestellten ICs an der Flex-Schaltung 12 in entgegen gesetzten Paaren angebracht, jedoch ist dies nicht einschränkend, und können mehr ICs in anderen Anordnungen angeschlossen sein, beispielsweise in gestapelten oder versetzten Anordnungen, für welche später Beispiele angegeben werden. Weiterhin sind nur ICs mit CSP-Gehäusen dargestellt, jedoch können auch andere ICs (mit oder ohne Gehäuse) als ICs 18 eingesetzt werden. Zwar stellen Speicher-CSPs den typischen IC 18 dar, jedoch können auch ICs mit anderen Funktionen eingesetzt werden.
  • Bei dieser Ausführungsform weist die Flex-Schaltung 12 Modulkontakte 20 auf, die auf solche Weise angeordnet sind, dass sie in einen Stiftsockel oder einen Computer- oder Erweiterungsplattensockel passen, und eine Verbindung mit entsprechenden Kontakten in dem Verbinder oder dem Sockel herstellen. Zwar sind die Modulkontakte 20 so dargestellt, dass sie gegenüber der Oberfläche der Flex-Schaltung 12 vorstehen, jedoch ist dies nicht einschränkend, und können andere Ausführungsformen fluchtende Kontakte oder Kontakte unterhalb des Oberflächenniveaus der Flex 12 aufweisen. Das Substrat 14 haltert die Modulkontakte 20 von hinter der Flex-Schaltung 12 auf eine solche Art und Weise, dass die mechanische Form zur Verfügung gestellt wird, die zum Einführen in einen Sockel erforderlich ist. Zwar weist das dargestellte Substrat 14 eine gleichmäßige Dicke auf, jedoch ist dies nicht einschränkend, und kann sich bei anderen Ausführungsformen die Dicke oder Oberfläche des Substrats 14 ändern. Nicht einschränkende Beispiele für derartige mögliche Abänderungen sind in späteren Figuren dargestellt. Das Substrat 14 bei der dargestellten Ausführungsform ist vorzugsweise aus einem wärmeleitfähigen Metallmaterial hergestellt, beispielsweise aus Aluminium oder Kupfer. Das Substrat 14 kann auch aus anderen wärmeleit fähigen Materialien bestehen, beispielsweise wärmeleitfähigen Kunststoffen, oder Materialien auf Kohlenstoffgrundlage, zum Beispiel. Dort, wo Wärme-Management eine geringere Rolle spielt, können bei alternativen Ausführungsformen Materialien wie Epoxylaminat FR4 (schwer entflammbarer Typ 4) oder PTFE (Polytetrafluorethylen) eingesetzt werden. Bei anderen Ausführungsformen können vorteilhafte Merkmale von mehreren Technologien kombiniert werden, mit Einsatz von FK4 mit einer Schicht aus Kupfer auf beiden Seiten, um ein Substrat 14 zur Verfügung zu stellen, das aus bekannten Materialien entwickelt wurde, welche Wärmeleitfähigkeit oder eine Masseebene zur Verfügung stellen können.
  • Wie in 3 gezeigt, weist das gezeigte Modul 10 eine Wärmeerweiterung 16T auf. Obwohl typischerweise an einem Ende des Substrats 14 dargestellt und vorzugsweise dort angeordnet, wo sie am einfachsten angeordnet werden kann, kann eine Wärmeerweiterung abseits des Substrats 14 auch von dem Hauptkörpersubstrat 14 zwischen den Enden des Substrats abweichen. Das Substrat 14 kann eine oder mehrere derartige Erweiterungen aufweisen. Die Wärmeerweiterungen 16T können von der Zentrumsachse des Substrats in jeder von verschiedenen Orientierungen abweichen, und müssen nicht senkrecht in Bezug auf den Hauptkörper des Substrats verlaufen, und müssen nicht zu beiden Seiten des Moduls 10 hin abweichen. Wie noch genauer erläutert wird, lässt sich für Modelle des Moduls 10, beispielsweise jenes, das in 3 gezeigt ist, vorhersagen, dass thermische Vorteile beim Modul 10 vorhanden sind, im Vergleich zu dem wohlbekannten ebenen Modul, das normalerweise bei Speichererweiterungseinsätzen verwendet wird. Wie Fachleute wissen, stellen die Wärmeerweiterungen 16T zusätzliche Oberflächenbereiche für das Substrat 14 zur Verfügung, und vergrößern daher die Fläche, von welcher Wärme fließen oder vom Modul 10 ausgehen kann. Der Primärmechanismus für einen derartigen Wärmefluss ist Konvektion, da ein Luftfluss typischerweise die Modulkühlung unterstützt, jedoch wissen Fachleute auf diesem Gebiet, dass die Konstruktion des Substrats 14 mit der Wärmeerweiterung 16T leitfähig für verschiedene Vorrichtungen ist, damit Wärme vom Modul 10 abfließen kann.
  • Eine vorteilhafte Vorgehensweise zum effizienten Zusammenbau eines Schaltungsmoduls 10, wie es hier geschildert und dargestellt wurde, ist wie folgt. Bei einem bevorzugten Verfahren zum Zusammenbau einer bevorzugten Modulanordnung 10 wird die Flex-Schaltung 12 eben aufgesetzt, und werden beide Seiten entsprechend Leiterplattenzusammenbauverfahren bevölkert, die auf diesem Gebiet bekannt sind. Die Flex-Schaltung 12 wird dann um das Ende 16A des Substrats 14 geklappt. Dann können Einrichtlöcher 17 zur Ausrichtung der Flex 12 zum Substrat 14 verwendet werden. Die Flex 12 kann an das Substrat 14 anlaminiert oder auf andere Art und Weise befestigt werden. Weiterhin können obere Oberflächen 18T von ICs 18 an dem Substrat 14 auf eine Weise angebracht werden, die dazu gedacht ist, mechanischen Zusammenhalt oder Wärmeleitung bereitzustellen.
  • 4 ist eine vergrößerte Ansicht des Bereichs um ein Ende 16A eines beispielhaften Moduls 10 herum. Der Rand 16A des Substrats 14 ist vorzugsweise abgerundet, zum Einführen in einen Plattenstiftsockel. Während eine spezielle, abgerundete Ausbildung gezeigt ist, kann der Rand 16A auch andere Formen einnehmen, die dazu gedacht sind, zu verschiedenen Verbindern oder Sockeln zu passen. Die Form und die Funktion verschiedener Stiftsockel sind auf diesem Gebiet wohlbekannt. Die Dicke des dargestellten Klebers 30 und der Flex 12 kann variieren, und diese Teile sind nicht maßstabsgerecht dargestellt, um die Zeichnung zu vereinfachen. Nach dem Zusammenbau mit der Flex 12 und dem Kleber 30 liegt die Dicke, die zwischen Modulkontakten 20 gemessen wird, in dem Bereich, der für den passenden Verbinder festgelegt ist.
  • 5 zeigt eine Aufsicht der Modulanordnung 10, die gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgelegt ist. Fachleute werden erkennen, dass die Modulanordnung 10 herkömmliche DIMMs ersetzen kann, die in vielen verschiedenen Systemen eingesetzt werden. Bei der Modulanordnung 10 ist die Flex-Schaltung 12 um einen Rand 16A des Substrats 14 herum geschlungen. ICs 18 sind an der Flex-Schaltung 12 entlang der dargestellten Seite angebracht, wie dies unter Bezugnahme auf frühere Figuren geschildert wurde. Modulkontakte 20 sind in der Nähe des Randes 22 der Modulanordnung 10 vorgesehen, zum Anschluss an einen Plattenstiftsockel oder Sockel. Die optionale Erweiterung 16T ist in 5 entlang dem oberen Teil des dargestellten Moduls 10 dargestellt.
  • 6 zeigt ein System 5, das zwei Module 10 einsetzt, und erläutert den Einsatz mehrerer Module 10 in einem System 5 gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Die Module 10 sind so dargestellt, dass sie in Plattenstiftsockel 31 eingeführt sind, die jeweils auf der Leiterplatte 33 angeordnet sind. Das System 5 kann daher so konfiguriert sein, dass es eine Speichererweiterung zur Verfügung stellt, mit Merkmalen, welche dazu gedacht sind, die Wärmebelastung der Module 10 zu minimieren.
  • 7 zeigt eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei welcher das Substrat 14 Flex-Halterungen 14FS aufweist, um die Flex-Schaltung 12 bei ihrem Übergang auf die IC-Anschlussflächen zu haltern. Das obere Ende 16B des Substrats 14 befindet sich auf dem dargestellten Modul von 7, das keine Erweiterungen 16T aufweist.
  • 8 zeigt eine weitere Ausführungsform, die einen Clip aufweist. Bei dieser Ausführungsform ist der Clip 82 um ICs 18 herum geclipt dargestellt. Der Clip 82 besteht vorzugsweise aus einem Metall oder einem anderen wärmeleitfähigen Material. Vorzugsweise weist der Clip 82 einen Trog 84 auf, der dazu ausgebildet ist, zu einem Ende des Substrats 14 zu passen. Die Befestigung kann darüber hinaus durch einen Kleber zwischen dem Clip 82 und dem Substrat 14 oder den ICs 18 erreicht werden.
  • 9 zeigt eine andere Ausführungsform, die einen verdünnten Abschnitt des Substrats 14 aufweist. Bei dieser Ausführungsform weist das Substrat 14 eine erste Decke 1 zu einem ersten Rand 16 hin auf, die dazu gedacht ist, Halterung für einen Rand und den umgebenden Bereich der Modulanordnung 10 bereitzustellen, wie dies zum Anschluss an einen Stiftsockel oder einen anderen Verbinder erforderlich sein kann. Oberhalb des Abschnitts des Substrats 14 mit der Dicke 1 befindet sich ein Abschnitt 92 mit einer Dicke 2. Die geringere Breite des Abschnitts 92 soll dazu dienen, die gesamte Breite der Modulanordnung 10 zu verringern, und kann für einen erhöhten Kühlluftfluss sorgen, oder einen engeren Abstand von Modulanordnungen 10 in ihrer Einsatzumgebung.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht einer anderen bevorzugten Ausführungsform. Die Darstellung ist eine Ansicht von oberhalb eines Moduls 10, wenn man nach unten blickt. Das Substrat 14 ist selektiv am Abschnitt 102 unter dem Bauelement 19 ausgedünnt. Das dargestellte Bauelement 19 weist ei nen freiliegenden Chip 19D auf, der auf einem Substrat angebracht ist. Andere Ausführungsformen können mit anderen Gehäusen versehene, oder anders angebrachte integrierte Schaltungen oder andere Bauelemente mit Höhen aufweisen, die größer sind als bei dem typischen IC 18. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist das Bauelement 19 höher oder dicker als die anderen ICs 18, welche die Flex 12 bevölkern. Der verdünnte Abschnitt 102 des Substrats 14 unterhalb des Bauelements 19 gleicht die zusätzliche Höhe aus, so dass die Flex 12 eben bleibt, und die obere Oberfläche des Bauelements 19 in Wärmekontakt mit dem Substrat 14 steht. Das Substrat 14 kann für diese oder andere, ähnliche Ausführungsformen durch verschiedene Verfahren hergestellt werden, beispielsweise durch Fräsen mit einer CNC-Maschine (numerisch Computergesteuerten Maschine), oder extrudiert werden. Diese und ähnliche Ausführungsformen können vorteilhaft beispielsweise dazu eingesetzt werden, vorteilhafte Wärmeeigenschaften zur Verfügung zu stellen, wenn das Bauelement 19 ein fortgeschrittener Speicherpuffer (AMB) für FB-DIMM ist. Das Bauelement 19 ist vorzugsweise an dem Substrat 14 durch einen wärmeleitfähigen Kleber angebracht.
  • 11 zeigt eine andere Ausführungsform der Erfindung, welche zusätzliche Schichten aus ICs 18 aufweist. Die Flex-Schaltung 12 kann bei dieser Ausbildung beispielsweise mit einer aufgeteilten Flex versehen sein, mit Schichten, die über Durchgangsverbindungen am Abschnitt 24 der Flex 12 verbunden sind. Weiterhin können zwei Flex-Schaltungen verwendet werden, und beispielsweise durch Kontakte von Anschlussfläche zu Anschlussfläche verbunden werden, oder durch Kontakte zwischen Flex-Schaltungen.
  • 12 zeigt eine andere Ausführungsform, welche Flex-Abschnitte hat, die um entgegen gesetzte Ränder eines Substrats 14 herum geschlungen sind. Die Flex-Schaltung 12 weist einen Verbindungsabschnitt 12C auf, der um die Erweiterung 16D des Substrats 14 herum geschlungen ist. Bei einer bevorzugten Vorgehensweise zum Zusammenbau dieser Ausführungsform werden die dargestellten ICs 18 zuerst an der Flex-Schaltung 12 angebracht. Der Flex-Abschnitt 26, der dem IC 18A zugeordnet ist, wird dann an einem Ort relativ zum Substrat angeordnet. Die Flex-Schaltung 12 wird dann um den Rand 16A des Substrats 14 ein erstes Mal herum geschlungen. Geeignete Klebe-Laminierverfahren oder andere Verfahren werden dazu eingesetzt, die Flex 12 und die ICs 18A und 18B am Substrat 14 anzubringen. Der Verbindungsabschnitt 12C der Flex-Schaltung 12 wird um die Erweiterung 16T herum geschlungen. Ein Kleber kann dazu eingesetzt werden, Verbindungen Rückseite an Rückseite zwischen den dargestellten ICs 18 herzustellen. Laminier- oder andere Klebe- oder Verbindungsverfahren können dazu verwendet werden, die beiden Schichten der Flex 12 aneinander an Flex-Abschnitten 24 zu befestigen. Weiterhin können die beiden Schichten der Flex-Schaltungen 12, die um den Rand 16A herum geschlungen sind, gegenseitig durch Kontakte von Anschlussfläche zu Anschlussfläche oder Kontakte zwischen Flex-Schaltungen verbunden werden. Die Flex 12 wird erneut um den Rand 16A herum geschlungen, wodurch IC 18C in seine Position gebracht wird. Der IC 18D ist Rückseite an Rückseite mit IC 18E angebracht und dort befestigt.
  • 13 zeigt eine andere Ausführungsform, die einen Flex-Abschnitt aufweist, der um entgegen gesetzte Ränder eines Substrats 14 herum geschlungen ist. Bei der Flex-Schaltung 12 ist der Verbindungsabschnitt 12C um die Erweiterung 16T des Substrats 14 herum geschlungen. Der Verbindungsabschnitt 12C weist vorzugsweise mehr als eine leitfähige Schicht auf, und kann drei, vier oder mehr leitfähige Schichten aufweisen. Derartige Schichten können dazu nützlich sein, Signale für derartige Anwendungen, wie beispielsweise einen FB-DIMM zu führen, der weniger DIMM-Eingangs-/Ausgangs-Signale als ein registrierter DIMM aufweist, jedoch mehr Verbindungsbahnen aufweist, die zwischen Bauelementen auf dem DIMM benötigt werden, beispielsweise für die Signale C/A Copy A und C/A Copy B (Befehl/Adresse), die von einem FB-DIMM AMB erzeugt werden. Zwar sind zwei Gruppen von Modulkontakten 20 gezeigt, jedoch können andere Ausführungsformen nur eine Gruppe aufweisen.
  • 14 zeigt eine Querschnittsansicht einer anderen, alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Flex-Schaltung 12 weist Kontakte 20 proximal zu entgegen gesetzten Rändern 192 der Flex-Schaltung 12 auf. Der Verbindungsabschnitt 12C der Flex-Schaltung 12 ist um die Erweiterung 16T des Substrats 14 herum geschlungen. Bei einer bevorzugten Vorgehensweise zum Zusammenbau dieser Ausführungsform werden die dargestellten ICs 18 zuerst an der Flex-Schaltung 12 angebracht. Die Flex-Schaltung 12 wird um die Erweiterung 16T des Substrats 14 herum geschlungen, und vorzugsweise zum Substrat 14 durch Einrichtlöcher ausgerichtet. Der Abschnitt 24 der Flex-Schaltung 12 wird vorzugsweise an das Substrat 14 anlaminiert.
  • 15 zeigt eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei welcher ICs 18 nur entlang einer Seite der Flex-Schaltung 12 vorgesehen sind.
  • 16 zeigt eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die dort CSPs aufweist, was zur inneren Seite der Flex-Schaltung 12 wird, und daher zwischen der Flex-Schaltung und dem Substrat 14 angeordnet wird.
  • 17 zeigt eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei welcher die Flex-Schaltung ein Ende 16B des Substrats 14 entgegengesetzt zu Kontakten 20 überquert.
  • 18 zeigt eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche mehrere Erweiterungen 16T und ein verdünntes Substrat 14 mit Vertiefungen 92 zeigt.
  • Die 19 und 20 zeigen eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die einen Verbinder 200 dazu einsetzt, selektive gegenseitige Verbindungen zwischen Abschnitten 202A und 202B der Flex-Schaltung 12 zur Verfügung zu stellen, welche der Querseite S1 bzw. S2 des Substrats 14 zugeordnet sind. Der dargestellte Verbinder 200 weist Teile 200B und 200A auf, die gegenseitig im Hohlraum 204 des Substrats 14 verbunden sind. Ein Beispiel für den Verbinder 200 ist ein Molex-Verbinder des Typs 500024/50027, jedoch können viele verschiedene Verbinder bei Ausführungsformen der Erfindung verwendet werden. Der dargestellte Verbinder 200 ist im Substrathohlraum 204 angeordnet, und weist typischerweise ein erstes Teil 200A und ein zweites Teil 200B auf, welche dem Abschnitt 202A bzw. 202B der Flex-Schaltung 12 entsprechen.
  • 21 zeigt ein Beispiel für eine Kontakte tragende, erste Seite einer Flex-Schaltung, die gemäß einer alternativen, bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entwickelt wurde. Wie Fachleute erkennen werden, ist die Darstellung von 21 vereinfacht, um die Grundlagen der Erfindung deutlicher darzustellen. Eine Ausführungsform mit mehr ICs 18 wurde früher gezeigt.
  • 22 zeigt die Seite 9 der Flex-Schaltung 12 von 21.
  • 23 zeigt ein Beispiel für ein Substrat, das so ausgebildet ist, dass es bei dem Beispiel für die Flex-Schaltung eingesetzt werden kann, das in den 21 und 22 gezeigt ist. Die Flex-Schaltung 12 wird um das Substrat 14, das in 23 gezeigt ist, herum gefaltet, um ICs 18 entlang der Seite 9 der Flex-Schaltung 12 in den Fenstern 250 anzuordnen, die sich als Array entlang dem Substrat 14 erstrecken. Dies führt dazu, dass ICs entlang Reihen ICR3 und ICR4 Rückseite an Rückseite in Fenstern 250 angeordnet sind. Vorzugsweise wird ein wärmeleitfähiger Kleber auf den Oberseiten 18T der ICs 18 dazu verwendet, einen Wärmeenergiefluss zu fördern, sowie einige mechanische Vorteile zur Verfügung zu stellen. Dies stellt nur eine Relativanordnung zwischen ICs 18 auf jeweiligen Seiten des Substrats 14 dar.
  • 24 zeigt eine Ansicht entlang der Linie A-A von 23, wobei die Flex-Schaltung 12 mit dem Substrat 14 vereinigt ist. ICs 18, die sich auf der zweiten Seite 9 befinden (welche bei dieser Darstellung die Innenseite in Bezug auf das Modul 10 ist), der bevölkerten Flex-Schaltung 12, sind in Fenstern 250 angeordnet, so dass die oberen Oberflächen 18T der ICs 18 der Reihe ICR3 in enger Nähe zu den oberen Oberflächen 18T der ICs 18 der Reihe ICR4 angeordnet sind. Die erste und zweite Gruppe von ICs (CSPs bei dieser Darstellung) sind daher in den weg geschnittenen Bereichen der ersten bzw. zweiten Querseite angeordnet, des Substrats 14. In diesem Fall befinden sich die weg geschnittenen Bereiche auf jeder Querseite des Substrats 14 in räumlicher Übereinstimmung, zur Erzeugung von Fenstern 250. Fachleute werden erkennen, dass die Darstellung nicht maßstabsgerecht ist, sondern repräsen tativ für die gegenseitigen Beziehungen zwischen den Elementen ist, und dass die Anordnung zu einem Profil "P" für das Modul 10 führt, das signifikant kleiner ist als es wäre, wenn nicht die ICs 18 entlang der Innenseite 9 der Flex-Schaltung 12 in Fenster 250 eingepasst wären. Das Profil P in diesem Fall ist annähernd die Summe der Entfernungen zwischen der oberen und unteren Oberfläche des IC 18, plus 4× der Durchmesser der BGA-Kontakte 63, plus 2× der Durchmesser der Flex-Schaltung 12, zusätzlich zu irgendwelchen Klebeschichten 30, die zur Befestigung eines IC 18 an einem anderen verwendet werden. Diese Profilabmessungen ändern sich in Abhängigkeit davon, ob BGA-Kontakte 63 unterhalb der Oberfläche der Flex-Schaltung 12 angeordnet sind oder nicht, um eine geeignete leitfähige Schicht zu erreichen, oder Kontakte, die typischerweise einen Teil der Flex-Schaltung 12 bilden.
  • 25 ist eine andere Darstellung der Beziehung zwischen der Flex-Schaltung und einem Substrat 14, das mit einem Muster mit weg geschnittenen Bereichen versehen wurde. Die Ansicht von 25 erfolgt in einer Linie, welche die Körper von ICs 18 schneiden würde. In 25 sind, wie Fachleute erkennen werden, ICs 18, die eine Reihe oder Gruppe ICR3 bilden, relativ zu jenen versetzt angeordnet, die eine Reihe oder Gruppe ICR4 der zweiten Seite 9 der Flex-Schaltung bilden, wenn das Modul 10 zusammengebaut ist, und die Flex-Schaltung 12 mit dem Substrat 14 vereinigt ist. Diese Versetzung kann zu einigen konstruktiven Vorteilen führen, wobei eine mechanische "Stufe" für ICs 18 zur Verfügung gestellt wird, wenn sie in das Substrat 14 eingepasst werden, und kann weiterhin einige thermische Vorteile zur Verfügung stellen, durch Erhöhung der Kontaktfläche zwischen dem Substrat 14 und den mehreren ICs 18.
  • 26 zeigt ein Beispiel für das Substrat 14, das in 25 eingesetzt wird, bevor es mit der bevölkerten Flex-Schaltung 12 vereinigt wird, gesehen entlang einer Linie durch Fenster 250 des Substrats 14. Wie in 26 gezeigt, ist eine Anzahl an weg geschnittenen Bereichen oder Taschen durch gestrichelte Linien abgegrenzt, und mit Bezugszeichen 250B3 bzw. 250B4 bezeichnet. Die als 250B3 bezeichneten Bereiche entsprechen beim vorliegenden Beispiel den Taschen, Orten oder weg geschnittenen Bereichen auf einer Seite des Substrats 14, in welchen ICs 18 von ICR3 der Flex-Schaltung 12 angeordnet werden, wenn das Substrat 14 und die Flex-Schaltung 12 vereinigt werden. Jene Taschen, Orte oder weg geschnittene Bereiche, die mit dem Bezugszeichen 250B4 bezeichnet sind, entsprechen den Orten, an welchen ICs 18 von ICR4 angeordnet werden. Bei alternativen Ausführungsformen kann mehr als eine Reihe von ICs 18 auf einer einzigen Seite des Substrats 14 angeordnet sein.
  • Im vorliegenden Zusammenhang kann der Begriff Fenster eine Öffnung bezeichnen, die sich den gesamten Weg durch das Substrat 14 erstreckt, über die Entfernung "S", welche der Abmessung in Richtung der Breite oder der Höhe des mit einem Gehäuse versehenen ICs 18 entspricht, oder kann auch jene Öffnung bezeichnen, an welcher sich weg geschnittene Bereiche auf jeder der beiden Seiten des Substrats 14 überlappen.
  • 27 zeigt eine Ansicht des Substrats 14, das bereits in 26 dargestellt wurde. Dort, wo sich weg geschnittene Bereiche 250B3 und 250B4 überlappen, befinden sich, wie dargestellt, Fenster über den gesamten Weg durch das Substrat 14. Bei einigen Ausführungsformen kann es sein, dass sich die weg geschnittenen Bereiche 250B3 und 250B4 nicht überlappen, oder es können bei anderen Ausführungsformen Taschen oder weg ge schnittene Bereiche nur auf einer Seite des Substrats 14 vorhanden sein. Fachleute werden erkennen, dass weg geschnittene Bereiche, beispielsweise jene, die mit dem Bezugszeichen 250B3 und 250B4 bezeichnet sind (ebenso wie Fenster im Substrat 14), auf verschiedene Arten und Weisen ausgebildet sein können, abhängig von dem Material des Substrats 14, und nicht im wörtlichen Sinne "schneidend" entfernt werden müssen, sondern durch verschiedene Formgebungs-, Fräs- und Schneidvorgänge hergestellt werden können, wie dies Fachleute auf diesem Gebiet wissen.
  • 28 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts einer bevorzugten Ausführungsform, welche einen unteren IC 181 und einen oberen IC 182 zeigt. Bei dieser Ausführungsform enthält die leitfähige Schicht 66 der Flex-Schaltung 12 Leiterbahnen, welche Modulkontakte 20 mit BGA-Kontakten 63 auf den ICs 181 und 182 verwenden. Wo erforderlich, kann die Anzahl an Schichten so gewählt sein, dass der Biegeradius erzielt wird, der bei diesen Ausführungsformen erforderlich ist, bei welchen die Flex-Schaltung 12 um den Rand 16A oder 16B herum gebogen wird, zum Beispiel, obwohl die Inhaberin der Erfindung festgestellt hat, dass eine Flex-Schaltung für leitfähige Schichten je nach Erfordernis um geeignet geformte Enden des Substrats 14 herum gebogen werden kann. Wie dies nachstehend erläutert wird, unterstützen Löcher oder Durchgangsverbindungen an geeigneten Orten der Flex 12 die Erzeugung winkeltreuer Biegungen in der Flex 12 dort, wo dies erforderlich ist. Die Anzahl an Schichten in jedem bestimmten Abschnitt der Flex-Schaltung 12 kann ebenfalls so gewählt werden, dass die erforderliche Verbindungsdichte erreicht wird, wenn eine bestimmte, minimale Bahnbreite vorgegeben ist, die der eingesetzten Flex-Schaltungs-Technologie zugeordnet ist. Einige Flex-Schaltung 12 können drei oder vier, oder mehr leitfähige Schichten aufweisen. Derartige Schichten können dazu vorteilhaft sein, Signale bei derartigen Anwendungen, wie beispielsweise einem FB-DIMM zu führen, bei welchem weniger DIMM-Eingangs-/Ausgangs-Signale vorhanden sein können als bei einem registrierten DIMM, aber mehr Verbindungsbahnen zwischen Bauelementen auf dem DIMM vorhanden sein können.
  • Beider vorliegenden Ausführungsform gibt es drei Schichten der Flex-Schaltung 12 zwischen den beiden dargestellten ICs 181 und 182 . Leitfähige Schichten 64 und 66 bilden Leiterbahnen, welche den Anschluss zu den ICs herstellen, und auch Anschlüsse zu anderen diskreten Bauteilen herstellen können. Vorzugsweise bestehen die leitfähigen Schichten aus Metall, beispielsweise aus Kupfer oder einer Legierung 110. Durchgangsverbindungen, etwa die beispielhaften Durchgangsverbindungen 23, verbinden die beiden leitfähigen Schichten 64 und 66, und ermöglichen daher eine Verbindung zwischen der leitfähigen Schicht 64 und Modulkontakten 20. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform, die einen Abschnitt mit drei Schichten der Flex-Schaltung 12 aufweist, können die zwei leitfähigen Schichten 64 und 66 so ausgelegt sein, dass eine von ihnen eine beträchtliche Fläche aufweist, die als eine Masseebene eingesetzt wird. Die andere Schicht kann eine beträchtliche Fläche als eine Bezugsspannungsebene einsetzen. Die Verwendung mehrerer leitfähiger Schichten stellt Vorteile zur Verfügung, und die Erzeugung einer verteilten Kapazität, die dazu gedacht ist, Rauschen oder Spannungssprungeffekte zu verringern, die insbesondere bei höheren Frequenzen die Signalintegrität beeinträchtigen können, wie das Fachleute erkennen werden. Wenn mehr als zwei leitfähige Schichten eingesetzt werden, können zusätzliche leitfähige Schichten hinzugefügt werden, wobei isolierende Schichten leitfähige Schichten trennen.
  • 29 zeigt eine Explosionsdarstellung einer Flex-Schaltung 12 im Querschnitt, gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die dargestellte Flex-Schaltung 12 weist vier leitfähige Schichten 701-704 und sieben isolierende Schichten 705-711 auf. Die voranstehend angegebene Anzahl an Schichten betrifft nur jene, die bei einer bevorzugten Ausführungsform eingesetzt werden, und es können andere Anzahlen an Schichten und Anordnungen von Schichten verwendet werden. Selbst eine einzige leitfähige Schicht kann bei der Flex-Schaltung 12 bei einigen Ausführungsformen eingesetzt werden, jedoch hat sich von Flex-Schaltung mit mehr als einer leitfähigen Schicht herausgestellt, dass sie sich besser an kompliziertere Ausführungsformen der Erfindung anpassen lassen.
  • Die obere leitfähige Schicht 701 und die anderen leitfähigen Schichten bestehen vorzugsweise aus einem leitfähigen Metall, beispielsweise Kupfer oder einer Legierung 110. Bei dieser Anordnung bilden die leitfähigen Schichten 701, 702 und 704 Signalbahnen 712, die verschiedene Verbindungen zum Einsatz bei der Flex-Schaltung 12 bilden. Diese Schichten können auch leitfähige Ebenen für Masse, Stromversorgung oder Bezugsspannungen bilden.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform bildet die innere leitfähige Schicht 702 Bahnen, die Verbindungen mit und zwischen verschiedenen Bauelementen bilden, die auf den sekundären Substraten 21 angebracht sind. Die Funktion irgendeiner der dargestellten leitfähigen Schichten kann durch die Funktion anderer leitfähiger Schichten ausgetauscht werden. Die innere leitfähige Schicht 703 bildet eine Masseebene, die aufgeteilt sein kann, um eine VDD-Rückkehr für Vorregister-Adresssignale bereitzustellen. Die innere leitfähige Schicht 703 kann weiterhin andere Ebenen und Bahnen bilden. Bei der vorliegenden Ausführungsform stellen Vertiefungen oder Ebenen der unteren leitfähigen Schicht 704 VREF und Masse zur Verfügung, zusätzlich zu den dargestellten Bahnen.
  • Die isolierenden Schichten 705 und 711 sind bei der vorliegenden Ausführungsform dielektrische Lötmaskierungsschichten, die beispielsweise auf den benachbarten leitfähigen Schichten abgelagert sein können. Bei anderen Ausführungsformen kann es sein, dass derartige haftende, dielektrische Schichten nicht vorgesehen sind. Die isolierenden Schichten 706, 708 und 710 sind vorzugsweise flexible, dielektrische Substratschichten aus Polyimid. Allerdings kann jede geeignete flexible Schaltung bei der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden, und soll die Darstellung von 29 so verstanden sein, dass sie nur ein Beispiel für eine der komplizierteren, flexiblen Schaltungsanordnungen ist, die als Flex-Schaltung 12 eingesetzt werden können.
  • 30 zeigt eine alternative, bevorzugte Ausführungsform eines Moduls 10 gemäß der Erfindung, das sich von der vorher in 3 gezeigten Ausführungsform dahingehend unterscheidet, dass anstelle der einzelnen Flex-Schaltung 12, die bei der in 3 gezeigten Ausführungsform eingesetzt wird, die Ausführungsform von 30 zwei Flex-Schaltungen verwendet, die mit 12A und 12B bezeichnet sind. Jede der Flex-Schaltungen 12A und 12B ist mit ICs 18 auf einer oder beiden Seiten 8 und 9 bevölkert. Eine der Flex-Schaltung 12A und 12B, oder auch beide, kann bzw. können benachbarte Schaltungen 19 einsetzen, beispielsweise Puffer, Sensoren oder Register, AMBs, und PLLs zum Beispiel, auf jeder ihrer jeweiligen Seiten. Fachleute werden erkennen, dass gemäß den Grundlagen der Er findung ausgelegte Module mit verschiedenen ICs bevölkert werden können, beispielsweise, jedoch nicht hieraus beschränkt, mit Speicherbauelementen, ASICs, Mikroprozessoren, video-spezifischen Mikroprozessoren, RF-Bauelementen, anderen Logikbauelementen, und FPGAs. Wie Fachleute erkennen werden, können verschiedene Ausführungsformen dazu ausgelegt sein, verschiedene elektrisch oder topologisch identifizierte Module zu implementieren, einschließlich, jedoch nicht hierauf beschränkt, registrierte DIMMs, unregistrierte DIMMs, SO-DIMMs, SIMMs, Videomodule, FB-DIMMs mit AMBs, PCMCIA-Modulen und -Karten, und anderen Module. Einige der relevanten Anwendungen für Module, die gemäß der Erfindung ausgelegt sind, umfassen Server, Desktop-Computer, Videokameras, Fernseher und persönliche Kommunikationsgeräte.
  • Daher werden Fachleute erkennen, dass die vorliegende Erfindung dazu angepasst werden kann, Iterationen verschiedener Module zur Verfügung zu stellen, um ein verbessertes thermisches Verhalten zur Verfügung zu stellen, und dort, wo eine bequeme Herstellung oder die Minimierung des Profils einen hohen Wert darstellen. Wenn eine Videokarte oder ein anderes spezialisiertes Modul, die einen Mikroprozessor oder Berechnungslogik enthalten, gemäß der vorliegenden Erfindung ausgelegt wird, können eine oder mehrere der dargestellten Schaltungen 19 als Mikroprozessor angesehen werden.
  • Bei der in 30 gezeigten Ausführungsform weist jede der Flex-Schaltung 12A und 12B Modulkontakte 20 auf, die so angeordnet sind, dass sie in einen Stiftsockel oder Sockel 31 passen, und Verbindungen zu entsprechenden Kontakten in dem Sockel herstellen. Der Stiftsockel oder Sockel 31 ist, wie dies Fachleute erkennen werden, typischerweise ein Teil eines Computers 33.
  • 31 zeigt ein herkömmliches DIMM-Modul 11, das mit ICs 18B in einer Strategie bevölkert ist, die von Fachleuten auf diesem Gebiet manchmal als "Planare" bezeichnet wird. Die nachfolgenden Tabellen geben einen Vergleich zwischen einem beispielhaften Modul 11, beispielsweise wie in 31 gezeigt, und einem beispielhaften Modul 10 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung an, das entsprechend 3 ausgelegt ist. Wie aus den Tabellen hervorgeht, gibt es wesentlich geringere thermische Variationen von einem IC zu einem anderen IC im Modul 10 (3), als dies bei einem Modul unter gleichen Bedingungen der Fall ist, wie es in 31 gezeigt ist. Die folgenden Daten wurden von der Staktek Group L.P. ermittelt, der Inhaberin der vorliegenden Erfindung, unter Verwendung von Modellierverfahren, die Fachleuten auf diesem Gebiet bekannt sind.
  • Die folgenden Tabellen sollten unter Bezugnahme auf 32 interpretiert werden. 32 zeigt schematisch eine Ausführungsform eines Moduls 10, bei welcher die Positionen der mehreren ICs eines beispielhaften Moduls 10 angegeben sind, um das Verständnis der folgenden Tabelle dieser Beschreibung zu unterstützen. So ist beispielsweise der IC 18, der durch spezielle Bezugnahme in 32 angegeben ist, an dem Ort 4 (Bezugszeichen "St4") der äußeren Seite (Bezugszeichen "0") der Seite 1 des Moduls angeordnet. Ein Luftfluss 40 ist in 32 angegeben, und wird quantitativ in den nachfolgenden Tabellen angegeben. Positionen oder Orte, die in 32 angegeben sind, identifizieren auch entsprechende Orte in dem Modul 11, das in den nachstehenden Tabellen bewertet wird, identifiziert durch das Suffix "B". Die Tabellen sind so geordnet, dass ein einfacher Vergleich zwischen einem beispielhaften Modul 11 (wie in 31 gezeigt) und einem beispiel haften Modul 10 (wie in 3 gezeigt) ermöglicht wird, unter den gleichen Modellbedingungen. Tabelle 1A betrifft Daten von einem Modell eines beispielhaften Moduls 10 (dargestellt in 3), während Tabelle 1B Daten betrifft, die von einem Modell für das beispielhafte Modul 11 abgeleitet sind, wie es in 31 dargestellt ist. Wie aus den nachstehenden Datentabellen hervorgeht, führen die Modelle zu einer Vorhersage von überraschenden und wesentlichen Unterschieden in Bezug auf die Gesamttemperatur und Temperaturänderungen von IC zu IC, zwischen einem Modell für ein Modul 10, das gemäß 3 ausgelegt ist (mit einer thermischen Erweiterung auf dem Substrat) mit CSPs 18, und einem Modell für ein Modul 11, das gemäß 31 ausgelegt ist, mit ICs 18B gemäß der allgemein bekannten planaren Strategie. Fachleute werden erkennen, dass die vorhergesagte Verbesserung der Wärmebedingungen, einschließlich verringerter Temperaturvariationen von IC zu IC bei dem beispielhaften und untersuchten Modul 10, im Vergleich zur Vorhersage für das beispielhafte Modul 11, zu verringerten, durch Wärmeeinwirkung hervorgerufenen Skew-Variationen führen sollten, die vorteilhafte Auswirkungen auf die Taktleistung und Taktfenstertoleranzen für Module haben sollten, die gemäß 3 mit einem wärmeleitfähigen Substrat 14 ausgelegt sind. Modelle, die keine thermische Erweiterung 16T aufweisen, zeigen keine derartig deutliche Verbesserung der thermischen Eigenschaften, sollten jedoch die Dichte und die erwarteten Verbesserungen auf die Lebensdauer zeigen. Von beispielhaften Modulen, beispielsweise jenen, wie sie in den 18, 19 und 30 gezeigt sind, lässt sich jedoch erwarten, dass sie sogar noch weiter verbesserte thermische Leistungseigenschaften zeigen. Fachleute werden erkennen, dass sich derartige Verbesserungen auch unter Verwendung anderer Substrate aus wärmeleitfähigen und metallischen Materialien erwarten lassen, beispielsweise aus Kupfer oder Kupferlegierun gen. Zusätzlich zu Metallmaterialien kann das Substrat 14 auch aus anderen wärmeleitfähigen Materialien hergestellt sein, beispielsweise aus Materialien auf Kohlenstoffgrundlage, oder aus wärmeleitfähigen Kunststoffen.
  • Tabelle 1A betrifft thermische Daten, die aus einer modellierten Ausführungsform abgeleitet wurden, die gemäß einem Modul 10 wie hier beschrieben ausgelegt war. Das beispielhafte Modul 10 war so modelliert, dass es mit mehreren Bauelementen von Micron Technologies DDR2 (11×19) als ICs 18 bevölkert war. Im vorliegenden Fall wurden zwei Module 10 so modelliert, dass sie Seite an Seite arbeiteten, mit einem Modulabstand von 10 mm. Das Substrat 14 bestand aus Aluminium, und zeigte eine Topologie, wie sie beispielhaft in 3 dargestellt ist. In dem Modell bewegte sich der Luftfluss 14 mit 2 m/s bei 35 °C, während eine Gruppe von ICs 18 bei 0,38 Watt pro IC arbeitete, während die andere Gruppe bei 0,05 Watt pro IC arbeitete.
  • Tabelle 1A
  • Zwei Module 10 (3) Seite an Seite, Abstand 10 mm, Aluminiumsubstrat, 0,38 W pro Bauelement in einer Gruppe, 0,05 W pro Bauelement in der anderen Gruppe, Luft auf 35 °C bei 2 m/s
    Figure 00360001
    Minimale DRAM TEMP., °C 69,9
    Minimale DRAM TEMP., °C 48,4
    Bereich, °C 21,5
  • Die Tabelle 1B zeigt Wärmedaten für ein beispielhaftes Modell-Modul 11, das gemäß 31 ausgelegt war, und unter denselben Bedingungen arbeitete wie bei dem Modell von Tabelle 1A.
  • Tabelle 1B
  • Zwei Module 11 (planare DIMM-Konfiguration, 31, Seite an Seite, Abstand 10 mm, 0,38 W pro Bauelement in einer Gruppe, 0,05 W pro Bauelemente in der anderen Gruppe, Luft bei 35 °C und 2m/s
    Figure 00370001
    Minimale DRAM TEMP., °C 73,1
    Minimale DRAM TEMP., °C 50,4
    Bereich, °C 22,7
  • 33 zeigt ein Modul 10 gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist das Modul 10 mit einem Wärmesensor 191 versehen, der entlang der Innenseite 9 der Flex-Schaltung 12 angebracht ist. In der Darstellung von 33 ist zwar die Seite 8 der Flex 12 gezeigt, jedoch ist der Ort des Sensors 191 so dargestellt, dass sein Ort in Bezug auf die Außenansicht des Moduls 10 von 33 verstanden werden kann. Der Wärmesensor 191 ist thermisch mit dem Substrat 14 so gekoppelt, dass Wärmemessungen des Substrats 14 ermöglicht werden. Eine derartige Anordnung wird in vorteilhafter Weise bei Ausführungsformen eingesetzt, die ein Wärme leitendes Substrat 14 aufweisen, beispielsweise ein solches, das aus Kupfer besteht, aus Nickel, Aluminium, Materialien auf Kohlenstoffgrundlage, oder aus einem wärmeleitfähigen Kunststoff. Wenn ICs 18 entlang der Innenseite 9 der Flex-Schaltung 12 ebenfalls thermisch mit dem Substrat 14 gekoppelt sind, neigt die Temperatur des Substrats 14 dazu, sich an jene der ICs 18 anzupassen.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann der Wärmesensor 191 in einem Puffer (beispielsweise einen AMB) oder in ein Register eingebaut sein. So können beispielsweise einige FM-DIMM-Systeme einen oder mehrere AMBs einsetzen, die einen eingebauten Wärmesensor aufweisen. Bei einem derartigen Modul kann einer der AMBs entlang der Innenseite 9 der Flex-Schaltung 12 angebracht sein, und thermisch mit dem Substrat 14 gekoppelt sein. Die Wärmemessung, die bei einem derartigen AMB erfolgt, kann von dem Host-System als exaktere Anzeige der IC-Temperatur des Moduls verwendet werden, als Wärmemessungen, die von AMBs stammen, die entlang der Außenseite 8 angebracht sind.
  • Bei Ausführungsformen, die so ausgelegt sind, dass mehr als ein DIMM auf einem einzigen Modul vorgesehen ist, kann ein Wärmesensor, der entlang der Innenseite 9 der Flex-Schaltung 12 angebracht ist, Messwerte zur Verfügung stellen, die bei einem oder mehreren DIMMs eingesetzt werden können, die entlang der Außenseite 8 angebracht sind. So kann beispielsweise ein Modul vier DIMMs aufweisen, von denen zwei in der Nähe des Substrats 14 angeordnet sind, und zwei entlang einer Außenseite der Flex-Schaltung weg vom Substrat 14 angeordnet sind. Ein derartiges Modul kann zwei Wärmesensoren 191 aufweisen, die thermisch mit dem Substrat 14 gekoppelt sind, einen an jeder Seite. Jeder Wärmesensor kann einen Messwert für die beiden DIMMs an der jeweiligen Seite des Substrats 14 zur Verfügung stellen. Alternativ kann ein Wärmesensor Messwerte für alle vier DIMMs zur Verfügung stellen.
  • 34 zeigt eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Ein Wärmesensor 191 und einer der dargestellten ICs 18 sind thermisch mit dem Substrat 14 über einen Wärme leitenden Kleber 30 gekoppelt. Typischerweise sind andere ICs 18 an der Flex-Schaltung 12 zusätzlich zum Wärmesensor 191 angebracht. Bei der vorliegenden Ausführungsform weisen der IC 18 und der Wärmesensor 191 eine ähnliche Dicke oder Höhe oberhalb der dargestellten Flex-Schaltung 12 auf. Es können andere Ausführungsformen so ausgebildet sein, dass ein Wärmesensor eine Höhe aufweist, die größer oder kleiner ist als jene der ICs 18. Ein derartiger Höhenunterschied kann durch ein Wärme leitendes Abstandsstück ausgeglichen werden, beispielsweise ein Stück aus Kupfer oder einem anderen Metall. Der Höhenunterschied kann auch durch eine Füllung eines Wärme leitenden Klebers ausgeglichen werden, wobei die Füllung so ausgelegt ist, dass sie sowohl die ICs 18 als auch den Wärmesensor 191 in Wärmeverbindung zum Substrat 14 anordnet. Der Pfeil 202 in 34 zeigt den Wärmefluss aus den dargestellten ICs 18 heraus, und in Substrat 14 hinein. Der Pfeil 204 zeigt den Wärmefluss vom Substrat 14 zum Wärmesensor 191. Der Pfeil 205 zeigt einen Fluss von Wärmeenergie von einem IC 181 zu einem IC2. Die Anordnung der ICs 181 und 182 einander entgegengesetzt, und durch die Flex-Schaltung 12 getrennt, fördert den Fluss von Wärmeenergie von dem einen IC des Paars, das aus dem IC 181 und dem IC 182 besteht, der sich im Zustand ON befindet, zu jenem des Paars, der sich im Ruhezustand oder im Zustand OFF befindet.
  • 35 ist eine Vorderansicht einer Innenseite 9 einer Flex-Schaltung 12 gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Wärmesensor 191 ist entlang der Innenseite der Flex-Schaltung 12 angebracht, und dann wird die Flex-Schaltung 12 um den Rand des Substrats 14 herum geschlungen, um die dargestellte Seite in der Nähe des Substrats anzuordnen. Zwar wird bei dieser Ausführungsform nur eine Flex-Schaltung eingesetzt, jedoch können bei anderen Ausführungsformen, beispielsweise so, wie in 30 gezeigt, zwei oder mehr Flex-Schaltungen mit dem Substrat 14 zur Ausbildung eines Moduls vereinigt werden. Bei derartigen Ausführungsformen können ein oder mehrere Wärmesensoren 191 an jeder Flex-Schaltung angebracht sein, oder kann ein Wärmesensor adäquat den Wärmezustand für Schaltungen entlang der beiden Seiten des Substrats 14 messen, durch thermische Kopplung mit dem Substrat 14.
  • 36 ist ein Blockdiagramm, welches Sensorsignale gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Dargestellt ist ein Block 14, der das Substrat 14 repräsentiert. Pfeile 202 und 204 zeigen den Wärmefluss von ICs 2203 zum Substrat 14, sowie vom Substrat 14 zum Wärmesensor 191. Die ICs 2203 sind vorzugsweise Gruppen oder Sätze von ICs, können jedoch auch andere oder einzelne ICs sein. Wie voranstehend erläutert, können die ICs 2203 direkt oder indirekt mit dem Substrat 14 gekoppelt sein. So können beispielsweise die ICs 2203 Oberflächen aufweisen, die thermisch am Substrat 14 anhaften, oder können über flexible Schaltungen und andere ICs gekoppelt sein. Die ICs 2203 oder der Wärmesensor 191 können auch in ausgenommenen Abschnitten des Substrats 14 angeordnet sein.
  • Der Wärmesensor 191 enthält einen Wandler zur Umwandlung eines Temperatursignals in ein elektrisches Signal. Auf diese Weise wird ein Signal zur Verfügung gestellt, das in Beziehung zu einem thermischen Zustand des Moduls steht. Wärmesensorwandler sind auf diesem Gebiet wohlbekannt. Zahlreiche derartige Wandler erzeugen eine analoge Spannung oder einen analogen Strom proportional zur gemessenen Temperatur. Das Analogsignal wird vorzugsweise in ein digitales Wärmesignal 2202 am Ausgang des Wärmesensors 191 umgewandelt. Es können andere Anordnungen eingesetzt werden. So kann beispielsweise das Signal 2202 ein Analogsignal sein, das zur Bearbeitung irgendwo anders im Modul 10 oder in einer Schaltung außerhalb des Moduls 10 umgewandelt wird, oder es kann ein Sensor mit einem digitalen Ausgangssignal eingesetzt werden.
  • Das dargestellte Wärmesignal 2202 ist so dargestellt, dass es an eine Überwachungsschaltung 2204 für vier DIMMs 2203 angeschlossen ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind vier Fälle von DIMM-Schaltungen, beispielsweise FB-DIMM-Schaltungen oder registrierte DIMM-Schaltungen, an der Flex-Schaltung in einem einzigen Modul 10 angebracht. Der dargestellte, einzelne Wärmesensor sorgt für eine Wärmemessung zum Steuern und Überwachen aller vier dargestellter Fälle. Bei anderen Aus führungsformen kann das Signal 2202 stattdessen oder zusätzlich an einen Systemmonitor oder eine andere Steuerschaltung zum Empfang und Verarbeiten von Wärmeüberwachungssignalen angeschlossen sein. Eine derartige Schaltung kann Teil des Moduls 10 sein, oder kann als Teil des Systems vorgesehen sein, in welchem das Modul 10 installiert ist.
  • Fachleute auf diesem Gebiet wissen, nachdem sie die vorliegende Beschreibung gelesen haben, dass mehr als ein Wärmesensor 191 so angeordnet sein kann, um den Wärmezustand der Schaltung in einem Modul 10 zu überwachen. So kann beispielsweise ein Wärmesensor 191 ein Wärmemesssignal 2202 für zwei Gruppen von ICs liefern, von denen jeweils eine thermisch an jeder Seite des Substrats 14 angebracht ist. Eine derartige Ausführungsform kann in vorteilhafter Weise beispielsweise in Systemen eingesetzt werden, bei welchen Variationen der Wärmebedingungen von einem Ort zu einem anderen auftreten, oder von einer IC-Gruppe zu einer anderen. In einem System, welches FB-DIMM-Schaltungen verwendet, weisen DIMMs näher an der Systemspeichersteuerung typischerweise eine höhere Signalisierung über ihre AMBs auf, als dies bei DIMM-Anordnungen weiter weg von der Systemspeichersteuerung der Fall ist. Wenn derartige DIMMs zusammen auf einem Modul 10 vorhanden sind, können Vorteile in Bezug auf die Steuerung vorhanden sein, wenn getrennte Wärmemessungen vorgesehen werden, die jedem DIMM zugeordnet sind, oder Schaltungen entlang jeder Seite des Substrats 14 zugeordnet sind.
  • 37 zeigt eine andere bevorzugte Ausführungsform eines Moduls 10 gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Darstellung von 37 zeigt ein Modul 10 ähnlich jenem, das früher in 3 gezeigt wurde, und das thermisch mit einem Chassis oder einem Kasten 24 über eine Wärmeleitung 22 verbunden ist. Das Chassis oder der Kasten 24 dient als Kühlkörper für Wärmeenergie von dem Modul 10. Die Wärmeleitung 22 nimmt an der Wärmeverbindung zwischen dem Substrat 14 und dem Chassis 24 teil. Die Wärmeleitung 22 kann aus jedem Material bestehen, das einen Fluss von Wärmeenergie zwischen dem Modul 10 und dem Chassis oder dem Kasten 24 ermöglicht. Vorzugsweise besteht die Wärmeleitung 22 aus einem Material, das etwas nachgiebig und bei Druckbelastung elastisch ist. Dies erhöht die Verlässlichkeit des Wärmeweges zwischen dem Modul 10 und dem Chassis 24, wobei gleichzeitig die Möglichkeit beschädigender physikalischer Kräfte auf das Modul 10 verringert wird. Wie dargestellt, befindet sich die Wärmeleitung 22, zumindest teilweise, zwischen dem Substrat 14 und dem Chassisbauteil 24.
  • Bei der Darstellung von 37 ist die Wärmeleitung 22 eine Feder, jedoch kann, wie Fachleute auf diesem Gebiet nach Kenntnis der vorliegenden Beschreibung erkennen werden, die Wärmeleitung 22 jede von verschiedenen wärmeleitfähigen Materialien sein, und muss die Wärmeleitung 22 nicht nachgiebig sein. Bei einigen Ausführungsformen kann das System gemäß der Erfindung sogar einen Kontakt zwischen dem Substrat 14 des Moduls 10 und dem Chassis 24 erzielen, ohne eine Wärmeleitung dazwischen. Fachleute werden allerdings erkennen, dass es vorzuziehen ist, ein nachgiebiges Zwischenelement als Wärmeleitung 22 vorzusehen. Einige Beispiele für geeignete Wärmeleitungsmaterialien umfassen Federn, Dichtungen für elektromagnetische Strahlung, wärmeleitfähige Materialien von der Firma Bergquist, oder von anderen Lieferanten für wärmeleitfähige Materialien.
  • Bei einer bevorzugten Form bestehen das Substrat 14 und seine wahlweise vorgesehene, jedoch bevorzugte Erweiterung 16T des Moduls 10 aus wärmeleitfähigen Materialien, beispielsweise Kupfer, Aluminium, oder aus metallischen Legierungen, oder aus Materialien auf Kohlenstoffgrundlage oder wärmeleitfähigem Kunststoff. Die Verwendung metallischer Materialien beim Substrat 14 bringt zusätzliche Vorteile mit sich, beispielsweise eine erhöhte Festigkeit, sowie Vorteile in Bezug auf das Wärme-Management. Fachleute werden erkennen, dass die Wärmeerweiterung 16T vorzugsweise, jedoch nicht unbedingt, ein durchgehendes Teil zusammen mit dem Substrat 14 ist, und daher in jedem Fall als Teil des Substrats 14 angesehen werden kann. Wie in früheren Querschnittsansichten dargestellt, befinden sich zumindest einige der ICs in direkter thermischer Verbindung mit dem Substrat 14, und können daher Wärmeenergie direkt in das Substrat 14 abgeben. Andere der sich in dem Modul 10 befindenden ICs können Wärmeenergie in die Flex 12 abgeben, welche, wie Fachleute erkennen werden, so konstruiert sein kann, dass sie die Wärmeleitung in das Substrat 14 erhöhen.
  • 38 ist eine Querschnittsansicht eines Systems 5, das gemäß der vorliegenden Erfindung ausgelegt ist. Das dargestellte System 5 weist ein Modul 10 und ein Chassisbauteil 24 auf, in welches Wärmeenergie vom Modul 10 abgezweigt wird, zum Chassisbauteil 24 durch das Substrat 14 des Moduls 10, und, bei der dargestellten Ausführungsform, zur Wärmeleitung 22, die an der Wärmeverbindung zwischen dem Substrat 14 und dem Chassisbauteil oder dem Kasten 24 teilnimmt. Das Chassisbauteil 24 ist typischerweise ein Teil eines Rechnersystems, und kann beispielsweise einfach oder eine Erweiterung eines größeren Chassis oder Kastens eines Computersystems sein, beispielsweise eines Allzweck-PCs. Als anderes Beispiel kann es ein Teil des Chassis oder Kastens eines Servers oder größeren Computers sein, oder kann eine metallische Erweiterung, ein Blech oder eine Stütze sein, verbunden mit einer Chassisanordnung, bei einer kleineren Rechneranwendung, beispielsweise bei einem Notebook-Computer oder einem mobilen Computer, oder einer Rechnerplattform für eine spezielle Anwendung.
  • Die Querschnittsansicht von 38 erstreckt sich durch ICs 18 des Moduls 10, die bei der dargestellten Ausführungsform auf jeder der Seiten S1 und S2 des Substrats 14 des Moduls 10 angeordnet sind. Bei dem dargestellten System 5 ist das Modul 10 so dargestellt, dass es in den Stiftsockel 31 eingeführt ist, der sich auf der Leiterplatte 33 befindet. Der Stiftsockel 31 ist Fachleuten auf diesem Gebiet bekannt, und wird, wie dargestellt, typischerweise auf einer Leiterplatte 33 eingesetzt, beispielsweise einem Motherboard in einem Computer. Wie Fachleute erkennen werden, gibt es einen gewissen inhärenten, jedoch geringen Wärmeenergiefluss zwischen dem Modul 10 und der Leiterplatte 33 über den Stiftsockel 31, jedoch sollten derartige Praktiker auch erkennen, dass ein derartiger Wärmeenergiefluss durch den Stiftsockel 31 nicht die Wärmeverbindung darstellt, mit welcher die vorliegende Anmeldung befasst ist.
  • Das Substrat 14 stellt Kontakt mit der Wärmeleitung 22 über die thermische Erweiterung 16T her. Die Wärmeleitung 22 ist ein dichtungsartiges Material in dieser Darstellung, und ist entlang der Unterseite 24L des Chassisbauteils 24 angeordnet. Das Dichtungsmaterial der speziellen Wärmeleitung 22, die in dieser 38 gezeigt ist, kann beispielsweise ein Dichtungsmaterial für elektromagnetische Strahlung sein.
  • Die obere Oberfläche 18T zumindest einiger der ICs 18 wird in der Darstellung von 38 dazu eingesetzt, die mit ICs bevölkerte Flex-Schaltung 12 an dem Substrat 14 des Moduls 10 anzubringen. Vorzugsweise werden thermische Kleber für eine derartige Anbringung eingesetzt. Das Substrat 14 weist einen ersten Umfangsrand auf, der mit 16A bezeichnet ist, und eine zweite Grenze, die in der Darstellung von 38 als thermische Erweiterung 16T dargestellt ist, und Fachleute auf diesem Gebiet werden erkennen, dass eine thermische Erweiterung 16T in verschiedenen Formen ausgebildet sein kann. Alternativ kann das Substrat 14 nur einen zweiten Rand aufweisen, ohne irgendwelche Erweiterungs- oder Formgebungsmerkmale.
  • Das wärmeleitfähige Material des Substrats 14 fördert das Abziehen von Wärmeenergie von den CSPs des Moduls. Die Flex-Schaltung 12 kann speziell so ausgelegt sein, dass sie als Wärmeausbreitungsvorrichtung oder als Kühlkörper dient, und so zur Wärmeleitung aus den ICs 18 und 19 beiträgt. Bei einer anderen Ausführungsform können vorteilhafte Merkmale aus mehreren Technologien mit dem Einsatz von FR4 kombiniert werden, wobei eine Schicht aus Kupfer an beiden Seiten vorgesehen ist, um ein Substrat 14 zur Verfügung zu stellen, das so ausgelegt ist, dass es die Vorteile der Grundlagen der Erfindung nutzt. Andere Ausführungsformen können in einem Modul 10 herkömmliche Konstruktionsmaterialien, beispielsweise FR4, mit metallischen Materialien in einem Substrat kombinieren, um die Vorteile der vorliegenden Erfindung noch besser zu nutzen, wobei jedoch immer noch herkömmliche Verbindungsstrategien eingesetzt werden.
  • 39 zeigt ein System 5, das eine alternative Ausführungsform eines Moduls 10 mit sekundären Substraten 21A und 21B verwendet. Derartige sekundäre Substrate sind in der Darstel lung mit ICs 18 bevölkert, und können aus PCB-Materialien bestehen, obwohl andere, auf diesem Gebiet bekannte Materialien eingesetzt werden können. So kann beispielsweise das sekundäre Substrat 21 durch den starren Abschnitt einer vereinigten, starren Flex-Anordnung zur Verfügung gestellt werden, die Anbringungsfelder für ICs 18, ICs 19 und andere Schaltungen zur Verfügung stellt, beispielsweise Regier und PLLs, und einen flexiblen Abschnitt, der in das primäre Substrat 14 übergeht, oder sich beispielsweise zum Flex-Stiftsockel 20 erstreckt. Bei der dargestellten Ausführungsform sind die sekundären Substrate 21A und 21B an Verbinder 23 angeschlossen, die mit Kontakten 20 verbunden sind, wie dies Fachleute auf diesem Gebiet wissen, durch Vorgehensweisen wie flexible oder geschichtete Anschlussmittel, oder sogar Abschnitte eines herkömmlichen Leiterplattensubstrats. Das Modul 10 des Systems 5 von 39 steht in Wärmeverbindung mit der Wärmeleitung 22 entlang der Unterseite 24L des Chassisbauteils 24, das als Facherweiterung eines größeren Chassiskörpers 24B dargestellt ist.
  • 40 zeigt eine Ausführungsform des Systems 5, welche zwei Module 10 verwendet, um die Verwendung mehrerer Module 10 in einem System 5 gemäß der Erfindung zu erläutern.
  • Beim System 5 sind die Wärmeerweiterungen 16T der Module 10 in Wärmeverbindung mit der Wärmeleitung 22 entlang der Unterseite 24L eines Chassisbauteils, welches eine Erweiterung eines größeren Chassiskörpers sein kann. Die Wärmeleitung 22 kann, in bevorzugten Modulen, ein Material für eine Dichtung gegen elektromagnetische Strahlung sein, zum Beispiel, oder es können alternativ die Module 10 in direktem Kontakt mit einem Teil eines Chassis stehen, in welchem die Module eingesetzt werden.
  • 41 zeigt eine andere Ausführungsform des Systems 5, die ein Modul 10 aufweist, welches weniger ICs 18 einsetzt. Bei dem dargestellten Modul 10 ist das Substrat 14 aus FR4 hergestellt, weist jedoch einen Kupferkern auf, und ist mit Kupferschichten 26 und einem Kern 28 versehen, der mit der Wärmeerweiterung 16T zusammenarbeitet, um Wärmeenergie an das Chassis oder den Kasten 24 abzuleiten. Eine derartige Darstellung ist deswegen vorgesehen, um Fachleuten auf diesem Gebiet das Verständnis in der Hinsicht zu erleichtern, dass viele verschiedene Konstruktionskombinationen für Module die Grundlagen der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Art und Weise einsetzen können.
  • 42 zeigt eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform eines Wärme-Managementsystems 5, das ein Modul 10 einsetzt, das in einen Karten-Stiftsockel eingeführt ist. Das Modul 10 verwendet einen IC 19, und weist eine Verformung, Kontur oder Erhöhung 15 auf, die einen Raum 15S erzeugt, welcher den IC 19 aufnimmt, der in der dargestellten Ausführungsform des Moduls 10 ein Bauelement mit höherem Profil sein kann, beispielsweise ein Puffer wie etwa ein AMB, in einem FB-DIMM oder einer Graphics-Engine in einem Grafikmodul. Das Substrat 14 muss keine gleichmäßige Dicke aufweisen, und es wurden Beispiele für Substrate gezeigt, deren Dicken sich entlang dem Verlauf des Substrats ändern. Das Substrat 14 des Moduls 10 von 42 steht in Kontakt mit der Wärmeleitung 22 über die Wärmeerweiterung 16T, und die Wärmeleitung 22 ist in Kontakt mit dem Chassis oder dem Kastenbauteil 24 dargestellt.
  • Die hohe Kapazität, die durch einige Ausführungsformen zur Verfügung gestellt wird, kann dazu eingesetzt werden, mehrere DIMM-Schaltungen auf einem einzigen Modul vorzusehen. So können beispielsweise die Baubestandteile, welche ICs 18 und mehrere Schaltungen 19 aufweisen, die als AMBs dargestellt sind, kombiniert werden, um doppelte, vollständig gepufferte DIMMs auf einem einzigen Modul 10 zu erzeugen.
  • 43 zeigt eine Aufsicht auf ein Modul, das so ausgelegt ist, dass mehr als eine FB-DIMM-Schaltung auf einem einzigen Modul 10 vorgesehen ist. Die Schaltung 19 ist als ein AMB dargestellt. Fachleute wissen, dass sich Module 10, die als einziges FB-DIMM konfiguriert sind, einfach unter Verwendung der Grundlagen der Erfindung konstruieren lassen.
  • 44 zeigt eine Seite 8 einer Flex-Schaltung 12, dass sie ein erstes und ein zweites Feld F1 bzw. F2 aufweist. Jedes der Felder F1 und F2 weist zumindest ein Montagekontakt-Array für CSPs auf, beispielsweise jenes, das mit dem Bezugszeichen 11A bezeichnet ist. Kontakt-Arrays, beispielsweise das Array 11, sind unterhalb ICs 18 und Schaltungen 19 angeordnet. Ein beispielhaftes Kontakt-Array 11A ist als beispielhafter IC 18 dargestellt, der wie gezeigt am Kontakt-Array 11A angebracht werden soll.
  • Das Feld F1 der Seite 8 der Flex-Schaltung 12 ist so dargestellt, dass es mit einer ersten Mannigfaltigkeit ICR1 von CSPs und einer zweiten Mannigfaltigkeit ICR2 von CSPs bevölkert ist, während das zweite Feld F2 der Seite 8 der Flex-Schaltung 12 so dargestellt ist, dass es mit einer ersten Mannigfaltigkeit ICR1 von CSPs und einer zweiten Mannigfaltigkeit ICR2 von CSPs bevölkert ist. Fachleute werden erkennen, dass die dargestellten Mannigfaltigkeiten von CSPs dann, wenn sie in den dargestellten Konfigurationen angeordnet sind, typischerweise als "Gruppen" bezeichnet werden. Zwi schen den Gruppen ICR2 des Feldes F1 und ICR2 des Feldes F2 weist die Flex-Schaltung 12 mehrere Modulkontakte auf, die bei dieser Ausführungsform zwei Reihen (CR1 und CR2) von Modulkontakten 20 zugeordnet sind. Wenn die Flex-Schaltung 12 gefaltet wird, wie dies später gezeigt ist, ist die in 44 dargestellte Seite 8 an der Außenseite des Moduls 10 angeordnet. Die entgegen gesetzte Seite 9 der Flex-Schaltung 12 befindet sich an der Innenseite bei verschiedenen dargestellten Konfigurationen des Moduls 10, so dass die Seite 9 näher an dem Substrat 14 liegt, um welches herum die Flex-Schaltung 12 angeordnet ist, als die Seite 8. Wie dargestellt, können andere Ausführungsformen andere Anzahlen an Gruppen und Kombinationen mehrerer CSPs aufweisen, die so geschaltet sind, dass eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung geschaffen wird.
  • 45 zeigt die Seite 9 der Flex-Schaltung 12, wobei die andere Seite der in 44 dargestellten Flex-Schaltung gezeigt ist. Die Seite 9 der Flex-Schaltung 12 ist so dargestellt, dass sie mit mehreren CSPs 18 bevölkert ist. Die Seite 9 weist Felder F1 und F2 auf, die jeweils einen Montagekontakt-Array-Ort für CSPs aufweist, und, in dem dargestellten Fall, mehrere Kontakt-Arrays aufweisen. Jedes der Felder F1 und F2 weist, bei der dargestellten, bevorzugten Ausführungsform, zwei Mannigfaltigkeiten von ICs auf, die in 3 mit ICR1 und ICR2 bezeichnet sind. Daher weist jede Seite der Flex-Schaltung 12 bei einer bevorzugten Ausführungsform zwei Felder F1 und F2 auf, und enthält jedes dieser Felder zwei Mannigfaltigkeiten oder Gruppen von CSPs, nämlich ICR1 und ICR2. In der nachfolgenden 46 wird deutlich, dass die Felder F1 und F2 an unterschiedlichen Seiten des Substrats 14 in einem fertig gestellten Modul 10 angeordnet sind, wenn ICs 18 entsprechend der Organisations-Identifizierung identifi ziert werden, die in den 44 und 45 dargestellt ist. Fachleute werden allerdings erkennen, dass die in den 44 und 45 dargestellten Gruppierungen von ICs 18 nicht durch die Erfindung vorgegeben werden, sondern nur als Beispiel für die Organisationsstrategie vorhanden sind, um das Verständnis der vorliegenden Erfindung zu erleichtern. Verschiedene diskrete Bauteile, beispielsweise Abschlusswiderstände, Bypass-Kondensatoren, und Vorspannungswiderstände, sind zusätzlich zu den Puffern 19 vorgesehen, die an der Seite 8 der Flex-Schaltung 12 dargestellt sind.
  • 44 zeigt ein Beispiel für eine Leiterbahn 21, welche die Reihe CR2 der Modulkontakte 20 mit ICs 18 verbindet. Fachleute werden erkennen, dass zahlreiche derartige Bahnen bei einer typischen Ausführungsform vorhanden sind. Die Bahnen 21 können auch eine Verbindung zu Durchgangsverbindungen herstellen, welche einen Übergang zu anderen leitfähigen Schichten der Flex 12 bei bestimmten Ausführungsformen herstellen, die mehr als eine leitfähige Schicht aufweisen. Bei einer bevorzugten Ausführungsform verbinden Durchgangsverbindungen ICs 18 an der Seite 9 der Flex 12 mit Modulkontakten 20. Ein Beispiel für eine Durchgangsverbindung ist mit dem Bezugszeichen 23 bezeichnet. Die Bahnen 21 können andere Verbindungen zwischen ICs auf beiden Seiten der Flex 12 herstellen, und können die Reihen der Modulkontakte 20 überqueren, um ICs miteinander zu verbinden. Zusammen führen die verschiedenen Bahnen und Durchgangsverbindungen die gegenseitigen Verbindungen durch, die dazu benötigt werden, Daten und Steuersignale zwischen den verschiedenen ICs und Pufferschaltungen zu transportieren.
  • 46 ist eine Querschnittsansicht eines Moduls 10, das gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfin dung ausgelegt ist. Das Modul 10 ist mit ICs 18 bevölkert, welche obere Oberflächen 18T und untere Oberflächen 18B aufweisen. Das Substrat oder die Halterungsanordnung 14 weist einen ersten und einen zweiten Umfangsrand 16A bzw. 16B auf, die in der Darstellung von 46 als Enden erscheinen. Das Substrat oder die Halterungsanordnung 14 weist typischerweise eine erste und eine zweite Querseite S1 bzw. S2 auf. Die Flex 12 ist um den Umfangsrand 16A des Substrats 14 herum geschlungen.
  • Bei einem typischen FB-DIMM-System, das mehrere FB-DIMM-Schaltungen einsetzt, sind die jeweiligen AMBs von einer FB-DIMM-Schaltung zu einer anderen FB-DIMM-Schaltung dadurch getrennt, was man als drei Impedanz-Diskontinuitäten ansehen kann, wie in dem in 47 gezeigten System repräsentiert durch D1, D2 und D3. 47 enthält zwei Module 10F und 10S, und enthält eine Darstellung der Verbindung zwischen den beiden Modulen. Die Diskontinuität D1 repräsentiert die Impedanz-Diskontinuität, die durch die Kombination aus Verbinder und Sockel bewirkt wird, welche dem ersten Modul 10F zugeordnet ist. Die Diskontinuität D2 repräsentiert die Impedanzstörung, die durch die Verbindung zwischen Verbinder und Sockel des ersten Moduls 10F und zwischen Verbinder und Sockel des zweiten Moduls 10S hervorgerufen wird, während die Diskontinuität D3 die Diskontinuität repräsentiert, die durch die Kombination aus Verbinder und Sockel bewirkt wird, welche dem zweiten Modul 10S zugeordnet ist. Der AMB ist die neue Puffertechnologie für Serverspeicher, und enthält typischerweise eine Anzahl an Merkmalen, einschließlich Durchgangslogik zum Lesen und Schreiben von Daten und Befehlen, und die Fähigkeit eines internen Parallel-Serien-Umsetzers, einer Datenbus-Schnittstelle, einer Serien-Parallel-Umsetzer- und Decodierlogikfähigkeit, und Taktfunktionen. Die Funktionsweise eines AMB stellt das grundlegende, unterscheidende Merkmal eines FB-DIMM-Moduls dar. Nach Verständnis der vorliegenden Beschreibung wissen Fachleute, wie die Verbindungen zwischen IC18 und dem AMB 19 in FB-DIMM-Schaltungen implementiert werden müssen, die durch Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung implementiert werden, und werden erkennen, dass die vorliegende Erfindung Vorteile in Bezug auf die Kapazität zur Verfügung stellt, sowie eine verringerte Impedanz-Diskontinuität, welche größere Implementierungen von FB-DIMM-Systemen hindern kann. Weiterhin werden Fachleute erkennen, dass verschiedene Grundlagen der vorliegenden Erfindung dazu eingesetzt werden können, eine oder mehrere FB-DIMM-Schaltungen auf einem Modul zu realisieren.
  • Im Gegensatz zu dem in 47 dargestellten System, stellt 48 eine schematische Darstellung der einzelnen Impedanzstörung DX dar, die durch die Verbindung zwischen einem ersten AMB 19 eines ersten FB-DIMM "FB1" eines ersten Moduls 10F und einem zweiten AMB 19 eines zweiten FB-DIMM "FB2" desselben, ersten Moduls 10F bewirkt wird.
  • 49 zeigt eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die eine Konfiguration für ein Modul 10 erläutert, das so ausgelegt ist, dass Stapel eingesetzt werden, um ein Modul 10 zu erzeugen, welches zwei FB-DIMM-Schaltungen aufweist. Fachleute werden erkennen, dass die Verwendung von Stapeln, beispielsweise der dargestellten Stapel 40, die von der Staktek Group L.P. stammen, das Schaffen von Modulen mit hoher Kapazität ermöglicht. Die Stapel 40 sind nur eine von verschiedenen Stapelkonstruktionen, die bei der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden können. Die beispielhaften Stapel 40 sind mit Formkernen 42 und Stapel-Flex-Schaltungen 44 ver sehen, wie in der US-Patentanmeldung Nr. 10/453 398 beschrieben, eingereicht am 6. Juni 2003, nunmehr das US-Patent Nr. 6 914 324 B2, erteilt am 5. Juli 2005, das der Staktek Group L.P. gehört, und die Stapel 40 und der AMB 19 sind auf der Flex-Schaltung 12 angebracht, die um das Substrat 14 herum angeordnet ist.
  • 50 zeigt eine andere Ausführungsform der Konstruktion, welche Stapel bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet. Eine derartige Ausführungsform weist eine FB-DIMM-Schaltung an ihren Kontakten 20 auf.
  • 51 zeigt eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das dargestellte Modul 10 weist zumindest einen AMB und zugehörige Schaltungen auf, beispielsweise ICs 18, die bei der bevorzugten Form, und wie dargestellt, CSPs sind, sowie zugehörige Hilfsschaltungen, zur Erzeugung zumindesteiner FB-DIMM-Schaltung auf einem Modul 10 mit einem relativ niedrigen Profil. Es wird darauf hingewiesen, dass ein zweiter AMB, zusätzlich zu dem einen der dargestellt ist, auf einer der Seiten des Moduls 10 angeordnet sein kann, wobei jedoch, falls dies der Fall ist, ein zweiter AMB vorzugsweise näher an der Querseite S2 des Substrats 14 angeordnet wird als der dargestellte AMB 19, jedoch vorzugsweise an der Seite 8 der Flex-Schaltung 12 angeordnet wird. Bei dieser Ausführungsform befinden sich Kontakte 20 entlang der Seite 8 der Flex-Schaltung 12, und in der Nähe eines Randes E der Flex-Schaltung 12. Die Hauptschaltungen, welche eine FB-DIMM-Schaltung bilden (also die CSP und der AMB), können in einer Gruppe in einer einzigen Reihe angeordnet sein, oder auf beiden Seiten des Substrats 14 angeordnet sein. Sie können einem ersten und einem zweiten Montagefeld der ersten und zweiten Seite der Flex-Schaltung 12 zugeordnet sein, wie dies voran stehend unter Bezugnahme auf früher geschilderte Figuren beschrieben wurde. Fachleute werden erkennen, dass die Kontakte 20 auf einer Seite oder an beiden Seiten des Moduls 10 auftauchen können, abhängig von den speziellen, mechanischen Einzelheiten der Kontaktschnittstelle der Anwendung.
  • 52 zeigt eine erste Seite 8 der Flex-Schaltung 12, die zur Konstruktion eines Moduls gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird. Bei dieser Ausführungsform sind ICs 18 auf der flexiblen Schaltung 12 Speicherbauelemente mit Gehäusen im Chip-Maßstab in kleinem Maßstab. Die Schaltung 19, die zwischen ICs 18 gezeigt ist, kann ein Speicherpuffer oder eine Steuerung sein, beispielsweise ein AMB, ist jedoch bei der vorliegenden Ausführungsform eine Speichersteuerung oder ein Register für einen registrierten DIMM. Diese Ausführungsform weist vorzugsweise weitere ICs 18 an einer entgegen gesetzten Seite 9 auf, die hier nicht gezeigt ist. Die Flex-Schaltung 12 besteht bei der vorliegenden Ausführungsform aus vier leitfähigen Schichten und mehreren flexiblen Substratschichten, wie dies voranstehend unter Bezugnahme auf 29 beschrieben wurde.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Flex-Schaltung 12 mit Löchern 13 versehen, die dazu gedacht sind, eine größere Flexibilität in Bezug auf das Biegen der Flex-Schaltung 12 zu ermöglichen, um einen gewünschten Biegeradius für die Kurve 25 (53) zu erreichen. Löcher 13 ("Löcher", "Hohlräume", "Teilhohlräume") gehen vorzugsweise durch die gesamte Flex-Schaltung 12 hindurch, können jedoch bei anderen Ausführungsformen auch nur Teillöcher oder Hohlräume sein, die bei einer mehreren der leitfähigen Schichten der Flex-Schaltung 12 vorgesehen sind, und/oder bei einer oder mehreren der flexiblen Substratschichten der Flex-Schaltung 12. Derartige Teilhohlräume können so ausgelegt sein, dass sie Flexibilität ermöglichen, aber immer noch ausreichend viel leitfähiges Material bereitstellen, um die gewünschten Verbindungen zu Kontakten 20 und zwischen den dargestellten ICs im Feld F1 und im Feld F2 zu ermöglichen.
  • Löcher 13 bei der vorliegenden Ausführungsform sind beabstandet, damit Bahnen 21 zwischen ihnen auf dem Niveau der leitfähigen Schichten der Flex 13 hindurchgehen. Zwar weisen einige bevorzugte Ausführungsformen eine dielektrische Lötmaskierungsschicht auf, welche teilweise die Seite 8 abdeckt, jedoch sind die Bahnen 21 entlang der Seite 8 zur Vereinfachung dargestellt. Fachleute werden erkennen, dass sich Bahnen an unterschiedlichen Schichten innerhalb der Flex-Schaltung befinden können.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Flex-Schaltung 12 weiterhin mit Löchern 15 versehen. Die Löcher 15 sind dazu ausgelegt, eine Flexibilität zum Biegen der Flex-Schaltung 12 zu ermöglichen, um einen gewünschten Biegeradius um beispielsweise den Rand 16A oder 16B des Substrats 14 herum zu ermöglichen. Die Löcher 15 können als Hohlräume oder Teilhohlräume in den verschiedenen leitenden und nicht leitenden Schichten der Flex-Schaltung 12 vorhanden sein. Die vorliegende Ausführungsform der Flex-Schaltung 12 ist weiterhin mit Montageanschlussflächen 51 entlang der Seite 18 der Flex-Schaltung 12 versehen. Derartige Anschlussflächen 51 werden dazu verwendet, Bauteile, wie beispielsweise Oberflächenmontagewiderstände 52, anzubringen.
  • 53 ist eine Perspektivansicht eines Moduls 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Dargestellt sind Löcher 13 entlang einer Kurve 25. Weiterhin sieht man Teile von Löchern 15 entlang dem unteren dargestellten Rand des Moduls 10. Die Löcher 13 können solche Abmessungen aufweisen, dass sie entlang der gesamten Kurve 25 vorhanden sind. Die Löcher 15 können auch solche Abmessungen aufweisen, dass sie die gesamte Biegung um den Rand des Substrats 14 überspannen. Die Löcher 13 und 15 können eine Spannweite aufweisen, die größer ist als die Länge ihrer jeweiligen Kurven, oder kleiner als eine derartige Länge. So können beispielsweise die Löcher 13 und 15 solche Abmessungen aufweisen, dass sie einen eingestellten Biegeradius für die Flex-Schaltung 12 nur in Abschnitten der Biegung zur Verfügung stellen, die einen gewünschten Biegeradius aufweisen, der kleiner ist als der Radius, der bei einer nicht abgeänderten Flex-Schaltung 12 möglich ist.
  • Die dargestellte Topologie und Anordnung flexibler Schaltungen kann in vorteilhafter Weise dazu verwendet werden, Schaltungsmodule mit hoher Kapazität und dünnem Profil zu schaffen. So kann beispielsweise ein DIMM konstruiert werden, welches die doppelte Bauteilmontageoberfläche für eine vorgegebene DIMM-Höhe aufweist. Eine derartige Verdoppelung kann es ermöglichen, die Anzahl an Speicherbauelementen zu verdoppeln, oder größere Bauelemente vorzusehen, die nicht auf herkömmliche DIMMs passen würden.
  • So stellt beispielsweise eine bevorzugte Ausführungsform ein registriertes DIMM von 30 mm und 4 GByte unter Verwendung von Teilen von 512 Mbit zur Verfügung. Eine andere Ausführungsform stellt ein registriertes DIMM von 50 mm und 8 GByte unter Verwendung von Teilen mit einem Gbit zur Verfügung. Noch eine andere Ausführungsform stellt ein SO-DIMM von 2 GByte unter Verwendung von Teilen von 512 Mbit zur Verfügung. Es können DIMM-Module zur Verfügung gestellt werden, welche meh rere DIMM- oder FB-DIMM-Schaltungen aufweisen, wie dies voranstehend geschildert wurde. Weiterhin können DIMMs mit der üblichen, einzelnen DIMM-Schaltung zur Verfügung gestellt werden, bei welchen die verwendeten Bauelemente zu groß sind, um in den Oberflächenbereich zu passen, der typischerweise von einem typischen DIMM-Modul nach Industrie-Standard zur Verfügung gestellt wird. Die Fähigkeit einer derartigen hohen Kapazität und Flexibilität kann in vorteilhafter Weise dazu verwendet werden, Speicher mit hoher Kapazität für Computersysteme zur Verfügung zu stellen, die eine begrenzte Anzahl an Motherboard-DIMM-Sockeln oder -Schlitzen aufweisen.
  • 54 erläutert ein Beispiel für ein Modul 10, das so ausgelegt ist, dass es ein dünnes Profil zur Verfügung stellt, während Bauelemente mit größerer Höhe verwendet werden, beispielsweise ein AMB. 54 zeigt eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und zeigt ein Modul 10, das mit ICs 18 bevölkert ist, und eine AMB-Schaltung 19 mit einem vorhandenen Kühlkörper 33 aufweist, der von der IC-Öffnung 35 in der Flex-Schaltung 12 ausgeht, und weiterhin in den nächsten Figuren dargestellt ist.
  • 55 zeigt die Seite 9 der Flex-Schaltung 12. Felder F1 und F2 der dargestellten Flex-Schaltung 12 sind jeweils mit einer einzigen Gruppe von ICs 18 bevölkert. Das Feld F2 weist die IC-Öffnung 35 durch die Flex-Schaltung 12 auf. Die Öffnung 35 ist eine Öffnung, die ausreichende Abmessungen aufweist, um zu ermöglichen, dass ein ausgewählter IC, beispielsweise eine AMB-Schaltung 19, durch die Flex-Schaltung 12 hindurchgeht. Fachleute werden erkennen, dass mehr als eine IC-Öffnung 35 in der Flex-Schaltung 12 vorgesehen sein kann, um es zu ermöglichen, dass mehrere Bauelemente mit höherem Profil durch jeweilige Öffnungen hindurchgehen.
  • 56 zeigt eine andere bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und erläutert einen Querschnitt eines Moduls 10 durch eine Iteration der Schaltung 19. Die Darstellung von 56 zeigt das Modul 10 mit der Flex-Schaltung 12 mit einer Öffnung 35, von welcher die Schaltung 19 ausgeht. Die Flex-Schaltung 12 ist um das Substrat 14 und den IC 10 herum geschlungen, der auf dem Feld F1 an der Seite 9 der Flex-Schaltung 12 angebracht ist, welche bei der dargestellten Ausführungsform die innere Seite des Moduls 10 ist, durch das Fenster 250 des Substrats 12 hindurchgeht, um teilweise aus der IC-Öffnung 35 der Flex-Schaltung 12 aufzutauchen. Die dargestellte Schaltung 19 weist ein Wärmeabstrahlelement oder einen Kühlkörper 33 auf, und kann beispielsweise als Darstellung eines AMB oder eines Puffer- oder Logikbauelements angesehen werden. Fachleute werden verstehen, dass die Schaltung 19 nicht aus der IC-Öffnung 35 der Flex-Schaltung 12 heraustreten muss, und dass sich Vorteile bereits nur daher ergeben, wenn die IC-Öffnung 35 der Flex-Schaltung 12 im Wesentlichen übereinstimmend mit der Schaltung 19 angeordnet wird, um es zu ermöglichen, dass Wärmeenergie leichter von der Schaltung 19 abgegeben wird. Allerdings tritt bei mehreren Ausführungsformen die Schaltung 19 zumindest teilweise aus der Öffnung 35 aus. Es können andere Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung konstruiert werden, um beispielsweise zwei FB-DIMM-Schaltungen auf einem einzigen Modul anzuordnen, und eine Flex-Schaltung einzusetzen, welche zwei IC-Öffnungen 35 so aufweist, dass sie mit den zwei AMBs zusammenfallen, die entweder durch ihr jeweiliges Fenster in dem Substrat sichtbar sind, oder tatsächlich, zumindest teilweise, aus den Öffnungen 35 der Flex-Schaltung heraustreten.
  • Wie in 56 gezeigt, weist die Schaltung 19 ein Profil auf, das mit dem Bezugszeichen "PT" bezeichnet ist, während das Modul 10 ein Profil aufweist, das mit dem Bezugszeichen "PM" bezeichnet ist, und weisen die ICs 18 jeweils ein Profil auf, das mit dem Bezugszeichen "P18" bezeichnet ist, und weist das Substrat 14 ein Profil "PS" auf. Wie dargestellt, wird das Profil PM des Moduls 10 weniger stark durch die Profile der ICs 18 und der Schaltung 19 vergrößert, als man ohne Verwendung der hier geschilderten Vorgehensweisen erwarten würde. So ist beispielsweise bei der in 56 dargestellten Ausführungsform PM kleiner als das Vierfache des Profils P18 der ICs 18 plus PT, da die Schaltung im Fenster 250 des Substrats 14 angeordnet ist, und sich durch die Öffnung 35 der Flex-Schaltung 12 erstreckt.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ordnet die Konstruktion die ICs 18 des Feldes F1 an der Seite S1 des Substrats 14 an, und die ICs 18 des Feldes F2 an der Seite S2 des Substrats 14, während das höhere Profil oder die größere Höhe der Schaltung 19, repräsentiert durch das Bezugszeichen PT, im Wesentlichen innerhalb des Profils oder der Höhe PM des Moduls 10 liegt, was zu einem Modul 10 mit niedrigerem Profil führt als dann, wenn die Schaltung 19 beispielsweise an der Seite 8 der Flex-Schaltung 12 angebracht wäre, wie bei dem Profil 10 mit höherem Profil, das in der vorherigen 51 gezeigt ist.
  • 57 zeigt eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und zeigt das Modul 10 bevölkert mit ICs 18 an der Seite 8 der Flex-Schaltung 12, und die Schaltung 19, die durch das Fenster 250 des Substrats 14 hindurchgeht. Die in 57 dargestellte Ausführungsform kann beispielsweise bei PCI-Anwendungen eingesetzt werden, bei welchen der für Erwei terungs-Leiterplatten vorhandene Raum minimal ist, und typischerweise nur einseitige, herkömmliche Leiterplatten entsprechend dem Raum eingesetzt wurden, der bei der Anwendung vorhanden war. Die Grundlagen der vorliegender Erfindung können daher ermöglichen, höhere Kapazitäten bei Anwendungen mit PCI-Einschränkungen einzusetzen.
  • Zwar wurde die vorliegende Erfindung im Einzelnen beschrieben, jedoch wird Fachleuten deutlich werden, dass zahlreiche Ausführungsformen eingesetzt werden können, die verschiedene, spezielle Formen annehmen, und Änderungen, Ersetzungen reflektieren, ohne vom Wesen und Umfang der Erfindung abzuweichen. Die zahlreichen geschilderten Ausführungsformen erläutern daher den Umfang der Patentansprüche, schränken ihn jedoch nicht ein.

Claims (141)

  1. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: (a) ein starres Substrat, das zwei entgegen gesetzte Querseiten und einen Rand aufweist; (b) eine Flex-Schaltung, die um den Rand des starren Substrats herum geschlungen ist, wobei die Flex-Schaltung eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist ein Abschnitt der Flex-Schaltung an zumindest einer der entgegen gesetzten Querseiten des starren Substrats angebracht ist, die Flex-Schaltung mehrere Kontakte aufweist, die zur Verbindung mit einem Leiterplattensockel ausgebildet sind, und die mehreren Kontakte in der Nähe des Randes des starren Substrats an der Außenseite der Flex-Schaltung angeordnet sind; und (c) mehrere Speicher-CSPs, die an zumindest entweder der ersten oder der zweiten Seite der Flex-Schaltung angebracht sind.
  2. Schaltungsmodul nach Anspruch 1, bei welchem die mehreren Speicher-CSPs jeweils eine obere Oberfläche aufweisen, und die oberen Oberflächen jedes der mehreren Speicher-CSPs an dem starren Substrat befestigt sind.
  3. Schaltungsmodul nach Anspruch 1, bei welchem zumindest einige der mehreren Speicher-CSPs, die an zumindest entweder der ersten oder der zweiten Seite der Flex-Schaltung angebracht sind, in weg geschnittenen Bereichen auf einem der entgegen gesetzten Querseiten des starren Substrats angeordnet sind.
  4. Schaltungsmodul nach Anspruch 3, bei welchem mehrere weg geschnittene Bereiche auf jeder der entgegen gesetzten Querseiten des starren Substrats vorhanden sind, und einige der mehreren weg geschnittenen Bereiche auf einer der beiden entgegen gesetzten Querseiten des starren Substrats relativ zu einigen der mehreren weg geschnittenen Bereiche an der anderen der beiden entgegen gesetzten Querseiten des starren Substrats versetzt sind.
  5. Schaltungsmodul nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, welches weiterhin einen AMB aufweist, wobei das starre Substrat einen weg geschnittenen Bereich oder ein Fenster aufweist, in welchem der AMB angeordnet ist.
  6. Schaltungsmodul nach Anspruch 1, 2, 3, 4 oder 5, bei welchem das starre Substrat aus einem wärmeleitfähigen Material besteht.
  7. Schaltungsmodul nach einem der Ansprüche 1, 2, 3, 4, 5 oder 6, bei welchem das starre Substrat aus Aluminium besteht.
  8. Schaltungsmodul nach einem der Ansprüche 1, 2, 3, 4, 5, 6 oder 7, bei welchem eine thermische Erweiterung durch das starre Substrat entgegengesetzt dem Rand des starren Substrats vorgesehen ist.
  9. Schaltungsmodul nach Anspruch 1, welches weiterhin zumindest eine Ausrichtungsvorrichtung der Flex-Schaltung aufweist, die mit zumindest einer Ausrichtungsvorrichtung des starren Substrats zusammenarbeitet.
  10. Schaltungsmodul nach Anspruch 1, welches weiterhin einen AMB aufweist, der auf zumindest entweder der ersten oder der zweiten Seite der Flex-Schaltung angebracht ist.
  11. Schaltungsmodul nach Anspruch 1, bei welchem die Flex-Schaltung mehr als eine leitfähige Schicht aufweist.
  12. Schaltungsmodul nach einem der Ansprüche 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 oder 10, bei welchem die Flex-Schaltung vier leitfähige Schichten aufweist.
  13. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: ein wärmeleitfähiges Substrat, das eine erste und eine zweite Querseite und einen Umfangsrand aufweist; eine Flex-Schaltung, die eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist, wobei auf zumindest entweder der ersten oder der zweiten Seite mehrere CSPs angebracht sind, die erste Seite Randverbinderkontakte aufweist, die zur Verbindung mit einem Stiftsockelschlitz ausgebildet sind, die Flex-Schaltung um den Umfangsrand des wärmeleitfähigen Substrats herum geschlungen ist, um die Stiftsockelkontakte der ersten Seite näher an dem Umfangsrand des Substrats anzubringen als die mehreren CSPs, und die zweite Seite der Flex-Schaltung näher an den Querseiten des Substrats anzubringen als die erste Seite der Flex-Schaltung.
  14. Schaltungsmodul nach Anspruch 13, bei welchem das wärmeleitfähige Substrat eine thermische Erweiterung entgegengesetzt zum Umfangsrand aufweist.
  15. Schaltungsmodul nach Anspruch 13 oder 14, auf welchem weiterhin ein AMB auf zumindest entweder der ersten oder der zweiten Seite der Flex-Schaltung angebracht ist.
  16. Schaltungsmodul nach Anspruch 13, 14 oder 15, bei welchem die Dicke des wärmeleitfähigen Substrats zwischen dessen erster und zweiter Querseite sich an zumindest zwei Orten entlang der Länge des wärmeleitfähigen Substrats ändert.
  17. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: eine Flex-Schaltung, die Erweiterungs-Leiterplattenkontakte aufweist, die zur Verbindung mit einem Stiftsockel ausgebildet sind, wobei die Flex-Schaltung weiterhin eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist, und entlang der zweiten Seite eine erste Gruppe und eine zweite Gruppe von CSPc angebracht sind; ein Substrat, das eine erste Querseite und eine zweite Querseite und einen Rand aufweist, wobei die erste Querseite eine oder mehrere weg geschnittene Bereiche aufweist, und die zweite Querseite eine oder mehrere weg geschnittene Bereiche aufweist, die Flex-Schaltung um das Substrat herum angeordnet ist, um einzelne der ersten Gruppe von CSPs in dem einen oder den mehreren weg geschnittenen Bereichen der ersten Querseite des Substrats anzuordnen, und einzelne der zweiten Gruppe von CSPs in dem einen oder den mehreren weg geschnittenen Bereichen der zweiten Querseite des Substrats anzuordnen.
  18. Schaltungsmodul nach Anspruch 17, bei welchem der eine oder die mehreren weg geschnittenen Bereiche der ersten Querseite des Substrats räumlich mit dem oder mit den jeweiligen einen oder mehreren weg geschnittenen Bereichen der zweiten Querseite des Substrats übereinstimmen.
  19. Schaltungsmodul nach Anspruch 17, bei welchem der eine oder die mehreren weg geschnittenen Bereiche der ersten Querseite des Substrats räumlich teilweise mit dem oder den je weiligen einen oder mehreren weg geschnittenen Bereichen der zweiten Querseite des Substrats übereinstimmen.
  20. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: eine flexible Schaltung, die eine erste Hauptseite und eine zweite Hauptseite aufweist, wobei die flexible Schaltung zumindest eine oder mehrere Reihe von Oberflächenmontagen-Arrays an der ersten Hauptseite sowie zwei oder mehrere Reihen von Oberflächenmontage-Arrays auf der zweiten Hauptseite aufweist, die flexible Schaltung eine bogenförmige Biegung zwischen zwei ausgewählten der zwei oder mehr Reihen von Oberflächenmontage-Arrays an der zweiten Hauptseite aufweist, die zweite Hauptseite nach innen zur bogenförmigen Biegung weist, und die flexible Schaltung einen Endrand und Stiftsockelkontakte aufweist, die in der Nähe des Endrandes angeordnet sind, mehrere CSPs, welche zumindest eine der zwei oder mehr Reihen der Oberflächenmontage-Arrays auf der zweiten Hauptseite bevölkern, wobei jeder der CSPs eine obere Hauptoberfläche aufweist; ein Halterungssubstrat teilweise innerhalb der bogenförmigen Biegung, wobei das Halterungssubstrat einen Rand aufweist, eine erste Seite und eine zweite Seite, die erste Seite mehrere weg geschnittene Bereiche oder Fenster zum Anordnen einzelner CSPs der mehreren CSPs daran aufweist, welche zumindest eine der zwei oder mehreren Reihen von Oberflächenmontage-Arrays der zweiten Hauptseite der flexiblen Schaltung bevölkern.
  21. Schaltungsmodul zur Verringerung thermischer Variationen zwischen vorgesehenen CSPs, wobei das Modul aufweist: (a) ein wärmeleitfähiges, starres Substrat, welches eine erste und eine zweite Querseite aufweist, einen Rand, und zumindest eine thermische Erweiterung; und (b) eine Flex-Schaltung, die mit einer Mannigfaltigkeit von CSPs bevölkert ist, und mehrere Kontakte aufweist, die zu einem Stiftsockel passen, wobei die Flex-Schaltung um den Rand des wärmeleitfähigen, starren Substrats herum geschlungen ist.
  22. Schaltungsmodul nach Anspruch 21, bei welchem zumindest ein Paar von CSPs vorgesehen ist, das aus einem ersten CSP und einem zweiten CSP besteht, getrennt durch die Flex-Schaltung, und entgegengesetzt zueinander angeordnet, um die Bewegung von Wärmeenergie von dem ersten CSP zum zweiten CSP zu fördern, wenn sich der erste CSP im Zustand ON befindet.
  23. Schaltungsmodul nach Anspruch 21, bei welchem die Mannigfaltigkeit von CSPs aus Speicherschaltungs-CSPs besteht.
  24. Schaltungsmodul nach Anspruch 21, 22 oder 23, konfiguriert als zumindest ein FB-DIMM.
  25. Schaltungsmodul nach Anspruch 21, 22 oder 23, konfiguriert als zumindest eine registrierte DIMM-Schaltung.
  26. Schaltungsmodul nach Anspruch 21, 22 oder 23, konfiguriert als eine Videokarte.
  27. Schaltungsmodul nach Anspruch 21, 22 oder 23, konfiguriert als eine Kommunikationskarte.
  28. Schaltungsmodul nach Anspruch 21, 22 oder 23, welches weiterhin einen Mikroprozessor aufweist.
  29. Schaltungsmodul nach Anspruch 21, 22 oder 23, bei welchem das wärmeleitfähige, starre Substrat aus Aluminium besteht.
  30. Schaltungsmodul nach Anspruch 21, 22 oder 23, bei welchem das wärmeleitfähige, starre Substrat aus Kupfer besteht.
  31. Schaltungsmodul nach Anspruch 21, 22 oder 23, welches weiterhin einen Sensor aufweist.
  32. Schaltungsmodul nach Anspruch 31, bei welchem der Sensor ein Wärmesensor ist, der ein Signal in Bezug auf einen thermischen Zustand des Schaltungsmoduls zur Verfügung stellt.
  33. Schaltungsmodul nach Anspruch 31, bei welchem der Sensor ein Signal zur Verfügung stellt, das in Beziehung zur Kapazität des Schaltungsmoduls steht.
  34. Schaltungsmodul nach Anspruch 21, 22 oder 23, eingeführt in einen Stiftsockel.
  35. Schaltungsmodul nach Anspruch 34, bei welchem der Stiftsockel ein Teil eines Computers ist.
  36. Schaltungsmodul zur Verringerung thermischer Variationen zwischen vorgesehenen CSPs, wobei das Modul aufweist: (a) ein wärmeleitfähiges, starres Substrat, das eine erste und eine zweite Querseite aufweist, zumindest eine thermische Erweiterung, und einen Rand; und (b) eine Flex-Schaltung, die zumindest eine erste Flex-Schaltung aufweist, die mit mehreren CSPs bevölkert ist, und mehrere Kontakte zum Einführen in einen Stiftsockel aufweist, und eine zweite Flex-Schaltung, die mit mehreren CSPs bevölkert ist, wobei die erste und zweite Flex-Schaltung zumindest teilweise an der ersten bzw. zweiten Querseite des wärmeleitfähigen Substrats gehaltert sind.
  37. Schaltungsmodul nach Anspruch 36, bei welchem jede der ersten und zweiten Flex-Schaltungen eine erste und eine zweite Seite aufweisen, die jeweils mit CSPs bevölkert sind.
  38. Schaltungsmodul nach Anspruch 36, bei welchem zumindest ein Paar von CSPs vorgesehen ist, das aus einem ersten CSP und einem zweiten CSP besteht, getrennt durch die erste Flex-Schaltung, und entgegengesetzt zueinander angeordnet, um den Transport von Wärmeenergie von jenem unter dem ersten und zweiten CSP, der sich im Zustand ON befindet, zu jenem unter dem ersten und zweiten CSP zu fördern, der sich im Ruhezustand befindet.
  39. Schaltungsmodul nach Anspruch 36, bei welchem zumindest ein Paar von CSPs vorgesehen ist, das aus einem ersten CSP und einem zweiten CSP besteht, getrennt durch die zweite Flex-Schaltung, und entgegengesetzt zueinander angeordnet, um den Transport von Wärmeenergie von jenem unter dem ersten und zweiten CSP, der sich im Zustand ON befindet, zu jenem unter dem ersten und zweiten CSP zu fördern, der sich im Ruhezustand befindet.
  40. Schaltungsmodul nach Anspruch 36, 37, 38 oder 39, welches weiterhin einen AMB aufweist, wobei das Schaltungsmodul als FB-DIMM konfiguriert ist.
  41. Schaltungsmodul nach Anspruch 36, 37, 38 oder 39, konfiguriert als ein registrierter DIMM.
  42. Schaltungsmodul nach Anspruch 36, 37, 38 oder 39, welches weiterhin einen Mikroprozessor aufweist.
  43. Schaltungsmodul nach Anspruch 36, 37, 38 oder 39, bei welchem das wärmeleitfähige Substrat aus Aluminium besteht.
  44. Schaltungsmodul nach Anspruch 36, 37, 38 oder 39, bei welchem das wärmeleitfähige Substrat aus Kupfer besteht.
  45. Schaltungsmodul nach Anspruch 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42 oder 43, welches weiterhin einen Sensor aufweist.
  46. Schaltungsmodul nach Anspruch 45, bei welchem der Sensor ein Signal erzeugt, das in Bezug zu einem thermischen Zustand des Moduls steht.
  47. Schaltungsmodul nach Anspruch 45, bei welchem der Sensor ein Signal erzeugt, das in Bezug zur Kapazität des Schaltungsmoduls steht.
  48. System zum Abführen von Wärmeenergie von einem Schaltungsmodul, wobei das System aufweist: ein Schaltungsmodul, das mehrere CSPs und Stiftsockelkontakte aufweist, die mit den mehreren CSPs verbunden sind, sowie ein Substrat, das aus einem wärmeleitfähigen Material besteht; einen Stiftsockel, in welchen das Schaltungsmodul eingeführt ist; und wobei bei dem System das aus wärmeleitfähigem Material bestehende Substrat in Wärmeverbindung mit einem Chassisbauteil eines Rechnersystems steht.
  49. System nach Anspruch 48, welches weiterhin eine Wärmeleitung aufweist, die zumindest teilweise zwischen dem Chassisbauteil und dem Substrat angeordnet ist, das aus dem wärmeleitfähigen Material besteht.
  50. System nach Anspruch 48 oder 49, bei welchem das aus wärmeleitfähigem Material bestehende Substrat eine thermische Erweiterung aufweist, die in Wärmeverbindung mit dem Chassisbauteil steht.
  51. System nach Anspruch 50, bei welchem das Schaltungsmodul als ein FB-DIMM oder ein registrierter DIMM konfiguriert ist.
  52. System nach Anspruch 50, bei welchem das Schaltungsmodul als ein Grafikmodul oder ein SODIMM konfiguriert ist.
  53. System nach Anspruch 48, 49, 50, 51 oder 52, bei welchem das aus wärmeleitfähigem Material bestehende Substrat aus Aluminium besteht.
  54. System nach Anspruch 48, 49, 50, 51 oder 52, bei welchem das aus wärmeleitfähigem Material bestehende Substrat aus Kupfer besteht.
  55. System nach Anspruch 49, bei welchem die Wärmeleitung aus einem nachgiebigen, wärmeleitfähigen Material besteht.
  56. System nach Anspruch 49, bei welchem das nachgiebige, wärmeleitfähige Material aus einem Material für eine elektromagnetische Dichtung besteht.
  57. System nach Anspruch 49, bei welchem das nachgiebige, wärmeleitfähige Material aus einer Feder besteht.
  58. System nach Anspruch 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54 oder 55, bei welchem das Schaltungsmodul weiterhin eine Flex-Schaltung aufweist, die mit mehreren CSPs bevölkert ist, und die Flex-Schaltung um einen Rand des Substrats herum geschlungen ist, das aus wärmeleitfähigem Material besteht, um einen ersten Anteil der mehreren CSPs an einer ersten Seite des Substrats anzuordnen, und einen zweiten Anteil der mehreren CSPs an einer zweiten Seite des Substrats.
  59. System nach Anspruch 58, bei welchem das Schaltungsmodul als ein FB-DIMM konfiguriert ist.
  60. System nach Anspruch 58, bei welchem das Schaltungsmodul als ein registrierter DIMM konfiguriert ist.
  61. System nach Anspruch 58, bei welchem das Schaltungsmodul als ein Grafikschaltungsmodul konfiguriert ist.
  62. System nach Anspruch 58, bei welchem das Schaltungsmodul als ein Kommunikationsmodul konfiguriert ist.
  63. System nach Anspruch 58, bei welchem das Schaltungsmodul weiterhin einen Mikroprozessor aufweist.
  64. Wärme-Managementsystem, bei welchem vorgesehen sind: ein Schaltungsmodul, welches aufweist: ein Substrat, das aus einem wärmeleitfähigen Material besteht, und zwei entgegen gesetzte Querseiten aufweist, einen Rand, und eine thermische Erweiterung; eine Flex-Schaltung, die um den Rand des starren Substrats herum geschlungen ist, wobei die Flex-Schaltung eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist, die Flex- Schaltung mehrere Kontakte hat, die zur Verbindung mit einem Stiftsockel ausgebildet sind, und die mehreren Kontakte in der Nähe des Randes des starren Substrats an der ersten Seite der Flex-Schaltung angeordnet sind; und mehrere CSPs, die zumindest entweder an der ersten oder der zweiten Seite der Flex-Schaltung angebracht sind; einen Stiftsockel, in welchen das Schaltungsmodul eingeführt ist; und ein Chassisbauteil eines Rechnersystems, wobei das Chassisbauteil in Wärmeverbindung mit dem Substrat über die thermische Erweiterung steht.
  65. Wärme-Managementsystem nach Anspruch 64, bei welchem das Schaltungsmodul ein Speichermodul ist, das als zumindest ein FB-DIMM konfiguriert ist.
  66. Wärme-Managementsystem nach Anspruch 64, bei welchem das Schaltungsmodul ein Speichermodul ist, das als zumindest ein registrierter DIMM konfiguriert ist.
  67. Wärme-Managementsystem nach Anspruch 64, bei welchem das Schaltungsmodul ein Grafikmodul ist, welches mehrere CSPs und einen Grafikprozessor aufweist.
  68. Wärme-Managementsystem nach Anspruch 64, bei welchem mehrere CSPs vorgesehen sind, die entlang sowohl der ersten als auch der zweiten Seite der Flex-Schaltung angebracht sind.
  69. Wärme-Managementsystem nach Anspruch 64, 65, 66, 67 oder 68, bei welchem das Substrat aus Aluminium besteht.
  70. System zum Abführen von Wärmeenergie von einem Schaltungsmodul in ein Chassisbauteil eines Rechnersystems, wobei das System aufweist: ein Schaltungsmodul, das ein Substrat aufweist, das aus einem wärmeleitfähigen Material besteht, wobei das Substrat entgegen gesetzte Querseiten aufweist; eine flexible Schaltung, entlang derer mehrere CSPs angeordnet sind, wobei die flexible Schaltung um den Rand des Substrats herum und entlang den entgegen gesetzten Querseiten des Substrats angeordnet ist; und ein Chassis-Bauteil in Wärmekontakt mit. dem Substrat des Schaltungsmoduls.
  71. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: eine Flex-Schaltung, die eine erste Seite und eine zweite Seite sowie mehrere Kontakte entlang der ersten Seite aufweist, die zur Verbindung mit einem Stiftsockel ausgebildet sind; eine erste FB-DIMM-Schaltung, die mehrere CSPs und einen ersten AMB aufweist, die auf der Flex-Schaltung angebracht ist, und eine zweite FB-DIMM-Schaltung, die mehrere CSPs und einen zweiten AMB aufweist, die auf der Flex-Schaltung angebracht sind; ein starres Substrat, das eine erste und eine entgegen gesetzte zweite Querseite aufweist, wobei die Flex-Schaltung um das starre Substrat herum angeordnet ist, um die erste Seite der Flex-Schaltung weiter entfernt von dem Substrat anzuordnen als die zweite Seite der Flex-Schaltung.
  72. Schaltungsmodul nach Anspruch 71, eingeführt in einen Stiftsockel in einem Computer.
  73. Schaltungsmodul nach Anspruch 71, bei welchem der Computer ein Servercomputer ist.
  74. Schaltungsmodul nach Anspruch 71, bei welchem das starre Substrat mit einem Muster versehen ist, um weg geschnittene Bereiche zur Verfügung zu stellen, in welchen ausgewählte der mehreren CSPs auf der Flex-Schaltung angeordnet sind.
  75. Schaltungsmodul nach Anspruch 71, bei welchem das starre Substrat mit einem Muster versehen ist, um zumindest einen weg geschnittenen Bereich oder ein Fenster zur Verfügung zu stellen, in welchen entweder der erste oder der zweite AMB angeordnet ist.
  76. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: eine erste Flex-Schaltung, die eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist, und eine Gruppe von Erweiterungs-Leiterplattenkontakten, wobei die erste Seite und die zweite Seite jeweils ein erstes Feld und ein zweites Feld aufweisen, und jedes der ersten und zweiten Felder jeder der ersten und zweiten Seiten zumindest einen Montage-Array-Ort für CSPs aufweist; eine zweite Flex-Schaltung, die eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist, wobei die erste Seite und die zweite Seite jeweils ein erstes Feld und ein zweites Feld aufweisen, und jedes der ersten und zweiten Felder jeder der ersten und zweiten Seiten zumindest einen Montageort für CSPs aufweisen; eine erste Mannigfaltigkeit von CSPs und ein erster AMB, die entlang der ersten Seite der ersten Flex-Schaltung angeordnet sind, und eine zweite Mannigfaltigkeit von CSPs, die entlang der zweiten Seite der ersten Flex-Schaltung angebracht sind; eine erste Mannigfaltigkeit von CSPs und ein zweiter AMB, der entlang der ersten Seite der zweiten Flex-Schaltung angeordnet sind, und eine zweite Mannigfaltigkeit von CSPs, die entlang der zweiten Seite der zweiten Flex-Schaltung angebracht sind; ein starres Substrat, das eine erste und eine zweite Querseite aufweist, wobei die erste Flex-Schaltung entlang der ersten Querseite des starren Substrats angeordnet ist, und die zweite Flex-Schaltung entlang der zweiten Querseite des starren Substrats angeordnet ist.
  77. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: eine Flex-Schaltung, die eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist, und entlang der ersten Seite eine quer angeordnete Mannigfaltigkeit von Erweiterungs-Leiterplattenkontakten; eine erste und eine zweite Gruppe von CSP-Speicherbauelementen, die entlang der ersten Seite der Flex-Schaltung angeordnet sind, wobei die erste Gruppe von CSP-Speicherelementen von der zweiten Gruppe der CSP-Speicherbauelemente durch die Mannigfaltigkeit in Querrichtung der Erweiterungs-Leiterplattenkontakte getrennt ist; ein erster und ein zweiter AMB, wobei der erste AMB bei der ersten Gruppe von CSP-Speicherbauelementen angeordnet ist, und der zweite AMB bei der zweiten Gruppe von CSP-Speicherbauelementen angeordnet ist; und ein Substrat, an welchem die Flex-Schaltung angebracht ist.
  78. Schaltungsmodul nach Anspruch 77, bei welchem die erste und zweite Mannigfaltigkeit von CSP-Speicherbauelementen aus Stapeln bestehen.
  79. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: eine Flex-Schaltung, die einen Rand aufweist, eine erste Seite und eine zweite Seite, und eine Gruppe von Kontakten entlang der ersten Seite in der Nähe des Randes der Flex-Schaltung, wobei die Flex-Schaltung mit einer ersten FB-DRIMM-Schaltung bevölkert ist, die eine erste Mannigfaltigkeit an Speicher-CSPs und einen ersten AMB aufweist, und mit einer zweiten FB-DIMM-Schaltung, die eine zweite Mannigfaltigkeit an Speicher-CSPs und einen zweiten AMB aufweist; und ein Substrat, welches ein Ende aufweist, wobei um dieses Substrat die Flex-Schaltung herum angeordnet ist, um die Gruppe von Kontakten der Flex-Schaltung in der Nähe des Endes des Substrats anzuordnen.
  80. Schaltungsmodul nach Anspruch 79, bei welchem die erste Seite der Flex-Schaltung erste und zweite Montagefelder für CSPs aufweist, und die zweite Seite der Flex-Schaltung erste und zweite Montagefelder für CSPs aufweist, und die erste Mannigfaltigkeit an Speicher-CSPs und der erste AMB der ersten FB-DIMM-Schaltung entlang dem ersten Montagefeld der ersten Seite der Flex-Schaltung angeordnet sind, und entlang dem ersten Feld der zweiten Seite der Flex-Schaltung, wogegen die zweite Mannigfaltigkeit an Speicher-CSPs und der zweite AMB der zweiten FB-DIMM-Schaltung entlang dem zweiten Montagefeld der ersten Seite der Flex-Schaltung angeordnet sind, und entlang dem zweiten Montagefeld der zweiten Seite der Flex-Schaltung.
  81. Schaltungsmodul nach Anspruch 80, bei welchem die erste Mannigfaltigkeit von Speicher-CSPs und der erste AMB der ersten FB-DIMM-Schaltung in einer Reihe in einer Gruppe in Querrichtung entlang dem ersten Montagefeld der ersten Seite der Flex-Schaltung angeordnet sind, und in einer Reihe in einer Gruppe in Querrichtung entlang dem ersten Feld der zweiten Seite der Flex-Schaltung, während die zweite Mannigfaltigkeit an Speicher-CSPs und der zweite AMB der zweiten FM-DIMM-Schaltung in einer Reihe in einer Gruppe entlang dem zweiten Montagefeld der ersten Seite der Flex-Schaltung angeordnet sind, und in einer Reihe in einer Gruppe entlang dem zweiten Montagefeld der zweiten Seite der Flex-Schaltung.
  82. Schaltungsmodul nach Anspruch 79, bei welchem die erste Seite der Flex-Schaltung erste und zweite Montagefelder für CSPs aufweist, und die zweite Seite der Flex-Schaltung erste und zweite Montagefelder für CSPs aufweist, und die erste Mannigfaltigkeit an Speicher-CSPs und der erste AMB der ersten FB-DIMM-Schaltung entlang dem ersten Montagefeld der ersten Seite der Flex-Schaltung und dem zweiten Feld der zweiten Seite der Flex-Schaltung angeordnet sind, während die zweite Mannigfaltigkeit an Speicher-CSPs und der zweite AMB der zweiten FM-DIMM-Schaltung entlang dem zweiten Montagefeld der ersten Seite der Flex-Schaltung und dem ersten Montagefeld der zweiten Seite der Flex-Schaltung angeordnet sind.
  83. Schaltungsmodul nach Anspruch 82, bei welchem die erste Mannigfaltigkeit von Speicher-CSPs und der erste AMB der ersten FB-DIMM-Schaltung in einer Reihe in einer Gruppe in Querrichtung entlang dem ersten Montagefeld der ersten Seite der Flex-Schaltung angeordnet sind, und in einer Reihe in einer Gruppe in Querrichtung entlang dem zweiten Feld der zweiten Seite der Flex-Schaltung, während die zweite Mannigfaltigkeit an Speicher-CSPs und der zweite AMB der zweiten FB-DIMM-Schaltung in einer Reihe in einer Gruppe entlang dem zweiten Montagefeld der ersten Seite der Flex-Schaltung und in einer Reihe in einer Gruppe entlang dem ersten Montagefeld der zweiten Seite der Flex-Schaltung angeordnet sind.
  84. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: eine Flex-Schaltung, die eine erste leitfähige Schicht aufweist, welche Signalbahnen aufweist, eine zweite leitfähige Schicht, welche Signalbahnen aufweist, eine dritte leitfähige Schicht, welche eine Masseebene aufweist, eine vierte leitfähige Schicht, welche Signalbahnen aufweist, eine erste Seite und eine zweite Seite sowie, entlang der ersten Seite, eine Reihe von Erweiterungs-Leiterplattenkontakte; eine erste und eine zweite Gruppe von CSP-Speicherbauelementen, die entlang der ersten Seite der Flex-Schaltung angeordnet sind, wobei die erste Gruppe von CSP-Speicherbauelementen von der zweiten Gruppe von CSP-Speicherbauelementen durch die Reihe der Erweiterungs-Leiterplattenkontakte getrennt ist; und ein Substrat, welches eine erste und eine zweite Querseite aufweist, und einen Rand, um welchen herum die Flex-Schaltung angeordnet ist.
  85. Schaltungsmodul nach Anspruch 81, welches weiterhin einen AMB aufweist, wobei das Schaltungsmodul als ein FB-DIMM konfiguriert ist.
  86. Schaltungsmodul nach Anspruch 84 oder 85, bei welchem die erste und zweite Mannigfaltigkeit von CSP-Speicherbauelementen aus Stapeln bestehen.
  87. Schaltungsmodul nach Anspruch 84, 85 oder 86, bei welchem die Flex-Schaltung zumindest eine Biegung mit zumindest einer Reihe von Hohlräumen in der Flex-Schaltung entlang der Biegung aufweist.
  88. Schaltungsmodul nach Anspruch 87, bei welchem die Reihe von Hohlräumen eine Reihe von Löchern durch die Flex-Schaltung ist.
  89. Schaltungsmodul nach Anspruch 87, bei welchem die Reihe von Hohlräumen Hohlräume in weniger als sämtlichen Schichten der Flex-Schaltung umfasst.
  90. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: eine Flex-Schaltung, die eine erste Seite, eine zweite Seite, und eine IC-Öffnung aufweist, die durch die Flex-Schaltung hindurchgeht, sowie mehrere Kontakte entlang der ersten Seite, die zur Verbindung mit einem Leiterplattensockel ausgebildet sind; zumindest ein CSP eines ersten Typs, das an der zweiten Seite der Flex-Schaltung angebracht ist; und ein starres Substrat, das eine erste und eine zweite, entgegen gesetzte Querseite sowie ein Fenster aufweist, das durch das starre Substrat hindurchgeht, wobei die Flex-Schaltung um das starre Substrat so angeordnet ist, dass das zumindest eine CSP des ersten Typs in dem Fenster angeordnet ist, das durch das starre Substrat hindurchgeht.
  91. Schaltungsmodul nach Anspruch 90, bei welchem das starre Substrat aus wärmeleitfähigem Material besteht, und zumindest eine thermische Erweiterung aufweist.
  92. Schaltungsmodul nach Anspruch 90 oder 91, bei welchem zumindest ein CSP eines ersten Typs aus dem IC-Fenster herausragt, das durch die Flex-Schaltung hindurchgeht.
  93. Schaltungsmodul nach Anspruch 90 oder 91, bei welchem eine Mannigfaltigkeit von CSPs eines zweiten Typs entlang der zweiten Seite der Flex-Schaltung angeordnet ist.
  94. Schaltungsmodul nach Anspruch 92, bei welchem die Mannigfaltigkeit von CSPs des zweiten Typs aus Speicher-CSPs besteht.
  95. Schaltungsmodul nach Anspruch 94, bei welchem die Mannigfaltigkeit von CSPs des zweiten Typs aus Stapeln besteht.
  96. Schaltungsmodul nach Anspruch 90 oder 91, bei welchem eine Mannigfaltigkeit von CSPs des zweiten Typs entlang der ersten Seite der Flex-Schaltung angeordnet ist.
  97. Schaltungsmodul nach Anspruch 96, bei welchem die Mannigfaltigkeit von CSPs des zweiten Typs aus Speicherschaltungen besteht.
  98. Schaltungsmodul nach Anspruch 97, bei welchem die Mannigfaltigkeit von CSPs des zweiten Typs aus Stapeln besteht.
  99. Schaltungsmodul nach Anspruch 90 oder 91, angeschlossen an einen Leiterplattensockel über die mehreren Kontakte der Flex-Schaltung.
  100. Schaltungsmodul nach Anspruch 90 oder 91, bei welchem die zweite Seite der Flex-Schaltung ein erstes Feld und ein zweites Feld aufweist, und das zumindest eine CSP des ersten Typs auf dem ersten Feld der zweiten Seite angebracht ist, und eine Mannigfaltigkeit von CSPs eines zweiten Typs auf dem zweiten Feld der zweiten Seite angebracht ist.
  101. Schaltungsmodul nach Anspruch 90 oder 91, bei welchem das zumindest eine CSP des ersten Typs ein AMB ist.
  102. Schaltungsmodul nach Anspruch 90 oder 91, bei welchem die erste Seite der Flex-Schaltung mit einer Mannigfaltigkeit von CSPs eines zweiten Typs bevölkert ist.
  103. Schaltungsmodul nach Anspruch 99, 100 oder 101, bei welchem die Mannigfaltigkeit von CSPs des zweiten Typs Speicherschaltungen sind.
  104. Schaltungsmodul nach Anspruch 102, bei welchem die Mannigfaltigkeit von CSPs des zweiten Typs Speicherschaltungen sind, die in Stapeln angeordnet sind.
  105. Schaltungsmodul nach Anspruch 90 oder 91, welches weiterhin mehrere CSPs eines zweiten Typs aufweist, wobei das Substrat mit einem Muster versehen ist, um weg geschnittene Bereiche zur Verfügung zu stellen, in welchen die mehreren CSPs des zweiten Typs angeordnet sind.
  106. Schaltungsmodul nach Anspruch 90 oder 91, welches weiterhin eine erste Mannigfaltigkeit an CSPs eines zweiten Typs aufweist, wobei die erste Mannigfaltigkeit von CSPs des zweiten Typs und das zumindest eine CSP des ersten Typs einen ersten FB-DIMM aufweisen.
  107. Schaltungsmodul nach Anspruch 106, welches weiterhin eine zweite Mannigfaltigkeit an CSPs eines zweiten Typs aufweist, wobei das zumindest eine CSP des ersten Typs zwei AMBs aufweist, und die zweite Mannigfaltigkeit von CSPs des zweiten Typs und das zumindest eine CSP des ersten. Typs, welche zwei AMBs aufweisen, einen zweiten FB-DIMM aufweisen.
  108. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: eine Flex-Schaltung, die eine erste Seite aufweist, eine zweite Seite, eine IC-Öffnung, die durch die Flex-Schaltung hindurchgeht, und eine Gruppe von Kontakten zum Einführen in einen Leiterplattensockel, wobei die erste Seite mit mehreren CSPs eines ersten Typs bevölkert ist, und die zweite Seite mit einem CSP eines zweiten Typs bevölkert ist; und ein starres Substrat, das eine erste und eine zweite Querseite aufweist, einen Rand, und ein Fenster, das durch das starre Substrat hindurchgeht, wobei die Flex-Schaltung um den Rand des starren Substrats so herum geschlungen ist, dass die mehreren CSPs des ersten Typs an der Außenseite des Moduls angeordnet sind, und das CSP des zweiten Typs in dem Fenster des starren Substrats angeordnet ist.
  109. Schaltungsmodul nach Anspruch 108, bei welchem das starre Substrat aus einem wärmeleitfähigen Material besteht, und zumindest eine thermische Erweiterung aufweist.
  110. Schaltungsmodul nach Anspruch 108 oder 109, bei welchem das CSP des zweiten Typs teilweise aus der IC-Öffnung der Flex-Schaltung herausragt.
  111. Schaltungsmodul nach Anspruch 108 oder 109, bei welchem die mehreren CSPs des ersten Typs Speicherschaltungen sind.
  112. Schaltungsmodul nach Anspruch 111, bei welchem die mehreren CSPs des ersten Typs Speicherschaltungen sind, die in Stapeln angeordnet sind.
  113. Schaltungsmodul nach Anspruch 108 oder 109, bei welchem die Gruppe von Kontakten zum Einführen in eine Leiterplatte in der Nähe eines Umfangsrandes der Flex-Schaltung angeordnet ist.
  114. Modul nach Anspruch 108 oder 109, bei welchem die erste Seite der Flex-Schaltung ein erstes und ein zweites Feld aufweist, die jeweils mit mehreren CSPs des ersten Typs bevölkert sind, und die zweite Seite der Flex-Schaltung ein erstes und ein zweites Feld aufweist, wobei das erste Feld der zweiten Seite mit dem CSP des zweiten Typs bevölkert ist, und das zweite Feld der zweiten Seite mit mehreren CSPs des ersten Typs bevölkert ist, und die Flex-Schaltung so um das starre Substrat herum angeordnet ist, dass die ersten Felder der ersten und zweiten Seite an der ersten Seite des starren Substrats angeordnet sind, und die zweiten Felder der ersten und der zweiten Seite an der zweiten Seite des starren Substrats angeordnet sind.
  115. Modul nach Anspruch 114, bei welchem die Gruppe von Kontakten zum Einführen in einen Leiterplattensockel zwischen dem ersten und dem zweiten Feld der ersten Seite der Flex-Schaltung angeordnet ist.
  116. Modul nach Anspruch 114, bei welchem die Gruppe von Kontakten zum Einführen in einen Leiterplattensockel in der Nähe eines Umfangsrandes der Flex-Schaltung angeordnet ist.
  117. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: eine Flex-Schaltung, die eine erste Seite aufweist, eine zweite Seite, eine IC-Öffnung, und eine Gruppe von Kontakten zum Verbinden des Moduls mit einem Leiterplattenverbinder, wobei die Flex-Schaltung an ihrer ersten Seite mit Speicher-CSPs und an ihrer zweiten Seite mit zumindest einem IC eines ausgewählten Typs bevölkert ist; ein Substrat, das eine erste Seite aufweist, eine zweite Seite, ein Fenster, das durch das Substrat hindurchgeht, und einen Rand, um welchen die Flex-Schaltung geschlungen ist, um die erste Seite der Flex-Schaltung weiter weg von dem Substrat als die zweite Seite der Flex-Schaltung anzuordnen, und den zumindest einen IC des ausgewählten Typs in dem Fenster des Halterungssubstrats anzuordnen.
  118. Schaltungsmodul nach Anspruch 17, bei welchem das Substrat aus wärmeleitfähigem Material besteht, und zumindest eine thermische Erweiterung aufweist.
  119. Schaltungsmodul nach Anspruch 117 oder 118, bei welchem der IC des ausgewählten Typs so angeordnet ist, dass er sich durch das Fenster des Halterungssubstrats erstreckt, und teilweise gegenüber der IC-Öffnung der Flex-Schaltung vorsteht.
  120. Schaltungsmodul nach Anspruch 117 oder 118, bei welchem die Gruppe von Kontakten in der Nähe eines Umfangsrandes der Flex-Schaltung angeordnet ist.
  121. Schaltungsmodul nach Anspruch 117 oder 118, bei welchem die Gruppe von Kontakten zwischen einer ersten Gruppe von Speicher-CSPs und einer zweiten Gruppe von Speicher-CSPs angeordnet ist, welche die erste Seite der Flex-Schaltung bevölkern.
  122. Schaltungsmodul nach Anspruch 117 oder 118, eingeführt in einen Leiterplattenverbinder.
  123. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: eine Flex-Schaltung, die eine erste Seite aufweist, eine zweite Seite, einen Umfangsrand, und eine Gruppe von Leiterplattenverbinderkontakten, wobei die Flex-Schaltung an ihrer ersten Seite mit mehreren CSPs eines ersten Typs bevölkert ist, und auf ihrer zweiten Seite mit zumindest einem CSP eines zweiten Typs bevölkert ist; ein Substrat, das eine erste und eine zweite Seite aufweist, einen Rand, und ein Fenster, durch welches das zumindest eine CSP des zweiten Typs eingeführt ist, um die mehreren CSPs des ersten Typs an der ersten Seite des Substrats anzuordnen, und hervorzurufen, dass das zumindest eine CSP des zweiten Typs gegenüber der zweiten Seite des Substrats durch das Fenster des Substrats vorsteht.
  124. Schaltungsmodul nach Anspruch 123, bei welchem das Substrat aus wärmeleitfähigem Material besteht, und zumindest eine thermische Erweiterung aufweist.
  125. Schaltungsmodul nach Anspruch 123 oder 124; bei welchem die mehreren CSPs des ersten Typs Speicher-CSPs sind, und zumindest eine CSP des zweiten Typs eine Pufferschaltung ist.
  126. Schaltungsmodul nach Anspruch 123 oder 124, bei welchem das zumindest eine CSP des zweiten Typs eine Logikschaltung ist.
  127. Schaltungsmodul nach Anspruch 123 oder 124, bei welchem die Gruppe von Leiterplattenverbinderkontakten in der Nähe des Umfangsrandes der Flex-Schaltung angeordnet ist.
  128. Schaltungsmodul nach Anspruch 127, bei welchem zumindest ein CSP des zweiten Typs, welches eine Pufferschaltung ist, ein AMB ist.
  129. Verfahren zur Bereitstellung eines Schaltungsmoduls mit folgenden Schritten: Bereitstellen einer Flex-Schaltung, die eine erste und eine zweite Seite aufweist, und einen ersten und einen zweiten, langen Umfangsrand, und einen ersten und einen zweiten, kurzen Umfangsrand, mit einer Gruppe von zu einem Stiftsockel passenden Kontakten entlang der ersten Seite, wobei eine erste und eine zweite Mannigfaltigkeit von CSPs auf der ersten Seite der Flex-Schaltung angebracht wird, die in Querrichtung um die Gruppe von zu einem Stiftsockel passenden Kontakten angeordnet sind, um die erste Mannigfaltigkeit an CSPs näher an dem ersten, langen Umfangsrand der Flex-Schaltung anzuordnen als die Gruppe von Modulkontakten, und die zweite Mannigfaltigkeit an CSPs näher an dem zweiten, langen Umfangsrand der Flex-Schaltung anzuordnen als die Gruppe der Modulkontakte; Bereitstellen eines wärmeleitfähigen, starren Substrats, das eine erste und eine zweite Querseite aufweist, sowie einen ersten, langen Umfangsrand und einen zweiten, langen Umfangsrand; Schlingen der Flex-Schaltung um das wärmeleitfähige Substrat, um die zweite Seite der Flex-Schaltung näher an der ersten und zweiten Querseite des Substrats anzuordnen als die erste Seite der Flex-Schaltung, und die Gruppe von Modulkontakten näher an dem ersten, langen Umfangsrand des Substrats anzuordnen als an dem zweiten, langen Umfangsrand des wärmeleitfähigen Substrats, und um die erste Mannigfaltigkeit an CSPs näher an der ersten Querseite des wärmeleitfähigen Substrats anzuordnen als die zweite Mannigfaltigkeit an CSPs.
  130. Verfahren zur Bereitstellung einer vergrößerten Speicherkapazität für ein Computersystem mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Schaltungsmoduls gemäß Anspruch 129, und Einführen des Moduls in einen Erweiterungsschlitz.
  131. Verfahren zum Zusammenbau eines Schaltungsmoduls mit folgenden Schritten: Bereitstellen einer Flex-Schaltung, die eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist, wobei die erste Seite eine Mannigfaltigkeit von Anschlussflächen zum Anbringen von CSPs und mehrere Kontakte zum Einführen in einen Erweiterungsleiterplattenschlitz aufweist; und die zweite Seite mehrere Anschlussflächen zur Anbringung von CSPs aufweist; Anbringen mehrerer CSPs an der ersten Seite der Flex-Schaltung; Anbringen mehrerer CSPs an der zweiten Seite der Flex-Schaltung; Anbringen eines AMB auf zumindest entweder der ersten oder der zweiten Seite der Flex-Schaltung; Bereitstellen eines wärmeleitfähigen, starren Substrats, das eine erste und eine zweite Hauptoberfläche, einen Rand, und eine thermische Erweiterung aufweist; und Schlingen der Flex-Schaltung um den Rand des starren Substrats, mit der ersten Seite nach außen gewandt, so dass die mehreren Kontakte in der Nähe des Randes des wärmeleitfähigen, starren Substrats angeordnet sind.
  132. Verfahren nach Anspruch 131, mit dem weiteren Schritt der Anbringung eines Wärmeabstrahl-Clips bei ausgewählten der mehreren CSPs.
  133. Verfahren nach Anspruch 131, mit dem weiteren Schritt des Einführens der mehreren Kontakte zumindest teilweise in einen Erweiterungsleiterplattenschlitz zur Verbindung mit einer Betriebsumgebung.
  134. Verfahren nach Anspruch 131, bei welchem das wärmeleitfähige, starre Substrat einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt aufweist, und der erste Abschnitt dünner ist als der zweite Abschnitt.
  135. Verfahren nach Anspruch 131, bei welchem das wärmeleitfähige, starre Substrat aus einem Metall besteht.
  136. Verfahren nach Anspruch 131, bei welchem das wärmeleitfähige, starre Substrat aus Aluminium besteht.
  137. Verfahren nach Anspruch 131, bei welchem das wärmeleitfähige, starre Substrat aus FR4 und einer Metallschicht besteht.
  138. Bevölkerte, flexible Schaltung, bei welcher vorgesehen sind: eine flexible Schaltung, die eine erste Hauptseite und eine zweite Hauptseite aufweist, wobei die flexible Schaltung entlang der ersten Hauptseite erste und zweite Gruppen von Kontaktort-Arrays der ersten Seite aufweist, zwischen denen mehrere Verbinderkontakte angeordnet sind, die zweite Hauptseite der flexiblen Schaltung erste und zweite Gruppen von Kontaktort-Arrays der zweiten Seite aufweist, die den ersten und zweiten Gruppen von Kontaktort-Arrays der ersten Seite entsprechen, jedoch in Querrichtung versetzt gegenüber den ersten und zweiten Gruppen der Kontaktort-Arrays sind, wobei jede der ersten und zweiten Gruppen der Kontaktort-Arrays der ersten Seite und der zweiten Seite zumindest zwei Oberflächenmontage-Arrays aufweisen, und die flexible Schaltung Verbindungen zwischen den zumindest zwei Oberflächenmontage-Arrays jeder der ersten und zweiten Gruppen von Kontaktort- Arrays der ersten Seite und ausgewählten der mehreren Verbinderkontakte zur Verfügung stellt; mehrere CSPs, welche die zumindest zwei Oberflächenmontage-Arrays jeder der ersten und zweiten Gruppe von Kontaktort-Arrays der ersten Seite bevölkern.
  139. Bevölkerte Flex-Schaltung nach Anspruch 138, bei welchem eine zweite Mannigfaltigkeit an CSPs zumindest zwei Oberflächenmontage-Arrays jeder der ersten und zweiten Gruppe von Kontaktort-Arrays der zweiten Seite bevölkert.
  140. Schaltungsmodul, bei welchem vorgesehen sind: ein Substrat, das eine erste und eine zweite Querseite sowie einen Hohlraum aufweist; eine Flex-Schaltung aus einem ersten und einem zweiten Abschnitt, wobei der erste Abschnitt in der Nähe der ersten Querseite des Substrats angeordnet ist, und der zweite Abschnitt in der Nähe der zweiten Querseite des Substrats angeordnet ist, und die Flex-Schaltung Karten-Stiftsockelkontakte aufweist; ein Verbinder, der ein erstes und ein zweites Teil aufweist, die selektiv verbindbar sind, wobei das erste Teil des Verbinders dem ersten Abschnitt der Flex-Schaltung entspricht, und das zweite Teil des Verbinders dem zweiten Abschnitt der Flex-Schaltung entspricht, und der erste und der zweite Abschnitt der Flex-Schaltung elektrisch in dem Hohlraum des Substrats durch das erste und das zweite Teil des Verbinders verbunden sind.
  141. Schaltungsmodul zum Fördern des Abziehens von Wärmeenergie von Speicher-CSPs, die zusammen mit einem AMB arbeiten, wobei vorgesehen sind: mehrere Speicher-CSPs, die jeweils eine obere Oberfläche und eine untere Oberfläche sowie CSP-Kontakte aufweisen, wobei die CSP-Kontakte entlang der unteren Oberfläche vorgesehen sind; eine Flex-Schaltung, die an einem AMB und der Mannigfaltigkeit von Speicher-CSPs angebracht ist; ein wärmeleitfähiges Substratteil, das einen Rand und eine thermische Erweiterung aufweist, wobei die Erweiterung entgegengesetzt zum Rand angeordnet ist; ein ausgewähltes erstes und zweites der Mannigfaltigkeit von Speicher-CSPs, angebracht an der Flex-Schaltung, so dass die CSP-Kontakte des ausgewählten ersten CSP von den CSP-Kontakten des ausgewählten zweiten CSP durch zumindest einen Teil der Flex-Schaltung getrennt sind.
DE102005038254A 2004-09-03 2005-08-12 Schaltungsmodulsystem und -Verfahren Withdrawn DE102005038254A1 (de)

Applications Claiming Priority (18)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/934,027 2004-09-03
US10/934,027 US20060050492A1 (en) 2004-09-03 2004-09-03 Thin module system and method
US11/005,992 US7480152B2 (en) 2004-09-03 2004-12-07 Thin module system and method
US11/005,992 2004-12-07
US11/007,551 2004-12-08
US11/007,551 US7511968B2 (en) 2004-09-03 2004-12-08 Buffered thin module system and method
US11/058,979 2005-02-16
US11/058,979 US7468893B2 (en) 2004-09-03 2005-02-16 Thin module system and method
US11/068,688 US7324352B2 (en) 2004-09-03 2005-03-01 High capacity thin module system and method
US11/068,688 2005-03-01
US11/123,721 2005-05-06
US11/123,721 US20060053345A1 (en) 2004-09-03 2005-05-06 Thin module system and method
US11/125,018 US7606049B2 (en) 2004-09-03 2005-05-09 Module thermal management system and method
US11/125,018 2005-05-09
US11/173,450 US20060049512A1 (en) 2004-09-03 2005-07-01 Thin module system and method with skew reduction
US11/173,450 2005-07-01
US11/193,954 US20060049513A1 (en) 2004-09-03 2005-07-29 Thin module system and method with thermal management
US11/193,954 2005-07-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102005038254A1 true DE102005038254A1 (de) 2006-03-23

Family

ID=35098242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005038254A Withdrawn DE102005038254A1 (de) 2004-09-03 2005-08-12 Schaltungsmodulsystem und -Verfahren

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JP2006074031A (de)
KR (1) KR100880054B1 (de)
AU (1) AU2005203591A1 (de)
CA (1) CA2515714A1 (de)
DE (1) DE102005038254A1 (de)
FR (1) FR2878118A1 (de)
GB (3) GB2453064A (de)
WO (1) WO2006028643A2 (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100837276B1 (ko) 2006-12-20 2008-06-11 삼성전자주식회사 인쇄 회로 기판 및 이를 사용하는 반도체 메모리 모듈
US7715200B2 (en) 2007-09-28 2010-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Stacked semiconductor module, method of fabricating the same, and electronic system using the same
JP2011035345A (ja) 2009-08-06 2011-02-17 Fujitsu Ltd 半導体素子モジュール、電子回路ユニット、電子デバイス、及び、半導体素子モジュールの製造方法
JP2011090441A (ja) * 2009-10-21 2011-05-06 Elpida Memory Inc メモリモジュール
US8536697B2 (en) 2011-11-30 2013-09-17 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged die for heat dissipation and method therefor
TW201347051A (zh) * 2012-01-27 2013-11-16 Mosaid Technologies Inc 連接記憶體晶粒形成記憶體系統的方法與設備
US9516755B2 (en) * 2012-12-28 2016-12-06 Intel Corporation Multi-channel memory module
DE102016115665B3 (de) * 2016-08-24 2018-01-18 Harting Electric Gmbh & Co. Kg Steckverbinder
US10679722B2 (en) 2016-08-26 2020-06-09 Sandisk Technologies Llc Storage system with several integrated components and method for use therewith
JP6597810B2 (ja) * 2018-02-02 2019-10-30 日本電気株式会社 実装構造、構造部品、実装構造の製造方法
US20190314083A1 (en) * 2018-04-11 2019-10-17 Biosense Webster (Israel) Ltd. Flexible Multi-Arm Catheter with Diametrically Opposed Sensing Electrodes

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57193094A (en) * 1981-05-18 1982-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic circuit part and method of mounting same
FR2538989B1 (fr) * 1982-12-30 1985-10-04 Thomson Csf Structure d'assemblage de circuits electroniques complexes, et procede d'amelioration de la fiabilite d'un tel assemblage
US5252857A (en) * 1991-08-05 1993-10-12 International Business Machines Corporation Stacked DCA memory chips
US5731633A (en) * 1992-09-16 1998-03-24 Gary W. Hamilton Thin multichip module
JPH113955A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体チップ搭載ボード
US5963427A (en) * 1997-12-11 1999-10-05 Sun Microsystems, Inc. Multi-chip module with flexible circuit board
US6219243B1 (en) * 1999-12-14 2001-04-17 Intel Corporation Heat spreader structures for enhanced heat removal from both sides of chip-on-flex packaged units
US6444921B1 (en) * 2000-02-03 2002-09-03 Fujitsu Limited Reduced stress and zero stress interposers for integrated-circuit chips, multichip substrates, and the like
US6449159B1 (en) * 2000-05-03 2002-09-10 Rambus Inc. Semiconductor module with imbedded heat spreader
JP2002151648A (ja) * 2000-11-07 2002-05-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュール
EP1306900A3 (de) * 2000-12-28 2005-07-06 Texas Instruments Incorporated Chipgrosse Gehäuse gestapelt auf Falt-Verbindung für Vertikalmontage auf Substraten
WO2005104324A2 (en) * 2004-04-15 2005-11-03 Smith Gary W Folded, fully buffered memory module

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006028643A3 (en) 2006-11-30
GB2452880B (en) 2009-07-29
GB0822085D0 (en) 2009-01-07
GB0516622D0 (en) 2005-09-21
GB2453064A (en) 2009-03-25
KR100880054B1 (ko) 2009-01-22
AU2005203591A1 (en) 2006-03-23
JP2006074031A (ja) 2006-03-16
KR20060050487A (ko) 2006-05-19
CA2515714A1 (en) 2006-03-03
GB0822086D0 (en) 2009-01-07
GB2417836A (en) 2006-03-08
FR2878118A1 (fr) 2006-05-19
WO2006028643A2 (en) 2006-03-16
GB2452880A (en) 2009-03-18
GB2417836B (en) 2009-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005038254A1 (de) Schaltungsmodulsystem und -Verfahren
DE69531177T2 (de) Kartenartige Halbleiteranordnung
US7480152B2 (en) Thin module system and method
US7511968B2 (en) Buffered thin module system and method
US7737549B2 (en) Circuit module with thermal casing systems
US7375970B2 (en) High density memory module using stacked printed circuit boards
DE60128145T2 (de) Elektronischer aufbau mit substrat und eingebettetem kondensator und herstellungsverfahren
DE202017001424U1 (de) Oberflächenmontierte Verbindung starrer und flexibler gedruckter Leiterplatten
EP1575344B1 (de) Steuergerät
DE102011077206B4 (de) Leiterplatte und Steuergerät für ein Getriebe eines Fahrzeugs mit der Leiterplatte
DE102006018161A1 (de) Elektronisches Bauelementmodul
WO2009043649A2 (de) Dreidimensionaler elektronischer schaltungsträgeraufbau, sowie schaltungsgrundträger aufweisend den schaltungsträgeraufbau als funktionsbauteil und dreidimensionale schaltungsanordnung bestehend aus zumindest zwei derartigen dreidimensionalen schaltungsträgeraufbauten
DE19801312A1 (de) Halbleiterbauelement mit mehreren Substratlagen und zumindest einem Halbleiterchip und einem Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelementes
US11096290B2 (en) Printed circuit board with edge soldering for high-density packages and assemblies
DE102005056872A1 (de) Mehrchipmodul mit Leistungssystem und Durchgangslöchern
EP0834242B1 (de) Verbindungssubstrat
EP0219627A1 (de) Mehrschichtige gedruckte Schaltungsplatte
DE102010036812A1 (de) Mehrchipmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
US6404662B1 (en) Rambus stakpak
DE4235517A1 (de) Halbleitervorrichtung in modulbauweise
DE102016101757A1 (de) Schaltungsmodul mit oberflächenmontierbaren unterlagsblöcken zum anschliessen einer leiterplatte
DE10247035B4 (de) Speichermodul mit einer Wärmeableiteinrichtung
EP2953434A1 (de) Anordnung elektronischer Leiterplatten
DE10255848B4 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung sowie Hauptplatine mit diesem Halbleiterbauelement
DE102023119594A1 (de) Partitionierte überlappende kupfergebondete Interposer

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee